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DE19819543A1 - Light emission semiconductor device - Google Patents

Light emission semiconductor device

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Publication number
DE19819543A1
DE19819543A1 DE19819543A DE19819543A DE19819543A1 DE 19819543 A1 DE19819543 A1 DE 19819543A1 DE 19819543 A DE19819543 A DE 19819543A DE 19819543 A DE19819543 A DE 19819543A DE 19819543 A1 DE19819543 A1 DE 19819543A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layers
light emission
semiconductor device
wavelength
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19819543A
Other languages
German (de)
Inventor
Walter Wegleiter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE19819543A priority Critical patent/DE19819543A1/en
Priority to JP2000547678A priority patent/JP2002514015A/en
Priority to CN99805623A priority patent/CN1298553A/en
Priority to PCT/DE1999/001164 priority patent/WO1999057788A2/en
Priority to EP99927678A priority patent/EP1075710A2/en
Publication of DE19819543A1 publication Critical patent/DE19819543A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H10W72/07554—
    • H10W72/536—
    • H10W72/547—

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

The invention relates to a bicolour light emitting semiconductor device with both a first surface-emitting light emitting diode (10) consisting of a first active area (11) and emitting a first wavelength radiance, and a second surface-emitting light emitting diode (20) with a second active area (21) emitting a second wavelength radiance, whereby a first reflecting layer (12) is arranged between both active areas (11,21). Said reflecting layer reflects the first wavelength and transmits the second wavelength. A second reflecting layer (22) is arranged between the second active area (21) and the rear side, whereby said reflecting layer reflects the second wavelength. The reflecting layers result in better utilization of the light from both diodes radiated in the direction of the rear side. Preferably, the reflecting layers are made of a multilayer system consisting of layers that have an alternatingly high and low refractive index. Preferably, the layers are made from a grid-adapted semiconductor material.

Description

Die Erfindung betrifft eine Lichtemissions-Halbleitereinrich­ tung mit zwei oberflächenemittierenden Lichtemissiondioden nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The invention relates to a light emission semiconductor device with two surface emitting light emitting diodes the preamble of claim 1.

Es ist bekannt, aus beispielsweise Galliumphosphid (GaP) Licht­ emissions-Halbleitereinrichtungen mit einstellbarer Farbe herzustellen. In dem Buch "Halbleiter-Optoelektronik" von M. Bleicher, erschienen im Dr. Alfred Hüthig Verlag GmbH, Heidel­ berg, 1986, ist auf den Seiten 157, 158 eine derartige 2-Far­ ben-Lichtemissionsdiode (LED) beschrieben. Das Funktionsprinzip ist hier nochmals in Fig. 1 dargestellt. Eine derartige 2-Farben-LED enthält zwischen ihrer Vorderseite, die die Licht­ austrittsseite ist, und ihrer Rückseite zwei oberflächenemit­ tierende Lichtemissionsdioden 10 und 20. Diese werden durch epitaktisches Aufwachsen von p-leitenden, unterschiedlich störstellendotierten GaP-Schichten auf ein n-leitendes GaP-Substrat 1 hergestellt, wodurch zwei an Vorder- und Rückseite des Substrats gebildete pn-Übergänge entstehen. Die obere p-leitende GaP-Schicht ist mit Stickstoff dotiert, während die untere p-leitende GaP-Schicht mit Sauerstoff und Zink dotiert ist. Der durch die obere GaP-Epischicht gebildete pn-Übergang emittiert somit bei elektrischer Anregung im grünen Spektral­ bereich, während der durch die untere GaP-Epischicht gebildete pn-Übergang im roten Spektralbereich emittiert. Die auf diese Weise geformten Dioden werden mit zwei Spannungsquellen 30 und 40 betrieben, deren gemeinsamer Minuspol mit der n-Seite beider pn-Übergänge, also mit dem n-leitenden GaP-Substrat, verbunden ist. Durch getrenntes Einstellen der Diodenströme kann somit das Farbspektrum von Rot über Orange und Gelb bis Grün variiert werden. Die rote Strahlung durchdringt den gesamten Kristall und tritt durch die gleiche Fläche wie die grüne Strahlung aus, wodurch eine ideale räumliche Mischung erzielt wird.It is known to produce, for example, gallium phosphide (GaP) light emission semiconductor devices with adjustable color. In the book "Semiconductor Optoelectronics" by M. Bleicher, published in Dr. Alfred Hüthig Verlag GmbH, Heidelberg, 1986, such a 2-color ben light emission diode (LED) is described on pages 157, 158. The principle of operation is shown here again in FIG. 1. Such a 2-color LED contains two surface-emitting light-emitting diodes 10 and 20 between its front, which is the light exit side, and its rear. These are produced by epitaxially growing p-type, differently impurity-doped GaP layers on an n-type GaP substrate 1 , whereby two pn junctions are formed on the front and back of the substrate. The upper p-type GaP layer is doped with nitrogen, while the lower p-type GaP layer is doped with oxygen and zinc. The pn junction formed by the upper GaP epi layer thus emits in the green spectral range when electrically excited, while the pn junction formed by the lower GaP epi layer emits in the red spectral range. The diodes formed in this way are operated with two voltage sources 30 and 40 , the common negative pole of which is connected to the n side of both pn junctions, that is to say to the n-type GaP substrate. By setting the diode currents separately, the color spectrum can be varied from red to orange and yellow to green. The red radiation penetrates the entire crystal and exits through the same area as the green radiation, thus achieving an ideal spatial mix.

