DE19844966A1 - Halbleiterbauteil sowie dieses umfassender Chipkartenmodul - Google Patents
Halbleiterbauteil sowie dieses umfassender ChipkartenmodulInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil, in welchem in einem Gehäuse ein Halbleiterchip und ein metallischer Anschlußrahmen angeordnet und die einzelnen Anschlüsse des Anschlußrahmens aus dem Gehäuse nach außen geführt und mittels Bonddrähten mit dem Halbleiterchip elektrisch leitend kontaktiert sind. Der Halbleiterchip ist erfindungsgemäß in einer Durchgangsöffnung des Anschlußrahmens angeordnet. Die Erfindung betrifft weiterhin einen Chipkartenmodul, der das erfindungsgemäße Halbleiterbauteil umfaßt, sowie eine diesen Chipkartenmodul umfassende Chipkarte.
Description
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil, einen Chipkar
tenmodul, welcher dieses Halbleiterbauteil umfaßt, sowie in
einem weiteren Aspekt eine Chipkarte, in welcher der erfin
dungsgemäße Chipkartenmodul enthalten ist.
Ein Ziel der Hersteller von Halbleiterbauteilen ist es, diese
Bauteile immer leistungsfähiger, kostengünstiger und kleiner
zu machen. Letzterer Punkt spielt beispielsweise bei der Her
stellung von Chipkarten eine wichtige Rolle.
Eine Chipkarte besteht üblicherweise aus einem Kunststoffträ
ger, in welchen ein Chipkartenmodul eingesetzt ist, der Kon
taktflächen aufweist, welche von Kartenlesegeräten abgegrif
fen werden können. Sowohl für die Karte selbst als auch für
den Chipkartenmodul gelten bestimmte Normvorschriften, die
von den Herstellern eingehalten werden müssen. Beispielsweise
richtet sich die Ausgestaltung der Kontaktflächen nach dem
ISO-Standard 7816. Auch die Dicke der Karte ist vorgeschrie
ben.
Die Herstellung der Chipkarte läuft üblicherweise so, daß ei
ne Kavität in den Kartenträger eingefräst wird, in welche der
Chipmodul implantiert wird. Je dicker der Chipkartenmodul
ist, desto tiefer muß die Kavität sein und desto geringer ist
die Wandstärke des Kartenträgers, die benachbart zur Kavität
erhalten bleibt. Eine sehr dünne Wandstärke des Kartenträgers
in diesem Bereich führt nicht nur zu einem Verlust der opti
schen Güte der Karte, da sich einerseits die Karte in diesem
Bereich wellt und andererseits beim Bedrucken der Karte in
diesem gewellten Bereich nur eine verminderte Qualität er
reicht werden kann. Dicke Chipkartenmodule führen auch zu ei
ner verringerten Taktzeit und zu einem Verlust der mechani
schen Robustheit der Karte.
Es ist deshalb erwünscht, Chipkartenmodule und Halbleiterbau
teile für Chipkartenmodule zur Verfügung zu haben, welche
möglichst dünn sind, damit eine verbesserte Taktzeit erreicht
werden kann. Die dünneren Module können zudem in eine fla
chere Kavität in den Kartenkörper implantiert werden, so daß
der Halbleiterchip im Chipkartenmodul näher an der Karten
mitte entlang der neutralen Faser der Karte zu liegen kommt.
Der Modul ist deshalb mechanisch besser geschützt, beispiels
weise bei Biegebeanspruchung der Karte, und die Karte deshalb
insgesamt länger haltbar.
In Chipkartenmodulen können grundsätzlich auch Halbleiterbau
teile verwendet werden, bei welchen der Halbleiterchip von
einem Gehäuse umgeben ist. Beispielsweise können Die-Size-
Packages verwendet werden, bei welchen die auf einer Gehäuse
oberfläche des Packages freiliegenden Außenanschlüsse elek
trisch leitend mit den ISO-Kontaktflächen verbunden sind. Die
Verwendung von derartigen Halbleiterbauteilen hat den Vor
teil, daß der Halbleiterchip durch das Gehäuse gut vor Be
schädigungen geschützt ist. Allerdings ist eine Reduzierung
der Bauteilhöhe von Chipkartenmodulen, die ein Halbleiterbau
element mit einem von einem Gehäuse umschlossenen Halbleiter
chip verwenden, weiterhin wünschenswert.
