DE19948630A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten - Google Patents

Abstract

Um auf einfache und kostengünstige Weise eine Beschädigung von Substraten durch lange Verweilzeiten in einem Behandlungsfluid zu verhindern, sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, in einem mit Behandlungsfluid gefüllten Behandlungsbecken vor, bei dem bei Auftreten einer Fehlfunktion ein das Behandlungsfluid verdünnendes Fluid in das Behandlungsbecken eingeleitet wird. Die Erfindung sieht auch eine entsprechende Vorrichtung zum Behandeln von Substraten vor.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, in einem mit Behandlungsfluid gefüllten Behandlungsbecken.

Derartige Verfahren und Vorrichtungen sind beispielsweise in der nicht vor­ veröffentlichten, auf die selbe Anmelderin zurückgehenden DE-A-199 26 462 bekannt. Hierbei ist es bekannt, ein Behandlungsfluid in ein mit Halbleiterwa­ fern bestücktes Becken einzuleiten, das Behandlungsfluid nach einer be­ stimmten Behandlungszeit abzuleiten und anschließend eine Spülflüssigkeit in das Behandlungsbecken einzuleiten. Ferner ist es bekannt, das Behand­ lungsfluid durch eine Spülflüssigkeit aus dem Behandlungsbecken zu ver­ drängen, um die Behandlung zu beenden und die Halbleiterwafer zu spülen.

Bei einer derartigen Naßbehandlung von Substraten ist es wichtig, daß die Halbleiterwafer nur eine bestimmte Zeit innerhalb des Behandlungsfluids wie beispielsweise einer Ätzflüssigkeit, die mit der Oberfläche der Halbleiterwafer reagiert, verbleiben. Wenn die Halbleiterwafer zu lange in dem Behandlungs­ fluid verbleiben, schreitet die chemische Reaktion zwischen dem Behand­ lungsfluid und dem Halbleiterwafer soweit fort, daß diese beschädigt werden und für eine weitere Verarbeitung unbrauchbar sind. Bei einem normalen Pro­ zeßablauf wird die Prozeßzeit gesteuert und eine Beschädigung der Substrate ist nicht zu befürchten. Wenn jedoch in der Anlage zum Behandeln der Sub­ strate ein Fehler auftritt, so kann es zu Verzögerungen kommen, was dazu führt, daß die Substrate zu lange in dem Behandlungsfluid verbleiben und da­ durch beschädigt werden.

Ausgehend von dem oben genannten Stand der Technik liegt der vorliegen­ den Erfindung daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrich­ tung zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern in einem mit Behandlungsfluid gefüllten Behandlungsbecken zu schaffen, bei dem bzw. bei der auf einfache und kostengünstige Weise eine Beschädigung der Wafer durch lange Verweilzeiten in einem Behandlungsfluid verhindert werden.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe bei einem Verfahren der eingangs ge­ nannten Art dadurch gelöst, daß bei Auftreten einer Fehlfunktion ein das Be­ handlungsfluid verdünnendes Fluid in das Behandlungsbecken eingeleitet wird. Hierdurch wird der Prozeß unterbrochen, und der Wafer wird durch län­ gere Verweilzeiten nicht beschädigt, da es zu keiner weiteren oder zumindest einer stark reduzierten Reaktion zwischen Behandlungsfluid und dem Wafer kommt.

Um die Menge des benötigten Verdünnungsfluids zu reduzieren und die Un­ terbrechung des Prozesses zu beschleunigen, wird das Behandlungsfluid vor und/oder während des Einleitens des Verdünnungsfluids zumindest teilweise abgelassen.

