DE19842800A1 - Oberflächenmontierbares Gehäuse und Halbleitervorrichtung - Google Patents

Description

Technisches Gebiet

Die vorliegende Erfindung betrifft ein oberflächenmon­ tierbares Gehäuse. Insbesondere bezieht sie sich auf ein oberflächenmontierbares Gehäuse für Hochfrequenz-ICs, die in Hochfrequenzbändern, die sich nicht unterhalb von mehre­ ren zehn Megahertz befinden, arbeiten.

Stand der Technik

ICs (integrierte Schaltkreise), wie beispielsweise ein MMIC, sind häufig in einem Gehäuse untergebracht, um deren Befestigung an bzw. auf einem externen Substrat oder der gleichen zu erleichtern. Als ein derartiges Gehäuse sind zum Beispiel bekannt, das Einsteckmetallgehäuse bzw. das Metallgehäuse in der Ausführung mit Durchführung und das oberflächenmontierbare Gehäuse, wie beispielsweise in einer Ausführung mit Durchgangsloch (einer Ausführung mit Durch­ kontaktierungsloch) und in einer Ausführung mit Draht an der Seitenfläche (einer Ausführung mit einer Metallisierung an der Seitenfläche)(siehe beispielsweise die japanischen Patentoffenlegungsschriften mit den Veröffentlichungsnum­ mern 4-25036, 2-156702 und 4-38855).

Fig. 25 zeigt eine perspektivische Ansicht, die eine Ausführungsform eines herkömmlichen Metallgehäuses in der Ausführung mit Durchführung darstellt. In Fig. 25 bezeich­ net das Bezugszeichen 1 einen aus Metall hergestellten lei­ tenden Körper, bezeichnet das Bezugszeichen 2 eine aus Me­ tall hergestellte Metallwand und bezeichnet das Bezugszei­ chen 3 einen Eingangs/Ausgangs-Signalpfad mit einer Durch­ führungsleitung. Metallgehäuse in der Ausführung mit Durch­ führung in einer derartigen Ausgestaltung sind in Hochfre­ quenz-Anwendungen am häufigsten verwendet worden und haben einen Vorteil eines besseren Hochfrequenzverhaltens bzw. eines besseren Hochfrequenzwirkungsgrades.

In der Zeichnung, auf die in der folgenden Beschreibung Bezug genommen wird, werden Komponenten bzw. Bauteile, die im Wesentlichen eine gleiche Ausgestaltung und Funktion aufweisen, mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet.

Ein oberflächenmontierbares Gehäuse, das häufig für bzw. in Niederfrequenzbändern verwendet wird, hat anderer­ seits eine Ausgestaltung, die eine äußerst leichte Befesti­ gung auf einem gedruckten Substrat oder dergleichen er­ laubt.

Fig. 26 zeigt eine der Länge nach geschnittene An­ sicht, die ein Beispiel eines herkömmlichen oberflächenmon­ tierbaren Gehäuses in der Ausführung mit Durchgangsloch darstellt. Fig. 27 zeigt eine perspektivische Ansicht des herkömmlichen oberflächenmontierbaren Gehäuses, das in Fig. 26 dargestellt ist. In Fig. 26 und in Fig. 27 be­ zeichnet das Bezugszeichen 4 einen dielektrischen Körper, bezeichnet das Bezugszeichen 5a einen Masseanschluß, der auf der hinteren Oberfläche des Gehäuses vorgesehen ist, bezeichnet das Bezugszeichen 5b einen Hochfrequenzanschluß, der an der hinteren Oberfläche des Gehäuses vorgesehen ist, bezeichnet das Bezugszeichen 6 ein Durchgangsloch (Durchkontaktierungsloch), d. h., einen Durchgangsleiter, bezeichnet das Bezugszeichen 7 ein IC-Montagegebiet und be­ zeichnet das Bezugszeichen 8 einen Hochfrequenzanschluß, der an der vorderen Oberfläche des Gehäuses vorgesehen ist.

Fig. 28 zeigt eine der Länge nach geschnittene An­ sicht, die ein Beispiel eines herkömmlichen oberflächenmon­ tierbaren Gehäuses in der Ausführung mit einer Seitenmetal­ lisierung darstellt. Fig. 29 ist eine perspektivische An­ sicht des herkömmlichen oberflächenmontierbaren Gehäuses, das in Fig. 28 dargestellt ist. Das IC-Montagegebiet 7 und der Masseanschluß 5a sind über das Durchgangsloch 6, das durch den dielektrischen Körper 4 hindurchgeht, miteinander verbunden.

Im folgenden wird ein Verfahren zum Anbringen des her­ kömmlichen Gehäuses, d. h., das Verfahren zum Befestigen des Gehäuses, das IC-Elemente, die auf diesem ausgebildet bzw. angeordnet sind, trägt, auf einem externen Substrat oder dergleichen beschrieben.

Fig. 30 zeigt eine perspektivische Ansicht, die den Ablauf bzw. das Verfahren zur Befestigung eines herkömmli­ chen Metallgehäuses mit Durchführung, das in Fig. 25 ge­ zeigt ist, wobei MMIC-Elemente auf diesem ausgebildet bzw. angeordnet sind, auf einem externen Substrat darstellt. Fig. 31 zeigt eine perspektivische Ansicht, die den Zustand des Gehäuses darstellt, das auf dem externen Substrat in dem in Fig. 30 gezeigten Ablauf montiert worden ist. In Fig. 30 und Fig. 31 bezeichnet das Bezugszeichen 9 ein Deckelbauteil des Gehäuses, bezeichnet Bezugszeichen 10 das externe Substrat, bezeichnet 11 den MMIC, bezeichnet 12 einen Bonddraht und bezeichnet 16 einen Signalpfad des ex­ ternen Substrats 10.

Wie es in Fig. 30 und in Fig. 31 gezeigt ist, wird zuerst, wenn das herkömmliche Metallgehäuse in der Ausfüh­ rung mit Durchführung verwendet wird, der MMIC 11 an einer spezifischen Position in dem Gehäuse angeordnet und wird von dem Deckelbauteil 9 bedeckt. Dann wird das gesamte Ge­ häuse in einem Gehäuse-Montagegebiet des externen Substrats 10 befestigt, wobei das Gehäuse-Montagegebiet in einer Austiefung ausgebildet ist. Hierauf folgt die Verbindung des Eingangs-/Ausgangs-Signalpfads 3 an bzw. auf der Gehäu­ seseite und des Signalpfads 16 an bzw. auf der Seite des externen Substrats durch den Bonddraht 12 (oder alternativ dazu durch ein Band, ein TAB-Band oder einer äquivalenten Einrichtung).

Fig. 32 zeigt eine der Länge nach geschnittene Ansicht des in Fig. 26 und Fig. 27 dargestellten herkömmlichen oberflächenmontierbaren Gehäuses in der Ausführung mit Durchgangsloch in einem Zustand, in dem es auf dem externen Substrat 10 befestigt ist, wobei der MMIC 11 an bzw. auf diesem montiert ist. Fig. 33 zeigt eine der Länge nach ge­ schnittene Ansicht eines in Fig. 28 und Fig. 29 darge­ stellten herkömmlichen oberflächenmontierbaren Gehäuses in der Ausführung mit einem Draht an der Seitenfläche in einem Zustand, in dem es auf dem externen Substrat 10 befestigt ist, wobei der MMIC 11 auf dieses montiert ist.

Wie aus Fig. 32 und Fig. 33 ersichtlich ist, kann ein oberflächenmontierbares Gehäuse, egal ob es sich um eine Ausführung mit Durchgangsloch oder um eine Ausführung mit Draht an der Seitenfläche handelt, einfach dadurch auf dem externen Substrat 10 befestigt werden, daß der MMIC 11 dar­ auf montiert und das Deckelbauteil 9 angeordnet wird, worauf das Gehäuse auf dem flachen externen Substrat 10 be­ festigt wird.

Metallgehäuse in der Ausführung mit Durchführung und oberflächenmontierbare Gehäuse sind häufig für derartige Anwendungen verwendet worden.

Obwohl jedoch das herkömmliche Metallgehäuse in der Ausführung mit Durchführung sehr gute Hochfrequenz-Charak­ teristika aufweist, die eine Anwendung in Frequenzbereichen in der Höhe von 50 GHz bis 60 GHz erlauben, wobei die Vor­ teile der Übertragungsdämpfung unterhalb 1 dB und einem Spannungsstehwellenverhältnis (VSWR) unterhalb von 1,5 hin­ zukommen, weist es derartige Nachteile auf, wie die Notwen­ digkeit der Ausbildung einer Austiefung, die die gleiche Form in dem externen Substrat, wie die des Gehäuses zu des­ sen Unterbringung bzw. Einpassung aufweist, und die Notwen­ digkeit von Verbindungsanschlüssen durch Bonddrähte oder dergleichen, wodurch es sehr schwierig wird, die Herstel­ lungskosten zu vermindern. Das bedeutet, das Modul bzw. das Bauelement wird teuer.

Das herkömmliche oberflächenmontierbare Gehäuse ande­ rerseits hat einen derartigen Vorteil, daß die Herstellko­ sten beträchtlich verringert werden können, da die Signal­ leitungen in einem derart einfachen Verfahren, wie dem Be­ festigen des Gehäuses auf einem externen Substrat, das flach ausgebildet sein kann, durch Druckkontaktieren oder Löten verbunden werden können. Ein oberflächenmontierbares Gehäuse jedoch weist im allgemeinen ein ziemlich schlechtes Hochfrequenz-Verhalten auf und dessen Anwendung ist gewöhn­ lich auf einen Frequenzbereich bis zu ungefähr 18 GHz (Ku- Band) begrenzt. Die Übertragungsdämpfung eines oberflächen­ montierbaren Gehäuses liegt unterhalb von 1,5 dB und das Spannungsstehwellenverhältnis liegt unterhalb von 2. Aus diesem Grund können herkömmliche oberflächenmontierbare Ge­ häuse nicht in Anwendungen im K-Band (18 GHz bis 26,5 GHz) und im Ka-Band (26,5 GHz bis 40 GHz), die zunehmende Ver­ wendung in der Satelliten-Kommunikation bzw. Satelliten- Übertragung und anderen neueren Anwendungen finden, verwen­ det werden.

Darstellung der Erfindung

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein oberflächenmontierbares Gehäuse bereitzustellen, das bei Frequenzen im K-Band und höher verwendet werden kann.

Die Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1, 4 oder 10 gelöst.

