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DE19803040A1 - Leistungsschaltung - Google Patents

Leistungsschaltung

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Publication number
DE19803040A1
DE19803040A1 DE19803040A DE19803040A DE19803040A1 DE 19803040 A1 DE19803040 A1 DE 19803040A1 DE 19803040 A DE19803040 A DE 19803040A DE 19803040 A DE19803040 A DE 19803040A DE 19803040 A1 DE19803040 A1 DE 19803040A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power
circuit
coupled
power circuit
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19803040A
Other languages
English (en)
Inventor
Roger Miller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies Americas Corp
Original Assignee
International Rectifier Corp USA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Rectifier Corp USA filed Critical International Rectifier Corp USA
Publication of DE19803040A1 publication Critical patent/DE19803040A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
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    • HELECTRICITY
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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Leistungsschal­ tung der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art und ins­ besondere auf eine Leistungsschaltung mit Batterie-Verpolungs­ schutz-, Strommeß- und Temperaturmeßschaltungen, wobei diese Meßschaltungen vorzugsweise digitale Ausgangssignale liefern.
Übliche Leistungsschaltungen, die mit einer Batterie verbunden sind (beispielsweise mit einer Fahrzeugbatterie) verwenden eine Kombination aus einem elektromechanischen Relais und einer Diode, um die Leistungsschaltung gegenüber Schaden aufgrund einer Verpolung der Batterie zu schützen. Die Strommessung in üblichen Leistungsschaltungen wird allgemein unter Verwendung eines Reihenwiderstandes durchgeführt.
Eine übliche Leistungsschaltung 10, wie sie in der Fahrzeug­ industrie verwendet wird, ist in Fig. 1 gezeigt. Die Leistungs­ schaltung 10 schließt eine positive Gleichspannungsversorgungs­ leitung (B+) und einen Erdanschluß zur Verbindung an eine (nicht gezeigte) Batterie ein. Sechs Leistungstransistoren Q1 bis Q6 bilden eine Vollbrückenschaltung beispielsweise zur Ansteuerung eines Dreiphasen-Asynchronmotors. Gate-Ansteuerschaltungen 11, 12 und 13 schalten abwechselnd die Leistungstransistoren Q1 bis Q6 ein, um eine impulsförmige Leistung an den Anschlüssen A, B und C zu liefern, wie dies üblich ist.
Eine Relaisschaltung M wird zum Schutz der Leistungstransistoren gegen Schäden verwendet, wenn die Batterie verpolt angeschlossen wird. Wenn die Batterie verpolt angeschlossen wird, wird die Diode D1 in Sperrichtung vorgespannt, so daß kein Strom durch die Relaiswicklung fließen kann. Der Relaiskontakt öffnet sich dann, um die Batterie von der Leistungsschaltung 10 zu trennen. Wenn die Batterie mit richtiger Polung angeschlossen ist, fließt ein Strom in Durchlaßrichtung durch die Diode D1 und die Relais­ wicklung derart, daß der Relaiskontakt schließt und die Leistungsschaltung durch die Batterie an B+ zu Erde mit Energie versorgt wird.
Die Strommessung in der üblichen Leistungsschaltung 10 nach Fig. 1 wird durch Messen der Spannung längs des Reihenwider­ standes R1 durchgeführt, wie dies in der Technik gut bekannt ist. Eine Temperaturmessung in der üblichen Leistungsschaltung 10 ist nicht möglich, wenn nicht ein zusätzliches Temperatur­ meßbauteil, beispielsweise ein Thermokreuz, ein Thermistor oder dergleichen vorgesehen wird.
Die bekannte Leistungsschaltung 10 nach Fig. 1 ist nachteilig, weil in der Fahrzeugindustrie die Information von der Strom­ messung und der Temperaturmessung typischerweise in einen Mikro­ prozessor oder dergleichen in Form von digitaler Information zur Verwendung durch den Mikroprozessor bei der Steuerung des Gesamtbetriebes des Fahrzeuges eingegeben wird.
