DE19930234A1 - Elektrostatische Ablenkvorrichtung für Elektronenstrahl-Belichtungsapparaturen mit verminderter Aufladung (charge-up) - Google Patents
Elektrostatische Ablenkvorrichtung für Elektronenstrahl-Belichtungsapparaturen mit verminderter Aufladung (charge-up)Info
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Abstract
Eine elektrostatische Ablenkvorrichtung einer Elektronenstrahl-Belichtungsapparatur wird offenbart. Eine zylindrische Haltevorrichtung wird aus einem isolierenden Material hergestellt. Eine Elektrode, die eine Vielzahl von Elektrodenelementen enthält, welche mit festem räumlichen Abstand zueinander angeordnet sind und deren Oberfläche mindestens teilweise einen aufgewachsenen Metallfilm aufweisen, wird innerhalb der Haltevorrichtung angebracht. Die Elektrodenelemente, von denen jedes mit einem Metallfilm auf der Oberfläche hergestellt wurde, bestehen aus einem leitenden keramischen Werkstoff mit einem spezifischen Widerstand, der mindestens im Bereich von 0,001 bis 1000 OMEGA È cm ausgewählt wird.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Belichtungsappa
ratur, die einen Elektronenstrahl verwendet, oder im be
sonderen, eine Verbesserung einer elektrostatischen Ab
lenkvorrichtung für eine Elektronenstrahl-
Belichtungsapparatur, die eine elektrostatische Ablenk
vorrichtung als Nebenablenker verwendet.
In den vergangenen Jahren wurden integrierte Schaltkreise
mehr und mehr feiner differenziert mit einer ständig an
steigenden Dichte der Schaltkreise. Anstelle der Photoli
thographie-Technologie, die für lange Zeit die Hauptströ
mung des Herstellungsprozesses feiner Strukturen dar
stellte, wurde eine Belichtungsmethode unter Verwendung
geladener Teilchenstrahlen, wie ein Elektronenstrahl oder
ein Ionenstrahl, oder unter Verwendung von Röntgenstrah
len untersucht und realisiert. Unter diesen Entwicklungen
steht die Elektronenstrahlbelichtung zur Erzeugung von
Mustern mittels eines Elektronenstrahls im Brennpunkt des
Interesses, da hierin die Querschnittsfläche des Elektro
nenstrahls auf mehrere zehn nm reduziert werden kann und
Strukturen von nicht mehr als 1 µm erzeugt werden können.
In diesem Zusammenhang erfordert die Elektronenstrahl-
Belichtungsapparatur stabile Funktionskennzeichen, ein
hoher Durchsatz und feinere Charakteristika der Mikrofa
brikation.
In der herkömmlichen Elektronenstrahl-
Belichtungsapparatur wird eine vergleichsweise langsame
elektromagnetische Ablenkvorrichtung als Hauptablenker
für eine Zone (Hauptablenkbereich) verwendet, in welcher
der Elektronenstrahl auf eine zu belichtende Probe
(insbesondere einen Wafer) gelenkt wird, während eine
vergleichsweise schnelle elektrostatische Ablenkvorrich
tung als Nebenablenker für jede von mehreren Zonen
(Nebenablenkbereich) verwendet wird, in welche ein Haupta
blenkbereich segmentiert wird. Die Kolonne der Elektro
nenstrahl-Belichtungsapparatur enthält eine eingebaute
Projektionslinse zur Bestrahlung eines Wafers mit einem
Elektronenstrahl, der einen geeignet geformten Quer
schnitt aufweist. Die oben beschriebene elektromagneti
sche Ablenkvorrichtung und die elektrostatische Ablenk
vorrichtung sind wesentlich integriert in der Projekti
onslinse (d. h. in ihrer Nähe) angeordnet.
Im Falle der Verwendung eines Metalls mit hervorragender
Verarbeitungsfähigkeit und hoher Genauigkeit aber hoher
Leitfähigkeit für die elektrostatische Ablenkvorrichtung
(Nebenablenker) oder für die peripheren Teile hiervon,
verursacht ein Wirbelstrom Unannehmlichkeiten, wie eine
verzögerte Antwort der elektromagnetischen Ablenkvorrich
tung (Hauptablenker). Dies wirft ein kritisches Problem
für eine Elektronenstrahl-Belichtungsapparatur auf, die
einen hohen Durchsatz erfordert.
