DE19803040A1 - Leistungsschaltung - Google Patents
LeistungsschaltungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Leistungsschal
tung der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art und ins
besondere auf eine Leistungsschaltung mit Batterie-Verpolungs
schutz-, Strommeß- und Temperaturmeßschaltungen, wobei diese
Meßschaltungen vorzugsweise digitale Ausgangssignale liefern.
Übliche Leistungsschaltungen, die mit einer Batterie verbunden
sind (beispielsweise mit einer Fahrzeugbatterie) verwenden
eine Kombination aus einem elektromechanischen Relais und einer
Diode, um die Leistungsschaltung gegenüber Schaden aufgrund
einer Verpolung der Batterie zu schützen. Die Strommessung in
üblichen Leistungsschaltungen wird allgemein unter Verwendung
eines Reihenwiderstandes durchgeführt.
Eine übliche Leistungsschaltung 10, wie sie in der Fahrzeug
industrie verwendet wird, ist in Fig. 1 gezeigt. Die Leistungs
schaltung 10 schließt eine positive Gleichspannungsversorgungs
leitung (B+) und einen Erdanschluß zur Verbindung an eine (nicht
gezeigte) Batterie ein. Sechs Leistungstransistoren Q1 bis Q6
bilden eine Vollbrückenschaltung beispielsweise zur Ansteuerung
eines Dreiphasen-Asynchronmotors. Gate-Ansteuerschaltungen 11,
12 und 13 schalten abwechselnd die Leistungstransistoren Q1 bis
Q6 ein, um eine impulsförmige Leistung an den Anschlüssen A, B
und C zu liefern, wie dies üblich ist.
Eine Relaisschaltung M wird zum Schutz der Leistungstransistoren
gegen Schäden verwendet, wenn die Batterie verpolt angeschlossen
wird. Wenn die Batterie verpolt angeschlossen wird, wird die
Diode D1 in Sperrichtung vorgespannt, so daß kein Strom durch
die Relaiswicklung fließen kann. Der Relaiskontakt öffnet sich
dann, um die Batterie von der Leistungsschaltung 10 zu trennen.
Wenn die Batterie mit richtiger Polung angeschlossen ist, fließt
ein Strom in Durchlaßrichtung durch die Diode D1 und die Relais
wicklung derart, daß der Relaiskontakt schließt und die
Leistungsschaltung durch die Batterie an B+ zu Erde mit Energie
versorgt wird.
Die Strommessung in der üblichen Leistungsschaltung 10 nach
Fig. 1 wird durch Messen der Spannung längs des Reihenwider
standes R1 durchgeführt, wie dies in der Technik gut bekannt
ist. Eine Temperaturmessung in der üblichen Leistungsschaltung
10 ist nicht möglich, wenn nicht ein zusätzliches Temperatur
meßbauteil, beispielsweise ein Thermokreuz, ein Thermistor oder
dergleichen vorgesehen wird.
Die bekannte Leistungsschaltung 10 nach Fig. 1 ist nachteilig,
weil in der Fahrzeugindustrie die Information von der Strom
messung und der Temperaturmessung typischerweise in einen Mikro
prozessor oder dergleichen in Form von digitaler Information
zur Verwendung durch den Mikroprozessor bei der Steuerung des
Gesamtbetriebes des Fahrzeuges eingegeben wird.
Entsprechend liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe
zugrunde, eine Leistungsschaltung der eingangs genannten Art
zu schaffen, bei der in wenig aufwendiger Weise ein Verpolungs
schutz, eine Strommessung und eine Temperaturmessung erreicht
wird, wobei eine minimale Anzahl von Schaltungsbauteilen ver
wendet wird und sich eine digitale Schnittstelle zur Lieferung
der Strom- und Temperaturinformation an einen Mikroprozessor
ergibt.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen
Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung
ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Um die Nachteile der bekannten Leistungsschaltungen unter Ver
wendung üblicher Batterie-Verpolungsschutzschaltungen, Strom
meßschaltungen und Temperaturmeßschaltungen zu beseitigen, ver
wendet die erfindungsgemäße Leistungsschaltung ein Leistungs
halbleiterbauteil, vorzugsweise ein Halbleiterbauteil mit MOS-Gate
steuerung, wie z. B. einen Leistungs-MOSFET oder Leistungs-IBGT
in dem Durchlaßstrompfad einer Leistungsstufe, um einen
Batterieverpolungsschutz, eine Strommessung und eine Temperatur
messung zu ermöglichen. Das Gate des Leistungs-Halbleiterbau
teils ist mit dem positiven Versorgungsspannungsanschluß der
Schaltung verbunden und wird alternativ mit Erde verbunden, wenn
die Temperatur überwacht werden soll.