Ein zur Lösung der obigen Probleme geschaffenes ober­ flächenmontierbares Gehäuse gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist auf: (a) einen Körper, der im Wesentlichen (oder hauptsächlich) aus einer dielektrischen Substanz hergestellt ist, (b) einen stetigen und planaren (oder in der Form einer dünnen Lage ausgebildeten) Masse­ leiter, der das meiste einer Hauptfläche (schaltkreisseiti­ ge Oberfläche) und die Seitenflächen des Körpers bedeckt und (c) zumindest einen Signalpfad (Hochfrequenz-Signal­ pfad) in der Ausgestaltung einer koplanaren Leitung, der in bzw. auf Abschnitten der Hauptfläche und den Seitenflächen, die nicht von dem Masseleiter bedeckt sind, angeordnet ist. Der Signalpfad in der koplanaren Ausgestaltung ist zu ver­ stehen als ein planarer Signalpfad, der sich zwischen gleich beabstandeten Masseebenen befindet.

In jedem oberflächenmontierbaren Gehäuse gemäß der vor­ liegenden Erfindung ist der Abstand zwischen dem Signalpfad (Eingangs-/Ausgangs-Signalpfad) und dem Masseleiter kurz bzw. gering gehalten, während der Abstand ebenso konstant gehalten ist und eine Stabilität des Legens an Masse bzw. Anschließens an Masse maximiert ist. Dadurch kann ein Ein­ gangs-/Ausgangs-Abschnitt erhalten werden, der einen stabi­ len Wellenwiderstand aufweist, und es kann ein kostengün­ stiges oberflächenmontierbares Gehäuse geschaffen werden, das ebenso für Frequenzen im K-Band und höher verwendet werden kann. Weil die Halbleitervorrichtung gemäß der vor­ liegenden Erfindung eine derartige Ausgestaltung hat, daß die integrierten Schaltkreise in einem dieser oberflächen­ montierbaren Gehäuse untergebracht sind, kann ebenso ein Eingangs-/Ausgangs -Abschnitt erhalten werden, der einen stabilen Wellenwiderstand aufweist, und es kann eine ko­ stengünstige Halbleitervorrichtung geschaffen werden, die auch für Frequenzen im K-Band und höher verwendet werden kann.

Insbesondere ist bei dem oberflächenmontierbaren Gehäu­ se gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung das meiste bzw. der Großteil des dielektrischen Körpers mit dem Masseleiter bedeckt, wodurch der Masseleiter, der in dem Gehäuse vorgesehen ist, verstärkt wird (dies verbessert die Wirksamkeit des Legens an Masse bzw. die Massewirkung). Weil der Signalpfad (Hochfrequenz-Signalpfad) in der Ausge­ staltung einer koplanaren Leitung verwendet wird, ist eben­ so jeder Teil des Signalpfads in dem gleichen Abstand von dem umgebenden Masseleiter angeordnet. Weil die Schalt­ kreismuster feiner hergestellt sind, so daß der Masseleiter in unmittelbarer Nähe des Signalpfads angeordnet ist, kön­ nen auch bessere Hochfrequenz-Charakteristika bzw. bessere Hochfrequenz-Eigenschaften trotz der oberflächenmontierba­ ren Auslegung des Gehäuses erreicht werden.

Die japanische Patentoffenlegungsschrift mit der Veröf­ fentlichungsnummer 5-251581 offenbart ein Hochfrequenz-Ge­ häuse, das ein Metallmuster zum Legen bzw. Anschließen an Masse, das an bzw. auf der vorderen Oberfläche und den Sei­ tenflächen des Gehäusesubstrats ausgebildet ist, und Si­ gnalübertragungspfade, die an bzw. auf Abschnitten ausge­ bildet sind, an denen das Metallmuster zum Legen an Masse nicht ausgebildet ist, aufweist. In diesem Hochfrequenz-Ge­ häuse weist das Metallmuster zum Legen an Masse, das an der Seitenfläche des Gehäuses ausgebildet ist, eine Breite auf, die im Wesentlichen der Breite des Signalübertragungspfades entspricht. Im Gegensatz dazu bedeckt bei dem oberflächen­ montierbaren Gehäuse gemäß dem ersten Aspekt der vorliegen­ den Erfindung der Masseleiter das meiste der seitenflächen. Somit sind die Ausgestaltungen bzw. Strukturen der Erfin­ dung, wie sie in der japanischen Patentoffenlegungsschrift mit der Veröffentlichungsnummer 5-251581 offenbart ist, und die des ersten Aspekts der vorliegenden Erfindung deutlich verschieden.

Die japanische Patentoffenlegungsschrift mit der Veröf­ fentlichungsnummer 7-183417 offenbart ein Gehäuse für einen Mikrowellenschaltkreis, das oberflächenmontierbar sein kann und koplanare Streifenleitungen oder Mikrostreifenleitungen aufweist. Die Struktur bzw. Ausgestaltung dieser Veröffent­ lichung unterscheidet sich deutlich von der des ersten Aspekts der vorliegenden Erfindung und ist nicht in der La­ ge, eine stabile Impedanz bei Frequenzen im K-Band oder hö­ her zu erreichen.

Ein oberflächenmontierbares Gehäuse gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung stellt eine Abwandlung des oberflächenmontierbaren Gehäuses des ersten Aspekts dar, wobei Durchgangslöcher (d. h. Durchkontaktierungslöcher oder Durchgangsleiter) derart vorgesehen sind, daß sie den Körper derart durchdringen, daß sie sich von dem Masselei­ ter, der die vordere Oberfläche des Körpers bedeckt, zu dem Masseleiter, der auf der hinteren Oberfläche des Körpers vorgesehen ist, erstrecken.

Mit dem oberflächenmontierbaren Gehäuse gemäß dem zwei­ ten Aspekt der vorliegenden Erfindung können im Grunde die gleichen Effekte wie diejenigen des oberflächenmontierbaren Gehäuses des ersten Aspekts erreicht werden. Zusätzlich da­ zu können, weil der Masseleiter (die Massewirkung) ferner durch das Durchgangsloch verstärkt ist, die Hochfrequenz- Charakteristika bzw. Hochfrequenz-Eigenschaften weiter ver­ bessert werden.

Die japanische Patentoffenlegungsschrift mit der Veröf­ fentlichungsnummer 8-181253 und die japanische Patentoffen­ legungsschrift mit der Veröffentlichungsnummer 64-82802 of­ fenbart Gehäuse (Gehäuse mit integriertem Mirkowellen­ schaltkreis), die eine Vielzahl von Durchgangslöchern auf­ weisen, wobei die Durchgangslöcher dieser Veroffentlichun­ gen nicht in der Lage sind, eine stabile Impedanz wie die­ jenige des zweiten Aspekts der vorliegenden Erfindung zu erreichen.

Ein oberflächenmontierbares Gehäuse gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist auf: (a) einen Kör­ per, der im Wesentlichen (oder hauptsächlich) aus einem Leiter (wie beispielsweise Metall, usw.) hergestellt ist, der zumindest eine Aussparung (oder eine Ausbuchtung) auf­ weist, die an dessen Seitenfläche ausgebildet ist, (b) einen dielektrischen Block, der aus einer dielektrischen Substanz hergestellt ist und in die Aussparung eingepaßt ist, und (c) einen Signalpfad (Leitung) in der Ausgestal­ tung einer koplanaren Leitung, der auf dem dielektrischen Block derart angeordnet ist, daß er von der vorderen Ober­ fläche des dielektrischen Blocks über die Seitenfläche zu der hinteren Oberfläche verläuft.

Bei dem oberflächenmontierbaren Gehäuse gemäß dem drit­ ten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird der leitende Körper, der aus Metall oder dergleichen hergestellt ist, dafür verwendet, um den Masseleiter, der in dem Gehäuse vorgesehen ist (die Massewirkung wird verbessert), zu ver­ stärken. Weil der Signalpfad (leitender Pfad) in der Ausge­ staltung einer koplanaren Leitung verwendet wird, ist jeder Teil des Signalpfads in dem gleichen Abstand von dem umge­ benden Masseleiter angeordnet. Weil die Schaltkreismuster feiner ausgebildet sind, so daß der Masseleiter in unmit­ telbarer Nähe des Signalpfads angeordnet ist, können ferner bessere Hochfrequenz-Charakteristika bzw. bessere Hochfre­ quenz-Eigenschaften trotz der oberflächenmontierbaren Aus­ legung des Gehäuses erreicht werden.

Ein oberflächenmontierbares Gehäuse gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist auf: (a) einen Kör­ per, der im Wesentlichen (oder hauptsächlich) aus einem Leiter (wie beispielsweise Metall, usw.) hergestellt ist, der zumindest ein Durchgangsloch, das sich von dessen vor­ derer Oberfläche zu dessen hinterer Oberfläche erstreckt, aufweist, (b) einen dielektrischen Block, der aus einer dielektrischen Substanz hergestellt und in das Durchgangs­ loch eingepaßt ist, und (c) einen Signalpfad (Signalleiter), der in bzw. an dem dielektrischen Block derart angeordnet ist, daß er den dielektrischen Block von der vorderen Oberfläche zur hinteren Oberfläche durch­ dringt.

Der dielektrische Block kann auch aus einer Vielzahl von dielektrischen Körpern ausgebildet sein, die derart schichtweise angeordnet sind, daß sich der Signalpfad zwi­ schen diesen befindet.

Bei dem oberflächenmontierbaren Gehäuse gemäß dem vier­ ten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird der leitende Körper, der aus Metall oder dergleichen hergestellt ist, dafür verwendet, um den Masseleiter, der in dem Gehäuse vorgesehen ist (dies verbessert die Massewirkung), zu ver­ stärken. Da der Signalpfad (Signalleiter) in der Ausgestal­ tung eines Durchgangslochs in Längsrichtung verwendet wird, ist auch jeder Teil des Signalpfads in dem gleichen Abstand von dem umgebenden Masseleiter angeordnet. Weil die Schalt­ kreismuster feiner ausgebildet sind, so daß der Masseleiter in unmittelbarer Nähe der Signalleitung angeordnet ist, können ferner bessere Hochfrequenz-Charakteristika bzw. bessere Hochfrequenz-Eigenschaften trotz der oberflächen­ montierbaren Auslegung des Gehäuses erreicht werden.

Ein oberflächenmontierbares Gehäuse gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung weist auf: (a) einen Kör­ per, der im Wesentlichen (oder hauptsächlich) aus einem Leiter (wie beispielsweise Metall, usw.) hergestellt ist, (b) eine dielektrische Schicht, die auf dem Körper derart aufgebracht bzw. angeordnet ist, daß sie stetig bzw. konti­ nuierlich von der vorderen Oberfläche des Körpers über die Seitenfläche zu der hinteren Oberfläche verläuft und (c) zumindest einen Signalpfad, der aus einer Mikrostreifenlei­ tung oder einer an Masse gelegten koplanaren Leitung be­ steht, die auf der dielektrischen Schicht derart angeordnet ist, daß sie von der vorderen Oberfläche der dielektrischen Schicht über die Seitenfläche zu der hinteren Oberfläche verläuft.

