DE19941872A1 - Elektronikkomponente, wie z.B. ein Akustikoberflächenwellenbauelement, und Verfahren zum Herstellen derselben - Google Patents

Abstract

Eine Elektronikkomponente weist gemäß der vorliegenden Erfindung ein Substrat mit einer Oberfläche, auf der eine Elektrode gebildet ist, und ein SAW-Schaltungselement mit einer Oberfläche, auf der eine Schaltung gebildet ist, auf. Das Schaltungselement ist derart gehalten, daß sich die Oberfläche des Schaltungselements und die Oberfläche des Substrats gegenüber liegen. Eine Höckerelektrode verbindet die Schaltung auf dem Schaltungselement mit der Elektrode des Substrats miteinander, wobei ein Dichtungsmaterial das Schaltungselement und das Substrat an dem Rand des Raums zwischen der schaltungsbildenden Oberfläche des Schaltungselements und dem Substrat miteinander verbindet. Der Raum zwischen der schaltungsbildenden Oberfläche des Schaltungselements und dem Substrat ist durch das Schaltungselement, das Substrat und das Dichtungsmaterial hermetisch abgedichtet. Vorteilhafterweise wird ein Tieftemperaturlötmaterial, wie z. B. ein Lötmittel, oder ein Haftmittel, als das Dichtungsmatrial verwendet.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Elektronikkom­ ponenten und ein Verfahren zum Herstellen von Elektronik­ komponenten und insbesondere auf eine Elektronikkomponente, wie z. B. ein Akustikoberflächenwellenbauelement (SAW-Bau­ element; SAW = surface acoustic wave), ein Hochfrequenz­ bauelement und ein Modul oder ein Teilmodul, das ein SAW- Bauelement aufweist, und ein Verfahren zum Herstellen dieser Bauelemente.

Die Struktur eines herkömmlichen Akustikoberflächenwellen­ bauelements 1 ist in Fig. 1 gezeigt. Bei dem Akustikober­ flächenwellenbauelement 1 ist ein Akustikoberflächenwellen­ element (Chip) 3 in einem Keramikgehäuse 2 mit einer Hohl­ raumstruktur angeordnet und in demselben chipmäßig verbun­ den, wobei eine Ausnehmung in demselben gebildet ist. Das Akustikoberflächenwellenelement 3 ist durch Drähte 4 mit Elektroden 5 elektrisch verbunden, die an dem Keramikgehäuse 2 angeordnet sind. Die obere Oberfläche des Keramikgehäuses 2 ist durch eine plattenförmige Kappe 6 bedeckt, wobei das SAW-Element 3 hermetisch abgedichtet ist, indem der Außen­ randabschnitt der Kappe 6 über einen KOVAR-Ring 7 an die obere Oberfläche des Keramikgehäuses 2 geschweißt ist.

Da ein Material, wie z. B. Al, das ein geringes Maß an Feuchtigkeitstoleranz aufweist, bei einem solchen SAW-Bau­ element 1 als das Elektrodenmaterial des SAW-Elements 3 ver­ wendet wird, wird eine Korrosion der Elektroden durch her­ metisches Abdichten des SAW-Elements 3 gehemmt. Zwischen dem SAW-Element 3 und der Kappe 6 ist ein Raum so gebildet, daß die elastische Oszillation des SAW-Elements 3 nicht verhin­ dert wird.

Da jedoch bei einem solchen SAW-Bauelement 1 das Keramikge­ häuse 2 mit einer Hohlraumstruktur mit einer an derselben gebildeten Ausnehmung erforderlich ist, ist dasselbe kosten­ aufwendig. Die Anbringungsfläche und die Höhe (die Dicke) desselben sind durch das Volumen des Keramikgehäuses 2 re­ lativ zu der Größe des SAW-Elements 3 erhöht, so daß ein dichtes Anbringen der SAW-Bauelemente 1 usw. und ein Minia­ turisieren einer Vorrichtung, in der das SAW-Bauelement 1 angebaut wird, verhindert werden. Da das Keramikgehäuse 2 verwendet wird, sind darüber hinaus zusätzlich zu den Her­ stellungsprozessen des Keramikgehäuses 2 selbst und des KOVAR-Rings 7 der Verbindungsprozeß zwischen dem Keramik­ gehäuse 2 und dem KOVAR-Ring 7, das chipmäßige Verbinden des SAW-Elements 3, das Schweißen zwischen dem KOVAR-Ring 7 und der Kappe 6, usw., erforderlich, derart, daß die Herstel­ lungsprozesse kompliziert und aufwendig sind.

Die Struktur eines weiteren herkömmlichen SAW-Bauelements 11 ist in Fig. 2 gezeigt. Bei dem SAW-Bauelement 11 ist ein SAW-Element (bloßer Chip) 13 umgekehrt auf einem Verdrah­ tungssubstrat 12 flip-chip-mäßig angebracht; und ein Höcker 14, der auf der oberen Oberfläche des SAW-Elements 13 ange­ ordnet ist, ist mit einer Substratelektrode 15 verbunden, die auf dem Verdrahtungssubstrat 12 angeordnet ist. Ein Raum zwischen dem SAW-Element 13 und dem Verdrahtungssubstrat 12 ist durch ein Dichtungsharz 18 hermetisch abgedichtet, um eine Korrosion des Höckers 14 und der Substratelektrode 15 und einen Schaden an den Verbindungsabschnitten aufgrund thermischer Spannungsunterschiede zu verhindern. Ferner wird das Fließen des Dichtungsharzes 18 vor dem Aushärten durch eine Harzfluß verhindernde Membran 19 verhindert, die auf der oberen Oberfläche des Verdrahtungssubstrats 12 gebildet ist.

Bei dem SAW-Bauelement 11 weist jedoch das Dichtungsharz 18, das zwischen dem Verdrahtungssubstrat 12 und dem SAW-Element 13 eingebracht ist, eine spezifische Dielektrizitätskonstan­ te von 3 bis 4 auf, so daß die dielektrische Charakteristik desselben den Übertragungsverlust und die Reflektierungscha­ rakteristika des SAW-Bauelements 11 beträchtlich beeinflußt. Ferner verhindert die lange Zeitdauer, die zum Einbringen des Dichtungsharzes 18 zwischen dem Verdrahtungssubstrat 12 und dem SAW-Element 13 erforderlich ist, daß der Herstel­ lungsprozeß rationalisiert wird. Da die Oberfläche des SAW- Elements 13 ferner durch das Harz abgedichtet ist, kann die resultierende Hemmung der mechanischen elastischen Oszil­ lation desselben eine Verschlechterung der Charakteristika des SAW-Bauelements 11 bewirken.

