DE19915617A1 - Gasentladungslampe - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf eine Gasentladungslampe mit wenigstens einer kapazitiven Einkoppelstruktur (2). Nachteilig für den Betrieb von bekannten Gasentladungslampen ist eine notwendige Treiberelektronik. Diese hat die Aufgabe, die Gasentladung der Lampe zu zünden und einen Ballast für den Betrieb der Lampe an einem Stromkreis (4) zu liefern, ohne den es schnell zu einer Zerstörung der Lampe kommt. Um eine Gasentladungslampe mit wenigstens einer kapazitiven Einkoppelstruktur zu schaffen, die verbesserte Betriebseigenschaften aufweist, wird vorgeschlagen, daß wenigstens ein Dielektrikum (2) mit einer dielektrischen Sättigungspolarisation P und mit einer wirksamen Oberfläche A zur Bildung der Einkoppelstruktur (2) vorgesehen ist, wobei das Produkt aus PÈA > 10·-5· C beträgt. Eine solche Lampe kann insbesondere ohne eine Schaltung mit einer Treiberelektronik am Stromnetz für Privathaushalte (z. B. 230 V/50 Hz) betrieben werden.
Description
Die Erfindung betrifft eine Gasentladungslampe mit wenigstens einer kapazitiven Einkop
pelstruktur.
Bekannte Gasentladungslampen bestehen aus einem Gefäß mit einem Füllgas, in dem die
Gasentladung abläuft, und meist zwei metallischen Elektroden, die in das Entladungsgefäß
eingeschmolzen sind. Eine Elektrode liefert die Elektronen für die Entladung, die über die
zweite Elektrode wieder dem äußeren Stromkreis zugeführt werden. Die Abgabe der Elek
tronen erfolgt meist mittels Glühemission (heiße Elektroden), kann jedoch auch durch
Emission in einem starken elektrischen Feld oder direkt durch Ionenbeschuß (ionenindu
zierte Sekundäremission) hervorgerufen werden (kalte Elektroden). Bei einer induktiven
Betriebsart werden die Ladungsträger direkt im Gasvolumen über ein elektromagnetisches
Wechselfeld hoher Frequenz (typischerweise größer als 1 MHz bei Niederdruckgasent
ladungslampen) erzeugt. Die Elektronen bewegen sich auf Kreisbahnen innerhalb des Ent
ladungsgefäßes, herkömmliche Elektroden fehlen in dieser Betriebsart. Bei einer kapaziti
ven Betriebsart werden kapazitive Einkoppelstrukturen als Elektroden verwendet. Diese
werden aus Isolatoren (Dielektrika) gebildet, die auf einer Seite Kontakt zur Gasentladung
haben und auf der anderen Seite elektrisch leitfähig (beispielsweise mittels einem metalli
schen Kontakt) mit einem äußeren Stromkreis verbunden sind. Bei einer an die kapazitiven
Elektroden angelegten Wechselspannung bildet sich im Entladungsgefäß ein elektrisches
Wechselfeld aus, auf dessen linearen elektrischen Feldern sich die Ladungsträger bewegen.
Im Hochfrequenzbereich (< 10 MHz) ähneln die kapazitiven Lampen den induktiven
Lampen, da die Ladungsträger hier ebenfalls im gesamten Gasvolumen erzeugt werden.
Die Oberflächeneigenschaften der dielektrischen Elektrode sind hier von geringer Bedeu
tung (sogenannter α-Entladungsmodus). Bei niedrigeren Frequenzen ändern die kapaziti
ven Lampen ihre Betriebsart und die für die Entladung wichtigen Elektronen müssen ur
sprünglich an der Oberfläche der dielektrischen Elektrode emittiert und in einem soge
nannten Kathodenfallgebiet vervielfacht werden, um die Entladung aufrechtzuerhalten.
Daher ist dann das Emissionsverhalten des dielektrischen Materials bestimmend für die
Funktion der Lampe (sogenannter γ-Entladungsmodus).