In einer herkömmlich bekannten Technologie wird ein zy
lindrisches Bauteil aus einem nicht leitenden Material
(wie Aluminiumoxid) mit beschichtetem Inneren (beispiels
weise mit NiP als Untergrund und Au als Oberfläche) als
Elektrode einer elektrostatischen Ablenkvorrichtung ver
wendet. Diese Technologie stellte in gewissem Maße einen
Fortschritt dar. In dieser konventionellen Technologie
wird die Elektrode jedoch im Strangpreßverfahren geformt
und dadurch das Problem der Zerstörung der Elektrode und
der mangelnden Gleichmäßigkeit der Innenbeschichtung des
zylindrischen Bauteils aufgeworfen. Im Ergebnis ist die
Qualität nicht notwendigerweise gleichbleibend und der
Zusammenbau der Elektrode erfordert Geschicklichkeit, so
daß die Technologie unbrauchbar für die Massenproduktion
ist.
Anderseits enthält in der Elektronenstrahl-
Belichtungsapparatur der Innenraum einer Kolonne und der
Innenraum der an die Kolonne gekoppelten Belichtungskam
mer in der Regel ein Hochvakuum. Tatsächlich verdampft
jedoch der für die Belichtung verwendete Schutzlack oder
dergleichen und entzündet sich bei Durchstrahlung mit dem
Elektronenstrahl und erzeugt eine chemische Verbindung,
die Kohlenstoff oder dergleichen als eine Hauptkomponente
enthält und die sich auf den Oberflächen in der Apparatur
ablagert. Diese Ablagerung ist kein guter Leiter und da
her akkumuliert eine Ladung in dem durchstrahlten Teil in
einem Phänomen, das als Aufladung ("charge-up") bezeich
net wird. Das resultierende Problem ist, daß der Elektro
nenstrahl auf eine andere als die ursprünglich vorgesehe
ne Stelle gelenkt wird, was zu einer verminderten Be
strahlungsgenauigkeit führt. Insbesondere stellt sich
dieses Problem am auffälligsten bei einer elektrostati
schen Ablenkvorrichtung (Nebenablenker) dar, die in der
Nähe des mit dem Schutzlack beschichteten Wafers angeord
net ist.
Gemäß dem Stand der Technik wird die elektrostatische Ab
lenkvorrichtung selbst durch eine neue ersetzt, wenn die
Aufladung (charge-up) ein bestimmtes Maß überschreitet.
Die Ersetzungsarbeit erfordert jedoch die vorübergehende
Beseitigung des Hochvakuums (d. h. Belüftung mit der Atmo
sphäre) in der Kolonne und der Kammer. Während der Ein
richtung der Belichtungsapparatur (beispielsweise der In
itialisierung der Ablenkdaten für jeden Ablenker) nach
der Ersetzungsarbeit wird die Apparatur angehalten und
der Durchsatz verringert.
Um dieses Problem zu umgehen, wurde ein Verfahren vorge
schlagen und angewandt, in dem die Ablagerung entfernt
wird, ohne das Innere der Kolonne und der Kammer atmos
phärisch zu belüften (im folgenden als "in-situ Reini
gungsmethode" bezeichnet). Gemäß dieser Methode wird eine
sehr geringe Menge eines Gases, das Sauerstoff als eine
Hauptkomponente enthält, in die Apparatur eingeleitet und
in dieser dünnen Gasatmosphäre wird ein hochfrequenter
Strom an der elektrostatischen Ablenkelektrode angelegt.
Auf diese Weise wird ein Sauerstoffplasma erzeugt, so daß
die Ablagerung durch Veraschung entfernt wird.
