DE19830162A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Substraten - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von SubstratenInfo
- Publication number
- DE19830162A1 DE19830162A1 DE19830162A DE19830162A DE19830162A1 DE 19830162 A1 DE19830162 A1 DE 19830162A1 DE 19830162 A DE19830162 A DE 19830162A DE 19830162 A DE19830162 A DE 19830162A DE 19830162 A1 DE19830162 A1 DE 19830162A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrates
- cleaning
- batch
- cleaning device
- basin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H10P72/0416—
-
- H10P52/00—
-
- H10P72/0412—
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
Bei einem Verfahren und einer Vorrichtung zum Reinigen von Substraten (8) werden die Substrate (8) jeweils einzeln in wenigstens einer Grobreinigungseinrichtung (10, 11) naß vorgereinigt, anschließend im nassen Zustand in ein mit Behandlungsfluid gefülltes Sammelbecken (30) transportiert, in dem Sammelbecken (30) gesammelt und beim Erreichen einer bestimmten Anzahl in dem Sammelbecken (30) gemeinsam als eine Charge in nassen Zustand in eine Feinreinigungseinrichtung (35) transportiert. In der Feinreinigungseinrichtung (35) wird die Charge aus Substraten (8) naß endgereinigt und nachfolgend getrocknet.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren
und eine Vorrichtung zum Reinigen von Substraten.
In der Halbleiterindustrie werden Halbleiter-Wafer unter
schiedlichen Verfahrensschritten, wie z. B Beschichtungs-,
Maskierungs-, Ätz-, Dotierungs-, Poliervorgängen usw.
ausgesetzt. Dazwischen kann es notwendig sein, die Sub
strate zu reinigen. Insbesondere nach einem Polierschritt
ist es erforderlich, die polierten Substrate zu reinigen,
da an ihnen in der Regel Abrieb-Teilchen der Substrate,
sowie Polierflüssigkeit anhaften.
Bei herkömmlichen Verfahren zum Reinigen von Substraten
nach einem Poliervorgang werden die Substrate von der Po
liervorrichtung zu einer Bürstenreinigungsanlage trans
portiert, in der sie einzeln mittels rotierender Bürsten
und einer Reinigungsflüssigkeit gereinigt und anschlie
ßend getrocknet werden. Da diese Bürstenreinigung in der
Regel nicht ausreichend ist, werden die getrockneten Sub
strate gesammelt und später in eine Feinreinigungsvor
richtung, wie sie beispielsweise aus der DE-A-44 13 077,
der DE-A-195 46 990 oder der DE-A-196 37 875 derselben
Anmelderin bekannt sind, eingesetzt. In dieser Feinreini
gungsanlage werden die in einer Charge befindlichen Sub
strate gemeinsam in eine Behandlungsflüssigkeit einge
taucht und in ihr beispielsweise durch Erzeugen einer
Strömung in dem Behandlungsbecken endgereinigt. Nachfol
gend werden die Substrate aus der Feinreinigungsvorrich
tung herausbewegt und getrocknet, wobei die Trocknung
durch langsames Herausheben der Substrate aus der Behand
lungsflüssigkeit erfolgt. Durch ein über der Behandlungs
flüssigkeit eingeleitetes Fluid wird gemäß dem "Marango
ni-Effekt", der in der EP-A-0 385 536 beschrieben ist,
der Trocknungsvorgang beschleunigt.
Bei diesem bekannten Verfahren ist zwischen der Einzel
reinigung der Substrate in den Bürstenreinigungsanlagen
und der chargenweisen Reinigung in der Feinreinigungsvor
richtung eine Trocknung der jeweiligen Substrate notwen
dig, die z. B. durch Schleudern oder Wärmebehandlung der
Wafer erfolgt. Diese Trocknung ist bei herkömmlichen Ver
fahren notwendig, da die bei der Bürstenreinigung verwen
dete Behandlungsflüssigkeit ansonsten an dem Wafer anhaf
ten würde und Schlieren erzeugt, die bei einer nachfol
genden Reinigung schwer zu entfernen sind. Die getrockne
ten Wafer müssen dann zwischengelagert und gesammelt wer
den, um als eine Charge in die Feinreinigungsvorrichtung
eingesetzt zu werden.
Dieser Trocknungsschritt zwischen der Bürstenreinigung
und der Feinreinigung ist aufwendig und birgt die Gefahr
einer Beschädigung des Wafers durch das Schleudern bzw.
die Wärmebehandlung in sich.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zu
grunde, ein vereinfachtes und verbessertes Verfahren und
eine verbesserte und vereinfachte Vorrichtung zum Reini
gen von Substraten vorzusehen, mit dem bzw. mit der die
Behandlung der Substrate beschleunigt und damit die Pro
duktivität erhöht wird.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß bei
einem Verfahren zum Reinigen von Substraten die Substrate
jeweils einzeln in einer Grobreinigungsvorrichtung naß
vorgereinigt werden, die Substrate nachfolgend im nassen
Zustand in ein mit Behandlungsfluid gefülltes Sammelbecken
transportiert werden, die Substrate in dem Sammelbecken
gesammelt werden, die Substrate beim Erreichen einer
bestimmten Anzahl in dem Sammelbecken gemeinsam als eine
Charge im nassen Zustand in eine Feinreinigungsvorrich
tung transportiert, die Substrate in der Feinreinigungs
vorrichtung naß endgereinigt werden, und die Charge nach
folgend getrocknet wird.
Indem die Substrate ohne Zwischentrocknung in ein mit Be
handlungsfluid gefülltes Sammelbecken transportiert wer
den, bevor die Substrate beim Erreichen einer bestimmten
Anzahl als eine Charge wiederum im nassen Zustand in die
Feinreinigungsvorrichtung transportiert werden, erübrigt
sich eine Trocknung der Substrate nach der Grobreinigung,
da durch die Aufbewahrung der Substrate in einer Flüssig
keit das Antrocknen der Flüssigkeit und die damit verbun
dene Schlierenbildung verhindert wird. Dadurch besteht
auch keine Gefahr einer Beschädigung der Substrate bei
einer Zwischentrocknung und ferner wird die Behandlungs
geschwindigkeit und damit die Effizienz der Vorrichtung
erhöht.