Nachteilig für den Betrieb von bekannten Gasentladungslampen ist eine notwendige Trei
berelektronik. Diese hat die Aufgabe, die Gasentladung der Lampe zu zünden und einen
Ballast für den Betrieb der Lampe an einem Stromkreis zu liefern. Ohne eine geeignete
Ballastierung der Lampe in einem äußeren Stromkreis würde der Strom in der Gasentla
dungslampe durch Vermehrung der Ladungsträger im Gasvolumen des Entladungsgefäßes
so stark steigen, daß es schnell zu einer Zerstörung der Lampe kommt.
Solche Gasentladungslampen sind auch aus der amerikanischen Patentschrift
US 2,624,858 bekannt. Eine Gasentladungslampe mit kapazitiven Elektroden wird mittels
eines dielektrischen Materials mit einer hohen Dielektrizitätskonstante ε < 100 (bevorzugt
ε < 2000) bei einer Betriebsfrequenz von weniger als 120 Hz betrieben. Die äußere Span
nung muß dabei zwischen 500 V und 10000 V liegen. Daher kann eine solche kapazitive
Gasentladungslampe nicht am Stromnetz für Privathaushalte mit 230 V und 50 Hz betrie
ben werden, sondern ist eine Schaltung mit einer Treiberelektronik notwendig.
Die Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Gasentladungslampe mit wenigstens einer
kapazitiven Einkoppelstruktur zu schaffen, die verbesserte Betriebseigenschaften aufweist.
Diese Aufgabe wird bei einer erfindungsgemäßen Gasentladungslampe dadurch gelöst, daß
ein Dielektrikum mit einer dielektrischen Sättigungspolarisation P und mit einer wirksa
men Oberfläche A zur Bildung der kapazitiven Einkoppelstruktur vorgesehen ist, wobei
das Produkt aus P.A < 10-5 C beträgt. Die Gasentladungslampe besteht in bekannter Weise
aus einem transparenten Entladungsgefäß mit einem üblichen Füllgas (zum Beispiel für
Niederdruck-Gasentladungslampen ein Edelgas oder ein Edelgas mit Quecksilber). Das
Entladungsgefäß enthält mindestens zwei räumlich voneinander getrennte Elektroden oder
Einkoppelstrukturen, von denen mindestens eine als kapazitive Einkoppelstruktur ausge
bildet ist. Die erfindungsgemäße kapazitive Einkoppelstruktur kann beispielsweise auch
mit einer metallischen Elektrode kombiniert werden. Das Dielektrikum der kapazitiven
Einkoppelstruktur kann aus einer oder mehreren Schichten bestehen. Dabei wird jeweils
ein Material verwendet, dessen dielektrische Sättigungspolarisation P und dessen wirksame
Oberfläche A (d. h. im Kontakt zum Plasma im Entladungsgefäß und zum elektrischen
Kontakt) so groß sind, daß ihr Produkt P.A < 10-5 C beträgt. Es kann dann maximal die
elektrische Ladung Q = 2 P.A in einer Periode transportiert werden. Dabei gilt, daß einer
seits die Maximalladung Q so hoch gewählt sein muß, daß bei einer Betriebsfrequenz f der
mittlere Strom Q.f fließen kann, andererseits die Lampe durch die Maximalladung geeig
net ballastiert ist. Für das Dielektrikum der kapazitiven Einkoppelstruktur eignen sich be
vorzugt Materialien mit einer Sättigungspolarisation P < 10-5 C/cm2 und einer wirksamen
Oberfläche A von ungefähr 10 cm2. Selbstverständlich ist eine Vielzahl von weiteren Ein
koppelstrukturen denkbar, ohne den Schutzbereich des Anspruchs zu verlassen, die durch
geeignete Wahl einer Kombination aus Materialeigenschaft und Geometrie des Dielektri
kums die erfindungsgemäße Eigenschaft besitzen.