Um auf die im vorhergehenden erwähnten Probleme abzuzielen, wird ein SAW-Bauelement 21, das sowohl ein Keramikgehäuse mit einer Hohlraumstruktur als auch eine Höckerverbindung verwendet, ohne ein Dichtungsharz verwendet, das eine ela­ stische Oszillation eines SAW-Elements verhindern und den Übertragungsverlust desselben erhöhen würde. Darüber hinaus kann eine solche Struktur miniaturisiert werden. Ein solches SAW-Bauelement 21 ist in Fig. 3 gezeigt. Bei dem SAW-Bauele­ ment 21 ist ein SAW-Element 23 in dem Keramikgehäuse 22 um­ gekehrt angeordnet, ganz so wie dasjenige, das in Fig. 1 beschrieben wurde; ein Höcker 27, der auf der oberen Ober­ fläche des SAW-Elements 23 angeordnet ist, ist mit einem Elektrodenabschnitt 24 verbunden; und die untere Außenrand­ oberfläche einer Kappe 26 ist über einen KOVAR-Ring 25 mit dem Keramikgehäuse 22 verbunden.

Da bei dem SAW-Bauelement 21 mit einer solchen Struktur die Oberfläche des SAW-Elements 23 nicht durch ein Harz abge­ dichtet ist, wird die Oberflächenoszillation des SAW-Ele­ ments 23 nicht unterbunden, und die Übertragungs-, Re­ flexionscharakteristika, usw., bei dem SAW-Bauelement 21 werden durch das Dichtungsharz nicht verschlechtert. Obwohl das Keramikgehäuse 22 verwendet wird, wird die Notwendigkeit für einen Raum zum Verbinden des Drahts durch die Höckerver­ bindung beseitigt, so daß das Keramikgehäuse 22 miniaturi­ siert werden kann.

Obwohl das Keramikgehäuse 22 mit dem SAW-Element 23 durch die Höckerverbindung vereinigt wird, unterscheidet sich jedoch bei einem solchen SAW-Bauelement 21 dasselbe nicht von dem ersten herkömmlichen Beispiel in der Hinsicht, daß dasselbe ebenfalls das Keramikgehäuse 22 verwendet, so daß das SAW-Bauelement 21 im wesentlichen nicht mehr als das erste herkömmliche Beispiel miniaturisiert werden kann.

Dementsprechend ist eine Struktur, die in Fig. 4 gezeigt ist, als ein SAW-Bauelement 31 (Veröffentlichungsnummer des ungeprüften Japanischen Patents 9-162690) offenbart worden, die weder das Keramikgehäuse verwendet noch ein Dichtungs­ harz aufweist, das die elastische Oszillation einer Ober­ fläche eines SAW-Elements hemmt, wodurch ein hochzuverläs­ siges SAW-Bauelement geliefert wird, das miniaturisiert wer­ den kann.

Bei dem SAW-Bauelement 31 sind Interdigitalelektroden (nicht gezeigt) und eine Eingangs-Ausgangs-Elektrode 33 auf der Oberfläche des SAW-Elements 32 angeordnet, wobei ein Höcker 34 wiederum auf der Eingangs-Ausgangs-Elektrode 33 gebildet ist. Ein elementseitiger Dichtungsring 35 ist auf dem Rand des SAW-Elements 32 angeordnet. Dieses SAW-Element 32 ist umgekehrt auf ein Anbringungssubstrat 36 gelegt, so daß der Höcker 34 mit einer Herausführungselektrode 37 verbunden ist, die in dem Anbringungssubstrat 36 angeordnet ist, wobei ebenso der elementseitige Dichtungsring 35 mit einem sub­ stratseitigen Dichtungsring 38 auf dem Anbringungssubstrat 36 verbunden ist. Ein Raum 39 zwischen dem SAW-Element 32 und dem Anbringungssubstrat 36 ist durch die Verbindung zwischen dem elementseitigen Dichtungsring 35 und dem sub­ stratseitigen Dichtungsring 38 abgedichtet. Der Raum 39 ist zusätzlich durch ein Dichtungsharz 40 abgedichtet, das von der Rückseite des SAW-Elements 32 aufgebracht ist, um das SAW-Element 32 zu verkapseln, und das ferner ebenso einen Stoßschutz liefert.

Bei dem SAW-Bauelement 31 wird das SAW-Element 32 durch Aufbringen des flüssigen Dichtungsharzes 40 auf die gesamte Oberfläche des SAW-Elements 32 und ein darauf folgendes Aus­ härten des Dichtungsharzes 40 abgedichtet. Als das Dich­ tungsharz 40 wird ein herkömmliches Formungsharz mit einem flüchtigen Lösungsmittel verwendet. (Bei dem Ausführungsbei­ spiel der im vorhergehenden erwähnten ungeprüften Patentver­ öffentlichung wird ein CRP-Serien-Harz von Sumitomo Bakelite verwendet). Ein solches Dichtungsharz 40 ist ein Isolator. Bei einem SAW-Bauelement ist jedoch eine Gegenmaßnahme gegen elektromagnetische Strahlung allgemein erforderlich, und zwar insbesondere bei höheren Frequenzen. Wenn dasselbe durch ein Isolierungsdichtungsharz abgedichtet wird, wie dasjenige, das bei dem SAW-Bauelement 31 verwendet wird, ist es wahrscheinlich, daß dasselbe durch eine elektromagne­ tische Strahlung beeinträchtigt wird und versagt, normal zu arbeiten, wenn dasselbe bei einer hohen Frequenz von über 100 MHz verwendet wird.

Da die Oberfläche, die durch das Dichtungsharz bedeckt wird, bei dem SAW-Bauelement 31 ausgehärtet wird, wenn das SAW- Bauelement 31 durch eine Vakuum-Typ-Chipanbringungsvorrich­ tung automatisch angebracht wird, ist die Vakuumanziehung durch die Chipanbringungsvorrichtung nicht stabil, so daß eine häufige Fehlanbringung stattfinden kann.

Bei einem solchen SAW-Bauelement 31 sind der elementseitige und der substratseitige Dichtungsring 35 und 38, die bei­ spielsweise aus Au hergestellt sind, zusammen verbunden und vereinigt, indem beide durch eine Aufschmelzlötung gelötet werden, nachdem dieselben provisorisch aneinander gepreßt wurden.

Um jedoch den elementseitigen und den substratseitigen Dich­ tungsring 35 und 38, die aus Au hergestellt sind, proviso­ risch aneinander zu pressen, müssen dieselben auf etwa 250 bis 400°C erwärmt werden. Wenn das SAW-Element 32 aus einem hochpyroelektrischen Material hergestellt ist (LiTaO₃ oder LiNbO₃), ist es wahrscheinlich, daß das SAW-Element 32 durch eine Pyroelektrizität aufgrund des Erwärmens beschädigt wird. Der pyroelektrische Schaden bewirkt dahingehend ein Problem, daß die Charakteristika des SAW-Elements 32 ungün­ stig beeinflußt werden.

