DE19807460A1 - Annular housing for rotary carrier in semiconductor wafer processing - Google Patents
Annular housing for rotary carrier in semiconductor wafer processingInfo
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine ringförmige Aufnahme, insbesondere für einen rotierenden Träger zur Aufnahme eines scheibenförmigen Gegenstandes wie eines Halbleiters. Soweit im folgenden von Halbleitern oder Wafern gesprochen wird, umfaßt dieser Begriff alle Arten scheibenförmiger Gegenstände wie CD's oder Magnetscheiben.The invention relates to an annular receptacle, in particular for a rotating carrier to hold a disc-shaped object like a semiconductor. So far in the following is spoken of semiconductors or wafers this term applies to all types of disc-shaped objects such as CD's or magnetic disks.
Eine solche ringförmige Aufnahme ist aus der EP 0 444 714 B1 bekannt. Zum Bearbeiten von scheibenförmigen Halbleitern, beispielsweise zum Ätzen von Siliciumscheiben (Wafern) mit gegebenenfalls verschiedenen Säuren ist es bekannt, die Halbleiter auf einem rotierenden Träger (sogenannter Chuck) anzuordnen. Auf die zu behandelnde Oberfläche des Halbleiters wird eine Behandlungsflüssigkeit, beispielsweise eine Ätzflüssigkeit, aufgetragen, die Ätzflüssigkeit verteilt sich aufgrund der Rotationsbewegung des Halbleiters über dessen Oberfläche und wird seitlich über die Kante des Halbleiters weggeschleudert. Such an annular receptacle is known from EP 0 444 714 B1 known. For processing disc-shaped semiconductors, for example for etching silicon wafers optionally different acids, it is known that Semiconductors on a rotating carrier (so-called chuck) to arrange. On the surface of the semiconductor to be treated becomes a treatment liquid, for example a Etching liquid, applied, the etching liquid is distributed due to the rotational movement of the semiconductor over it Surface and is laterally over the edge of the semiconductor flung away.
Zum Auffangen dieser Behandlungsflüssigkeit wird in der EP 0 444 714 B1 vorgeschlagen, in der ringförmigen Aufnahme (Topf) wenigstens zwei zu dessen Innenraum hin offene Ringkanäle zum Ansammeln der Behandlungsflüssigkeit vorzusehen. Mit anderen Worten: Die Ringkanäle dienen dazu, abgeschleuderte Prozeßflüssigkeit aufzufangen. Entsprechend sind die Ringkanäle in radialer Verlängerung des zu behandelnden Halbleiters in der Aufnahme angeordnet.To collect this treatment liquid is in the EP 0 444 714 B1 proposed in the annular receptacle (Pot) at least two open to its interior Provide ring channels for collecting the treatment liquid. In other words: the ring channels serve to throw off Process liquid to catch. The ring channels are corresponding in a radial extension of the semiconductor to be treated in the Recording arranged.
Auf diese Weise wird es nicht nur ermöglicht, die Prozeßflüssigkeit gezielt aus dem System wegzuführen; vielmehr wird gleichzeitig die Möglichkeit geschaffen, die Prozeßflüssigkeit, gegebenenfalls nach einer Wiederaufarbeitungsstufe, erneut einzusetzen.This way it not only enables you Systematically remove process fluid from the system; much more the possibility is created at the same time that Process liquid, possibly after a Refurbishment stage to use again.
Über die Ringkanäle wird im Stand der Technik gleichzeitig Prozeßluft abgesaugt. Flüssigkeit und Luft (Gas) werden im Stand der Technik anschließend durch Schwerkraft und/oder Kondensation wieder getrennt. Bei diesem Verfahren läßt sich jedoch ein gewisser Flüssigkeitsverlust nicht vermeiden. Dies gilt insbesondere dann, wenn Prozeßflüssigkeiten höherer Temperatur (beispielsweise 40 bis 80°C) eingesetzt werden.In the prior art, the ring channels are used simultaneously Process air extracted. Liquid and air (gas) are in the State of the art subsequently by gravity and / or Condensation separated again. This method can be used however, do not avoid some fluid loss. This applies particularly when process liquids are higher Temperature (for example 40 to 80 ° C) can be used.
