DE19827824A1 - Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement - Google Patents
Opto-elektronisches Halbleiter-BauelementInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement für die Erzeugung und Verstärkung kohärenter Strahlung, wie sie für die Lasermaterialbearbeitung und andere Anwendungen hochenergetischer Laserstrahlung mit einem Gütefaktor M·2· nahe 1 benötigt wird, bestehend aus planaren Wellenleiterstapeln aktiver und passiver Schichten, die teilweise diffraktiv wirkende Strukturen ihrer Grenzflächen aufweisen, wobei die in mindestens einer Grenzfläche diffraktiv wirkenden Strukturen aus symmetrischen Überlagerungen sich kreuzender Gitterstrukturen gebildet sind nach Patentanmeldung 19809167.2. DOLLAR A Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, durch eine vorteilhafte Gestaltung der Stapel für die Stromführung und/oder spezielle Wellenleitergestaltungen eine Verbesserung der Bragg-Gitter-Modenfilterung zu erreichen. DOLLAR A Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß bei einem opto-elektronischen Halbleiter-Bauelement der eingangs genannten Art der komplexe Brechungsindex für die sich in den planaren Wellenleiterstapeln ausbreitende Strahlung räumlich gezielt in der Ebene des Bauelementes variiert wird und dadurch für die sich über die Bragg-Reflexionsgitter ausbreitende Strahlung der Störuntergrund reduziert wird.
Description
Die Erfindung betrifft ein opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement für die
Erzeugung und Verstärkung kohärenter Strahlung, wie sie für die
Lasermaterialbearbeitung und andere Anwendungen hochenergetischer
Laserstrahlung mit einem Gütefaktor M2 nahe 1 benötigt wird, bestehend aus
planaren Wellenleiterstapeln aktiver und passiver Schichten, die teilweise
diffraktiv wirkende Strukturen ihrer Grenzflächen aufweisen, wobei die in
mindestens einer Grenzfläche diffraktiv wirkenden Strukturen aus
symmetrischen Überlagerungen sich kreuzender Gitterstrukturen gebildet
sind nach Patentanmeldung 198 09 167.2.
Es hat sich gezeigt, daß bei der Lösung nach der Hauptpatentanmeldung
verstärkt eine Störstrahlung (Störuntergrund, Hintergrundrauschen) auftritt,
die die gewünschte Modenfilterung beeinträchtigt. Zu diesem Störuntergrund
trägt insbesondere die direkt zwischen den Facetten reflektierte Strahlung
bei, die in ihrem Einfluß gemindert werden sollte.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, durch eine vorteilhafte Gestaltung
der Wellenleiterstapel für die Stromzuführung und/oder spezielle
Wellenleitergestaltungen eine Verbesserung der Bragg-Gitter-Modenfilterung
zu erreichen.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß bei einem opto
elektronischen Halbleiter-Bauelement der eingangs genannten Art der
komplexe Brechungsindex für die sich in den planaren Wellenleiterstapeln
ausbreitende Strahlung räumlich gezielt in der Ebene des Bauelementes
variiert wird und dadurch für die sich über die Bragg-Reflexionsgitter
ausbreitende Strahlung der Störuntergrund reduziert wird.
Hierbei ist unter dem Begriff "komplexer Brechungsindex" die
Zusammenfassung von Brechzahl und Absorption eines Materials zu einer
komplexen Materialkonstanten zu verstehen, wobei der Realteil des
komplexen Brechungsindex die Brechzahl und der Imaginärteil die
Absorptionskonstante darstellt.
Die erste Variante der erfindungsgemäßen Lösung besteht darin, den
Imaginärteil des lokalen komplexen Brechungsindex, d. h. die Absorption der
sich ausbreitenden Strahlung, räumlich gezielt zu erhöhen und dadurch den
Störuntergrund zu reduzieren.