Gemäß einem weiteren Grundgedanken der Erfindung wird ein
Informationswandlungs-Bauteil verwendet, das so ausgebildet
ist, daß es ein Analogsignal, das zumindest den durch ein
Strommeßelement fließenden Strom und/oder eine von einem Tempe
raturmeßelement gemessene Temperatur darstellt, in digitale
Information zur Zuführung an einen Mikroprozessor umwandelt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von in der Zeichnung
dargestellten Ausführungsbeispielen noch näher erläutert.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild einer bekannten Leistungsschal
tung, die einen Batterie-Verpolungsschutz und Strommeßschal
tungen verwendet,
Fig. 2 ein Schaltbild einer Ausführungsform einer
Leistungsschaltung, die Batterie-Verpolungsschutz-, Strommeß-
und Temperaturmeßschaltungen verwendet,
Fig. 3 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform
einer Leistungsschaltung, die eine andere Ausführungsform der
Strommeßschaltungen verwendet,
Fig. 4 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform
der Leistungsschaltung, die eine weitere Ausführungsform der
Strommeßschaltungen verwendet,
Fig. 5 ein Schaltbild einer Ausführungsform einer
Leistungsschaltung, die eine weitere Ausführungsform der Strom
meßschaltungen verwendet,
Fig. 6 ein Schaltbild einer Ausführungsform einer
Leistungsschaltung mit einem Batterie-Verpolungsschutz, Strom
meßschaltungen und Temperaturmeßschaltungen,
Fig. 7 ein Schaltbild einer Ausführungsform einer
Leistungsschaltung, die einen Batterie-Verpolungsschutz und
Strommeßschaltungen gemäß einer abgeänderten Ausführungsform
verwendet.
In den Zeichnungen, in denen gleiche Bezugsziffern gleiche
Elemente bezeichnen, ist in Fig. 2 eine Leistungsschaltung
100 gezeigt, die eine erste Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung ist. Die Leistungsschaltung 100 nach Fig. 2 weist
eine Leistungsstufe ähnlich der nach Fig. 1 auf, verwendet
jedoch eine neuartige Batterie-Verpolungsschutzschaltung, die
weiterhin Strommeß- und Temperaturmeß-Eigenschaften aufweist.
Die Leistungsschaltung 100 schließt einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Q7 mit vertikaler Stromleitung ein, der in Serie mit
dem Durchlaßstrompfad der Leistungsstufe zur Erde hin geschal
tet ist. Es sei bemerkt, daß jedes Leistungshalbleiterbauteil
mit einer Körper- oder Übergangsdiode mit richtiger Polung ver
wendet werden kann, und es kann beispielsweise ein P-Kanal-Lei
stungs-MOSFET mit vertikaler Leistung verwendet werden, wenn
die Übergangsdiode umgekehrt wird. Im einzelnen ist die Source
elektrode von Q7 mit dem gemeinsamen Source-Verbindungspunkt
der Vollbrückenschaltung verbunden, der einen mit ISENSE
bezeichneten Anschluß aufweist. Die Drainelektrode von Q7 ist
mit Erde verbunden. Entsprechend ist die von Natur aus bei
derartigen Halbleiterbauteilen vorhandene Übergangs- oder
Körperdiode des MOSFET Q7 derartig gepolt, daß deren Kathode
ebenfalls mit Erde verbunden ist, während ihre Anode mit dem
ISENSE-Anschluß verbunden ist.
Die Gate-Elektrode von Q7 (die einen mit I/TEMP bezeichneten
Anschluß aufweist) ist mit der B+-Versorgungsleitung der
Leistungsschaltung 100 über einen Vorspannungswiderstand R2
verbunden. Wenn die (nicht gezeigte) Batterie mit richtiger
Polung mit dem B+-Anschluß verbunden ist, so wird die Gate
elektrode von Q7 auf eine Spannung oberhalb der Spannung der
Source-Elektrode vorgespannt und Q7 schaltet ein. Bei einer
Fahrzeuganwendung wird die Gateelektrode auf eine Spannung von
ungefähr 12 Volt vorgespannt. Entsprechend leitet Q7 Strom von
der Leistungsstufe der Leistungsschaltung 100 zur Erde, und der
Leistungskreis an die Anschlüsse A, B und C wird geschlossen.