Für eine einfache und effektive Vorreinigung wird das
Substrat vorzugsweise mit einer sich drehenden Bürste und
einer Behandlungsflüssigkeit vorgereinigt.
Vorzugsweise wird das Substrat für eine gleichmäßige Vor
reinigung während derselben gedreht.
Um die Vorreinigungswirkung zu erhöhen, wird das Substrat
gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel mit Ultra
schallwellen bzw. mit Megasonic beschallt.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
wird das Substrat in zwei unterschiedlichen Grobreini
gungsvorrichtungen vorgereinigt und im nassen Zustand von
einer ersten Grobreinigungseinrichtung zu einer zweiten
Grobreinigungseinrichtung transportiert. Durch die Ver
wendung zweier Grobreinigungseinrichtungen wird die Vor
reinigungswirkung erhöht.
Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Er
findung werden die Substrate während der Verfahrens
schritte in einer im wesentlichen gleichen, vertikalen
Orientierung gehalten, wodurch insbesondere eine Trans
porteinrichtung für die Substrate vereinfacht werden
kann, da diese die Substrate zwischen den verschiedenen
Reinigungsschritten nicht drehen muß.
Zum Erreichen einer guten Endreinigungswirkung werden die
Substrate vollständig in eine Reinigungs- und/oder Spül
flüssigkeit eingetaucht und mit dieser umspült. Vorzugs
weise werden die Substrate zum Erhöhen der Reinigungswir
kung dabei mit Ultraschallwellen beschallt.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
werden die Substrate zum Trocknen aus der Reiniguns-
und/oder Spülflüssigkeit herausbewegt und in eine
Trocken-Transfer-Haube eingeführt und in dieser verriegelt.
Um den Trocknungsvorgang zu beschleunigen, wird vorzugs
weise über die Trocken-Transfer-Haube vor und/oder wäh
rend dem Herausbewegen der Substrate aus der Reinigungs- und/oder
Spülflüssigkeit ein Fluid in den Trocknungsbe
reich eingeleitet. Dabei ist das eingeleitete Fluid vor
zugsweise ein Gasgemisch aus Stickstoff und Isopropylal
kohol welche die Oberflächenspannung der Reinigungs- und/oder
Spülflüssigkeit verringert und dadurch ein bes
seres abfließen der Reinigungs- und/oder Spülflüssigkeit
beim Herausbewegen der Substrate bewirkt.
Die gestellte Aufgabe wird auch durch eine Vorrichtung
zum Naßreinigen von Substraten gelöst, die wenigstens ei
ne Einzelsubstrat-Grobreinigungseinrichtung mit einer
Flüssigkeitszufuhr zuvor und einem Behandlungsbehälter,
wenigstens ein mit Behandlungsfluid füllbares Sammelbecken
zur Aufnahme mehrerer Substrate, eine Chargen-
Feinreinigungseinrichtung mit einem Fluidbehälter und
wenigstens eine Transportvorrichtung aufweist, zum Trans
port der Substrate zwischen der Einzelsubstrat-Grobreini
gungseinrichtung und dem Sammelbecken einerseits und dem
Sammelbecken und der Chargen-Feinreinigungseinrichtung
andererseits.
Durch Vorsehen eines mit Behandlungsfluid füllbaren Sam
melbeckens zur Aufnahme mehrerer Substrate können die
Substrate nach einer Einzelsubstrat-Grobreinigung in dem
Sammelbecken zwischengelagert werden bevor sie chargen
weise in eine Feinreinigungseinrichtung transportiert
werden können. Durch die Zwischenlagerung in einem Be
handlungsfluid besteht keine Gefahr, daß die nach der
Grobreinigung an den Substraten anhaftende Flüssigkeit
antrocknet und Schlieren bildet. Damit kann auch der bis
her benötigten Trocknungsschritt zwischen einer Einzel-
Grobreinigung und einer Chargen-Feinreinigung mit der Ge
fahr einer Beschädigung der Substrate entfallen. Darüber
hinaus wird die Behandlungsgeschwindigkeit und somit die
Effizienz der Vorrichtung erhöht.
Für eine gute Grobreinigungswirkung weist die Einzelsub
strat-Grobreinigungseinrichtung wenigstens eine drehbare
Bürste auf. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung
weist die Einzelsubstrat-Grobreinigungseinrichtung wenig
stens eine drehbare Andrückrolle auf, um das Substrat
während der Grobreinigung zu drehen und dadurch eine
gleichmäßige Reinigungswirkung zu erhalten.
Zur Erhöhung der Reinigungswirkung weist die Einzelsub
strat-Grobreinigungseinrichtung wenigstens einen Ultra
schallsender auf. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung weist die Einzelsubstrat-Grobreinigungs
einrichtung zwei Behandlungsbecken mit jeweils wenigstens
einer Flüssigkeitszufuhr und wenigstens einer Bürste auf.
Hierdurch kann eine zweistufige und bessere Vorreinigung
der Substrate erreicht werden.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
weisen die Einzelsubstrat-Grobreinigungseinrichtung, daß
Sammelbecken, die Chargen-Feinreinigungseinrichtung sowie
die Transportvorrichtung jeweils Haltemittel auf, um die
Substrate in einer im wesentlichen gleichen, vorzugsweise
vertikalen Ausrichtung zu halten. Hierdurch wird insbe
sondere die Transportvorrichtung vereinfacht, da diese
das Substrat während des Transports nicht in eine andere
Ausrichtung drehen muß. Vorteilhafterweise werden die
Substrate im wesentlichen vertikal gehalten, um eine Kom
patibilität mit bekannten Chargen-Feinreinigungsein
richtungen zu erreichen.
Vorzugsweise weist die Chargen-Feinreinigungseinrichtung
wenigstens einen Einlaß für Reinigungs- und/oder Spül
flüssigkeit, sowie wenigstens einen Ultraschallsender
auf, um eine gute Endreinigungswirkung zu erreichen.
Um das Einbringen und Ausbringen der Substrate in bzw.
aus der Chargen-Feinreinigungseinrichtung zu erleichtern
weist sie eine Anheb- und Absenkvorrichtung für die Sub
strate auf.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
weist die Transportvorrichtung eine Trocken-Transport-
Haube mit Haltemitteln für die Substrate auf. Durch die
Haltemittel in der Trocken-Transport-Haube wird ermög
licht, das die Substrate alleine, d. h. ohne einen ent
sprechenden Substratträger aufgenommen und transportiert
werden können was die Gefahr einer Verunreinigung der
Substrate durch einen Substratträger verringert.