Entsprechend liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Leistungsschaltung der eingangs genannten Art zu schaffen, bei der in wenig aufwendiger Weise ein Verpolungs­ schutz, eine Strommessung und eine Temperaturmessung erreicht wird, wobei eine minimale Anzahl von Schaltungsbauteilen ver­ wendet wird und sich eine digitale Schnittstelle zur Lieferung der Strom- und Temperaturinformation an einen Mikroprozessor ergibt.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Um die Nachteile der bekannten Leistungsschaltungen unter Ver­ wendung üblicher Batterie-Verpolungsschutzschaltungen, Strom­ meßschaltungen und Temperaturmeßschaltungen zu beseitigen, ver­ wendet die erfindungsgemäße Leistungsschaltung ein Leistungs­ halbleiterbauteil, vorzugsweise ein Halbleiterbauteil mit MOS-Gate­ steuerung, wie z. B. einen Leistungs-MOSFET oder Leistungs-IBGT in dem Durchlaßstrompfad einer Leistungsstufe, um einen Batterieverpolungsschutz, eine Strommessung und eine Temperatur­ messung zu ermöglichen. Das Gate des Leistungs-Halbleiterbau­ teils ist mit dem positiven Versorgungsspannungsanschluß der Schaltung verbunden und wird alternativ mit Erde verbunden, wenn die Temperatur überwacht werden soll.
Gemäß einem weiteren Grundgedanken der Erfindung wird ein Informationswandlungs-Bauteil verwendet, das so ausgebildet ist, daß es ein Analogsignal, das zumindest den durch ein Strommeßelement fließenden Strom und/oder eine von einem Tempe­ raturmeßelement gemessene Temperatur darstellt, in digitale Information zur Zuführung an einen Mikroprozessor umwandelt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen noch näher erläutert.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild einer bekannten Leistungsschal­ tung, die einen Batterie-Verpolungsschutz und Strommeßschal­ tungen verwendet,
Fig. 2 ein Schaltbild einer Ausführungsform einer Leistungsschaltung, die Batterie-Verpolungsschutz-, Strommeß- und Temperaturmeßschaltungen verwendet,
Fig. 3 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform einer Leistungsschaltung, die eine andere Ausführungsform der Strommeßschaltungen verwendet,
Fig. 4 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der Leistungsschaltung, die eine weitere Ausführungsform der Strommeßschaltungen verwendet,
Fig. 5 ein Schaltbild einer Ausführungsform einer Leistungsschaltung, die eine weitere Ausführungsform der Strom­ meßschaltungen verwendet,
Fig. 6 ein Schaltbild einer Ausführungsform einer Leistungsschaltung mit einem Batterie-Verpolungsschutz, Strom­ meßschaltungen und Temperaturmeßschaltungen,
Fig. 7 ein Schaltbild einer Ausführungsform einer Leistungsschaltung, die einen Batterie-Verpolungsschutz und Strommeßschaltungen gemäß einer abgeänderten Ausführungsform verwendet.
In den Zeichnungen, in denen gleiche Bezugsziffern gleiche Elemente bezeichnen, ist in Fig. 2 eine Leistungsschaltung 100 gezeigt, die eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist. Die Leistungsschaltung 100 nach Fig. 2 weist eine Leistungsstufe ähnlich der nach Fig. 1 auf, verwendet jedoch eine neuartige Batterie-Verpolungsschutzschaltung, die weiterhin Strommeß- und Temperaturmeß-Eigenschaften aufweist.
Die Leistungsschaltung 100 schließt einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET Q7 mit vertikaler Stromleitung ein, der in Serie mit dem Durchlaßstrompfad der Leistungsstufe zur Erde hin geschal­ tet ist. Es sei bemerkt, daß jedes Leistungshalbleiterbauteil mit einer Körper- oder Übergangsdiode mit richtiger Polung ver­ wendet werden kann, und es kann beispielsweise ein P-Kanal-Lei­ stungs-MOSFET mit vertikaler Leistung verwendet werden, wenn die Übergangsdiode umgekehrt wird. Im einzelnen ist die Source­ elektrode von Q7 mit dem gemeinsamen Source-Verbindungspunkt der Vollbrückenschaltung verbunden, der einen mit ISENSE bezeichneten Anschluß aufweist. Die Drainelektrode von Q7 ist mit Erde verbunden. Entsprechend ist die von Natur aus bei derartigen Halbleiterbauteilen vorhandene Übergangs- oder Körperdiode des MOSFET Q7 derartig gepolt, daß deren Kathode ebenfalls mit Erde verbunden ist, während ihre Anode mit dem ISENSE-Anschluß verbunden ist.