Halbleiterbauelemente mit einem von einem Gehäuse umschlosse
nen Chip werden üblicherweise so hergestellt, daß ein Halb
leiterchip auf einem metallischen Anschlußrahmen befestigt
wird, in welchem einzelne Anschlüsse ausgebildet sind. Die
Kontaktierung des Halbleiterchips zu den Anschlüssen erfolgt
entweder mit Hilfe von Bonddrähten oder durch Flip-Chip-Tech
nik. Der Anschlußrahmen wird in eine Gußform gesetzt, die mit
Kunststoffmasse ausgefüllt wird, so daß der Halbleiterchip
und die elektrisch leitenden Kontaktierungen zu den Anschlüs
sen von der Masse abgedeckt werden.
Erfolgt die Kontaktierung von Halbleiterchip und Anschlüssen
mit Bonddrähten, wird der Halbleiterchip auf einem Bereich
des Anschlußrahmens befestigt, welcher üblicherweise als In
sel bezeichnet wird und welcher von den Anschlüssen umgeben
ist. Die Mindesthöhe eines derartigen Halbleiterbauteils
setzt sich zusammen aus der Dicke des Anschlußrahmens plus
der Dicke der Klebstoffschicht zum Befestigen des Halbleiter
chips auf der Insel plus der Dicke des Halbleiterchips plus
der Bogenhöhe der Bonddrähte oberhalb des Halbleiterchips.
Die Gesamthöhe eines solchen Halbleiterbauteils läßt sich
durch Verwendung spezieller Herstellungsverfahren etwas redu
zieren. Beispielsweise kann der Klebstoff zum Befestigen des
Halbleiterchips auf der Insel erwärmt werden, so daß er dünn
flüssiger wird und die Höhe der Klebstoffschicht sich ent
sprechend reduziert. Andererseits können spezielle Loop-Ver
fahren verwendet werden, die dazu führen, daß die Bogenhöhe
der Bonddrähte möglichst niedrig ausfällt. Es können weiter
hin möglichst dünne Anschlußrahmen verwendet werden, wobei
hier jedoch durch die Verarbeitbarkeit und eine erforderliche
Mindeststabilität des fertigen Halbleiterbauteils enge Gren
zen gesetzt sind. Auch durch spezielle Mould-Verfahren bei
der Gehäuseherstellung sowie durch Abschleifen der Abdeck
masse kann die Gesamthöhe des Halbleiterbauteils verringert
werden. Insgesamt sind die Möglichkeiten einer Höhenreduktion
der Halbleiterbauteile jedoch vergleichsweise gering, insbe
sondere wenn die eingesetzten Maßnahmen nicht zu einer Ver
ringerung der mechanischen Robustheit der Bauteile führen
sollen.
Gleiches gilt grundsätzlich für die in Flip-Chip-Technik her
gestellten Halbleiterbauteile. Deren Mindesthöhe definiert
sich durch die Dicke des Halbleiterchips, die Höhe der Lot
masse, mit welcher Halbleiterchip und Anschlußrahmen kontak
tiert sind, sowie der Dicke des Anschlußrahmens.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleiterbauteil
anzugeben, in welchem ein Halbleiterchip und ein metallischer
Anschlußrahmen elektrisch leitend miteinander kontaktiert und
der Halbleiterchip von einem Gehäuse umschlossen ist, welches
eine möglichst geringe Bauteilhöhe aufweist. Das Halbleiter
bauteil sollte einfach und unter Verwendung herkömmlicher Me
thoden herstellbar sein. Es sollte sich insbesondere zur Ver
wendung in einem Chipkartenmodul eignen und durch die eigene
geringe Höhe zu einer Dickenreduzierung des Chipkartenmoduls
führen. Mit Hilfe dieses dünnen Chipkartenmoduls sollte wei
terhin eine Chipkarte von hoher optischer Güte, guter Takt
zeit und großer mechanischer Robustheit erhältlich sein.
