DE19822677A1 - Sensorelement für elektrochemische Messungen und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Sensorelement für elektrochemische Messungen und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
- Publication number
- DE19822677A1 DE19822677A1 DE1998122677 DE19822677A DE19822677A1 DE 19822677 A1 DE19822677 A1 DE 19822677A1 DE 1998122677 DE1998122677 DE 1998122677 DE 19822677 A DE19822677 A DE 19822677A DE 19822677 A1 DE19822677 A1 DE 19822677A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layers
- sensor element
- metal
- noble metal
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/4035—Combination of a single ion-sensing electrode and a single reference electrode
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein planares Sensorelement für elektrochemische Messungen und Verfahren zu seiner Herstellung. Erfindungsgemäß bestehen Funktionselemente des Sensorelementes aus durch chemische Methoden erzeugten, festhaftenden edelmetallischen Schichten. Im Bedarfsfall kann das Sensorelement weitere, über den genannten Schichten befindliche metallische oder nichtmetallische Schichten aufweisen.
Description
Die Erfindung betrifft planare Sensorelemente für elektrochemische Messungen und
Verfahren zu ihrer Herstellung
Neben elektrochemischen Sensoren in konventioneller Bauweise, z. B. mit zylinder
förmigen Schäften und z. B. kugel- oder kuppenförmigen Membranen, sind auch
Sensoren in planarer Bauform bekannt, die für verschiedene Anwendungsfälle, z. B.
für das Studium des Zellwachstums in biologischen Systemen oder in schmalkalibri
gen Durchflußsystemen, benötigt werden. Für den Sensoraufbau sind generell me
tallische Funktionselemente notwendig. So werden für konduktometrische Sensoren
meist die Metalle Gold oder Platin eingesetzt, wobei mehrere Flächen dieser Metalle
in definierter Geometrie die Meßzelle bilden. Für die potentiometrische Bestimmung
des Redoxpotentials werden vorzugsweise Indikatorelektroden aus Platin oder Gold
angewendet. Andere elektrochemische Meßfühler funktionieren durch das Zusam
menwirken metallischer Elektroden mit Salzschichten und/oder anderen Materialien,
z. B. Glasuren, oder von Elektroden aus einem Edelmetall.
Planare elektrochemische Sensoren sind bisher in Dickschicht-Ausführung auf di
elektrischen Substraten [siehe z. B. A.A. Shul'ga, B. Ahlers, K. Camman: Ionen
selektive konduktometrische Mikrosensoren: Theorie und Praxis. 2. Dresdner Sen
sor-Symposium (Kurzfassungen), Dresden 1995; G. Steiner, K. Camman, B. Ross:
Thick-film nitrate sensor with integrated miniaturised reference electrode. Eurosen
sors 1994. Toluose, April, 25-28 1994 (proc. P. 64); H. Kaden, M. Hösel, M. Gläser,
W. Oelßner: pH-Sensor in Dickschichttechnik und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE 195 06 883 (1995); W. Oelßner, H. Kaden, G. Köhler, B. Hegewald: Iridiumoxide
lektrode zur Messung des pH-Wertes und Verfahren zu ihrer Herstellung. DE 4 40 662
(1994); W. Vonau, H. Kaden, C. Kretzschmar, P. Otschik, I. Krabbes, W. Woithe, M.
Große (1997): Elektrochemischer Sensor und Verfahren zu seiner Herstellung. P
197 14 474.8] und in der Dünnfilmtechnik [M. Lamprechts, W. Sansen: Biosensors:
Micromechanical Devices. Institute of Physics Publishing. Bristol, Philadelphia, New
York. 1992; W. Oelßner: ISFET - Vorzüge und Probleme. Achema-Magazin (Frank
furt/Main) (1991) 48-54] bekannt.
Die Wirtschaftlichkeit von dünnfilmtechnisch erzeugten Produkten ist nach allgemei
ner Erfahrung erst bei Stückzahlen < 100.000 pro Jahr gegeben, bedingt durch hohe
Investitionskosten für die Anschaffung der apparativen Ausrüstung zur Durchführung
der Dünnfilmtechnologie. In Dickschichttechnik hergestellte Erzeugnisse dagegen
können schon ab einem Bedarf von einigen hundert Stück pro Jahr rentabel produ
ziert werden. Elektrochemische Sensoren werden aber nicht in den für die Anwen
dung der Dünnfilmtechnik rentablen Produktionszahlen benötigt.