Aus der US 5,705,223 A ist eine Vorrichtung bekannt, mit der Halbleiteroberflächen einseitig beschichtet werden. Um zu vermeiden, daß das Beschichtungsmaterial auch auf die Unterseite des Halbleiters gelangt wird eine Einrichtung vorgeschlagen, die seitlich abgeschleudertes, überschüssiges Beschichtungsmaterial auffängt und gleichzeitig eine gewisse "Abdichtung" im Randbereich des Halbleiters gegenüber dessen Unterseite vorsieht.From US 5,705,223 A a device is known with which Semiconductor surfaces are coated on one side. In order to avoid that the coating material on the A device is reached on the underside of the semiconductor suggested the laterally flung excess Coating material catches and at the same time a certain "Sealing" in the edge area of the semiconductor against it Provides underside.
Abgesehen davon, daß die bekannte Vorrichtung ausschließlich der Beschichtung von Halbleitern dient ergeben sich hinsichtlich der radialen Absaugung ähnliche prozeßtechnische Verhältnisse wie beim Stand der Technik gemäß EP 0 444 714 B1.Apart from the fact that the known device exclusively serves to coat semiconductors similar process engineering with regard to radial suction Ratios as in the prior art according to EP 0 444 714 B1.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine gattungsgemäße ringförmige Aufnahme (Gehäuse) dahingehend weiterzubilden, daß der Verlust an Prozeßflüssigkeit so gering wie möglich gehalten wird. Gleichzeitig soll die Prozeßflüssigkeit in möglichst optimierter Reinheit zurückgewonnen werden. Schließlich sollen die verfahrenstechnischen Prozeßbedingungen innerhalb der Gesamtvorrichtung (Prozeßkammer) in Hinblick auf die bei der Behandlung von Halbleitern notwendigen Reinbedingungen verbessert werden.The invention has for its object a generic ring-shaped receptacle (housing) to further develop that the loss of process fluid is kept as low as possible becomes. At the same time, the process liquid should be as possible optimized purity can be recovered. After all, should the procedural process conditions within the Overall device (process chamber) with regard to the Treatment of semiconductors necessary clean conditions be improved.
Grundgedanke der Erfindung ist es, unabhängig von der radialen Aufnahme abgeschleuderter Prozeßflüssigkeit, im System befindliche Prozeßluft (Prozeßgas) getrennt abzusaugen.The basic idea of the invention is independent of the radial Absorption of spun off process liquid in the system Extract process air (process gas) separately.
Entgegen den bekannten Lösungen soll die Prozeßflüssigkeit dabei nicht abgesaugt werden, sondern ausschließlich in eine zugehörige Auffangeinrichtung geschleudert werden. Allein dieses Merkmal reicht zur Lösung der bestellten Aufgabe jedoch nicht, da die abgeschleuderte Prozeßflüssigkeit beim Auftreffen auf eine Wandfläche einen Sprühnebel erzeugen kann, der die geschilderten Probleme noch verstärken würde. Contrary to the known solutions, the process liquid not be sucked off, but only in one associated collection device are flung. Alone however, this feature is sufficient to solve the task ordered not because the spun off process liquid on impact can generate a spray on a wall surface, which the problems outlined above.
Wird die Prozeßluft dagegen getrennt von der Wegführung der Prozeßflüssigkeit, jedoch in unmittelbarer Nähe dazu abgesaugt, erfolgt eine exakte Trennung der flüssigen von der gasförmigen Phase. Die flüssige Phase kann mehr oder weniger laminar aus dem System weggeführt, gegebenenfalls wieder aufgearbeitet und erneut verwendet werden.However, the process air is separated from the routing of the Process liquid, but aspirated in the immediate vicinity, there is an exact separation of the liquid from the gaseous Phase. The liquid phase can be more or less laminar led away from the system, refurbished if necessary and can be used again.
Die gleichzeitige Absaugung der Prozeßluft (des Prozeßgases) verhindert unerwünschte Sekundärgasströme.The simultaneous extraction of the process air (process gas) prevents unwanted secondary gas flows.
Durch die Trennung der Gasabsaugung und der Aufnahmeeinrichtung für die Prozeßflüssigkeit wird gleichzeitig verhindert, daß etwaig entstehende Sprühnebel in das System oder in die Umgebungsluft zurückgelangen.By separating the gas extraction and the receiving device for the process liquid is prevented at the same time that any spray mist that occurs in the system or in the Ambient air.