Zur Beschleunigung eines Trocknungsvorgangs, beim Heraus
heben der Substrate aus einer in dem Fluidbehälter der
Chargen-Feinreinigungseinrichtung befindlichen Flüssig
keit, weist die Trocken-Transport-Haube Mittel zum Ein
leiten eines Fluids in einen über einer Oberfläche der
besagten Flüssigkeit befindlichen Trocknungsbereich auf.
Vorzugsweise weist die Transportvorrichtung eine Naß-
Transport-Haube zum Transport einer Charge aus Substraten
von einem Sammelbecken zu der Chargen-Feinreinigungsein
richtung auf. Durch die Verwendung einer Naß-Transport-
Haube neben der Trocken-Transport-Haube wird sicherge
stellt, daß die Trocken-Transport-Haube immer trocken
ist, und somit die aufgenommen Substrate nicht verunrei
nigt.
Für einen einfachen und platzsparenden Aufbau, sind die
Einzelsubstrat-Grobreinigungseinrichtungen, daß Aufnahme- und
Sammelbecken sowie die Chargen-Feinreinigungs
einrichtung in einer Reihe angeordnet. Hierdurch wird
auch die Transportvorrichtung vereinfacht, da diese nur
lineare Bewegungen ausführen muß.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
weist die Vorrichtung einen Eingabebereich mit einer Auf
nahme sowie ein mit Flüssigkeit füllbares Eingangsbecken
auf. Der Eingabebereich mit einer Aufnahme bringt den
Vorteil, daß ein externer Händler ohne genaue zeitige Ko
ordinierung mit den Einzelsubstrat-
Grobreinigungseinrichtungen Substrate an die Vorrichtung
liefern kann. Das mit Flüssigkeit füllbare Eingangsbecken
verhindert gegebenenfalls ein antrocknen von an den Sub
straten anhaftenden Flüssigkeiten vor einer Grobreini
gung.
Für eine platzsparenden Aufbau der Gesamtvorrichtung so
wie eine Vereinfachung der Transportvorrichtung sind die
Einzelsubstrat-Grobreinigungseinrichtung, daß Sammelbecken,
die Chargen-Feinreinigungseinrichtung, der Eingabe
bereich sowie das Eingangsbecken in einer Reihe angeord
net.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines bevorzugten
Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnungen
erläutert; in den Zeichnungen zeigt:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer Reini
gungsvorrichtung für Substrate gemäß der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine Draufsicht auf die Reinigungsvorrich
tung gemäß Fig. 1;
Fig. 3a und b eine Längsschnittansicht durch ein erstes
Modul der Reinigungsvorrichtung gem. Fig.
1 und eine Querschnittansicht durch eine
Bürstenreinigungsvorrichtung des ersten
Moduls;
Fig. 4 eine schematische Schnittansicht einer
Feinreinigungsvorrichtung.
Die Fig. 1 und 2 zeigen die erfindungsgemäße Reini
gungsvorrichtung 1, die im wesentlichen aus zwei Modulen
2 und 3 sowie einer die zwei Module bedienenden Trans
portvorrichtung 4 aufgebaut ist. Das erste Modul 2 bildet
eine Eingabe- und Vorreinigungsstation, während das zwei
te Modul 3 eine Sammel-, Feinreinigungs- und Ausgabesta
tion bildet.
Das Modul 2 weist einen Wafereingabebereich 5 mit einem
Aufnahme- und Halteelement 7 für einen Wafer 8 auf. Das
Aufnahme- und Halteelement 7 ist derart angeordnet, daß
der Wafer 8 in einer vertikalen Position gehalten wird.
Der Wafer 8 wird über einen externen, nicht dargestell
ten, Händler von einer Polierstation abgenommen, gegebe
nenfalls in die vertikale Position gedreht, und in die
Aufnahme- und Haltevorrichtung 7 eingesetzt.
Benachbart zu dem Aufnahmebereich 5 ist ein Aufnahmebecken
9 vorgesehen, welches mit einem Fluid wie beispiels
weise DI-Wasser gefüllt ist, und mehrere Wafer wie z. B.
5 Wafer aufnehmen kann.
Das Modul 2 weist ferner erste und zweite Bürstenreini
gungseinrichtungen 10 und 11 auf, die benachbart zu der
dem Aufnahmebecken 9 gegenüberliegenden Seite des Aufnah
mebereichs 5 angeordnet sind. Die erste Bürstenreini
gungseinrichtung 10 weist wie am besten in Fig. 3a und b
zu sehen ist, einen Deckel 14 und ein Behandlungsbecken
15 mit Überlauf auf, das von unten mit einer Behandlungs
flüssigkeit 16 befüllt wird. Innerhalb des Beckens 15 ist
ein Waferaufnahmeelement 17 in Form einer 3-Punkt Auflage
derart angeordnet, daß es einen in das Becken 15 einge
setzten Wafer 8 so hält, daß dieser halb in die Behand
lungsflüssigkeit 16 eingetaucht ist und vertikal gehalten
wird. Die Bürstenreinigungseinrichtung 10 weist ferner
zwei Bürstenrollen 20, 21 auf, die jeweils auf entgegen
gesetzten Seiten eines in das Becken 15 eingesetzten Wa
fers angeordnet sind, sowie zwei Andrückrollen 22, 24,
die bei der Reinigung am Rand des Wafers 8 anliegen, um
diesen zu drehen. Die Bürstenrollen 20, 21 erstrecken
sich in Längsrichtung des Beckens 15 und sind derart
oberhalb des Beckens 15 angeordnet, das sie sich zumin
dest teilweise in die Behandlungsflüssigkeit 16 im Becken
15 erstrecken. Die Bürstenrollen 20, 21 sind zur Reini
gung eines in das Becken 15 eingesetzten Wafers 8 dreh
bar. Ferner weisen die Bürstenrollen einen Fluidkanal in
ihrem Inneren auf, über den Behandlungsfluid von innen
zur Außenseite der Bürstenrollen geleitet wird.