Wenn jedoch die Batterie mit falscher Polung angeschlossen wird,
befindet sich die Gateelektrode von Q7 nicht auf einem Span
nungspotential oberhalb Potentials der Sourceelektrode, so daß
Q7 abgeschaltet bleibt und keinen Strom leitet, wodurch unter
anderem die Leistungstransistoren Q1 bis Q7 und die Steuer
schaltungen 11, 12 und 13 geschützt werden. In vorteilhafter
Weise ist die Dioden- und Relaiskombination (D1, M) der be
kannten Verpolungsschutzschaltung bei der Schaltung nach der
vorliegenden Erfindung nicht erforderlich.
Wenn Q7 in Durchlaßrichtung vorgespannt ist, kann der durch
Q7 fließende Strom durch Messen des Durchlaßspannungsabfalls
von der Sourceelektrode zur Drainelektrode (d. h. die Spannung
von ISENSE zu Erde) gemessen werden. Weil der durch Q7
fließende Strom gleich dem zusammengesetzten Strom ist, der
durch die Leistungsstufe fließt, ist die an dem Anschluß
ISENSE gemessene Spannung ein genaues Maß des Stromes der
Leistungsschaltung 100. Entsprechend ist in vorteilhafter
Weise der zusätzliche Reihenwiderstand R1 der bekannten Strom
meßschaltung bei der Schaltung gemäß der vorliegenden Erfindung
nicht mehr erforderlich.
Beim üblichen Aufbau der Leistungsschaltung 100 sind die Bau
teile Q1 bis Q6 thermisch mit einem gemeinsamen Kühlkörper
gekoppelt. Das Bauteil Q7 kann mit dem gleichen Kühlkörper
verbunden werden. Wenn die Gateelektrode von Q7 (der I/TEMP-An
schluß) mit Erde verbunden wird, werden die Charakteristiken
der Übergangsdiode D2 dazu verwendet, die Temperatur von Q7
zu messen, was zusätzlich ein genaues Maß der Betriebstemperatur
der Leistungsschaltung 100 ergibt. Es sei bemerkt, daß der
I/TEMP-Anschluß synchron mit der Abschaltung der Brückenschal
tung mit Erde verbunden werden sollte. Typischerweise sinkt der
Durchlaßspannungsabfall der Übergangsdiode um ungefähr 2 mV pro
Anstieg von 1°C der Temperatur (bei einem konstanten Durchlaß
strom) ab. Daher wird die Spannung an dem ISENSE-Anschluß
gemessen, wenn der I/TEMP-Anschluß mit Erde verbunden ist, um
die Temperatur der Leistungsschaltung 100 zu erzielen.
Unter Verwendung der neuartigen Konfiguration der vorliegenden
Erfindung wird ein Batterie-Verpolungsschutz, eine Strommessung
und eine Temperaturmessung in vorteilhafter Weise in einer
Leistungsschaltung unter Verwendung einer minimalen Anzahl von
Bauteilen erzielt. Somit ergibt die vorliegende Erfindung eine
verbesserte Funktionsweise der bekannten Leistungsschaltungen
bei minimalen Kosten.
In Fig. 3 ist eine zweite Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung gezeigt. Die Schaltung nach Fig. 3 zeigt ein Voll
brücken-Transistornetzwerk, das zwischen dem positiven Gleich
spannungsversorgungsanschluß B+ und Erde angeschaltet ist. Es
ist verständlich, daß die Vollbrückenschaltung vier Transistoren
Q1 bis Q4, beispielsweise MOSFET-Leistungstransistoren einschließt,
wobei in der gezeigten Weise die Transistoren Q1 und
Q4 abgeschaltet sind und die Dioden D2 und D3 frei laufend sind,
so daß ein Strom von Erde durch die Induktivität L zurück zur
Versorgungsleitung B+ fließt. Hierbei stellen die Dioden D2
und D3 die antiparallel geschalteten Dioden, beispielsweise
Schottky-Dioden dar, die längs der (nicht gezeigten) MOSFET-Tran
sistoren Q2 und Q3 angeschaltet sind.