Eine solche Lampe kann insbesondere ohne eine Schaltung mit einer Treiberelektronik am
Stromnetz für Privathaushalte (z. B. 230 V/50 Hz) betrieben werden. Bevorzugte Ausgestal
tungen der Gasentladungslampe sind den weiteren Ansprüchen und der Beschreibung zu
entnehmen.
Im folgenden sollen Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Gasentladungslampe an
hand von Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer ersten möglichen Ausführungsform
einer Gasentladungslampe gemäß der Erfindung,
Fig. 2 eine weitere denkbare Ausführungsform der Gasentladungslampe und
Fig. 3 eine dritte Ausführungsform.
Alle Ausführungsbeispiele verwenden als dielektrisches Basismaterial einen dielektrischen
Feststoff, der die erfindungsgemäßen Eigenschaften besitzt. Vorzugsweise wird als Material
für das Dielektrikum der kapazitiven Einkoppelstrukturen Ba(Ti0,9Zr0,1)O3 verwendet, das
mit einer kleinen Menge Mn Akzeptor-dotiert ist. Die permanenten internen elektrischen
Dipole besitzen etwa eine Sättigungspolarisation von P = 1,5.10-5 C/cm2. Die Koerzitivfeld
stärke beträgt EC ≅ 60 V/mm. Damit wird bei allen Ausführungsbeispielen für die kapazi
tiven Einkoppelstrukturen ein Produkt aus Sättigungspolarisation P und wirksamer Ober
fläche A mit P.A < 10-5 C und ein Produkt aus Koerzitivfeldstärke Ec und wirksamer Dicke
des Dielektrikums d von Ec.d < 200 V erreicht. Die Gasentladungslampen können somit
ohne zusätzliche Treiberelektronik direkt am Netz für Privathaushalte betrieben werden.
Die Wahl des dielektrischen Materials ist jedoch nicht auf das obengenannte Material be
schränkt. Ebensogut können alle anderen dielektrischen Materialien, vorzugsweise Para
elektrika, Ferro- und Antiferroelektrika verwendet werden, deren Produkt aus Sättigungs
polarisation P und wirksamer Oberfläche A die Bedingung P.A < 10-5 C erfüllt.
Das Material für das Dielektrikum muß an der plasmazugewandten Oberfläche leicht Elek
tronen abgeben. Zur Charakterisierung der Emissionseigenschaften des Dielektrikums
dient das Verhältnis zwischen Ionenstrom und Elektronenstrom an der Oberfläche der
plasmazugewandten Seite des Dielektrikums. Dieses Verhältnis wird als ioneninduzierter
Sekundäremissionskoeffizient γ bezeichnet. Um einen Betrieb bei Netzspannung zu ge
währleisten, sollte γ vorteilhafterweise größer als 0,001 sein, da sonst das Plasma nicht
zündet. Zwischen dielektrischer Oberfläche und dem lichterzeugenden Teil des Plasma
bildet sich eine schmale, etwa 1 mm dicke Plasmagrenzschicht aus. Die in der Plasma
grenzschicht abgegebene Leistung kann hohe Werte annehmen und reduziert signifikant
die Effizienz (Lumen pro Watt) der Lampe. Ein hoher Sekundäremissionskoeffizient γ
führt dazu, diesen Leistungsanteil zu verringern und die Effizienz der Lampe zu steigern.
Daher eignen sich solche Materialien für das Dielektrikum in besonderer Weise, bei denen
sich während des Betriebs der Lampe zusätzliche Elektronen an der plasmazugewandten
Oberfläche anlagern, und die zu einem Sekundäremissionskoeffizienten γ < 0,01 führen.
Bei allen denkbaren Ausführungsformen der Gasentladungslampe kann eine Verbesserung
der Effizienz oder eine Verringerung der elektromagnetischen Störabstrahlung dadurch
erzielt werden, das Druck und Füllgas für die Lampe so gewählt werden, daß die Einkop
pelstrukturen in einem abnormalen Glimmodus betrieben werden. Damit verleiht der
Kathodenfallbereich der gesamten Gasentladungslampe eine positive U/I-Kennlinie.