Die in-situ Reinigungsmethode - obwohl sehr effektiv - kann
nicht unbedingt als vollkommen befriedigend bezeich
net werden. Wie oben beschrieben, wird die konventionelle
elektrostatische Ablenkelektrode im Strangpreßverfahren
in eine zylindrische Form gebracht und das Innere hiervon
beschichtet. In einer elektrostatischen Ablenkelektrode
dieser Konfiguration wird jedoch nicht nur die Ablagerung
erzeugt, die Kohlenstoff oder dergleichen als Hauptkompo
nente enthält und und die der Verdampfung des Schutzlackes
oder dergleichen zuzurechnen ist, sondern es wird auch
ein Oxid auf der Oberfläche des galvanisierten Metalls
gebildet. Obwohl die in-situ Reinigungsmethode effektiv
für die Ablagerung ist, die Kohlenstoff oder dergleichen
als Hauptkomponente enthält, ist sie nicht effektiv für
das auf der Oberfläche des beschichteten Metalls erzeugte
Oxid.
Angesichts dieser Situation hat der gegenwärtige Er
finder - nach dem Studium der Materialien und der Eigenschaften
der Materialien der für eine elektrostatische Ablenkvor
richtung verwendeten Elektrode - versuchsweise eine elek
trostatische Ablenkvorrichtung aus einem Material der
Kohlenstoffgruppe (z. B. Graphit oder gläserner Kohlen
stoff ?), von welcher das Oxid verdampft wird, herge
stellt und ein Experiment mit dieser durchgeführt. Es hat
sich jedoch herausgestellt, daß das Material der Kohlen
stoffgruppe den Elektronenstrahl ungünstig beeinflußt und
nicht einsetzbar ist wegen des Problems der Oberfläche
bzw. des Wirbelstroms (eddy current).
Nach einer weiteren Studie der Materialien und der Eigen
schaften der Materialien der Elektrode hat der Erfinder
probeweise eine leitende Keramik AlTiC (eine Verbindung
aus Aluminiumoxid und Titancarbonat), die einen idealen
spezifischen Widerstand aufweist (0,001 bis 1000 Ω.cm),
hergestellt (ohne Galvanisierung) und ein Versuch mit
dieser durchgeführt. Obwohl das Problem des Wirbelstroms
nicht auftauchte, wurde eine geringfügige Aufladung
(charge-up) im ersten Durchgang des Experimentes beobach
tet. Es wurde außerdem festgestellt, daß die Verwendung
der in-situ Reinigungsmethode das Aufladen (charge-up)
verstärkt und die Analyse zeigt, daß Titanoxid auf der
Elektrodenoberfläche vorkommt und damit die Elektrode in
dieser Form unbrauchbar macht.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Beseitigung
des unter der Wirkung des Wirbelstroms auftretenden Pro
blems der verminderten Ansprechbarkeit einer elektroma
gnetischen Ablenkvorrichtung, die Realisierung eines Zu
standes, der wesentlich frei vom Phänomen der Aufladung
(charge-up) ist, und somit die Erzeugung einer elektro
statischen Ablenkvorrichtung einer Elektronenstrahl-
Belichtungsapparatur, die zu einer hohen Belichtungsge
nauigkeit beiträgt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine elektrostati
sche Ablenkvorrichtung für eine Elektronenstrahl-
Belichtungsapparatur bereitgestellt, die eine zylindri
sche Haltevorrichtung aus einem isolierenden Material und
eine Elektrode umfaßt, die eine Vielzahl von Elektro
denelementen enthält, welche in einem räumlichen Bezug
zueinander auf der Innenseite der Haltevorrichtung fi
xiert sind und deren Oberfläche mindestens teilweise mit
einem metallischen Film bedeckt ist, wobei jedes Elektro
denelement einen Metallfilm aufweist, welcher auf der
Oberfläche einer leitenden Keramik erzeugt wurde, deren
spezifischer Widerstand mindestens in einem Bereich zwi
schen 0,001 bis 1000 Ω.cm ausgewählt wird.