Vorteilhafterweise wird das Verdünnungsfluid in Abhängigkeit vom verwen­ deten Behandlungsfluid ausgewählt, um eine effektive und rasche Unterbre­ chung der chemischen Prozesse vorzusehen. Dabei wird das Behandlungs­ fluid vorzugsweise zunächst stärker und nach Erreichen eines gewünschten Verdünnungsniveaus schwächer verdünnt. Gemäß einer bevorzugten Ausfüh­ rungsform erfolgt dies durch eine Veränderung der Strömungsrate des Ver­ dünnungsfluids. Bei einer alternativen Ausführungsform wird die Konzentrati­ on des Verdünnungsfluids über die Zeit hinweg verändert.

Um eine rasche Unterbrechung der chemischen Prozesse vorzusehen, weist das Verdünnungsfluid eine andere, insbesondere eine geringere Temperatur als das Behandlungsfluid auf. Es ist bekannt, daß bestimmte chemische Pro­ zesse bei bestimmten Reaktionstemperaturen rascher voranschreiten, und somit kann der chemische Prozeß durch Veränderung der Temperatur des verdünnten Behandlungsfluids rascher unterbrochen werden. Zum Erreichen des selben Effekts wird vorzugsweise die Temperatur des Behandlungsbec­ kens verändert, insbesondere abgesenkt.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird ferner bei einer Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, in einem mit Behandlungsfluid gefüllten Behandlungsbecken, mit einer Versorgungsein­ richtung zum Einleiten eines das Behandlungsfluid verdünnenden Fluids in das Behandlungsbecken dadurch gelöst, daß eine ein Fehlersignal empfan­ gende Steuereinheit zum Steuern der Versorgungseinrichtung in Abhängigkeit vom Fehlersignal vorgesehen wird. Durch die erfindungsgemäße Steuerein­ heit ist es möglich, die chemischen Prozesse im Behandlungsbecken sofort beim Auftreten eines Fehlers zu unterbrechen, um eine weitere Reaktion zwi­ schen dem Behandlungsfluid und den Substraten und somit eine Beschädi­ gung derselben zu unterbinden. Die erfindungsgemäße Vorrichtung eignet sich insbesondere zur Nachrüstung an bestehenden Anlagen, wodurch auf einfache und kostengünstige Weise eine erhöhte Sicherheit bei bestehenden Anlagen vorgesehen werden kann.

Um den Abbruch der chemischen Prozesse im Behandlungsbecken zu be­ schleunigen, ist vorzugsweise ein Schnellablaßventil im Behandlungsbecken vorgesehen. Über das Schnellablaßventil kann das Behandlungsfluid vor und/oder während des Einleitens des Verdünnungsfluids zumindest teilweise abgelassen werden, wodurch ein rascher Abbruch der chemischen Prozesse und eine Verringerung des benötigten Verdünnungsfluids erreicht wird.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Versorgungsein­ richtung zum Einleiten unterschiedlicher Verdünnungsfluide vorgesehen, wo­ durch speziell auf den jeweiligen chemischen Prozeß abgestimmte Verdün­ nungsfluide in das Behandlungsbecken eingeleitet werden können.

Um den Abbruch der chemischen Prozesse im Behandlungsbecken zu be­ schleunigen und/oder zu steuern, ist vorzugsweise die Temperatur des Ver­ dünnungsfluids und/oder des Behandlungsbeckens sowie die Strömungsrate des Verdünnungsfluids steuerbar.

Die Erfindung wird nachstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Naßbehandlung von Halbleiterwafern gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Er­ findung;

Fig. 2 eine schematische Ausführungsform einer Vorrichtung zur Naßbe­ handlung von Halbleiterwafern gemäß einem zweiten Ausführungsbei­ spiel der Erfindung.

Fig. 1 zeigt eine Vorrichtung 1 zur Naßbehandlung von Halbleiterwafern 2 mit einem Behandlungsbehälter 4, einer Versorgungseinrichtung 6 zum Einleiten eines Fluids in den Behandlungsbehälter und einer Steuereinheit 8 zum Steu­ ern der Versorgungseinrichtung.