In der Fig. 1 ist eine kapazitive Gasentladungslampe mit einem Glasrohr 1 dargestellt, das
als Gasentladungsgefäß dient. Das von innen phosphorbeschichtete Glasrohr 1 besitzt
einen Innendurchmesser von 50 mm und ist mit 5 mbar Ar und 5 mg Hg gefüllt. An bei
den Seiten des Glasrohres 1 ist jeweils eine dielektrische kapazitive Einkoppelstruktur be
stehend aus einer scheibenförmigen dielektrischen Schicht 2 und einer elektrisch leitfähi
gen Schicht 3 angebracht. Die dielektrische Schicht 2 wird durch eine Scheibe mit einem
Durchmesser von 5 cm und einer Dicke von 0,5 mm gebildet, die aus Ba(Ti0,9Zr0,1)O3
besteht, das mit einer kleinen Menge Mn Akzeptor-dotiert ist. Die dielektrische Scheibe 2
wird mittels eines Lötverfahrens am Gasentladungsgefäß 1 befestigt, so daß eine vakuum
dichte Verbindung entsteht. Die elektrisch leitfähige Schicht 3 wird durch Aufbringen
einer Silberpaste realisiert, so daß ein elektrischer Kontakt für den Anschluß an ein exter
nes Stromnetz 4 zur Verfügung steht. Als externes Stromnetz 4 dient in diesem Ausfüh
rungsbeispiel das Netz für Privathaushalte mit 230 V und 50 Hz. Beim Einschalten der
Netzspannung zündet die Gasentladung der Lampe und es bildet sich eine stationäre Gas
entladung aus. Elektronen gelangen auf die Oberfläche des Dielektrikums und bleiben dort
haften. Die im Betrieb der Lampe entstehende Aufladung des Dielektrikums (2) führt zu
einem elektrischen Feld zwischen den dielektrischen Einkoppelstrukturen (2), das eine ver
einfachte Wiederzündung in der nächsten Halbphase der Wechselspannungsversorgung
(nach Stromumkehr) und eine Erhöhung des ioneninduzierten Sekundäremissionskoeffi
zienten γ zur Folge hat. Dadurch wird die Kathodenfallregion (Dunkelzone in der Nähe
der Einkoppelstruktur, in der kein Licht erzeugt wird) verkleinert und damit die Effizienz
der Gasentladungslampe erhöht.
In der Fig. 2 ist eine Lampe mit einem Glasrohr 5 als Gasentladungsgefäß dargestellt, das
einen kleineren Innendurchmesser aufweist. Der Innendurchmesser beträgt nur 9 mm bei
einer Füllung des innen phosphorbeschichteten Glasrohres 5 mit 15 mbar Ar und 5 mg
Hg. An beiden Enden des Glasrohres 5 ist wieder jeweils eine dielektrische Einkoppelstruk
tur bestehend aus einer scheibenförmigen dielektrischen Schicht 2 und einer elektrisch leit
fähigen Schicht 3 angebracht. Die dielektrische Schicht 2 wird auch hier durch eine Schei
be mit einem Durchmesser von 5 cm und einer Dicke von 0,5 mm aus Ba(Ti0,9Zr0,1)O3
gebildet, das mit einer kleinen Menge Mn Akzeptor-dotiert ist. Die dielektrische Scheibe 2
ist mit dem Glasrohr 5 unter Verwendung einer Glaslottechnik vakuumdicht verbunden.
Die elektrisch leitfähige Schicht 3 wird durch Aufbringen einer Silberpaste realisiert, so
daß ein elektrischer Kontakt füt den Anschluß an ein externes Stromnetz 4 zur Verfügung
steht. Als externes Stromnetz 4 soll auch in diesem Ausführungsbeispiel das Netz für Pri
vathaushalte mit 230 V und 50 Hz verwendet werden. Diese Ausführungsform der Lampe
bietet aufgrund des kleineren Innendurchmessers eine erhöhte Effizienz, da sich in diesem
Fall die positive Säule der Gasentladung und die Elektroden- und Kathodenfallregion je
weils getrennt optimieren lassen.