Die Gate-Elektrode von Q7 (die einen mit I/TEMP bezeichneten Anschluß aufweist) ist mit der B+-Versorgungsleitung der Leistungsschaltung 100 über einen Vorspannungswiderstand R2 verbunden. Wenn die (nicht gezeigte) Batterie mit richtiger Polung mit dem B+-Anschluß verbunden ist, so wird die Gate­ elektrode von Q7 auf eine Spannung oberhalb der Spannung der Source-Elektrode vorgespannt und Q7 schaltet ein. Bei einer Fahrzeuganwendung wird die Gateelektrode auf eine Spannung von ungefähr 12 Volt vorgespannt. Entsprechend leitet Q7 Strom von der Leistungsstufe der Leistungsschaltung 100 zur Erde, und der Leistungskreis an die Anschlüsse A, B und C wird geschlossen. Wenn jedoch die Batterie mit falscher Polung angeschlossen wird, befindet sich die Gateelektrode von Q7 nicht auf einem Span­ nungspotential oberhalb Potentials der Sourceelektrode, so daß Q7 abgeschaltet bleibt und keinen Strom leitet, wodurch unter anderem die Leistungstransistoren Q1 bis Q7 und die Steuer­ schaltungen 11, 12 und 13 geschützt werden. In vorteilhafter Weise ist die Dioden- und Relaiskombination (D1, M) der be­ kannten Verpolungsschutzschaltung bei der Schaltung nach der vorliegenden Erfindung nicht erforderlich.
Wenn Q7 in Durchlaßrichtung vorgespannt ist, kann der durch Q7 fließende Strom durch Messen des Durchlaßspannungsabfalls von der Sourceelektrode zur Drainelektrode (d. h. die Spannung von ISENSE zu Erde) gemessen werden. Weil der durch Q7 fließende Strom gleich dem zusammengesetzten Strom ist, der durch die Leistungsstufe fließt, ist die an dem Anschluß ISENSE gemessene Spannung ein genaues Maß des Stromes der Leistungsschaltung 100. Entsprechend ist in vorteilhafter Weise der zusätzliche Reihenwiderstand R1 der bekannten Strom­ meßschaltung bei der Schaltung gemäß der vorliegenden Erfindung nicht mehr erforderlich.
Beim üblichen Aufbau der Leistungsschaltung 100 sind die Bau­ teile Q1 bis Q6 thermisch mit einem gemeinsamen Kühlkörper gekoppelt. Das Bauteil Q7 kann mit dem gleichen Kühlkörper verbunden werden. Wenn die Gateelektrode von Q7 (der I/TEMP-An­ schluß) mit Erde verbunden wird, werden die Charakteristiken der Übergangsdiode D2 dazu verwendet, die Temperatur von Q7 zu messen, was zusätzlich ein genaues Maß der Betriebstemperatur der Leistungsschaltung 100 ergibt. Es sei bemerkt, daß der I/TEMP-Anschluß synchron mit der Abschaltung der Brückenschal­ tung mit Erde verbunden werden sollte. Typischerweise sinkt der Durchlaßspannungsabfall der Übergangsdiode um ungefähr 2 mV pro Anstieg von 1°C der Temperatur (bei einem konstanten Durchlaß­ strom) ab. Daher wird die Spannung an dem ISENSE-Anschluß gemessen, wenn der I/TEMP-Anschluß mit Erde verbunden ist, um die Temperatur der Leistungsschaltung 100 zu erzielen.
Unter Verwendung der neuartigen Konfiguration der vorliegenden Erfindung wird ein Batterie-Verpolungsschutz, eine Strommessung und eine Temperaturmessung in vorteilhafter Weise in einer Leistungsschaltung unter Verwendung einer minimalen Anzahl von Bauteilen erzielt. Somit ergibt die vorliegende Erfindung eine verbesserte Funktionsweise der bekannten Leistungsschaltungen bei minimalen Kosten.