Darüber hinaus werden daraufhin der substratseitige Dich­ tungsring 38 und der elementseitige Dichtungsring 35 nach dem provisorischen Pressen, das im vorhergehenden erwähnt wurde, durch eine Aufschmelzlötung gelötet, um die herme­ tische Abgeschlossenheit zwischen dem SAW-Element 32 und dem Anbringungssubstrat 36 zu befestigen. Da jedoch der Schmelz­ punkt von Au etwa 1000°C beträgt, ist es erforderlich, daß, wenn für eine Aufschmelzlötung geheizt wird, der elementsei­ tige Dichtungsring 35 und der substratseitige Dichtungsring 38 auf etwa 1000°C oder mehr erhitzt werden. Bei dem SAW- Bauelement 31 wird im allgemeinen Al als das Verdrahtungsma­ terial verwendet, das einen ungefähren Schmelzpunkt von 660°C aufweist, was bedeutet, daß die Al-Verdrahtung durch das Aufschmelzerwärmen geschmolzen wird. Wenn die Al-Ver­ drahtung auf diese Art und Weise unterbrochen wird, können die erforderlichen elektrischen Charakteristika nicht er­ halten werden, woraus sich das Erzeugen von defekten SAW- Bauelementen 31 ergibt.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Elektronikkomponente und ein Verfahren zum Herstellen einer Elektronikkomponente zu schaffen, so daß die Elektronikkom­ ponente exzellente elektrische Charakteristika aufweist und gleichzeitig mit einer höheren Ausbeute hergestellt werden kann.

Diese Aufgabe wird durch eine Elektronikkomponente gemäß An­ spruch 1 und ein Verfahren zum Herstellen einer Elektronik­ komponente gemäß Anspruch 4 gelöst.

Die vorliegende Erfindung kann die Probleme, die den her­ kömmlichen Bauelementen zugeordnet sind, lösen und schafft eine Einschluß-Typ-Elektronikkomponente mit einer kleinen Größe und einer einfachen Struktur mit exzellenten elek­ trischen Charakteristika und liefert ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Elektronikkomponente, bei dem Elektro­ nikkomponenten mit einer hohen Ausbeute ohne fehlerhafte Produkte hergestellt werden können.

Eine Elektronikkomponente weist ein Substrat mit einer Ober­ fläche, auf der eine Elektrode gebildet ist, und ein Schal­ tungselement mit einer Oberfläche, auf der eine Schaltung gebildet ist, auf. Das Schaltungselement wird derart gehal­ ten, daß sich die Oberfläche des Schaltungselements und die Oberfläche des Substrats gegenüber liegen. Eine Höckerelek­ trode verbindet die Schaltung auf dem Schaltungselement und die Elektrode auf dem Substrat miteinander, wobei ein Dich­ tungsmaterial das Schaltungselement und das Substrat an dem Rand des Raums zwischen der schaltungsbildenden Oberfläche des Schaltungselements und dem Substrat miteinander verbin­ det. Der Raum zwischen der schaltungsbildenden Oberfläche des Schaltungselements und dem Substrat ist durch das Schal­ tungselement, das Substrat und das Dichtungsmaterial herme­ tisch abgedichtet.

Bei dieser Elektronikkomponente bilden ein Schaltungselement und ein Substrat das Komponentengehäuse; ein Raum zwischen dem Schaltungselement und dem Substrat wird durch eine Höckerelektrode gebildet; und der Raum zwischen dem Schal­ tungselement und dem Substrat wird durch das Schaltungs­ element, das Substrat und ein Randdichtungsmaterial abge­ dichtet. Folglich ist kein Keramikgehäuse erforderlich, so daß die Elektronikkomponente miniaturisiert und die Kosten reduziert werden können. Da darüber hinaus die obere Ober­ fläche des Schaltungselements nicht durch ein Dichtungsma­ terial bedeckt ist, kann die Oberfläche desselben geglättet werden, woraus sich das Verhindern von Anbringungsfehlern während des Anbringens der Elektronikkomponenten durch eine automatische Anbringungsvorrichtung, wie z B. eine Vakuum- Typ-Chipanbringungsvorrichtung, ergibt.

Vorteilhafterweise wird ein Tieftemperaturlötmaterial, wie z. B. Lötmittel, oder ein Haftmittel als das Dichtungsma­ terial verwendet. "Tieftemperatur" bedeutet in diesem Zusam­ menhang, daß das Lötmaterial bei einer Temperatur schmilzt, die sich unterhalb des Schmelzpunkts von Gold (Au) und da­ rüber hinaus an einer Temperatur befindet, die niedrig genug ist, um die Probleme, die im vorhergehenden beschrieben wur­ den, zu vermeiden. Da das Schaltungselement und das Substrat bei einer vergleichsweise niedrigen Temperatur miteinander verbunden werden können, wird das Schaltungselement durch die Wärme nicht beschädigt werden, wodurch ermöglicht wird, daß das Ereignis von fehlerhaften Produkten reduziert wird. Wenn ein Lötmaterial, wie z. B. Lötmittel, oder ein Haft­ mittel als das Dichtungsmaterial verwendet wird, kann der Raum zwischen dem Schaltungselement und dem Substrat selbst dann sicher und hermetisch abgedichtet werden, falls die Oberseite des Schaltungselements nicht durch ein Dichtungs­ material bedeckt wird.

Die Größe des Schaltungselements kann etwa die selbe Größe wie diejenige des Substrats in der Elektronikkomponente sein.

Bei der Elektronikkomponente mit einer solchen Struktur kann die Elektronikkomponente minimiert werden, indem die Größe des Substrats minimiert wird, so daß eine Miniaturelektro­ nikkomponente gebildet werden kann.

Die Höckerelektrode kann aus Au als ein Hauptbestandteil ge­ bildet sein. Wenn die Höckerelektrode, die aus Au als ein Hauptbestandteil gebildet ist, verwendet wird, kann das Ver­ binden einfach erreicht werden, wobei ebenfalls der Wider­ standswert über den verbundenen Abschnitt reduziert werden kann.

Ein Verfahren zum Herstellen von Elektronikkomponenten gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist folgende Schritte auf: Anordnen einer Höckerelektrode auf entweder einer Schaltung, die auf einem Schaltungselement gebildet ist, oder einer Elektrode, die auf einem Substrat angeordnet ist; Anordnen eines Dichtungsmaterials mit einer geringeren Höhe als diejenige der Höckerelektrode an dem Rand von entweder der Oberfläche, auf der die Schaltung gebildet ist, auf dem Schaltungselement oder dem Substrat, um die Schaltung zu umgeben, die auf dem Schaltungselement gebildet ist; Anordnen der Oberfläche, auf der die Schaltung gebildet ist, damit dieselbe dem Substrat gegenüber liegt; Erden der Schaltung über die Elektrode auf dem Substrat, indem die Schaltung durch die Höckerelektrode in Kontakt mit der Elektrode auf dem Substrat gebracht wird; Verbinden der Schaltung mit der Elektrode auf dem Substrat durch die Höckerelektrode, indem Druck an die Höckerelektrode angelegt wird; und hermetisches Abdichten des Rands des Raums zwischen dem Schaltungselement und dem Substrat mit dem Dichtungsmaterial.

