DE19757559A1

DE19757559A1 - Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for its production

Info

Publication number: DE19757559A1
Application number: DE19757559A
Authority: DE
Inventors: Dong-Hoon Min; Sang-Wook Park
Original assignee: Daewoo Electronics Co Ltd
Current assignee: WiniaDaewoo Co Ltd
Priority date: 1997-03-28
Filing date: 1997-12-23
Publication date: 1998-10-01
Also published as: US5917645A; GB2323678A; CN1195115A; NL1007843A1; NL1007843C2; JPH10282437A; FR2761487A1; GB9727234D0; GB2323678B

Description

Background of the Invention

Die vorliegende Erfindung betrifft ein dünnschichtbetätigtes Spiegelarray (engl.: thin film actuated mirror array) in einem optischen Projektionssystem und ein Verfahren zu dessen Herstellung, und insbesondere ein dünnschichtbetätigtes Spiegelarray in einem optischen Projektionssystem zur Vermeidung eines fehlerhaften Betriebs eines Aktuators aufgrund eines durch einfallendes Licht verursachten lichtelektrischen Leckstroms und ein Verfahren zu dessen Herstellung.The present invention relates to a thin film actuated mirror array (English: thin film actuated mirror array) in an optical projection system and a process for its manufacture, and in particular a thin film actuated mirror array in an optical projection system for Avoiding incorrect operation of an actuator due to incident light caused photoelectric leakage current and a process for its manufacture.

Im allgemeinen werden Lichtmodulatoren je nach den verwendeten Optiken in zwei Gruppen eingeteilt. Der eine Typ ist ein Direktlicht-Modulator, wie etwa eine Kathodenstrahlröhre (CRT), und der andere Typ ist ein Transmissionslicht-Modulator, wie etwa eine Flüssigkristallanzeige (LCD). Die Kathodenstrahlröhre erzeugt Bilder höchster Qualität auf einem Bildschirm, jedoch nehmen das Gewicht, das Volumen und die Herstellungskosten einer Kathodenstrahlröhre mit der Größe des Bildschirmes zu. Die Flüssigkristallanzeige hat einen einfachen optischen Aufbau, so daß das Gewicht und das Volumen der Flüssigkristallanzeige geringer sind als bei der Kathodenstrahlröhre. Jedoch hat die Flüssigkristallanzeige einen schlechten Lichtwirkungsgrad von unter 1 bis 2%, da das einfallende Licht eine Polarisation aufweist. Somit ergeben sich einige Probleme bei den Flüssigkristallmaterialien der Flüssigkristallanzeige wie etwa ein träges Ansprechvermögen oder Überhitzung. In general, light modulators are divided into two groups depending on the optics used. One type is a direct light modulator, such as a CRT, and the other type is a transmission light modulator, such as a liquid crystal display (LCD). The cathode ray tube produces the highest quality images on a screen, but the weight, volume, and manufacturing cost of a cathode ray tube increase with the size of the screen. The liquid crystal display has a simple optical structure, so that the weight and volume of the liquid crystal display are less than that of the cathode ray tube. However, the liquid crystal display has poor light efficiency below 1 to 2% because the incident light has polarization. Thus, there are some problems with the liquid crystal materials of the liquid crystal display, such as sluggish responsiveness or overheating.

Deshalb sind eine digitale Spiegelvorrichtung (DMD) (engl.: digital mirror device) und betätigte Spiegelarrays (AMA) (engl.: actuated mirror arrays) entwickelt worden, um diese Probleme zu lösen. Nun hat die digitale Spiegelvorrichtung einen Lichtwirkungsgrad von ungefähr 5% während die betätigten Spiegelarrays einen Lichtwirkungsgrad von ungefähr 10% aufweisen. Das betätigte Spiegelarray verbessert den Kontrast eines auf einem Bildschirm projizierten Bildes, so daß das Bild klarer und deutlicher ist. Das betätigte Spiegelarray wird nicht durch die Polarisation von einfallenden Lichtstrahlen beeinflußt. Auch beeinflußt das betätigte Spiegelarray nicht die Polarisation von reflektiertem Licht. Deshalb ist das betätigte Spiegelarray effizienter als die Flüssigkristallanzeige oder die digitale Spiegelvorrichtung. Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung eines Antriebssystems eines herkömmlichen betätigten Spiegelarrays, wie es in dem US-Patent Nr. 5,126,836 (erteilt an Gregory Um erteilt) offenbart ist. Unter Bezugnahme auf Fig. 1 durchläuft einfallendes Licht von einer Lichtquelle 1 einen ersten Spalt 3 und eine erste Linse 5 und wird gemäß dem Rot.Grün.Blau (R.G.B)- Farbdarstellungssystem in rotes, grünes und blaues Licht aufgeteilt. Nachdem das rote, grüne und blaue Licht jeweils von einem ersten Spiegel 7, einem zweiten Spiegel 9 bzw. einen dritten Spiegel 11 reflektiert worden ist, fällt das reflektierte Licht jeweils auf AMA-Elemente 13, 15 bzw. 17 entsprechend den Spiegeln 7, 9 bzw. 11. Die AMA-Elemente 13, 15 bzw. 17 verkippen die darin eingebauten Spiegel, so daß die einfallenden Lichtstrahlen durch die Spiegel reflektiert werden. In diesem Fall werden die in den AMA-Elementen 13, 15 und 17 eingebauten Spiegel entsprechend der Verformung von aktiven Schichten, die unter den Spiegeln ausgebildet sind, verkippt. Die durch die AMA-Elemente 13, 15 und 17 reflektierten Lichtstrahlen durchlaufen eine zweite Linse 19, einen zweiten Spalt 21 und bilden mittels einer Projektionslinse 23 ein Bild auf einem (nicht gezeigten) Bildschirm.Therefore, a digital mirror device (DMD) and actuated mirror arrays (AMA) have been developed to solve these problems. Now the digital mirror device has a light efficiency of approximately 5% while the actuated mirror arrays have a light efficiency of approximately 10%. The actuated mirror array improves the contrast of an image projected on a screen so that the image is clearer and clearer. The actuated mirror array is not influenced by the polarization of incident light rays. The actuated mirror array also does not affect the polarization of reflected light. Therefore, the actuated mirror array is more efficient than the liquid crystal display or the digital mirror device. Figure 1 shows a schematic representation of a drive system of a conventional actuated mirror array as disclosed in U.S. Patent No. 5,126,836 (issued to Gregory Um). . Referring to Figure 1, incident light passes from a light source 1, a first slit 3 and a first lens 5 and is in accordance with the Rot.Grün.Blau (RGB) - Color display system divided into red, green and blue light. After the red, green and blue light has been reflected by a first mirror 7 , a second mirror 9 and a third mirror 11 , respectively, the reflected light falls on AMA elements 13 , 15 and 17 corresponding to mirrors 7 , 9 or 11 . The AMA elements 13 , 15 and 17 tilt the mirrors installed therein, so that the incident light rays are reflected by the mirrors. In this case, the mirrors installed in the AMA elements 13 , 15 and 17 are tilted in accordance with the deformation of active layers which are formed under the mirrors. The light rays reflected by the AMA elements 13 , 15 and 17 pass through a second lens 19 , a second slit 21 and form an image on a screen (not shown) by means of a projection lens 23 .

In den meisten Fällen wird ZnO als ein Material zur Ausbildung der aktiven Schicht verwendet. Jedoch wurde herausgefunden, daß Bleizirkonattitanat (PZT: Pb (Zr, Ti) O₃) bessere piezoelektrische Eigenschaften als ZnO aufweist. PZT ist eine vollständig feste Lösung, hergestellt aus Bleizirkonat (PbZrO₃) und Bleititanat (PbTiO₃). Bei hoher Temperatur liegt PZT in einer paraelektrischen Phase vor, dessen Kristallstruktur kubisch ist. Bei Raumtemperatur liegt PZT in einer antiferroelektrischen Phase vor, deren Kristallstruktur orthorhombisch ist, und in einer ferroelektrischen Phase, deren Kristallstrukturen rhombohedral oder tetragonal entsprechend dem Zusammensetzungsverhältnis von Zr und Ti ist.In most cases, ZnO is used as a material for forming the active layer. However, lead zirconate titanate (PZT: Pb (Zr, Ti) O ₃ ) was found to have better piezoelectric properties than ZnO. PZT is a completely solid solution made from lead zirconate (PbZrO ₃ ) and lead titanate (PbTiO ₃ ). At high temperature, PZT is in a paraelectric phase, the crystal structure of which is cubic. At room temperature, PZT is present in an antiferroelectric phase, the crystal structure of which is orthorhombic, and in a ferroelectric phase, the crystal structure of which is rhombohedral or tetragonal, according to the compositional ratio of Zr and Ti.

PZT besitzt dort eine morphotrope Phasenbindung (MPB) der tetragonalen Phase und der Rhombohedralen Phase, wo das Zusammensetzungsverhältnis von Zr und Ti 1 : 1 ist. PZT hat maximale dielektrische und piezoelektrische Eigenschaften bei der MPB. Die MPB liegt nicht bei einem speziellen Zusammensetzungsverhältnis vor, sondern liegt in einem relativ breiten Bereich vor, in dem die tetragonale Phase und die rhombohedrale Phase koexistieren. Über den phasenkoexistenten Teil von PZT wird von verschiedenen Forschern unterschiedlich berichtet. Vielfältige Theorien hinsichtlich etwa thermodynamischer Stabilität, Zusammensetzungsschwankung und innerer Spannung wurden als der Grund für den Teil der Phasenkoexistenz vorgeschlagen. Heutzutage können PZT-Dünnschichten durch verschiedene Verfahren hergestellt werden, wie etwa durch ein Schleuderbeschichtungsverfahren, durch chemische Abscheidung aus der Gasphase (CVD-Verfahren) oder durch ein Sputter-Verfahren.There, PZT has a morphotropic phase bond (MPB) of the tetragonal Phase and the rhombohedral phase where the composition ratio of Zr and Ti is 1: 1. PZT has maximum dielectric and piezoelectric Properties at the MPB. The MPB is not a special one Compositional relationship, but lies in a relatively broad Area in front where the tetragonal phase and the rhombohedral phase coexist. About the phase coexistent part of PZT is from different researchers reported differently. Diverse theories regarding thermodynamic stability, Compositional fluctuation and internal tension were considered the reason proposed for the part of phase coexistence. Nowadays you can PZT thin films can be made by various methods, such as by a spin coating process, by chemical deposition from the gas phase (CVD process) or by a sputtering process.

AMAs (betätigte Spiegelarrays) werden allgemein in Substrat-AMAs (engl.: bulk AMAs) und Dünnschicht-AMAs eingeteilt. Das Substrat-AMA ist in dem US-Patent Nr. 5,469,302 (erteilt an Dae-Young Lim) offenbart. Das Substrat-AMA wird folgendermaßen gebildet. Ein Keramikwafer mit einer Mehrlagenkeramik, in die Metallelektroden eingesetzt sind, wird auf eine aktive Matrix mit Transistoren montiert. Nach dem Zersägen des Keramikwafers wird ein Spiegel auf den Keramikwafer montiert. Jedoch hat das Substrat-AMA einige Nachteile. Zum einen ist ein sehr genaues Verfahren und eine sehr genaue konstruktive Gestaltung notwendig, und zum anderen ist das Ansprechvermögen einer aktiven Schicht langsam. Deshalb ist das Dünnschicht-AMA, das durch Anwendung der Herstellungstechnologie von Halbleitern hergestellt werden kann, entwickelt worden.AMAs (actuated mirror arrays) are commonly used in substrate AMAs. bulk AMAs) and thin-film AMAs. The substrate AMA is in that U.S. Patent No. 5,469,302 (issued to Dae-Young Lim). The substrate AMA is formed as follows. A ceramic wafer with one Multilayer ceramics, in which metal electrodes are inserted, are placed on one active matrix with transistors mounted. After sawing the Ceramic wafers a mirror is mounted on the ceramic wafer. However the substrate AMA has some disadvantages. For one, it is a very precise procedure and a very precise constructive design is necessary, and secondly the response of an active layer is slow. That is why Thin film AMA, which is made using the manufacturing technology of Semiconductors can be manufactured have been developed.