Der Behandlungsbehälter 4 weist ein Behandlungsbecken 10 mit einer nicht dargestellten Substrataufnahme auf. Das Behandlungsbecken 10 ist in be­ kannter Weise mit einem Behandlungsfluid 12 befüllbar. Das Behandlungs­ fluid kann beispielsweise eine Säure, eine Base oder ein Lösungsmittel sein, das mit den im Behandlungsbecken 10 gehaltenen Halbleiterwafern 2 rea­ giert. Vor dem Einleiten des Behandlungsfluids wird es durch eine nicht dar­ gestellte Vorrichtung auf eine Prozeßtemperatur Temperiert. Obwohl in Fig. 1 nur ein Halbleiterwafer 2 dargestellt ist, sei bemerkt, daß in dem Behand­ lungsbecken 10 mehrere Halbleiterwafer 2 aufgenommen sein können.

Der Behandlungsbehälter 4 weist ferner einen das Behandlungsbecken 10 umgebenden Überlauf 14 auf, der mit einer Ablaufleitung 16 an seinem unte­ ren Ende verbunden ist.

Die Versorgungseinrichtung 6 weist eine im Behandlungsbecken 10 angeord­ nete Einspritzeinheit 18 mit ersten und zweiten sich längs im Behandlungs­ becken 10 erstreckenden Düsen 19, 20 auf. Die Einspritzeinheit 18 ist einem unteren Bereich des Behandlungsbeckens 10 unterhalb einer Vorrichtung zum Halten der Halbleiterwafer 2 angeordnet, und die Düsen 19, 20 sind derart ausgerichtet, daß sie ein Fluid nach oben in Richtung der Halbleiterwafer 2 in das Behandlungsbecken 10 einspritzen. Obwohl die Düsen 19, 20 unterhalb des Halbleiterwafers 2 dargestellt sind, könnten die Düsen 19, 20 auch seitlich bezüglich des Halbleiterwafers 2 oder oberhalb des Halbleiterwafers 2 ange­ ordnet sein, wobei sie eine Bewegung des Halbleiterwafers 2 in das Behand­ lungsbecken 10 und aus diesem heraus nicht beeinträchtigen dürfen.

Die Einspritzeinheit 18 ist über eine Leitung 22 mit einem Auslaß einer Venti­ leinheit 24 der Versorgungseinrichtung 6 verbunden. Die Ventileinheit 24 weist zwei Einlaßleitungen 25, 26 auf, die wahlweise über die Leitung 22 mit der Einspritzeinheit 18 verbunden werden können. In gleicher Weise ist es natürlich möglich, beide Einlaßleitungen 25, 26 gegenüber der Leitung zu blockieren. Die Einlaßleitungen 25, 26 zur Ventileinheit 24 können, wie nach­ folgend noch näher beschrieben wird, mit unterschiedlichen Fluiden beauf­ schlagt sein, oder sie könnten mit dem selben Fluid aber mit unterschiedli­ chen Drücken beaufschlagt sein. Darüber hinaus könnten noch weitere Ein­ laßleitungen vorgesehen sein, um die Auswahl einer größeren Anzahl von Fluiden und/oder Drücken zu ermöglichen. Die Fluide in den Leitungen kön­ nen über nicht dargestellte Kühlvorrichtungen gekühlt sein, um beim Einleiten in das Behandlungsbecken das Behandlungsfluid zu kühlen.

Die Ventileinheit 24 wird über eine Steuerleitung 28 durch die Steuereinheit 8 angesteuert, wie nachfolgend noch näher beschrieben wird. Die Steuereinheit 8 weist einen Steuerblock 30 auf, der über eine Leitung 32 ein Fehlersignal von einem beliebigen Bauteil der Behandlungsvorrichtung 1, wie z. B. einem nicht dargestellten Handhabungsroboter der Vorrichtung empfängt.