Bei dem oberflächenmontierbaren Gehäuse gemäß der fünf­ ten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird der leitende Körper, der aus Metall oder dergleichen herge­ stellt ist, dafür verwendet, um den Masseleiter, der in dem Gehäuse vorgesehen ist (dies verbessert die Massewirkung) zu verstärken. Weil die stetige Mikrostreifenleitung oder die an Masse gelegte koplanare Leitung verwendet wird, ist auch jeder Teil des Signalpfads in dem gleichen Abstand von dem umgebenden Masseleiter angeordnet. Weil die Schalt­ kreismuster feiner ausgebilet sind, so daß der Masseleiter in unmittelbarer Nähe von der Signalleitung angeordnet ist, können ferner bessere Hochfrequenz-Charakteristika bzw. bessere Hochfrequenz-Eigenschaften trotz der oberflächen­ montierbaren Auslegung des Gehäuses erreicht werden.

Ein oberflächenmontierbares Gehäuse gemäß einem sech­ sten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist auf: (a) einen Körper der im Wesentlichen (oder hauptsächlich) aus einem Leiter (wie beispielsweise Metall, usw.) hergestellt ist, wobei zumindest eine der Seitenflächen von diesem in einer konischen bzw. abgeschrägten Ausgestaltung (geneigte Sei­ tenfläche) ausgebildet ist, (b) eine dielektrische Schicht, die auf der abgeschrägten Seitenfläche angeordnet ist und (c) zumindest einen Signalpfad, der aus einer Mikrostrei­ fenleitung oder einer an Masse gelegten koplanaren Leitung, die auf der dielektrischen Schicht angeordnet sind, be­ steht.

Bei dem oberflächenmontierbaren Gehäuse gemäß des sech­ sten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird der leitende Körper, der aus Metall oder dergleichen hergestellt ist, dafür verwendet, den Masseleiter, der in dem Gehäuse vorge­ sehen ist (dies verbessert die Massewirkung) zu verstärken. Weil die stetige Mikrostreifenleitung oder die an Masse ge­ legte koplanare Leitung verwendet wird, ist auch jeder Teil des Signalpfads in dem gleichen Abstand von dem umgebenden Masseleiter angeordnet. Weil die Schaltkreismuster feiner ausgebildet sind, so daß der Masseleiter in unmittelbarer Nähe von dem Signalpfad angeordnet ist, können ferner bes­ sere Hochfrequenz-Charakteristika bzw. bessere Hochfre­ quenz-Eigenschaften trotz der oberflächenmontierbaren Aus­ legung des Gehäuses erreicht werden.

Ein oberflächenmontierbares Gehäuse gemäß einem siebten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist auf: (a) einen Kör­ per, der im Wesentlichen (oder hauptsächlich) aus einer dielektrischen Substanz hergestellt ist, wobei eine Haupt­ oberfläche von diesem in einer abgeschrägten Austiefung ausgebildet ist, (b) einen stetigen Masseleiter in planarer Ausgestaltung, (oder in Form einer dünnen Lage), der das meiste der Hauptoberfläche und der Seitenfläche des Körpers bedeckt, und (c) zumindest einen Signalpfad in der Ausge­ staltung einer koplanaren Leitung, der auf einem Abschnitt der Hauptoberfläche, der nicht von dem Masseleiter bedeckt ist, angeordnet ist.

Bei dem oberflächenmontierbaren Gehäuse gemäß dem sieb­ ten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist das meiste des dielektrischen Körpers mit dem Masseleiter bedeckt, wodurch der Masseleiter, der in dem Gehäuse vorgesehen ist (dies verbessert die Massewirkung) verstärkt wird. Weil der Hoch­ frequenz-Signalpfad in der Ausgestaltung einer koplanaren Leitung verwendet wird, ist auch jeder Teil des Hochfre­ quenz-Signalpfads in dem gleichen Abstand von dem umgeben­ den Masseleiter angeordnet. Weil die Schaltkreismuster fei­ ner ausgestaltet sind, so daß der Masseleiter in unmittel­ barer Nähe des Hochfrequenz-Signalpfads angeordnet ist, können ferner bessere Hochfrequenz-Charakteristika bzw. bessere Hochfrequenz-Eigenschaften trotz der oberflächen­ montierbaren Auslegung des Gehäuses erreicht werden.

Ein oberflächenmontierbares Gehäuse gemäß einem achten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist auf (a) einen Kör­ per, der im Wesentlichen (oder hauptsächlich) aus einem Leiter (wie beispielsweise Metall, usw.) hergestellt ist, wobei eine Hauptoberfläche von diesem in einer abgeschräg­ ten Austiefung ausgebildet ist, (b) eine dielektrische Schicht, die auf der Hauptoberfläche angeordnet ist, und (c) zumindest einen Signalpfad, der aus einer Mikrostrei­ fenleitung oder einer an Masse gelegten koplanaren Leitung besteht, die auf der dielektrischen Schicht angeordnet sind.

Bei dem oberflächenmontierbaren Gehäuse gemäß dem ach­ ten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird der leitende Körper, der aus Metall oder dergleichen hergestellt ist, dafür verwendet, den Masseleiter, der in dem Gehäuse vorge­ sehen ist (dies verbessert die Massewirkung) zu verstärken. Weil die stetige Mikrostreifenleitung oder die an Masse ge­ legte koplanare Leitung verwendet wird, ist auch jeder Teil des Signalpfads in dem gleichen Abstand von dem umgebenden Masseleiter angeordnet. Weil die Schaltkreismuster feiner ausgebildet sind, so daß der Masseleiter in unmittelbarer Nähe von der Signalleitung angeordnet ist, können ferner bessere Hochfrequenz-Charakteristika bzw. bessere Hochfre­ quenz-Eigenschaften trotz der oberflächenmontierbaren Aus­ legung des Gehäuses erreicht werden.

Ein neunter Aspekt der vorliegenden Erfindung sieht eine Halbleitervorrichtung vor, die integrierte Schalt­ kreise (IC) aufweist, die in bzw. auf zumindest einem Ab­ schnitt zum Montieren integrierter Schaltkreise (IC- Montageabschnitt) von irgendeinem der oben beschriebenen oberflächenmontierbaren Gehäuse montiert sind.

Die Halbleitervorrichtung gemäß dein neunten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist eine derartige Ausgestaltung auf, daß integrierte Schaltkreise in bzw. auf dem Montage­ gebiet für einen integrierten Schaltkreis des oberflächen­ montierbaren Gehäuses gemäß einem des ersten bis achten Aspekts der vorliegenden Erfindung montiert sind, und sieht den Eingangs-/Ausgangs-Abschnitt vor, der einen stabilen Wellenwiderstand aufweist. Als Ergebnis davon kann eine kostengünstige Halbleitervorrichtung geschaffen werden, die auch für Frequenzen im K-Band und höher verwendet werden kann.

Die japanische Patentoffenlegungsschrift mit der Veröf­ fentlichungsnummer 1-189201 offenbart ein Gehäuse für eine Halbleitervorrichtung, das mit Mikrostreifenleitungen an einem dielektrischen Körper, der eine Aushöhlung aufweist, versehen ist. Da die Ausgestaltung in dieser Veröffentli­ chung nicht mit einer Masseverbindung an der hinteren Ober­ fläche versehen ist (zumindest ist das nicht beschrieben), unterscheidet sich diese Ausgestaltung gänzlich von der Ausgestaltung bzw. Struktur des siebten oder achten Aspekts der vorliegenden Erfindung.

Indessen führt man die schlechte Hochfrequenz-Charakte­ ristik der herkömmlichen oberflächenmontierbaren Gehäuse, die häufig verwendet werden, auf die Instabilität des Feld­ wellenwiderstands des Eingangs-/Ausgangs-Signalpfads zu­ rück.

Bessere Hochfrequenz-Charakteristika des Metallgehäuses in der Ausführung mit Durchführung bestehen im Groben in Folge der nachstehenden Gründe: In dem Fall des Metallge­ häuses in der Ausführung mit Durchführung weist der Eingangs-/Ausgangs-Signalpfad äußere Mikrostreifenleitungen auf, die von außen nach innen den Durchführungsabschnitt und die inneren Mikrostreifenleitungen verbinden. Neben diesen, ist das, was ein Problem bezüglich der Hochfre­ quenz-Charakteristika darstellen kann, der Durchführungsab­ schnitt, welcher, wenn er aus einem Dielektrikum in einer zweischichtigen Struktur besteht, unmittelbar an dem Umfang von einem Masseleiter (Metall) umgeben wird, wie es aus Fig. 25 zu erkennen ist. Somit weist jeder Teil des Eingangs-/Ausgangs-Signalpfads, der in dem Durchführungsab­ schnitt vorgesehen ist, den gleichen Abstand von dem umge­ benden Masseleiter auf, wobei der Abstand sehr gering ist. Aufgrund dessen kann ein Wellenwiderstand (gewöhnlich 50), der über einen weiten Frequenzbereich stabil ist, erreicht werden, indem Parameter, wie beispielsweise die Breite des Eingangs-/Ausgangs-Singnalpfads optimiert werden. In dem Fall, daß der Abstand zwischen dem Eingangs-/Ausgangs-Si­ gnalpfad und dem Masseleiter groß ist, führt dies dazu, daß unnötige Ausbreitungsmoden bei hohen Frequenzen erzeugt werden. Wenn die Vorrichtung bei Frequenzen bis 40 GHz ar­ beiten soll, ist es deshalb wünschenswert, daß der Abstand innerhalb von 2 mm für den Fall liegt, daß der Signalpfad und der Masseleiter durch Luft voneinander getrennt sind, und innerhalb von 0,8 mm liegt, wenn die Trennung durch ein Aluminiumdioxid-Dielektrikum erfolgt. Für den Fall, daß der Masseleiter ein kleines Volumen besitzt oder in einer kom­ plexen Ausgestaltung ausgebildet ist, wird gewöhnlich eine parasitäre Induktivität erzeugt, die zu einer instabilen Masseverbindung führt.

Im Falle des oberflächenmontierbaren Gehäuses, wenn der Eingangs-/Ausgangs-Signalpfad, wie er in Fig. 26 gezeigt ist, als Beispiel verwendet wird, ist jeder Eingangs- /Ausgangs-Signalpfad, der an der hinteren Oberfläche vorge­ sehen ist, und der Eingangs-/Ausgangs-Signalpfad, der in dem Durchgangsloch und an der vorderen Seite vorgesehen ist, weiter entfernt von dem Masseleiter angeordnet, wäh­ rend der Abstand nicht konstant ist und der Masseleiter ein sehr kleines Volumen aufweist. Auch bei der Ausgestaltung, wie sie in Fig. 28 dargestellt ist, weist ein gewisser Teil des Eingangs-/Ausgangs-Signalpfads einen größeren Abstand von dem Masseleiter auf, während der Abstand nicht konstant ist und der Masseleiter ein sehr kleines Volumen aufweist. Daher wird der Wellenwiderstand des Eingangs-/Ausgangs-Si­ gnalpfads unweigerlich instabil, sogar wenn Parameter, wie beispielsweise die Breite des Eingangs-/Ausgangs-Signal­ pfads eingestellt sind.

