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DE19903204A1 - Vertikaler Hohlraumlaser - Google Patents

Vertikaler Hohlraumlaser

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DE19903204A1
DE19903204A1 DE19903204A DE19903204A DE19903204A1 DE 19903204 A1 DE19903204 A1 DE 19903204A1 DE 19903204 A DE19903204 A DE 19903204A DE 19903204 A DE19903204 A DE 19903204A DE 19903204 A1 DE19903204 A1 DE 19903204A1
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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen vertikalen Hohlraum­ laser bzw. Kavitätenlaser. Insbesondere betrifft die vorlie­ gende Erfindung eine einzige Kombination aus Waferfusion und selektiver Oxidation, um einen vertikalen Hohlraumlaser mit langer Wellenlänge auszubilden.
Das größte Problem bei der Herstellung von vertikalen Hohl­ raumlasern mit langer Wellenlänge (1,3-1,55 µm) besteht darin, daß keine hochreflektierenden InP-basierenden Bragg-Spiegel existieren und es schwierig ist, effektive Schemata mit elek­ trischen und optischen Beschränkungen zu realisieren. Die in einer Veröffentlichung mit dem Titel "Double-Fused 1,52 mu m Vertical-Cavity Lasers", welche in Appl.-Phys. Lett, Vol. 64, (1994), S. 1463 veröffentlicht wurde, beschriebene Technologie der Waferfusion stellt eine Lösung dar, um das Spiegelproblem durch die Verwendung von GaAs/AlGaAs-Spiegel zu lösen. Nahezu alle bei Raumtemperatur arbeitenden LW-VCLs (vertikale Hohlraumlaser mit langen Wellenlängen) des Standes der Technik verwenden einen oder zwei Wafer-geschmolzene bzw. -fused, auf GaAs basierende Spiegel. Die selektive Oxidation kann bei einem doppelt fused VCSEL mit Laserstruktur angewendet werden, wobei eine kleine Stromöffnung in der p-Seite ausgebildet ist, wie im Artikel "Laterally Oxidized Long Wavelength CW Vertical Cavity Lasers" nachlesbar ist, der in Appl. Phys. Lett., Vol. 69 (1996) S. 471 veröffentlicht ist. Sehr hohe Betriebs­ temperaturen (63°C (cw.) und 120°C (gepulst)) wurden mit einem Verfahren erreicht, welches in der Veröffentlichung "120°C Pulsed Operation From A 1,55 mm Vertical Cavity Laser" beschrieben ist, die beim 1997 LEOS Summer Topical Meetings, Montreal, Kanada, präsentiert wurde. Als Einschränkung weist die Struktur zwei Waferfusionsschritte und zwei Wafer-fused Heteroübergänge innerhalb des Hohlraumes bzw. der Kavität auf, welche den Herstellungsvorgang verkomplizieren und im allgemeinen die Zuverlässigkeit der Vorrichtung beeinflussen. Sehr gute Ergebnisse wurden vor kurzem mit einer "single fused" 1,3 mm-Vorrichtung mit einem dielektrischen Kopfspiegel bzw. oberen Spiegel erzielt. Dieser Gegenstand ist im Artikel "Submilliamp 1,3 mm Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers With Threshold Current Density <500A/cm2", Electron. Lett., Vol. 33 (1997) S. 1052 nachlesbar. Die Strombeschränkung wird hierbei durch eine Sauerstoffimplantation in eine p-dotierte GaAs-Schicht auf einen GaAs-basierenden DBR realisiert. "Submilliamp-Schwellenwerte" und Schwellenwertstromdichten um 600A/cm2 wurden mit diesen Vorrichtungen erzielt. Jedoch bedingt das Sauerstoffimplantat für den minimalen Laserdurch­ messer gewisse Grenzen und kann bei Temperaturen um 40°C zu Kriechverlusten bzw. Leaks führen.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung obige Nachteile aus­ zuräumen.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch die Merkmalskombination des Anspruches 1 bzw. 7 gelöst, die Unteransprüche zeigen bevorzugte Ausgestaltungsformen der Erfindung.