Eine solche Anordnung nutzt jedoch nur den in Richtung auf die Vorderseite emittierten Strahlungsanteil beider Lichtemissions­ dioden. Die Hälfte der Strahlung wird jedoch in Richtung auf die Rückseite abgestrahlt und kann somit im allgemeinen nicht für eine Vorderseitenemission genutzt werden.Such an arrangement, however, uses only that in the direction of the Front emitted radiation component of both light emissions diodes. However, half of the radiation is directed towards the back is emitted and therefore generally cannot be used for a front emission.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine gat­ tungsgemäße Lichtemissions-Halbleitereinrichtung mit verbes­ serter Lichtausbeute anzugeben.It is therefore an object of the present invention to provide a gat according to light emission semiconductor device with verbes to specify light output.

Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Pa­ tentanspruchs 1 gelöst.This task is characterized by the characteristic features of Pa claim 1 solved.

Nach der Erfindung weist eine Lichtemissions-Halbleiterein­ richtung zwischen ihrer Vorderseite und ihrer Rückseite eine erste oberflächenemittierende Lichtemissionsdiode mit einer ersten aktiven Zone, welche Strahlung einer ersten Wellenlänge emittiert, und eine zweite oberflächenemittierende Lichtemis­ sionsdiode mit einer zweiten aktiven Zone, welche Strahlung einer zweiten, von der ersten verschiedene Wellenlänge emit­ tiert, auf, wobei zwischen beiden aktiven Zonen eine erste Re­ flexionsschicht angeordnet ist, die für die erste Wellenlänge reflektierend und für die zweite Wellenlänge durchlässig ist, und zwischen der zweiten aktiven Zone und der Rückseite eine zweite Reflexionsschicht angeordnet ist, die für die zweite Wellenlänge reflektierend ist.According to the invention, has a light emission semiconductor direction between your front and back one first surface-emitting light-emitting diode with a first active zone, which radiation of a first wavelength emitted, and a second surface-emitting light emis sionsdiode with a second active zone, which radiation a second wavelength different from the first tiert, with a first Re between the two active zones flexion layer is arranged for the first wavelength is reflective and transmissive to the second wavelength, and one between the second active zone and the back second reflection layer is arranged for the second Wavelength is reflective.

Besondere Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteran­ sprüchen angegeben.Particular embodiments of the invention are in the Unteran sayings.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbei­ spiels näher erläutert. In den Figuren zeigen The invention is illustrated below with the aid of an embodiment explained in more detail. Show in the figures  

Fig. 1 eine 2-Farben-LED nach dem Stand der Technik; Figure 1 shows a 2-color LED according to the prior art.

Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Licht­ emissions-Halbleitereinrichtung. Fig. 2 shows an embodiment of a light emission semiconductor device according to the invention.

In Fig. 2 ist ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtemissions-Halbleitereinrichtung dargestellt.In FIG. 2, an embodiment of an inventive light-emitting semiconductor device is shown.

