DE19919742A1 - Verfahren zum Beschichten von Substraten aus dotiertem Silizium mit einer Antireflexschicht für Solarzellen mittels einer in einer Vakuumkammer betriebenen Zerstäubungskathode mit einem Magnetsystem - Google Patents

Abstract

Verfahren zum Beschichten von Substraten aus dotiertem Silizium mit einer Antireflexschicht für Solarzellen mittels einer in einer Vakuumkammer betriebenen Zerstäubungseinrichtung mit einem Magnetsystem und mindestens zwei darüber angeordneten Elektroden in einer kontrollierten Sauerstoffatmosphäre, wobei die Elektroden aus Silizium bestehen und elektrisch so geschaltet sind, daß sie abwechselnd Kathode und Anode der Gasentladung sind.

Description

Solarzellen sind Bauelemente, die Licht in elek­ trische Energie umwandeln. Üblicherweise bestehen sie aus einem Halbleitermaterial (meist Silizium), das n- bzw. p-leitende Bereiche enthält. Die Be­ reiche werden als Emitter bzw. Basis bezeichnet. Durch einfallendes Licht erzeugte positive und ne­ gative Ladungsträger werden am pn-Übergang ge­ trennt und können durch metallische Kontakte auf den jeweilige Bereichen abgeführt werden.

In der einfachsten Form bestehen Solarzellen aus ganzflächigen Basis- und Emitterbereichen, wobei der Emitter auf der dem Licht zugewandten Seite liegt. Dadurch kann die Basis durch das möglicher­ weise ganzflächige Aufbringen von Metall auf der Rückseite kontaktiert werden. Der Emitter wird mit einem Grid kontaktiert mit dem Ziel, möglichst viele Ladungsträger abzuführen und möglichst wenig Licht durch Abschattung am Metallkontakt für die Solarzelle zu verlieren.

Zur Optimierung der Leistungsausbeute der Solar­ zelle wird versucht, die optischen Verluste auf Grund der Reflexion möglichst klein zu halten. Er­ reicht wird dies durch die Abscheidung sogenannter Antireflexionsschichten (ARC) auf der Oberfläche der Solarzelle. Diese haben einen Brechungsindex, dessen Wert zwischen dem des Siliziums (n = ca. 3,7) und dem der Luft (n = 1) bzw. dem von Glas (n = 1,5 im Falle der Einkapselung in photovoltaischen Modulen) liegt. Weiterhin ist die Schichtdicke der ARC so gewählt, daß sich im ener­ getisch wichtigsten Spektralbereich gerade de­ struktive Interferenz des reflektierten Lichtes ergibt. Auch Mehrschichtsysteme oder Schichten mit sich kontinuierlich änderndem Brechungsindex sind möglich.

Bei der Herstellung von Solarzellen werden Antire­ flex-Schichten aus folgenden Materialien einge­ setzt: Siliziumdioxid (Brechungsindex n = ca. 1,5), Magnesiumfluorid (n = ca. 1,4), Siliziumnitrid (n = 1,9-2,3) und Titandioxid (n = 2,0-2,3). Im Bereich der industriellen Solarzellenfertigung werden allerdings hauptsächlich die beiden letzt­ genannten verwendet. In Kombination mit der Glas­ scheibe der Modulkapselung ist ihr Brechungsindex günstiger. Darüber hinaus läßt sich der Brechungs­ index bei Titandioxid und Siliziumnitrid in den oben beschriebenen Grenzen einstellen. Typische Schichtdicken liegen dann bei 65 nm-75 nm. Be­ stimmte ARCs sind überdies in der Lage, die Ober­ fläche der Solarzelle zu passivieren, d. h. die Wahrscheinlichkeit, daß Ladungsträger an die Ober­ fläche gelangen und dort rekombinieren, wird ver­ ringert. Realisiert wurden solche Schichten bisher aus Siliziumnitrid oder Siliziumdioxid.

Titandioxid wird in der Solarzellenindustrie ins­ besondere durch eine chemische Dampfabscheidung bei Atmosphärendruck hergestellt (APCVD = At­ mospheric Pressure Vapor Deposition). Der Prozeß erfolgt z. B. über die Hydrolyse von Tetraisopro­ poxidtitanat (TPT, Ti (OC₃H₇)₄) bei einer Temperatur von 280°C. Eine APCVD-Anlage besteht typischerwei­ se aus einem Transportband, auf dem die Wafer durch einen beheizten Bereich transportiert wer­ den, in dem der chemische Dampf zugeführt wird und sich auf den Siliziumwafern niederschlägt.

