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DE1976269U - Einrichtung zur kuehlung von halbleiterelementen in einem geraetegehaeuse. - Google Patents

Einrichtung zur kuehlung von halbleiterelementen in einem geraetegehaeuse.

Info

Publication number
DE1976269U
DE1976269U DES50735U DES0050735U DE1976269U DE 1976269 U DE1976269 U DE 1976269U DE S50735 U DES50735 U DE S50735U DE S0050735 U DES0050735 U DE S0050735U DE 1976269 U DE1976269 U DE 1976269U
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing
semiconductor elements
cooling
extensions
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DES50735U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES50735U priority Critical patent/DE1976269U/de
Publication of DE1976269U publication Critical patent/DE1976269U/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W40/22
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25BREFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B21/00Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
    • F25B21/02Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

Ρ.Α.ί(76Η2*17.8.0/
SIEMElS AESIEiTGESElLSGHi]TE Münclien, den
PA 64/3233
Einrichtung sur Kühlung von Halbleiterelement en in einem Gerätegehäuse
Die !Teuerung betrifft eine Einrichtung aur Kühlung von Halbleiterelementen in einem Gerät egeliäuse. Bei elektrischen Geräten in einem geschlossenen Gehäuse, bei denen im Innern des Gehäuses auch' wärmeerzeugende Bauelemente, beispielsweise Leistungstransistoren, angeordnet sind, steigen die Innentemperaturen oft erheblich über die Umgebungstemperatur. Liegt die Umgebungstemperatur schon
Schp/GB 4.11.64
PA 21/10 011 -/-
PA 21/ 10 011 - 2 -
relativ hoch, beispielsweise 50 - 550C, in Kesselhäusern o.a., so steigt die Innentemperatur in den Gerätegehäuse häufig über die Grenztenperatur der in den Gerät verwendeten Halbleiterelement«, die bei Germanium bei 60° C liegt.
Es besteht die Aufgabe, die Halbleiterelemente im Innern des Gehäuses auf möglichst einfache Weise etwa auf der außerhalb des Gehäuses herrschenden Umgebungstemperatur zu halten.
Sine lösung der Aufgabe stellt eine Einrichtung zur Kühlung von Halbleiterelementen in einem Gerätegehäuse
Nnut^unq
gerüß der -ägfindung- dar, die dadurch gekennzeichnet ist, daß eine mit seitlichen Portsätzen versehene Platte aus gut wärmeleitendem Material, z.B. Kupfer, außerhalb des Gehäuses angebrächt ist und daß die Portsätze durch Schlitze in der Wand des Gehäuses in dessen Inneres ragen und daß die Halbleiterelemente auf den Portsätzen wärmeleitend befestigt sind. Sine besonders vorteilhafte Ausführungsform zeichnet sich dadurch aus, daß die Platte mittels Abstandhalter mit der Rückwand des Gerätegehäuses verbunden ist und die Fortsätze rechtwinklig abgebogen durch Schlitze in der Rückwand ragen. Durch
PA 21/10 011 - 3 -
diese Anordnung wird eine besonders raumsparende Bauweise erreicht. Damit die Kühlwirkung ausschließlich den empfindlichen Halbleiterelementen zugute kommt, ist weiterhin vorgesehen, daß die in dem Gehäuse befindlichen Teile der Fortsätze, die nicht mit Halbleitern in Kontakt stehen, mit wärmeisolierenden Überzügen versehen sind.
In der Figur ist ein Ausführungsbeispiel der dargestellt und in folgenden erläutert.
Auf einer Grundplatte 1 mit einer Abdeckung 2, die zusammen das Gerätegehäuse bilden, sind eine Eeine elektrischer Bauelemente angeordnet. Hinter der die. Rückwand des Gehäuses bildenden Grundplatte 1 ist mittels Abstandhalter eine Kupferplatte 5 befestigt, die mit rechtwinklig gebogenen Fortsätzen 4 versehen ist, welche wiederum durch Schlitze 6 in der Grundplatte 1 in das Innere des Gerätegehäuses ragen. Auf diesen Fortsätzen 4 sind die Halbleiterelemente 7 befestigt, deren Yerlustwärne abgeführt werden soll. Die Befestigung ist in bekannter Weise derart vorgenommen, daß ein guter Wärmeübergang zwischen den Gehäusen der Halbleiterelemente und den Fortsätzen gewährleistet ist. um die Wärmeableitung hauptsächlich auf die Halbleiterelemente zu beschränken, können die nicht mit den Halbleiterelementen 7 in Verbindung
PA 21/10 011 ' ■ -. 4 -
stehenden Teile der Fortsätze 4 mit wärmeisolierenden Überzügen 8. versehen werden. Das Gerät ist mit Füßen an einen Gestell o.dgl. so befestigt, daß die luft ungehindert Zutritt zu beiden Seiten der Platte 5 hat und durch Konvektion die Wärme abführt. Eine Erhöhung der Kühlwirkung ergibt sich, wenn die Platte 5 direkt mit einer weiteren 'Wärmeleitfläche großer Ausdehnung, z.B. einer Mauer oder einem Eisenträger, in Verbindung gebracht werden kann. .
3 ■ nsprüche
1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

S c h-u t zan s pr üo h e
1. Einrichtung zur Kühlung von Halbleiterelementen in einem Gerätegehäuse, dadurch gekennzeichnet, daß eine mit seitlichen Fortsätzen versehene Platte aus gut wärmeleitendem Material, z.B. Kupfer, außerhalb des Gehäuses angebracht ist und daß die Portsätze durch Schlitze in der Wand des Gehäuses in dessen Inneres ragen,und daß die Halbleiterelemente auf den Fortsätzen wärmeleitend befestigt sind.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte mittels Abstandhalter mit der Rückwand des Gerätegehäuses verbunden ist und die Fortsätze rechtwinklig abgebogen durch Schlitze in der Rückwand ragen.
3. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch"gekennzeichnet, daß die in dem Gehäuse befindlichen Teile der Fortsätze, die nicht mit Halbleiterelementen in Kontakt stehen, mit wärmeisolierenden Überzügen versehen sind.
DES50735U 1964-11-09 1964-11-09 Einrichtung zur kuehlung von halbleiterelementen in einem geraetegehaeuse. Expired DE1976269U (de)

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