Das Dünnschicht-AMA ist in der US-Anmeldung mit dem Aktenzeichen 08/602,928 mit dem Titel "THIN FILM ACTUATED MIRROR ARRAY FOR USE IN AN OPTICAL PREJECTION SYSTEM" beschrieben, das nun im US-Patentamt (USPTO) anhängig ist und der Verpflichtung des Rechtsnachfolgers dieser Erfindung unterliegt.The thin film AMA is filed in the US application 08 / 602,928 entitled "THIN FILM ACTUATED MIRROR ARRAY FOR USE IN AN OPTICAL PREJECTION SYSTEM ", which is now described in the U.S. Patent Office (USPTO) is pending and the legal successor's obligation subject to this invention.

Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht des Dünnschicht-AMAs. Wie in Fig. 2 gezeigt, hat das Dünnschicht-AMA eine aktive Matrix 60 und einen Aktuator 90, der auf der aktiven Matrix 60 ausgebildet ist. Die aktive Matrix 60 hat ein Substrat 50 mit M × N (M, N sind ganze Zahlen) (nicht gezeigten) Transistoren, M × N (M, N sind ganze Zahlen) Anschlüssen 53, die jeweils auf den Transistoren ausgebildet sind, eine Passivierungsschicht 56, die auf dem Substrat 50 und auf dem Anschluß 53 ausgebildet ist, und eine ätzbeständige Schicht 59, die auf der Passivierungsschicht 56 ausgebildet ist. Fig. 2 shows a cross-sectional view of the thin film AMA. As shown in FIG. 2, the thin film AMA has an active matrix 60 and an actuator 90 formed on the active matrix 60 . The active matrix 60 has a substrate 50 with M × N (M, N are integers) transistors (not shown), M × N (M, N are integers) terminals 53 , each formed on the transistors, a passivation layer 56 , which is formed on the substrate 50 and on the connection 53 , and an etch-resistant layer 59 , which is formed on the passivation layer 56 .

Der Aktuator 90 hat eine Tragschicht 68, eine erste Elektrode 71, eine aktive Schicht 74, eine zweite Elektrode 77 und einen Durchgangskontakt 80. Die Tragschicht 68 hat einen ersten an die ätzbeständige Schicht 59 anschließenden Teil, unter dem der Anschluß 53 ausgebildet ist. Auch hat die ätzbeständige Schicht 59 einen parallel oberhalb der Unterseite der aktiven Matrix 60 ausgebildeten zweiten Teil. Der erste Teil der Tragschicht wird als Anker 68a bezeichnet. Ein Luftspalt 65 befindet sich zwischen dem zweiten Teil der Tragschicht 68 und der ätzbeständigen Schicht 59. Die erste Elektrode 71 ist auf der Tragschicht 68 ausgebildet, die aktive Schicht 74 ist auf der ersten Elektrode 71 ausgebildet, und die zweite Elektrode 77 ist auf der aktiven Schicht 74 ausgebildet. Der Durchgangskontakt 80 wird von einem Teil der aktiven Schicht 74, unter der der Anschluß 53 ausgebildet ist bis zum Anschluß 53 verlaufend ausgebildet. Der Durchgangskontakt 80 verbindet die erste Elektrode 71 mit dem Anschluß 53.The actuator 90 has a support layer 68 , a first electrode 71 , an active layer 74 , a second electrode 77 and a through contact 80 . The support layer 68 has a first part adjoining the etch-resistant layer 59 , under which the connection 53 is formed. The etch-resistant layer 59 also has a second part which is formed in parallel above the underside of the active matrix 60 . The first part of the base layer is referred to as anchor 68 a. An air gap 65 is located between the second part of the support layer 68 and the etch-resistant layer 59 . The first electrode 71 is formed on the support layer 68 , the active layer 74 is formed on the first electrode 71 , and the second electrode 77 is formed on the active layer 74 . The through contact 80 is formed from a part of the active layer 74 , under which the connection 53 is formed, to the connection 53 . The through contact 80 connects the first electrode 71 to the terminal 53 .

Ein Herstellungsverfahren des Dünnschicht-AMAs wird nachfolgend beschrieben.A manufacturing process of the thin film AMA is as follows described.

Die Fig. 3A bis 3D verdeutlichen die Herstellungsschritte des in Fig. 2 gezeigten Dünnschicht-AMAs. In den Fig. 3A bis 3D werden dieselben Bezugszeichen für dieselben Elemente, wie in Fig. 2 verwendet. Figs. 3A to 3D illustrate manufacturing steps of the thin film AMA shown in FIG. 2. In FIGS. 3A to 3D, the same reference symbols are used for the same elements as in FIG. 2.

Wie Fig. 3A zeigt, wird zuerst ein Substrat 50, in dem M × N (nicht gezeigte) Transistoren montiert sind und M × N Anschlüsse 53 jeweils auf den Transistoren ausgebildet sind, vorgesehen. Anschließend wird eine Passivierungsschicht 56 auf dem Anschluß 53 und dem Substrat 50 ausgebildet. Die Passivierungsschicht 56 wird unter Verwendung eines Phosphorsilikatglases (PSG) und durch ein CVD-Verfahren ausgebildet, so daß die Passivierungsschicht 56 eine Dicke zwischen 0,1 µm und 2,0 µm aufweist. Die Passivierungsschicht 56 schützt das Substrat 50, das die Transistoren während aufeinanderfolgender H erstellungsschritte beinhaltet.As shown in FIG. 3A, first, a substrate 50, transistors (not shown) in the M × N are mounted and M x N terminals 53 are respectively formed on the transistors, is provided. A passivation layer 56 is then formed on the connection 53 and the substrate 50 . The passivation layer 56 is formed using a phosphorus silicate glass (PSG) and by a CVD process, so that the passivation layer 56 has a thickness between 0.1 μm and 2.0 μm. Passivation layer 56 protects substrate 50 , which includes the transistors during successive fabrication steps.

Eine aktive Matrix 60 ist fertiggestellt, nachdem eine ätzbeständige Schicht 59 auf der Passivierungsschicht 56 ausgebildet worden ist. Die aktive Matrix 60 umfaßt das Substrat 50, den Anschluß 53, die Passivierungsschicht 56 und die ätzbeständige Schicht 59. Die ätzbeständige Schicht 59 wird unter Verwendung von Nitrid und durch ein CVD-Verfahren ausgebildet, so daß die ätzbeständige Schicht 59 eine Dicke zwischen 1000 Å und 2000 Å aufweist. Die ätzbeständige Schicht 59 schützt die Passivierungsschicht 56 und das Substrat 50 vor dem Ätzen während der nachfolgenden Ätzschritte. An active matrix 60 is completed after an etch resistant layer 59 has been formed on the passivation layer 56 . The active matrix 60 comprises the substrate 50 , the connection 53 , the passivation layer 56 and the etch-resistant layer 59 . The etch resistant layer 59 is formed using nitride and by a CVD method so that the etch resistant layer 59 has a thickness between 1000 Å and 2000 Å. The etch-resistant layer 59 protects the passivation layer 56 and the substrate 50 from the etching during the subsequent etching steps.

Eine Opferschicht bzw. Schutzschicht 62 wird auf der ätzbeständigen Schicht 59 ausgebildet. Die Schutzschicht 62 wird unter Verwendung eines Phosphorsilikatglases und durch ein CVD-Verfahren ausgebildet, so daß die Schutzschicht 62 eine Dicke zwischen 1,0 µm und 2,0 µm aufweist. In diesem Fall ist die Ebenheit der Oberfläche der Schutzschicht 62 schlecht, weil die Schutzschicht 62 das Substrat 50 mit den Transistoren abdeckt. Somit wird die Oberfläche der Schutzschicht 62 durch Glas-Aufschleudern (SOG) oder durch chemisch-mechanisches Polieren eben gemacht. Anschließend wird die Schutzschicht 62 bemustert, bzw. mit Mustern versehen, um einen Teil der ätzbeständigen Schicht 59 freizulegen, unter dem der Anschluß 53 ausgebildet ist. Ein Anker 68a wird an dem freigelegten Teil der ätzbeständigen Schicht 59 ausgebildet.A sacrificial layer or protective layer 62 is formed on the etch-resistant layer 59 . The protective layer 62 is formed using a phosphor silicate glass and by a CVD method, so that the protective layer 62 has a thickness between 1.0 µm and 2.0 µm. In this case, the flatness of the surface of the protective layer 62 is poor because the protective layer 62 covers the substrate 50 with the transistors. Thus, the surface of the protective layer 62 is made flat by glass spin coating (SOG) or by chemical mechanical polishing. The protective layer 62 is then patterned or provided with patterns in order to expose a part of the etch-resistant layer 59 , under which the connection 53 is formed. An anchor 68 a is formed on the exposed part of the etch-resistant layer 59 .

Wie Fig. 3B zeigt, wird eine erste Schicht 67 auf dem freigelegten Teil der ätzbeständigen Schicht 59 und auf der Schutzschicht 62 ausgebildet. Die erste Schicht 67 wird unter Verwendung von Nitrid ausgebildet. Eine erste Schicht 67 wird durch ein Sputter-Verfahren oder ein CVD-Verfahren ausgebildet, so daß die erste Schicht 67 eine Dicke zwischen 0,1 µm und 2,0 µm aufweist. Eine erste Elektrodenschicht 70 wird auf der ersten Schicht 67 unter Verwendung eines Metalls, wie etwa Platin oder Tantal, und bei Anwendung eines Sputter-Verfahrens oder eines CVD-Verfahrens ausgebildet, so daß die erste Elektrodenschicht 70 eine Dicke zwischen 0,1 µm und 1,0 µm aufweist. Als nächstes wird die erste Elektrodenschicht 70 aufgetrennt, um ein erstes Signal (Bildstromsignal) an jeden der Bildpunkte, die in der ersten Elektrodenschicht 70 enthalten sind, getrennt anzulegen.As shown in FIG. 3B shows, a first layer is formed on the exposed portion of the etch stop layer 59 and on the protective layer 62 67. The first layer 67 is formed using nitride. A first layer 67 is formed by a sputtering process or a CVD process, so that the first layer 67 has a thickness between 0.1 μm and 2.0 μm. A first electrode layer 70 is formed on the first layer 67 using a metal such as platinum or tantalum and using a sputtering method or a CVD method, so that the first electrode layer 70 has a thickness between 0.1 μm and 1 , 0 µm. Next, the first electrode layer 70 is separated, to be applied, separated by a first signal (picture current signal) to each of the pixels contained in the first electrode layer 70th

Eine zweite Schicht 73 wird auf der ersten Elektrodenschicht 70 unter Verwendung eines piezoelektrischen Materials, wie etwa Bleizirkonattitanat (PZT) oder eines elektrostriktiven Materials, wie etwa Bleimagnesiumniobat (PMN), ausgebildet. Die zweite Schicht 73 wird durch ein Sol-Gel-Verfahren, ein Sputter-Verfahren oder ein CVD-Verfahren ausgebildet, so daß die zweite Schicht 73 eine Dicke zwischen 0,1 µm und 1,0 µm aufweist. Eine zweite Elektrodenschicht 76 wird auf der zweiten Schicht 73 unter Verwendung eines Metalls, wie etwa Aluminium oder Silber, und durch Anwendung eines Sputter-Verfahrens oder eines CVD-Verfahrens ausgebildet, so daß die zweite Elektrodenschicht 73 eine Dicke zwischen 0,1 µm und 1,0 µm aufweist.A second layer 73 is formed on the first electrode layer 70 using a piezoelectric material such as lead zirconate titanate (PZT) or an electrostrictive material such as lead magnesium niobate (PMN). The second layer 73 is formed by a sol-gel method, a sputtering method or a CVD method, so that the second layer 73 has a thickness between 0.1 μm and 1.0 μm. A second electrode layer 76 is formed on the second layer 73 using a metal such as aluminum or silver and using a sputtering method or a CVD method, so that the second electrode layer 73 has a thickness between 0.1 μm and 1 , 0 µm.

Wie Fig. 3C zeigt, werden die zweite Elektrodenschicht 76, die zweite Schicht 73 und die erste Elektrodenschicht 70 jeweils bemustert, um eine zweite Elektrode 77, eine aktive Schicht 74 und eine erste Elektrode 71 zu bilden. So werden M × N Bildpunkte mit vorbestimmten Formen ausgebildet. Gleichzeitig wird ein Teil der aktiven Schicht 74 durch Ätzen eines Teils der zweiten Elektrode 77, unter der der Anschluß 53 ausgebildet ist, freigelegt. Teile der aktiven Schicht, der ersten Elektrode 71, der ersten Schicht 67, der ätzbeständigen Schicht 59 und der Passivierungsschicht 56 werden geätzt. Anschließend wird ein Durchgangsloch 79 von dem freigelegten Teil der aktiven Schicht 74 zum Anschluß 53 ausgebildet. As, Fig. 3C, the second electrode layer 76, the second layer 73 and the first electrode layer 70 are respectively patterned to form a second electrode 77, an active layer 74 and a first electrode 71. M × N pixels are thus formed with predetermined shapes. At the same time, part of the active layer 74 is exposed by etching a part of the second electrode 77 , under which the connection 53 is formed. Parts of the active layer, the first electrode 71 , the first layer 67 , the etch-resistant layer 59 and the passivation layer 56 are etched. A through hole 79 is then formed from the exposed portion of the active layer 74 to the terminal 53 .