Gemäß der Konfiguration der elektrostatischen Ablenkvor
richtung nach dieser Erfindung kann die Verwendung einer
leitenden Keramik als Elektrodenmaterial mit einer spezi
fischen Leitfähigkeit mindestens im Bereich von 0,001 bis
1000 Ω.cm das Problem der reduzierten Ansprechbarkeit
des Hauptablenkers (elektromagnetische Ablenkvorrichtung)
unter der Wirkung des oben beschriebenen Wirbelstroms
überwunden werden. Da ein Metallfilm auf der Oberfläche
der leitenden Keramik erzeugt wird, kann außerdem die
elektrostatische Ablenkvorrichtung weitgehend frei von
Aufladung (charge-up) gehalten werden, selbst in dem
Fall, daß die Elektrode durch eine Einspannvorrichtung
oder dergleichen beim ihrem Einbau leicht beschädigt wur
de, wodurch eine sehr hohe Bestrahlungspräzision ermög
licht wird.
Die vorliegende Erfindung wird durch die unten fortge
führte Beschreibung unter Bezugnahme auf die begleitenden
Figuren besser verstanden, welche sind:
Fig. 1a bis 1c sind graphische Darstellungen, die eine
äußere Erscheinung und eine innere Konfiguration einer
elektrostatischen Ablenkvorrichtung einer Elektronen
strahl-Belichtungsapparatur gemäß einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigen,
Fig. 2a und 2b sind graphische Darstellungen zur Er
läuterung eines Beispiels eines Elektrodenanschlusses zum
Zusammenbau jeden Elektrodenelementes der elektrostati
schen Ablenkvorrichtung aus Fig. 1a bis 1c; und
Fig. 3a und 3b sind graphische Darstellungen zur Er
läuterung eines anderen Beispiels eines Elektrodenan
schlusses zum Zusammenbau jeden Elektrodenelementes der
elektrostatischen Ablenkvorrichtung aus Fig. 1a bis
1c.
Fig. 1a bis 1c zeigen schematisch eine Konfiguration
einer elektrostatischen Ablenkvorrichtung einer Elektro
nenstrahl-Belichtungsapparatur gemäß einer Ausführungs
form der vorliegenden Erfindung. Fig. 1a zeigt eine Au
ßenansicht der elektrostatischen Ablenkvorrichtung, Fig.
1b zeigt eine obere Ansicht der entlang der Linie A-A'
gesehenen Oberfläche und Fig. 1c zeigt eine Quer
schnittsansicht entlang Linie B-B' in Fig. 1b.
Eine elektrostatische Ablenkvorrichtung 10 gemäß dieser
Ausführungsform, die in einer Elektronenstrahl-
Belichtungsapparatur mit einer elektromagnetischen Ab
lenkvorrichtung als Hauptablenker (nicht dargestellt)
enthalten ist, ist in der Nähe der elektromagnetischen
Ablenkvorrichtung angeordnet und wird als Nebenablenker
verwendet. Gemäß der Darstellung enthält die elektrosta
tische Ablenkvorrichtung 10 eine Elektrode 11 und einen
hohlen Außenzylinder 12, der die Elektrode beherbergt.
Die Elektrode 11 besteht aus acht Elektrodenelementen E1
bis E8 aus einer leitenden Keramik. Die Elektrodenelemen
te Ei (i: 1 bis 8) sind axial-symmetrisch in dem Außenzy
linder 12 fest angeordnet (Fig. 1b). Die Elektrodenele
mente Ei werden in Form geschliffen, wie später beschrie
ben wird. Die leitende Keramik, aus der jedes Elektro
denelement Ei besteht, hat einen spezifischen Widerstand,
der im Bereich von mindestens 0,001 bis 1000 Ω.cm ausge
wählt wird, und einen auf der Oberfläche der leitenden
Keramik erzeugten Metallfilm. Gemäß dieser Ausführungs
form bedeckt dieser Metallfilm zumindest teilweise die
Oberfläche hiervon mit einem Metall der Platingruppe, das
direkt auf der Oberfläche jeder leitenden Keramik durch
Galvanisierung abgeschieden wird. Der Platingruppe umfaßt
die sechs metallischen Elemente Ruthenium (Ru), Rhodium
(Rh), Palladium (Pd), Osmium (Os), Iridium (Ir) und Pla
tin (Pt).
Auf der anderen Seite besteht der äußere Zylinder 12 aus
einem nichtleitenden Material. Gemäß der Darstellung ent
hält dieser äußere Zylinder 12 die Aperturen H1 und H2.