Die Leistungsschaltung 200 schließt einen Strommeßwiderstand
R1 (einen Reihenwiderstand) ein, der in Serie mit der Ausgangs
induktivität L geschaltet ist, so daß die Induktivität den
Ausgangsstrom von der Brücke empfängt und der Widerstand R1
eine Ausgangsspannung liefert, die dem der Induktivität L zu
geführten Strom entspricht. Eine derartige Konfiguration ist
insbesondere zur Ansteuerung eines Reluktanz-Schaltmotors aus
einer einpoligen Leistungsversorgung, beispielsweise in einer
Fahrzeuganwendung, geeignet.
Die Leistungsschaltung 200 schließt weiterhin eine integrierte
Schaltung IC1 ein, die in der dargestellten Ausführungsform
eine integrierte Schaltung mit acht Anschlüssen in zwei Reihen
ist, wobei es verständlich ist, daß die spezielle Gehäusebau
form für die Erfindung nicht kritisch ist. Die integrierte
Schaltung empfängt eine dem der Induktivität L zugeführten
Strom entsprechende Analoginformation über die Spannung, die
Längs des Widerstandes R1 erzeugt wird. Die Analogspannung,
die längs des Widerstandes R1 auftritt, wird der integrierten
Schaltung IC1 über die Anschlußstifte 7 und 6 zugeführt. Die
integrierte Schaltung IC1 wandelt den Analog-Spannungseingang
in den Anschlußstiften 7 und 6 in einen digitalen Bit-Strom um,
vorzugsweise in einen seriellen digitalen Bitstrom, wobei die
digitalen Daten am Anschlußstift 1 (Anschluß SDA) abgegeben
werden. Die integrierte Schaltung IC1 empfängt ein Taktsignal
am Anschlußstift 2 (Anschluß SCL). Die SDA- und SCL-Schnitt
stelle ist speziell für die Fahrzeugindustrie geeignet und kann
Signale entsprechend der sogenannten I2C-Norm liefern. Die
integrierte Schaltung IC1 kann optional ein Signal am Anschluß
stift 3 (Anschluß O.S.) liefern, wenn die zwischen den Anschluß
stiften 7 und 6 auftretende Analogspannung einen vorgegebenen
Grenzwert übersteigt.
Die Leistungsschaltung 200 schließt weiterhin einen Temperatur
sensor 202 ein, der beispielsweise ein Thermistor, ein Thermo
kreuz oder dergleichen sein kann, wobei dieser Temperatursensor
mit der integrierten Schaltung IC1 über den Anschlußstift 5
verbunden ist. Der Temperatursensor 2 ist vorzugsweise mit den
Leistungsbauteilen Q1 bis Q4 thermisch gekoppelt, so daß der
Temperatursensor ein Analogsignal liefert, das eine genaue
Darstellung der Temperatur der Leistungsbauteile ist. IC1
wandelt das von dem Temperatursensor 202 gelieferte Analog
signal in ein digitales Signal zur Zuführung an den SDA-Anschluß
um. Entsprechend kann ein mit der digitalen Schnittstelle (d. h.
mit den SDA- und SCL-Anschlüssen) gekoppelter Mikroprozessor die
Strom- und Temperatur-Charakteristiken der Leistungsschaltung
200 empfangen.
In Fig. 4 ist eine dritte Ausführungsform einer Leistungs
schaltung 204 gezeigt. Die Leistungsschaltung 204 entspricht
im wesentlichen der Leistungsschaltung nach Fig. 3, schließt
jedoch keinen Strommeßwiderstand R1 in Serie mit der Indukti
vität L ein. Statt dessen verwendet die Leistungsschaltung 204
den Durchlaßwiderstand des spannungsseitigen Transistors Q1
zur Messung des der Induktivität L zugeführten Stromes. Tat
sächlich steigt, wenn der der Induktivität L zugeführte Strom
ansteigt, auch die Spannung längs des Transistors Q1 an. Ent
sprechend sind die Anschlußstift 7 und 6 der integrierten
Schaltung IC1 längs des Transistors Q1 derart angeschaltet,
daß die Spannung längs des Transistors Q1 der integrierten
Schaltung IC1 zugeführt und von dieser als das Analogsignal
verwendet wird, das den Strom darstellt, der der Induktivität
L zugeführt wird.