Wie Fig. 3D zeigt wird ein Durchgangskontakt 80 in dem Durchgangsloch 79 durch Ausfüllen den Durchgangslochs 79 mit einem elektrisch leitfähigen Material, zum Beispiel Wolfram, ausgebildet. Der Durchgangskontakt 80 wird durch ein Sputter-Verfahren oder ein CVD-Verfahren ausgebildet. Der Durchgangskontakt 80 verbindet den Anschluß 53 und die erste Elektrode 71. Das erste von außen übertragene Signal wird an die erste Elektrode 71 durch den Transistor, den Anschluß 53 und dem Durchgangskontakt 80 hindurch angelegt. Währenddessen wird ein zweites von außen übertragenes Signal (Vorstromsignal) an die zweite Elektrode 77 durch eine (nicht gezeigte) gemeinsame Leitung hindurch angelegt. Deshalb wird zwischen der zweiten Elektrode 77 und der ersten Elektrode 71 ein elektrisches Feld erzeugt. Die zwischen der zweiten Elektrode 77 und der ersten Elektrode 71 ausgebildete aktive Schicht 74 wird durch das elektrische Feld verformt. Die aktive Schicht 74 wird in senkrechter Richtung zum elektrischen Feld verformt, so daß der Aktuator 90 zusammen mit der aktiven Schicht 74 um einen vorbestimmten Winkel nach oben bewegt wird. Die zweite Elektrode 77 wird auch aufwärts geneigt und die zweite Elektrode 77 reflektiert das von der (nicht gezeigten) Lichtquelle einfallende Licht um einen vorbestimmten Winkel.As shown in FIG. 3D, a through contact 80 is formed in the through hole 79 by filling the through hole 79 with an electrically conductive material, for example tungsten. The via contact 80 is formed by a sputtering method or a CVD method. The through contact 80 connects the terminal 53 and the first electrode 71 . The first signal transmitted from the outside is applied to the first electrode 71 through the transistor, the terminal 53 and the through contact 80 . Meanwhile, a second externally transmitted signal (bias current signal) is applied to the second electrode 77 through a common line (not shown). Therefore, an electric field is generated between the second electrode 77 and the first electrode 71 . The active layer 74 formed between the second electrode 77 and the first electrode 71 is deformed by the electric field. The active layer 74 is deformed in the direction perpendicular to the electric field, so that the actuator 90 together with the active layer 74 is moved upwards by a predetermined angle. The second electrode 77 is also inclined upward, and the second electrode 77 reflects the light incident from the light source (not shown) by a predetermined angle.

Anschließend wird die erste Schicht 69 bemustert, um eine Tragschicht 68 zum Tragen des Aktuators 90 auszubilden. Ein Teil der Tragschicht 68 schließt an der Stelle an die ätzbeständige Schicht 59 an, unter der der Anschluß 53 ausgebildet ist. Der angeschlossene Teil der Tragschicht 68 wird als Anker 68a bezeichnet. Nachdem die Schutzschicht 62 unter Verwendung eines Fluorwasserstoffdampfes entfernt worden ist, werden die Bildpunkte gespült und getrocknet, um das Dünnschicht-AMA fertigzustellen.The first layer 69 is then patterned in order to form a support layer 68 for supporting the actuator 90 . A part of the support layer 68 adjoins the etch-resistant layer 59 at the point under which the connection 53 is formed. The connected part of the base layer 68 is referred to as anchor 68 a. After the protective layer 62 is removed using a hydrogen fluoride vapor, the pixels are rinsed and dried to complete the thin film AMA.

Jedoch wird bei dem vorstehend beschriebenen Dünnschicht-AMA das von einer Lichtquelle einfallende Licht sowohl auf die zweite Elektrode 77 als auch auf den weiteren Bereich außerhalb der zweiten Elektrode 77 projiziert. Somit fließt ein durch das einfallende Licht hervorgerufener lichtelektrischer Leckstrom durch die aktive Matrix 60. Aufgrund des lichtelektrischen Leckstromes wird der Aktuator 90 fehlerhaft betrieben, bevor das erste Signal angelegt wird, oder während der Aktuator 90 betätigt wird.However, in the thin film AMA described above, the light incident from a light source is projected onto both the second electrode 77 and the wider area outside the second electrode 77 . Thus, a photoelectric leakage current caused by the incident light flows through the active matrix 60 . Due to the photoelectric leakage current, the actuator 90 is operated incorrectly before the first signal is applied or while the actuator 90 is actuated.

Summary of the invention

Demgemäß wurde die vorstehende Erfindung entwickelt, um die vorgenannten Probleme zu lösen.Accordingly, the above invention has been developed to achieve the to solve the aforementioned problems.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein dünnschichtbetätigtes Spiegelarray in einem optischen Projektionssystem anzugeben, um einen fehlerhaften Betrieb eines Aktuators aufgrund eines durch einfallendes Licht verursachten lichtelektrischen Leckstromes zu vermeiden. It is an object of the present invention to use a thin film Specify mirror array in a projection optical system to a incorrect operation of an actuator due to an incident light to avoid caused photoelectric leakage current.

Auch ist es weiterhin Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung des vorstehend genannten dünnschichtbetätigten Spiegelarrays in einem optischen Projektionssystem anzugeben.It is also a further object of the present invention to provide a method for Manufacture of the aforementioned thin film actuated mirror array in specify an optical projection system.

Die Aufgabe der Erfindung wird vorrichtungstechnisch durch die Merkmale der Patentansprüche 1 und 12 und verfahrenstechnisch durch die Merkmale des Patentanspruches 18 gelöst. Die Unteransprüche geben jeweils vorteilhafte Weiterbildungen an.In terms of device technology, the object of the invention is achieved by the features of claims 1 and 12 and procedural by the features of claim 18 solved. The subclaims give in each case advantageous further training.

Bei dem erfindungsgemäßen dünnschichtbetätigten Spiegelarray in einem optischen Projektionssystem kann von einer Lichtquelle einfallendes Licht mittels einer zweiten Metallschicht ausgeschlossen werden. Bevor ein erstes Signal und ein zweites Signal an die untere bzw. die obere Elektrode angelegt werden, kann deshalb ein Fehlbetrieb des Aktuators aufgrund eines durch das von der Lichtquelle einfallenden Lichts verursachten lichtelektrischen Leckstromes verhindert werden.In the thin-film-operated mirror array according to the invention in one projection optical system can receive incident light from a light source can be excluded by means of a second metal layer. Before a first Signal and a second signal applied to the lower and the upper electrode can therefore malfunction of the actuator due to the photoelectric caused by the incident light from the light source Leakage current can be prevented.

Brief description of the drawings

Weitere Aspekte, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden anhand der detaillierten Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen deutlicher.Further aspects, features and advantages of the invention are shown in the detailed description of preferred embodiments with reference on the accompanying drawings more clearly.

Es zeigen:Show it:

Fig. 1 eine schematische Ansicht eines Antriebssystems eines herkömmlichen betätigten Spiegelarrays; Figure 1 is a schematic view of a drive system of a conventional actuated mirror array.

Fig. 2 eine Querschnittsansicht eines dünnschichtbetätigten Spiegelarrays in einem optischen Projektionssystem, wie es in einer früheren Anmeldung des Rechtsnachfolgers dieser Anmeldung offenbart ist; Fig. 2 is a cross-sectional view of a thin film actuated mirror array in an optical projection system as this application is disclosed in a prior application of the assignee;

Fig. 3A bis 3D die Herstellungsschritte des in Fig. 2 gezeigten dünnschichtbetätigten Spiegelarrays in einem optischen Projektionssystem; Figs. 3A to 3D, manufacturing steps of the thin film actuated mirror array shown in Fig 2 in a projection optical system.

Fig. 4 eine Draufsicht eines dünnschichtbetätigten Spiegelarrays gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; Fig. 4 is a plan view of a thin film actuated mirror array in accordance with a first embodiment of the present invention;

Fig. 5 eine perspektivische Ansicht des in Fig. 4 gezeigten dünnschichtbetätigten Spiegelarrays in einem optischen Projektionssystem; FIG. 5 is a perspective view of the thin film actuated mirror array shown in FIG. 4 in an optical projection system;

Fig. 6 eine Querschnittsansicht entlang der Linie A₁-A₂ der Fig. 5; Fig. 6 is a cross sectional view taken along line A ₁ -A ₂ of Fig. 5;

Fig. 7 eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie B₁-B₂ der Fig. 5; FIG. 7 shows a cross-sectional view along the section line B ₁ -B ₂ of FIG. 5;

Fig. 8A bis 11B Herstellungsschritte des dünnschichtbetätigten Spiegelarrays in einem optischen Projektionssystem gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; Figs. 8A to 11B manufacturing steps of the thin film actuated mirror array in an optical projection system according to the first embodiment of the present invention;

Fig. 12A und 12B Querschnittsansichten des dünnschichtbetätigten Spiegelarrays in einem optischen Projektionssystem gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; FIG. 12A and 12B are cross-sectional views of the thin film actuated mirror array in an optical projection system according to a second embodiment of the present invention;

Fig. 13A und 13B die Herstellungsschritte des dünnschichtbetätigten Spiegelarrays in einem optischen Projektionssystem gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; FIG. 13A and 13B, the manufacturing steps of the thin film actuated mirror array in an optical projection system of the second embodiment of the present invention according to;

Fig. 14A und 14B Querschnittsansichten des dünnschichtbetätigten Spiegelarrays in einem optischen Projektionssystem gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und FIG. 14A and 14B are cross sectional views of the thin film actuated mirror array in an optical projection system according to a third embodiment of the present invention; and

Fig. 15A und 15B Herstellungsschritte des dünnschichtbetätigten Spiegelarrays in einem optischen Projektionssystem gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. FIG. 15A and 15B, manufacturing steps of the thin film actuated mirror array in an optical projection system according to the third embodiment of the present invention.

Detailed description of the invention

Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen detaillierter erklärt.Below are preferred embodiments of the present Invention with reference to the accompanying drawings explained.

Embodiment 1

Fig. 4 ist eine Draufsicht auf ein dünnschichtbetätigtes Spiegelarray in einem optischen Projektionssystem gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht auf das dünnschichtbetätigte Spiegelarray in einem optischen Projektionssystem der Fig. 4, Fig. 6 ist eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie A₁-A₂ der Fig. 5, und Fig. 7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie B₁-B₂ der Fig. 5. Fig. 4 is a plan view of a thin film actuated mirror array in an optical projection system according to a first embodiment of the present invention; Fig. 5 is a perspective view of the thin film actuated mirror array in an optical projection system of Fig. 4, Fig. 6 is a cross sectional view taken along Section line A ₁ -A ₂ of FIG. 5 and FIG. 7 is a cross-sectional view along section line B ₁ -B ₂ of FIG. 5.

Wie die Fig. 4 und 5 zeigen, hat das Dünnschicht-AMA in einem optischen Projektionssystem gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein Substrat 100, einen auf dem Substrat 100 ausgebildeten Aktuator 200 und ein auf dem Aktuator 200 ausgebildetes Reflektionselement 190. As shown in FIGS. 4 and 5, the thin film AMA has a projection optical system according to the present embodiment, a substrate 100, an actuator 100 formed on the substrate 200 and an actuator 200 formed on the reflection member 190.