Diese Aperturen werden für den festen Einbau der Elektro
de 11 (acht Elektrodenelemente E1 bis E2) im Inneren ver
wendet und, wie später beschrieben wird, sind jeweils zwei
Aperturen (von insgesamt 16 Aperturen) für jedes Elektro
denelement Ei vorgesehen.
In der Konfiguration der elektrostatischen Ablenkvorrich
tung 10 gemäß dieser Ausführungsform wird eine leitende
Keramik mit einem spezifischen Widerstand, der nach einem
bestimmten Wert gewählt wird (mindestens im Bereich von
0,001 bis 1000 Ω.cm), als Material für die Elektrode 11
verwendet. Daher ist es möglich, das Problem, daß die An
sprechbarkeit des Hauptablenkers (elektromagnetische Ab
lenkvorrichtung) unter der Wirkung des Wirbelstroms ver
mindert wird, zu eliminieren. Weiterhin kann der Metall
film auf der Oberfläche der leitenden Keramik, aus der
jedes Elektrodenelement Ei besteht, die Aufladung
(charge-up) beträchtlich verhindern, sogar wenn die Elek
trodenelemente Ei zum Zeitpunkt ihrer Montage durch eine
Einspannvorrichtung o. ä. leicht beschädigt wurden. Dies
trägt zu der Realisierung einer hoch präzisen Bestrahlung
bei.
Außerdem kann die Verwendung eines Metalls der Platin
gruppe als Metallfilm und die bekannte Tatsache, daß die
ses Metall der Platingruppe nicht in der Lage ist, eine
Verbindung mit Sauerstoff einzugehen, das Problem einer
erhöhten Aufladung (charge-up) verhindern, selbst wenn
die oben beschriebene in-situ Reinigungsmethode angewandt
wird (d. h., selbst wenn die Veraschung mit Sauerstoff
plasma durchgeführt wird).
Aufgrund der Tatsache, daß die Elektrode 11 aus einer
Vielzahl von Elektrodenelementen (acht in dieser Ausfüh
rungsform) aufgebaut ist, können die Elektrodenelemente
Ei bei ihrer festen axial-symmetrischen Anordnung im Au
ßenzylinder 12 mit hoher Genauigkeit positioniert werden.
Weiterhin wird jedes Elektrodenelement Ei aus dem leiten
den keramischen Werkstoff durch Schleifen geformt, wo
durch eine elektrostatische Ablenkvorrichtung 10 mit ei
ner hohen räumlichen Präzision erzeugt werden kann.
Im folgenden wird nun der Anschluß der Elektrode für die
Montage der Elektrodenelemente Ei der elektrostatischen
Ablenkvorrichtung 10 gemäß der oben beschriebenen Ausfüh
rungsform unter Bezugnahme auf die Fig. 2a und 2b er
läutert.
Fig. 2a zeigt eine äußere Ansicht eines Elektrodenele
mentes Ei und Fig. 2b zeigt eine Querschnittsansicht ei
nes am Außenzylinder 12 befestigten Elektrodenelementes
Ei.
Zunächst wird AlTiC (Verbindung aus Aluminiumoxid und Ti
tancarbonat) als eine leitende Keramik zur Herstellung
der Elektrodenelemente Ei (i: 1 bis 8) verwendet und die
Elektrodenelemente Ei in die in Fig. 2a gezeigte Form
geschliffen.
Dann wird ein leitendes Metallpolster 13 mit Titan (Ti)
als eine Hauptkomponente durch Metallisierung auf einer
Stelle erzeugt, die das Elektrodenelement Ei elektrisch
verbindet. Auf der gleichen Weise werden die Verbindungs
metallpolster 14, 15, die Ti als eine Hauptkomponente
enthalten, durch Metallisierung an zwei willkürlichen
Punkten eines Bereiches des Außenzylinders erzeugt, an
denen das Elektrodenelement Ei befestigt wird. In diesem
Prozeß wird jedes Metallpolster 13 bis 15 in einer mini
malen Größe gebildet.
Nach der Reinigung der Oberfläche jeden Elektrodenelemen
tes Ei wird dann Platin (Pt) direkt, ohne jeden Unter
grund, auf der Oberfläche des Elektrodenelementes Ei
durch Galvanisierung abgeschieden. Die Beschichtungsdicke
wird auf 2 µm oder weniger eingestellt.