Beim normalen Betrieb der Vorrichtung 1 werden zunächst Halbleiterwafer 2 in das ungefüllte Behandlungsbecken 10 eingesetzt und anschließend wird ein Behandlungsfluid 12 in geeigneter Weise in das Behandlungsbecken 10 eingeführt. Dabei wird in der Regel konstant Behandlungsfluid eingeleitet bis es über den oberen Rand des Behandlungsbeckens 10 in den Überlauf 14 strömt und durch die Leitung 16 abgeleitet wird. Nach einer bestimmten Pro­ zeßzeit wird das Behandlungsfluid 12 über ein nicht dargestelltes Ablaßventil abgelassen, oder durch Einleiten eines anderen Fluids, wie z. B. ein Neutrali­ sierungs- und/oder Spülfluid aus dem Behandlungsbecken 10 verdrängt. Zum Einleiten des anderen Fluids kann beispielsweise die Versorgungseinrichtung 6 verwendet werden, die beispielsweise auch zum Einleiten des Behand­ lungsfluids verwendet werden könnte. Anschließend werden die Halbleiter­ wafer 2 für eine gewisse Zeitdauer gespült und abschließend über eine geeig­ nete Handhabungsvorrichtung aus dem Behandlungsbecken 10 entnommen und getrocknet. Dabei kann zuvor das andere Fluid aus dem Becken abgelas­ sen werden oder die Halbleiterwafer 2 können aus dem fluidgefüllten Becken herausgehoben werden. Beim Ablassen des Fluids oder beim Herausheben aus dem Fluid werden die Wafer gemäß dem Marangonieffekt getrocknet.

Sollte während des obigen Prozesses ein Fehler auftreten, wie beispielsweise eine Störung im Wafer-Handhabungssystem, im System zum Einleiten des Behandlungsfluids, im System zum Beheizen des Behandlungsfluids und/oder eine sonstige Störung, wird dieser Fehler über die Leitung 32 an den Steuer­ block 30 signalisiert. Beim Empfang des Fehlersignals steuert der Steuerblock 30 über die Leitung 28 die Ventileinheit 24 an, um ein das Behandlungsfluid 12 verdünnendes Verdünnungsfluid wie zum Beispiel Wasser, Alkohol oder Ethylenglykol in das Behandlungsbecken 10 einzuleiten. Dabei wird zunächst ein unter hohem Druck stehendes Behandlungsfluid aus der Leitung 25 über die Leitung 22 und die Einspritzeinheit 18 in das Behandlungsbecken 10 ein­ geleitet, um das Behandlungsfluid 12 rasch aus dem Behandlungsbecken 10 zu verdrängen und das Behandlungsfluid 12 rasch zu verdünnen. Nach Errei­ chen eines bestimmten Verdünnungsniveaus des Behandlungsfluids 12 im Behandlungsbecken 10 wird das Ventil über die Steuereinheit 8 umgeschaltet, um Verdünnungsfluid mit niedrigem Druck aus der Leitung 26 in das Behand­ lungsbecken 10 einzuleiten, wodurch das Behandlungsfluid 12 weiter ver­ drängt und verdünnt wird.

Wie schon oben angedeutet, ist es bei einer alternativen Ausführungsform der Erfindung möglich, daß in den Leitungen 25, 26 unterschiedliche Verdün­ nungsfluide vorgesehen sind. Wenn dies der Fall ist, kann die Steuereinheit 8 eine der Verdünnungsfluide auswählen, und zwar in Abhängigkeit von dem derzeit im Behandlungsbecken 10 verwendeten Behandlungsfluid 12.

Über die Ansteuerung der Ventileinheit 24 kann die Strömung dorthindurch reguliert und zunächst stärker und anschließend schwächer eingestellt wer­ den. In gleicher Weise könnte die Steuereinheit 8 mit einer Pumpvorrichtung oder ähnlichem verbunden sein, um den Druck des Verdünnungsfluids inner­ halb der Leitung 25 und/oder 26 und somit die Strömungsgeschwindigkeit bei geöffnetem Ventil einzustellen.