Wie Fig. 6 zeigt, hat das Substrat 100 eine elektrische Verdrahtung 105, eine auf der elektrischen Verdrahtung 105 ausgebildete erste Metallschicht 115, eine auf der elektrischen Verdrahtung 105 und auf der ersten Metallschicht 115 ausgebildete erste Passivierungsschicht 120, eine auf der ersten Passivierungsschicht 120 ausgebildete zweite Metallschicht 125, eine auf der zweiten Metallschicht 125 ausgebildete zweite Passivierungsschicht 130 und eine auf der zweiten Passivierungsschicht 130 ausgebildete ätzbeständige Schicht 140. Die elektrische Verdrahtung 105 empfängt ein erstes Signal von Außen und übermittelt das erste Signal. Vorzugsweise weist die elektrische Verdrahtung 105 einen Metalloxid-Transistor (MOS-Transistor) für Schaltoperationen auf. Die erste Metallschicht 115 umfaßt einen Anschluß 110, der mit der elektrischen Verdrahtung 105 verbunden ist. Der Anschluß 110 überträgt das erste Signal an den Aktuator 200. Die erste Passivierungsschicht 120 schützt das Substrat 100 mit der elektrischen Verdrahtung 105 und dem Anschluß 110. Die zweite Passivierungsschicht 130 schützt die zweite Metallschicht 125. Die ätzbeständige Schicht 140 verhindert, daß die zweite Passivierungsschicht 130 während nachfolgender Ätzschritte geätzt wird. Die zweite Metallschicht 125 hat eine erste unter Verwendung von Titan ausgebildete Adhäsionsschicht 126 und eine erste unter Verwendung von Titannitrid ausgebildete erste Sperrschicht 127. Eine erste Öffnung 128 ist in der zweiten Metallschicht 125 ausgebildet, wo der Anschluß 110 ausgebildet ist. Die erste Öffnung 128 isoliert die zweite Metallschicht 125 von einer unteren Elektrode 155 und einer oberen Elektrode 165.As shown in FIG. 6 shows, the substrate 100, an electric wiring 105, formed on the electric wiring 105 first metal layer 115, formed on the electric wiring 105 and on the first metal layer 115 first passivation layer 120, formed on the first passivation layer 120 second metal layer 125, an electrode formed on the second metal layer 125 and second passivation layer 130 a formed on the second passivation layer 130 etching resistant layer 140th The electrical wiring 105 receives a first signal from the outside and transmits the first signal. The electrical wiring 105 preferably has a metal oxide transistor (MOS transistor) for switching operations. The first metal layer 115 includes a terminal 110 that is connected to the electrical wiring 105 . The connection 110 transmits the first signal to the actuator 200 . The first passivation layer 120 protects the substrate 100 with the electrical wiring 105 and the connection 110 . The second passivation layer 130 protects the second metal layer 125 . The etch-resistant layer 140 prevents the second passivation layer 130 from being etched during subsequent etching steps. The second metal layer 125 has a first adhesion layer 126 formed using titanium and a first barrier layer 127 formed using titanium nitride. A first opening 128 is formed in the second metal layer 125 where the terminal 110 is formed. The first opening 128 insulates the second metal layer 125 from a lower electrode 155 and an upper electrode 165 .

Der Aktuator 200 hat eine Tragschicht 150 mit einem ersten Teil, der an einen Teil der ätzbeständigen Schicht 140 anschließt, unter dem sich der Anschluß 110 befindet, und einen zweiten Teil, der parallel oberhalb der ätzbeständigen Schicht 140 ausgebildet ist, eine auf der Tragschicht 150 ausgebildete untere Elektrode 155, eine auf der unteren Elektrode 155 ausgebildete aktive Schicht 160, eine auf der aktiven Schicht 160 ausgebildete obere Elektrode 165, eine auf einem Teil des oberen Teils der Tragschicht 150 ausgebildete gemeinsame Elektrode 166 und eine auf einem Teil der oberen Elektrode 165 ausgebildete Stütze 185. Ein Luftspalt 195 ist zwischen der ätzbeständigen Schicht 140 und dem zweiten Teil der Tragschicht 150 angeordnet. Die gemeinsame Elektrode 166 ist mit der oberen Elektrode 165 verbunden. Das Reflektionselement 190 wird durch die Stütze 185 gehalten, so daß das Reflektionselement 190 parallel oberhalb der oberen Elektrode 165 ausgebildet ist.The actuator 200 has a support layer 150 with a first part which adjoins a part of the etch-resistant layer 140 , under which the connection 110 is located, and a second part which is formed in parallel above the etch-resistant layer 140 , one on the support layer 150 shaped lower electrode 155, an electrode formed on the lower electrode 155 active layer 160, formed on the active layer 160, upper electrode 165, one on a part of the upper portion of the supporting layer 150 formed common electrode 166 and a on a part of the upper electrode 165 trained prop 185 . An air gap 195 is arranged between the etch-resistant layer 140 and the second part of the base layer 150 . The common electrode 166 is connected to the upper electrode 165 . The reflection element 190 is held by the support 185 , so that the reflection element 190 is formed in parallel above the upper electrode 165 .

Wie Fig. 7 zeigt, hat der Aktuator 200 weiterhin einen in einem Durchgangsloch 170 ausgebildeten Durchgangskontakt 175 und ein von dem Durchgangskontakt 175 zur unteren Elektrode 155 ausgebildetes Verbindungselement 176. Das Durchgangsloch 170 wird von einem Teil des ersten Teils der Tragschicht 150 bis zu dem Anschluß 110 verlaufend gebildet. Die untere Elektrode 155 ist mit dem Durchgangskontakt 175 über das Verbindungselement 176 verbunden. Deshalb wird das erste Signal, das ein Bildstromsignal ist, von außen an die untere Elektrode 155 durch die elektrische Verdrahtung 150, den Anschluß 110, den Durchgangskontakt 175 und das Verbindungselement 176 hindurch angelegt. Während ein zweites Signal, das ein Vorstromsignal ist, von außen an die obere Elektrode 165 durch die gemeinsame Leitung 166 hindurch angelegt wird, wird ein elektrisches Feld zwischen der oberen Elektrode 165 und der unteren Elektrode 155 erzeugt. Somit wird die aktive Schicht 160, die zwischen der oberen Elektrode 165 und der unteren Elektrode 155 ausgebildet ist, durch das elektrische Feld verformt.As shown in FIG. 7, the actuator 200 further has a via contact is formed in a through hole 170,175 and formed from the via contact 175 to the lower electrode 155 connecting member 176. The through hole 170 is formed from a part of the first part of the support layer 150 to the connection 110 . The lower electrode 155 is connected to the through contact 175 via the connecting element 176 . Therefore, the first signal, which is an image current signal, is externally applied to the lower electrode 155 through the electrical wiring 150 , the terminal 110 , the through contact 175, and the connector 176 . While a second signal, which is a bias current signal, is externally applied to the upper electrode 165 through the common line 166 , an electric field is generated between the upper electrode 165 and the lower electrode 155 . Thus, the active layer 160 formed between the upper electrode 165 and the lower electrode 155 is deformed by the electric field.

Die Tragschicht 150 hat eine T-Form und die untere Elektrode 155 hat eine rechteckige Form. Die aktive Schicht 160 hat eine rechteckige Form, ist aber schmaler als die untere Elektrode 155, und die obere Elektrode hat eine rechteckige Form, ist aber schmaler als die aktive Schicht 160. The support layer 150 has a T shape and the lower electrode 155 has a rectangular shape. The active layer 160 has a rectangular shape, but is narrower than the lower electrode 155 , and the upper electrode has a rectangular shape, but is narrower than the active layer 160 .

Ein Verfahren zur Herstellung des Dünnschicht-AMA in einem optischen Projektionssystem gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung wird anschließend beschrieben.A method of manufacturing the thin film AMA in an optical Projection system according to the first embodiment of the invention then described.

Die Fig. 8A und 8B stellen die Zustände dar, in denen eine erste Schicht 149 ausgebildet wird. FIGS. 8A and 8B illustrate the states in which a first layer is formed 149th

Wie die Fig. 8A und 8B zeigen, wird das Substrat 100 mit der elektrischen Verdrahtung und dem Anschluß 110 vorgesehen. Vorzugsweise besteht das Substrat 100 aus einem Halbleiter wie etwa Silizium (Si). Die elektrische Verdrahtung 105 empfängt das erste Signal (Bildstromsignal) und überträgt das erste Signal an die untere Elektrode 155. Vorzugsweise hat die elektrische Verdrahtung 105 MOS-Transistoren für Schaltoperationen.As shown in FIGS. 8A and 8B, the substrate 100 is provided with the electrical wiring and the terminal 110 . Preferably, the substrate 100 is made of a semiconductor such as silicon (Si). The electrical wiring 105 receives the first signal (image current signal) and transmits the first signal to the lower electrode 155 . Preferably, the electrical wiring 105 has MOS transistors for switching operations.

Dann werden Titan, Titannitrid oder Wolfram auf der elektrischen Verdrahtung 105 und dem Substrat 100 abgeschieden und bemustert, um die erste Metallschicht 115 zu bilden. Die erste Metallschicht 115 hat einen Anschluß 110, der mit der elektrischen Verdrahtung 105 verbunden ist, und überträgt das erste Signal an die untere Elektrode 155.Then titanium, titanium nitride or tungsten are deposited on the electrical wiring 105 and the substrate 100 and patterned to form the first metal layer 115 . The first metal layer 115 has a terminal 110 connected to the electrical wiring 105 and transmits the first signal to the lower electrode 155 .

Die erste Passivierungsschicht 120 wird auf der ersten Metallschicht 115 mit dem Substrat 100 und dem Anschluß 110 ausgebildet. Die erste Passivierungsschicht 120 wird unter Verwendung von Phosphorsilikatglas (PSG) ausgebildet. Die erste Passivierungsschicht 120 wird durch ein CVD-Verfahren ausgebildet, so daß die erste Passivierungsschicht 120 eine Dicke zwischen 8000 Å und 9000 Å aufweist. Die erste Passivierungsschicht 120 schützt das Substrat 100 einschließlich der elektrischen Verdrahtung 105 und dem Anschluß 110 während nachfolgender Herstellungsschritte.The first passivation layer 120 is formed on the first metal layer 115 with the substrate 100 and the terminal 110 . The first passivation layer 120 is formed using phosphorus silicate glass (PSG). The first passivation layer 120 is formed by a CVD process so that the first passivation layer 120 has a thickness between 8000 Å and 9000 Å. The first passivation layer 120 protects the substrate 100 including the electrical wiring 105 and the connector 110 during subsequent manufacturing steps.

Die zweite Metallschicht 125 wird auf der ersten Passivierungsschicht 120 ausgebildet. Um die zweite Metallschicht 125 auszubilden, wird zuerst eine erste Adhäsionsschicht 126 unter Verwendung von Titan ausgebildet. Die erste Adhäsionsschicht 126 wird durch ein Sputter-Verfahren ausgebildet, so daß die erste Adhäsionsschicht 126 eine Dicke zwischen ungefähr 300 Å und 500 Å aufweist. Als nächstes wird eine erste Sperrschicht 127 unter Verwendung von Titannitrid auf der ersten Adhäsionsschicht 126 ausgebildet. Die erste Sperrschicht 127 wird durch physikalisches Aufdampfen (PVD-Verfahren) ausgebildet, so daß die erste Sperrschicht 127 eine Dicke zwischen ungefähr 1000 Å und 1200 Å. Die zweite Metallschicht 125 schließt den Lichteinfall auf das Substrat 100 aus, so daß die zweite Metallschicht 125 verhindert, daß ein lichtelektrischer Leckstrom durch das Substrat 100 fließt. Danach wird ein Teil der zweiten Metallschicht 125, unter dem der Anschluß 110 liegt, geätzt, um die erste Öffnung 128 auszubilden. Die erste Öffnung 128 isoliert die untere Elektrode 155 und die obere Elektrode 165 von der zweiten Metallschicht 125.The second metal layer 125 is formed on the first passivation layer 120 . To form the second metal layer 125 , a first adhesive layer 126 is first formed using titanium. The first adhesive layer 126 is formed by a sputtering process so that the first adhesive layer 126 has a thickness between approximately 300 Å and 500 Å. Next, a first barrier layer 127 is formed on the first adhesive layer 126 using titanium nitride. The first barrier layer 127 is formed by physical vapor deposition (PVD method) so that the first barrier layer 127 has a thickness between approximately 1000 Å and 1200 Å. The second metal layer 125 excludes the incidence of light on the substrate 100 , so that the second metal layer 125 prevents a photoelectric leakage current from flowing through the substrate 100 . Thereafter, a portion of the second metal layer 125 , under which the terminal 110 lies, is etched to form the first opening 128 . The first opening 128 insulates the lower electrode 155 and the upper electrode 165 from the second metal layer 125 .