In der ersten Bürstenreinigungseinrichtung 10 ist ferner
wenigstens ein Ultraschallsender vorgesehen, um den Wafer
zur besseren Reinigung mit Ultraschallwellen zu beschal
len.
Die zweite Bürstenreinigungseinrichtung 11 ist im wesent
lichen genauso aufgebaut wie das erste Bürstenbecken, je
doch ohne Ultraschallsender.
Der Eingabebereich 5, das Aufbewahrungs- und Sammelbecken
8, sowie die Bürstenbecken 10 und 11 sind in einer Reihe
in dem Modul 2 angeordnet.
Das Modul 3 schließt seitlich direkt an das Modul 2 an,
und zwar benachbart zu der zweiten Bürstenreinigungsein
richtung 11. Benachbart zu der Bürstenreinigungseinrich
tung 11 weist das Modul 3 ein Aufbewahrungs- und Sammel
becken 30 auf, das zur Aufnahme einer größeren Anzahl von
Halbleiterwafern 8, wie z. B. 25 Halbleiterwafern, geeig
net ist. Zu diesem Zweck weist das Sammelbecken 30 eine
nicht näher dargestellte Aufnahmevorrichtung sowie eine
Anheb- und/oder Absenkvorrichtung für die Halbleiterwafer
8 auf. Das Sammelbecken 30 ist mit einem Behandlungs
fluid, wie z. B. DI-Wasser, derart gefüllt, daß die in
dem Sammelbehälter 30 aufgenommenen Halbleiterwafer 8
vollständig in das Fluid eingetaucht sind. Das Becken 30
kann ein Überlaufbecken sein, obwohl dies nicht darge
stellt ist.
Benachbart zum Sammelbecken 30 ist eine Feinreinigungs
einrichtung 35 vorgesehen, die am besten in Fig. 4 zu se
hen ist.
Der Aufbau einer derartigen Feinreinigungseinrichtung 35
ist beispielsweise in der DE-A-44 13 077, der DE-A-195 46 990
oder der DE-A-196 37 875 derselben Anmelderin be
schrieben, deren Inhalte zum Gegenstand der vorliegenden
Anmeldung gemacht wird, um Wiederholungen zu vermeiden.
Als Grundelemente weist die Feinreinigungseinrichtung 35
ein Behandlungsbecken 36 auf, das wahlweise gleichzeitig
und/oder abwechselnd mit einem Behandlungsfluid, wie z. B.
einer Ätzflüssigkeit, einer chemischen Reinigungsflüs
sigkeit und/oder einer Spülflüssigkeit gefüllt wird. Fer
ner ist in dem Becken eine Anheb- und Absenkvorrichtung
37 in der Form eines Messers für die Halbleiterwafer 8
vorgesehen. Die Feinreinigungseinrichtung 35 weist ferner
wenigstens einen nicht dargestellten Ultraschallsender
auf, um die in dem Behandlungsbecken 36 und dem Behand
lungsfluid befindlichen Wafer mit Ultraschallwellen zu
beschallen. Im unteren Bereich des Behandlungsbeckens 36
sind Einlaßdüsen 38 für das Behandlungsfluid, sowie ein
Auslaß 39 in der Form eines Quick-Dump-Ventils vorgese
hen, über das das Behandlungsfluid abgelassen wird.
Benachbart zu der Feinreinigungseinrichtung 35 ist eine
Ausgabestation 40 vorgesehen, auf der die gereinigten und
getrockneten Wafer abgelegt werden, und von der aus diese
abtransportiert werden.
Die die beiden Module 2 und 3 bedienende Transportvor
richtung 4 weist einen ersten horizontal und vertikal be
wegbaren Händler 50 auf, zum Transport der Wafer 8 vom
Eingabebereich 5 in das Aufnahmebecken 9 und vom Aufnah
mebecken 9 zur ersten Bürstenreinigungseinrichtung 10.
Der Händler 50 weist in bekannter Weise eine Greifvor
richtung 51 für die Wafer 8 auf, die als sogenannter Ed
ge-Gripper ausgebildet ist. Die Greifvorrichtung ist über
Verbindungselemente 52 beabstandet zu und vertikal beweg
bar zu einer ersten Vertikalstrebe 55 der Transportvor
richtung 4 mit dieser verbunden. Die Vertikalstrebe 55
ist wiederum horizontal bewegbar an Horizontalstreben 56,
57 der Transportvorrichtung 4 angebracht. Die Vertikalbe
wegung der Greifvorrichtung erfolgt somit entlang der
Strebe 55, während die Horizontalbewegung durch eine Be
wegung der Strebe 55 entlang der Streben 56, 57 erfolgt.
Die Transportvorrichtung 4 weist ferner einen zweiten
Händler 60 auf, der im wesentlichen dem ersten Händler 50
gleicht, und der wiederum entlang Vertikal- und Horizon
talstreben vertikal und horizontal bewegbar ist. Der
Händler 60 dient zum Transport der einzelnen Wafer 8 von
der ersten Bürstenreinigungseinrichtung 10 in die zweite
Bürstenreinigungseinrichtung 11 und aus der zweiten Bür
stenreinigungseinrichtung 11 in das Aufbewahrungs- und
Sammelbecken 30 des zweiten Moduls 3.
Die Transportvorrichtung 4 weist ferner eine Naß-
Transfer-Haube 65 zum Transport einer Charge von Wafern
aus dem Sammelbecken 30 in die Feinreinigungseinrichtung
35 auf. Eine derartige Naß-Transfer-Haube 65 ist bei
spielsweise aus der DE-A-196 52 526 derselben Anmelderin
bekannt, die insofern zum Gegenstand der vorliegenden An
meldung gemacht wird, um Wiederholungen zu vermeiden.
Die Transportvorrichtung 4 weist ferner eine Trocken-
Transfer-Haube 70 auf, die beispielsweise in der DE-A-196 52 526
derselben Anmelderin beschrieben ist. Um Wiederho
lungen zu vermeiden, wird der Inhalt der Voranmeldung in
sofern zum Gegenstand der vorliegenden Anmeldung gemacht.