Es ist verständlich, daß die Spannung längs des Transistors Q1
den durch die Induktivität L fließenden Strom nur dann dar
stellt, wenn der Transistor Q1 durch eine (nicht gezeigte)
Steuerschaltung in den leitenden Zustand vorgespannt ist. Wenn
der Transistor Q1 gesperrt ist und die Dioden D2 und D3 der
Transistoren Q2 bzw. Q3 freilaufend sind, so stellt die Span
nung längs des Transistors Q1 im wesentlichen die Spannung
längs der Induktivität L dar. Somit kann, falls dies erwünscht
ist, IC1 ein digitales Signal an dem SDA-Anschluß liefern,
das die Spannung längs der Induktivität L anzeigt.
Es wird nunmehr auf Fig. 5 Bezug genommen, die eine vierte
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Verwendung
einer Leistungsschaltung 206 zeigt. Die Leistungsschaltung 206
ist im wesentlichen gleich der Leistungsschaltung 204, jedoch
mit der Ausnahme, daß der Durchlaßwiderstand des Transistors
Q2 als Strommeßwiderstand verwendet wird, so daß die Anschluß
stifte 7 und 6 von IC1 längs des Transistors Q2 angeschaltet
sind. Es ist verständlich, daß die Dioden D1 und D4 die anti
parallel geschalteten Dioden darstellen, die längs der Tran
sistoren Q1 bzw. Q4 angeschaltet sind, und daß die Dioden D1
und D4 frei laufend sind, so daß Strom von Erde über die Diode
D4, die Induktivität L und die Diode D1 zur B+-Versorgungs
leitung fließt. Wie im Fall der Leistungsschaltung 204 nach
Fig. 4 empfängt die integrierte Schaltung IC1 eine Spannung
längs der Anschlußstifte 7 und 6, die den durch die Induktivität
L fließenden Strom darstellt, wenn der Transistor Q2 einge
schaltet ist und Strom leitet.
Es wird nunmehr auf Fig. 6 Bezug genommen, die ein Schaltbild
einer fünften Ausführungsform der Leistungsschaltung 208 zeigt.
Die Leistungsschaltung 208 schließt Transistoren Q1 und Q4 ein,
die mit der Induktivität L gekoppelt sind. Es ist verständlich,
daß die Induktivität L eine Phase eines mehrphasigen, mit ge
schalteter Reluktanz arbeitenden Motors darstellten kann und daß
zusätzliche Leistungsschalterbauteile, wie z. B. die Transistoren
Q2 und Q3 aus Gründen der Klarheit fortgelassen sind. Die
Leistungsschaltung 208 schließt einen MOSFET Q7 ein, der in
Serie zwischen den Leistungshalbleiterbauteilen Q1 und Q4 und
Erde eingeschaltet ist, so daß irgendein durch die Leistungs
halbleiterbauteile und die Induktivität L fließender Strom
durch den Transistor Q7 fließt. Somit kann wie im Fall der
Leistungsschaltung 100 nach Fig. 2 der Transistor Q7 dazu
verwendet werden, sowohl den Strom und die Temperatur zu
messen als auch einen Verpolungsschutz zu liefern.
Die Anschlußstift 7 und 6 der integrierten Schaltung IC1 sind
längs des Transistors Q7 über Widerstände R4 und R5 angeschal
tet, wobei diese Widerstände eine Kelvin-Messung ergeben
können. Wenn der Transistor Q7 eingeschaltet ist, ist die
Spannung längs der Anschlußstifte 7 und 6 der integrierten
Schaltung IC1 eine Spannung, die den durch L fließenden Strom
darstellt. Wenn der Transistor Q7 abgeschaltet ist, fließt ein
Strom durch die antiparallele Diode des Transistors Q7, wodurch
eine Spannung längs der Anschlußstifte 7 und 6 von IC1 hervor
gerufen wird, die die Temperatur der Leistungshalbleiterbauteile
der Leistungsschaltung 208 darstellt. Entsprechend erzeugt die
integrierte Schaltung IC1 ein digitales Signal am Anschlußstift
SDA, das sowohl den Strom als auch die Temperatur darstellen
kann. Weiterhin kann die integrierte Schaltung IC1 ein Signal
am Anschluß O.S. liefern, das zumindest einen Zustand, bei
spielsweise einen Überstrom oder einen Übertemperatur-Zustand
darstellt.