Die zweite Passivierungsschicht 130 wird auf der zweiten Metallschicht 125 und auf der ersten Öffnung 128 ausgebildet. Die zweite Passivierungsschicht 130 wird unter Verwendung von Phosphorsilikatglas ausgebildet. Die zweite Passivierungsschicht 130 wird durch ein CVD-Verfahren ausgebildet, so daß die zweite Passivierungsschicht 130 eine Dicke zwischen ungefähr 2000 Å und 2500 Å aufweist. Die zweite Passivierungsschicht 130 schützt die zweite Metallschicht 125 während nachfolgender Herstellungsschritte.The second passivation layer 130 is formed on the second metal layer 125 and on the first opening 128 . The second passivation layer 130 is formed using phosphor silicate glass. The second passivation layer 130 is formed by a CVD process so that the second passivation layer 130 has a thickness between approximately 2000 Å and 2500 Å. The second passivation layer 130 protects the second metal layer 125 during subsequent manufacturing steps.

Die ätzbeständige Schicht 140 wird auf der zweiten Passivierungsschicht 130 unter Verwendung von Nitrid ausgebildet, so daß die ätzbeständige Schicht 140 eine Dicke zwischen ungefähr 1000 Å und 2000 Å aufweist. Die ätzbeständige Schicht 140 wird durch ein Niederdruck-CVD-Verfahren (LPCVD-Verfahren) ausgebildet. Die ätzbeständige Schicht 140 schützt die zweite Passivierungsschicht 130 während nachfolgender Ätzschritte. The etch resistant layer 140 is formed on the second passivation layer 130 using nitride so that the etch resistant layer 140 has a thickness between approximately 1000 Å and 2000 Å. The etch resistant layer 140 is formed by a low pressure CVD (LPCVD) method. The etch-resistant layer 140 protects the second passivation layer 130 during subsequent etching steps.

Eine erste Opferschicht bzw. Schutzschicht 145 wird auf der ätzbeständigen Schicht 140 unter Verwendung von PSG ausgebildet, so daß die erste Schutzschicht 145 eine Dicke zwischen ungefähr 2,0 µm und 3,0 µm aufweist. Die erste Schutzschicht 145 ermöglicht es, daß der aus den Filmschichten aufgebauter Aktuator 200 leicht ausgebildet werden kann. Die erste Schutzschicht 145 wird unter Verwendung eines Fluorwasserstoffdampfes entfernt, wenn der Aktuator 200 komplett ausgebildet ist. Die erste Schutzschicht 145 wird durch ein CVD-Verfahren bei atmosphärischem Druck (APCVD-Verfahren) ausgebildet. In diesem Fall ist der Grad der Ebenheit der ersten Schutzschicht 145 schlecht, da die erste Schutzschicht 145 die Oberseite des Substrats 100, die die elektrische Verdrahtung 105 und den Anschluß 100 aufweist, abdeckt. Deshalb wird die Oberfläche der ersten Schutzschicht 145 durch Anwenden eines Glas-Aufschleuderverfahrens (SOG-Verfahren) oder durch ein chemisch-mechanisches Polierverfahren (CMP-Verfahren) eben gemacht. Vorzugsweise wird die Oberfläche der ersten Schutzschicht 145 durch ein CMP-Verfahren eben gemacht.A first sacrificial layer or protective layer 145 is formed on the etch-resistant layer 140 using PSG, so that the first protective layer 145 has a thickness between approximately 2.0 μm and 3.0 μm. The first protective layer 145 enables the actuator 200 constructed from the film layers to be easily formed. The first protective layer 145 is removed using a hydrogen fluoride vapor when the actuator 200 is fully formed. The first protective layer 145 is formed by an atmospheric pressure CVD method (APCVD method). In this case, the degree of flatness of the first protective layer 145 is poor because the first protective layer 145 covers the upper surface of the substrate 100 having the electrical wiring 105 and the terminal 100 . Therefore, the surface of the first protective layer 145 is made flat by using a glass spin coating (SOG) method or a chemical mechanical polishing (CMP) method. The surface of the first protective layer 145 is preferably made flat by a CMP method.

Nachdem ein Teil der ersten Schutzschicht 145, der den darunter ausgebildeten Anschluß 110 aufweist, entlang der Kolonnenrichtung bemustert worden ist, um einen Teil der ätzbeständigen Schicht 140 freizulegen, wird eine erste Schicht 149 auf dem freigelegten Teil der ätzbeständigen Schicht 140 und auf der ersten Schutzschicht 145 ausgebildet. Die erste Schicht 149 wird unter Verwendung eines harten Materials, zum Beispiel Nitrid oder Metall ausgebildet, so daß die erste Schicht 149 eine Dicke zwischen ungefähr 0,1 µm und 1,0 µm aufweist. Wenn die erste Schicht 149 durch ein LPCVD-Verfahren ausgebildet ist, wird das Verhältnis von Nitridgas entsprechend der Reaktionszeit eingestellt, um die Spannung in der ersten Schicht 149 herabzusetzen. Die erste Schicht 149 wird bemustert, um die Tragschicht 150 auszubilden. After a portion of the first protective layer 145 having the terminal 110 formed thereunder is patterned along the column direction to expose a portion of the etch resistant layer 140 , a first layer 149 becomes on the exposed portion of the etch resistant layer 140 and on the first protective layer 145 trained. The first layer 149 is formed using a hard material, for example nitride or metal, so that the first layer 149 has a thickness between approximately 0.1 µm and 1.0 µm. If the first layer 149 is formed by an LPCVD method, the ratio of nitride gas is adjusted according to the reaction time to lower the voltage in the first layer 149 . The first layer 149 is patterned to form the base layer 150 .

Die Fig. 9A und 9B stellen den Zustand dar, in dem eine obere Elektrodenschicht 164 ausgebildet wird. FIGS. 9A and 9B illustrate the state in which an upper electrode layer is formed 164th

Wie die Fig. 9A und 9B zeigen, wird, nachdem eine erste Photolackschicht 151 auf der ersten Schicht 149 durch ein Aufschleuder-Be schichtungsverfahren ausgebildet worden ist, die erste Photolackschicht 151 bemustert, um einen Teil der ersten Schicht 149 entlang der Reihenrichtung freizulegen. Folglich wird der Teil der ersten Schicht 149, der an den Anschluß 110 angrenzt, in rechteckiger Form freigelegt. Nachdem eine untere Elektrodenschicht 154 auf dem freigelegten Teil der ersten Schicht 149 und auf der ersten Photolackschicht 151 durch ein Sputter-Verfahren ausgebildet worden ist, wird die untere Elektrodenschicht 154 bemustert, um die untere Elektrode 155 auf dem freigelegten Teil der ersten Schicht 149 auszubilden, wobei die Position berücksichtigt wird, in der die gemeinsame Leitung 166 ausgebildet werden wird. Somit hat die untere Elektrode 155 eine rechteckige Form. Die untere Elektrode 155 wird unter Verwendung eines elektrisch leitfähigen Materials wie etwa Platin (Pt), Tantal (Ta) oder Platin-Tantal (Pt-Ta) ausgebildet, so daß die untere Elektrode 155 eine Dicke zwischen ungefähr 0,1 µm und 1,0 µm aufweist.As shown in FIGS. 9A and 9B show, the first photoresist layer 151 is after a first photoresist layer has been formed coating process by spin-loading on the first layer 149, 151, patterned to expose a portion of the first layer 149 along the row direction. As a result, the portion of the first layer 149 that is adjacent to the terminal 110 is exposed in a rectangular shape. After a lower electrode layer 154 is formed on the exposed part of the first layer 149 and on the first photoresist layer 151 by a sputtering method, the lower electrode layer 154 is patterned to form the lower electrode 155 on the exposed part of the first layer 149 , taking into account the position where the common line 166 will be formed. Thus, the lower electrode 155 has a rectangular shape. The lower electrode 155 is formed using an electrically conductive material such as platinum (Pt), tantalum (Ta) or platinum-tantalum (Pt-Ta), so that the lower electrode 155 has a thickness between approximately 0.1 μm and 1, 0 µm.

Eine zweite Schicht 159 wird über die unteren Elektrode 155 und der ersten Photolackschicht 151 gelegt. Die zweite Schicht 159 wird unter Verwendung eines piezoelektrischen Materials wie etwa PZT (Pb (Zr, Ti) O₃) oder PLZT ((Pb, La) (Zr, Ti) O₃) ausgebildet, so daß die zweite Schicht 159 eine Dicke zwischen ungefähr 0,1 µm und 1,0 µm aufweist. Vorzugsweise hat die zweite Schicht 159 eine Dicke von ungefähr 0,4 µm. Die zweite Schicht 159 wird auch unter Verwendung eines elektostriktiven Materials wie etwa PMN (Pb ((Mg, Nb) O₃) ausgebildet. Nachdem die zweite Schicht 159 durch ein Sol-Gel-Verfahren, ein Sputter-Verfahren oder ein CVD-Verfahren ausgebildet worden ist, wird die zweite Schicht 159 durch ein schnelles thermisches Ausglühverfahren (RTA-Verfahren) geglüht. Die zweite Schicht 159 wird bemustert, um die aktive Schicht 160 auszubilden.A second layer 159 is placed over the lower electrode 155 and the first photoresist layer 151 . The second layer 159 is formed using a piezoelectric material such as PZT (Pb (Zr, Ti) O ₃ ) or PLZT ((Pb, La) (Zr, Ti) O ₃ ) so that the second layer 159 has a thickness between about 0.1 µm and 1.0 µm. The second layer 159 preferably has a thickness of approximately 0.4 μm. The second layer 159 is also formed using an electostrictive material such as PMN (Pb ((Mg, Nb) O ₃ ). After the second layer 159 is formed by a sol-gel method, a sputtering method, or a CVD method the second layer 159 is annealed by a rapid thermal anneal (RTA) process, and the second layer 159 is patterned to form the active layer 160 .

Eine obere Elektrodenschicht 164 wird über die zweite Schicht 159 gelegt. Die obere Elektrode 164 wird unter Verwendung von Metall ausgebildet, das eine elektrische Leitfähigkeit aufweist, zum Beispiel Aluminium (Al), Platin oder Tantal (Ta). Die obere Elektrodenschicht 164 wird durch ein Sputter-Verfahren ausgebildet, so daß die obere Elektrodenschicht 164 eine Dicke zwischen ungefähr 0,1 µm und 110 µm aufweist. Die obere Elektrodenschicht 164 wird bemustert, um die obere Elektrode 165 auszubilden.An upper electrode layer 164 is placed over the second layer 159 . Upper electrode 164 is formed using metal that has electrical conductivity, such as aluminum (Al), platinum, or tantalum (Ta). The upper electrode layer 164 is formed by a sputtering process so that the upper electrode layer 164 has a thickness between approximately 0.1 μm and 110 μm. The upper electrode layer 164 is patterned to form the upper electrode 165 .

Fig. 10A stellt einen Zustand dar, in dem der Aktuator 200 ausgebildet wird, und Fig. 10B stellt einen Zustand dar, in dem der Durchgangskontakt 175 ausgebildet wird. FIG. 10A shows a state in which the actuator 200 is formed, and FIG. 10B shows a state in which the through contact 175 is formed.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 10A wird, nachdem ein (nicht gezeigter) zweiter Photolack auf die obere Elektrodenschicht 164 durch ein Schleuderbeschichtungsverfahren aufgebracht worden ist, die obere Elektrodenschicht 164 bemustert, um die obere Elektrode 165 bei Verwenden des zweiten Photolacks als eine Ätzmaske auszubilden. Die obere Elektrode 165 hat eine rechteckige Form. Die zweite Schicht 159 wird bemustert, um die aktive Schicht 160 bei Anwenden desselben Verfahrens wie beim Bemustern der oberen Elektrodenschicht 164 auszubilden. Ein (nicht gezeigter) dritter Photolack wird auf die obere Elektrode 165 und auf die zweite Schicht 159 durch ein Schleuderbeschichtungsverfahren aufgebracht, nachdem der zweite Photolack durch Ätzen entfernt worden ist. Die zweite Schicht 159 wird bemustert, um die aktive Schicht 160 bei Verwenden des dritten Photolacks als eine Ätzmaske auszubilden. Die aktive Schicht 160 hat eine rechteckige Form und ist breiter als die obere Elektrode 165. Zu dieser Zeit hat die aktive Schicht 160 eine geringere Größe als die vorher ausgebildete untere Elektrode 155. Referring to FIG. 10A, after a second photoresist (not shown) is applied to the top electrode layer 164 by a spin coating process, the top electrode layer 164 is patterned to form the top electrode 165 using the second photoresist as an etch mask. The upper electrode 165 has a rectangular shape. The second layer 159 is patterned to form the active layer 160 using the same method as patterning the top electrode layer 164 . A third photoresist (not shown) is applied to the top electrode 165 and the second layer 159 by a spin coating process after the second photoresist has been removed by etching. The second layer 159 is patterned to form the active layer 160 using the third photoresist as an etching mask. The active layer 160 has a rectangular shape and is wider than the upper electrode 165 . At this time, the active layer 160 is smaller in size than the previously formed lower electrode 155 .