Die Dicke der in Dünnfilmtechnik erzeugbaren Edelmetallschichten beträgt ≦ 1 µm. In
den Fällen, in denen zur Sensorherstellung eine partielle chemische Umsetzung die
ser Schichten (beispielsweise durch Bildung von AgBr aus Silber nach: Ag + Br →
AgBr + e⁻) erforderlich ist, besteht bei geringen Schichtdicken des Metalls die Gefahr,
daß das gesamte Metall umgesetzt wird. Es würde danach kein Elektronenleiter zur
Ableitung des Sensorsignals zur Verfügung stehen. Desweiteren ist der Schichtauf
bau auf den Silicium-Substraten bis hin zur außenliegenden metallischen Nutz
schicht sehr komplex und daher nur mit hohem Aufwand zu realisieren. Im Falle ei
ner Pt-Dünnfilmelektrode ist z. B. die Schichtfolge Silicium-Siliciumdioxid-
Siliciumnitrid-Titan-Platin üblich, bei entsprechenden Goldelektroden müssen Zwi
schenschichten aus Ni und Nickel/Chrom erzeugt werden. Bei der Vereinzelung der
auf einem Wafer erzeugten Elektroden wird an den Kanten des Substrates leiffähi
ges Silicium freigelegt, das durch nachfolgende Schritte, wie anodische Oxydation
oder Verkappung mit Harzen, isoliert werden muß.
Der Einsatz der Dickschichttechnik hat den Nachteil, daß durch den verfahrensbe
dingten Zusatz von Hilfsstoffen zu den Dickschichtpasten, z. B. organischer oder
anorganischer Bindern, Fremdstoffe in die herzustellenden Schichten eingebracht
werden. Das erweist sich dann als ungünstig, wenn durch diese Fremdstoffe stören
de Wechselwirkungen zwischen der Funktionsschicht des Sensors und Bestandtei
len der Meßmedien auftreten. Beispielsweise kann ein organischer Binder beim
Kontakt der Dickschichtstruktur mit organischen Lösungsmitteln bei höheren Tempe
raturen zumindest teilweise angegriffen werden. Darüber hinaus kann es zu chemi
schen Reaktionen zwischen dem feinstkörnigen Metall in der Dickschicht und der als
Binder fungierenden Substanz kommen. Weiterhin weichen die elektrischen Eigen
schaften von in Dickschichttechnik hergestellten Metallschichten durch die Anwe
senheit von Fremdstoffen in unerwünschter Weise von denen der reinen Metalle ab.
Die Folge ist, daß der höhere innere Widerstand der Dickschichtsensoren gegenüber
gleichartigen Sensoren mit Funktionselementen aus kompakten Metallkörpern, wie
Drähten und Blechen, zu meßtechnischen Problemen führen kann. Für den Fall, daß
im Herstellungsprozeß des Sensors Metallschichten durch nachfolgende chemische
Reaktionen modifiziert werden müssen, ist eine verminderte Leitfähigkeit ebenfalls
nachteilig. Die für das Einbrennen der Pasten notwendigen hohen Temperaturen
können sich in vielfältiger Weise nachteilig auswirken, z. B. auf die Formstabilität von
Glassubstraten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Sensorelement für elektrochemische
Messungen zu schaffen, das eine oder mehrere nebeneinander angeordnete metal
lische Flächen auf einem planaren Substrat aufweist, die haftfest und beständig ge
genüber Elektrolytlösungen sind. Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, ein in
technischem Maßstab rationell durchführbares Herstellungsverfahren für ein derarti
ges Sensorelement aufzuzeigen.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß ein Überzug aus Nickel-
Phosphor (unstöchiometrische Verbindung beider Elemente, im folgenden als NiP
bezeichnet) mit einem Phosphorgehalt zwischen 8 und 11 Masseprozent oder meh
rere Überzüge 5 aus NiP auf Oxid-Keramik- oder Glassubstraten 1 stromlos aufge
bracht und diese mit einer oder mehreren stromlos oder galvanisch abgeschiedenen
Edelmetall- oder Edelmetall-Legierungsschichten 2 überschichtet werden. Zur Bil
dung einer definierten Sensorfläche wird eine isolierende Schutzschicht 6, ggf. mit
Fenstern, über die Metallstruktur(en) aufgebracht. Darüber hinaus können auf das
metallische Schichtsystem zusätzliche Metalle galvanisch abgeschieden werden. Auf
dem Substrat können weitere Strukturelemente vorhanden sein, die hinsichtlich ihrer
geometrischen Form und ihrer Zusammensetzung entweder gleich oder unterschied
lich aufgebaut sind. Mehrere auf dem Substrat befindliche Strukturelemente können
zu einem Sensor zusammengeschaltet sein, z. B. als
Dreielektrodenmeßzelle, bestehend aus räumlich getrennter
Arbeitselektrode mit dem Schichtaufbau NiP/Au, Bezugselektrode mit dem Schicht
aufbau: NiP/Au/Ag/AgCl und Gegenelektrode mit dem Schichtaufbau: NiP/Au.