In dem Fall des oberflächenmontierbaren Gehäuses gemäß der Aspekte der vorliegenden Erfindung ist andererseits der Masseleiter (die Massewirkung) in dem Gehäuse verbessert und der Eingangs-/Ausgangs-Signalpfad behält einen konstan­ ten und geringen Abstand von bzw. zu dem Masseleiter bei. Somit kann bei den oberflächenmontierbaren Gehäusen gemäß der vorliegenden Erfindung, weil der Abstand zwischen dem Eingangs-/Ausgangs-Signalpfad und dem Masseleiter gering und konstant ist und die Stabilität des Masseanschlusses maximiert ist, ein Eingangs-/Ausgangs-Abschnitt erreicht werden, der einen stabilen Wellenwiderstand aufweist.

Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfin­ dung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevor­ zugte Ausführungsformen anhand der Zeichnungen.

Es zeigen:

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines oberflä­ chenmontierbaren Gehäuses gemäß einer ersten Ausführungs­ form der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 eine perspektivische Ansicht, die den Ablauf bzw. das Verfahren der Montage des MMIC auf dem oberflä­ chenmontierbaren Gehäuse, das in Fig. 1 gezeigt ist, dar­ stellt;

Fig. 3 eine perspektivische Ansicht eines oberflä­ chenmontierbaren Gehäuses gemäß einer zweiten Ausführungs­ form der vorliegenden Erfindung;

Fig. 4 eine perspektivische Ansicht, die den Ablauf der Montage des MMIC auf dem oberflächenmontierbaren Gehäu­ se, das in Fig. 3 gezeigt ist, darstellt;

Fig. 5 eine perspektivische Ansicht eines oberflä­ chenmontierbaren Gehäuses gemäß einer dritten Ausführungs­ form der vorliegenden Erfindung vor dem Zusammenbau;

Fig. 6 eine perspektivische Ansicht, die das ober­ flächenmontierbare Gehäuse, das in Fig. 5 gezeigt ist, nach dem Zusammenbau darstellt;

Fig. 7 eine perspektivische Ansicht, die den Ablauf der Montage des MMIC auf dem oberflächenmontierbaren Gehäu­ se, das in Fig. 6 gezeigt ist, darstellt;

Fig. 8 eine perspektivische Ansicht eines oberflä­ chenmontierbaren Gehäuses gemäß einer vierten Ausführungs­ form der vorliegenden Erfindung vor dem Zusammenbau;

Fig. 9 eine perspektivische Ansicht, die das ober­ flächenmontierbare Gehäuse, das in Fig. 8 gezeigt ist, nach dem Zusammenbau darstellt;

Fig. 10 eine der Länge nach geschnittene Ansicht, die den MMIC darstellt, der auf dem oberflächenmontierbaren Gehäuse, das in Fig. 9 dargestellt ist, montiert ist;

Fig. 11 eine der Länge nach geschnittene Ansicht eines oberflächenmontierbaren Gehäuses gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 12 eine der Länge nach geschnittene Ansicht, die den Ablauf der Montage des MMIC auf den oberflächenmon­ tierbaren Gehäuse, das in Fig. 11 gezeigt ist, darstellt;

Fig. 13 eine der Länge nach geschnittene Ansicht, die den MMIC darstellt, der auf dem oberflächenmontierbaren Gehäuse, das in Fig. 11 gezeigt ist, montiert ist;

Fig. 14 eine der Länge nach geschnittene Ansicht eines oberflächenmontierbaren Gehäuses gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 15 eine der Länge nach geschnittene Ansicht, die den Ablauf der Montage des MMIC auf dem oberflächenmon­ tierbaren Gehäuse, das in Fig. 14 gezeigt ist, darstellt;

Fig. 16 eine der Länge nach geschnittene Ansicht, die den MMIC darstellt, der auf dem oberflächenmontierbaren Gehäuse, das in Fig. 14 gezeigt ist, montiert ist;

Fig. 17 eine vergrößerte perspektivische Ansicht der Verbindungsstelle des oberflächenmontierbaren Gehäuses, das in Fig. 14 gezeigt ist, mit dem externen Substrat;

Fig. 18 eine perspektivische Ansicht eines oberflä­ chenmontierbaren Gehäuses gemäß einer siebten Ausführungs­ form der vorliegenden Erfindung;

Fig. 19 eine der Länge nach geschnittene Ansicht des oberflächenmontierbaren Gehäuses, das in Fig. 18 gezeigt ist;

Fig. 20 eine perspektivische Ansicht, die den Ablauf der Montage des MMIC auf dem oberflächenmontierbaren Ge­ häuse, das in Fig. 18 gezeigt ist, darstellt;

Fig. 21 eine der Länge nach geschnittene Ansicht, die den MMIC darstellt, der auf dem oberflächenmontierbaren Gehäuse, das in Fig. 18 gezeigt ist, montiert ist;

Fig. 22 eine der Länge nach geschnittene Ansicht, die den MMIC darstellt, der auf dem oberflächenmontierbaren Gehäuse, das in Fig. 18 gezeigt ist, montiert und in Gieß­ harzmasse eingegossen bzw. verkapselt ist;

Fig. 23 eine der Länge nach geschnittene Ansicht eines oberflächenmontierbaren Gehäuses gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 24A eine der Länge nach geschnittene Ansicht, die den MMIC darstellt, der auf dem oberflächenmontierbaren Gehäuse, das in Fig. 23 gezeigt ist, montiert ist;

Fig. 24B und 24C vergrößerte der Länge nach ge­ schnittene Ansichten der Verbindungsstelle mit dem Massean­ schluß des oberflächenmontierbaren Gehäuses, das in Fig. 24A gezeigt ist;

Fig. 25 die perspektivische Ansicht eines herkömmli­ chen Metallgehäuses in der Ausführung mit Durchführung;

Fig. 26 die der Länge nach geschnittene Ansicht des herkömmlichen oberflächenmontierbaren Gehäuses in der Aus­ führung mit Durchgangsloch;

Fig. 27 die perspektivische Ansicht des oberflächen­ montierbaren Gehäuses in der Ausführung mit Durchgangsloch, wie es in Fig. 26 gezeigt ist;

Fig. 28 die der Länge nach geschnittene Ansicht des herkömmlichen oberflächenmontierbaren Gehäuses in der Aus­ führung mit Draht an der Seitenfläche;

Fig. 29 die perspektivische Ansicht des oberflächen­ montierbaren Gehäuses in der Ausführung mit Draht an der Seitenfläche, wie es in Fig. 28 gezeigt ist;

Fig. 30 die perspektivische Ansicht, die den Ablauf der Montage MMIC auf den herkömmlichen Metallgehäuse in der Ausführung mit Durchführung, wie es in Fig. 25 gezeigt ist, darstellt;

Fig. 31 eine perspektivische Ansicht, die den MMIC darstellt, der auf dem herkömmlichen Metallgehäuse in der Ausführung mit Durchführung, wie es in Fig. 25 gezeigt ist, montiert ist;

Fig. 32 eine der Länge nach geschnittene Ansicht, die den MMIC darstellt, der auf dem herkömmlichen oberflä­ chemontierten Gehäuse in der Ausführung mit Durchgangsloch, das in Fig. 26 gezeigt ist, montiert ist; und

Fig. 33 eine der Länge nach geschnittene Ansicht, die den MMIC darstellt, der auf dem herkömmlichen oberflä­ chenmontierten Gehäuse in der Ausführung mit Draht an der Seitenfläche, wie es in Fig. 28 gezeigt ist, montiert ist.

Im folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 24C be­ schrieben. Unter denjenigen in den Fig. 1 bis 24C darge­ stellten Bauteilen werden jene, die im Wesentlichen die gleichen Ausgestaltungen bzw. Funktionen wie jene in den Fig. 25 bis 33 dargestellten Bauteile aufweisen, mit den selben Bezugszeichen bezeichnet.

Erste Ausführungsform

Im Folgenden wird die erste Ausführungsform der vorlie­ genden Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 1 und 2 beschrieben. Fig. 1 zeigt eine perspektivische Ansicht des oberflächenmontierbaren Gehäuses gemäß der ersten Ausfüh­ rungsform der vorliegenden Erfindung. Wie es in Fig. 1 ge­ zeigt ist, weist das oberflächenmontierbare Gehäuse einen Körper (Hauptkörper oder Gehäuse) auf, der im Wesentlichen oder hauptsächlich aus einer dielektrischen Substanz (im Folgenden bezeichnet als "dielektrischer Körper 4") herge­ stellt ist. Das meiste der Hauptoberfläche (einer Oberflä­ che, auf der der MMIC montiert ist) und der Seitenflächen des dielektrischen Körpers 4 ist mit einem stetigen bzw. durchgängigen Masseleiter 17, der planar oder in Form einer dünnen Lage ausgebildet ist, bedeckt. Abschnitte der Hauptoberfläche und der Seitenflächen des dielektrischen Körpers 4, die nicht mit dem Masseleiter 17 bedeckt sind, sind mit einer Vielzahl von Hochfrequenz-Signalpfaden 8 (Signalpfade) in einer koplanarer Ausgestaltung versehen, das bedeutet, planaren Signalpfaden, die sich zwischen Masseebenen befinden, die in gleichen Abständen angeordnet sind, die darauf ausgebildet sind. Bei diesem oberflächenmontierbaren Gehäuse ist es wünschenswert, daß ungefähr die Hälfte oder mehr der Oberfläche des Gehäuses mit dem Masseleiter 17 bedeckt ist. Aus dem oben beschriebenen Grund ist es erforderlich, daß der Abstand zwischen den Hochfrequenz-Signalpfaden 8 (Leiter-Muster) und dem Masseleiter 17 (Masse-Muster) 0,8 mm oder weniger beträgt. In diesem Fall liegt die Breite der Hochfrequenz- Signalpfade 8 (Leiter-Muster) gewöhnlich innerhalb von 1 mm. Es ist wünschenswert, daß der Masseleiter 17 auch auf der hinteren Oberfläche (die Oberfläche, gegenüber der Hauptoberfläche) des dielektrieschen Körpers 4 vorgesehen ist, ausgenommen eines Abschnitts von dieser, ähnlich zu der Hauptoberfläche (vordere Oberfläche), obwohl es in der Zeichnung nicht im Detail gezeigt ist. In diesem Fall muß nicht gesagt werden, daß die Ausgestaltung des Masseleiters 17, der auf der hinteren Oberfläche des dielektrischen Kör­ pers 4 vorgesehen ist, verschieden zu der auf der Haupt­ oberfläche sein kann.