Die erste Schicht 149 wird bemustert, um die Tragschicht 150 durch das vorstehend beschriebene Verfahren auszubilden. Die Tragschicht 150 hat eine T-Form im Gegensatz zur Form der unteren Elektrode 155. Die untere Elektrode 155 wird auf dem mittleren Teil der Tragschicht 150 ausgebildet.The first layer 149 is patterned to form the base layer 150 by the method described above. The support layer 150 has a T shape in contrast to the shape of the lower electrode 155 . The lower electrode 155 is formed on the middle part of the base layer 150 .

Die gemeinsame Leitung 166 wird auf dem ersten Teil der Tragschicht 150 ausgebildet, nachdem die erste Photolackschicht 151 entfernt worden ist. Nachdem nämlich eine (nicht gezeigte) vierte Photolackschicht durch ein Schleuderbeschichtungsverfahren auf die Tragschicht 150 aufgebracht worden ist und dann der vierte Photolack bemustert worden ist, um den ersten Teil der Tragschicht 150 freizulegen, wird die gemeinsame Leitung 166 auf dem freigelegten Teil der Tragschicht 150 unter Verwendung eines elektrisch leitfähigen Metalls wie etwa Platin, Tantal, Platin-Tantal, Aluminium oder Silber ausgebildet. Die gemeinsame Leitung 166 wird durch ein Sputter-Verfahren oder ein CVD-Verfahren ausgebildet, so daß die gemeinsame Leitung 166 eine Dicke zwischen ungefähr 0,5 µm und 2,0 µm aufweist. Zu jener Zeit wird die gemeinsame Leitung 166 von der unteren Elektrode 155 um einen vorbestimmten Abstand getrennt und an die obere Elektrode 165 und die aktive Schicht 160 angeschlossen. Wie vorstehend beschrieben, kann ein Spannungsabfall des zweiten Signals minimiert werden, wenn das zweite Signal die gemeinsame Leitung 160 passiert, da die gemeinsame Leitung 166 dick und somit ihr Innenwiderstand gering ist. Deshalb wird ein geeignetes zweites Signal an die obere Elektrode 165 über die gemeinsame Leitung 166 angelegt, so daß ein geeignetes elektrisches Feld zwischen der oberen Elektrode 165 und der unteren Elektrode 155 erzeugt wird.The common line 166 is formed on the first part of the base layer 150 after the first photoresist layer 151 is removed. Namely, after a fourth photoresist layer (not shown) is spin-coated on the base layer 150 and then the fourth photoresist is patterned to expose the first part of the base layer 150 , the common wire 166 is placed on the exposed part of the base layer 150 below Formed using an electrically conductive metal such as platinum, tantalum, platinum tantalum, aluminum or silver. The common line 166 is formed by a sputtering method or a CVD method so that the common line 166 has a thickness between about 0.5 µm and 2.0 µm. At that time, the common line 166 is separated from the lower electrode 155 by a predetermined distance and connected to the upper electrode 165 and the active layer 160 . As described above, a voltage drop of the second signal can be minimized when the second signal passes the common line 160 because the common line 166 is thick and thus its internal resistance is low. Therefore, a suitable second signal is applied to the upper electrode 165 via the common line 166 , so that a suitable electric field is generated between the upper electrode 165 and the lower electrode 155 .

Wie Fig. 10B zeigt, wird ein Teil des ersten Teils der Tragschicht 150, der den Anschluß 110 darunter aufweist, freigelegt, wenn der vierte Photolack bemustert wird. Gleichzeitig wird ein Teil, der an den Teil des ersten Teils der Tragschicht 150 angrenzt, freigelegt. Das Durchgangsloch 170 wird von dem Teil des ersten Teils der Tragschicht 150 bis zum Anschluß 110 durch die ätzbeständige Schicht 140, die zweite Passivierungsschicht 130 und die erste Passivierungsschicht 120 hindurch verlaufend durch Ätzen ausgebildet. Der Durchgangskontakt 175 wird in dem Durchgangsloch 170 vom Anschluß 110 bis zur Tragschicht 150 verlaufend ausgebildet. Gleichzeitig wird das Verbindungselement 176 auf dem Teil ausgebildet, der an den Teil des ersten Teils der Tragschicht 150 von der unteren Elektrode 155 bis zum Durchgangskontakt 175 verlaufend angrenzt. Somit werden der Durchgangskontakt 175, das Verbindungselement 176 und die untere Elektrode 155 nacheinander miteinander verbunden. Der Durchgangskontakt 175 und das Verbindungselement 176 werden durch ein Sputter-Verfahren oder ein CVD-Verfahren ausgebildet. Der Durchgangskontakt 175 und das Verbindungselement 176 werden unter Verwendung eines elektrisch leitfähigen Metalls wie etwa Platin, Tantal oder Platin-Tantal ausgebildet. Das Verbindungselement 176 hat eine Dicke zwischen ungefähr 0,5 µm und 1,0 µm. Dadurch kann ein Spannungsabfall des ersten Signals minimiert werden, wenn das erste Signal das Verbindungselement 176 passiert, da das Verbindungselement 176 dick und somit sein Innenwiderstand herabgesetzt ist. Der Aktuator 200, der die obere Elektrode 165, die aktive Schicht 160, die untere Elektrode 155 und die Tragschicht 150 aufweist, wird fertiggestellt, nachdem der vierte Photolack durch Ätzen entfernt worden ist.As FIG. 10B shows, a portion of the first portion of the base layer 150 having the terminal 110 below it is exposed when the fourth photoresist is patterned. At the same time, a part that is adjacent to the part of the first part of the base layer 150 is exposed. The through hole 170 is formed from the part of the first part of the support layer 150 to the connection 110 through the etch-resistant layer 140 , the second passivation layer 130 and the first passivation layer 120 by etching. The through contact 175 is formed in the through hole 170 from the connection 110 to the support layer 150 . At the same time, the connecting element 176 is formed on the part which adjoins the part of the first part of the support layer 150 from the lower electrode 155 to the via contact 175 . The through contact 175 , the connecting element 176 and the lower electrode 155 are thus connected to one another in succession. The via contact 175 and the connecting element 176 are formed by a sputtering method or a CVD method. The via contact 175 and the connecting element 176 are formed using an electrically conductive metal such as platinum, tantalum or platinum tantalum. The connecting element 176 has a thickness of between approximately 0.5 μm and 1.0 μm. As a result, a voltage drop in the first signal can be minimized when the first signal passes through the connecting element 176 , since the connecting element 176 is thick and thus its internal resistance is reduced. The actuator 200 , which includes the upper electrode 165 , the active layer 160 , the lower electrode 155 and the support layer 150 , is completed after the fourth photoresist has been removed by etching.

Die Fig. 11A und 11B stellen den Zustand dar, in dem das Reflektionselement 190 ausgebildet wird. Figs. 11A and 11B represent the state in which the reflection element is formed 190th

Wie die Fig. 11A und 11B zeigen, wird die erste Schutzschicht 145 durch Verwenden von Fluorwasserstoffdampf (HF-Dampf) entfernt. Eine zweite Schutzschicht 180 wird auf dem Aktuator 200 unter Verwendung eines Polymers ausgebildet. Die zweite Schutzschicht 180 wird durch ein Schleuderbeschichtungsverfahren ausgebildet, so daß die zweite Schutzschicht 180 die obere Elektrode 165 komplett abdeckt. Anschließend wird die zweite Schutzschicht 180 bemustert, um einen Teil der oberen Elektrode 165 freizulegen. Die Stütze 185 wird auf dem freigelegten Teil der oberen Elektrode 165 ausgebildet, und das Reflektionselement 190 wird auf der Stütze 185 und auf der zweiten Schutzschicht 180 ausgebildet. Die Stütze 185 und das Reflektionselement 190 werden gleichzeitig unter Verwendung eines reflektierenden Materials wie etwa Aluminium, Platin oder Silber ausgebildet. Die Stütze 185 und das Reflektionselement 190 werden durch ein Sputter-Verfahren oder ein CVD-Verfahren ausgebildet. Vorzugsweise ist das Reflektionselement 190 zum Reflektieren eines von einer (nicht gezeigten) Lichtquelle einfallenden Lichts ein Spiegel und weist eine Dicke zwischen ungefähr 0,1 µm und 1,0 µm auf. Das Reflektionselement 190 hat die Form einer rechteckigen Platte, um die obere Elektrode 165 abzudecken. Wie vorstehend beschrieben, kann die Ebenheit des Reflektionselements 190 verbessert werden, da das Reflektionselement 190 auf der zweiten Schutzschicht 180 ausgebildet ist. Nachdem die zweite Schutzschicht 180 durch Ätzen entfernt worden ist wird, wie in den Fig. 6 und 7 gezeigt, der Aktuator 200, auf dem das Reflektionselement 190 ausgebildet ist, fertiggestellt.As shown in FIGS. 11A and 11B, the first protective layer 145 is removed by using hydrogen fluoride (HF) vapor. A second protective layer 180 is formed on the actuator 200 using a polymer. The second protective layer 180 is formed by a spin coating process, so that the second protective layer 180 completely covers the upper electrode 165 . The second protective layer 180 is then patterned to expose a portion of the upper electrode 165 . The post 185 is formed on the exposed part of the upper electrode 165 , and the reflection member 190 is formed on the post 185 and on the second protective layer 180 . The post 185 and the reflective element 190 are simultaneously formed using a reflective material such as aluminum, platinum or silver. The support 185 and the reflection element 190 are formed by a sputtering method or a CVD method. Preferably, the reflecting element 190 for reflecting a light incident from a light source (not shown) is a mirror and has a thickness between approximately 0.1 µm and 1.0 µm. The reflective element 190 is in the form of a rectangular plate to cover the upper electrode 165 . As described above, the flatness of the reflection member 190 can be improved because the reflection member 190 is formed on the second protective layer 180 . After the second protective layer 180 is removed by etching, as shown in FIGS. 6 and 7, the actuator 200 on which the reflection element 190 is formed is completed.

Der Betrieb des Dünnschicht-AMAs in einem optischen Projektionssystem gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird beschrieben.Operation of the thin film AMA in a projection optical system according to the first embodiment of the present invention described.

In dem Dünnschicht-AMA gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird das erste Signal (Bildstromsignal) über die elektrische Verdrahtung 105, den Anschluß 110, den Durchgangskontakt 175 und das Verbindungselement 176 an der unteren Elektrode 155 angelegt. Währenddessen wird das zweite Signal (Vorstromsignal) über die gemeinsame Leitung 166 an die obere Elektrode 165 angelegt. Somit wird ein elektrisches Feld zwischen der oberen Elektrode 165 und der unteren Elektrode 155 erzeugt. Die aktive Schicht 160, die zwischen der oberen Elektrode 165 und der unteren Elektrode 155 ausgebildet ist, wird durch das elektrische Feld verformt. Die aktive Schicht 160 wird in senkrechter Richtung zu dem elektrischen Feld verformt. Die aktive Schicht 160 betätigt in zur Tragschicht 150 entgegengesetzten Richtung. Das heißt, der Aktuator, der die aktive Schicht 160 aufweist, wird aufwärts um einen vorbestimmten Neigungswinkel betätigt.In the thin film AMA according to the present embodiment, the first signal (image current signal) is applied to the lower electrode 155 via the electrical wiring 105 , the terminal 110 , the via contact 175 and the connecting element 176 . Meanwhile, the second signal (bias current signal) is applied to the upper electrode 165 via the common line 166 . An electric field is thus generated between the upper electrode 165 and the lower electrode 155 . The active layer 160 formed between the upper electrode 165 and the lower electrode 155 is deformed by the electric field. The active layer 160 is deformed in the direction perpendicular to the electric field. The active layer 160 operates in the opposite direction to the support layer 150 . That is, the actuator having the active layer 160 is operated upward by a predetermined angle of inclination.