Es können mehrere einzelne Sensoren als Multisensormodul, beispielsweise als
amperometrische Zweielektrodenmeßzelle mit den Schichtaufbauten
NiP/Au/Ag/AgCl als Anode und NiP/Au als Kathode,
Redoxelektrode mit dem Schichtaufbau NiP/Au sowie
Referenzelektrode mit dem Schichtaufbau NiP/Au/Ag/AgCl zusammenwirken.
Die Strukturen werden über die ebenfalls durch chemische Metallabscheidung er
zeugten elektrischen Leitbahnen 4 mittels Steck- oder Bondverbindung 8 mit einem
Ableitkabel 7 elektrisch kontaktiert.
An einem Aluminiumoxid-Keramiksubstrat (Reinheit < 99,9%) 1 werden folgende
Arbeitsschritte zur Herstellung eines Sensors zur potentiometrischen Bestimmung
des Redoxpotentials vollzogen:
- 1. Reinigen der Substratoberfläche von Staub, Schmutz, Fett sowie anhaftenden Verunreinigungen durch Behandlung mit einem alkalischen Heißentfetter bei 60°C und anschließend mit Aceton, nachfolgendes Beizen mit 20%iger NaOH-Lösung bei 60°C
- 2. Vollständiges Überziehen der Substratoberfläche mit Photolack
- 3. Belichten des Photolackes mit Strukturnegativ mittels UV-Strahlung Gemäß Bild 2 besteht die Struktur aus zwei rechteckigen Flächen sowie den elektrischen Ableitbahnen.
- 4. Öffnen der zu metallisierenden Fenster im Photolack
- 5. Sensibilisieren der Substratoberfläche mit Zinn(II)-Ionen bei Raumtemperatur
- 6. Reduktion von Pd(II)-Ionen auf der Substratoberfläche zur Bildung von Palla diumkeimen
- 7. Abscheiden eines phosphorreichen NiP-Überzuges 5 im Elektrolyte, wobei die Schichtdicke von 1 µm nicht überschritten werden darf, da sonst das Entlac ken nicht mehr möglich ist
- 8. Entfernen der Lackstruktur mit Aceton im Ultraschallbad
- 9. galvanische Goldschicht (Goldgehalt < 99,9 Masseprozent) 2 auf NiP- Strukturen 5 auf der Basis eines Kaliumgoldcyanid-Elektrolyten mit einer Goldkonzentration von 12 g/l Au bei pH = 7 und einer Temperatur von 50°C mit einer Abscheiderate von 0,15 um/min abscheiden
- 10. Bonden von zwei Kabeln 7 an die Leitbahnen 4
- 11. Aufbringen isolierender Deckschicht mit Fenster(n) 6 über Metallstrukturen Das Isolationsmaterial besteht aus Epoxidharz, welches im Gießverfahren aufgetragen wird. Um mindestens eine der beiden Gold-Strukturen wird das Harz wannenförmig ausgebildet, d. h. es besteht ein Harzüberstand von min destens 1 mm.
- 12. Erzeugung weiterer Schichten 3 in einem oder in beiden der Fenster
Die Goldschicht wird chemisch versilbert und das entstandene Silber wird elektrochemisch zu AgCl umgesetzt. Anschließend wird ein mit Kaliumchlorid gefülltes Polymergel auf Basis von Polyvinylalkohol in die vom Isolationsmate rial gebildete Wanne eingebracht und darüber eine dünne Membran durch Aufbringung eines Gemisches aus 10% Celluloseacetat in Aceton oder 7,5% Cellulosetriacetat in Methylenchlorid abgeschieden.
Der Vorteil der Erfindung besteht dann, daß ein planares Sensorelement für elektro
chemische Messungen mit sowohl mechanisch als auch unter Einwirkung von elek
trolytischen Lösungen haftfesten strukturierten metallischen Funktionsschichten zur
Verfügung steht, was durch Abrißtests und Polarisationsversuche in elektrolytischen
Lösungen belegt wurde, wobei diese metallischen Schichten mit einer preisgünstigen
Technologie erzeugt werden können. Es können Strukturbreiten von minimal 50 µm
erreicht und sowohl gleichartige als auch unterschiedliche metallische Schichten
nach identischen Verfahren auf ein Substrat aufgebracht werden.