In Fig. 3 ist eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt. Die Schaltung nach Fig. 3 zeigt ein Voll­ brücken-Transistornetzwerk, das zwischen dem positiven Gleich­ spannungsversorgungsanschluß B+ und Erde angeschaltet ist. Es ist verständlich, daß die Vollbrückenschaltung vier Transistoren Q1 bis Q4, beispielsweise MOSFET-Leistungstransistoren einschließt, wobei in der gezeigten Weise die Transistoren Q1 und Q4 abgeschaltet sind und die Dioden D2 und D3 frei laufend sind, so daß ein Strom von Erde durch die Induktivität L zurück zur Versorgungsleitung B+ fließt. Hierbei stellen die Dioden D2 und D3 die antiparallel geschalteten Dioden, beispielsweise Schottky-Dioden dar, die längs der (nicht gezeigten) MOSFET-Tran­ sistoren Q2 und Q3 angeschaltet sind.
Die Leistungsschaltung 200 schließt einen Strommeßwiderstand R1 (einen Reihenwiderstand) ein, der in Serie mit der Ausgangs­ induktivität L geschaltet ist, so daß die Induktivität den Ausgangsstrom von der Brücke empfängt und der Widerstand R1 eine Ausgangsspannung liefert, die dem der Induktivität L zu­ geführten Strom entspricht. Eine derartige Konfiguration ist insbesondere zur Ansteuerung eines Reluktanz-Schaltmotors aus einer einpoligen Leistungsversorgung, beispielsweise in einer Fahrzeuganwendung, geeignet.
Die Leistungsschaltung 200 schließt weiterhin eine integrierte Schaltung IC1 ein, die in der dargestellten Ausführungsform eine integrierte Schaltung mit acht Anschlüssen in zwei Reihen ist, wobei es verständlich ist, daß die spezielle Gehäusebau­ form für die Erfindung nicht kritisch ist. Die integrierte Schaltung empfängt eine dem der Induktivität L zugeführten Strom entsprechende Analoginformation über die Spannung, die Längs des Widerstandes R1 erzeugt wird. Die Analogspannung, die längs des Widerstandes R1 auftritt, wird der integrierten Schaltung IC1 über die Anschlußstifte 7 und 6 zugeführt. Die integrierte Schaltung IC1 wandelt den Analog-Spannungseingang in den Anschlußstiften 7 und 6 in einen digitalen Bit-Strom um, vorzugsweise in einen seriellen digitalen Bitstrom, wobei die digitalen Daten am Anschlußstift 1 (Anschluß SDA) abgegeben werden. Die integrierte Schaltung IC1 empfängt ein Taktsignal am Anschlußstift 2 (Anschluß SCL). Die SDA- und SCL-Schnitt­ stelle ist speziell für die Fahrzeugindustrie geeignet und kann Signale entsprechend der sogenannten I2C-Norm liefern. Die integrierte Schaltung IC1 kann optional ein Signal am Anschluß­ stift 3 (Anschluß O.S.) liefern, wenn die zwischen den Anschluß­ stiften 7 und 6 auftretende Analogspannung einen vorgegebenen Grenzwert übersteigt.
Die Leistungsschaltung 200 schließt weiterhin einen Temperatur­ sensor 202 ein, der beispielsweise ein Thermistor, ein Thermo­ kreuz oder dergleichen sein kann, wobei dieser Temperatursensor mit der integrierten Schaltung IC1 über den Anschlußstift 5 verbunden ist. Der Temperatursensor 2 ist vorzugsweise mit den Leistungsbauteilen Q1 bis Q4 thermisch gekoppelt, so daß der Temperatursensor ein Analogsignal liefert, das eine genaue Darstellung der Temperatur der Leistungsbauteile ist. IC1 wandelt das von dem Temperatursensor 202 gelieferte Analog­ signal in ein digitales Signal zur Zuführung an den SDA-Anschluß um. Entsprechend kann ein mit der digitalen Schnittstelle (d. h. mit den SDA- und SCL-Anschlüssen) gekoppelter Mikroprozessor die Strom- und Temperatur-Charakteristiken der Leistungsschaltung 200 empfangen.