In vorteilhafter Weise ergibt die integrierte Schaltung IC1
eine digitale Schnittstelle, die für die I2C-Norm für die
Fahrzeugindustrie geeignet ist, was es ermöglicht, daß ein
Mikroprozessor oder eine andere Verarbeitungseinrichtung bei
spielsweise in einer Fahrzeuganwendung bestimmte Charakteristi
ken einer Leistungsschaltung in dem Fahrzeug empfängt, nämlich
die Strom- und Temperaturwerte für die Leistungsschaltung.
Daher kann der Mikroprozessor Abhilfemaßnahmen treffen, wenn
der Strom und/oder die Temperatur der Leistungsschaltung außer
halb vorgegebener Grenzwerte liegen.
In Fig. 7 ist eine abgeänderte Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung gezeigt. Im einzelnen wurde der MOSFET Q7 durch einen
IGBT (bipolarer Transistor mit isoliertem Gate) Q8 ersetzt, um
sowohl die Batterie-Verpolungsschutz- als auch die Strommeß
merkmale der Schaltung nach Fig. 2 zu liefern. Es sei bemerkt,
daß die Schaltung nach Fig. 7 kein Temperaturmeßmerkmal ergibt,
weil ein IGBT keine darin ausgebildete Übergangsdiode aufweist.
Obwohl die vorliegende Erfindung bezüglich spezieller Ausfüh
rungsformen beschrieben wurde, sind vielfältige Abänderungen
und Modifikationen sowie andere Anwendungen für den Fachmann
ohne weiteres zu erkennen.
Claims (22)
1. Leistungsschaltung mit einem positiven Eingangsanschluß
und einem Erdanschluß, wobei die Leistungsschaltung eine
Treiberschaltung aufweist, die mit dem positiven Eingangs
anschluß verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Leistungshalbleiterbauteil
(Q7) mit einer Übergangsdiode, einer Sourceelektrode, einer
Drainelektrode und einer Gateelektrode vorgesehen ist, daß
die Sourceelektrode mit der Treiberschaltung (11, 12, 13)
gekoppelt ist, daß die Drainelektrode mit dem Erdanschluß
gekoppelt ist und daß die Gateelektrode mit dem positiven
Eingangsanschluß gekoppelt ist, derart, daß wenn eine umge
kehrte Spannung an den positiven Eingangsanschluß angelegt
wird, das Leistungshalbleiterbauteil (Q7) keinen Strom leitet
und keine Leistung an die Treiberschaltung (11, 12, 13) ange
legt wird, daß ein Strommeßanschluß mit der Sourceelektrode
verbunden ist, wobei die Spannung von dem Strommeßanschluß
zum Erdanschluß den durch die Leistungsschaltung fließenden
Strom mißt, und daß ein Temperaturmeßanschluß mit der Gate
elektrode verbunden ist, derart, daß wenn der Temperaturmeß
anschluß mit dem Erdanschluß verbunden ist und die Treiber
schaltung abgeschaltet ist, die Spannung von dem Strommeß
anschluß zum Erdanschluß den Spannungsabfall der Übergangsdiode
(D2) mißt, der deren Temperatur darstellt.
2. Leistungsschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das Leistungshalbleiterbauteil
(Q7) ein MOSFET ist.
3. Leistungsschaltung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberschaltung eine Voll
brückenschaltung (11, 12, 13, Q1-Q6) ist, die einen gemeinsamen
Source-Verbindungspunkt aufweist, und daß die Sourceelektrode
des Leistungshalbleiterbauteils (Q7) mit dem gemeinsamen Source-Ver
bindungspunkt gekoppelt ist.
4. Leistungsschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberschaltung Steuerschal
tungen (11, 12, 13) und Leistungstransistoren (Q1-Q6) einschließt.
5. Leistungsschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungsschaltung mit einer
Fahrzeugbatterie gekoppelt ist.