Entsprechend einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein vertikaler Hohlraumlaser geschaffen:
mit einem Galliumarsenid-Halbleitersubstrat mit einer Boden­ fläche und einer Deckfläche;
mit einem planaren p-Kontakt an der Bodenfläche;
einer Spiegelgruppe auf der Deckfläche, wobei die Spiegel­ gruppe aus einer Vielzahl von Schichten aus GaAs und AlGaAs besteht;
mit einer aktiven Schicht, welche eine multiple Quanten-Quel­ lenstruktur bzw. "multiple quantum well structure" aufweist, die in auf P-basierenden Plattierungsschichten eingebettet ist;
mit einer Vielzahl von Kanälen in einer oxidierten Schicht der Spiegelgruppe und der aktiven Schichten, wobei die Kanäle optisch mit den aktiven Schichten und der Spiegelgruppe kommu­ nizieren;
mit einem dielektrischen Spiegel; und
mit einem n-seitigen Kontakt, der den Spiegel umgibt.
Der Laser wird ausgebildet, indem die Sauerstoffimplantation durch eine Pre-Fusionsoxidation einer Al(Ga)As-Schicht für die elektrische Isolation ersetzt wird. Das Seitenprofil der Al-Oxid/Halbleiterschnittstelle kann ausgestaltet werden, in dem der (niedrige) Ga-Gehalt vertikal innerhalb der Al(Ga)As-Oxida­ tionsschicht verändert wird, wie im Artikel "Estimation of Scattering Losses in Dielectric Apertured Vertical Cavity Lasers", aus App. Phys. Lett., Vol. 68 (1996), S. 1757, und im Artikel "Scattering Losses From Dielectric Apertures in Vertical-Cavity Lasers", welcher im "Journal of Selected Topics in Quantum Electronics", (1997), S. 379 veröffentlicht wurde, beschrieben ist. Entsprechend VCLs mit kurzer Wellenlänge mit Oxid-Öffnungen können kleine VCL-Durchmesser und somit sehr niedrige Schwellenwertströme und hohe Effizienten bzw. Wir­ kungsgrade realisiert werden. Wie bei Vorrichtungen mit kurzen Wellenlängen kann die elektrische Isolation bis zu hohen Tem­ peraturen aufrecht erhalten werden.
Entsprechend einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Ausbilden eines vertikalen Hohlraum­ lasers mit langer Wellenlänge geschaffen, mit den Schritten:
Vorsehen eines Galliumarsenid-Subtratwafers;
Vorsehen eines InP-Substratwafers mit einer p-InP-Fusions­ schicht, einer multiplen Quantenquelle bzw. "quantum well", einer GaInAsP-Ätzsperrschicht und einem n-InP-Abstandshalter;
Ausbilden von Kanälen in dem Substrat;
Oxidieren der Kanäle;
Reinigen jedes Wafers; und
in einem einzigen Schritt Schmelzen der Wafer, um den Laser zu bilden.
Die Kombination der beiden oben diskutierten Technologien bedingt eine Anzahl von Vorteilen. Im Vergleich zum doppelt geschmolzenen VCL bietet die vorgeschlagene Struktur eine Reduzierung der Verarbeitungskomplexizität, indem der zweite Fusionsschritt wegfällt. Dies verbessert die Zuverlässigkeit der Vorrichtung aufgrund der verminderten Anzahl an Wafer-fused Heteroübergängen innerhalb des Laserresonators. Die epitaktische Struktur ist planar und emittiert oben, was für das Prüfen und Packen wünschenswert ist. Der Ringkontakt wird auf die n-Seite der Vorrichtung plaziert, an welcher sie von der hohen Mobilität der Elektronen profitiert. Dies gewährleistet eine homogene Strominjektion durch die p-seitige Sauerstoffstromöffnung und vermindert die Anforderungen an die üblichen kritischen oberen Spiegelabmessungen. Des weiteren ist das Al-Oxid in die Struktur eingebettet und demgemäß auto­ matisch "abgedichtet".