In Fig. 4 ist eine dritte Ausführungsform einer Leistungs­ schaltung 204 gezeigt. Die Leistungsschaltung 204 entspricht im wesentlichen der Leistungsschaltung nach Fig. 3, schließt jedoch keinen Strommeßwiderstand R1 in Serie mit der Indukti­ vität L ein. Statt dessen verwendet die Leistungsschaltung 204 den Durchlaßwiderstand des spannungsseitigen Transistors Q1 zur Messung des der Induktivität L zugeführten Stromes. Tat­ sächlich steigt, wenn der der Induktivität L zugeführte Strom ansteigt, auch die Spannung längs des Transistors Q1 an. Ent­ sprechend sind die Anschlußstift 7 und 6 der integrierten Schaltung IC1 längs des Transistors Q1 derart angeschaltet, daß die Spannung längs des Transistors Q1 der integrierten Schaltung IC1 zugeführt und von dieser als das Analogsignal verwendet wird, das den Strom darstellt, der der Induktivität L zugeführt wird.
Es ist verständlich, daß die Spannung längs des Transistors Q1 den durch die Induktivität L fließenden Strom nur dann dar­ stellt, wenn der Transistor Q1 durch eine (nicht gezeigte) Steuerschaltung in den leitenden Zustand vorgespannt ist. Wenn der Transistor Q1 gesperrt ist und die Dioden D2 und D3 der Transistoren Q2 bzw. Q3 freilaufend sind, so stellt die Span­ nung längs des Transistors Q1 im wesentlichen die Spannung längs der Induktivität L dar. Somit kann, falls dies erwünscht ist, IC1 ein digitales Signal an dem SDA-Anschluß liefern, das die Spannung längs der Induktivität L anzeigt.
Es wird nunmehr auf Fig. 5 Bezug genommen, die eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Verwendung einer Leistungsschaltung 206 zeigt. Die Leistungsschaltung 206 ist im wesentlichen gleich der Leistungsschaltung 204, jedoch mit der Ausnahme, daß der Durchlaßwiderstand des Transistors Q2 als Strommeßwiderstand verwendet wird, so daß die Anschluß­ stifte 7 und 6 von IC1 längs des Transistors Q2 angeschaltet sind. Es ist verständlich, daß die Dioden D1 und D4 die anti­ parallel geschalteten Dioden darstellen, die längs der Tran­ sistoren Q1 bzw. Q4 angeschaltet sind, und daß die Dioden D1 und D4 frei laufend sind, so daß Strom von Erde über die Diode D4, die Induktivität L und die Diode D1 zur B+-Versorgungs­ leitung fließt. Wie im Fall der Leistungsschaltung 204 nach Fig. 4 empfängt die integrierte Schaltung IC1 eine Spannung längs der Anschlußstifte 7 und 6, die den durch die Induktivität L fließenden Strom darstellt, wenn der Transistor Q2 einge­ schaltet ist und Strom leitet.
Es wird nunmehr auf Fig. 6 Bezug genommen, die ein Schaltbild einer fünften Ausführungsform der Leistungsschaltung 208 zeigt. Die Leistungsschaltung 208 schließt Transistoren Q1 und Q4 ein, die mit der Induktivität L gekoppelt sind. Es ist verständlich, daß die Induktivität L eine Phase eines mehrphasigen, mit ge­ schalteter Reluktanz arbeitenden Motors darstellten kann und daß zusätzliche Leistungsschalterbauteile, wie z. B. die Transistoren Q2 und Q3 aus Gründen der Klarheit fortgelassen sind. Die Leistungsschaltung 208 schließt einen MOSFET Q7 ein, der in Serie zwischen den Leistungshalbleiterbauteilen Q1 und Q4 und Erde eingeschaltet ist, so daß irgendein durch die Leistungs­ halbleiterbauteile und die Induktivität L fließender Strom durch den Transistor Q7 fließt. Somit kann wie im Fall der Leistungsschaltung 100 nach Fig. 2 der Transistor Q7 dazu verwendet werden, sowohl den Strom und die Temperatur zu messen als auch einen Verpolungsschutz zu liefern.