Ein bisher realisiertes Verfahren zur Aufbringung von Siliziumnitridschichten für die Herstellung von Solarzellen ist das thermische Siliziumnitrid (TSiN). Hierbei bildet sich das Siliziumnitrid, indem Stickstoff bei einer sehr hohen Temperatur (< 1000°C) einem Siliziumwafer zugeführt wird. Das Verfahren findet typischerweise in einem Quarzrohr statt, um eine saubere Umgebung des Wafers zu rea­ lisieren, da bei den angewendeten Temperaturen ei­ ne Verunreinigung des Wafers, z. B. durch die Ein­ diffusion von Metallen, das Leistungspotential der Zellen stark begrenzt. Bei den hohen Temperaturen dissoziiert der Stickstoff und bildet mit dem Si­ lizium des Wafers die Siliziumnitridschicht. Die Abscheideraten sind sehr gering und die Reinheits­ anforderungen sehr hoch. Im Bereich der industri­ ellen Solarzellenfertigung wird Siliziumnitrid mit einem plasmaunterstützten chemischen Dampfabschei­ dungsverfahren hergestellt (PECVD-plasma enhan­ ced chemical vapor deposition). Hierbei werden oberhalb der zu beschichtenden Siliziumoberfläche die Gase Silan SiH₄ und Ammoniak NH₃ oder Stick­ stoff N₂ in einer Niederdruckumgebung (ca. 10-100 Pascal) bei einer Temperatur von 80-400°C zuge­ führt. Durch ein von außen angelegtes Wechselspan­ nungsfeld werden die Gasmoleküle dissoziiert und auf dem Wafer bildet sich eine Siliziumnitrid­ schicht. Durch die Verwendung von Silan wird zu­ sätzlich Wasserstoff in die Schicht eingebaut. Durch nachfolgende Temperaturschritte (mit T < 300°C) diffundiert der Wasserstoff in das Si­ lizium, wodurch eine Verbesserung insbesondere von relativ niederwertigem Material erreicht wird. Dies ist einer der wichtigsten Gründe dafür, daß Siliziumnitrid heute das beliebteste Antireflexma­ terial in der Solarzellenfertigung ist. Die Ab­ scheidezeit der Siliziumnitridschicht für eine Schichtdicke von ca. 75 nm beträgt ca. 10 min. al­ lerdings sind vorher und nachher Zyklen zum Vaku­ umauf- und -abbau notwendig, so daß die gesamte Prozeßzeit ca. 30-40 min beträgt. In der industri­ ellen Solarzellenfertigung wird ein Anlagenkonzept verwendet, bei dem gleichzeitig eine Vielzahl von Siliziumwafern (ca. 80-250) beschichtet wird, um den geforderten Durchsatz von ca. 100 Wa­ fern/Stunde erreichen zu können. Hierbei werden die Solarzellen in einem Quarzrohr prozessiert (siehe Abb. 2). Das Plasma wird durch Graphitelek­ troden erzeugt, die in einem Abstand von ca. 13 mm entweder parallel oder vertikal zur Längsachse des Rohres angebracht sind. An diesen Elektroden be­ finden sich kleine Halterungen, in die die Wafer eingelegt werden.

Für die Herstellung von Titandioxid im APCVD- Verfahren ergeben sich die folgenden Nachteile:

• 1. Da die Abscheidung des Titandioxids nicht ge­ richtet ist, wird der gesamte Reaktorraum mit Titandioxid bedeckt. Bei einer bestimmten Schichtdicke beginnt das Titandioxid abzublät­ tern und verschmutzt dabei auch die auf dem Transportband befindlichen Wafer. Dies erfor­ dert regelmäßige (tägliche) Reinigungszyklen, in denen die Apparatur abgeschaltet werden muß.
• 2. Im Gegensatz zum Siliziumnitrid passiviert Ti­ tandioxid die Oberfläche nicht und es wird auch kein Wasserstoff zur Materialpassivierung eingebracht, wodurch ein geringeres Potential für hohe Zellwirkungsgrade als beim Silizium­ nitrid besteht.