Fig. 2 zeigt eine perspektivische Ansicht des Ablaufs der Montage des MMIC 11 auf dem oberflächenmontierbaren Ge­ häuse, das in Fig. 1 dargestellt ist. Wie es in Fig. 2 gezeigt ist, wird eine derartige Montage durchgeführt, in dem der MMIC 11 in bzw. auf einem IC-Montagegebiet auf dem Masseleiter 17 montiert, das Deckelbauteil 9 darauf ange­ ordnet und der MMIC 11 versiegelt wird. Danach wird das oberflächenmontierbare Gehäuse durch ein Lotmittel, leiten­ des Harz oder dergleichen auf dem externen Substrat 10 be­ festigt. Dieser Ablauf bzw. dieses Verfahren stellt eine Halbleitervorrichtung mit einem MMIC 11, der auf dem ober­ flächenmontierbaren Gehäuse montiert ist, fertig. Obwohl ein Signalleitungsanschluß 5b und ein Nasseanschluß 5a, die an bzw. auf der hinteren Oberläche des Gehäuses vorgesehen sind, dazu verwendet werden, in der ersten Ausführungsform eine Verbindung mit entsprechenden Anschlüssen des äußeren Substrats 10 herzustellen, kann eine Verbindung ebenso un­ ter Verwendung der Seitenfläche des Gehäuses hergestellt werden.

Für das oberflächenmontierbare Gehäuse der ersten Aus­ führungsform gilt: (a) der meiste Teil des dielektrischen Körpers 4 ist mit dem Masseleiter 17 (Metalloberfläche) be­ deckt, wodurch der Masseleiter, der in dem Gehäuse vorgese­ hen ist, verstärkt wird, (b) die Hochfrequenz-Signalpfade 8 in der Ausgestaltung einer koplanaren Leitung werden derart verwendet, daß jeder Teil des Hochfrequenz-Signalpfads in dem selben Abstand von dem umgebenden Masseleiter 17 ange­ ordnet ist, und (c) die Schaltkreismuster sind feiner aus­ gebildet, so daß der Masseleiter 17 in unmittelbarer Nähe des Hochfrequenz-Signalpfads 8 angeordnet ist. Aufgrund dessen, können bessere Hochfrequenz-Charakteristika bzw. bessere Hochfrequenz-Eigenschaften trotz der oberflächen­ montierbaren Auslegung des Gehäuses erreicht werden.

Zweite Ausführungsform

Im Folgenden wird die zweite Ausführungsform der vor­ liegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 3 und 4 beschrieben. Fig. 3 zeigt eine perspektivische Ansicht des oberflächenmontierbaren Gehäuses gemäß der zweiten Aus­ führungsform der vorliegenden Erfindung. Wie es in Fig. 3 gezeigt ist, hat das oberflächenmontierbare Gehäuse der zweiten Ausführungsform, zusätzlich zu den Merkmalen des oberflächenmontierbaren Gehäuses der ersten Ausführungs­ form, ein aus einem Leiter hergestelltes Durchgangsloch 6, das den dielektrischen Körper 4 von dem Teil des Masselei­ ters 17, der auf der Hauptoberfläche (vorderen Oberfläche) des dielektrischen Körpers 4 angeordnet ist, zu dem Masse­ leiter, der auf der hinteren Oberfläche des dielektrischen Körpers 4 angeordnet ist, durchdringt. Außer diesem Merkmal ist das oberflächenmontierbare Gehäuse der zweiten Ausfüh­ rungsform das gleiche wie das oberflächenmontierbare Gehäu­ se der ersten Ausführungsform.

Fig. 4 zeigt eine perspektivische Ansicht des Ablaufs der Montage des MMIC 11 auf dem oberflächenmontierbaren Ge­ häuse, das in Fig. 3 dargestellt ist. Wie es in Fig. 4 gezeigt ist, wird eine derartige Montage durchgeführt, in dem der MMIC 11 in bzw. auf dem IC-Montagegebiet auf dem Masseleiter 17 montiert, das Deckelbauteil 9 auf diesem an­ geordnet und der MMIC 11 versiegelt wird. Danach wird das oberflächenmontierbare Gehäuse durch ein Lotmittel, leiten­ des Harz oder dergleichen auf dem externen Substrat 10 be­ festigt. Dieser Ablauf bzw. dieses Verfahren stellt eine Halbleitervorrichtung mit einem MMIC 11, der auf dem ober­ flächenmontierbaren Gehäuse montiert ist, fertig. Obwohl der Signalleitungsanschluß 5b und der Masseanschluß 5a, die auf der hinteren Oberfläche des Gehäuses vorgesehen sind, dazu verwendet werden, in der zweiten Ausführungsform eine Verbindung mit entsprechenden Anschlüssen des externen Substrats 10 herzustellen, kann auch eine Verbindung unter Verwendung der Seitenfläche des Gehäuses hergestellt wer­ den.

Obwohl das Gebiet des Masseleiters 17 so groß wie mög­ lich ausgebildet ist, ist in der Auslegung des oberflächen­ montierbaren Gehäuses der ersten Ausführungsform das Legen bzw. Anschließen an Masse im Grunde nur durch einen Metall­ film sichergestellt, der auf der Oberfläche des dielektri­ schen Körpers 4 vorgesehen ist, woraus sich im Vergleich zu dem Metallgehäuse, bei dem die Masseverbindung mittels ei­ nes Masseverbindungs-Blocks aus Metall vorgesehen ist, ein Nachteil ergibt. Jedoch ist gemäß der zweiten Ausführungs­ form, weil der Masseleiter (die Massewirkung) mittels der Durchgangslöcher 6, die um den Signalpfad angeordnet sind, verstärkt werden kann, das oberflächenmontierbare Gehäuse der zweiten Ausführungsform in dem Fall sehr vorteilhaft, in dem ein ausreichendes Gebiet des Masseleiters 17 nicht sichergestellt werden kann. Wenn jedoch die Durchgangslö­ cher 6 in großen Intervallen bzw. Abständen angeordnet sind, können verschiedene Teile der Eingangs-/Ausgangs-Si­ gnalleitung größere Unterschiede bezüglich des Abstands von dem Masseleiter 17 haben. Deshalb ist es wünschenswert, daß der Zwischenraum zwischen den Durchgangslöchern gering ist. Genauer gesagt wird das Verhältnis des Durchgangsloch- Durchmessers zu dem Zwischenraum zwischen den Durchgangslö­ chern (Durchgangsloch-Durchmesser/Zwischenraum zwischen den Durchgangslöchern) vorzugsweise auf 1/2 oder größer einge­ stellt.

Dritte Ausführungsform

Im Folgenden wird die dritte Ausführungsform der vor­ liegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 5 bis 7 beschrieben. Fig. 5 zeigt eine perspektivische Ansicht des oberflächenmontierbaren Gehäuses vor dem Zusammenbau gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung. Fig. 6 zeigt eine perspektivische Ansicht nach dem Zusammenbau. Wie es in den Fig. 5 und 6 gezeigt ist, ist der Körper des oberflächenmontierbaren Gehäuses vor dem Zu­ sammenbau gemäß der dritten Ausführungsform im Wesentlichen oder hauptsächlich aus einem Leiter, wie beispielsweise Me­ tall, (im Folgenden bezeichnet als ein "leitender Körper 1") hergestellt. Der leitende Körper 1 weist Aussparungen bzw. Aushöhlungen 18 in Form eines rechtwinkligen Pa­ rallelepipeds an jeder der vier Seitenflächen auf, während ein dielektrischer Block 19 in jede der Aushöhlungen 18 eingepaßt ist. Die Hauptoberfläche (vordere Oberfläche), die hintere Oberfläche und die Seitenflächen des leitenden Körpers 1 sind im Wesentlichen bündig mit der vorderen Oberfläche bzw. der hinteren Oberfläche bzw. den Seitenflä­ chen des dielektrischen Blocks 19. Jeder dielektrische Block 19 hat eine Leitung 8 (Signalpfad) in der Ausgestal­ tung einer koplanaren Leitung, die auf dessen Oberfläche angeordnet ist und von der vorderen Seite über die Seiten­ fläche zu der hinteren Oberfläche verläuft. Die Ausgestal­ tung und die Abmessungen der Leitung 8 in der Ausgestaltung einer koplanaren Leitung sind ähnlich der des Hochfrequenz- Signalpfads 8 des oberflächenmontierbaren Gehäuses der er­ sten Ausführungsform.

Fig. 7 zeigt eine perspektivische Ansicht des Ablaufs der Montage des MMIC 11 auf dem oberflächenmontierbaren Ge­ häuse, das in den Fig. 5 und 6 dargestellt ist. Wie es in Fig. 7 gezeigt ist, wird eine derartige Montage durch­ geführt, indem der MMIC 11 in bzw. auf dem IC-Montagegebiet des leitenden Körpers 1 montiert und das Deckelbauteil 9 auf diesem angeordnet wird, während der MMIC 11 versiegelt wird. Danach wird das oberflächenmontierbare Gehäuse durch ein Lotmittel, leitendes Harz oder dergleichen auf dem ex­ ternen Substrat 10 durch ein Lotmittel, leitendes Harz oder der gleichen befestigt. Dieser Ablauf bzw. dieses Verfahren stellt eine Halbleitervorrichtung mit dem MMIC 11, der auf dem oberflächenmontierbaren Gehäuse montiert ist, fertig.

Obwohl der Signalleitungsanschluß 5b und der Masseanschluß 5a, die auf der hinteren Seite des Gehäuses vorgesehen sind, dazu verwendet werden, um entsprechende Anschlüsse des externen Substrat 10 in der dritten Ausführungsform zu verbinden, kann die Verbindung auch unter Verwendung der Seitenfläche des Gehäuses hergestellt werden.

Für das oberflächenmontierbare Gehäuse der dritten Aus­ führungsform gilt: (a) der leitende Körper 1, der aus Me­ tall oder der gleichen hergestellt ist, wird dazu verwen­ det, den Masseleiter, der in dem Gehäuse vorgesehen ist, zu verstärken, (b) die Leitung 8 in der Ausgestaltung einer koplanaren Leitung wird derart verwendet, daß jeder Teil der Leitung 8 in dem selben Abstand von dem umgebenden Mas­ senleiter (leitenden Körper 1) angeordnet ist und (c) die Schaltkreismuster sind feiner ausgebildet, so daß der Mas­ seleiter (leitende Körper 1) in unmittelbarer Nähe der Lei­ tung 8 angeordnet ist. Aufgrund dessen, können bessere Hochfrequenz-Charakteristika bzw. bessere Hochfrequenz-Ei­ genschaften trotz der oberflächenmontierbaren Auslegung des Gehäuses erreicht werden.

Vierte Ausführungsform

Im Folgenden wird die vierte Ausführungsform der vor­ liegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 8 bis 10 beschrieben. Fig. 8 zeigt eine perspektivische Ansicht des oberflächenmontierbaren Gehäuses vor dem Zusammenbau gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung. Fig. 9 zeigt eine perspektivische Ansicht nach dem Zusammenbau. In den Fig. 8 und 9 bezeichnet das Bezugs­ zeichen 13 einen dielektrischen Block (in der Ausführung mit Längsdurchführung), der durch schichtweise Anordnung von zwei dielektrischen Körpern hergestellt ist, und be­ zeichnet das Bezugszeichen 20 einen Signalleiter (Signalpfad), der zwischen den dielektrischen Körpern des dielektrischen Blocks 13 auf eine derartige Weise, wie die Miene eines Bleistifts, eingefügt ist.