Unter Verwendung von Aluminium als ein nichtleitendes Ma
terial für den Außenzylinder 12 werden dann die Aperturen
(H1, H2 in Fig. 1) an den Stellen des Außenzylinders 12
erzeugt, die durch die Verbindungsmetallpolster 14 und 15
des Elektrodenelementes Ei kontaktiert werden, wenn das
Elektrodenelement Ei im Außenzylinder 12 fest angeordnet
wird. Wie oben beschrieben wurde, werden jeweils zwei
(insgesamt 16) Aperturen für jedes Elektrodenelement Ei
erzeugt.
Weiter werden die Verbindungsmetallpolster 16 und 17, die
Molybdän-Mangan (Mo-Mn) als eine Hauptkomponente enthal
ten, durch Metallisierung auf dem Innenwandbereich jeder
Apertur (H1, H2) erzeugt.
Dann werden die mit hoher Präzision mittels einer Monta
gevorrichtung ausgerichteten Elektrodenelemente Ei mit
Hilfe einer Montagevorrichtung in den Außenzylinder 12
eingeführt (d. h., die Elektrodenelemente Ei werden axial
symmetrisch zueinander angeordnet).
Schließlich wird eine sehr kleine Menge eines Zusatzwerk
stoffes 18, wie etwa Lötmittel, in die im Außenzylinder
12 (Fig. 2b) erzeugten Aperturen H1, H2 gespritzt und
erhitzt. Infolge dessen werden die auf dem Elektrodenele
ment Ei gebildeten Verbindungsmetallpolster 14, 15 mit
den auf dem Außenzylinder 12 erzeugten Verbindungsmetall
polstern 16, 17 befestigt. Mit anderen Worten, die Elek
trodenelemente Ei werden dauerhaft am Außenzylinder 12
befestigt.
Nachfolgend wird ein anderes Beispiel zum Elektrodenan
schluß für den Zusammenbau der Elektrodenelemente Ei ei
ner elektrostatischen Ablenkvorrichtung 10 gemäß dieser
Ausführungsform unter Bezugnahme auf Fig. 3a bis 3b
erläutert.
Fig. 3a zeigt eine Außenansicht eines Elektrodenelemen
tes Ei und Fig. 3b zeigt eine Querschnittsansicht eines
am Außenzylinder befestigten Elektrodenelementes Ei.
Zunächst wird AlTiC (Verbindung aus Aluminiumoxid und Ti
tancarbonat) als eine leitende Keramik zur Herstellung
der Elektrodenelemente Ei (i: 1 bis 8) verwendet und die
Elektrodenelemente Ei in die in Fig. 3a gezeigte Form
geschliffen.
Dann werden die Verbindungsstellen 19 und 20 an zwei
willkürlichen Punkten festgelegt, an denen das Elektro
denelement Ei an dem Außenzylinder 12 befestigt wird.
Weiter werden ringförmige Nuten 21, 22 jeweils um die
Verbindungsstellen 19, 20 erzeugt.
Ein Metallpolster 13 zur elektrischen Verbindung mit Ti
tan (Ti) als eine Hauptkomponente wird dann durch Metal
lisierung an einer Stelle gebildet, die elektrisch mit
dem Elektrodenelement Ei verbunden werden soll. Dieses
Metallpolster wird in minimaler Größe erzeugt.
Nach der Reinigung der Oberfläche von jedem Elektro
denelement Ei wird dann Platin (Pt) direkt, ohne jeden
Untergrund, auf der Oberfläche des Elektrodenelementes Ei
durch Galvanisierung abgeschieden. Die Beschichtungsdicke
wird auf 2 µm oder weniger eingestellt.
Unter Verwendung von Aluminium als ein nichtleitendes Ma
terial für den Außenzylinder 12 werden dann die Aperturen
(H1, H2 in Fig. 1c) in den Stellen des Außenzylinders 12
erzeugt, die durch die Verbindungsstellen 19, 20 des
Elektrodenelementes Ei kontaktiert werden, wenn das Elek
trodenelement Ei in dem Außenzylinder 12 fest montiert
wird. Wie oben beschrieben wurde, werden zwei (insgesamt
16) Aperturen für jedes Elektrodenelement Ei gebildet.