Die Realisierung dieser ersten Lösungsvariante kann durch spezielle Formen
der stromzuführenden Elektroden und/oder der damit verbundenen Isolati
ons-Schichten erfolgen, die ihrerseits die räumliche Verteilung der injizierten
Ladungsträgerdichte und damit die Absorption der sich ausbreitenden
Moden beeinflussen. Dabei sind als einfachste Möglichkeit die Elektroden in
metallisierte und nicht metallisierte Bereiche zu unterteilen. Des weiteren
kann an miteinander leitend verbundenen Elektrodenbereichen eine erste
Spannung angelegt werden und an damit nicht leitend verbundene
Elektrodenbereiche eine zweite, beispielsweise niedrigere Spannung
angelegt werden. Weiterhin kann die Funktion der nichtmetallisierten
Elektroden-Bereiche von Isolatorschichten übernommen werden, die
zwischen Elektrode und aktiver Zone aufgebracht werden. Ebenso ist es
möglich, die Elektroden mit Bereichen sehr geringer Leitfähigkeit
auszustatten.
Eine weitere Möglichkeit zur Realisierung der ersten Lösungsvariante besteht
darin, den Aufbau und die Zusammensetzung der Wellenleiter örtlich zu
ändern und die Ausbreitungsfähigkeit der Moden zu unterdrücken.
Beispielsweise können örtlich in Wellenleitern Strukturstörungen durch
Ionenimplantation erzeugt werden, die eine Absorptionserhöhung zur Folge
haben. Weiterhin kann durch Variation der Zusammensetzung von
Mischkristallschichten, die den Wellenleiter bilden, die Absorption erhöht
werden, wie zum Beispiel durch Mantelschichten des Wellenleiters mit hoher
Absorption für die sich ausbreitende Strahlung.
Eine zweite Variante der Verminderung der Störstrahlung besteht darin, die
Brechzahl für die sich ausbreitende Strahlung räumlich gezielt zu variieren
und dadurch die den Störuntergrund bildende Strahlung in nicht störende
Richtungen umzulenken. Eine Realisierungsmöglichkeit besteht darin, die
Brechzahl für die Wellenausbreitung durch Änderung der Zusammensetzung
und/oder der Dicke der Mischkristallschichten des Wellenleiterstapels lokal
zu ändern, was über die Wirkung eines Brechzahlgradienten zu einer
Ablenkung der Störstrahlung führt.
Als eine einfache Form der Modenfilterung entsprechend der ersten oder
zweiten Lösungsvariante kann die Strahlungsabsorption und/oder die
Brechzahl für die sich ausbreitende Strahlung in einer Zone verändert
werden, die sich im Zentrum der von dem Bauelement eingenommenen
Fläche befindet. Realisiert werden kann dies beispielsweise im Falle der
Absorptionserhöhung durch ein nichtmetallisiertes Gebiet in diesem mittleren
Bereich. Dies kann auch auf Arrays derartiger Bauelemente übertragen
werben.
Die Erfindung wird nachfolgend an einem Ausführungsbeispiel anhand der
zugehörigen Zeichnung näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 Die prinzipielle Darstellung einer Ausführung des
erfindungsgemäßen Bauelementes;
Fig. 2 eine Draufsicht des erfindungsgemäßen Bauelementes.