Fig. 2 zeigt eine alternative Ausführungsform einer Behandlungsvorrichtung 1 für Halbleiterwafer 2. Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 werden die gleichen Bezugszeichen wie bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 ver­ wendet, sofern gleiche oder ähnliche Bauteile betroffen sind. Die Vorrichtung 1 weist wiederum einen Prozeßbehälter 4, eine Versorgungseinrichtung 6 und eine Steuereinheit 8 auf. Der Behandlungsbehälter 4 weist ein Behandlungs­ becken 10 auf, das in geeigneter Weise mit Behandlungsfluid 12 befüllbar ist. Das Behandlungsbecken 10 weist einen sich schräg nach unten zu einem Schnellablaß 38 verjüngenden Beckenboden 40 auf. Unterhalb des Behand­ lungsbeckens 10 ist ein Auffangbecken 42 vorgesehen, das mit einer Auslaß­ leitung 44 verbunden ist. Über das Schnellablaßventil 38 ist es möglich, in dem Behandlungsbecken 10 befindliches Behandlungsfluid 12 rasch in das Auffangbecken 12 zu leiten, von wo es über die Ablaßleitung 44 abgeleitet wird. Das Behandlungsbecken 10 ist wiederum von einem Überlauf 14 mit ei­ ner Ablaufleitung 16 umgeben.

Die Versorgungseinrichtung 6 weist eine innerhalb des Behandlungsbeckens 10, zwischen den Wafern 2 und dem Schnellablaß 38 angeordnete Einsprit­ zeinheit 18 mit Düsen 19, 20 auf, die über eine Leitung 22 mit einer Ventilein­ heit 24 verbunden ist. Obwohl die Einspritzeinheit zwischen den Wafern 2 und dem Schnellablaß 38 gezeigt ist, könnte sie auch neben den Wafern oder über den Wafern angeordnet sein. Insbesondere wenn über den Schnellablaß größere Mengen des Behandlungsfluids abgelassen werden, ist es sinnvoll, die Einspritzeinheit 18 über den Wafern 2 zu positionieren, um eine gute Ab­ leitung des Behandlungsfluids bei gleichzeitiger Einleitung des Verdünnungs­ fluids zu erreichen. Ferner kann durch eine obenliegende Einspritzeinheit vermieden werden, daß die Wafer beim Ableiten des Behandlungsfluids mit Luft in Kontakt kommen, da das abgeleitete Behandlungsfluid von oben durch das Verdünnungsfluid ersetzt wird. Die Ventileinheit 24 ist mit Einlaßleitungen 25 und 26 versehen.

Die Ventileinheit 24 ist über eine Steuerleitung 28 durch den Steuerblock 30 ansteuerbar, der über eine Leitung 32 ein Fehlersignal von einem Bauelement der Vorrichtung 1 empfängt. Über eine weitere Steuerleitung 46 ist der Steu­ erblock 30 der Steuereinheit 8 mit dem Schnellablaßventil 38 verbunden, um dieses zu steuern.

Der Normalbetrieb der Behandlungsvorrichtung 1 ist im wesentlichen der sel­ be, wie der Betrieb der Vorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, wobei das Behandlungsfluid 12 nach Ablauf der Prozeßzeit über das Schnel­ lablaßventil 38 abgelassen werden kann, um anschließend ein Neutralisie­ rungs- oder Spülfluid in das Behandlungsbecken 10 einzuleiten. Beim Auftre­ ten eines Fehlers innerhalb der Behandlungsvorrichtung wird wiederum ein Verdünnungsfluid in das Behandlungsbecken 10 eingeleitet, wie oben Be­ schrieben. Zusätzlich zum Einleiten des Verdünnungsfluids wird jedoch auch das Schnellablaßventil angesteuert, um vor und/oder während des Einleitens des Verdünnungsfluids zumindest einen Teil des Behandlungsfluids 12 aus dem Behandlungsbecken 10 abzuleiten. Indem ein Teil des Behandlungsfluids 12 durch das Schnellablaßventil 38 aus dem Behandlungsbecken 10 entfernt wird, ist eine schnellere Unterbrechung der chemischen Prozesse zwischen Behandlungsfluid 12 und Halbleiterwafer möglich, da der verbleibende Teil rascher verdünnt werden kann.