Für die Herstellung von Siliziumnitrid im PECVD- Verfahren ergeben sich die folgenden Nachteile:

• 1. Die Hantierung der Wafer zur Beschickung der Graphitelektroden ist sehr aufwendig und wird zumeist manuell durchgeführt und insbesondere bei dünnen Siliziumwafern, wie sie in Zukunft aus Kostengründen bevorzugt eingesetzt werden, besteht eine große Bruchgefahr. Das manuelle Handling ist sehr personal- und somit kosten­ intensiv.
• 2. Die für die benötigten Schichtdicken notwendi­ ge relativ lange Prozeßzeit erschwert die Rea­ lisierung von Konzepten, in denen nur ein oder wenige Wafer gleichzeitig prozessiert werden. Eine Durchlaufanlage unter Anwendung des PECVD-Verfahrens für den geforderten Durchsatz wird deshalb groß und aufwendig.
• 3. Durch die ungerichtete Abscheidung entsteht im gesamten Reaktionsraum und insbesondere auf den Graphitelektroden eine Siliziumnitrid­ schicht, die nach einer gewissen Zeit zum ab­ blättern neigt. Deshalb muß nach ungefähr je­ dem 70. Prozeß ein Reinigungszyklus eingescho­ ben werden, währenddessen die Anlage nicht weiterbetrieben werden kann.
• 4. Durch die Halterung an den Graphitelektroden wird ein Teil der Zellfläche abgeschattet, so daß dort keine Abscheidung stattfindet und so ein inhomogener visueller Eindruck entsteht.

Es ist auch ein Verfahren zur Herstellung von So­ larzellen in einer kontrollierten Sauerstoffatmo­ sphäre mit Hilfe eines Sputterverfahrens (US 4,358,478) bekannt, wobei auf einem Substrat aus Quarzglas oder Keramik eine photoleitfähige Se-As- Te-Schicht und auf diese eine optisch durchlässige ITO-Schicht aufgesputtert wird. Das Target der Sputterkathode enthält dazu 90% In₂O₃ und 10% SnO₂, wobei als Prozeßgas eine Mischung aus Argon und Sauerstoff bei einem Druck von 3,5.10^-3 Torr Verwendung findet und die abgesputterte ITO- Schicht eine Dicke zwischen 500 Å und 5000 Å auf­ weist.

Bekannt ist weiterhin eine Solarzelle, die auf ein Substrat aufgebracht wird, das eine Metallplatte und eine auf die Metallplatte aufgebrachte elek­ trisch isolierende Schicht aufweist, auf der eine Vielzahl von in Reihe geschalteten Solarzellen be­ festigt ist, wobei die elektrisch isolierende Schicht eine dünne Schicht ist, die eine nicht monokristalline Silikonmasse enthält, die durch das Plasma CVD-Verfahren oder mit der Spritzpisto­ le aufgetragen (sputter vapor deposition method) ist und die einen Kohlenstoffgehalt von mindestens 10 Atom-% hat (EP 0 137 512).

Bekannt ist darüber hinaus eine Mehrkammer- Glimmentladungsvorrichtung des Typs mit mehreren Beschichtungskammern und einer Einrichtung zum kontinuierlichen Transport einer langgestreckten Substratmaterialbahn auf einem Transportweg, der die Beschichtungskammern der Reihe nach durchläuft (EP 0 576 559), wobei jede Beschichtungskammer aufweist: eine Prozeßgasleitung zum Einleiten ei­ nes Prozeßgases; eine Kathode, eine elektromagne­ tische Energiequelle, die mit der Kathode elek­ trisch verbunden ist; und Einrichtungen zum Ein­ schließen des Prozeßgases in einem Kathodenbereich der Kammer, wobei elektromagnetische Energie, die der Kathode zugeführt wird, das Prozeßgas dissozi­ iert und daraus ein Prozeßgasplasma in dem Katho­ denbereich erzeugt, wobei eine Plasmaprofilein­ heit, die in einer der Beschichtungskammern längs des Transportweges der Substratmaterialbahn ange­ ordnet ist, aufweist: ein Plasmaprofil; eine Ab­ schirmung, die so angeordnet ist, daß sie das Plasmaprofil im wesentlichen einschließt und einen unmittelbar daran anschließenden Reinigungs- /Passivierungsbereich abgrenzt; eine Rohrleitung zum Einleiten eines Reinigungs-/Passivie­ rungsgases, wobei die Rohrleitung mit der Abschir­ mung in Verbindung steht und von der Prozeßgaslei­ tung getrennt ist, wobei die Abschirmung in unmit­ telbarer Nähe des Substrats angeordnet ist, um das Reinigungs-/Passivierungsgas in dem Reinigungs- /Passivierungsbereich einzuschließen und den Ein­ tritt von Prozeßgas in den Reinigungs-/Passi­ vierungsbereich zu verhindern; und eine Einrich­ tung zum Zuführen elektromagnetischer Energie zum Plasmaprofil, um das Reinigungs-/Passivierungsgas zu dissoziieren und daraus ein Plasma in dem Rei­ nigungs-/Passivierungsbereich zu erzeugen.