Der Körper des oberflächenmontierbaren Gehäuses der vierten Ausführungsform ist im Wesentlichen oder hauptsäch­ lich aus einem Leiter, wie beispielsweise Metall, (in fol­ gendem bezeichnet als "leitender Körper 1") hergestellt. Der leitende Körper 1 hat zwei Durchgangslöcher 21 in der Ausgestaltung eines rechtwinkligen Parallelepipeds, die den leitenden Körper 1 von der Hauptoberfläche (vordere Ober­ fläche) zu dessen hinterer Oberfläche durchdringen, wobei die Durchgangslöcher 21 mit dielektrischen Blocks 13 ausge­ füllt sind. Die Hauptoberfläche (vordere Oberfläche) und die hintere Oberfläche des leitenden Körpers 1 sind im We­ sentlichen bündig mit der vorderen Oberfläche bzw. der hin­ teren Oberfläche des dielektrischen Blocks 13. Das oberflä­ chenmontierbare Gehäuse hat eine Ausgestaltung, die ähnlich oder analog zu dem Metallgehäuse ist, wobei die Durch­ führungsabschnitte aufrecht angeordnet sind, um die vordere Oberfläche und die hintere Oberfläche zu verbinden. Aus dem vorher beschriebenen Grund hat bei dem dielektrischen Block 13 (in der Ausführung mit Längsdurchführung) vorzugsweise die vordere Oberfläche (hintere Oberfläche) eine rechtwink­ lige Form, deren Abmessung innerhalb von 2 mm entlang der längeren Seite und innerhalb von 1,6 mm entlang der kürze­ ren Seite liegt, wobei die Breite des Signalleiters 20, der innerhalb des dielektrischen Blocks 13 vorgesehen ist, vor­ zugsweise innerhalb von 0,4 mm liegt.

Fig. 10 zeigt eine der Länge nach geschnittene An­ sicht, die den MMIC 11 darstellt der auf dem oberflächen­ montierbaren Gehäuse, das in den Fig. 8 und 9 gezeigt ist, montiert ist, wobei das oberflächenmontierbare Gehäuse auf dem externen Substrat 10 befestigt ist. Wie es in Fig. 10 gezeigt ist, wird ein derartiges Montieren und Befesti­ gen durchgeführt, indem der MMIC 11 in bzw. auf einem IC- Montagegebiet des leitenden Körpers 1 montiert und vorgege­ bene bzw. spezifische Anschlüsse des MMIC 11 und des Si­ gnalleiters 20 mit dem Bonddraht 12 verbunden werden. Da­ nach wird das Deckelbauteil 9 angeordnet und der MMIC 11 wird versiegelt. Hiernach wird das oberflächenmontierbare Gehäuse durch ein Lotmittel, leitendes Harz oder derglei­ chen auf dem externen Substrat 10 befestigt. Dieses Ver­ fahren stellt eine Halbleitervorrichtung mit dem MMIC 11, der auf dem oberflächenmontierbaren Gehäuse montiert ist, fertig. Im Falle des oberflächenmontierbaren Gehäuses der vierten Ausführungsform ist es unmöglich, die Seitenflächen des oberflächenmontierbaren Gehäuses zu dessen Verbindung mit dem externen Substrat 10 zu verwenden.

Für das oberflächenmontierbare Gehäuse der vierten Aus­ führungsform gilt: (a) der aus Metall oder dergleichen her­ gestellte leitende Körper 1, wird dazu verwendet, den Mas­ seleiter, der in dem Gehäuse vorgesehen ist, zu verstärken, (b) der dielektrische Block 13 (die Signalleiter 20) in der Ausführung mit Längsdurchführung wird derart verwendet, daß jeder Teil des Signalleiters 20 in dem gleichen Abstand von den umgebenden Masseleiter (leitenden Körper 1) angeordnet ist, und (c) die Schaltkreismuster sind feiner ausgebildet, so daß der Masseleiter (leitender Körper 1) in unmittelba­ rer Nähe des Signalleiters 20 angeordnet ist. Aufgrund des­ sen, können bessere Hochfrequenz-Charakteristika bzw. bes­ sere Hochfrequenz-Eigenschaften trotz der oberflächenmon­ tierbaren Auslegung des Gehäuses erreicht werden.

Fünfte Ausführungsform

Im Folgenden wird die fünfte Ausführungsform der vor­ liegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 11 bis 13 beschrieben.

Fig. 11 zeigt eine Ansicht des oberflächennontierbaren Gehäuses gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie es in Fig. 11 gezeigt ist, ist der Körper der oberflächenmontierbaren Gehäuses im Wesentlichen oder hauptsächlich aus einem Leiter, wie beispielsweise Metall, (im folgenden bezeichnet als ein "leitender Körper 1") her­ gestellt. Der leitende Körper 1 ist mit einer stetigen die­ lektrischen Schicht 22 versehen, die auf dessen Oberfläche aufgebracht bzw. angeordnet ist und von der Hauptoberfläche (vorderen Oberfläche) über die Seitenoberfläche zu der hin­ teren Oberfläche verläuft. Ferner ist zumindest ein Signal­ pfad 8, der aus einer Mikrostreifenleitung besteht, auf der dielektrischen Schicht 22 vorgesehen. Anstelle der Mikro­ streifenleitung kann auch eine an Masse gelegte koplanare Leitung verwendet werden. Bei dem oberflächenmontierbaren Gehäuse der fünften Ausführungsform kann als Material für die dielektrische Schicht 22 Aluminiumdioxyd, Epoxidharz, Polyimid oder der gleichen verwendet werden. Das Verfahren zur Ausbildung der dielektrischen Schicht 22 kann beinhal­ ten: in Schichten anordnen eines dielektrischen Substrats, bedecken mit flüssiger dielektrischer Substanz oder der­ gleichen. Aus dem vorher beschriebenen Grund hat die dielektrische Schicht 22 eine Dicke, die vorzugsweise nicht größer als 0,8 mm ist. Fig. 12 zeigt eine der Länge nach geschnittene Ansicht des Ablaufs der Montage des MMIC 11 auf dem oberflächenmontierbaren Gehäuse, das in Fig. 11 dargestellt ist, und des Befestigens des oberflächenmon­ tierbaren Gehäuses auf dem externen Substrat 10. Fig. 13 ist eine der Länge nach geschnittene Ansicht, die den Zu­ stand des oberflächenmontierbaren Gehäuses darstellt, nach­ dem es in dem in Fig. 12 gezeigten Ablauf auf dem externen Substrat 10 befestigt worden ist. Wie es in den Fig. 12 und 13 gezeigt ist, wird ein derartiges Montieren und Befe­ stigen durchgeführt, indem der MMIC 11 in bzw. auf dem IC- Montageabschnitt auf dem leitenden Körper 1 montiert wird und der spezifische bzw. vorgegebene Anschluß des MMIC 11 und der Signalpfad 8 mit dem Bonddraht 12 verbunden werden. Dann wird das Deckelbauteil 9 angeordnet und der MMIC 11 wird versiegelt. Ferner wird das oberflächenmontierbare Ge­ häuse durch ein Lotmittel, leitendes Harz oder dergleichen auf dem externen Substrat 10 befestigt. Dieser Ablauf bzw. dieses Verfahren stellt eine Halbleitervorrichtung mit dem MMIC 11, der auf dem oberflächenmontierbaren Gehäuse mon­ tiert ist, fertig. Obwohl der Signalleitungsanschluß 5b und der Masseanschluß 5a, die an der hinteren Oberfläche des Gehäuses vorgesehen sind, dazu verwendet werden, in der fünften Ausführungsform eine Verbindung mit entsprechenden Anschlüssen des externen Substrats 10 herzustellen, kann die Verbindung ebenso unter Verwendung der Seitenfläche des Gehäuses hergestellt werden.

Für das oberflächenmontierbare Gehäuse der fünften Aus­ führungsform gilt: (a) der aus Metall oder der gleichen hergestellte leitende Körper 1 wird dazu verwendet, den Masseleiter, der in dem Gehäuse vorgesehen ist, zu verstär­ ken, (b) der Signalpfad 8, der aus einer stetigen Mikro­ streifenleitung besteht (ein an Masse gelegter koplanarer Leiter kann ebenso verwendet werden), wird derart verwen­ det, daß jeder Teil des Signalpfads 8 in dem selben Abstand von dem umgebenden Masseleiter (leitenden Körper 1) ange­ ordnet ist, und (c) die Schaltkreismuster sind feiner aus­ gebildet, so daß der Masseleiter (leitende Körper 1) in un­ mittelbarer Nähe des Signalpfads 8 angeordnet ist. Aufgrund dessen, können bessere Hochfrequenz-Charakteristika bzw. bessere Hochfrequenz-Eigenschaften trotz der oberflächen­ montierbaren Auslegung des Gehäuses erreicht werden.

Sechste Ausführungsform

Im Folgenden wird die sechste Ausführungsform der vor­ liegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 14 bis 17 beschrieben. Fig. 14 zeigt eine der Länge nach ge­ schnittene Ansicht des oberflächenmontierbaren Gehäuses ge­ mäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung. Wie es in Fig. 14 gezeigt ist, ist der Körper des oberflächenmontierbaren Gehäuses im Wesentlichen oder hauptsächlich aus einem Leiter, wie beispielsweise einem Metall, (im folgenden bezeichnet als "leitender Körper 1") hergestellt. Eine Vielzahl (beispielsweise vier, usw.) der Seitenflächen des leitenden Körpers 1 sind konisch bzw. ab­ geschrägt und die dielektrische Schicht 22 ist auf diesen abgeschrägten Seitenflächen ausgebildet bzw. aufgebracht. Es ist zumindest ein Signalpfad 8, der aus einer Mikro­ streifenleitung besteht, auf der dielektrischen Schicht 22 vorgesehen. Anstelle der Mikrostreifenleitung kann auch eine an Masse gelegte koplanare Leitung verwendet werden. Bei dem oberflächenmontierbaren Gehäuse der sechsten Aus­ führungsform kann als Material für die dielektrische Schicht 22 Aluminiumdioxid, Epoxidharz, Polyimid oder der gleichen verwendet werden. Das Verfahren zum Ausbilden der dielektrischen Schicht 22 kann beinhalten, schichtweise an­ ordnen eines dielektrischen Substrats, beschichten mit einer flüssigen dielektrischen Substanz oder der gleichen. Aus dem vorher beschriebenen Grund hat die dielektrische Schicht 22 eine Dicke, die vorzugsweise nicht größer als 0,8 mm ist.