Wenn eine Elektronikkomponente auf diese Art und Weise er­ zeugt wird, kann, da die Schaltung geerdet ist, indem die­ selbe über die Höckerelektrode in Kontakt mit der Schaltung auf dem Substrat gebracht ist, die pyroelektrische Ladung, die in dem Schaltungselement erzeugt wird, wenn das Schal­ tungselement mit dem Substrat verbunden wird, über die Höckerelektrode von der Seite des Substrats zur Erdung dis­ sipiert werden, so daß eine pyroelektrische Schädigung des Schaltungselements verhindert werden kann.

Das Schaltungselement und das Substrat werden miteinander verbunden, indem die Höckerelektrode und das Dichtungsmate­ rial gleichzeitig aufgebracht werden, so daß der Herstel­ lungsprozeß der Elektronikkomponente vereinfacht werden kann, um die Herstellungseffizienz zu erhöhen.

Das Verfahren kann ferner folgende Schritte aufweisen: Ver­ binden und Vereinigen einer Mehrzahl von Schaltungselementen auf dem Substrat, wobei das Substrat eine Größe aufweist, die einer Mehrzahl von Schaltungselementen entspricht; und Trennen des Substrats, auf dem die Mehrzahl von Schaltungs­ elementen angebracht sind, um eine Mehrzahl von einzelnen Elektronikkomponenten zu bilden.

Bei diesem Ausführungsbeispiel können mehrere Elektronikkom­ ponenten gleichzeitig erzeugt werden, so daß die Effizienz der Herstellung der Elektronikkomponenten erhöht werden kann.

Zu Verdeutlichungszwecken für die Erfindung sind in den Zeichnungen mehrere Formen gezeigt, die augenblicklich be­ vorzugt werden, wobei jedoch darauf hingewiesen wird, daß die Erfindung nicht auf die präzisen Anordnungen und Instru­ mentalien begrenzt sind, die gezeigt sind.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden im folgenden bezugnehmend auf die begleitenden Zeich­ nungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine Schnittansicht, die die Struktur eines her­ kömmlichen SAW-Bauelements zeigt;

Fig. 2 eine Schnittansicht, die die Struktur eines wei­ teren herkömmlichen SAW-Bauteils zeigt;

Fig. 3 eine Schnittansicht, die die Struktur eines ferner weiteren herkömmlichen SAW-Bauteils zeigt;

Fig. 4 eine Schnittansicht, die die Struktur eines weite­ ren herkömmlichen SAW-Bauelements zeigt;

Fig. 5A eine Schnittansicht eines SAW-Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung;

Fig. 5B eine Schnittansicht des SAW-Bauelements, das in Fig. 5A gezeigt ist, die entlang der Linie X-X in Fig. 5A entnommen ist;

Fig. 6A bis 6E Schnittansichten, die ein Verfahren zum Herstellen des in Fig. 5A und 5B gezeigten SAW-Bauelements zeigen;

Fig. 7A bis 7C Schnittansichten, die ein Verfahren zum Herstellen eines SAW-Bauelements gemäß einem weiteren Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigen;

Fig. 8 eine Schnittansicht, die ein SAW-Bauelement gemäß einem ferner weiteren Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung zeigt;

Fig. 9 eine Schnittansicht, die ein SAW-Bauelement gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegen­ den Erfindung zeigt.

Fig. 5A und 5B sind Schnittansichten eines SAW-Bauelements 51 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin­ dung. Das Bezugszeichen 52 stellt ein SAW-Element dar, das auf einem Anbringungssubstrat 53 umgekehrt angebracht ist. Bei dem SAW-Element 52 sind auf einer Oberfläche eines pie­ zoelektrischen Substrats 54, das aus einem Kristall, LiTaO₃, LiNbO₃, usw., gebildet ist, zwei Sätze von Interdigitalelek­ troden (IDT-Elektroden; interdigital electrodes) 55, die aus Al, usw. gebildet sind, gebildet, wobei eine Eingangs-Aus­ gangs-Elektrode 56 für jeden Satz von Interdigitalelektroden 55 gebildet ist. Auf einer Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 54 ist ein elementseitiger Dichtungsring 57 ent­ lang des gesamten Rands desselben gebildet.

Das Anbringungssubstrat 53 weist etwa die selbe Länge-zu- Breite-Größe wie diejenige des SAW-Elements 52 auf. Auf der oberen und unteren Oberfläche des Anbringungssubstrats 53 sind eine innere Herausführungselektrode 58 bzw. eine äußere Elektrode 59 angeordnet, die sich einander gegenüber liegen, wobei die Elektroden 58 und 59 über ein Durchgangsloch 60 miteinander leitfähig verbunden sind, das in dem Anbrin­ gungssubstrat 53 gebildet ist, um beide Seiten desselben zu durchdringen. Entlang des gesamten Randabschnitts der oberen Oberfläche des Anbringungssubstrats 53 ist ferner ein sub­ stratseitiger Dichtungsring 61 angeordnet.

Als nächstes ist das SAW-Element 52 umgekehrt auf das An­ bringungssubstrat 53 gelegt, wobei die Eingangs-Ausgangs- Elektrode 56 mit der inneren Herausführungselektrode 58 des Anbringungssubstrats 53 durch eine Höckerelektrode 62 ver­ bunden ist, die aus Au als einem Hauptbestandteil gebildet ist, wie z. B. durch einen Au-Höcker. Der elementseitige Dichtungsring 57 und der substratseitige Dichtungsring 61 sind durch ein Dichtungsmaterial 63 verbunden. Folglich ist der Raum 64 zwischen der inneren Oberfläche des SAW-Elements 52 (der Oberfläche, auf der die Interdigitalelektroden 55 angeordnet sind) und dem Anbringungssubstrat 53 durch Ver­ binden des elementseitigen Dichtungsrings 57 mit dem sub­ stratseitigen Dichtungsring 61 unter Verwendung des Dich­ tungsmaterials 63 hermetisch abgedichtet. Als das Dichtungs­ material 63 wird ein Lötmaterial verwendet, das aus Sn oder Pb als ein Hauptbestandteil gebildet ist: beispielsweise Sn-Gruppe-Lötmittel, Pb-Gruppe-Lötmittel, mehrere Arten von Pb-freiem Lötmittel usw. können verwendet werden.