Die Lösung dieser Aufgaben gelingt mit dem Halbleiterbauteil
gemäß Anspruch 1, welches nach dem Verfahren gemäß Anspruch 5
herstellbar ist, sowie dem Chipkartenmodul gemäß Anspruch 7
und der Chipkarte gemäß Anspruch 11. Weitere Ausbildungsfor
men und Verfahrensvarianten ergeben sich aus den Unteransprü
chen.
Die Erfindung betrifft also in ihrem ersten Aspekt ein Halb
leiterbauteil, in welchem in einem Gehäuse ein Halbleiterchip
und ein metallischer Anschlußrahmen angeordnet sind. Die ein
zelnen Anschlüsse des Anschlußrahmens sind nach außen aus dem
Gehäuse herausgeführt und mittels Bonddrähten mit dem Halb
leiterchip elektrisch leitend kontaktiert. Erfindungsgemäß
ist der Halbleiterchip in einer Durchgangsöffnung des An
schlußrahmens angeordnet.
Im Unterschied zu herkömmlichen Chipbauteilen wird der Halb
leiterchip erfindungsgemäß also nicht auf dem metallischen
Anschlußrahmen angeordnet, sondern in einer Durchgangsöffnung
des Anschlußrahmens, welche zur Aufnahme des Halbleiterchips
vorgesehen ist. Beispielsweise kann ein Anschlußrahmen, der
in dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauteil verwendet wird,
grundsätzlich wie ein herkömmlicher Anschlußrahmen
(Leadframe) aufgebaut sein, wobei die Insel zur Aufnahme des
Halbleiterchips jedoch fehlt und statt dessen eine Ausnehmung
vorhanden ist. Bevor der Halbleiterchip im erfindungsgemäßen
Bauteil bei der Gehäuseherstellung also mit Kunststoff umge
ben wird, wird er am Anschlußrahmen ausschließlich durch die
Bonddrähte, über die er mit den einzelnen Anschlüssen kontak
tiert ist, festgehalten. Ein stabiles Halbleiterbauteil wird
erst während des Mould-Verfahrens durch Abdecken der Bond
drähte und des Halbleiterchips mit der Kunststoffmasse erhal
ten. Dann jedoch ergibt sich ein sehr stabiles Halbleiterbau
teil mit einer äußerst geringen Bauteilhöhe, welche durch die
Dicke des Chips plus die Bogenhöhe der Bonddrähte oberhalb
des Chips bestimmt wird. Gegenüber herkömmlichen Halbleiter
bauteilen, bei welchen der Halbleiterchip auf eine Chipinsel
geklebt wird, reduziert sich die Gesamtbauteilhöhe um die
Dicke des Anschlußrahmens sowie die Dicke der Klebeschicht.
Die Erfindung eignet sich grundsätzlich für jede Art von Ge
häusetyp. Es können beispielsweise solche Gehäuse verwendet
werden, in denen die Anschlüsse seitlich aus dem Gehäuse nach
außen geführt sind (Dual-In-Line-Packages (DIL), Quat-Flat-
Packages (QFP) usw.), oder solche Gehäuse, in denen die Au
ßenanschlüsse des Halbleiterbauteils auf einer der Gehäuseo
berflächen liegen wie im Falle von Die-Size-Packages (DSP)
oder Chip-Size-Packages (CSP). Derartige Die-Size-Packages
sind beispielsweise in der WO-A-96/02071 beschrieben.
Besonders flache Halbleiterbauteile können erhalten werden,
wenn zusätzlich zur erfindungsgemäßen Ausgestaltung die ein
gangs erwähnten Maßnahmen und Verfahren angewendet werden.