Weitere Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung wer­ den aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausfüh­ rungsbeispiele in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung ersichtlich. Es zeigt
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht des Lasers entspre­ chend einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2a eine schematische Schnittansicht des InP-Substrats und zugehöriger Schichten;
Fig. 2b eine schematische Schnittansicht des Galliumarse­ nidsubstrats und zugehöriger Schichten;
Fig. 2c eine schematische Schnittansicht des Galliumarse­ nidsubstrats, welche die Anordnung der Kanäle zeigt;
Fig. 2d eine schematische Schnittansicht des Galliumarse­ nidsubstrats nach einem Oxidationsschritt;
Fig. 2e eine schematische Schnittansicht des Galliumarse­ nidsubstrats mit dargestelltem Oxidschutz;
Fig. 2f eine schematische Schnittansicht des fused Wafers;
Fig. 2g eine schematische Schnittansicht des Wafers nach dem Entfernen des Substrats;
Fig. 2h eine schematische Schnittansicht des Lasers mit den Kontakten an der richtigen Position;
Fig. 2i eine schematische Schnittansicht des Lasers mit dem Spiegel an der richtigen Position;
Fig. 3a eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels der Kanalanordnung; und
Fig. 3b eine Draufsicht eines zweiten Ausführungsbeispiels der Kanalanordnung.
Nachfolgend werden gleiche Elemente mit den gleichen Bezugs­ zeichen gekennzeichnet.
Wie alle Wafer fused VCL nutzt die Vorrichtung die guten thermischen und optischen Eigenschaften von auf GaAs-ba­ sierenden Bragg-Reflektoren aus. Verglichen mit dem Sauer­ stoff-implantierten einzel fused VCL sollten die Mesa-Ab­ messungen der Struktur ausreichend groß sein, um die Mesa­ wände von den optischen Moden innerhalb des Lasers zu trennen.
Die Wellenlängenabstimmung zwischen dem Materialzuwachs und der Hohlraumresonanz kann vor der Abscheidung des dielektri­ schen Spiegels genau charakterisiert werden. Der Verstärkungs­ hohlraum-Modenversatz stellt einen der kritischsten Design­ parameter für VCSEL mit langer Wellenlänge dar, wie in "Tempe­ rature Sensitivity of 1,54 mm Vertical Cavity Lasers with an InP based Bragg Deflector" beschrieben ist (wird in IEEE J. Quantum Electronics veröffentlicht). Falls erforderlich kann die Hohlraummode versetzt werden, beispielsweise durch einen gesteuerten Verdünnungsvorgang der n-InP-Abstandshalter­ schicht. Dies ist deutlich vorteilhaft verglichen mit dem dop­ pelt geschmolzenen VCL (double fused VCL), bei welchem die Hohlraummode durch die Dicke der GaAs-Schicht auf dem p-Spie­ gel eingestellt werden muß.
In den Zeichnungen zeigt Fig. 1 eine Querschnittansicht des montierten Lasers, welcher im allgemeinen mit dem Bezugs­ zeichen 10 gekennzeichnet ist. Der Laser 10 umfaßt einen deck­ seitigen Emissionslaser mit einem dielektrischen Spiegel 12, welcher durch einen n-seitigen Ringkontakt 14 umgeben ist. Der Kontakt 14 ist auf die Oberfläche einer aktiven multiplen Quantenquellenschicht bzw. multiple quantum well active layer 16 montiert, welche detaillierter in der Beschreibung der Fig. 2a bis 2i diskutiert wird. Fusionskanäle 18 werden während der Herstellung des Lasers 10 ausgebildet und erleichtern die optische Kommunikation zwischen der aktiven Schicht 16 und der Spiegelgruppe bzw. dem Spiegelstapel 20. Die Spiegelgruppe 20 liefert eine Vielzahl von AlGaAs- und GaAs-Schichten mit einer Dicke eines Viertels einer optischen Wellenlänge. Eine Oxidöffnung 22 ermöglicht eine optische Übertragung von der Spiegelgruppe 20 zu den Kanälen 18. Ein GaAs-Substrat 24 ist unter der Spiegelgruppe 20 vorgesehen. Das Substrat 24 umfaßt einen planaren p-Kontakt 26.