Die gezeigte Halbleitereinrichtung weist ein n-dotiertes GaP-Substrat 1 und zwei Lichtemissionsdioden 10 und 20 auf, die durch zwei entsprechende strahlungserzeugende aktive Zonen 11 und 21 gebildet werden, die jeweils beidseits des Substrats 1 nahe den Oberflächen der Vorder- bzw. Rückseite der Halblei­ tereinrichtung liegen. Diese aktiven Zonen 11, 21 können durch epitaktisches Abscheiden von Halbleiterschichten auf beiden Seiten hergestellt werden. Das Ausführungsbeispiel sieht vor, daß diese Halbleiterschichten aus dem quaternären Halbleiter InGaAlP zusammengesetzt sind und die Anteilsfaktoren der darin enthaltenen Elemente jeweils derart gewählt sind, daß die auf der Vorderseite gebildete aktive Zone 11 eine Strahlung mit einer Wellenlänge im gelb-grünen Spektralbereich erzeugt und die auf der Rückseite gebildete aktive Zone 21 eine Strahlung mit einer Wellenlänge im roten Spektralbereich erzeugt. Das GaP-Substrat 1 ist aufgrund seiner großen Bandlücke für die Strahlung beider Wellenlängen transparent.The semiconductor device shown has an n-doped GaP substrate 1 and two light-emitting diodes 10 and 20 , which are formed by two corresponding radiation-generating active zones 11 and 21 , which are in each case on both sides of the substrate 1 near the surfaces of the front and back of the semiconductor tereinrichtung lie. These active zones 11 , 21 can be produced by epitaxial deposition of semiconductor layers on both sides. The exemplary embodiment provides that these semiconductor layers are composed of the quaternary semiconductor InGaAlP and the proportion factors of the elements contained therein are each selected such that the active zone 11 formed on the front side generates radiation with a wavelength in the yellow-green spectral range and that active zone 21 formed on the rear side produces radiation with a wavelength in the red spectral range. Due to its large band gap, the GaP substrate 1 is transparent to the radiation of both wavelengths.

Die aktiven Zonen 11, 21 sind im einfachsten Fall pn-Übergänge von Volumenhalbleitern, also jeweils die Grenzflächen zwischen den n- und p-Gebieten des quaternären Halbleiters. Es kann sich bei den aktiven Zonen 11, 21 aber auch um die Potential­ topfschichten eines Heterostrukturlasers handeln, die von Bar­ rierenschichten mit größerer Bandlücke eingeschlossen werden, wobei Potentialtopf- wie Barrierenschichten jeweils aus InGaAlP mit unterschiedlichen Anteilsfaktoren der Elemente bestehen. In the simplest case, the active zones 11 , 21 are pn junctions of bulk semiconductors, that is to say the interfaces between the n and p regions of the quaternary semiconductor. The active zones 11 , 21 can, however, also be the potential well layers of a heterostructure laser, which are enclosed by barrier layers with a larger band gap, the potential well and barrier layers each consisting of InGaAlP with different proportion factors of the elements.

Natürlich kann zur Herstellung der aktiven Zonen 11 und 21 auch Homoepitaxie angewandt werden, bei der beidseitig p-dotierte und unterschiedlich störstellendotierte GaP-Schichten auf dem GaP-Substrat 1 abgeschieden werden.Of course, homoepitaxy can also be used to produce the active zones 11 and 21 , in which GaP layers p-doped on both sides and differently impurity-doped are deposited on the GaP substrate 1 .

Die den beiden Lichtemissionsdioden 10, 20 gemeinsame n-Zone, die durch das n-leitende GaP-Substrat 1 gebildet wird, wird durch den elektrischen Kontaktanschluß 2 mit dem gemeinsamen Minuspol zweier nicht dargestellter Spannungsquellen verbunden, während die p-leitende Vorderseite durch den elektrischen Kon­ taktanschluß 13 mit dem Pluspol der ersten Spannungsquelle verbunden wird, und die p-leitende Rückseite durch den elek­ trischen Kontaktanschluß 24 mit dem Pluspol der zweiten Span­ nungsquelle verbunden wird. Die Rückseite kann ganz flächig mit einer metallischen Kontaktierungsschicht 23 bedeckt sein.The n-zone common to the two light-emitting diodes 10 , 20 , which is formed by the n-type GaP substrate 1 , is connected by the electrical contact connection 2 to the common negative pole of two voltage sources, not shown, while the p-type front side by the electrical Kon contact terminal 13 is connected to the positive pole of the first voltage source, and the p-type back is connected by the electrical contact terminal 24 to the positive pole of the second voltage source. The back can be completely covered with a metallic contact layer 23 .