Bei dem SAW-Bauelement 51 mit einer solchen Struktur wird kein Keramikgehäuse wie diejenigen bei dem ersten herkömm­ lichen Beispiel und dem dritten herkömmlichen Beispiel ver­ wendet, wobei, da die Dichtungsstruktur durch das SAW-Ele­ ment 52 und das Anbringungssubstrat 53 selbst gebildet wird, eine Miniaturisierung und eine Höhenreduzierung des SAW-Bau­ elements 51 erzielt werden können. Da das aufwendige Kera­ mikgehäuse nicht verwendet wird, können ferner die Kosten reduziert werden. Da die Höckerelektrode 62 zum Verbinden des SAW-Elements 52 mit dem Anbringungssubstrat 53 verwendet wird, kann der Raum 64 zwischen der inneren Oberfläche des SAW-Elements 52 und dem Anbringungssubstrat 53 durch die Höhe der Höckerelektrode 62 so befestigt werden, daß die elastische Oszillation des SAW-Elements 52 nicht gehemmt wird. Da ferner zum Verbinden kein Draht verwendet wird, ist der Raum für eine Verdrahtung nicht erforderlich, so daß das SAW-Bauelement 51 sogar noch mehr miniaturisiert werden kann.

Bei dem SAW-Bauelement 51 gemäß der vorliegenden Erfindung ist ferner, da der Raum 64, innerhalb dessen die Interdi­ gitalelektroden 55 enthalten sind, lediglich durch das SAW- Element 52, das Anbringungssubstrat 53 und das Dichtungs­ material 63 abgedichtet ist, das Dichtungsharz wie bei dem zweiten herkömmlichen Beispiel und dem vierten herkömmlichen Beispiel nicht erforderlich, so daß die Charakteristika des SAW-Bauelements 51 nicht verschlechtert werden. Da das Dich­ tungsharz nicht verwendet wird, kann darüber hinaus die obe­ re Oberfläche des SAW-Bauelements 51 glatt gebildet sein, so daß das Anbringen der Komponenten durch eine Chipanbrin­ gungsvorrichtung usw. einfach durchgeführt werden kann.

Da ferner bei diesem SAW-Bauelement 51 die Oberfläche des­ selben nicht durch das Dichtungsharz bedeckt ist, ist die­ selbe folglich eine glatte Oberfläche, so daß dieselbe ein­ fach durch eine Vakuum-Typ-Chip-Anbringungsvorrichtung, usw., aufgenommen werden kann, so daß die Komponentenanbrin­ gung sicher durchgeführt werden kann.

Bezugnehmend auf Fig. 6A bis 6E wird als nächstes ein Ver­ fahren zum Herstellen des SAW-Bauelements 51 beschrieben. Wie es in Fig. 6A gezeigt ist, wird eine Preßvorrichtung bzw. Krimpstufe 65 geerdet, um an einem Erdungspotential beibehalten zu werden, wobei auf der Preßvorrichtung 65 das Anbringungssubstrat 53, das bei diesem Verfahren ein Mehr­ fachsubstrat mit einer Größe (Fläche) ist, die einer Mehr­ zahl von SAW-Elementen 52 entspricht, in einer vorbestimmten Position angeordnet ist. Eine Mehrzahl von Durchgangslöchern 60 sind in dem Anbringungssubstrat 53 gebildet, um beide Seiten desselben zu durchdringen. Das obere Ende jedes Durchgangslochs 60 ist mit einer inneren Herausführungs­ elektrode 58 leitfähig verbunden, die auf der oberen Ober­ fläche des Anbringungssubstrats 53 gebildet ist, wohingegen das untere Ende des Durchgangslochs 60 mit einer äußeren Elektrode 59 leitfähig verbunden ist, die auf der Unterseite des Anbringungssubstrats 53 gebildet ist, so daß jede innere Herausführungselektrode 58 und jede äußere Elektrode 59 in einer Eins-zu-Eins-Beziehung über das Durchgangsloch 60 mit­ einander leitfähig verbunden sind. Auf der oberen Oberfläche jeder inneren Herausfuhrungselektrode 58 wird die Höcker­ elektrode 62, die aus Au gebildet ist, durch eine Drahtver­ bindungstechnik angeordnet, wie z. B. das Verfahren zum Ver­ schmelzungsverbinden eines Au-Drahts. An dem gesamten äuße­ ren Rand der Region, die einem SAW-Bauelement 51 auf der oberen Oberfläche des Anbringungssubstrats 53 entspricht, ist der substratseitige Dichtungsring 61, der aus einem me­ tallischen Material mit exzellenten Befeuchtungscharakte­ ristika gebildet ist, für eine Lötung angeordnet. Als das metallische Material mit exzellenten Befeuchtungscharakte­ ristika zum Löten kann eine Doppelschichtstruktur, wie z. B. eine Au-Schicht, die auf einer Ni-Schicht aufgebracht ist, verwendet werden. Auf den gesamten Rand der oberen Ober­ fläche dieses substratseitigen Dichtungsrings 61 wird das Dichtungsmaterial 63, das aus einem Lötmaterial, wie z. B. Lötmittel, gebildet ist, gelegt. Das Dichtungsmaterial 63 kann durch Plazieren von Lötmittelpaste auf dem substrat­ seitigen Dichtungsring 61 durch beispielsweise ein Druck­ verfahren, ein Rückflußlöten in Anwesenheit lediglich der Lötmittelpaste und darauf folgendes Säubern der Lötmittel­ paste, um Flußmittelrückstände zu beseitigen, gebildet wer­ den. Die Höhe jeder Höckerelektrode 62 ist eingestellt, um vor dem Verbinden größer als die Höhe des Dichtungsmaterials 63 auf dem Anbringungssubstrat 53 zu sein.

Andererseits werden auf der unteren Oberfläche eines Werk­ zeugs 66 zum thermischen Kompressionsverbinden, das oberhalb der Preßvorrichtung 65 positioniert ist, eine Mehrzahl der SAW-Elemente 52, die durch die Interdigitalelektroden 55 und die Eingangs-Ausgangs-Elektroden 56, usw., auf der oberen Oberfläche derselben gebildet sind, durch Vakuum umgekehrt in einer Position gehalten, um auf dem Anbringungssubstrat 53 angebracht zu werden.