6. Leistungsschaltung mit einem positiven Eingangsanschluß
und einem Erdanschluß, wobei die Leistungsschaltung Leistung
an eine induktive Last liefert,
dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungsschaltung eine mit
dem positiven Eingangsanschluß verbundene Treiberschaltung und
einen in Serie mit der induktiven Last (L) gekoppelten Strom
meßwiderstand (R1) einschließt, wobei die Analogspannung längs
des Strommeßwiderstandes (R1) den von der Leistungsschaltung
an die induktive Last gelieferten Strom mißt, daß eine inte
grierte Schaltung (IC1) mit Eingangsanschlüssen und Ausgangs
anschlüssen vorgesehen ist, daß erste und zweite Strommeß-
Eingangsanschlüsse der integrierten Schaltung (IC1) mit dem
Strommeßwiderstand (R1) gekoppelt sind, um die Analogspannung
längs des Strommeßwiderstandes zu empfangen, und daß ein
Strommeß-Ausgangsanschluß der integrierten Schaltung (IC1)
eine digitale Darstellung der Analogspannung abgibt, die von
den ersten und zweiten Strommeß-Eingangsanschlüssen empfangen
wird.
7. Leistungsschaltung nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Schaltung (IC1)
einen Takteingangsanschluß zum Empfang eines Taktsignals auf
weist.
8. Leistungsschaltung nach Anspruch 6 oder 7,
dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Schaltung (IC1)
einen Alarm-Ausgangsanschlußstift aufweist, der ein Signal
abgibt, wenn die Analogspannung an den ersten und zweiten
Strommeß-Eingangsanschlußstiften einen vorgegebenen Grenzwert
übersteigt.
9. Leistungsschaltung nach einem der Ansprüche 6 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungsschaltung mit einer
Fahrzeugbatterie gekoppelt ist.
10. Leistungsschaltung nach einem der Ansprüche 6 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Temperatursensor (202) mit
der Treiberschaltung gekoppelt ist und eine Analogspannung
abgibt, die die Temperatur der Treiberschaltung darstellt,
daß ein Temperatur-Eingangsanschlußstift der integrierten
Schaltung (IC1) mit dem Temperatursensor (202) gekoppelt ist
und die Analog-Ausgangsspannung des Temperatursensors empfängt,
und daß ein Temperatur-Ausgangsanschlußstift der integrierten
Schaltung (IC1) eine digitale Darstellung der von dem Tempera
tur-Eingangsanschlußstift empfangenen Analogspannung abgibt.
11. Leistungsschaltung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, daß der Strommeß-Ausgangsanschlußstift
der Temperatur-Ausgangsanschlußstift ist.
12. Leistungsschaltung mit einem positiven Eingangsanschluß
und einem Erdanschluß, wobei die Leistungsschaltung Leistung
an eine induktive Last liefert und die Leistungsschaltung eine
Treiberschaltung aufweist, die mit dem positiven Eingangsan
schluß gekoppelt ist und eine Vielzahl von Leistungstransistoren
einschließt,
dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einer der Leistungs
transistoren mit der induktiven Last (L) gekoppelt ist, daß
die Analogspannung längs des zumindest einen Leistungstransi
stors den Strom darstellt, der von der Leistungsschaltung an die
induktive Last (L) geliefert wird, daß eine integrierte
Schaltung (IC1) mit Eingangsanschlußstiften und Ausgangs
anschlußstiften vorgesehen ist, daß erste und zweite Strom
meß-Eingangsanschlußstifte der integrierten Schaltung (IC1)
mit dem zumindest einen Leistungstransistor gekoppelt sind,
um die Analogspannung längs des zumindest einen Leistungs
transistors zu empfangen, und daß ein Strommeß-Ausgangsanschluß
der integrierten Schaltung eine digitale Darstellung der von
den ersten und zweiten Strommeß-Eingangsanschlüssen empfangenen
Analogspannung abgibt.
13. Leistungsschaltung nach Anspruch 12,
gekennzeichnet durch einen Takteingangsanschluß der integrierten
Schaltung (IC1) zum Empfang eines Taktsignals.
14. Leistungsschaltung nach Anspruch 12 oder 13,
dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Schaltung (IC1)
einen Alarm-Ausgangsanschlußstift aufweist, der ein Signal
abgibt, wenn die Analogspannung an den ersten und zweiten
Strommeß-Eingangsanschlußstiften einen vorgegebenen Grenzwert
übersteigt.