Die drei Beschichtungskammern sind dabei so ange­ ordnet, daß die Substratmaterialbahn die Kammern nacheinander durchläuft, wobei eine erste Kammer einen Plasmabereich aufweist, der die Abscheidung eines n-dotierten Körpers aus Siliziumlegierung auf dem Substrat bewirkt und eine zweite Kammer einen Plasmabereich aufweist, der die Abscheidung eines im wesentlichen eigenleitenden Körpers aus Siliziumlegierung auf dem Substrat bewirkt, und wobei eine dritte Kammer einen Plasmabereich auf­ weist, der die Abscheidung eines p-dotierten Kör­ pers aus Siliziumlegierung bewirkt; wobei die Vor­ richtung ferner eine erste Plasmaprofileinheit, die zwischen dem Plasmabereich der ersten Be­ schichtungskammmer und dem Plasmabereich der zwei­ ten Beschichtungskammer angeordnet ist; und eine zweite Plasmaprofileinheit aufweist, die zwischen dem Plasmabereich der zweiten Beschichtungskammer und dem Plasmabereich der dritten Beschichtungs­ kammer angeordnet ist.

Vorgeschlagen wurde auch bereits eine Vorrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrats (EP 0 502 242) mit einem elektrisch isolierenden Werkstoff, beispielsweise mit Siliziumdioxid (SiO₂), bestehend aus einer Wechselstromquelle, die mit in einer evakuierbaren Beschichtungskammer angeordneten Magnetronkathoden verbunden ist, de­ ren Targets zerstäubt werden und deren zerstäubte Teilchen sich auf dem Substrat niederschlagen, wo­ bei zwei erdfreie Ausgänge der Wechselstromquelle mit je einer Magnetronkathode verbunden sind, die beide in einer Beschichtungskammer nebeneinander­ liegend vorgesehen sind und zum gegenüberliegenden Substrat jeweils etwa den gleichen räumlichen Ab­ stand aufweisen, wobei die Magnetronkathoden je­ weils eine eigene Verteilerleitung für das Prozeß­ gas besitzen und die Aufteilung des Reaktivgas­ flusses auf beide Verteilerleitungen von einem Regler über ein Leitwertregelventil derart gesteu­ ert ist, daß die gemessene Spannungsdifferenz der Effektivwerte beider Kathoden mit einer Sollspan­ nung übereinstimmt - wozu die Effektivwerte der über Leitungen an die Kathoden angeschlossenen Spannungseffektivwerterfassungen gemessen und als Gleichspannungen dem Regler über Leitungen zuge­ führt werden.