Auf diese Art und Weise werden das Anbringungssubstrat 53, das auf der Preßvorrichtung 65 positioniert ist, und das SAW-Element 52, das durch das Werkzeug 66 zum thermischen Kompressionsverbinden auf der unteren Oberfläche desselben gehalten wird, einander gegenüberliegend angeordnet. Nachdem dieselben positioniert sind, wie es in Fig. 6B gezeigt ist, werden dieselben zueinander in Kontakt gebracht. Da die Höhe der Höckerelektrode 62 zu diesem Zeitpunkt größer als die Höhe des Dichtungsmaterials 63 ist, gilt, wenn das Werkzeug 66 zum thermischen Kompressionsverbinden herabgelassen wird, folgendes: Erstens trifft, wie es in Fig. 6B gezeigt ist, die Höckerelektrode 62 auf die Eingangs-Ausgangs-Elektrode 56 des SAW-Elements 52; das Werkzeug 66 zum thermischen Kompressionsverbinden wird auf 250°C bis 400°C erwärmt; die Höckerelektrode 62 wird durch die Wärme und den Druck des Werkzeugs 66 zum thermischen Kompressionsverbinden zer­ brochen, wenn das Werkzeug 66 zum thermischen Kompressions­ verbinden durch Anlegen von Druck weiter herabgelassen wird; und dadurch, wie es in Fig. 6C gezeigt ist, berührt das Dichtungsmaterial 63 des Anbringungssubstrats 53 den ele­ mentseitigen Dichtungsring 57 der SAW-Elemente 52. Zu diesem Zeitpunkt wird eine ausreichende Wärme angelegt, um das Dichtungsmaterial 63 zu schmelzen, das aus einem Lötmate­ rial, wie z. B. Lötmittel, gebildet ist, wobei an die SAW- Elemente 52 und das Anbringungssubstrat 53 durch das Werk­ zeug 66 zum thermischen Kompressionsverbinden Druck angelegt wird. Der Druck bricht die Oxidmembran der Schmelzoberfläche des Dichtungsmaterials 63, die das Dichtungsmaterial 63 mit dem elementseitigen Dichtungsring 57 jedes SAW-Elements 52 verbindet; und gleichzeitig werden die Höckerelektroden 62 auf dem Anbringungssubstrat 53 durch die Wärme des Werkzeugs 66 zum thermischen Kompressionsverbinden mit den ent­ sprechenden Eingangs-Ausgangs-Elektroden 56 der SAW-Elemente 52 mittels einer Diffusionsverbindung verbunden. Auf diese Art und Weise können das Verbinden des Dichtungsmaterials 63 und das Verbinden der Höckerelektroden 62 gleichzeitig durchgeführt werden, so daß die Anzahl von Schritten zur Vereinfachung des Prozesses reduziert werden können.

Bei dem vierten herkömmlichen Beispiel ist es erforderlich, den substratseitigen Dichtungsring und den elementseitigen Dichtungsring bei etwa 1000°C durch Aufschmelzlötung zu lö­ ten. Da bei dem vorliegenden Beispiel das Dichtungsmaterial 63, das aus Lötmittel, usw., gebildet ist, verwendet wird, können die SAW-Elemente 52 und das Anbringungssubstrat 53 durch Erwärmen auf 250°C bis 400°C miteinander verbunden werden, um den Raum 64 abzudichten, woraus sich weniger feh­ lerhafte Produkte aufgrund von Rissen in der Verdrahtung, usw., ergeben.

Da, wie es im vorhergehenden beschrieben wurde, die Höhe der Höckerelektrode 62 vor dem Verbinden größer als die Höhe des Dichtungsmaterials 63 sein soll, können, wenn die SAW-Ele­ mente 52 und das Anbringungssubstrat 53 miteinander verbun­ den werden, die Höckerelektroden 62 zerbrochen werden, bevor die SAW-Elemente 52 und das Anbringungssubstrat 53 durch das Dichtungsmaterial 63 miteinander verbunden werden, damit die Höckerelektroden 62 mit den Eingangs-Ausgangs-Elektroden 56 des SAW-Elements 52 sicher verbunden sind.

Da, wie es im vorhergehenden erwähnt wurde, die SAW-Elemente 52 eine Pyroelektrizität aufweisen, sammelt sich, wenn die Temperatur geändert wird, eine elektrische Ladung (pyroelek­ trische Ladung) auf der Oberfläche derselben an. Durch die­ sen Mechanismus wird eine Entladung zwischen den Interdigi­ talelektroden 55 erzeugt, so daß die Interdigitalelektroden 55 lokal geschmolzen werden können, wobei es wahrscheinlich ist, daß dies schadhafte Produkte bewirkt. Dieses Phänomen wird als pyroelektrische Schädigung bezeichnet, wobei als pyroelektrisch-schädigungsanfällige Materialien LiTaO₃, LiNbO₃, usw., bekannt sind. Die pyroelektrische Schädigung kann verhindert werden, indem dafür gesorgt wird, daß die Ladung von den SAW-Elementen 52 schnell entkommt. Dies wird bei dem vorliegenden Verfahren wie folgt erreicht. Bei dem SAW-Bauelement 51 soll die Höhe der Höckerelektrode 62 größer als die Höhe des Dichtungsmaterials 63 sein, wobei, wenn die SAW-Elemente 52 und das Anbringungssubstrat 53 vereinigt werden, die Höckerelektrode 62 zuerst in einen Kontakt mit der Eingangs-Ausgangs-Elektrode 56 gedrängt wird; wobei die Ladung auf den SAW-Elementen 52 über die Höckerelektroden 62 zu dem Anbringungssubstrat 53 entkommt. Die Metallpreßvorrichtung 65 ist geerdet, wobei das Anbrin­ gungssubstrat 53 auf die Preßvorrichtung 65 gelegt ist. Die äußeren Elektroden 59 in dem Anbringungssubstrat 53 sind mit der Preßvorrichtung 65 elektrisch verbunden. Die Höcker­ elektroden 62 auf dem Anbringungssubstrat 53 befinden sich ferner über die inneren Herausführungselektroden 58, die Durchgangslöcher 60, die äußeren Elektroden 59 und die Preß­ vorrichtung 65 in einem geerdeten Zustand. Dementsprechend wird die Ladung, die zu dem Anbringungssubstrat 53 entkommt, über die Preßvorrichtung 65 zur Erdung dissipiert. Wenn die Temperatur der Höckerelektrode 62 zum Verbinden erhöht wird, nachdem dieselbe in einen Kontakt mit den SAW-Elementen 52 gedrängt worden ist, wird die Ladung, die auf den SAW-Ele­ menten 52 erzeugt wird, über die Höckerelektrode 62, das Anbringungssubstrat 53 und die Preßvorrichtung 65 zur Erdung dissipiert. Folglich können, sogar falls ein piezoelek­ trisches Substratmaterial mit einer hohen Pyroelektrizität verwendet wird, das SAW-Element 52 und das Anbringungssub­ strat 53 miteinander verbunden werden, ohne die pyroelek­ trische Schädigung zu bewirken.