Die in der Fig. 3 dargestellte Ausführungsform der Lampe besitzt ein Entladungsgefäß,
das aus einem gebogenen Glasrohr 6 besteht. Das innen phosphorbeschichtete Glasrohr 6
hat einen Innendurchmesser von 9 mm und ist mit 15 mbar Ar und 5 mg Hg gefüllt. Die
dielektrische Einkoppelstruktur an beiden Enden wird jeweils von einem zylinderförmigen
Rohr 7 aus dem dielektrischen Material (speziell dotiertes BaTiO3) gebildet. Der dielektri
sche Zylinder 7 hat einen Außendurchmesser von 10 mm bei einer Wanddicke von
0,5 mm und einer Länge von 60 mm. Das Glasrohr 6 wird durch eine scheibenförmige,
dielektrische Kappe 8 mittels eines Lötverfahrens vakuumdicht mit dem Glasrohr ver
schlossen. Auf dem dielektrischen Zylinder 7 ist eine Schicht Leitsilber aufgebracht, so daß
eine elektrische Kontaktierung möglich ist. Mittels dieser Kontaktierung wird die Lampe
mit einem externen Stromnetz 4 (230 V, 50 Hz) verbunden. Diese Gasentladungslampe
bietet bei einer deutlich kompakteren Bauart und höherer mechanischer Stabilität ebenfalls
eine seht gute lichttechnische Effizienz. Natürlich sind auch andere Ausführungsformen
der erfindungsgemäßen Gasentladungslampe denkbar, insbesondere bei der Ausgestaltung
des Entladungsgefäßes oder der Wahl der verwendeten dielektrischen und elektrisch leit
fähigen Materialien für die Einkoppelstrukturen (z. B. zur Erfüllung bestimmter Anfor
derungen an die Form der Lampe oder produktionstechnischer Vorgaben). Weiterhin ist
offensichtlich, daß die Erfindung nicht auf Lampen beschränkt ist, deren elektromagne
tische Abstrahlung auf den sichtbaren Spektralbereich begrenzt ist.
Claims (9)
1. Gasentladungslampe mit wenigstens einer kapazitiven Einkoppelstruktur (2),
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Dielektrikum (2) mit einer dielektrischen Sättigungspolarisation P und mit einer
wirksamen Oberfläche A zur Bildung der kapazitiven Einkoppelstruktur (2) vorgesehen ist,
wobei das Produkt aus P.A < 10-5 C beträgt.
2. Gasentladungslampe nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Dielektrikum (2) mit einer Koerzitivfeldstärke EC und einer wirksamen Dicke d
zur Bildung der kapazitiven Einkoppelstruktur (2) vorgesehen ist, wobei das Produkt aus
EC.d < 200 V beträgt.
3. Gasentladungslampe nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Dielektrikum (2) mit einer elektrischen Durchbruchfeldstärke Ebd zur Bildung der
kapazitiven Einkoppelstruktur (2) vorgesehen ist, wobei das Produkt aus Ebd.d < 200 V
beträgt.
4. Gasentladungslampe nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Dielektrikum (2) aus einem paraelektrischen, ferroelektrischen oder
antiferroelektrischen Feststoff besteht.
5. Gasentladungslampe nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Dielektrikum (2) aus Ba(Ti1-xZrx)O3 mit Akzeptor-Dotierungen besteht.
6. Gasentladungslampe nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Gehalt an Zirkon x = 0,10 beträgt.
7. Gasentladungslampe nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine Dotierung mit Mn3+ die Akzeptor-Dotierung bildet.
8. Gasentladungslampe nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Dielektrikum (2) eine wirksame Oberfläche A < 0,5 cm2 besitzt.
9. Gasentladungslampe nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Dielektrikum (2) eine wirksame Dicke d < 5 mm besitzt.
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