In den Fig. 2a bis 2i ist der komplette Herstellungsvorgang des Lasers 10 sequentiell im Querschnitt dargestellt. Die Her­ stellung beginnt mit dem epitaktischen Wachstum der aktiven Materialschichten 16 (Fig. 2a) und dem GaAs/AlGaAs-Bragg­ spiegelstapel 20, wie in Fig. 2b dargestellt ist. Die aktive Schicht weist anfänglich ein InP-Substrat 30, eine GaInAsP-Ätz­ sperre 32, einen n-InP-Anstandshalter 34, Spannungs­ kompensierte multiple Quantenquellen bzw. quantum wells (MQW) 16 und eine p-InP-Fusionsschicht 38 auf. Um die Anforderungen an eine niedrige Durchlässigkeit und eine hohe differentielle Verstärkung zu erfüllen sind verformte Quantenquellen erforderlich, um einen Laserbetrieb bei Raumtemperatur zu erzeugen. In Abhängigkeit von den Hohlraumverlusten sollten 7 bis 15 Quantenquellen eingesetzt werden. Spannungskompensierte Barrieren, möglicherweise mit einem konstanten As/P-Verhältnis im MQW-Stapel 16 kann erforderlich sein, um während des Fusionsschrittes mit hoher Temperatur eine Verschlechterung zu vermeiden. Verglichen mit Rand-emittierenden Lasern ist der separate Beschränkungsbereich (SCH) von geringerer Wichtigkeit und kann eliminiert werden. Das Einbetten der Quantenquellen in InP kann selbst die Temperaturabhängigkeit der Laser verbessern, indem die Trägerverluste aus dem MQW-Bereich vermindert werden.
In Fig. 2b ist die Spiegelgruppe 20 epitaktisch auf dem GaAs-Substrat 24 gewachsen und weist p-AlGaAs/GaAs-Schichten 40, eine Al(Ga)As-Oxidationsschicht 42 und eine P-GaAs-Fusions­ schicht 44 auf. Der p-dotierte AlGaAs/GaAs-Spiegel 20 muß für einen niedrigen elektrischen Widerstand bei niedriger opti­ scher Absorption bei der Wellenlänge des Lasers optimiert wer­ den. Das Spiegeldesign kann in großem Umfang demjenigen bei VCLS mit kurzer Wellenlänge entsprechen, jedoch mit einem geringeren Dotierungsniveau nahe dem aktiven Bereich (Appl. Phys. Lett.) supra. Kohlenstoff ist das bevorzugte Dotierungs­ element. Die Al(Ga)As-Oxidationsschicht wächst zusammen mit einer GaAs-Fusionsschicht an der Oberseite des Spiegels. Eine kleine Menge an Ga (2-5%) wird der AlAs-Oxidationsschicht hin­ zugefügt, um die Oxidationsgeschwindigkeit zu verringern und die Durchmessersteuerung zu verbessern. Die Wafer-fused Schnittstelle sollte an einem Knotenpunkt des stehenden elek­ tromagnetischen Feldes innerhalb des Hohlraums angeordnet wer­ den, um die optischen Verluste gering zu halten. Die Position der Oxidationsschicht kann nahe dem Knotenpunkt angeordnet werden, so daß nur eine elektrische Beschränkung resultiert. Jedoch sollte die optische Beschränkung auch möglich sein, indem das Öffnungsprofil abgestuft und in der Nähe des opti­ schen Anti-Knotenpunktes positioniert wird.
Vor der Wafer-Fusion werden die Kanäle 18 selektiv in die GaAs-Fusionsschicht 44 geätzt und legen die Al(Ga)As-Oxidati­ onsschicht 42 frei. Dies ist in Fig. 2c dargestellt. Es hat sich gezeigt, daß die Verwendung der Fusionskanäle, welche gewöhnlicherweise in die InP-Probe geätzt werden, die Qualität der Fusionsschnittstelle verbessern, wie in "Double-Fused Long-Wavelength Vertical-Cavity Lasers", Babic, D. I., Ph.D. thesis, University of California, Santa Barbara 1995 beschrie­ ben ist. Bei der vorliegenden Erfindung werden die Kanäle in die GaAs-Oberfläche geätzt, so daß sie für den Oxidations­ schritt verwendbar sind.