Obwohl die Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist die vorliegende Erfindung nicht auf die speziell dargestellten und beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise könnte eine Heiz- und/oder Kühlvorrichtung für das Behandlungsbecken 10 vorgesehen sein, um die Temperatur des Behandlungsbeckens 10 zu verändern. Um chemische Prozesse innerhalb des Behandlungsbeckens zu fördern, ist es möglich, die Temperatur des Behandlungsbeckens und somit die Temperatur des darin befindlichen Behandlungsfluids 12 auf eine optimale Prozeßtempe­ ratur zu erwärmen. Um hingegen eine Unterbrechung der chemischen Pro­ zesse zu beschleunigen, stoppt die Steuereinheit 8 die Erwärmung des Be­ handlungsbeckens 10 und aktiviert gegebenenfalls eine aktive Kühlung des Behandlungsbeckens 10, um die Mischung aus Behandlungsfluid 12 und ein­ geleitetem Verdünnungsfluid innerhalb des Behandlungsbeckens 10 zu küh­ len. Hierdurch kann eine raschere Unterbrechung der chemischen Prozesse erreicht werden. Zum Erreichen eines ähnlichen Effekts ist es möglich, daß die in den Einlaßleitungen zur Ventileinheit 24 vorgesehenen Behandlungs­ fluide gekühlt sind oder zumindest eine Temperatur unterhalb der Temperatur des Behandlungsfluids 12 im Behandlungsbecken 10 aufweisen, um die Tem­ peratur im Behandlungsbecken 10 abzusenken und somit eine raschere Un­ terbrechung der chemischen Prozesse zu ermöglichen.

Claims (14)

1. Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwa­ fern, in einem mit Behandlungsfluid gefüllten Behandlungsbecken, da­ durch gekennzeichnet, daß bei Auftreten einer Fehlfunktion ein das Be­ handlungsfluid verdünnendes Fluid in das Behandlungsbecken eingelei­ tet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Behand­ lungsfluid vor und/oder während des Einleiten des Verdünnungsfluids zumindest teilweise abgelassen wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verdünnungsfluid in Abhängigkeit vom verwendeten Behandlungsfluid ausgewählt wird.

4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Behandlungsfluid zunächst stärker und nach Erreichen eines gewünschten Verdünnungsniveaus schwächer verdünnt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Strö­ mungsrate des Verdünnungsfluids verändert wird.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des Verdünnungsfluids verändert wird.

7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Verdünnungsfluid eine andere, insbesondere eine ge­ ringere Temperatur als das Behandlungsfluid aufweist.

8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Temperatur des Behandlungsbeckens verändert, ins­ besondere abgesenkt wird.

9. Vorrichtung zum Behandeln von Substraten (2), insbesondere Halblei­ terwafern, in einem mit Behandlungsfluid (12) gefüllten Behandlungsbec­ ken (10), mit einer Versorgungseinrichtung (6) zum Einleiten eines das Behandlungsfluid (12) verdünnenden Fluids in das Behandlungsbecken (10), gekennzeichnet durch eine ein Fehlersignal empfangende Steuer­ einheit (8) zum Steuern der Versorgungseinrichtung (6) in Abhängigkeit vom Fehlersignal.

10. Vorrichtung nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch ein Schnellablass­ ventil (38) im Behandlungsbecken (10).

11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Versorgungseinrichtung (6) zum Einleiten unterschiedlicher Verdün­ nungsfluide vorgesehen ist.

12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeich­ net, daß die Temperatur des Verdünnungsfluids steuerbar ist.

13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeich­ net, daß die Temperatur des Behandlungsbeckens (10) steuerbar ist.

14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeich­ net, daß die Strömungsrate des Verdünnungsfluids steuerbar ist.