Die Lichtemissionsdiode mit der größeren Wellenlänge muß auf der Rückseite liegen, da andernfalls die von ihr emittierte Strahlung von dem Halbleitermaterial der vorderseitigen Licht­ emissiondiode absorbiert werden würde. In dem Ausführungsbei­ spiel emittiert also die Lichtemissionsdiode 20 die größere von beiden Wellenlängen.The light-emitting diode with the longer wavelength must be on the rear side, since otherwise the radiation emitted by it would be absorbed by the semiconductor material of the front-side light-emitting diode. In the exemplary embodiment, the light-emitting diode 20 thus emits the larger of the two wavelengths.

Um nun die von den Lichtemissionsdioden 10, 20 in Richtung auf die Rückseite der Halbleitereinrichtung emittierte Strahlung nutzen zu können, sind zwei Reflexionsschichten 12, 22 einge­ setzt, die sich beide unterhalb des n-leitenden GaP-Substrats 1 befinden. Die erste Reflexionsschicht 12 ist für die erste Wellenlänge reflektierend und für die zweite Wellenlänge durchlässig, und die zweite Reflexionsschicht 22 ist für die zweite Wellenlänge reflektierend. Somit erzeugt die erste Lichtemissionsdiode 10 einen direkt nach oben gerichteten Strahlungspfad 10-1 und einen Strahlungspfad 10-2, der zunächst nach unten gerichtet ist, bei welchem jedoch die Strahlung der ersten Lichtemissionsdiode 10 durch das transparente Substrat zu der ersten Reflexionsschicht 12 gelangt, an dieser reflektiert wird und durch die Vorderseite der Halbleiterein­ richtung austritt. Ebenso erzeugt die zweite Lichtemissions­ diode 20 einen direkt nach oben gerichteten Strahlungspfad 20-1 und einen Strahlungspfad 20-2, der zunächst nach unten ge­ richtet ist, bei welchem jedoch die Strahlung der zweiten Lichtemissionsdiode 20 zu der zweiten Reflexionsschicht 22 ge­ langt, an dieser reflektiert wird und durch die Vorderseite austritt.In order to be able to use the radiation emitted by the light emission diodes 10 , 20 in the direction of the rear side of the semiconductor device, two reflection layers 12 , 22 are inserted, both of which are located below the n-type GaP substrate 1 . The first reflection layer 12 is reflective for the first wavelength and transmissive for the second wavelength, and the second reflection layer 22 is reflective for the second wavelength. Thus, the first light-emitting diode 10 generates a directly upward radiation path 10-1 and a radiation path 10-2 , which is initially directed downward, but in which, however, the radiation from the first light-emitting diode 10 passes through the transparent substrate to the first reflection layer 12 this is reflected and exits through the front of the semiconductor device. Likewise, the second light emission generated diode 20 a directed directly upward radiation path 20-1 and a radiation path 20-2, which is directed initially to ge below, but in which the radiation of the second light emitting diode reaches ge to the second reflection layer 20, 22 at this is reflected and emerges through the front.

Die Reflexionsschichten 12, 22 werden vorzugsweise jeweils durch ein Mehrfachschichtsystem aus Schichten mit abwechselnd hohem und niedrigem Brechungsindex, einem sogenannten Distribu­ ted Bragg Reflector (DBR), gebildet, da sich auf diese Art sehr hochreflektierende Schichten mit hoher Wellenlängenselektivität erzielen lassen. Dies gilt insbesondere für die erste Reflexionsschicht 12, die im Idealfall einen Reflexionskoeffi­ zienten R = 1 für die Strahlung der ersten Lichtemissiondiode 10 und einen Transmissionskoeffizienten T = 1 für die Strahlung der zweiten Lichtemissiondiode 20 aufweist. Besonders vorteilhaft ist es, wenn diese Schichten ebenfalls aus dem Ma­ terialsystem GaP und seinen ternären oder quaternären Verbin­ dungen zusammengesetzt werden und epitaktisch aufgewachsen werden können. Auch für die zweite Reflexionsschicht 22 wird vorzugsweise ein derartiges Mehrfachschichtsystem eingesetzt.The reflection layers 12 , 22 are preferably each formed by a multilayer system consisting of layers with alternating high and low refractive indices, a so-called distributed Bragg reflector (DBR), since in this way very highly reflective layers with high wavelength selectivity can be achieved. This applies in particular to the first reflection layer 12 , which ideally has a reflection coefficient R = 1 for the radiation from the first light-emitting diode 10 and a transmission coefficient T = 1 for the radiation from the second light-emitting diode 20 . It is particularly advantageous if these layers are also composed of the material system GaP and its ternary or quaternary compounds and can be grown epitaxially. Such a multilayer system is preferably also used for the second reflection layer 22 .