Die Trocken-Transfer-Haube 70, die schematisch in Fig. 4
gezeigt ist, dient zur Aufnahme der aus dem Behandlungs
becken 36 herausgehobenen Wafer und zum Transport dersel
ben zu der Ausgabestation 40. Die Trocken-Transfer-Haube
weist seitliche Führungen 71 zur Aufnahme und Führung der
Wafer 8, sowie ein Verriegelungselement 72 auf, um die
aufgenommenen Wafer zu halten. Ferner weist der Deckel 70
eine Gaszufuhr 75 auf, über die ein Gasgemisch, das bei
spielsweise aus Stickstoff und Isopropylalkohol (N2/IPA)
besteht, eingeführt werden kann.
Das Sammelbecken 30, die Feinreinigungseinrichtung 35 so
wie die Ausgabeeinheit 40 sind in einer Reihe mit dem
Eingabebereich 5, dem Aufnahme- und Sammelbecken 8, und
den ersten und zweiten Bürstenreinigungseinrichtungen 10
und 11 angeordnet.
Beim Betrieb der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird ein
Wafer 8 von einem externen, dicht gezeigten Naß-Roboter
von einer nicht gezeigten Polisher-Output-Station aufge
nommen, gegebenenfalls in eine vertikale Position gedreht
und auf dem Aufnahme- und Halteelement 7 des Eingabebe
reichs 5 abgelegt. Nachfolgend greift der Händler 50 den
Wafer und transportiert ihn zunächst in das flüssigkeits
gefüllte Aufnahmebecken 9, und legt diesen darin ab. Das
Aufnahmebecken 9 kann beispielsweise bis zu fünf Wafer
aufnehmen.
Nachfolgend holt der Händler 50 den Wafer wieder aus dem
Aufnahmebecken 9 heraus und fährt ihn über die erste Bür
stenreinigungseinrichtung 10, dessen Deckel 14 sich öff
net. Der Händler 50 legt den Wafer auf der Auflage 17 im
Behandlungsbecken 15 ab und bewegt sich aus der Bürsten
reinigungseinrichtung heraus. Die Andrückrollen 22, 24
und die Bürstenrollen 20, 21 werden mit dem Wafer in Ein
griff gebracht, und das Behandlungsbecken 15 wird bis zum
Überlaufen mit einer Flüssigkeit 16, wie beispielsweise
DI-Wasser gefüllt, so daß der Wafer 8 halb eingetaucht
ist. Die Bürstenrollen 20, 21 werden gedreht und drücken
dadurch den Wafer 8 leicht nach oben gegen die Andrück
rollen 22, 24, wodurch der Wafer 8 von der Aufnahme 17
abgehoben wird und durch die sich drehenden Andrückrollen
22, 24 in eine Drehbewegung versetzt wird. Durch die Bür
stenrollen 20, 21 wird der Wafer grob gereinigt. Während
dieses Bürstens wird der Ultraschallsender aktiviert, um
dadurch die Reinigungswirkung zu erhöhen. Die Drehge
schwindigkeit der Bürstenrollen 20, 21 und der Andrück
rollen 22, 24 wird gegen Ende der Reinigung verlangsamt,
wodurch der Wafer 8 wieder in die Aufnahme 7 abgesenkt
wird. Die Bürstenrollen 20, 21 und die Andrückrollen 22,
24 werden vom Wafer 8 weg bewegt und der Deckel 14 der
Bürstenreinigungseinrichtung 10 öffnet sich. Der zweite
Händler 60 bewegt sich über die erste Bürstenreinigungs
einrichtung 10, greift den Wafer 8 und transportiert ihn
in die zweite Bürstenreinigungseinrichtung 11, wo er den
Wafer 8 auf einer Auflage ablegt. Im Bürstenbecken 11
wird der Reinigungsvorgang vom ersten Bürstenbecken 10 im
wesentlichen wiederholt, wobei diesmal kein Ultraschall
eingesetzt wird, und das im Behandlungsbecken befindliche
Wasser auch nicht zum Überlaufen gebracht wird.
Nach der Reinigung in der zweiten Bürstenreinigungsein
richtung 11 wird der Wafer durch den zweiten Händler 60
ergriffen, über das Sammelbecken 30 transportiert und in
die darin befindliche Aufnahmevorrichtung eingesetzt. Die
vorangegangenen Schritte werden mit jeweils neuen Wafern
wiederholt, bis alle Plätze im Sammelbecken 30 besetzt
sind.
Wenn alle Plätze im Sammelbecken 30 besetzt sind, wird
die Naß-Transfer-Haube 65 über das Sammelbecken 30 be
wegt, und alle Wafer 8 werden gemeinsam aus dem Sammel
becken 30 in die Naß-Transfer-Haube 65 gehoben und ver
riegelt. Wenn die Wafer 8 in der Naß-Transfer-Haube 65
verriegelt sind, fährt sie über die Feinreinigungsein
richtung 35. Die in dem Behandlungsbecken 36 befindliche
Anheb- und Absenkvorrichtung 37 wird hochgefahren, um die
in der Naß-Transfer-Haube 65 aufgenommenen Wafer 8 aufzu
nehmen. Daraufhin löst sich der Verriegelungsmechanismus
der Naß-Transfer-Haube 65 und die Wafer 8 werden gemein
sam über die Anheb-/Absenkvorrichtung 37 in das Behand
lungsbecken 36, das mit einem Behandlungsfluid, wie z. B.
DI-Wasser gefüllt ist, abgesenkt. Aus den Düsen 38 im
Beckenboden wird Reinigungsflüssigkeit zwischen die Wafer
8 gespritzt. Das DI-Wasser im Behälter wird dabei nach
oben verdrängt und läuft über einen Überlauf ab. Der Ul
traschallsender wird für eine bestimmte Behandlungszeit
aktiviert. Nachfolgend wird die Reinigungsflüssigkeit
mittels eines Schnellablaßventils (Quick Dump) 39 nach
unten abgelassen und der Behälter wird wiederum von unten
mit DI-Wasser gefüllt. Die Trocken-Transfer-Haube 70 wird
über das Behandlungsbecken 36 bewegt, und über die Haube
70 wird ein Gasgemisch, wie beispielsweise N2/IPA als
Schicht über die Oberfläche des DI-Wassers eingeleitet.