Die Verwendung besonders dünner Anschlußrahmen, die Anwendung
spezieller Mould-Verfahren, das Abschleifen der Gehäuseober
flächen zur Dickenreduzierung und die Verwendung spezieller
Loop-Verfahren, um die Bogenhöhe der Bonddrähte zu reduzie
ren, können in Zusammenhang mit der Erfindung also ebenfalls
verwendet werden.
Der modifizierte Anschlußrahmen, wie er im erfindungsgemäßen
Halbleiterbauteil verwendet wird, kann grundsätzlich auf her
kömmliche Weise aus den üblichen Materialien hergestellt
sein. Aus Kostengründen ist die Herstellung durch Stanz- oder
Ätzverfahren bevorzugt.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der
Anschlußrahmen in dem Bereich, in welchem die Kontakte zum
Halbleiterchip ausgeführt werden, zusätzlich ausgestaltet.
Beispielsweise kann der Anschlußrahmen in dem Bereich, in
welchem die Bonddrähte befestigt sind, eine Kröpfung aufwei
sen. Der Anschlußrahmen ist also im Bereich der Anschlüsse in
Richtung auf den Halbleiterchip hin abgewinkelt. In Zusammen
hang mit der Tieferlegung des Inselbereiches in herkömmlichen
Anschlußrahmen wird diese Maßnahme üblicherweise als Downset
bezeichnet.
Der Downset, hier also das Abwinkeln der dem Halbleiterchip
benachbarten Endbereiche der Anschlüsse, ist insbesondere
dann zweckmäßig, wenn die Dicke des Anschlußrahmens geringer
ist als die Dicke des zu kontaktierenden Halbleiterchips.
Durch das Abwinkeln der Endbereiche der Anschlüsse wird ein
getreppter Bereich erhalten, auf dessen unterer Stufe das ei
ne Ende eines Bonddrahtes befestigt wird, mit dessen anderem
Ende der Halbleiterchip kontaktiert wird. Die Höhe des ge
stuften Bereichs entspricht beispielsweise im wesentlichen
der Gesamthöhe von Chipdicke plus Bogenhöhe der Bonddrähte
oberhalb des Halbleiterchips. Eine solche Anordnung eignet
sich vor allem für Halbleiterbauteile, bei denen die Außenan
schlüsse auf einer der Gehäuseoberflächen liegen.
Zusätzlich zu der Maßnahme, den Anschlußrahmen abzuwinkeln,
oder alternativ dazu kann der Kontaktbereich der Anschlüsse,
in welchem die Bonddrähte befestigt sind, gegenüber der Dicke
des Anschlußrahmens in einem benachbarten Bereich verdünnt
sein. Diese Verdünnung kann beispielsweise durch Prägen des
Anschlußrahmens erreicht werden. Es können jedoch auch andere
in der Metallbearbeitung übliche Maßnahmen angewendet werden,
um die Verdünnung in diesem Bereich zu erzielen.
Die Maßnahme, die Kontaktbereiche der Anschlüsse zu verdün
nen, eignet sich besonders für Fälle, in denen sehr dünne
Halbleiterchips verwendet werden, deren Dicke geringer ist
als die Dicke des Anschlußrahmens. Ohne eine Verdünnung der
Kontaktbereiche ergäbe sich hier die Gesamthöhe des Halblei
terbauteils durch die ursprüngliche Dicke des Anschlußrahmens
plus der Bogenhöhe der Bonddrähte, welche auf dem Anschluß
rahmen befestigt werden. Wird dagegen der Anschlußrahmen in
den Kontaktbereichen in seiner Dicke um wenigstens diese Bo
genhöhe der Bonddrähte verringert, wird die Gesamtdicke des
Halbleiterbauteils im wesentlichen durch die ursprüngliche
Dicke des Anschlußrahmens bestimmt. So können außerordentlich
dünne Halbleiterbauteile erhalten werden.