Die Anschlußstift 7 und 6 der integrierten Schaltung IC1 sind längs des Transistors Q7 über Widerstände R4 und R5 angeschal­ tet, wobei diese Widerstände eine Kelvin-Messung ergeben können. Wenn der Transistor Q7 eingeschaltet ist, ist die Spannung längs der Anschlußstifte 7 und 6 der integrierten Schaltung IC1 eine Spannung, die den durch L fließenden Strom darstellt. Wenn der Transistor Q7 abgeschaltet ist, fließt ein Strom durch die antiparallele Diode des Transistors Q7, wodurch eine Spannung längs der Anschlußstifte 7 und 6 von IC1 hervor­ gerufen wird, die die Temperatur der Leistungshalbleiterbauteile der Leistungsschaltung 208 darstellt. Entsprechend erzeugt die integrierte Schaltung IC1 ein digitales Signal am Anschlußstift SDA, das sowohl den Strom als auch die Temperatur darstellen kann. Weiterhin kann die integrierte Schaltung IC1 ein Signal am Anschluß O.S. liefern, das zumindest einen Zustand, bei­ spielsweise einen Überstrom oder einen Übertemperatur-Zustand darstellt.
In vorteilhafter Weise ergibt die integrierte Schaltung IC1 eine digitale Schnittstelle, die für die I2C-Norm für die Fahrzeugindustrie geeignet ist, was es ermöglicht, daß ein Mikroprozessor oder eine andere Verarbeitungseinrichtung bei­ spielsweise in einer Fahrzeuganwendung bestimmte Charakteristi­ ken einer Leistungsschaltung in dem Fahrzeug empfängt, nämlich die Strom- und Temperaturwerte für die Leistungsschaltung. Daher kann der Mikroprozessor Abhilfemaßnahmen treffen, wenn der Strom und/oder die Temperatur der Leistungsschaltung außer­ halb vorgegebener Grenzwerte liegen.
In Fig. 7 ist eine abgeänderte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt. Im einzelnen wurde der MOSFET Q7 durch einen IGBT (bipolarer Transistor mit isoliertem Gate) Q8 ersetzt, um sowohl die Batterie-Verpolungsschutz- als auch die Strommeß­ merkmale der Schaltung nach Fig. 2 zu liefern. Es sei bemerkt, daß die Schaltung nach Fig. 7 kein Temperaturmeßmerkmal ergibt, weil ein IGBT keine darin ausgebildete Übergangsdiode aufweist.
Obwohl die vorliegende Erfindung bezüglich spezieller Ausfüh­ rungsformen beschrieben wurde, sind vielfältige Abänderungen und Modifikationen sowie andere Anwendungen für den Fachmann ohne weiteres zu erkennen.

Claims (22)

1. Leistungsschaltung mit einem positiven Eingangsanschluß und einem Erdanschluß, wobei die Leistungsschaltung eine Treiberschaltung aufweist, die mit dem positiven Eingangs­ anschluß verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Leistungshalbleiterbauteil (Q7) mit einer Übergangsdiode, einer Sourceelektrode, einer Drainelektrode und einer Gateelektrode vorgesehen ist, daß die Sourceelektrode mit der Treiberschaltung (11, 12, 13) gekoppelt ist, daß die Drainelektrode mit dem Erdanschluß gekoppelt ist und daß die Gateelektrode mit dem positiven Eingangsanschluß gekoppelt ist, derart, daß wenn eine umge­ kehrte Spannung an den positiven Eingangsanschluß angelegt wird, das Leistungshalbleiterbauteil (Q7) keinen Strom leitet und keine Leistung an die Treiberschaltung (11, 12, 13) ange­ legt wird, daß ein Strommeßanschluß mit der Sourceelektrode verbunden ist, wobei die Spannung von dem Strommeßanschluß zum Erdanschluß den durch die Leistungsschaltung fließenden Strom mißt, und daß ein Temperaturmeßanschluß mit der Gate­ elektrode verbunden ist, derart, daß wenn der Temperaturmeß­ anschluß mit dem Erdanschluß verbunden ist und die Treiber­ schaltung abgeschaltet ist, die Spannung von dem Strommeß­ anschluß zum Erdanschluß den Spannungsabfall der Übergangsdiode (D2) mißt, der deren Temperatur darstellt.
2. Leistungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Leistungshalbleiterbauteil (Q7) ein MOSFET ist.
3. Leistungsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberschaltung eine Voll­ brückenschaltung (11, 12, 13, Q1-Q6) ist, die einen gemeinsamen Source-Verbindungspunkt aufweist, und daß die Sourceelektrode des Leistungshalbleiterbauteils (Q7) mit dem gemeinsamen Source-Ver­ bindungspunkt gekoppelt ist.
4. Leistungsschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberschaltung Steuerschal­ tungen (11, 12, 13) und Leistungstransistoren (Q1-Q6) einschließt.
5. Leistungsschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungsschaltung mit einer Fahrzeugbatterie gekoppelt ist.
6. Leistungsschaltung mit einem positiven Eingangsanschluß und einem Erdanschluß, wobei die Leistungsschaltung Leistung an eine induktive Last liefert, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungsschaltung eine mit dem positiven Eingangsanschluß verbundene Treiberschaltung und einen in Serie mit der induktiven Last (L) gekoppelten Strom­ meßwiderstand (R1) einschließt, wobei die Analogspannung längs des Strommeßwiderstandes (R1) den von der Leistungsschaltung an die induktive Last gelieferten Strom mißt, daß eine inte­ grierte Schaltung (IC1) mit Eingangsanschlüssen und Ausgangs­ anschlüssen vorgesehen ist, daß erste und zweite Strommeß- Eingangsanschlüsse der integrierten Schaltung (IC1) mit dem Strommeßwiderstand (R1) gekoppelt sind, um die Analogspannung längs des Strommeßwiderstandes zu empfangen, und daß ein Strommeß-Ausgangsanschluß der integrierten Schaltung (IC1) eine digitale Darstellung der Analogspannung abgibt, die von den ersten und zweiten Strommeß-Eingangsanschlüssen empfangen wird.
7. Leistungsschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Schaltung (IC1) einen Takteingangsanschluß zum Empfang eines Taktsignals auf­ weist.
8. Leistungsschaltung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Schaltung (IC1) einen Alarm-Ausgangsanschlußstift aufweist, der ein Signal abgibt, wenn die Analogspannung an den ersten und zweiten Strommeß-Eingangsanschlußstiften einen vorgegebenen Grenzwert übersteigt.
9. Leistungsschaltung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungsschaltung mit einer Fahrzeugbatterie gekoppelt ist.
10. Leistungsschaltung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein Temperatursensor (202) mit der Treiberschaltung gekoppelt ist und eine Analogspannung abgibt, die die Temperatur der Treiberschaltung darstellt, daß ein Temperatur-Eingangsanschlußstift der integrierten Schaltung (IC1) mit dem Temperatursensor (202) gekoppelt ist und die Analog-Ausgangsspannung des Temperatursensors empfängt, und daß ein Temperatur-Ausgangsanschlußstift der integrierten Schaltung (IC1) eine digitale Darstellung der von dem Tempera­ tur-Eingangsanschlußstift empfangenen Analogspannung abgibt.
11. Leistungsschaltung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Strommeß-Ausgangsanschlußstift der Temperatur-Ausgangsanschlußstift ist.
12. Leistungsschaltung mit einem positiven Eingangsanschluß und einem Erdanschluß, wobei die Leistungsschaltung Leistung an eine induktive Last liefert und die Leistungsschaltung eine Treiberschaltung aufweist, die mit dem positiven Eingangsan­ schluß gekoppelt ist und eine Vielzahl von Leistungstransistoren einschließt, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einer der Leistungs­ transistoren mit der induktiven Last (L) gekoppelt ist, daß die Analogspannung längs des zumindest einen Leistungstransi­ stors den Strom darstellt, der von der Leistungsschaltung an die induktive Last (L) geliefert wird, daß eine integrierte Schaltung (IC1) mit Eingangsanschlußstiften und Ausgangs­ anschlußstiften vorgesehen ist, daß erste und zweite Strom­ meß-Eingangsanschlußstifte der integrierten Schaltung (IC1) mit dem zumindest einen Leistungstransistor gekoppelt sind, um die Analogspannung längs des zumindest einen Leistungs­ transistors zu empfangen, und daß ein Strommeß-Ausgangsanschluß der integrierten Schaltung eine digitale Darstellung der von den ersten und zweiten Strommeß-Eingangsanschlüssen empfangenen Analogspannung abgibt.
13. Leistungsschaltung nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch einen Takteingangsanschluß der integrierten Schaltung (IC1) zum Empfang eines Taktsignals.
14. Leistungsschaltung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Schaltung (IC1) einen Alarm-Ausgangsanschlußstift aufweist, der ein Signal abgibt, wenn die Analogspannung an den ersten und zweiten Strommeß-Eingangsanschlußstiften einen vorgegebenen Grenzwert übersteigt.