Schließlich ist ein Verfahren zur Herstellung ei­ ner Halbleitervorrichtung mittels Mikrowellennie­ derschlags bekannt (EP 0 616 729), die einen Über­ gang zwischen einer Schicht aus Eigenhalbleiterma­ terial und einer Schicht aus dotiertem Halbleiter­ material aufweist, wobei das Verfahren die folgen­ den Schritte umfaßt: Bereitstellen einer Beschich­ tungskammer, Anordnen eines Substrats in der Kam­ mer, Anordnen eines mit Spannung versorgbaren Vor­ spannungsdrahtes in der Kammer in der Nähe des Substrats, Einleiten eines Eigenhalbleiter- Vorläufergases in die Kammer; Einbringen von Mikrowellenenergie in die Kammer, wobei die Ener­ gie so wirkt, daß sie ein Plasma aus dem Eigen­ halbleitergas bildet und dieses zerlegt, um eine Schicht aus Eigenhalbleitermaterial aufzubringen, Versorgung des Vorspannungsdrahtes mit Spannung und Aufbringen einer Schicht aus dotiertem Halb­ leitermaterial auf die Schicht aus Eigenhalblei­ termatieral, wobei der Vorspannungsdraht lediglich während eines Abschnitts der Zeit, in der die Ei­ genhalbleiterschicht aufgebracht wird, mit einer positiven Spannung über 50 V versorgt wird.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu­ grunde, ein Verfahren zum Beschichten von Substra­ ten aus dotiertem Silizium mit einer Antireflex­ schicht anzugeben, das die Nachteile der bekannten Verfahren vermeidet und einen besonders stabilen Beschichtungsprozeß mit deutlich verbesserter Be­ schichtungsrate bei einem Höchstmaß an Antire­ flexeigenschaften und bei niedrigsten Kosten und geringstem Aufwand für die Reinigung der Beschich­ tungsvorrichtung erlaubt.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Antireflexschicht mittels einer in einer Vakuumkammer angeordneten Zerstäubungseinrichtung mit einem Magnetsystem und mindestens zwei darüber angeordneten Elektroden abgeschieden wird, wobei die Elektroden aus Silizium bestehen und elek­ trisch so geschaltet sind, daß sie abwechselnd Ka­ thode und Anode einer Gasentladung sind.

Weitere Einzelheiten und Merkmale sind in den Pa­ tentansprüchen näher beschrieben und gekennzeich­ net.

Durch das Aufsputtern mit einer an sich bekannten Beschichtungseinrichtung mit zwei mit Mittelfre­ quenz betriebenen Magnetronkathoden werden die Nachteile des bekannten Beschichtungsverfahrens, das mit einer einzigen Magnetronkathode, die in einer kontrollierten Sauerstoffatmosphäre betrie­ ben wird, so daß offensichtlich Veränderungen in der Raumladungszone auftreten, die den Wirkungs­ grad der Solarzelle negativ beeinflussen, vermie­ den.

Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausfüh­ rungsmöglichkeiten zu; eine davon ist nachstehend beschrieben.

Mono- und multikristalline Silizium-Wafer (Basisdotierung: Bor, 2 W cm bzw. 0,5 W cm spez. Wi­ derstand) wurden im erfindungsgemäßen Sputterver­ fahren unter Variation der Parameter Leistung, Gasfluß, Druck, Bandgeschwindigkeit und Schicht­ dicke (50-350 nm) einseitig beschichtet. Außerdem wurden die Transmissionsdaten der Schichten aufge­ nommen (Tabelle 1). Die multikristallinen Wafer waren zuvor mit einer Phosphordotierung zur Erzeu­ gung des Emitters versehen worden, um die Zellpro­ zessierung zu ermöglichen.

Tabelle 1

Prozeßparameter eines SiN-Sputterverfahrens mit zwei mit Si-Targets bestückten Kathoden mit Mit­ telfrequenz (40 kHz)

Die Qualität des erfindungsgemäßen Prozesses und der Schichten wurden in folgenden Untersuchungen verifiziert:

• 1. Die monokristallinen Wafer wurden zur Lebens­ dauermessung mittels Microwave-Photo-Conduc­ tance-Decay herangezogen, um die Oberflächen­ passivierungseigenschaften bestimmen zu kön­ nen.
• 2. Die multikristallinen Wafer wurden zu Solar­ zellen weiterprozessiert. Dabei wurden die Wa­ fer, die durch Brechungsindex (n = ca. 2,0) und Schichtdicke (ca. 75 nm) günstige Vorausset­ zungen für eine effiziente Zelle aufgewiesen haben, ausgewählt. Aus ihnen wurden 2.2 cm² große Solarzellen gefertigt. Die Kontaktierung wurde dabei durch eine selektive Öffnung des Nitrides mit anschließendem Aufdampfen und Galvanisieren der Kontakte hergestellt.