Das Reflektionselement 190 zum Reflektieren des von der Lichtquelle einfallenden Lichts wird mit dem Aktuator 200 geneigt, da das Reflektionselement 190 durch die Stütze 185 gehalten wird und auf dem Aktuator 200 ausgebildet ist. Also reflektiert das Reflektionselement 190 das einfallende Licht um einen vorbestimmten Neigungswinkel, so daß das Bild auf den Bildschirm projiziert wird.The reflection element 190 for reflecting the light incident from the light source is inclined with the actuator 200 , since the reflection element 190 is held by the support 185 and is formed on the actuator 200 . Thus, the reflection element 190 reflects the incident light by a predetermined angle of inclination so that the image is projected onto the screen.

Deshalb kann in dem dünnschichtbetätigten Spiegelarray in einem optischen Projektionssystem gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein von der Lichtquelle einfallendes Licht mittels der zweiten Metallschicht ausgeschlossen werden. Bevor deshalb das erste Signal und das zweite Signal jeweils an die untere Elektrode bzw. die obere Elektrode angelegt werden, kann ein Fehlbetrieb des Aktuators aufgrund eines photoelektrischen Lichtstromes, der durch einfallendes Licht verursacht wird, verhindert werden.Therefore, in the thin film actuated mirror array in an optical Projection system according to the present embodiment is one of the Incident light is excluded by means of the second metal layer will. Therefore, before the first signal and the second signal are sent to the lower electrode or the upper electrode can be applied Malfunction of the actuator due to a photoelectric luminous flux caused by incident light can be prevented.

Embodiment 2

Die Fig. 12A und 12B sind Querschnittsansichten des dünnschichtbetätigten Spiegelarrays in einem optischen Projektionssystem gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. FIG. 12A and 12B are cross-sectional views of the thin film actuated mirror array an optical projection system according to a second embodiment of the present invention.

Wie die Fig. 12A und 12B zeigen, hat das Dünnschicht-AMA in einem optischen Projektionssystem gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein Substrat 100, einen auf dem Substrat 100 ausgebildeten Aktuator 200 und ein auf einem Teil des Aktuators 200 ausgebildetes Reflektionselement 190. As shown in FIGS. 12A and 12B show, the thin film AMA in the present embodiment, has a projection optical system according to a substrate 100, a substrate 100 formed on the actuator 200, and a hole formed on a part of the actuator 200 reflection member 190.

Das dünnschichtbetätigte Spiegelarray gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hat dieselben Aufbauelemente und dieselben Formen wie jene der in den Fig. 6 und 7 gezeigten ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, mit der Ausnahme, daß eine dritte Metallschicht 235, die hauptsächlich ein auf das Substrat 100 einfallendes Licht ausschließt, und eine dritte Passivierungsschicht 239 zum Schützen der dritten Metallschicht 235 weiterhin zwischen der zweiten Passivierungsschicht 130 und der ätzbeständigen Schicht 140 ausgebildet sind. In der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden dieselben Bezugszeichen für dieselben Elemente wie in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet.The thin film actuated mirror array according to the second embodiment of the present invention has the same structural elements and the same shapes as those of the first embodiment of the present invention shown in FIGS. 6 and 7, except that a third metal layer 235 , which mainly rests on the substrate 100 excludes incident light, and a third passivation layer 239 for protecting the third metal layer 235 is further formed between the second passivation layer 130 and the etch-resistant layer 140 . In the second embodiment of the present invention, the same reference numerals are used for the same elements as in the first embodiment of the present invention.

Anschließend wird das Herstellungsverfahren des Dünnschicht-AMAs gemäß der vorliegenden Ausführungsform erklärt.Then, the manufacturing process of the thin film AMA according to of the present embodiment.

Die Fig. 13A und 13B stellen die Herstellungsschritte des dünnschichtbetätigten Spiegelarrays in einem optischen Projektionssystem gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Schritte bis zur Ausbildung der zweiten Passivierungsschicht 130 dieselben wie jene der in den Fig. 8A und 8B gezeigten ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. FIG. 13A and 13B illustrate manufacturing steps of the thin film actuated mirror array in an optical projection system according to the second embodiment of the present invention. In the present embodiment, the steps are the same up to the formation of the second passivation layer 130 such as those shown in FIGS. 8A and 8B shown first embodiment of the present invention.

Die zweite Metallschicht 125 wird auf der ersten Passivierungsschicht 120 ausgebildet. Um die zweite Metallschicht 125 auszubilden, wird zuerst eine erste Adhäsionsschicht 126 unter Verwendung von Titan ausgebildet. Die erste Adhäsionsschicht 126 wird durch ein Sputter-Verfahren ausgebildet, so daß die erste Adhäsionsschicht 126 eine Dicke zwischen ungefähr 300 Å und 500 Å aufweist. Als nächstes wird eine erste Sperrschicht 127 unter Verwendung von Titannitrid ausgebildet. Die erste Sperrschicht 127 wird durch physikalisches Aufdampfen (PVD-Verfahren) ausgebildet, so daß die erste Sperrschicht 127 eine Dicke zwischen ungefähr 1000 Å und 1200 Å aufweist. Die zweite Metallschicht 125 schließt den Lichteinfall auf das Substrat 100 aus, so daß die zweite Metallschicht 125 verhindert, daß ein lichtelektrischer Leckstrom durch das Substrat 100 fließt. Danach wird ein Teil der zweiten Metallschicht 125, unter dem der Anschluß 110 liegt, geätzt, um die erste Öffnung 128 auszubilden. Die erste Öffnung 128 isoliert die untere Elektrode 155 und die obere Elektrode 165 von der zweiten Metallschicht 125.The second metal layer 125 is formed on the first passivation layer 120 . To form the second metal layer 125 , a first adhesive layer 126 is first formed using titanium. The first adhesive layer 126 is formed by a sputtering process so that the first adhesive layer 126 has a thickness between approximately 300 Å and 500 Å. Next, a first barrier layer 127 is formed using titanium nitride. The first barrier layer 127 is formed by physical vapor deposition (PVD method) so that the first barrier layer 127 has a thickness between approximately 1000 Å and 1200 Å. The second metal layer 125 excludes the incidence of light on the substrate 100 , so that the second metal layer 125 prevents a photoelectric leakage current from flowing through the substrate 100 . Thereafter, a portion of the second metal layer 125 , under which the terminal 110 lies, is etched to form the first opening 128 . The first opening 128 insulates the lower electrode 155 and the upper electrode 165 from the second metal layer 125 .

Die dritte Metallschicht 235 wird auf der zweiten Passivierungsschicht 130 ausgebildet. Um die dritte Metallschicht 235 auszubilden, wird zuerst eine zweite Adhäsionsschicht 232 unter Verwendung von Titan ausgebildet. Die zweite Adhäsionsschicht 236 wird durch ein Sputter-Verfahren ausgebildet, so daß die zweite Adhäsionsschicht 236 eine Dicke zwischen ungefähr 300 Å und 500 Å aufweist. Dann wird eine zweite Sperrschicht 237 unter Verwendung von Titannitrid ausgebildet. Die zweite Sperrschicht 237 wird durch ein PVD-Verfahren ausgebildet, so daß die zweite Sperrschicht 237 eine Dicke zwischen ungefähr 1000 Å und 1200 Å aufweist. Die dritte Metallschicht 235 schließt das zum Substrat 100 projizierte Licht aus, so daß die dritte Metallschicht 235 in erster Linie verhindert, daß ein lichtelektrischer Leckstrom durch das Substrat 100 fließt. Anschließend wird ein Teil der dritten Metallschicht 235, der die darunter ausgebildete erste Öffnung 128 aufweist geätzt, um die zweite Öffnung 238 auszubilden. Die zweite Öffnung 238 isoliert die untere Elektrode 155 und die obere Elektrode 165 von der dritten Metallschicht 235.The third metal layer 235 is formed on the second passivation layer 130 . To form the third metal layer 235 , a second adhesive layer 232 is first formed using titanium. The second adhesive layer 236 is formed by a sputtering process so that the second adhesive layer 236 has a thickness between approximately 300 Å and 500 Å. Then a second barrier layer 237 is formed using titanium nitride. The second barrier layer 237 is formed by a PVD process so that the second barrier layer 237 has a thickness between approximately 1000 Å and 1200 Å. The third metal layer 235 excludes the light projected to the substrate 100 , so that the third metal layer 235 primarily prevents a photoelectric leakage current from flowing through the substrate 100 . Then, a portion of the third metal layer 235 having the first opening 128 formed thereunder is etched to form the second opening 238 . The second opening 238 insulates the lower electrode 155 and the upper electrode 165 from the third metal layer 235 .

Die dritte Passivierungsschicht 239 wird auf der dritten Metallschicht 235 und auf der zweiten Öffnung 238 ausgebildet. Die dritte Passivierungsschicht 239 wird unter Verwendung von Phosphorsilikatglas ausgebildet. Die dritte Passivierungsschicht 239 wird durch ein CVD-Verfahren ausgebildet, so daß die dritte Passivierungsschicht 239 eine Dicke zwischen ungefähr 6000 Å und 7000 Å aufweist. Die dritte Passivierungsschicht 239 schützt die dritte Metallschicht 238 während anschließender Herstellungsschritte. The third passivation layer 239 is formed on the third metal layer 235 and on the second opening 238 . The third passivation layer 239 is formed using phosphorus silicate glass. The third passivation layer 239 is formed by a CVD process so that the third passivation layer 239 has a thickness between approximately 6000 Å and 7000 Å. The third passivation layer 239 protects the third metal layer 238 during subsequent manufacturing steps.

In der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die folgenden Schritte in der Herstellung und des Betriebs des Dünnschicht-AMAs dieselben, wie jene der in den Fig. 9A bis 11B gezeigten ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.In the second embodiment of the present invention, the following steps in manufacturing and operating the thin film AMA are the same as those of the first embodiment of the present invention shown in Figs. 9A to 11B.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein von der Lichtquelle einfallendes Licht in erster Linie durch die dritte Metallschicht ausgeschlossen werden. Dann wird das Licht, das durch die dritte Metallschicht hindurchtritt, auch wieder durch die zweite Metallschicht ausgeschlossen. Deshalb kann, bevor das erste Signal und das zweite Signal jeweils an die untere Elektrode bzw. die obere Elektrode angelegt werden, der Fehlbetrieb des Aktuators aufgrund des durch das einfallende Licht verursachten lichtelektrischen Leckstromes verhindert werden.According to the present embodiment of the present invention, a light incident from the light source primarily through the third Metal layer can be excluded. Then the light shines through the third metal layer passes through, again through the second metal layer locked out. Therefore, before the first signal and the second signal are applied to the lower electrode and the upper electrode, respectively Malfunction of the actuator due to the incident light caused photoelectric leakage current can be prevented.

Embodiment 3

Die Fig. 14A und 14B sind Querschnittsansichten des dünnschichtbetätigten Spiegelarrays in einem optischen Projektionssystem gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. FIG. 14A and 14B are cross-sectional views of the thin film actuated mirror array an optical projection system according to a third embodiment of the present invention.

Wie die Fig. 14A und 14B zeigen, hat das Dünnschicht-AMA in einem optischen Projektionssystem gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein Substrat 100, einen auf dem Substrat 100 ausgebildeten Aktuator 200 und ein auf dem Aktuator 200 ausgebildetes Reflektionselement 190.As shown in FIGS. 14A and 14B show, the thin film AMA has a projection optical system according to the present embodiment, a substrate 100, an actuator 100 formed on the substrate 200 and an actuator 200 formed on the reflection member 190.

Das dünnschichtbetätigte Spiegelarray gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hat dieselben Aufbauelemente und dieselben Formen wie jene der in den Fig. 12A und 12B gezeigten zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, mit der Ausnahme, daß sich die Form der dritten Metallschicht 335 und dessen Herstellungsverfahren von jenen der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unterscheiden. In der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden dieselben Bezugszeichen für dieselben Elemente wie in der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet.The thin film actuated mirror array according to the third embodiment of the present invention has the same structural elements and shapes as those of the second embodiment of the present invention shown in Figs. 12A and 12B, except that the shape of the third metal layer 335 and its manufacturing method are different from those the second embodiment of the present invention. In the third embodiment of the present invention, the same reference numerals are used for the same elements as in the second embodiment of the present invention.

Die Fig. 15A und 15B stellen die Herstellungsschritte des dünnschichtbetätigten Spiegelarrays in einem optischen Projektionssystem gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Schritte bis zur Ausbildung der zweiten Passivierungsschicht 130 dieselben wie jene der in den Fig. 8A und 8B gezeigten ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Figs. 15A and 15B illustrate manufacturing steps of the thin film actuated mirror array in an optical projection system according to the third embodiment of the present invention. In the present embodiment, the steps are the same up to the formation of the second passivation layer 130 such as those shown in FIGS. 8A and 8B shown first embodiment of the present invention.