Soweit bei der Ausbildung eines Sprühnebels vereinzelte Flüssigkeitströpfchen in das System (in die Nähe des zu behandelnden Halbleiters) zurückströmen sollten wird durch die von der Innenwand der ringförmigen Aufnahme verlaufende Absaugeinrichtung verhindert, daß diese Flüssigkeitströpfchen sich unkontrolliert im Bereich des Halbleiters verteilen. Vielmehr werden sie über die nebengeschaltete Luftabsaugung sicher und zuverlässig weggeführt, bevor sie in den Bereich des Halbleiters (scheibenförmigen Gegenstandes) beziehungsweise in die Umgebungsatmosphäre gelangen könnten.As far as isolated in the formation of a spray Droplets of liquid in the system (near the to treating semiconductor) should flow back through the from the inner wall of the annular receptacle Suction device prevents these liquid droplets are distributed in an uncontrolled manner in the area of the semiconductor. Rather, they are connected via the air extraction safely and reliably guided away before entering the area of Semiconductor (disc-shaped object) or in the ambient atmosphere could get.
In ihrer allgemeinsten Ausführungsform betrifft die Erfindung
danach eine ringförmige Aufnahme für eigen rotierenden Träger
zur Aufnahme eines scheibenförmigen Gegenstandes, mit folgenden
Merkmalen:
In its most general embodiment, the invention then relates to an annular receptacle for self-rotating supports for receiving a disk-shaped object, with the following features:
- - die Aufnahme weist mindestens einen ringförmigen Kanal in radialer Verlängerung einer Auflagefläche des Trägers für den Gegenstand auf,- The receptacle has at least one annular channel in radial extension of a support surface of the carrier for the Object on,
- - benachbart mindestens eines ringförmigen Kanals verläuft in der Aufnahme, ausgehend von deren Innenwand, mindestens eine Absaugeinrichtung.- Adjacent to at least one annular channel runs in the recording, starting from its inner wall, at least one Suction device.
Soweit von mindestens einem ringförmigen Kanal gesprochen wird ergibt sich daraus bereits, daß die Aufnahme auch für mehrstufige Prozesse genutzt werden kann, wie sie in der EP 0 444 714 B1 vorgestellt werden.As far as one speaks of at least one annular channel it already follows that the recording also for multilevel processes can be used, as in the EP 0 444 714 B1 are presented.
Dazu wird der Träger (Chuck) in der jeweiligen Verfahrensstufe vertikal in die gewünschte Position geführt und der Halbleiter beispielsweise in einer ersten Position mit einer Ätzflüssigkeit behandelt und in einer zweiten Position mit deionisiertem Wasser gespült.For this purpose, the carrier (chuck) in the respective process stage vertically into the desired position and the semiconductor for example in a first position with a Etching liquid treated and in a second position deionized water rinsed.
Vertikal getrennt voneinander angeordnete ringförmige Kanäle ermöglichen es so, die Ätzflüssigkeit und das deionisierte Wasser in getrennten Kanälen aufzufangen.Annular channels arranged vertically separated from each other thus enable the etching liquid and the deionized Collect water in separate channels.
Die Absaugeinrichtung kann aus einer Vielzahl, weitestgehend gleichmäßig entlang der Innenwand der Aufnahme verteilten Absaugdüsen bestehen. The suction device can consist of a large number, as far as possible evenly distributed along the inner wall of the receptacle There are suction nozzles.
Alternativ ist vorgesehen, daß die Absaugeinrichtung aus einem ringförmigen Absaugkanal besteht, dessen geometrische Anordnung damit im wesentlichen der des ringförmigen Kanals für die Prozeßflüssigkeit entspricht.Alternatively, it is provided that the suction device from one there is an annular suction duct whose geometric arrangement thus essentially that of the annular channel for the Process fluid corresponds.
Die Absaugeinrichtung soll getrennt, wenngleich in unmittelbarer Nähe des ringförmigen Kanals angeordnet werden. Dabei ist es möglich, sowohl die Absaugeinrichtung als auch den ringförmigen Kanal in eine gemeinsame Öffnung im Bereich der Innenwand der ringförmigen Aufnahme münden zu lassen.The suction device should be separate, albeit in be arranged in the immediate vicinity of the annular channel. It is possible to use both the suction device and the annular channel in a common opening in the area of To let the inner wall of the annular receptacle open.