Als nächstes werden die mit hoher Genauigkeit positio
nierten Elektrodenelemente Ei mit Hilfe einer Montagevor
richtung in den Außenzylinder 12 eingeführt (d. h. die
Elektrodenelemente Ei werden axial-symmetrisch in den Au
ßenzylinder 12 angeordnet).
Schließlich wird eine sehr geringe Menge eines Klebstof
fes 23 aus Epoxidharz oder dergleichen in die in dem
Außenzylinder 12 erzeugten Aperturen H1, H2 gespritzt
(Fig. 3b). Der Klebstoff 23 klebt an die für jedes Elek
trodenelement Ei festgesetzten Verbindungsstellen 19, 20
mit dem Ergebnis an, daß die Elektrodenelemente Ei fest
mit dem Außenzylinder 12 verbunden werden.
Der injizierte Klebstoff 23 neigt zur Diffusion entlang
der Grenze zwischen den Elektrodenelementen Ei und dem
Außenzylinder 12. Die Diffusion des Klebstoffes 23 wird
jedoch durch die Nuten 21, 22 verhindert, die jeweils um
die Verbindungsstellen 19, 20 gebildet wurden. Auf diese
Weise werden die Komponenten des Klebstoffes 23 dem Elek
tronenstrahl oder dem Sauerstoffplasma nicht direkt aus
gesetzt. Somit bleibt die Reinheit der Elektrode erhal
ten. Mit anderen Worten, die Teile, wie die in der Be
lichtungsapparatur angeordnete elektrostatische Ablenk
vorrichtung, werden davor bewahrt, Kontaminationsmittel
zu werden.
Aus der vorangegangenen Beschreibung wird ersichtlich,
daß gemäß der vorliegenden Erfindung eine elektrostati
sche Ablenkvorrichtung bereitgestellt wird, die das Pro
blem der verminderten Ansprechbarkeit der elektromagneti
schen Ablenkvorrichtung unter der Wirkung des Wirbelstro
mes verhindert, die einen Zustand annehmen kann, der we
sentlich frei von Aufladung (charge-up) ist, sogar wenn
geringe Defekte durch Montagevorrichtungen oder derglei
chen zum Zeitpunkt des Zusammenbaus der Elektrode verur
sacht wurden, und die somit eine hohe Bestrahlungspräzi
sion realisieren kann.
10
elektrostatische Ablenkvorrichtung
11
Elektrode
12
Außenzylinder
13-17
Verbindungsmetallpolster
18
Zusatzwerkstoff
19
,
20
Verbindungsstelle
21
,
22
ringförmige Nut
23
Klebstoff
Ei
Ei
Elektrodenelement i, mit i = 1 bis 8
H1
H1
Apertur 1
H2
H2
Apertur 2
Claims (8)
1. Elektrostatische Ablenkvorrichtung einer Elektronen
strahl-Belichtungsapparatur, umfassend:
eine aus einem isolierenden Material hergestellte zy lindrische Haltevorrichtung und
eine Elektrode, die eine Vielzahl von Elektrodenele menten enthält, welche in räumlicher Beziehung zuein ander in der besagten Haltevorrichtung befestigt sind und welche mindestens auf einer Stelle ihrer Oberflä che einen Metallfilm aufweisen;
wobei die Elektrodenelemente, die einen Metallfilm auf der Oberfläche aufweisen, aus einem leitenden ke ramischen Werkstoff bestehen, dessen spezifischer Wi derstand mindestens in einem Bereich von 0,001 bis 1000 Ω.cm ausgewählt wird.
eine aus einem isolierenden Material hergestellte zy lindrische Haltevorrichtung und
eine Elektrode, die eine Vielzahl von Elektrodenele menten enthält, welche in räumlicher Beziehung zuein ander in der besagten Haltevorrichtung befestigt sind und welche mindestens auf einer Stelle ihrer Oberflä che einen Metallfilm aufweisen;
wobei die Elektrodenelemente, die einen Metallfilm auf der Oberfläche aufweisen, aus einem leitenden ke ramischen Werkstoff bestehen, dessen spezifischer Wi derstand mindestens in einem Bereich von 0,001 bis 1000 Ω.cm ausgewählt wird.