Eine weitere Möglichkeit besteht darin, für eine oder beide Reflexionsschichten 12, 22 dielektrische Schichten oder ein Mehrfachschichtsystem aus dielektrischen Schichten einzusetzen.A further possibility is to use dielectric layers or a multilayer system composed of dielectric layers for one or both reflection layers 12 , 22 .

Es kann aber im Prinzip für die Reflexionsschicht 22 auch eine metallische oder metallhaltige Schicht eingesetzt werden. Das Metall sollte dabei einen hohen Reflexionskoeffizienten bei der zweiten Wellenlänge haben. Das Metall kann dabei auch nur partiell auf die Rückseite aufgebracht werden, wobei ein zu­ sätzlicher Brechungsindexsprung an der Grenzfläche für eine Erhöhung des Reflexionskoeffizienten sorgt.In principle, however, a metallic or metal-containing layer can also be used for the reflection layer 22 . The metal should have a high reflection coefficient at the second wavelength. The metal can also be applied only partially to the back, with an additional refractive index jump at the interface ensuring an increase in the reflection coefficient.

Zur Herstellung der aktiven Zonen 11 und 21 können auch Schichten aus GaAsP auf GaP-Substratmaterial epitaktisch auf­ gebracht werden. Bei Verwendung eines Substratmaterials aus SiC können Schichten aus InGaN oder InN zur Bildung der bei­ derseitigen pn-Übergänge verwendet werden.To produce the active zones 11 and 21 , layers of GaAsP can also be applied epitaxially to GaP substrate material. When using a substrate material made of SiC, layers made of InGaN or InN can be used to form the pn junctions on the side.

Es können auch verschiedene Epitaxieverfahren miteinander kom­ biniert werden, beispielsweise Flüssigphasenepitaxie an der Vorderseite und MOVPE (metallorganische Gasphasenepitaxie) an der Rückseite.Different epitaxy methods can also come together be binated, for example liquid phase epitaxy on the Front and MOVPE (organometallic gas phase epitaxy) the back.

Es kann auch die vorderseitige Lichtemissionsdiode dadurch hergestellt werden, daß durch einen Diffusionsschritt eine p-Zone und damit ein pn-Übergang zwischen dem n-Substrat und der p-Zone erzeugt wird, während die rückseitige Lichtemissions­ diode einschließlich der Reflexionsschichten durch epitaktische Wachstumsverfahren hergestellt werden.It can also cause the front light emitting diode be produced that a diffusion step p zone and thus a pn junction between the n substrate and the p-zone is generated while the back light emission diode including the reflection layers through epitaxial Growth processes are made.

Claims (23)

1. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung, die zwischen ihrer Vorderseite und ihrer Rückseite eine erste oberflächenemittie­ rende Lichtemissionsdiode (10) mit einer ersten aktiven Zone (11), welche Strahlung einer ersten Wellenlänge emittiert, und eine zweite oberflächenemittierende Lichtemissionsdiode (20) mit einer zweiten aktiven Zone (21), welche Strahlung einer zweiten, von der ersten verschiedene, Wellenlänge emittiert, aufweist, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß zwischen beiden aktiven Zonen (11, 21) eine erste Refle­ xionsschicht (12) angeordnet ist, die für die erste Wellen­ länge reflektierend und für die zweite Wellenlänge durchläs­ sig ist, und
  • - daß zwischen der zweiten aktiven Zone (21) und der Rückseite eine zweite Reflexionsschicht (22) angeordnet ist, die für die zweite Wellenlänge reflektierend ist.
1. A light-emitting semiconductor device which has a first surface-emitting light-emitting diode ( 10 ) with a first active zone ( 11 ), which emits radiation of a first wavelength, and a second surface-emitting light-emitting diode ( 20 ) with a second active zone, between its front side and its rear side ( 21 ) which emits radiation of a second wavelength different from the first, characterized in that
  • - That between the two active zones ( 11 , 21 ) a first reflection layer ( 12 ) is arranged, which is reflective for the first wavelength and permeable for the second wavelength, and
  • - That between the second active zone ( 21 ) and the back a second reflection layer ( 22 ) is arranged, which is reflective for the second wavelength.
2. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, da­ durch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Reflexions­ schichten (12, 22) ein Mehrfachschichtsystem aus Schichten mit abwechselnd hohem und niedrigem Brechungsindex, insbesondere ein Distributed Bragg Reflector (DBR), ist.2. Light emission semiconductor device according to claim 1, characterized in that at least one of the reflection layers ( 12 , 22 ) is a multi-layer system consisting of layers with alternating high and low refractive index, in particular a distributed Bragg reflector (DBR). 3. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 2, da­ durch gekennzeichnet, daß die Schichten an das benachbarte Halbleitermaterial gitterangepaßt sind und insbesondere eben­ falls aus einem Halbleiter mit entsprechender Gitterkonstante bestehen.3. The light emission semiconductor device according to claim 2, since characterized in that the layers are adjacent to the Semiconductor material are lattice-matched and in particular flat if from a semiconductor with a corresponding lattice constant consist. 4. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Reflexionsschicht (22) ein Metall enthält. 4. Light emission semiconductor device according to claim 1 or 2, characterized in that the second reflection layer ( 22 ) contains a metal. 5. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach einem oder mehre­ ren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus einem für beide Wellenlängen im wesentlichen durchlässigen Halbleiterwafer hergestellt ist, wobei die aktiven Zonen (11, 21) nahe an der Vorder- bzw. Rückseite des Halbleiterwafers ausgebildet sind.5. Light emission semiconductor device according to one or more of the preceding claims, characterized in that it is produced from a semiconductor wafer which is essentially transparent for both wavelengths, the active zones ( 11 , 21 ) being close to the front or rear side of the semiconductor wafer are trained. 6. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 5, da­ durch gekennzeichnet, daß auf Vorder- und Rückseite des Halb­ leiterwafers Schichten eines anderen Halbleitermaterials als das des Halbleiterwafers epitaktisch aufgebracht sind.6. The light emission semiconductor device according to claim 5, since characterized by that on the front and back of the half layers of a semiconductor material other than that of the semiconductor wafer are applied epitaxially. 7. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 6, da­ durch gekennzeichnet, daß die Schichten einen Heterostruktur­ laser bilden.7. The light emission semiconductor device according to claim 6, since characterized in that the layers have a heterostructure laser form. 8. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 6, da­ durch gekennzeichnet, daß das Material des Halbleiterwafers GaP und das Material der epitaktischen Schichten GaAsP oder InGaAlP ist.8. The light emission semiconductor device according to claim 6, since characterized in that the material of the semiconductor wafer GaP and the material of the epitaxial layers GaAsP or InGaAlP is. 9. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 6, da­ durch gekennzeichnet, daß das Material des Halbleiterwafers SiC und das Material der epitaktischen Schichten InGaN oder InN ist.9. The light emission semiconductor device according to claim 6, since characterized in that the material of the semiconductor wafer SiC and the material of the epitaxial layers InGaN or InN is. 10. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 5, da­ durch gekennzeichnet, daß das Material des Halbleiterwafers GaP ist und auf beiden Seiten unterschiedlich störstellendotierte GaP-Schichten epitaktisch aufgebracht sind.10. The light emission semiconductor device according to claim 5, since characterized in that the material of the semiconductor wafer GaP and is differently doped with interfering sites on both sides GaP layers are applied epitaxially. 11. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach einem oder meh­ reren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jede Lichtemissionsdiode (10, 20) ihre eigene Spannungsquelle (30, 40) aufweist. 