Insbesondere bei der letztgenannten Ausführungsform bietet es sich dann an, die Absaugeinrichtung, ausgehend von der Innenwand der Aufnahme, in Bezug auf die Auflagefläche des Trägers ansteigend nach oben auszubilden.In the latter embodiment in particular, it offers then the suction device, starting from the Inner wall of the receptacle, in relation to the contact surface of the To train the carrier to rise upwards.
Auf diese Weise wird sichergestellt, daß etwaig zurückströmende Flüssigkeitspartikel sicher abgesaugt werden.This ensures that any backflow Liquid particles are suctioned off safely.
Auch unterhalb des Halbleiters beziehungsweise seiner Aufnahmefläche kann eine (weitere) Absaugeinrichtung vorgesehen werden, die sich ebenfalls, ausgehend von der Innenwand der Aufnahme, radial nach außen erstreckt.Even below the semiconductor or its A (further) suction device can be provided in the receiving surface be, which also, starting from the inner wall of the Recording, extends radially outwards.
Umgekehrt zur Ausbildung der "oberen" Absaugeinrichtung kann diese weitere (untere) Absaugeinrichtung, ausgehend von der Innenwand der Aufnahme, in Bezug auf die Auflagefläche des Trägers abfallend nach unten verlaufen. Es ergeben sich damit die gleichen Effekte für die unterhalb des Halbleiters strömende Abluft. Conversely, the formation of the "upper" suction device can this further (lower) suction device, starting from the Inner wall of the receptacle, in relation to the contact surface of the Carrier sloping downwards. So it results the same effects for those below the semiconductor flowing exhaust air.
Die konkrete konstruktive Gestaltung der weiteren Absaugeinrichtung kann im übrigen der der oberen Absaugeinrichtung entsprechen. Die weitere Absaugeinrichtung kann entsprechend wiederum aus einer Vielzahl, weitestgehend gleichmäßig entlang der Innenwand der Aufnahme verteilten Absaugdüsen bestehen oder von einem ringförmigen Absaugkanal gebildet werden.The concrete constructive design of the others Suction device can, moreover, that of the upper Suction device correspond. The further suction device can in turn from a variety, largely evenly distributed along the inner wall of the receptacle Suction nozzles exist or from an annular suction channel be formed.
Bei der Ausbildung der Absaugeinrichtung mit mehreren Absaugdüsen sind diese vorzugsweise rotationssymmetrisch in Bezug auf die Drehachse des Trägers für den Halbleiter angeordnet. Auf diese Weise wird eine über den Umfang des Halbleiters gleichmäßige Absaugung geschaffen.When designing the suction device with several Suction nozzles are preferably rotationally symmetrical in Relation to the axis of rotation of the carrier for the semiconductor arranged. In this way, one is informed about the scope of the Semiconductor's uniform suction created.
Insbesondere bei einer mehrstufigen Ausbildung der ringförmigen Aufnahme, wie vorstehend beschrieben, bietet es sich an, die Absaugeinrichtung und die weitere Absaugeinrichtung an eine gemeinsame Unterdruckquelle anzuschließen.In particular in the case of a multi-stage formation of the annular Recording, as described above, offers itself to the Suction device and the further suction device to one to connect a common vacuum source.
Im einfachsten Fall geschieht dies dadurch, daß die Absaugeinrichtungen in einen gemeinsamen Absaugkanal einmünden, der an die genannte Unterdruckquelle angeschlossen ist. Dieses Ausführungsbeispiel wird in der beiliegenden Figurenbeschreibung noch näher erläutert.In the simplest case, this happens because the Suction devices open into a common suction channel, which is connected to the mentioned vacuum source. This Embodiment is shown in the accompanying Description of the figures explained in more detail.