2. Elektrostatische Ablenkvorrichtung einer Elektronen
strahl-Belichtungsapparatur gemäß Anspruch 1, worin
der Metallfilm wenigstens die Oberfläche davon mit
einem Metall der Platingruppe bedeckt.
3. Elektrostatische Ablenkvorrichtung einer Elektronen
strahl-Belichtungsapparatur gemäß Anspruch 2, worin
der Metallfilm direkt auf der Oberfläche der leiten
den Keramik durch Galvanisierung abgeschieden wird.
4. Elektrostatische Ablenkvorrichtung einer Elektronen
strahl-Belichtungsapparatur gemäß Anspruch 1, worin
die Elektrode der besagten elektrostatischen Ablenk
vorrichtung aus einer Vielzahl von Elektrodenelemen
ten aus einer leitenden Keramik aufgebaut ist und die
Elektrodenelemente in einem hohlen Außenzylinder aus
einem nichtleitenden Material axial-symmetrisch fest
angeordnet sind.
5. Elektrostatische Ablenkvorrichtung einer Elektronen
strahl-Belichtungsapparatur gemäß Anspruch 4, worin
die Elektrodenelemente des leitenden keramischen
Werkstoffes in die gleiche Form geschliffen werden.
6. Elektrostatische Ablenkvorrichtung einer Elektronen
strahl-Belichtungsapparatur gemäß Anspruch 4, worin
jedes aus der leitenden Keramik bestehende Elektro
denelement ein Metallpolster an mindestens einem
Punkt aufweist; der Außenzylinder eine Vielzahl von
Aperturen an Positionen aufweist, die durch die be
sagten Metallpolster der Elektrodenelemente kontak
tiert werden, wenn die Elektrodenelemente in dem
Außenzylinder fest angebracht werden; die Metallpolster
auf den Innenwandpositionen der Aperturen erzeugt
werden und die Elektrodenelemente auf der Innenwand
des Außenzylinders durch einen durch die Aperturen
gespritzten Hilfswerkstoff befestigt werden.
7. Elektrostatische Ablenkvorrichtung einer Elektronen
strahl-Belichtungsapparatur gemäß Anspruch 4, worin
jedes aus der leitenden Keramik bestehende Elektro
denelement mindestens eine Verbindungsstelle und min
destens eine diese Verbindungsstelle umgebende Nut
aufweist; der Außenzylinder eine Vielzahl von Apertu
ren an Positionen aufweist, die durch die Verbin
dungsstellen der Elektrodenelemente kontaktiert wer
den, wenn die Elektrodenelemente in dem Außenzylinder
fest angebracht werden; und jedes der Elektrodenele
mente an der Innenwand des Außenzylinders durch einen
durch die Aperturen gespritzten Klebstoff befestigt
werden.
8. Elektrostatische Ablenkvorrichtung einer Elektronen
strahl-Belichtungsapparatur gemäß Anspruch 1, worin
die leitende Keramik eine Verbindung aus Aluminiu
moxid und Titancarbonat ist.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10180751A JP2000011937A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 電子ビーム露光装置の静電偏向器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19930234A1 true DE19930234A1 (de) | 1999-12-30 |
Family
ID=16088688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19930234A Ceased DE19930234A1 (de) | 1998-06-26 | 1999-06-25 | Elektrostatische Ablenkvorrichtung für Elektronenstrahl-Belichtungsapparaturen mit verminderter Aufladung (charge-up) |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6268606B1 (de) |
| JP (1) | JP2000011937A (de) |
| KR (1) | KR100609001B1 (de) |
| DE (1) | DE19930234A1 (de) |
| TW (1) | TW419734B (de) |
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1999
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- 1999-06-22 US US09/337,795 patent/US6268606B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-23 TW TW088110556A patent/TW419734B/zh not_active IP Right Cessation
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| TW419734B (en) | 2001-01-21 |
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