Typische Werte für die Kanalbreite und den Kanalabstand sind 10 mm bzw. 150-300 mm. Die einfachste Anordnung der Fusions­ kanäle stellt ein rechteckiges bzw. quadratisches Netzwerk dar, wie in Fig. 3a dargestellt ist, wobei quadratische Mesas von etwa 150 mm×150 mm verbleiben. Eine Vielzahl von anderen Kanalanordnungen für unterschiedliche Laserformen und Anord­ nungen sind möglich. Beispielsweise zeigt Fig. 3b ein Kanal­ layout, welches in Anordnungen mit runden Mesas von identi­ schem Durchmesser resultiert.
Die Kanäle 18 werden verwendet, um wahlweise die ausgesetzte Al(Ga)As-Schicht 42 auf ihr natürliches Oxid in einer Wasser­ dampfumgebung zu oxidieren. Dies ist deutlich in Fig. 2d dar­ gestellt. Die Naßoxidation ist eine relativ einfache und gut entwickelte Technologie für VDLs und führte zu einem erhebli­ chen Fortschritt bei der Entwicklung von ultraniedrigen Schwellenwert- und hochwirksamen auf GaAs-basierenden Vorrich­ tung. Dies wurde von Huffaker im Artikel "Transverse Mode Behavior in Native-Oxide-Defined Low Threshold Vertical Cavity Lasers", Appl. Phys. Lett., Vol 13 (1994), S. 1611 und von Lear im Artikel "Selectively Oxidized Vertical-Cavity Surface-Emit­ ting Lasers with 50% Power Conversion Efficiency", Elect. Lett., Vol. 31 (1995), S. 208 diskutiert. Der Oxidationsvorgang wird derart unterbrochen, daß nicht oxidierte Öffnungen 22 mit Durchmessern zwischen 5 und 15 mm für die Strominjektion ver­ bleiben.
Nach der Oxidation werden die Oberflächen beider Proben für den Wafer-Fusionsvorgang gereinigt. Der Reinigungsvorgang ist kritisch, insbesondere hinsichtlich der elektrischen Eigen­ schaften der fused Schnittstelle, die von Salomonsson in "Water Fused pInP/p-GaAs Heterojunctions" J. Appl. Phys., Vol. 83 (1998) diskutiert wurde. Bei den üblichen Verfahren von Salomonsson und Babic wurde supra modifiziert, um die Oxide auf der GaAs-Oberfläche mit einer so geringen Beeinflussung als möglich des natürlichen Al-Oxids zu entfernen. Wahlweise können die Kanäle 18 geschützt werden, indem sie etwa mit einem Photoresist oder Si2N3 gefüllt werden, wie in Fig. 2e dargestellt ist. Der anschließende in Fig. 2f dargestellte Fusionsvorgang wird für ungefähr 30 Minuten bei der niedrigst möglichen Fusionstemperatur (≦560°C) durchgeführt. Das InP-Substrat 30 und die GaInAsP-Ätzsperrschicht 32 werden durch ein selektives naßchemisches Ätzen entfernt. In dieser Stufe sind die eingebetteten Fusionskanäle 18 auf der Porenober­ fläche sichtbar, was zur Ausrichtung der oberseitigen Ring­ kontakte 14 verwendbar ist. Nach dem Kontaktlegieren wird ein dielektrischer Spiegel 12 im Kontaktring über der oxidierten Öffnung 22 abgelagert. Der Spiegeldurchmesser kann sehr viel größer als der Öffnungsdurchmesser aufgrund der hohen Mobili­ tät der n-seitigen Träger (Elektronen) sein. In Abhängigkeit von den dielektrischen Materialien werden die Spiegeldurch­ messer entweder durch das Abheben (Si/SiO2, ZnSe/MgF) oder durch Trockenätzen (SiC/SiO2, Si2N3/SiO2) festgelegt.