Zur Beruhigung der abgeführten Prozeßflüssigkeit sieht eine Weiterbildung der ringförmigen Aufnahme vor, entlang des ringförmigen Kanals eine siphonartige Ausgleichszone anzuordnen. Auch diese wird in der beiliegenden Figuren beschreibung dargestellt und erläutert. Zusätzlich kann in mindestens einer der Absaugeinrichtungen ein Tropfenabscheider angeordnet werden. Dieser erfüllt dann seine Funktion, wenn vereinzelte Flüssigkeitströpfchen aus dem ringförmigen Kanal in Richtung auf den Halbleiter zurückströmen sollten, die dann von der Absaugeinrichtung weggeführt werden, bevor sie in den Innenraum der ringförmigen Aufnahme gelangen.One sees to calm the discharged process liquid Training the annular recording before, along the annular channel a siphon-like compensation zone to arrange. This is also shown in the attached figures description shown and explained. In addition, in at least one of the suction devices is a droplet separator to be ordered. This fulfills its function if isolated liquid droplets from the annular channel in Should flow back to the semiconductor, which then from the suction device are removed before they are in the Enter the interior of the annular receptacle.
Im übrigen ist der ringförmige Kanal an eine Ablaufleitung angeschlossen. Diese kann - optional - über eine Wiederaufarbeitungsstufe geführt werden, um die Prozeßflüssigkeit anschließend für weitere Behandlungen einsetzen zu können.Otherwise, the annular channel is connected to a drain line connected. This can - optionally - via a Reprocessing stage to be led to the Process liquid then for further treatments to be able to use.
Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der Unteransprüche sowie den sonstigen Anmeldungsunterlagen.Further features of the invention result from the features of the subclaims and the other registration documents.
Die Erfindung wird nachstehend anhand verschiedener Ausführungsbeispiele näher erläutert.The invention is illustrated below with the aid of various Exemplary embodiments explained in more detail.
Dabei zeigen - jeweils in schematisierter Darstellung -Here show - each in a schematic representation -
Fig. 1 einen Längsschnitt durch eine ringförmige (topfförmige) einstufige Aufnahme, Fig. 1 shows a longitudinal section through a ring-shaped (bowl-shaped) receiving stage,
Fig. 2 einen Vertikalschnitt durch eine mehrstufige ringförmige (topfförmige) Aufnahme. Fig. 2 shows a vertical section through a multi-stage annular (pot-shaped) receptacle.
In den Figuren sind gleiche oder gleichwirkende Bauteile mit gleichen Bezugsziffern dargestellt.In the figures, the same or equivalent components are included the same reference numerals.
Fig. 1 zeigt eine ringförmige (topfförmige) Aufnahme 1 mit einer Innenwand 1i und einer Außenwand 1a. Fig. 1 shows an annular (pot-shaped) receptacle 1 with an inner wall 1 i and an outer wall 1 a.
Die Innenwand 1i begrenzt einen zylinderförmigen Innenraum 11, in dem ein Träger 2 auf einer drehbaren Welle 2w angeordnet ist.The inner wall 1 i delimits a cylindrical interior 11 , in which a carrier 2 is arranged on a rotatable shaft 2 w.
Oberhalb seiner Auflagefläche 2a ist ein scheibenförmiger Halbleiter (Wafer) 3 auf bekannte Art und Weise angeordnet.A disk-shaped semiconductor (wafer) 3 is arranged in a known manner above its support surface 2 a.
Oberhalb des Wafers 3 befindet sich in Verlängerung der Welle 2w eine Düse 12, über die eine Prozeßflüssigkeit, hier eine Ätzflüssigkeit, auf eine Oberfläche 3o des Wafers aufgetragen wird.Above the wafer 3 there is an extension of the shaft 2 w, a nozzle 12 , via which a process liquid, here an etching liquid, is applied to a surface 3 o of the wafer.
Durch die Rotationsbewegung des Trägers 2 (um die Welle 2w) wird die Prozeßflüssigkeit einerseits auf der Oberfläche 3o des Wafers 3 gleichmäßig verteilt und andererseits radial über eine äußere Kante 3k des Wafers 3 abgeschleudert.Due to the rotational movement of the carrier 2 (around the shaft 2 w), the process liquid is uniformly distributed on the one hand on the surface 3 o of the wafer 3 and, on the other hand, is thrown off radially over an outer edge 3 k of the wafer 3 .