Obwohl in Fig. 6A und 6B die Höckerelektroden 62 anfangs auf dem Anbringungssubstrat 53 angeordnet sind, können die Höckerelektroden 62 zusätzlich ferner auf den SAW-Elementen 52 angeordnet sein. Falls jedoch eine Technik, wie z. B. Drahthöckererzeugung, verwendet wird, um die Höckerelektro­ den 62 auf den SAW-Elementen 52 zu bilden, wird ein Wafer erwärmt, während derselbe die Höckerelektrode bildet, woraus sich eine wahrscheinliche pyroelektrische Schädigung ergibt. Folglich kann durch Anordnen der Höckerelektrode 62 anstatt dessen auf dem Anbringungssubstrat 53 das SAW-Bauelement 51 mit einer höheren Ausbeute hergestellt werden.

Nachdem die SAW-Elemente 52 und das Anbringungssubstrat 53 fertiggestellt und auf diese Art und Weise miteinander ver­ bunden sind, wie es in Fig. 6D gezeigt ist, wird das Werk­ zeug 66 zum thermischen Kompressionsverbinden von der Po­ sition auf der Preßvorrichtung 65 zurückgezogen; das zusam­ men-verbundene SAW-Bauelement 51 wird abgekühlt; und die elektrische Ladung, die während des Kühlens erzeugt wird, wird über die Preßvorrichtung 65 zur Erdung dissipiert. Nachdem das SAW-Bauelement 51 abgekühlt ist, wird, wie es in Fig. 6E gezeigt ist, das Anbringungssubstrat 53 (Mehrfach­ substrat) durch Vereinzelung abgetrennt, um eine Mehrzahl von SAW-Bauelementen 51 gleichzeitig zu erzeugen, wie sie in Fig. 5A-5B gezeigt sind. Obwohl das SAW-Bauelement 51 ein­ zeln erzeugt werden kann, kann das SAW-Bauelement 51 effi­ zienter erzeugt werden, indem eine Mehrzahl derselben gleichzeitig erzeugt und daraufhin wie bei diesem Ausfüh­ rungsbeispiel voneinander getrennt wird.

Fig. 7A bis 7C sind schematische Darstellungen, die die Struktur und ein Verfahren zum Herstellen eines SAW-Bauele­ ments 71 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung zeigen. Bei diesem Ausführungsbeispiel gilt folgendes: ein Anbringungssubstrat 53, das aus einer gedruckten Schaltungsplatine oder einer Keramikplatine, usw., gebildet ist, weist eine größere Fläche als diejenige eines SAW-Elements 52 auf; an einer Elementanbringungsregion auf der oberen Oberfläche des Anbringungssubstrats 53 sind ein substratseitiger Dichtungsring 61 und eine innere He­ rausführungselektrode 58 angeordnet; auf die Oberseite des substratseitigen Dichtungsrings 61 wird ein Dichtungsmate­ rial 63, das aus Lötmaterial, wie z. B. Lötmittel, gebildet ist, gelegt; die innere Herausführungselektrode 58 ist mit einer äußeren Elektrode (nicht gezeigt in Fig. 7A bis 7C) leitfähig verbunden, die gebildet ist, um mit einer Preßvor­ richtung elektrisch verbunden zu sein; und an anderen Regi­ onen als der SAW-Elementanbringungsregion des Anbringungs­ substrats 53 sind Verdrahtungsstrukturen 72 gebildet, auf denen erforderliche Oberflächenanbringungskomponenten 73 durch Löten, usw., angebracht sind.

Andererseits sind auf der Oberfläche des SAW-Elements 52 Eingangs-Ausgangs-Elektroden 56 von Interdigitalelektroden 55 und ein elementseitiger Dichtungsring 57 gebildet, wobei Höckerelektroden 72 auf den Eingangs-Ausgangs-Elektroden 56 gebildet sind. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Höhe der Höckerelektrode 62 ebenfalls größer als die Höhe des Dichtungsmaterials 63.

Wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel, das in Fig. 6A-6E gezeigt ist, läuft das Verfahren, das in Fig. 7A gezeigt ist, wie folgt ab: das im vorhergehenden erwähnte Anbrin­ gungssubstrat 53 wird auf die Preßvorrichtung (nicht ge­ zeigt) gelegt, die geerdet ist; und das SAW-Element 52 wird durch ein Vakuum auf der unteren Oberfläche des Werkzeugs zum thermischen Kompressionsverbinden (nicht gezeigt) umge­ kehrt gehalten. Wie es in Fig. 7B gezeigt ist, wird als nächstes das SAW-Element 52 auf dem Anbringungssubstrat 53 angebracht; und die Höckerelektrode 62 wird mit der inneren Herausführungselektrode 58 des Anbringungssubstrats 53 in Berührung gebracht. In diesem Zustand ist die Höckerelek­ trode 62 über die Preßvorrichtung 65, usw., geerdet, so daß die Ladung, die in dem SAW-Element 52 erzeugt wird, zur Er­ dung dissipiert wird. Zu diesem Zeitpunkt ist das Dichtungs­ material 63 immer noch von dem elementseitigen Dichtungsring 57 getrennt.

Nachdem die Dichtungselektrode 62 mit der inneren Herausfüh­ rungselektrode 58 auf diese Art und Weise in Berührung ge­ bracht worden ist, werden das SAW-Element 52 und das Anbrin­ gungssubstrat 53 erwärmt, während dieselben durch das Werk­ zeug zum thermischen Kompressionsverbinden und die Preßvor­ richtung derart gepreßt werden, daß, wie es in Fig. 7C ge­ zeigt ist, die Höckerelektrode 62 mit der inneren Heraus­ führungselektrode 58 verbunden wird, und ferner das Dich­ tungsmaterial 63 geschmolzen wird, um mit dem elementseiti­ gen Dichtungsring 57 verschweißt zu sein.

Bei diesem Ausführungsbeispiel ist ebenfalls kein Gehäuse, wie z. B. ein Keramikgehäuse, erforderlich, so daß eine Mi­ niaturisierung und eine Reduzierung der Höhe des SAW-Bau­ elements erzielt werden kann, und die Kosten ebenfalls re­ duziert werden können. Darüber hinaus kann die hermetische Abgeschlossenheit des SAW-Elements 52 durch das Abdichten des Rands des Raums zwischen dem SAW-Element und dem An­ bringungssubstrat durch ein Dichtungsmaterial, wie z. B. Lötmittel, befestigt werden. Da darüber hinaus andere Kom­ ponenten auf dem Anbringungssubstrat 53 angebracht werden können, kann eine Anbringungsdichte von Komponenten erhöht werden, so daß der Grad an Integriertheit jeder Schaltung erhöht wird.