15. Leistungsschaltung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, gekennzeichnet durch einen Temperaturmeßfühler (202), der mit der Treiberschaltung gekoppelt ist und eine Analogspannung abgibt, die die Temperatur der Treiberschaltung darstellt, daß ein Temperatur-Eingangsanschlußstift der integrierten Schaltung (IC1) mit dem Temperatursensor (202) gekoppelt ist und die von dem Temperatursensor abgegebene Analog-Spannung empfängt, und daß ein Temperatur-Ausgangsanschlußstift der integrierten Schaltung (IC1) eine digitale Darstellung der von dem Temperatur-Eingangsanschlußstift empfangenen Analog­ spannung abgibt.
16. Leistungsschaltung nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungsschaltung mit einer Fahrzeugbatterie gekoppelt ist.
17. Leistungsschaltung nach einem der Ansprüche 12 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die induktive Last ein Reluktanz-Schalt­ motor ist.
18. Leistungsschaltung mit einem positiven Eingangsanschluß und einem Erdanschluß, wobei die Leistungsschaltung Leistung an eine induktive Last liefert und die Leistungsschaltung eine Treiberschaltung einschließt, die mit dem positiven Eingangs­ anschluß gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Leistungshalbleiterbauteil in Serie mit der induktiven Last gekoppelt ist, wobei der von der Leistungsschaltung an die induktive Last gelieferte Strom durch das Leistungshalbleiterbauteil fließt, wobei das Leistungs­ halbleiterbauteil eine mit der Treiberschaltung gekoppelte Sourceelektrode, eine mit dem Erdanschluß gekoppelte Drain­ elektrode und eine mit dem positiven Eingangsanschluß gekoppelte Gateelektrode aufweist, daß eine integrierte Schaltung (IC1) mit Eingangsanschlußstiften und Ausgangsanschlußstiften vorge­ sehen ist, daß erste und zweite Strommeß-Eingangsanschlußstifte der integrierten Schaltung (IC1) mit dem Leistungshalbleiter­ bauteil gekoppelt sind, um die Analogspannung längs des Leistungshalbleiterbauteils zu empfangen, und daß ein Strommeß-Aus­ gangsanschlußstift der integrierten Schaltung eine digitale Darstellung der von den ersten und zweiten Strommeß-Eingangs­ anschlußstiften empfangenen Analogspannung abgibt.
19. Leistungsschaltung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das Leistungshalbleiterbauteil ein MOSFET ist.
20. Leistungsschaltung nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß das Leistungshalbleiterbauteil weiterhin eine Übergangsdiode aufweist, und daß bei abgeschal­ tetem Leistungshalbleiterbauteil ein Strom durch die Übergangs­ diode fließt und eine Analogspannung an den ersten und zweiten Strommeß-Eingangsanschlußstiften der integrierten Schaltung (IC1) erzeugt, die die Temperatur der Leistungsschaltung daarstellt, und daß der Strommeß-Ausgangsanschlußstift der integrierten Schaltung (IC1) eine digitale Darstellung der Temperatur der Leistungsschaltung abgibt.
21. Leistungsschaltung mit einem positiven Eingangsanschluß und einem Erdanschluß, wobei die Leistungsschaltung eine mit dem positiven Eingangsanschluß gekoppelte Treiberschaltung aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Leistungshalbleiterbauteil mit einer Sourceelektrode, einer Drainelektrode und einer Gate­ elektrode vorgesehen ist, daß die Sourceelektrode mit der Treiberschaltung gekoppelt ist, daß die Drainelektrode mit der Erdverbindung gekoppelt ist und daß die Gateelektrode mit dem positiven Eingangsanschluß gekoppelt ist, und daß bei Anlegen einer umgekehrten Spannung an den positiven Eingangs­ anschluß das Leistungshalbleiterbauteil keinen Strom leitet und keine Leistung an die Treiberschaltung angelegt wird, und daß ein Strommeßanschluß mit der Sourceelektrode gekoppelt ist, wobei die Spannung von dem Strommeßanschluß zum Erdanschluß den Strom mißt, der durch die Leistungsschaltung fließt.
22. Leistungsschaltung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Leistungshalbleiterbauteil ein bipolarer Transistor mit isoliertem Gate ist.
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