1
Substrat
2
metallische Funktionsschicht
3
weitere Funktionsschicht(en)
4
elektrische Leitbahn
5
Ni-P-Überzug
6
Ummantelungsmaterial
7
Kabel
8
Löt- oder Bondstelle
Abb. 1
Querschnitt durch das erfindungsgemäße Sensorelement für elektrochemische Mes sungen
Querschnitt durch das erfindungsgemäße Sensorelement für elektrochemische Mes sungen
Abb. 2
Draufsicht auf eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Sensorelementes zur Redoxpotentialmessung.
Draufsicht auf eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Sensorelementes zur Redoxpotentialmessung.
Claims (14)
1. Sensorelement für elektrochemische Messungen mit einer oder mehreren plana
ren, auf einem dielektrischen Substrat (1), vorzugsweise Oxid-Keramik oder Glas,
befindlichen Halbzellen, die entweder nur aus metallischen Funktionsschichten (2)
oder zusätzlich zu diesen aus weiteren darüberliegenden metallischen oder nicht
metallischen Schichten (3) bestehen, wobei jede Halbzelle mit einer elektrischen
Leitbahn (4) aus dem Metall der zuunterst liegenden Metallschicht verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der Metallschicht jeweils um auf Nickel-
Phosphor-Überzügen (5) auf chemischem Wege aufgetragene Edelmetall- oder
Edelmetall-Legierungsschichten mit Dicken von 1 bis 10 µm handelt, wobei auf ei
nem Substrat unterschiedliche auf chemischem Wege aufgetragene Metall
schichten vorhanden sein können.
2. Sensorelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Nickel-
Phosphorüberzug (5) eine Dicke von 3 µm aufweist.
3. Sensorelement nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der
Nickel-Phosphorüberzug 8 bis 11 Masseprozent Phosphor enthält.
4. Sensorelement nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
auf den Nickel-Phosphorüberzügen (5) aufgetragenen Edelmetall- oder Edelme
tall-Legierungsschichten strukturiert sind.
5. Sensorelement nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß die auf chemischem Wege erzeugten Edelmetall- oder
Edelmetall-Legierungsschichten (2) durch chemische oder elektrochemische Re
aktionen, z. B. Chlorierung von Silber, teilweise an der dem Substrat (1) abge
wandten Seite umgesetzt oder stromlos bzw. elektrolytisch mit anderen Metallen
(3) beschichtet sind.
6. Sensorelement nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß über den Edelmetall- oder Edelmetall-
Legierungsschichten (2) oder über den durch chemische oder elektrochemische
Umsetzung dieser Schichten bzw. durch galvanische oder elektrolytische Metall
abscheidung hergestellten zusätzlichen Schichten weitere mit anderen Methoden,
z. B. durch Siebdruck von chemisch aktiven Pasten erzeugte Schichten vorhanden
sind.
7. Sensorelement nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß die beschichteten Substrate (1) konfektioniert, d. h. mit
an den Leitbahnen (4) über Löt- oder Bondstellen (8) angebrachten elektrischen
Leitungen (7) oder Steckverbindern versehen und mit isolierenden Verkappungs
materialien (6) in der Weise ummantelt sind, daß definierte Flächen der jeweils
außen liegenden Schichten zur Signalerzeugung mit Meßmedien freiliegend sind.
8. Verfahren zur Herstellung von Sensorelementen für elektrochemische Messungen
nach den vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß nach der
Reinigung eines dielektrischen Substrates in einem photolithographischen Prozeß
das Negativbild der für das Sensorelement vorgesehenen Struktur erzeugt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratoberfläche,
die im Falle des Vorhandenseins von mindestens zwei isoliert nebeneinander lie
genden, durch Photolithographie erzeugte Flächen strukturiert ist, sensibilisiert,
aktiviert und stromlos mit einem NiP-Überzug (5) metallisiert wird, wobei die NiP-
Schicht eine Stärke von 0,1 µm nicht überschreiten darf.
10. Verfahren nach den Ansprüchen 8 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß die ge
samte Probe gestrippt und dadurch die Metallstruktur festgelegt wird.
11. Verfahren nach den Ansprüchen 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der NiP-
Überzug stromlos oder galvanisch verstärkt wird.