Die erfindungsgemäßen Halbleiterbauteile können unter Verwen
dung herkömmlicher Verfahren mit herkömmlichen Werkzeugen und
Maschinen hergestellt werden. Um die Zwischenstufe des erfin
dungsgemäßen Halbleiterbauteils, bei welcher der Halbleiter
chip nur an den Bonddrähten in der Durchgangsöffnung des An
schlußrahmens hängt, zu stabilisieren, empfiehlt sich jedoch
folgendes Vorgehen:
Zunächst wird ein metallisches Anschlußrahmenband auf einen Träger aufgesetzt. Vorzugsweise handelt es sich hierbei um eine Trägerfolie aus Kunststoff oder eine Trägerplatte, wel che das Anschlußrahmenband großflächig und insbesondere in den Bereichen, welche die Durchgangsöffnungen zur Aufnahme der Halbleiterchips aufweisen, unterlegen. Anschließend wer den die Halbleiterchips in die jeweils zur Aufnahme der Chips vorgesehenen Durchgangsöffnungen der metallischen Anschluß rahmen auf den Träger aufgesetzt. Downset und/oder Verdünnung der Kontaktbereiche der Anschlüsse wurden bereits zuvor im Anschlußrahmenband ausgeführt.
Zunächst wird ein metallisches Anschlußrahmenband auf einen Träger aufgesetzt. Vorzugsweise handelt es sich hierbei um eine Trägerfolie aus Kunststoff oder eine Trägerplatte, wel che das Anschlußrahmenband großflächig und insbesondere in den Bereichen, welche die Durchgangsöffnungen zur Aufnahme der Halbleiterchips aufweisen, unterlegen. Anschließend wer den die Halbleiterchips in die jeweils zur Aufnahme der Chips vorgesehenen Durchgangsöffnungen der metallischen Anschluß rahmen auf den Träger aufgesetzt. Downset und/oder Verdünnung der Kontaktbereiche der Anschlüsse wurden bereits zuvor im Anschlußrahmenband ausgeführt.
Die Herstellung der elektrisch leitenden Kontakte zwischen
Halbleiterchip und Anschlüssen der Anschlußrahmen mittels
Bonddrähten kann auf an sich bekannte Art und Weise erfolgen.
Auch das anschließende Umgeben von Halbleiterchip und Bond
drähten mit einem Gehäuse erfolgt auf übliche Weise und muß
daher nicht näher erläutert werden. Schließlich werden die
fertigen Halbleiterbauteile vereinzelt, was ebenfalls nach
grundsätzlich bekannten Verfahren erfolgen kann.
In einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung einen Chip
kartenmodul, in welchem ein Halbleiterchip mit einer Vielzahl
von Kontaktflächen elektrisch leitend verbunden ist und der
ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauteil umfaßt. Aufgrund der
äußerst geringen Bauteilhöhe des erfindungsgemäßen Halblei
terbauteils besitzt auch der erfindungsgemäße Chipkartenmodul
eine sehr geringe Dicke.
In einer Ausbildungsform der Erfindung ist der Chipkartenmo
dul so gestaltet, daß die Außenanschlüsse des Halbleiterbau
teils als Kontaktflächen des Chipkartenmoduls ausgebildet
sind. Dies ist durch entsprechende Ausgestaltung des An
schlußrahmens möglich, der bei der Herstellung des erfin
dungsgemäßen Halbleiterbauteils verwendet wird. Die Kontakt
flächen, die zweckmäßig ISO-Standard entsprechen, können auf
an sich bekannte Weise mit einer oder mehreren Schutzschich
ten beschichtet sein.
In einer alternativen Ausführungsform werden die Kontaktflä
chen des erfindungsgemäßen Chipkartenmoduls gesondert von dem
Halbleiterbauteil hergestellt und entweder beim Hersteller
des Halbleiterbauteils oder beim Hersteller der Chipkarte mit
dem Halbleiterbauteil verbunden. Diese Variante hat den Vor
teil, daß die Ausgestaltung der Kontaktflächen unabhängig von
der Ausbildung des Halbleiterbauteils variiert werden kann.
Zur Herstellung der elektrisch leitenden Kontakte zwischen
den Kontaktflächen und den Außenanschlüssen des Halbleiter
bauteils wird zweckmäßig ein Lot oder ein elektrisch leitfä
higer Kunststoff verwendet.