Zusammenfassend betrifft die vorliegende Erfindung eine neue Kombination zweier erfolgreicher VCL-Verfahren, der Wafer­ fusion und der selektiven Oxidation, um ein VCL mit langer Wellenlänge zu schaffen. Die Al(Ga)As-Oxidation wird durch Fusionskanäle vor dem tatsächlichen Wafer-Fusionsschritt durchgeführt. Hierdurch kombiniert die Struktur die Vorteile der beiden unterschiedlichen erfolgreichen VCL-Strukturen mit langer Wellenlänge; die doppelt fused und die einzeln fused Sauerstoff-implantierten VCL.
Obgleich Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung detailliert beschrieben wurden ist es dem Durchschnittsfach­ mann ersichtlich, daß die Erfindung verändert werden kann, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.

Claims (15)

1. Vertikaler Hohlraumlaser (10):
mit einem Galliumarsenid-Halbleitersubstrat (24) mit einer Bodenfläche und einer Deckfläche;
mit einem planaren p-Kontakt (26) auf der Bodenfläche;
mit einer Spiegelgruppe (20) auf der Deckfläche, welche aus einer Vielzahl von Schichten aus GaAs und AlGaAs zusammengesetzt ist;
mit einer aktiven Schicht (16) mit einer multiplen Quan­ ten-Quellenstruktur, welche in auf P-basierenden Plattie­ rungsschichten eingebettet ist;
mit einer Vielzahl von Kanälen (18) in einer oxidierten Schicht der Spiegelgruppe und der aktiven Schichten, wobei die Kanäle (18) mit den aktiven Schichten und der Spiegel­ gruppe optisch kommunizieren;
mit einem dielektrischen Spiegel (12); und
mit einem n-seitigen Kontakt (14), der den Spiegel (12) umgibt.
2. Vertikaler Hohlraumlaser nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Laser (10) ein Laser mit langer Wellen­ länge ist.
3. Vertikaler Hohlraumlaser nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die multiple Quantenquelle ungefähr 7 bis 15 Quellen aufweist.
4. Vertikaler Hohlraumlaser nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die p-dotierte Spiegelgruppe (20) mit Kohlenstoff dotiert ist.
5. Vertikaler Hohlraumlaser nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanäle (18) voneinander beabstandet sind.
6. Vertikaler Hohlraumlaser nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanäle (18) eine Breite zwischen 130 bis 300 Microns aufweisen.
7. Verfahren zum Ausbilden eines vertikalen Hohlraumlasers (10) mit langer Wellenlänge, mit den Schritten:
Vorsehen eines Galliumarsenid-Subtratwafers (24);
Vorsehen eines InP-Substratwafers (30) mit einer p-InP-Fusionsschicht (38), einer multiplen Quantenquelle (16), einer GaInAsP-Ätzsperrschicht (32) und einem n-InP-Abstandselement (34);
Ausbilden von Kanälen (18) in dem Substrat;
Oxidieren der Kanäle (18);
Reinigen jedes Wafers; und
Schmelzen des Wafers in einem einzigen Schritt, um den Laser (10) auszubilden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Galliumarsenid-Fusionsschicht eine p-Gallium­ arsenid-Fusionsschicht aufweist.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanäle (18) durch wahlweises Atzen der Fusions­ schicht (44) ausgebildet werden.
10. Verfahren nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch einen Oxi­ dationsschritt der Kanäle (18) in einer Wasserdampf­ umgebung.
11. Verfahren nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch einen Schritt zum Aussetzen der gereinigten Wafer einer Tempera­ tur von 560°C oder weniger für die Fusion.
12. Verfahren nach Anspruch 11, gekennzeichnet durch einen Schritt zum Entfernen des InP-Substrats (30) und der GaInAsP-Ätzsperrschicht (32) durch ein naßchemisches Ätz­ verfahren.
13. Verfahren nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch einen Schritt zum Legieren der Ringkontakte (14)
14. Verfahren nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch einen Schritt zum Ablagern eines elektrischen Spiegels (12) benachbart den Kontakten (14)
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 14, gekennzeich­ net durch einen Schritt zum Maskieren der Kanäle (18) vor dem Reinigen.
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