Die abgeschleuderte Prozeßflüssigkeit gelangt in einen, in Verlängerung der Auflagefläche 2a des Trägers 2 beziehungsweise in Verlängerung des Wafers 3 angeordneten ringförmigen Kanal 10, der entsprechend eine Öffnung 10o im Bereich der Innenwand 1i der Aufnahme 1 besitzt und am gegenüberliegenden Ende (Außenwand 1a) der Aufnahme 1 aus der Aufnahme 1 austritt. The centrifuged process liquid passes into an annular channel 10 arranged in the extension of the support surface 2 a of the carrier 2 or in the extension of the wafer 3 , which accordingly has an opening 10 o in the area of the inner wall 1 i of the receptacle 1 and at the opposite end (outer wall 1 a) of the receptacle 1 out of the receptacle 1 emerges.
Die aufgenommene Prozeßflüssigkeit strömt entsprechend über die Öffnung 10o durch den ringförmigen Kanal 10 nach außen, wobei eine siphonartige Ausgleichszone 10a im Ringkanal 10 für eine Beruhigung des Flüssigkeitsstromes sorgt.The absorbed process fluid flows accordingly through the opening 10 o through the annular channel 10 to the outside, a siphon-like compensation zone 10 a in the annular channel 10 ensures a calming of the liquid flow.
Von der Öffnung 10o verläuft weiter eine Absaugeinrichtung 6 in Form eines Ringkanals, und zwar oberhalb des ringförmigen Kanals 10.Of the opening 10 o further comprises a suction device 6 runs in the form of an annular channel, and that above the annular channel 10 degrees.
Der der Öffnung 10o benachbarte Abschnitt der Absaugeinrichtung 6 ist nach oben in das Innere der Aufnahme 1 hinein ansteigend ausgebildet. Es schließt sich ein etwa horizontal verlaufender Abschnitt an, der nach einer 90 Grad-Krümmung aus der Aufnahme 1 herausführt.The section of the suction device 6 that is adjacent to the opening 10 o is designed to rise upwards into the interior of the receptacle 1 . This is followed by an approximately horizontal section which leads out of the receptacle 1 after a 90 degree curvature.
Wie die Figur zeigt ist die Absaugeinrichtung 6 an ihrem inneren Ende (im Bereich der Öffnung 10o) mit Abstand oberhalb des Wafers 3 angeordnet.As the figure shows, the suction device 6 is arranged at its inner end (in the area of the opening 10 o) at a distance above the wafer 3 .
Ebenfalls von der Öffnung 10o verläuft eine weitere Absaugeinrichtung 8, und zwar ausgehend von einem der Auflagefläche 2a des Trägers 2 benachbarten Zone. Auch diese weitere Absaugeinrichtung 8 besteht aus einem Ringkanal, der das Bezugszeichen 7 trägt und der schräg nach unten verläuft und im weiteren Verlauf unten aus der Aufnahme 1 weggeführt ist. A further suction device 8 also extends from the opening 10 o, starting from a zone adjacent to the support surface 2 a of the carrier 2 . This further suction device 8 also consists of an annular channel which bears the reference numeral 7 and which runs obliquely downward and is led out of the receptacle 1 below in the further course.
Die Funktion der beschriebenen Vorrichtung ist wie folgt:
Die auf den Wafer 3 aufgegebene Prozeßflüssigkeit wird radial
in den ringförmigen Kanal 10 geschleudert und über das
austragsseitige Ende 9 weggeführt. Sie kann von dort,
gegebenenfalls nach einer Wiederaufbereitung, zur Düse 12
zurückgeführt werden.The function of the device described is as follows:
The process liquid applied to the wafer 3 is thrown radially into the annular channel 10 and carried away via the end 9 on the discharge side. From there, if necessary after reprocessing, it can be returned to the nozzle 12 .
Gleichzeitig wird über die Absaugeinrichtungen 6, 8 Prozeßluft (Prozeßgas) abgesaugt, und zwar sowohl oberhalb als auch unterhalb der durch den Wafer 3 definierten Ebene.At the same time, process air (process gas) is drawn off via the suction devices 6 , 8 , both above and below the plane defined by the wafer 3 .
Die Absaugeinrichtungen 6, 8 münden in einen gemeinsamen (nicht dargestellten) Absaugkanal, der an eine (ebenfalls nicht dargestellte) Absaugeinrichtung angeschlossen ist.The suction devices 6 , 8 open into a common suction channel (not shown) which is connected to a suction device (also not shown).
Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 unterscheidet sich vom Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 lediglich dadurch, daß die topfförmige Aufnahme 1 mehrstufig ausgebildet ist, und zwar hier im konkreten Fall vierfach.The exemplary embodiment according to FIG. 2 differs from the exemplary embodiment according to FIG. 1 only in that the cup-shaped receptacle 1 is constructed in several stages, specifically fourfold here in the specific case.
Mit anderen Worten: Die anhand von Fig. 1 beschriebene konstruktive Gestaltung der ringförmigen Aufnahme 1 ist beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 viermal übereinander vorgesehen.In other words, with reference to FIG structural design of the annular housing 1 described 1 is four times above the other in the embodiment of Figure 2...
Fig. 2 zeigt, daß die Absaugeinrichtungen 6, 8 in einen gemeinsamen Absaugkanal 68 einmünden, der an eine (nicht dargestellte) Absaugeinrichtung (Pfeil P) angeschlossen ist. Fig. 2 shows that the suction devices 6 , 8 open into a common suction channel 68 which is connected to a (not shown) suction device (arrow P).
Die drei oberen ringförmigen Kanäle 10 münden außenseitig in korrespondierende Rohrleitungen 13, 14, 15 ein, die eine Wiederaufbereitungsstufe 16 durchlaufen und anschließend zur Düse 12 zurückgeführt werden.The three upper annular channels 10 open on the outside into corresponding pipelines 13 , 14 , 15 , which pass through a reprocessing stage 16 and are then returned to the nozzle 12 .
Durch Höhenverstellung des Trägers 2 kann der Wafer 3 in die gewünschte Position (hier dargestellt: die oberste Position) geführt und dort mit einer Prozeßflüssigkeit, beispielsweise einer Ätzflüssigkeit, behandelt werden.By adjusting the height of the carrier 2 , the wafer 3 can be guided into the desired position (shown here: the top position) and can be treated there with a process liquid, for example an etching liquid.
Durch Absenken des Trägers 2 (Pfeil A) läßt sich der Wafer in eine benachbarte Stufe überführen, wo die Waferoberfläche beispielsweise mit deionisiertem Wasser gespült wird.By lowering the carrier 2 (arrow A), the wafer can be transferred to an adjacent step, where the wafer surface is rinsed, for example, with deionized water.
Der ringförmige Kanal 10 der obersten Stufe dient entsprechend der Aufnahme der Ätzflüssigkeit, der ringförmige Kanal 10 der zweiten Stufe der Aufnahme des abgeschleuderten deionisierten Wassers.The annular channel 10 of the uppermost stage serves to receive the etching liquid, the annular channel 10 of the second stage serves to receive the deionized water which has been thrown off.
Die weiteren Stufen lassen sich entsprechend der gewünschten Behandlung des Wafers einstellen.The other stages can be selected according to the desired Stop treatment of the wafer.
Claims (11)
- 1.1 die Aufnahme (1) weist mindestens einen ringförmigen Kanal (10) in radialer Verlängerung einer Auflagefläche (2a) des Träges (2) für den Gegenstand (3) auf,
- 1.2 benachbart mindestens eines ringförmigen Kanals (10) verläuft in der Aufnahme (1), ausgehend von deren Innenwand (1i), mindestens eine Absaugeinrichtung (6, 8).
- 1.1 the receptacle ( 1 ) has at least one annular channel ( 10 ) in the radial extension of a support surface ( 2 a) of the carrier ( 2 ) for the object ( 3 ),
- 1.2 At least one suction device ( 6 , 8 ) runs adjacent to at least one annular channel ( 10 ) in the receptacle ( 1 ), starting from the inner wall ( 1 i) thereof.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19807460A DE19807460A1 (en) | 1998-02-21 | 1998-02-21 | Annular housing for rotary carrier in semiconductor wafer processing |
Applications Claiming Priority (1)
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| DE19807460A DE19807460A1 (en) | 1998-02-21 | 1998-02-21 | Annular housing for rotary carrier in semiconductor wafer processing |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19807460A1 true DE19807460A1 (en) | 1999-04-15 |
Family
ID=7858583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19807460A Ceased DE19807460A1 (en) | 1998-02-21 | 1998-02-21 | Annular housing for rotary carrier in semiconductor wafer processing |
Country Status (1)
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