Fig. 8 ist eine Schnittansicht, die die Struktur eines SAW- Bauelements 76 gemäß eines ferner weiteren Ausführungsbei­ spiels der vorliegenden Erfindung zeigt. Bei diesem SAW-Bau­ element 76 ist ein leitfähiger Film 77 gebildet, um die Außenoberfläche des Anbringungssubstrats 53 zu bedecken; ein leitfähiger Film 78 ist gebildet, um die Außenoberflächen des SAW-Elements 52 und das Dichtungsmaterial 63 zu be­ decken; und die leitfähigen Filme 77 und 78 sind miteinander verbunden. Die leitfähigen Filme 77 und 78 sind mit einer oder mehreren äußeren Elektroden 59 für eine Erdung verbun­ den, während dieselben von den anderen äußeren Elektroden 59 isoliert sind.

Sogar falls ein Isolierungsanbringungssubstrat 53 verwendet wird, wird gemäß diesem Ausführungsbeispiel das SAW-Bauele­ ment 76 mit einer Steuerungsabschirmung gegen elektroma­ gnetisches Strahlungsrauschen versehen. Zusätzlich können die leitfähigen Filme 77 und 78 durch eine Harzlage, auf der leitfähige Teilchen verteilt werden, durch Formen einer me­ tallischen Lage oder durch ein Harzformen, bei dem leitfähi­ ge Teilchen gemischt und verteilt werden, gebildet werden.

Fig. 9 ist eine Schnittansicht, die die Struktur eines SAW- Bauelements 81 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Dieses SAW-Bauelement 81 weist ebenfalls einen elektromagnetischen Abschirmungseffekt auf. Der elementseitige leitfähige Film 78 ist lediglich auf der Rückseite des SAW-Elements 52 angeordnet und mit dem leitfä­ higen Film 77 des Anbringungssubstrats 53 über ein Durch­ gangsloch 82 verbunden, das in dem SAW-Element 52 und dem Dichtungsmaterial 63 gebildet ist.

Folglich kann bei diesem Ausführungsbeispiel für das SAW- Bauelement, das das Isolierungsaufbringungssubstrat 53 ver­ wendet, die Steuerungsabschirmung gegen elektromagnetisches Strahlungsrauschen ebenfalls geliefert werden.

Bei jedem der im vorhergehenden beschriebenen Ausführungs­ beispiele ist der Fall beschrieben, bei dem die Höckerelek­ trode aus Au gebildet ist, und das Dichtungsmaterial aus einem Lötmaterial, wie z. B. Lötmittel, gebildet ist. Die Höckerelektrode und das Dichtungsmaterial können jedoch ferner aus leitfähigen Haftmitteln mit identischen oder ähnlichen Aushärtungszuständen gebildet sein. Wie für das Verfahren zum Verbinden der Höckerelektrode und des Dich­ tungsmaterials ist die Verwendung des Erwärmens nicht not­ wendigerweise möglich, wobei Ultraschall, Druck, Schwingung, usw. ebenso angewendet werden können.

Claims (7)

1. Elektronikkomponente (51) mit
einem Substrat (53) mit einer Oberfläche, auf der eine Elektrode (58) gebildet ist;
einem Schaltungselement (52) mit einer Oberfläche, auf der eine Schaltung (56) gebildet ist;
einer Höckerelektrode (62), die die Schaltung (56) auf dem Schaltungselement (52) und die Elektrode (58) auf dem Substrat (53) elektrisch miteinander verbindet; und
einem Dichtungsmaterial (63), das das Schaltungsele­ ment (52) und das Substrat (53) entlang einer Linie, die die Schaltung (56) umgibt, miteinander verbindet und einen Raum zwischen dem Schaltungselement (52) und dem Substrat (53) definiert;
wobei das Schaltungselement (52) derart gehalten wird, daß sich die Oberfläche des Schaltungselements (52) und die Oberfläche des Substrats (53) gegenüberliegen;
wobei der Raum zwischen der Oberfläche des Schaltungs­ elements (52) und der Oberfläche des Substrats (53) durch das Schaltungselement (52), das Substrat (53) und das Dichtungsmaterial (63) hermetisch abgedichtet ist, und
wobei das Dichtungsmaterial (63) aus der Gruppe ausge­ wählt ist, die aus einem Tieftemperaturlötmaterial und einem Haftmittel besteht.

2. Elektronikkomponente (51) gemäß Anspruch 1, bei der das Schaltungselement (52) in etwa dieselbe Größe wie das Substrat (53) aufweist.

3. Elektronikkomponente (51) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der ein Hauptbestandteil der Höckerelektrode (62) Gold ist.

4. Verfahren zum Herstellen einer Elektronikkomponente (51) mit folgenden Schritten:
Anordnen einer Höckerelektrode (62) bezüglich entweder einer Schaltung (56), die auf einem Schaltungselement (52) gebildet ist, oder einer Elektrode (58), die auf einem Substrat (53) angeordnet ist;
Anordnen eines Dichtungsmaterials (63) mit einer Höhe, die kleiner als diejenige der Höckerelektrode (62) ist, auf entweder der Oberfläche, auf der die Schal­ tung (56) gebildet ist, oder dem Substrat (53), um die Schaltung (56) zu umgeben, die auf dem Schaltungsele­ ment (52) gebildet ist;
Erden der Schaltung (56) über die Elektrode (58) auf dem Substrat (53) durch Anordnen der Oberfläche, auf der die Schaltung (56) an dem Schaltungselement (52) gebildet ist, um dem Substrat (53) gegenüber zu liegen und einen Raum zwischen dem Schaltungselement (52) und dem Substrat (53) zu definieren, und durch darauf fol­ gendes Bringen der Schaltung (56) in einen elek­ trischen Kontakt mit der Elektrode (58) auf dem Sub­ strat (53) über die Höckerelektrode (62);
Verbinden der Schaltung (56) des Schaltungselements (52) mit der Elektrode (58) auf dem Substrat (53) durch die Höckerelektrode (62), indem Druck an die Höckerelektrode (62) angelegt wird; und gleichzeitig
hermetisches Abdichten des Rands des Raums zwischen dem Schaltungselement (52) und dem Substrat (53) mit einem Dichtungsmaterial (63).

5. Verfahren gemäß Anspruch 4, das ferner den Schritt des Verbindens und Vereinigens einer Mehrzahl von Schal­ tungselementen (52) miteinander auf dem Substrat (53) aufweist, wobei das Substrat (53) eine Größe aufweist, die derjenigen einer Mehrzahl von Schaltungselementen (52) entspricht; und daraufhin
Trennen des Substrats (53), auf dem die Mehrzahl von Schaltungselementen (52) angebracht sind, um eine Mehrzahl von einzelnen Elektronikkomponenten (51) zu bilden.

6. Verfahren gemäß Anspruch 4 oder 5, bei dem ein Haupt­ bestandteil der Höckerelektrode (62) Gold ist.

7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 6, bei dem das Dichtungsmaterial (63) aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einem Tieftemperaturlötmaterial und ei­ nem Haftmittel besteht.