Anschließend werden die Wafer 8 gemeinsam mit der An
heb-/Absenkvorrichtung 37 aus dem DI-Wasser in die Trocken-
Transfer-Haube 70 gehoben. Wenn sich die Wafer 8 in der
Trocken-Transfer-Haube 70 befinden, wird der Verriege
lungsmechanismus 72 der Haube betätigt, um die Wafer 8 zu
halten.
Nachfolgend fährt die Trocken-Transfer-Haube 70 über die
Ausgabestation 40 und legt die Wafer 8 durch Öffnen des
Verriegelungsmechanismus 72 auf einer Waferaufnahme der
Ausgabestation 40 ab. Von der Ausgabestation werden die
Wafer 8 mit einem externen Trocken-Roboter abgeholt.
Die vorliegende Erfindung wurde anhand eines speziellen
Ausführungsbeispiels beschrieben. Die Erfindung ist aber
nicht auf dieses spezielle Ausführungsbeispiel be
schränkt. Beispielsweise wäre es denkbar, statt zwei Bür
stenreinigungseinrichtung 10, 11, nur eine Bürstenreini
gungseinrichtung vorzusehen, in der gegebenenfalls eine
einstufige oder auch mehrstufige Vorreinigung stattfin
det. Auch wäre es denkbar, das Aufnahmebecken 9 wegzulas
sen, und die Wafer direkt mit dem Händler 50 von dem Ein
gabebereich 5 in das erste Bürstenbecken 10 zu transpor
tieren. Dies setzt allerdings ein sehr genaues Timing
voraus, da der Wafer nicht zu lange in dem Aufnahmebe
reich verweilen sollte, da ansonsten an dem Wafer befind
liche Flüssigkeiten antrocknen könnten. Ferner ist es
auch möglich, daß die Wafer durch einen externen Roboter
direkt in das Aufnahmebecken 9 eingesetzt werden und der
Händler 50 die Wafer nur aus dem Aufnahme- und Sammelbecken
9 in die Bürstenreinigungseinrichtung 10 transpor
tiert.
Claims (36)
1. Verfahren zum Reinigen von Substraten (8), bei dem
- a) die Substrate (8) jeweils einzeln in wenigstens einer Grobreinigungseinrichtung (10, 11) naß vorgereinigt werden;
- b) die Substrate (8) nachfolgend im nassen Zustand in ein mit Behandlungsfluid gefülltes Sammel becken (30) transportiert werden;
- c) die Substrate (8) in dem Sammelbecken (30) ge sammelt werden;
- d) die Substrate (8) beim Erreichen einer bestimm ten Anzahl in dem Sammelbecken (30) gemeinsam als eine Charge im nassen Zustand in eine Fein reinigungseinrichtung (35) transportiert wer den;
- e) die Charge aus Substraten (8) in der Feinreini gungseinrichtung (35) naß endgereinigt wird; und
- f) die Charge nachfolgend getrocknet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat (8) mit wenigstens einer Bürste
(20, 21) und wenigstens einer Behandlungsflüssigkeit
(16) vorgereinigt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die wenigstens eine Bürste (20, 21) zum Vorrei
nigen des Substrats (8) gedreht wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß das Substrat (8) während der
Vorreinigung gedreht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das Substrat (8) bei der Vorrei
nigung mit Megasonic beschallt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß das Substrat (8) in zwei unter
schiedlichen Grobreinigungseinrichtungen (10, 11)
vorgereinigt wird, und im nassen Zustand von einer
ersten Grobreinigungseinrichtung (10) zu einer zwei
ten Grobreinigungseinrichtung (11) transportiert
wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Substrate (8) während der
Verfahrensschritte in einer im wesentlichen gleichen
Orientierung gehalten werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Substrate (8) im wesentlichen vertikal ge
halten werden.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die Substrate (8) bei der End
reinigung wenigstens einer Reinigungs- und/oder
Spülflüssigkeit ausgesetzt werden.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die Substrate (8) vollständig in die Reinigungs- und/oder
Spülflüssigkeit eingetaucht werden.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Substrate (8) mit der Reinigungs- und/oder
Spülflüssigkeit umspült werden.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß die Substrate (8) mit Megasonic
beschallt werden.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch
gekennzeichnet, daß die Substrate (8) nach der
Endreinigung zum Trocknen aus der Reinigungs- und/oder
Spülflüssigkeit herausbewegt werden.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß die Substrate (8) in eine Trocken-Transfer-Haube
eingeführt und in dieser verriegelt werden.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekenn
zeichnet, daß vor und/oder während dem Herausbewegen
der Substrate (8) aus der Reinigungs- und/oder Spül
flüssigkeit ein Fluid in den Trocknungsbereich ein
geleitet wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet,
daß das Fluid in die Trocken-Transfer-Haube (70)
eingeleitet wird.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Fluid ein Gasgemisch aus Stick
stoff und Isopropylalkohol ist.
18. Vorrichtung zum Naßreinigen von Substraten (8), die
folgendes aufweist:
wenigsten eine Einzelsubstrat-Grobreinigungseinrich tung (10, 11) mit einer Flüssigkeitszufuhr und einem Behandlungsbehälter (15);
wenigstens ein mit Behandlungsfluid füllbares Sam melbecken (30) zur Aufnahme mehrerer Substrate (8);
eine Chargen-Feinreinigungseinrichtung (35) mit ei nem Fluidbehälter (36); und
wenigstens eine Transportvorrichtung (4) zum Trans port der Substrate (8) zwischen der Einzelsubstrat- Grobreinigungseinrichtung (10, 11) und dem Sammel becken (30) einerseits und dem Sammelbecken (30) und der Chargen-Feinreinigungseinrichtung (35) anderer seits.
wenigsten eine Einzelsubstrat-Grobreinigungseinrich tung (10, 11) mit einer Flüssigkeitszufuhr und einem Behandlungsbehälter (15);
wenigstens ein mit Behandlungsfluid füllbares Sam melbecken (30) zur Aufnahme mehrerer Substrate (8);
eine Chargen-Feinreinigungseinrichtung (35) mit ei nem Fluidbehälter (36); und
wenigstens eine Transportvorrichtung (4) zum Trans port der Substrate (8) zwischen der Einzelsubstrat- Grobreinigungseinrichtung (10, 11) und dem Sammel becken (30) einerseits und dem Sammelbecken (30) und der Chargen-Feinreinigungseinrichtung (35) anderer seits.
19. Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeich
net, daß die Einzelsubstrat-Grobreinigungseinrich
tung (10, 11) wenigstens eine Bürste (20, 21) auf
weist.
20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeich
net, daß die wenigstens eine Bürste (20, 21) zum
reinigen des Substrats (8) drehbar ist.
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 20, da
durch gekennzeichnet, daß die Einzelsubstrat-Grob
reinigungseinrichtung (10, 11) wenigstens eine dreh
bare Andrückrolle (22, 24) aufweist.
22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 21, da
durch gekennzeichnet, daß die Einzelsubstrat-Grob
reinigungseinrichtung (10) wenigstens einen Ultra
schallsender aufweist.
23. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 22, da
durch gekennzeichnet, daß die Einzelsubstrat-Grob
reinigungseinrichtung (10, 11) zwei Behandlungs
becken mit jeweils wenigstens einer Flüssigkeitszu
fuhr aufweist.
24. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeich
net, daß in jedem der Becken wenigstens eine Bürste
vorgesehen ist.
25. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 24, da
durch gekennzeichnet, daß die Einzelsubstrat-Grob
reinigungseinrichtung (10, 11), das Sammelbecken
(30), die Chargen-Feinreinigungseinrichtung (35) so
wie die Transportvorrichtung (4) jeweils Haltemittel
aufweisen, um die Substrate (8) in einer im wesent
lichen gleichen Ausrichtung zu halten.
26. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeich
net, daß die jeweiligen Haltevorrichtungen die Sub
strate (8) im wesentlichen vertikal halten.
27. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 26, da
durch gekennzeichnet, daß die Chargen-Feinreini
gungseinrichtung (35) wenigstens einen Einlaß (38)
für Reinigungs- und/oder Spülflüssigkeit aufweist.
28. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 27, da
durch gekennzeichnet, daß die Chargen-Feinreini
gungseinrichtung (35) wenigstens einen Ultraschall
sender aufweist.
29. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 28, da
durch gekennzeichnet, daß die Chargen-Feinreini
gungseinrichtung eine Anheb- und Absenkvorrichtung
(37) für die Substrate (8) aufweist.
30. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 29, da
durch gekennzeichnet, daß die Transportvorrichtung
(4) eine Trocken-Transport-Haube (70) mit Haltemit
teln (71, 72) für die Substrate (8) aufweist.
31. Vorrichtung nach Anspruch 30, dadurch gekennzeich
net, daß die Trocken-Transport-Haube (70) Mittel
(75) zum Einleiten eines Fluids in einen Trocknungs
bereich über einer Oberfläche einer in dem Fluidbe
hälter (36) befindlichen Flüssigkeit aufweist.
32. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 31, da
durch gekennzeichnet, daß die Transportvorrichtung
(4) eine Naß-Transport-Haube (60) zum Transport ei
ner Charge aus Substraten (8) von dem Sammelbecken
(30) zu der Chargen-Feinreinigungseinrichtung (35)
aufweist.
33. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 34, da
durch gekennzeichnet, daß die Einzelsubstrat-Grob
reinigungseinrichtungen (10, 11), das Aufnahme- und
Sammelbecken (30), sowie die Chargen-Feinreinigungs
einrichtung (35) in einer Reihe angeordnet sind.
34. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 32, ge
kennzeichnet durch einen Eingabebereich (5) mit ei
ner Aufnahme (7).
35. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 33, ge
kennzeichnet durch ein mit Flüssigkeit füllbares
Eingangsbecken (9).
36. Vorrichtung nach den Ansprüchen 34 und 35, dadurch
gekennzeichnet, daß die Einzelsubstrat-Grobreini
gungseinrichtung (10, 11), das Sammelbecken (30),
die Chargen-Feinreinigungseinrichtung (35), der Ein
gabebereich (5) sowie das Eingangsbecken (9) in ei
ner Reihe angeordnet sind.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19830162A DE19830162A1 (de) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Substraten |
| TW088111310A TW439135B (en) | 1998-07-06 | 1999-07-02 | Method and device for cleaning substrates |
| EP99934565A EP1101245A2 (de) | 1998-07-06 | 1999-07-03 | Verfahren und vorrichtung zum reinigen von substraten |
| KR1020017000196A KR20010071759A (ko) | 1998-07-06 | 1999-07-03 | 기판 세척 방법 및 장치 |
| PCT/EP1999/004633 WO2000002234A2 (de) | 1998-07-06 | 1999-07-03 | Verfahren und vorrichtung zum reinigen von substraten |
| JP2000558541A JP2002520132A (ja) | 1998-07-06 | 1999-07-03 | 基板をクリーニングする方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19830162A DE19830162A1 (de) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Substraten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19830162A1 true DE19830162A1 (de) | 2000-01-20 |
Family
ID=7873131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19830162A Withdrawn DE19830162A1 (de) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Substraten |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1101245A2 (de) |
| JP (1) | JP2002520132A (de) |
| KR (1) | KR20010071759A (de) |
| DE (1) | DE19830162A1 (de) |
| TW (1) | TW439135B (de) |
| WO (1) | WO2000002234A2 (de) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10103111A1 (de) * | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Mattson Wet Products Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
| DE10122669A1 (de) * | 2001-05-10 | 2002-12-12 | Mattson Wet Products Gmbh | Vorrichtung zum Nassreinigen von scheibenförmigen Substraten |
| DE10200525A1 (de) * | 2002-01-09 | 2003-10-23 | Mattson Wet Products Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten |
| DE10219771B4 (de) * | 2002-05-03 | 2006-05-11 | Emag Ag | Vorrichtung zum automatischen Reinigen von in Maschinenkassetten aufgenommenen Vakuumhaltern oder -pipetten |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010096566A (ko) * | 2000-04-11 | 2001-11-07 | 윤종용 | 반도체 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼세정방법 |
| US6732750B2 (en) | 2000-04-11 | 2004-05-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus and method of using the same |
| KR100677034B1 (ko) * | 2003-10-20 | 2007-01-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 세정방법 및 그 장치 |