15. Leistungsschaltung nach einem der Ansprüche 12 bis 14,
gekennzeichnet durch einen Temperaturmeßfühler (202), der mit
der Treiberschaltung gekoppelt ist und eine Analogspannung
abgibt, die die Temperatur der Treiberschaltung darstellt,
daß ein Temperatur-Eingangsanschlußstift der integrierten
Schaltung (IC1) mit dem Temperatursensor (202) gekoppelt ist
und die von dem Temperatursensor abgegebene Analog-Spannung
empfängt, und daß ein Temperatur-Ausgangsanschlußstift der
integrierten Schaltung (IC1) eine digitale Darstellung der
von dem Temperatur-Eingangsanschlußstift empfangenen Analog
spannung abgibt.
16. Leistungsschaltung nach einem der Ansprüche 12 bis 15,
dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungsschaltung mit einer
Fahrzeugbatterie gekoppelt ist.
17. Leistungsschaltung nach einem der Ansprüche 12 bis 16,
dadurch gekennzeichnet, daß die induktive Last ein Reluktanz-Schalt
motor ist.
18. Leistungsschaltung mit einem positiven Eingangsanschluß
und einem Erdanschluß, wobei die Leistungsschaltung Leistung
an eine induktive Last liefert und die Leistungsschaltung eine
Treiberschaltung einschließt, die mit dem positiven Eingangs
anschluß gekoppelt ist,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Leistungshalbleiterbauteil in
Serie mit der induktiven Last gekoppelt ist, wobei der von der
Leistungsschaltung an die induktive Last gelieferte Strom durch
das Leistungshalbleiterbauteil fließt, wobei das Leistungs
halbleiterbauteil eine mit der Treiberschaltung gekoppelte
Sourceelektrode, eine mit dem Erdanschluß gekoppelte Drain
elektrode und eine mit dem positiven Eingangsanschluß gekoppelte
Gateelektrode aufweist, daß eine integrierte Schaltung (IC1)
mit Eingangsanschlußstiften und Ausgangsanschlußstiften vorge
sehen ist, daß erste und zweite Strommeß-Eingangsanschlußstifte
der integrierten Schaltung (IC1) mit dem Leistungshalbleiter
bauteil gekoppelt sind, um die Analogspannung längs des
Leistungshalbleiterbauteils zu empfangen, und daß ein Strommeß-Aus
gangsanschlußstift der integrierten Schaltung eine digitale
Darstellung der von den ersten und zweiten Strommeß-Eingangs
anschlußstiften empfangenen Analogspannung abgibt.
19. Leistungsschaltung nach Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet, daß das Leistungshalbleiterbauteil
ein MOSFET ist.
20. Leistungsschaltung nach Anspruch 18 oder 19,
dadurch gekennzeichnet, daß das Leistungshalbleiterbauteil
weiterhin eine Übergangsdiode aufweist, und daß bei abgeschal
tetem Leistungshalbleiterbauteil ein Strom durch die Übergangs
diode fließt und eine Analogspannung an den ersten und zweiten
Strommeß-Eingangsanschlußstiften der integrierten Schaltung
(IC1) erzeugt, die die Temperatur der Leistungsschaltung
daarstellt, und daß der Strommeß-Ausgangsanschlußstift der
integrierten Schaltung (IC1) eine digitale Darstellung der
Temperatur der Leistungsschaltung abgibt.
21. Leistungsschaltung mit einem positiven Eingangsanschluß
und einem Erdanschluß, wobei die Leistungsschaltung eine mit
dem positiven Eingangsanschluß gekoppelte Treiberschaltung
aufweist,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Leistungshalbleiterbauteil
mit einer Sourceelektrode, einer Drainelektrode und einer Gate
elektrode vorgesehen ist, daß die Sourceelektrode mit der
Treiberschaltung gekoppelt ist, daß die Drainelektrode mit
der Erdverbindung gekoppelt ist und daß die Gateelektrode mit
dem positiven Eingangsanschluß gekoppelt ist, und daß bei
Anlegen einer umgekehrten Spannung an den positiven Eingangs
anschluß das Leistungshalbleiterbauteil keinen Strom leitet
und keine Leistung an die Treiberschaltung angelegt wird, und
daß ein Strommeßanschluß mit der Sourceelektrode gekoppelt ist,
wobei die Spannung von dem Strommeßanschluß zum Erdanschluß den
Strom mißt, der durch die Leistungsschaltung fließt.
22. Leistungsschaltung nach Anspruch 21,
dadurch gekennzeichnet, daß das Leistungshalbleiterbauteil
ein bipolarer Transistor mit isoliertem Gate ist.
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