Fig. 15 zeigt eine der Länge nach geschnittene Ansicht des Ablaufs der Montage des MMIC 11 auf dem oberflächenmon­ tierbaren Gehäuse, das in Fig. 14 dargestellt ist, und des Befestigens des oberflächenmontierbaren Gehäuses auf dem externen Substrat 10. Fig. 16 ist die der Länge nach ge­ schnittene Ansicht, die den Zustand des oberflächenmontier­ baren Gehäuses darstellt, nachdem es in dem in Fig. 15 ge­ zeigten Ablauf auf dem externen Substrat 10 befestigt wor­ den ist. Fig. 17 ist die vergrößerte perspektivische An­ sicht der Verbindungsstelle zwischen dem Hochfrequenz-Si­ gnalpfad 8 und dem externen Substrat 10 in dem oberflächen­ montierbaren Gehäuse, das in den Fig. 14 bis 16 darge­ stellt ist. In Fig. 17 bezeichnet das Bezugszeichen 14 eine Lötverbindungsstelle.

Wie es in den Fig. 15 bis 17 gezeigt ist, werden derartige Montage- und Befestigungsvorgänge durchgeführt, indem zuerst der MMIC 11 in bzw. auf einem IC-Montagegebiet auf dem leitenden Körper 1 befestigt wird und ein vorgege­ bener bzw. spezifischer Anschluß des MMIC 11 und des Si­ gnalpfads 8 durch den Bonddraht 12 verbunden werden. Dann wird das Deckelbauteil 9 angeordnet und der MMIC 11 wird versiegelt. Hiernach wird das oberflächenmontierbare Ge­ häuse durch ein Lotmittel, leitendes Harz oder dergleichen auf dem externen Substrat 10 befestigt. Dieser Ablauf bzw. dieses Verfahren stellt eine Halbleitervorrichtung mit dem MMIC 11, der auf dem oberflächenmontierbaren Gehäuse mon­ tiert ist, fertig. Weil ein Verbinden mittels der hinteren Oberfläche des Gehäuses bei der sechsten Ausführungsform unmöglich ist, ist es wünschenswert, daß eine Verbindung mit dem externen Substrat 10 unter Verwendung der Lötver­ bindungsstelle 14 (Aussparung bzw. Aushöhlung in dem Si­ gnalanschluß), der in den Fig. 16 und 17 gezeigt ist, hergestellt wird.

Für das oberflächenmontierbare Gehäuse der sechsten Ausführungsform gilt: (a) der aus Metall oder der gleichen hergestellte leitende Körper 1 wird dazu verwendet, den Masseleiter, der in dem Gehäuse vorgesehen ist, zu verstär­ ken, (b) der Signalpfad 8, der aus einer stetigen Mikro­ streifenleitung besteht (eine an Masse gelegte Leitung kann ebenso verwendet werden), wird derart verwendet, daß jeder Teil des Signalpfads 8 in dem selben Abstand von dem umge­ benden Masseleiter (leitenden Körper 1) angeordnet ist, und (c) die Schaltkreismuster sind feiner ausgebildet, so daß der Masseleiter (leitende Körper 1) in unmittelbarer Nähe des Signalpfads 8 angeordnet ist. Aufgrund dessen können bessere Hochfrequenz-Charakteristika bzw. bessere Hochfre­ quenz-Eigenschaften trotz der oberflächenmontierbaren Aus­ legung des Gehäuses erreicht werden.

Siebte Ausführungsform

Im Folgenden wird die siebte Ausführungsform der vor­ liegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 18 bis 22 beschrieben. Fig. 18 zeigt eine perspektivische Ansicht des oberflächenmontierbaren Gehäuses der siebten Ausfüh­ rungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 19 zeigt die der Länge nach geschnittene Ansicht des oberflächenmontier­ baren Gehäuses, das in Fig. 18 gezeigt ist. Wie es in den Fig. 18 und 19 gezeigt ist, ist der Körper des oberflä­ chenmontierbaren Gehäuses im Wesentlichen oder hauptsächli­ chen aus einer dielektrischen Substanz (im Folgenden be­ zeichnet als ein "dielektrischer Körper 4") hergestellt, wobei eine Hauptoberfläche (vordere Oberfläche) von diesem in einer konischen bzw. abgeschrägten Austiefung ausgebil­ det ist. Das meiste der Hauptoberfläche und der Seitenflä­ chen des dielektrischen Körpers 4 sind mit einem stetigen Masseleiter 17 in planarer Ausgestaltung oder in Ausgestal­ tung einer dünnen Lage bedeckt. Ein Abschnitt der Haupt­ oberfläche des dielektrischen Körpers 4, der nicht mit dem Masseleiter 17 bedeckt ist, ist mit einem Hochfrequenz-Si­ gnalpfad 8 (Signalpfad) in der Ausgestaltung einer koplana­ ren Leitung versehen. Bei dem oberflächenmontierbaren Ge­ hause ist zumindest die Hälfte der Oberfläche des Gehäuses vorzugsweise mit dem Masseleiter 17 bedeckt. Aus dem vorher beschriebenen Grund ist der Abstand zwischen dem Hochfre­ quenz-Signalpfad 8 (Leiter-Muster) und dem Masseleiter 17 (Masse-Muster) vorzugsweise nicht größer als 0,8 mm. In diesem Fall beträgt die Breite des Hochfrequenz-Signalpfads 8 (Leiter-Muster) normalerweise 1 mm oder weniger. Ein Ab­ schnitt des Masseleiters 17, der auf der Hauptoberfläche (vorderen Oberfläche) des dielektrischen Körpers 4 ausge­ bildet ist und ein Abschnitt des Masseleiters 17, der auf der hinteren Oberfläche ausgebildet ist, kann auch mittels des Durchgangslochs 6 verbunden werden.

Die hintere Oberfläche des dielektrischen Körpers 4 ist auch mit dem auf dieser ausgebildeten Masseleiter 17 be­ deckt, ausgenommen einem Teil von dieser, ähnlich zu der Hauptoberfläche.

Fig. 20 zeigt eine perspektivische Ansicht des Ablaufs der Montage des MMIC 11 auf dem oberflächenmontierbaren Ge­ häuse, das in den Fig. 18 und 19 dargestellt ist, und des Befestigens des oberflächenmontierbares Gehäuses auf dem externen Substrat 10. Fig. 21 zeigt die der Länge nach geschnittene Ansicht des in Fig. 20 dargestellten oberflä­ chenmontierbaren Gehäuses, nachdem es in dem in Fig. 20 gezeigten Ablauf auf dem externen Substrats 10 montiert worden ist. Wie es in den Fig. 20 und 21 gezeigt ist, wird ein derartiges Montieren und Befestigen durchgeführt, indem zuerst der MMIC 11 in bzw. auf' einem IC-Montagegebiet der Hauptoberfläche des dielektrischen Körpers 4 montiert wird und indem vorgegebene bzw. spezifische Anschlüsse des MMIC 11 und der Hochfrequenz-Signalpfad 8 durch den Bond­ draht 12 verbunden werden. Dann wird das Deckelbauteil 9 angeordnet, während der MMIC versiegelt wird, und das ober­ flächenmontierbare Gehäuse wird durch ein Lotmittel, lei­ tendes Harz oder dergleichen auf dem externen Substrat 10 befestigt. Dieser Ablauf stellt eine Halbleitervorrichtung mit dem MMIC 11, der auf dem oberflächenmontierbares Gehäu­ se montiert ist, fertig.

Wie es in Fig. 22 gezeigt ist, kann das oberflächen­ montierbare Gehäuse auch durch eine Gießharzmasse 15 auf dem externen Substrat 10 befestigt oder eingegossen bzw. verkapselt werden.

Obwohl der Signalleitungsanschluß 5b und der Massean­ schluß 5a, die auf der Oberfläche des Gehäuses vorgesehen sind, dazu verwendet werden, in der siebten Ausführungsform eine Verbindung mit entsprechenden Anschlüssen des externen Substrats 10 herzustellen, kann die Verbindung ebenso unter Verwendung der Seitenfläche des Gehäuses hergestellt wer­ den. Auch in der siebten Ausführungsform kann das Deckel­ bauteil 9 weggelassen werden.

Für das oberflächenmontierbare Gehäuse der siebten Aus­ führungsform gilt: (a) das meiste des dielektrischen Kör­ pers 4 ist mit dem leitenden Körper 17 (Metallfilm) be­ deckt, wodurch der Masseleiter, der in dem Gehäuse vorgese­ hen ist, verstärkt wird, (b) der Hochfrequenz-Signalpfad 8 in der Ausgestaltung einer koplanaren Leitung wird derart verwendet, daß jeder Teil des Hochfrequenz-Signalpfads 8 in dem selben Abstand von dem umgebenden Masseleiter 17 ange­ ordnet ist, und (c) die Schaltkreismuster sind feiner aus­ gebildet, so daß der Masseleiter 17 in unmittelbarer Nähe des Hochfrequenz-Signalpfads 8 angeordnet ist. Aufgrund dessen können bessere Hochfrequenz-Charakteristika bzw. bessere Hochfrequenz-Eigenschaften trotz der oberflächen­ montierbares Auslegung des Gehäuses erreicht werden.

Achte Ausführungsform

Im Folgenden wird die achte Ausführungsform der vorlie­ genden Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 23 bis 24C beschrieben. Fig. 23 zeigt eine der Länge nach ge­ schnittene Ansicht des oberflächenmontierbaren Gehäuses ge­ mäß der achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie es in Fig. 23 gezeigt ist, ist der Körper des oberflä­ chenmontierbaren Gehäuses im Wesentlichen oder hauptsäch­ lich aus einem Leiter, wie beispielsweise Metall, (im Fol­ genden bezeichnet als "leitender Körper 1") hergestellt und eine Hauptoberfläche (vordere Oberfläche) von diesem ist in einer Ausgestaltung einer konischen bzw. abgeschrägten Aus­ tiefung ausgebildet. Eine dielektrische Schicht 22 ist auf einem Abschnitt der Hauptoberfläche des leitendes Körpers 1 derart ausgebildet, daß sie das Montagegebiet für den MMIC 11 umgibt. Es ist zumindest ein Signalpfad 8, der aus einer Mikrostreifenleitung besteht, auf der dielektrischen Schicht 22 vorgesehen. Alternativ dazu kann anstelle der Mikrostreifenleitung eine an Masse gelegte koplanare Lei­ tung verwendet werden. Bei dem oberflächenmontierbaren Ge­ häuse der achten Ausführungsform kann als das Material für die dielektrische Schicht 22 Aluminiumdioxid, Epoxidharz, Polyimid oder dergleichen verwendet werden. Das Verfahren zur Ausbildung der dielektrischen Schicht 22 kann beinhal­ ten: schichtweise anordnen eines dielektrischen Substrats, bedecken mit einer flüssigen dielektrischen Substanz oder dergleichen. Aus dem vorher beschriebenen Grund kann die dielektrische Schicht 22 eine Dicke aufweisen, die vorzugs­ weise nicht größer als 0,8 mm ist.