11. Light emission semiconductor device according to one or more of the preceding claims, characterized in that each light emission diode ( 10 , 20 ) has its own voltage source ( 30 , 40 ). 12. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 11, da­ durch gekennzeichnet, daß die pn-Übergänge beider Lichtemissi­ onsdioden (10, 20) eine gemeinsame n- oder p-leitende Zone aufweisen und die zwei Spannungsquellen (30, 40) einen gemein­ samen Pol aufweisen und dieser Pol mit der den beiden pn-Über­ gängen gemeinsamen n- oder p-leitenden Zone kontaktiert ist.12. Light emission semiconductor device according to claim 11, characterized in that the pn junctions of both light emitting diodes ( 10 , 20 ) have a common n- or p-type zone and the two voltage sources ( 30 , 40 ) have a common pole and this pole is in contact with the n- or p-type zone common to the two pn junctions. 13. Verfahren zur Herstellung einer Lichtemissions-Halblei­ tereinrichtung, bei welchem auf der Vorderseite eines Halblei­ terwafers (1) durch Bildung einer ersten aktiven Zone (11), welche Strahlung einer ersten Wellenlänge emittiert, eine erste Lichtemissiondiode (10) hergestellt wird, und auf die Rückseite des Halbleiterwafers (1) eine erste Reflexionsschicht (12) aufgebracht wird und darauf mindestens eine Schicht eines Halbleitermaterials zur Bildung einer zweiten aktiven Zone (21), welche Strahlung einer zweiten Wellenlänge emittiert und Teil einer zweiten Lichtemissiondiode (20) ist, aufgebracht wird, und darauf eine zweite Reflexionsschicht (22) aufgebracht wird.13. A method for producing a light-emitting semiconductor device, in which a first light-emitting diode ( 10 ) is produced on the front side of a semiconductor wafer ( 1 ) by forming a first active zone ( 11 ) which emits radiation of a first wavelength, and on a first reflection layer ( 12 ) is applied to the back of the semiconductor wafer ( 1 ) and at least one layer of semiconductor material is applied thereon to form a second active zone ( 21 ) which emits radiation of a second wavelength and is part of a second light emission diode ( 20 ) , and a second reflection layer ( 22 ) is applied thereon. 14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Reflexionsschichten (12, 22) ein Mehrfach­ schichtsystem aus Schichten mit abwechselnd hohem und niedrigem Brechungsindex, insbesondere ein Distributed Bragg Reflector (DBR), ist.14. The method according to claim 13, characterized in that at least one of the reflection layers ( 12 , 22 ) is a multi-layer system of layers with alternating high and low refractive index, in particular a distributed Bragg reflector (DBR). 15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten an das benachbarte Halbleitermaterial gitterangepaßt sind und insbesondere ebenfalls aus einem Halbleiter mit entsprechender Gitterkonstante bestehen.15. The method according to claim 14, characterized in that the Layers lattice-matched to the adjacent semiconductor material are and in particular also with a semiconductor corresponding lattice constant exist. 16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Reflexionsschicht (22) ein Metall enthält. 16. The method according to claim 14 or 15, characterized in that the second reflection layer ( 22 ) contains a metal. 17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß auf Vorder- und Rückseite des Halbleiterwafers Schichten eines anderen Halbleitermaterials als das des Halbleiterwafers epi­ taktisch aufgebracht werden.17. The method according to claim 16, characterized in that on Front and back of the semiconductor wafer layers one semiconductor material other than that of the semiconductor wafer epi be tactically applied. 18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten einen Heterostrukturlaser bilden.18. The method according to claim 17, characterized in that the Layers form a heterostructure laser. 19. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Halbleiterwafers GaP und das Material der Schichten GaAsP oder InGaAlP ist.19. The method according to claim 17, characterized in that the Material of the semiconductor wafer GaP and the material of the Layers of GaAsP or InGaAlP. 20. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Material des Halbleiterwafers GaP ist und auf beiden Seiten unterschiedlich störstellendotierte GaP-Schichten epitaktisch aufgebracht werden.20. The method according to any one of claims 14 to 16, characterized ge indicates that the material of the semiconductor wafer is GaP and Doped differently on both sides GaP layers are applied epitaxially. 21. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Halbleiterwafers SiC und das Material der Schichten InGaN oder InN ist.21. The method according to claim 17, characterized in that the Material of the semiconductor wafer SiC and the material of the Layers is InGaN or InN. 22. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei Lichtemissions­ dioden an jeweils eine Spannungsquelle (30, 40) angeschlossen werden.22. The method according to one or more of the preceding claims, characterized in that the two light-emitting diodes are each connected to a voltage source ( 30 , 40 ). 23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei Spannungsquellen (30, 40) einen gemeinsamen Pol aufweisen und dieser Pol mit der beiden pn-Übergängen gemeinsamen n- oder p-leitenden Zone kontaktiert wird und ein Pol der ersten Spannungsquelle (30) mit der Vorderseite kontaktiert wird und ein entsprechender Pol der zweiten Spannungsquelle (40) mit der Rückseite kontaktiert wird.23. The method according to claim 22, characterized in that the two voltage sources ( 30 , 40 ) have a common pole and this pole is contacted with the two pn junctions common n- or p-type zone and a pole of the first voltage source ( 30 ) is contacted with the front and a corresponding pole of the second voltage source ( 40 ) is contacted with the rear.
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