Die erfindungsgemäßen Chipkartenmodule können auf an sich be
kannte Weise in einen Kartenträger eingebaut werden, indem
sie in eine in den Kartenträger gefräste Kavität eingeklebt
werden. Aufgrund der geringen Bauteilhöhe der erfindungsgemä
ßen Chipkartenmodule kann diese Kavität sehr flach sein. Die
Restwanddicke der Karte im Bereich der Kavität ist entspre
chend groß, so daß Wellungen des Kartenträgers in diesem Be
reich praktisch nicht mehr beobachtet werden. Die optische
Güte der Karte ist entsprechend hoch, und der Halbleiterchip
ist in der Karte gut gegen mechanische Beanspruchungen ge
schützt.
Die Erfindung soll nachfolgend am Beispiel einiger Zeichnun
gen näher erläutert werden. Darin zeigen schematisch:
Fig. 1 ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauteil im
Querschnitt;
Fig. 2 ein weiteres erfindungsgemäßes Halbleiterbau
teil im Querschnitt und
Fig. 3 einen erfindungsgemäßen Chipkartenmodul im
Querschnitt.
Fig. 1 zeigt ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauteil am Bei
spiel eines Die-Size-Packages (DSP) Das DSP 1 umfaßt einen
Halbleiterchip 3 und einen metallischen Anschlußrahmen 4,
welche in einem Gehäuse 2 angeordnet sind. Der metallische
Anschlußrahmen 4 weist mehrere Anschlüsse 5 auf, die jeweils
über Bonddrähte 6 mit dem Halbleiterchip 3 kontaktiert sind.
Der Halbleiterchip 3 ist in einer Durchgangsöffnung 7 im An
schlußrahmen zwischen den einzelnen Anschlüssen 5 angeordnet.
Vor der Herstellung des Gehäuses 2 ist er nur über die Bond
drähte 6 am Anschlußrahmen 4 befestigt. In dem Bereich, in
welchem die Kontaktierungen zwischen Halbleiterchip und An
schlüssen ausgeführt werden, weisen die Anschlüsse eine Kröp
fung 8 auf. Die Stufenhöhe ist dabei so gewählt, daß die Ge
samthöhe des getreppten Bereichs im wesentlichen der Gesamt
bauteilhöhe entspricht. Die Endbereiche der Anschlüsse 5 ver
laufen an der Gehäuseoberseite des Halbleiterbauteils 1 und
bilden die Außenanschlüsse dieses Bauteils.
Bei einer Chipdicke von 100 µm, einer Bogenhöhe der Bond
drähte von 100 µm (von der Chipoberseite zum höchsten Punkt
des Bonddrahtbogens gemessen) und einer Schichtdicke der Ab
deckmasse von 20 µm oberhalb der Bonddrahtbögen ergibt sich
eine Gesamtdicke des erfindungsgemäßen Halbleiterbauteils von
220 µm.
Eine weitere Variante eines erfindungsgemäßen Halbleiterbau
teils ist in Fig. 2 gezeigt. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen
gleiche Teile wie in Fig. 1.
Im Halbleiterbauteil gemäß Fig. 2 wurde ein besonders dünner
Chip verwendet, dessen Dicke geringer ist als die Dicke d2
des Anschlußrahmens 4. In diesem Fall ist es zweckmäßig, um
eine möglichst geringe Bauteilhöhe realisieren zu können,
diejenigen Bereiche der Anschlüsse, in welchen die Bonddrähte
befestigt werden sollen, gegenüber der ursprünglichen Dicke
des Anschlußrahmens zu verringern. Entsprechend wurde die An
schlußrahmenvorstufe, die bei der Herstellung des Halbleiter
bauteils verwendet wurde, durch Prägung so gestaltet, daß in
den Kontaktbereichen der Anschlüsse 5 eine Dicke d1 vorhanden
ist, welche geringer ist als die Dicke d2 in den benachbarten
Bereichen des Anschlußrahmens.