12. Verfahren nach den Ansprüchen 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die ver
stärkte NiP-Anschlagschicht (5) auf chemischem Wege mit einem Edelmetall, vor
zugsweise Gold, Palladium oder Silber, überzogen wird, wodurch eine beliebige
Anzahl von flächigen, linien- oder punktförmigen Strukturelementen erzeugt wer
den kann.
13. Verfahren nach den Ansprüchen 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß alle oder
auch nur einige der auf chemischem Wege hergestellten Edelmetallschichten (2)
durch zusätzliche, über diesen liegende Schichten (3) durch partielle elektroche
mische oder chemische Umsetzung der Edelmetallschichten, überzogen werden.
14. Verfahren nach den Ansprüchen 8 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das alle
Strukturelemente tragende Substrat (1), einschließlich der nach den Verfahrens
schriften der Ansprüche 8 bis 12 erzeugten Ableitbahnen (4) und evt. zusätzlichen
Schichten (3) konfektioniert wird, d. h. es wird an den Leitbahnen (4) kontaktiert
und durch Umspritzen oder Umgießen mit nichtleitfähigen Ummantelungsmateria
lien (6), wie Polypropen oder Epoxidharzen, vor dem Angriff durch Meßmedien
geschützt.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1998122677 DE19822677A1 (de) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | Sensorelement für elektrochemische Messungen und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1998122677 DE19822677A1 (de) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | Sensorelement für elektrochemische Messungen und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19822677A1 true DE19822677A1 (de) | 1999-11-25 |
Family
ID=7868438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1998122677 Withdrawn DE19822677A1 (de) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | Sensorelement für elektrochemische Messungen und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19822677A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10311031A1 (de) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Siemens Ag | Elektrochemischer Sensor |
-
1998
- 1998-05-20 DE DE1998122677 patent/DE19822677A1/de not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10311031A1 (de) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Siemens Ag | Elektrochemischer Sensor |
| DE10311031B4 (de) * | 2003-03-13 | 2005-04-21 | Siemens Ag | Elektrochemischer Sensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1062501B1 (de) | Referenzelektrode | |
| EP3309541B1 (de) | Messelement für eine ionensensitive festkontakt-elektrode und ionensensitive festkontakt-elektrode | |
| DE102011089671A1 (de) | Referenzhalbzelle und elektrochemischer Sensor mit der Referenzhalbzelle | |
| WO2010072601A1 (de) | Messsonde für elektrochemische messungen | |
| DE102013101420A1 (de) | Elektrochemischer Sensor | |
| CH711880A2 (de) | Potentiometrischer Sensor. | |
| CN107957440B (zh) | 平面型氨选择性感测电极及其制法 | |
| DE69123896T2 (de) | pH-Messelektrode und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| EP0268768B1 (de) | Sensor zur Überwachung von Wasserstoffkonzentrationen in Gasen | |
| DE102016110856A1 (de) | Elektrochemischer Sensor mit austauschbarer Elektrodenbaugruppe | |
| DE19714474C2 (de) | Elektrochemischer Sensor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE102019108890A1 (de) | Sensorelement für einen potentiometrischen Sensor | |
| Keeble et al. | An electroplated Ag/AgCl quasi-reference electrode based on CMOS top-metal for electrochemical sensing | |
| DE19842735A1 (de) | Elektrochemischer Sensor mit direkt elektrisch heizbaren Elektrodenflächen | |
| DE102022133828A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements | |
| DE4132441C2 (de) | Dickschicht-Leitfähigkeitselektroden als Biosensor | |
| DE2354011A1 (de) | Sauerstoffsensor | |
| EP1583957B1 (de) | Ionensensitiver feldeffekttransistor und verfahren zum herstellen eines ionensensitiven feldeffekttransistors | |
| DE19822677A1 (de) | Sensorelement für elektrochemische Messungen und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| EP0268032B1 (de) | Festkörperelektrode zur Bestimmung von Natriumionen-konzentrationen in Lösungen | |
| DE102007016197A1 (de) | Chemische Indikatorelektrode und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE4422049A1 (de) | Ultramikroelektroden- und Nanoden-Array für chemische und biochemische Analysen sowie Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE102010054019A1 (de) | Planare chemische Messelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE3780922T2 (de) | Blattaehnliche elektrode. | |
| DE69623245T2 (de) | Elektrochemisches Abscheideverfahren |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8122 | Nonbinding interest in granting licenses declared | ||
| 8141 | Disposal/no request for examination |