Alleine die visuelle Überprüfung zeigt bereits die sehr gute Dickenhomogenität der abgeschiedenen Schichten. Durch anschließendes Tempern konnten aus den Lebensdauermessungen Oberflächenrekombina­ tionsgeschwindigkeiten von kleiner 1000 cm/s, ei­ ner guten bis sehr guten Oberflächenpassivierung entsprechend, abgeleitet werden.

Für alle vier Wafer wurden recht gute Solarzellen­ parameter gemessen (Tabelle 2). Die beiden besten Solarzellen zeigten Wirkungsgrade η von 13,2%. Die Tatsache, daß die Leerlaufspannung V_oc mit bis zu 592 mV keinerlei Abweichung gegenüber ver­ gleichbaren Zellen ohne gesputterte Antireflex­ schicht zeigt, ist Beleg dafür, daß der erfin­ dungsgemäße Sputterprozeß keine Verschlechterung der Materialqualität hervorruft. Die gemessene Kurzschlußstromdichten J_sc bis zu 30 mA/cm² sind für die verwendete Technologie recht hoch und Be­ leg für gute Lichteinkopplung und Materialquali­ tät. Hieraus kann abgeleitet werden, daß durch das Sputtern keine signifikante Schädigung der Zelloberfläche, d. h. des Emitters und der Raumla­ dungszone eingetreten ist! Auch die Antireflexwir­ kung und das Absorptionsverhalten der Schicht er­ geben keine signifikanten Einbußen.

Tabelle 2

Leistungsparameter der als Anwendungsbeispiel ge­ fertigten Solarzellen

Claims (6)

1. Verfahren zum Beschichten von Substraten aus dotiertem Silizium mit einer Antireflex­ schicht für Solarzellen mittels einer in ei­ ner Vakuumkammer betriebenen Zerstäubungsein­ richtung mit einem Magnetsystem und minde­ stens zwei darüber angeordneten Elektroden in einer kontrollierten Sauerstoffatmosphäre, wobei die Elektroden aus Silizium bestehen und elektrisch so geschaltet sind, daß sie abwechselnd Kathode und Anode der Gasentla­ dung sind.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Substrat ein mit Bor do­ tierter Siliziumzuschnitt ist, in dessen obe­ re, an die Antireflexschicht angrenzende Schicht im heißen Ofen Phosphor eingebracht ist, wobei die phosphordotierte Schicht die n-leitende und die Schicht unterhalb der Phosphordotierung die p-leitende Schicht bil­ det.

3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, da­ durch gekennzeichnet, daß die als Si₃N₄ nie­ dergeschlagene Antireflexschicht mit einem Wechselstrom mit etwa 40 kHz von zwei wech­ selweise betriebenen Kathoden abgesputtert wird.

4. Verfahren nach den vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß auf die der Anti­ reflexschicht abgekehrten Unterseite des Substrats ein Zuschnitt aus einem elektrisch leitenden Werkstoff aufgebracht ist und in die Antireflexschicht Nuten bis auf die die n-leitende Schicht des Substrats bildende Schicht eingeschnitten, beispielsweise einge­ ätzt sind, wobei die Nuten mit einer elek­ trisch leitenden Substanz, beispielsweise mit einer metallhaltigen Paste ausgefüllt sind.

5. Verfahren nach einem oder mehreren der vor­ hergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, daß während des Sprühprozesses Fremdato­ me, z. B. Wasserstoff oder Cäsium, in die ab­ geschiedene Siliziumnitridschicht oder ange­ regte oder ionisierte Atome oder Moleküle eingelagert werden, die in einer in die Pro­ zeßkammer integrierten Plasmaquelle erzeugt werden, um die optischen und elektrischen Ei­ genschaften der Schichten zu modifizieren.

6. Verfahren nach einem oder mehreren der vor­ hergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, daß zwei Schichten sequentiell hinter­ einander abgeschieden werden, wobei die ca. 10-40 nm starke Schicht einen hohen Anteil an Silizium und eventuell zugegebenen Fremdato­ men enthält, was durch eine geringe Zufuhr von Stickstoff und einem großen Anteil der anderen Reaktionsgase und des Inertgases (Argon) erreicht wird, wobei für die zweite ca. 40-70 nm starke Schicht die Stickstoffzu­ fuhr deutlich erhöht und keine weiteren Fremdatome zugegeben werden.