Fig. 3 zeigt einen erfindungsgemäßen Chipkartenmodul, der un
ter Verwendung des in Fig. 2 dargestellten Halbleiterbauteils
1 hergestellt wurde. Auf das Halbleiterbauteil 1 sind ISO-
Kontaktflächen 10 aufgesetzt, welche jeweils mit den An
schlüssen 5 des Halbleiterbauteils elektrisch leitend kontak
tiert sind. Im gezeigten Fall erfolgte die Kontaktierung mit
Hilfe eines Lotes 11.
Claims (11)
1. Halbleiterbauteil (1), in welchem in einem Gehäuse (2) ein
Halbleiterchip (3) und ein metallischer Anschlußrahmen (4)
angeordnet und die einzelnen Anschlüsse (5) des Anschlußrah
mens aus dem Gehäuse nach außen geführt und mittels Bonddräh
ten (6) mit dem Halbleiterchip elektrisch leitend kontaktiert
sind,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Halbleiterchip in einer Durchgangsöffnung (7) des An
schlußrahmens angeordnet ist.
2. Halbleiterbauteil gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Kontaktbereich der Anschlüsse (5), in welchem die
Bonddrähte (6) befestigt sind, dünner (d1) ist als die Dicke
(d2) des benachbarten Bereichs des Anschlußrahmens (4).
3. Halbleiterbauteil gemäß Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Anschlußrahmen (4) in dem Bereich, in welchem die
Bonddrähte (6) befestigt sind, eine Kröpfung (8) aufweist.
4. Halbleiterbauteil gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, näm
lich Die-Size-Package oder Chip-Size-Package.
5. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß
einem der Ansprüche 1 bis 4,
gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
- a) Aufsetzen eines metallischen Anschlußrahmenbandes auf ei nen Träger,
- b) Aufsetzen von Halbleiterchips auf den Träger in die je weils zur Aufnahme der Halbleiterchips vorgesehenen Durch gangsöffnungen der metallischen Anschlußrahmen des An schlußrahmenbandes,
- c) Herstellen der elektrisch leitfähigen Kontakte zwischen Halbleiterchip und den Anschlüssen der Anschlußrahmen mit tels Bonddrähten,
- d) Umschließen von Halbleiterchip und Bonddrähten mit einem Gehäuse sowie
- e) Vereinzeln der Halbleiterbauteile.
6. Verfahren gemäß Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Träger eine Kunststoffolie oder eine Trägerplatte
verwendet wird.
7. Chipkartenmodul (9), in welchem ein Halbleiterchip mit ei
ner Vielzahl von Kontaktflächen (10) elektrisch leitend ver
bunden ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß er ein Halbleiterbauteil gemäß einem der Ansprüche 1 bis
4 umfaßt.
8. Chipkartenmodul gemäß Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Außenanschlüsse des Halbleiterbauteils als Kontakt
flächen ausgebildet sind.
9. Chipkartenmodul gemäß Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktflächen (10) auf dem Halbleiterbauteil befe
stigt und mit den Außenanschlüssen des Halbleiterbauteils
elektrisch leitend kontaktiert sind.
10. Chipkartenmodul gemäß Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die elektrisch leitfähigen Kontakte (11) mit einem Lot
oder elektrisch leitendem Kunststoff hergestellt sind.
11. Chipkarte,
dadurch gekennzeichnet,
daß sie einem Chipkartenmodul gemäß einem der Ansprüche 7 bis
10 umfaßt.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19844966A DE19844966A1 (de) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | Halbleiterbauteil sowie dieses umfassender Chipkartenmodul |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19844966A DE19844966A1 (de) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | Halbleiterbauteil sowie dieses umfassender Chipkartenmodul |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19844966A1 true DE19844966A1 (de) | 2000-01-13 |
Family
ID=7882875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19844966A Ceased DE19844966A1 (de) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | Halbleiterbauteil sowie dieses umfassender Chipkartenmodul |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19844966A1 (de) |
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| OAV | Publication of unexamined application with consent of applicant | ||
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8131 | Rejection |