Eine prinzipielle Darstellung der Erfindung ist in Fig. 1 für die Wellenlänge
1 µm gezeigt. Die Elektrode weist eine 0,1 µm dicke Metallschicht auf, die
einen metallisierten Bereich 1 umfaßt. Die Bereiche 2 in der Elektrodenebene
sind nicht metallisiert. Darunter folgt als Deckschicht 3 p-Ga0,8Al0,2As mit dem
Brechungsindex 3,38 und der Dicke 1,5 µm. Die Grenzschicht 4 zwischen
Schicht 3 und 5 ist als Kreuzgitter ausgebildet, dessen Form in Fig. 2 gezeigt
ist. Das Profil des Kreuzgitters besteht aus zwei symmetrisch zur z-Achse
angeordneten Oberflächen-Reliefgittern 12 und 13, deren Orientierungs
vektoren parallel zu den Furchen in der eingezeichneten Weise mit der
Laserachse Z jeweils den Winkel Θ = 10° bilden. Die Gitterkonstante G
beträgt 0,96 µm und die Tiefe jedes einzelnen Gitters beträgt für sich
0,016 µm. Bei holographischer Herstellung kann das Gitterprofil der
Grenzschicht 4 dadurch gewonnen werden, daß sequenziell jedes der
beiden Gitter mit der gegebenen Gitterkonstanten und der in Fig. 2
gezeigten Orientierung auf einen entsprechenden Resist aufbelichtet wird,
woraus nach bekannten Verfahren das Gitterprofil in die Grenzschicht 4
übertragen werden kann. Die Schicht 5 besteht aus positiv leitendem GaAs
von 0,25 µm Dicke mit dem Brechungsindex 3,51. Die Schicht 6 ist ein
InGaAs-Quantenfilm von 0,01 µm Dicke. Die Schicht 7 besteht aus negativ
leitendem GaAs von 0,25 µm Dicke mit dem Brechungsindex 3,51. Die
Schicht 8 hat die Dicke von 1,5 µm und besteht aus n-Ga0,8Al0,2As mit dem
Brechungsindex 3,38. Die Schicht 9 besteht aus GaAs mit der Dicke von 100
µm und enthält die Stromzuführung. Die Länge 10 des Lasers in z-Richtung
beträgt 1000 µm und die Breite 11 in x-Richtung 300 µm.
Dieses opto-elektronische Bauelement ist für eine Emissionswellenlänge um
1 µm dimensioniert. Der effektive Ausbreitungs-Index für die Grundmode in
vertikaler Richtung beträgt 3,47, die Koppelkonstante ergibt sich zu 22 cm-1.
Claims (14)
1. Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement für die Erzeugung und
Verstärkung kohärenter Strahlung, bestehend aus planaren
Wellenleiterstapeln aktiver und passiver Schichten, die teilweise diffraktiv
wirkende Strukturen ihrer Grenzflächen aufweisen, wobei die in mindestens
einer Grenzfläche diffraktiv wirkenden Strukturen aus symmetrischen
Überlagerungen sich kreuzender Gitterstrukturen gebildet sind nach
Patentanmeldung 198 09 167.2,
dadurch gekennzeichnet, daß
der lokale komplexe Brechungsindex für die sich in den planaren
Wellenleiterstapeln ausbreitende Strahlung räumlich gezielt in der Ebene des
Bauelementes variierbar ist.
2. Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Imaginärteil des lokalen komplexen Brechungsindex, d. h. die Absorption
für die sich in den planaren Wellenleiterstapeln ausbreitende Strahlung,
räumlich gezielt in der Ebene des Bauelementes variierbar ist.
3. Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Realteil des lokalen komplexen Brechungsindex, d. h. die Brechzahl für
die sich in den planaren Wellenleiterstapeln ausbreitende Strahlung räumlich
gezielt in der Ebene des Bauelementes variierbar ist.
4. Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
durch räumlich gezielte Verminderung der Injektionsstromdichte (Pumpstrom)
im Wellenleiter die Absorption lokal anhebbar ist.
5. Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
durch spezielle Elektrodengestaltung und/oder eine lokale Variation der
Leitfähigkeit des Elektrodenmaterials und/oder eine Beeinflussung der unter
dem Elekrodenmaterial angebrachten isolierenden Schichten die
Injektionsstromdichte örtlich absenkbar ist.
6. Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Elektroden aus räumlich getrennten Teilbereichen bestehen, an die
jeweils unabhängig voneinander verschiedene Spannungen anlegbar sind.
7. Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
durch örtliche Strukturstörungen im Material des Wellenleiters die lokale
Absorption variierbar ist.
8. Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
die örtlichen Strukturstörungen durch lokale Ionenimplantation erreichbar
sind.
9. Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die lokalen Änderungen des komplexen Brechungsindex durch lokale
Veränderungen im Aufbau der Wellenleiterschichten und/oder
Wellenleitermaterialien erreichbar sind.
10. Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß
als Mantelschichten des Wellenleiterstapels Materialien mit höherer
Absorption einsetzbar sind.
11. Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Brechzahl für die Wellenausbreitung durch Änderung der
Zusammensetzung und/oder der Dicke der Mischkristallschichten des
Wellenleiterstapels lokal veränderbar ist.
12. Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1 bis 11
dadurch gekennzeichnet, daß
eine erhöhte Strahlungsabsorption und/oder eine geänderte Brechzahl für die
Strahlungsausbreitung in einer Zone vorgesehen ist, die sich im Zentrum der
von dem Bauelement eingenommenen Fläche befindet.
13. Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 5 und 12,
dadurch gekennzeichnet, daß
in der Zone erhöhter Strahlungsabsorption keine Elektrodenmetallisierung
vorgesehen ist.
14. Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Flächenzentren von zu Arrays zusammengefaßten Lasern erhöhte
Strahlungsabsorption und/oder eine geänderte Brechzahl für die
Strahlungsausbreitung aufweisen.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19827824A DE19827824A1 (de) | 1998-02-26 | 1998-06-17 | Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement |
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| DE19809167A DE19809167A1 (de) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19827824A1 true DE19827824A1 (de) | 1999-12-23 |
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ID=26044322
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| DE19827824A Withdrawn DE19827824A1 (de) | 1998-02-26 | 1998-06-17 | Opto-elektronisches Halbleiter-Bauelement |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19827824A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10162783A1 (de) * | 2001-12-19 | 2003-07-10 | Univ Dresden Tech | Elektrisch gepumpter Laser mit organischen Schichten |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5506859A (en) * | 1995-02-16 | 1996-04-09 | At&T Corp. | Article comprising a DFB laser with loss coupling |
| DE19500136A1 (de) * | 1995-01-04 | 1996-07-11 | Deutsche Telekom Ag | Optoelektronisches Bauelement mit axialer Gitterperiodenmodulation |
-
1998
- 1998-06-17 DE DE19827824A patent/DE19827824A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19500136A1 (de) * | 1995-01-04 | 1996-07-11 | Deutsche Telekom Ag | Optoelektronisches Bauelement mit axialer Gitterperiodenmodulation |
| US5506859A (en) * | 1995-02-16 | 1996-04-09 | At&T Corp. | Article comprising a DFB laser with loss coupling |
Non-Patent Citations (7)
| Title |
|---|
| BOTEZ,D.: Metal-grating-outcoupled,surface-emitting distributed-feedback diode lasers. In: Appl.Phys.Lett., Vol. 69, No. 19, 1996, S. 2795-2797 * |
| COLEMAN, J.J.: TWo-Dimensional Rectangu- lar Lattice Distributed Feedback Lasers: A Coupled-Mode Analysis of TE Guided Modes. In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 31, No. 11, 1995, S. 1947-1954 * |
| HAN, H. * |
| KASRAIAN, M., * |
| OSOWSKI, M.L. u.a.: A Strained-Layer InGaAs-GaAs Asymmetric Cladding Gain-Coupled DFB Laser with Titanium Surface Gratings by Metalorganic Chemi- cal Vapor Deposition. In: IEEE Photonics Techno- logy Letters, Vol. 9, No. 4, 1997, S. 422-424 * |
| RAST,A.u.a.: New complex-coupled DFB-laser with a contacted surface grating for lambda = 1.55 mum.In: IEE Proc.-Optoelectron.,Vol.142,No.3,1995,S.162-164 * |
| TODA, M.: Proposed Cross Grating Single-Mode DFB Laser. In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 28, No. 7, 1992, S. 1653-1662 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10162783A1 (de) * | 2001-12-19 | 2003-07-10 | Univ Dresden Tech | Elektrisch gepumpter Laser mit organischen Schichten |
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