Fig. 24A zeigt eine der Länge nach geschnittene An­ sicht des Zustands des MMIC 11, der in dem in Fig. 23 dar­ gestellten oberflächenmontierbaren Gehäuse montiert ist, wobei das oberflächenmontierbare Gehäuse auf dem externen Substrat 10 befestigt ist. Wie es in Fig. 24A gezeigt ist, ist der MMIC 11 in bzw. auf einem IC-Montagegebiet auf dem leitenden Körper 1 montiert und ein vorgegebener bzw. spe­ zifischer Anschluß des MMIC 11 und der Signalpfad 8 sind durch den Bonddraht 12 verbunden. Dann wird das Deckelbau­ teil 9 angeordnet und MMIC 11 wird versiegelt. Hiernach wird das oberflächenmontierbare Gehäuse durch ein Lotmit­ tel, leitendes Harz oder der gleichen auf dem externen Substrat 10 befestigt. Dieser Ablauf bzw. dieses Verfahren stellt eine Halbleitervorrichtung fertig, die den MMIC 11 aufweist, der auf dem oberflächenmontierbaren Gehäuse mon­ tiert ist. Obwohl der Signalleitungsanschluß 5b und der Masseanschluß 5a, die auf der Oberfläche des Gehäuses vor­ gesehen sind, dazu verwendet werden, in der achten Ausfüh­ rungsform eine Verbindung mit entsprechenden Anschlüssen des externen Substrats 10 herzustellen, kann die Verbindung auch unter Verwendung der Seitenfläche des Gehäuses herge­ stellt werden. Auch in der achten Ausführungsform kann das Deckelbauteil 9 weggelassen werden.

Fig. 24B zeigt eine der Länge nach geschnittene An­ sicht des oberflächenmontierbaren Gehäuses gemäß der achten Ausführungsform, die aus einer Richtung senkrecht zu der in Fig. 24A betrachtet ist. Wie es in Fig. 24B gezeigt ist, sind Abschnitte in der Nähe von beiden Enden des leitenden Körpers 1 in Kontakt mit dem Masseanschluß 5a (sie sind elektrisch mit diesem verbunden) in diesem oberflächenmon­ tierbaren Gehäuse.

Wie es in Fig. 24C gezeigt ist können der leitende Körper 1 und der Masseanschluß 5a auch mittels eines Ver­ bindungsdrahts 23 elektrisch verbunden werden.

Für das oberflächenmontierbare Gehäuse der achten Aus­ führungsform gilt: (a) der aus Metall oder dergleichen her­ gestellte leitende Körper 1 wird dazu verwendet, den Masse­ leiter, der in diesem Gehäuse vorgesehen ist, zu verstär­ ken, (b) der Signalpfad 8, der aus einer stetigen Mikro­ streifenleitung besteht (es ist auch die Verbindung einer an Masse gelegten koplanaren Leitung denkbar), wird derart verwendet, daß jeder Teil der Signalleitung 8 in dem selben Abstand von dem umgebenden Masseleiter (leitenden Körper 1) angeordnet ist und (c) die Schaltkreismuster sind feiner ausgebildet, so daß der Masseleiter (leitende Körper 1) in unmittelbarer Nähe des Signalpfads 8 angeordnet ist. Auf­ grund dessen können bessere Hochfrequenz-Charakteristika bzw. bessere Hochfrequenz-Eigenschaften trotz der oberflä­ chenmontierbaren Auslegung des Gehäuses erreicht werden.

Die vorliegende Erfindung schafft ein oberflächenmon­ tierbares Gehäuse, das bei Frequenzen im K-Band und auch in höheren Frequenzbändern betrieben werden kann. Gemäß einer Ausführungsform weist das oberflächenmontierbare Gehäuse auf: einen dielektrischen Körper, der im wesentlichen aus einer dielektrischen Substanz hergestellt ist, einen steti­ gen und planaren Masseleiter der das meiste einer Haupt­ oberfläche und von Seitenflächen des dielektrischen Körpers bedeckt, und eine Vielzahl von Signalpfaden in der Ausge­ staltung einer koplanaren Leitung, die an bzw. auf Ab­ schnitten der Hauptoberflächen und der Seitenflächen ange­ ordnet sind, die nicht von dem Masseleiter bedeckt sind. Ferner weist das oberflächenmontierbare Gehäuse eine stabi­ le Impedanz in dieser Ausgestaltung auf, während es in der Lage ist, bei Frequenzen im K-Band und höheren Frequenzbän­ dern, wie beispielsweise' bei Frequenzen bis zu 40 GHz, zu arbeiten.

Claims (12)

1. Oberflächenmontierbares Gehäuse, das aufweist:
einen Körper (4), der im Wesentlichen aus einer dielektrischen Substanz hergestellt ist;
einen Masseleiter (17) in stetiger und koplanarer Aus­ gestaltung, der das meiste einer Hauptoberfläche und von Seitenflächen des Körpers (4) bedeckt; und
zumindest einen Signalpfad (8) in der Ausgestaltung einer koplanaren Leitung, die an Teilen der Hauptoberfläche und den Seitenflächen angeordnet ist, die nicht durch den Masseleiter (17) bedeckt sind.

2. Oberflächenmontierbares Gehäuse nach Anspruch 1, worin Durchgangslöcher (6) derart vorgesehen sind, daß sie den Körper (4) derart durchdringen, daß sie sich von einem Ab­ schnitt des Masseleiters (17), der eine vordere Oberfläche des Körpers (4) bedeckt, zu einem Abschnitt des Masselei­ ters (17), der auf einer hinteren Oberfläche des Körpers (4) angeordnet ist, erstrecken.

3. Oberflächenmontierbares Gehäuse nach Anspruch 1, worin die Hauptoberfläche des Körpers (4) in der Ausgestaltung einer abgeschrägten Aushöhlung ausgebildet ist.

4. Oberflächenmontierbares Gehäuse, das aufweist:
einen Körper (1), der im Wesentlichen aus einem Leiter hergestellt ist;
ein dielektrisches Teil (13, 19, 22), das aus einer dielektrischen Substanz hergestellt ist, wobei das Teil (13, 19, 22) auf dem Körper (1) montiert ist; und
zumindest einen Signalpfad (8, 20), der , auf dem dielektrischen Teil (13, 19, 22) montiert ist.

5. Oberflächenmontierbares Gehäuse nach Anspruch 4, worin der Körper (1) zumindest eine Aushöhlung (18) aufweist, die an einer Seitenfläche von diesem ausgebildet ist, wobei das dielektrische Teil (19) in der Ausgestaltung eines Blocks in diese Aushöhlung (18) eingepaßt ist, und wobei der Signalpfad (8) in der Ausgestaltung einer koplanaren Leitung auf dem dielektrischen Teil (19) angeordnet ist und von einer vorderen Oberfläche des dielektrischen Teils (19) über eine Seitenfläche des Teils (19) zu einer hinteren Oberfläche des Teils (19) verläuft.

6. Oberflächeninontierbares Gehäuse nach Anspruch 4, worin der Körper (1) zumindest ein Durchgangsloch (21) aufweist, das in dem Körper derart ausgebildet ist, daß es diesen von einer vorderen Oberfläche zu einer hinteren Oberfläche von diesem durchdringt, wobei das dielektrische Teil (13) in der Ausgestaltung eines Blocks in das Durchgangsloch (21) eingepaßt ist, und wobei der Signalpfad (20) in dem dielek­ trischen Teil (13) derart angeordnet ist, daß er diesen von einer vorderen Oberfläche des dielektrischen Teils (13) durch das Teil (13) zu einer hinteren Oberfläche des Teils (13) durchdringt.

7. Oberflächenmontierbares Gehäuse nach Anspruch 4, worin das dielektrische Teil (22) in der Ausgestaltung einer Schicht derart auf dem Körper (1) ausgebildet ist, daß es stetig von einer vorderen Oberfläche des Körpers (1) über eine Seitenoberfläche des Körpers (1) zu einer hinteren Oberfläche des Körpers (1) verläuft, wobei der Signalpfad (8) aus einer Mikrostreifenleitung oder einer an Masse ge­ legten koplanaren Leitung besteht, die auf dem dielektri­ schen Teil (22) derart angeordnet ist, daß sie von einer vorderen Oberfläche des dielektrischen Teils (22) über eine Seitenfläche des Teils (22) zu einer hinteren Oberfläche des Teils (22) verläuft.

8. Oberflächenmontierbares Gehäuse nach Anspruch 4, worin der Körper (1) zumindest eine Seitenfläche aufweist, die in einer abgeschrägten Ausgestaltung ausgebildet ist, wobei das dielektrische Teil (22) in der Ausgestaltung einer Schicht auf der abgeschrägten Seitenfläche des Körpers (1) angeordnet ist, und wobei der Signalpfad (8) aus einer Mi­ krostreifenleitung oder einer an Masse gelegten koplanaren Leitung besteht, die auf dem dielektrischen Teil (22) angeordnet ist.

9. Oberflächenmontierbares Gehäuse nach Anspruch 4, worin der Körper (1) eine Hauptoberfläche aufweist, die in der Ausgestaltung ein abgeschrägten Aushöhlung ausgebildet ist, wobei das dielektrische Teil (22) in der Ausgestaltung einer Schicht auf der Hauptoberfläche angeordnet ist, und wobei der Signalpfad (8) aus einer Mikrostreifenleitung oder einer an Masse gelegten koplanaren Leitung besteht, die auf dem dielektrischen Teil (22) angeordnet ist.

10. Halbleitervorrichtung, die durch Montieren eines inte­ grierten Schaltkreises (11) auf einem Montagegebiet für einen integrierten Schaltkreis eines oberflächeninontierba­ ren Gehäuses hergestellt ist, wobei das oberflächenmontier­ bare Gehäuse aufweist:
einen Körper (4), der im Wesentlichen aus einer dielektrischen Substanz hergestellt ist;
einen Masseleiter (17) in einer stetigen und koplana­ ren Ausgestaltung, der das meiste einer Hauptoberfläche und von Seitenflächen des Körpers (4) bedeckt; und
zumindest einen Signalpfad (8) in der Ausgestaltung einer koplanaren Leitung, der auf Teilen der Hauptoberflä­ che und der Seitenflächen angeordnet ist, die nicht von dem Masseleiter (17) bedeckt sind.

11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, worin Durch­ gangslöcher (6) derart vorgesehen sind, daß sie den Körper (4) derart durchdringen, daß sie sich von einem Abschnitt des Masseleiters (17), der eine vordere Oberfläche des Kör­ pers (4) bedeckt, zu einem Abschnitt des Masseleiters (17), der auf einer hinteren Oberfläche des Körpers (4) angeord­ net ist, erstrecken.

12. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, worin die Hauptoberfläche des Körpers (4) in der Ausgestaltung einer abgeschrägten Aushöhlung ausgebildet ist.