| TWI415533B (zh) * | 2010-09-15 | 2013-11-11 | Zhen Ding Technology Co Ltd | 濕處理裝置及濕處理方法 |
| CN109518203B (zh) * | 2018-12-13 | 2020-10-30 | 江苏美霖铜业有限公司 | 一种有色金属表面处理装置 |
| DE102022104205B3 (de) | 2022-02-22 | 2023-06-22 | Hiwin Technologies Corp. | Automatisches Parameterladeverfahren und -system sowie Serviceserver und Client-Server |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0412796A2 (de) * | 1989-08-09 | 1991-02-13 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Automatisches Reinigungsgerät für Scheiben |
| US5213118A (en) * | 1990-11-28 | 1993-05-25 | Tokyo Electron Limited | Treatment apparatus |
| JPH0766161A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-10 | Enya Syst:Kk | ウエ−ハ枚葉洗浄装置 |
| EP0691675A1 (de) * | 1994-07-04 | 1996-01-10 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Reinigungsvorrichtung mit Bürsten und diese verwendendes Reinigungssystem für scheibenförmige Gegenstände |
| US5547515A (en) * | 1991-07-31 | 1996-08-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for handling or processing semiconductor wafers |
| DE4413077C2 (de) * | 1994-04-15 | 1997-02-06 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten |
| DE19652526A1 (de) * | 1996-04-22 | 1998-01-22 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2722511B1 (fr) * | 1994-07-15 | 1999-04-02 | Ontrak Systems Inc | Procede pour enlever les metaux dans un dispositif de recurage |
-
1998
- 1998-07-06 DE DE19830162A patent/DE19830162A1/de not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-07-02 TW TW088111310A patent/TW439135B/zh active
- 1999-07-03 EP EP99934565A patent/EP1101245A2/de not_active Withdrawn
- 1999-07-03 KR KR1020017000196A patent/KR20010071759A/ko not_active Ceased
- 1999-07-03 WO PCT/EP1999/004633 patent/WO2000002234A2/de not_active Ceased
- 1999-07-03 JP JP2000558541A patent/JP2002520132A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0412796A2 (de) * | 1989-08-09 | 1991-02-13 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Automatisches Reinigungsgerät für Scheiben |
| US5213118A (en) * | 1990-11-28 | 1993-05-25 | Tokyo Electron Limited | Treatment apparatus |
| US5547515A (en) * | 1991-07-31 | 1996-08-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for handling or processing semiconductor wafers |
| JPH0766161A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-10 | Enya Syst:Kk | ウエ−ハ枚葉洗浄装置 |
| DE4413077C2 (de) * | 1994-04-15 | 1997-02-06 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten |
| EP0691675A1 (de) * | 1994-07-04 | 1996-01-10 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Reinigungsvorrichtung mit Bürsten und diese verwendendes Reinigungssystem für scheibenförmige Gegenstände |
| DE19652526A1 (de) * | 1996-04-22 | 1998-01-22 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| JP 1-289122 A, In: Patent Abstracts of Japan * |
| JP 1-293522 A, In: Patent Abstracts of Japan * |
| JP 6-275594 A, In: Patent Abstracts of Japan * |
| JP 8-318237 A, In: Patent Abstracts of Japan * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10103111A1 (de) * | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Mattson Wet Products Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
| DE10122669A1 (de) * | 2001-05-10 | 2002-12-12 | Mattson Wet Products Gmbh | Vorrichtung zum Nassreinigen von scheibenförmigen Substraten |
| DE10200525A1 (de) * | 2002-01-09 | 2003-10-23 | Mattson Wet Products Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten |
| DE10219771B4 (de) * | 2002-05-03 | 2006-05-11 | Emag Ag | Vorrichtung zum automatischen Reinigen von in Maschinenkassetten aufgenommenen Vakuumhaltern oder -pipetten |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002520132A (ja) | 2002-07-09 |
| EP1101245A2 (de) | 2001-05-23 |
| WO2000002234A2 (de) | 2000-01-13 |
| TW439135B (en) | 2001-06-07 |
| WO2000002234A3 (de) | 2000-08-24 |
| KR20010071759A (ko) | 2001-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE60032654T2 (de) | Vorrichtung zur Reinigung und Trocknung von Substraten | |
| DE69838273T2 (de) | Verfahren zum Reinigen und Trocknen von zu verarbeitenden Objekte | |
| EP0755571B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur chemischen behandlung von substraten | |
| DE69712658T2 (de) | Poliergerät | |
| DE69203407T2 (de) | Automatische Reinigungseinrichtung für Halbleiterscheibe. | |
| DE69736378T2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung von zu verarbeitenden Objekte | |
| DE10164192B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Substraten | |
| DE19549487C2 (de) | Anlage zur chemischen Naßbehandlung | |
| DE69839066T2 (de) | Vorrichtung zur Substratbeschichtung | |
| DE69631566T2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Waschbehandlung | |
| DE68927870T2 (de) | Ätzvorrichtung und Verfahren zu deren Anwendung | |
| DE69424016T2 (de) | Poliergerät | |
| DE19832038A1 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Reinigen und Trocknen | |
| DE19781822B4 (de) | Reinigungsstation zur Verwendung bei einem System zum Reinigen, Spülen und Trocknen von Halbleiterscheiben | |
| DE102019116461A1 (de) | Tauchglasieren von sanitärkeramik | |
| DE10118751A1 (de) | Verfahren und Gerät zum Trocknen eines Wafers unter Verwendung von Isopropylalkohol | |
| DE10039672A1 (de) | Substratverarbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats | |
| DE19830162A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Substraten | |
| DE69736636T2 (de) | Verarbeitungsvorrichtung | |
| DE19546990C2 (de) | Anlage zur chemischen Naßbehandlung | |
| WO2005006409A1 (de) | Vorrichtung zur reinigung von wafern nach dem cmp-prozess | |
| DE19852735B4 (de) | Vorrichtung zum Trocknen von Substraten | |
| DE69526772T2 (de) | Entfernen einer Handhabe für das Scheibenabtrennen und Halteeinrichtung dafür | |
| DE102004039059A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Halbleitersubsstraten | |
| DE69913317T2 (de) | Reinigungs-/schwabbeleinheit für halbleiterbearbeitungsvorrichtung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: STEAG MICROTECH GMBH, 72124 PLIEZHAUSEN, DE |
|
| 8130 | Withdrawal |