Wie die Fig. 8A und 8B zeigen, wird das Substrat 100 mit der elektrischen Verdrahtung und dem Anschluß 110 versehen. Vorzugsweise besteht das Substrat 100 aus einem Halbleiter wie etwa Silizium (Si). Die elektrische Verdrahtung 105 empfängt das erste Signal (Bildstromsignal) und überträgt das erste Signal an die untere Elektrode 155. Vorzugsweise hat die elektrische Verdrahtung 105 MOS-Transistoren für Schaltoperationen.As shown in FIGS. 8A and 8B, the substrate 100 is provided with the electrical wiring and the terminal 110 . Preferably, the substrate 100 is made of a semiconductor such as silicon (Si). The electrical wiring 105 receives the first signal (image current signal) and transmits the first signal to the lower electrode 155 . Preferably, the electrical wiring 105 has MOS transistors for switching operations.

Die zweite Metallschicht 125 wird auf der ersten Passivierungsschicht 120 ausgebildet. Um die zweite Metallschicht 125 auszubilden, wird zuerst eine erste Adhäsionsschicht 126 unter Verwendung von Titan ausgebildet. Die erste Adhäsionsschicht 126 wird durch ein Sputter-Verfahren ausgebildet, so daß die erste Adhäsionsschicht 126 eine Dicke zwischen ungefähr 300 Å und 500 Å aufweist. Als nächstes wird eine erste Sperrschicht 127 unter Verwendung von Titannitrid auf der ersten Adhäsionsschicht 126 ausgebildet. Die erste Sperrschicht 127 wird durch ein PVD-Verfahren ausgebildet, so daß die erste Sperrschicht 127 eine Dicke zwischen ungefähr 1000 Å und 1200 Å aufweist. Die zweite Metallschicht 125 schließt den Lichteinfall auf das Substrat 100 aus, so daß die zweite Metallschicht 125 verhindert, daß ein lichtelektrischer Leckstrom durch das Substrat 100 fließt. Danach wird ein Teil der zweiten Metallschicht 125, unter dem der Anschluß 110 liegt, geätzt, um die erste Öffnung 128 auszubilden. Die erste Öffnung 128 isoliert die untere Elektrode 155 und die obere Elektrode 165 von der zweiten Metallschicht 125.The second metal layer 125 is formed on the first passivation layer 120 . To form the second metal layer 125 , a first adhesive layer 126 is first formed using titanium. The first adhesive layer 126 is formed by a sputtering process so that the first adhesive layer 126 has a thickness between approximately 300 Å and 500 Å. Next, a first barrier layer 127 is formed on the first adhesive layer 126 using titanium nitride. The first barrier layer 127 is formed by a PVD process so that the first barrier layer 127 has a thickness between approximately 1000 Å and 1200 Å. The second metal layer 125 excludes the incidence of light on the substrate 100 , so that the second metal layer 125 prevents a photoelectric leakage current from flowing through the substrate 100 . Thereafter, a portion of the second metal layer 125 , under which the terminal 110 lies, is etched to form the first opening 128 . The first opening 128 insulates the lower electrode 155 and the upper electrode 165 from the second metal layer 125 .

Die zweite Passivierungsschicht 330 wird auf der zweiten Metallschicht 125 und auf der ersten Öffnung 128 ausgebildet. Die zweite Passivierungsschicht 330 wird unter Verwendung von Phosphorsilikatglas ausgebildet. Die zweite Passivierungsschicht 330 wird durch ein CVD-Verfahren ausgebildet, so daß die zweite Passivierungsschicht 330 eine Dicke zwischen ungefähr 8000 Å und 9000 Å aufweist. Die zweite Passivierungsschicht 330 schützt die zweite Metallschicht 125 während nachfolgender Herstellungsschritte. The second passivation layer 330 is formed on the second metal layer 125 and on the first opening 128 . The second passivation layer 330 is formed using phosphorus silicate glass. The second passivation layer 330 is formed by a CVD process so that the second passivation layer 330 has a thickness between approximately 8000 Å and 9000 Å. The second passivation layer 330 protects the second metal layer 125 during subsequent manufacturing steps.

Anschließend werden beide Seiten des Teils der zweiten Passivierungsschicht 330, an dem die erste Öffnung 128 ausgebildet ist, bis zu einer vorbestimmten Tiefe entfernt. Wie in Fig. 15A und 15B gezeigt, ist die horizontale Entfernung (d₁) zwischen den Teilen, an denen die zweite Passivierungsschicht 330 entfernt ist, größer als der Durchmesser der ersten Öffnung 128 (d₂). Wenn die zweite Passivierungsschicht 330 entfernt ist, ist die zweite Metallschicht 125 nicht freigelegt. Danach wird die dritte Metallschicht 335 auf der zweiten Passivierungsschicht 330 und den entfernten Teilen der zweiten Passivierungsschicht 330 ausgebildet. Die dritte Metallschicht 335 wird unter Verwendung von Aluminium oder Silber und durch ein Sputter-Verfahren ausgebildet. Dann wird der Rest der dritten Metallschicht 335 mit Ausnahme der Teile, an denen die zweite Passivierungsschicht 330 entfernt ist und die dritte Metallschicht 335 die erste Öffnung 128 bedeckt, entfernt. Vorzugsweise wird die dritte Metallschicht 335 in einer derartigen Form ausgebildet, um die erste Öffnung 128 abzudecken. Die dritte Metallschicht 335 verhindert, daß einfallendes Licht durch die erste Öffnung 128 auf das Substrat 100 fällt.Then, both sides of the part of the second passivation layer 330 on which the first opening 128 is formed are removed to a predetermined depth. As shown in FIGS. 15A and 15B, the horizontal distance (d ₁₎ between the parts where the second passivation layer 330 is removed is larger than the diameter of the first opening 128 (d _2). When the second passivation layer 330 is removed, the second metal layer 125 is not exposed. Thereafter, the third metal layer 335 is formed on the second passivation layer 330 and the removed parts of the second passivation layer 330 . The third metal layer 335 is formed using aluminum or silver and by a sputtering method. Then the rest of the third metal layer 335 is removed except for the parts where the second passivation layer 330 is removed and the third metal layer 335 covers the first opening 128 . Preferably, the third metal layer 335 is formed in such a shape as to cover the first opening 128 . The third metal layer 335 prevents incident light from falling onto the substrate 100 through the first opening 128 .

In der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die folgenden Schritte der Herstellung und des Betriebs des Dünnschicht-AMA dieselben, wie jene der in den Fig. 9A bis 11B gezeigten ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.In the third embodiment of the present invention, the following steps of manufacturing and operating the thin film AMA are the same as those of the first embodiment of the present invention shown in Figs. 9A to 11B.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann durch die zweite Metallschicht verhindert werden, daß von der Lichtquelle einfallendes Licht auf das Substrat 100 fällt. Darüber hinaus kann durch die dritte Metallschicht 335 verhindert werden, daß durch die erste Öffnung 128 hindurchtretendes Licht auf das Substrat 100 fällt. Bevor deshalb das erste Signal und das zweite Signal jeweils an die untere Elektrode bzw. die obere Elektrode angelegt werden, kann ein Fehlbetrieb des Aktuators aufgrund von durch das einfallende Licht verursachten lichtelektrischen Leckstromes verhindert werden.According to the present embodiment of the present invention, the second metal layer can prevent incident light from the light source from falling on the substrate 100 . In addition, the third metal layer 335 can prevent light passing through the first opening 128 from falling onto the substrate 100 . Therefore, before the first signal and the second signal are respectively applied to the lower electrode and the upper electrode, malfunction of the actuator due to photoelectric leakage current caused by the incident light can be prevented.

Zudem hat es den Vorteil der Vereinfachung des Herstellungsverfahrens, weil die dritte Passivierungsschicht 239 nicht auf der dritten Metallschicht 335 ausgebildet werden muß.It also has the advantage of simplifying the manufacturing process because the third passivation layer 239 does not have to be formed on the third metal layer 335 .

Deshalb kann in dem dünnschichtbetätigten Spiegelarray in einem optischen Projektionssystem gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein von der Lichtquelle einfallendes Licht mittels der zweiten und der dritten Metallschicht ausgeschlossen werden. Bevor deshalb das erste Signal und das zweite Signal jeweils an die untere Elektrode bzw. die obere Elektrode angelegt werden, kann ein Fehlbetrieb des Aktuators aufgrund von durch einfallendes Licht verursachten photoelektrischen Leckstromes verhindert werden.Therefore, in the thin film actuated mirror array in an optical Projection system according to the present embodiment is one of the Light source incident light by means of the second and third metal layers be excluded. So before the first signal and the second Signal applied to the lower electrode or the upper electrode can cause the actuator to malfunction due to incident Photoelectric leakage caused by light can be prevented.

Obwohl bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben worden sind, wird verständlich, daß die vorliegende Erfindung nicht auf diese bevorzugten Ausführungsformen beschränkt sein soll. Vielmehr können verschiedene Änderungen und Modifikationen im Rahmen des Erfindungsgedankens und des Schutzbereiches der Erfindung, wie nachfolgend beansprucht, durch Fachleute vorgenommen werden.Although preferred embodiments of the present invention have been described, it will be understood that the present invention is not intended to be limited to these preferred embodiments. Much more can make various changes and modifications under the The inventive concept and the scope of the invention, such as claimed below, can be carried out by experts.

Claims

1. Thin-film-operated mirror array in an optical projection system, which is actuated by a first signal and a second signal, the thin-film-operated mirror array in an optical projection system having the following:
a substrate ( 100 ) having electrical wiring ( 105 ) for receiving a first signal from the outside and transmitting the first signal;
a first metal layer ( 115 ) formed on the substrate ( 100 ) having a terminal ( 110 ) connected to the electrical wiring ( 105 ) for transmitting the first signal;
a first passivation layer ( 120 ) for protecting the substrate ( 100 ) which has the electrical wiring ( 105 ) and the terminal ( 110 ), the first passivation layer ( 120 ) on the electrical wiring ( 105 ) and on the first metal layer ( 115 ) is trained;
a second metal layer ( 125 ) formed on the first passivation layer ( 120 ) to avoid a leakage photoelectric current caused by light incident from a light source;
an actuator ( 200 ) having i) a support layer ( 150 ) formed on the second metal layer ( 125 ), ii) a lower electrode ( 155 ) for receiving the first signal, the lower electrode ( 155 ) on the Base layer ( 150 ) is formed, iii) an upper electrode ( 165 ) corresponding to the lower electrode ( 155 ) for receiving the second signal and for generating an electric field between the upper electrode ( 165 ) and the lower electrode ( 155 ), and iv ) an active layer ( 160 ) formed between the upper electrode ( 165 ) and the lower electrode ( 155 ) and deformed by the electric field; and
a reflection device ( 190 ) for reflecting the light, the reflection device ( 190 ) being formed on the actuator ( 200 ).

2. Thin-film-operated mirror array in an optical projection system according to claim 1, characterized in that the second metal layer ( 125 ) further comprises a second passivation layer ( 130 ) for protecting the second metal layer ( 125 ), the second passivation layer ( 130 ) on the second metal layer ( 125 ) is formed, and has an etch-resistant layer ( 140 ) for protecting the second passivation layer ( 130 ), the etch-resistant layer ( 140 ) being formed on the second passivation layer ( 130 ), and in that the actuator ( 200 ) also has a common one Has line ( 166 ) for applying the second signal to the upper electrode ( 165 ), the common line ( 166 ) being formed on part of the actuator ( 200 ) and connected to the upper electrode ( 165 ).

3. Thin-film-operated mirror array in an optical projection system according to claim 2, characterized in that the second passivation layer ( 130 ) is formed using a phosphosilicate glass, the etch-resistant layer ( 140 ) is formed using a nitride, and the common line ( 166 ) below Use of an electrically conductive metal is formed.

4. thin-film-operated mirror array in an optical projection system according to one of claims 1 to 3, characterized in that the second metal layer ( 125 ) further comprises a first adhesive layer ( 126 ) which is formed on the first passivation layer ( 120 ) and a first barrier layer ( 127 ) formed on the first adhesive layer ( 126 ).

5. A thin-film mirror array in a projection optical system according to claim 4, characterized in that the first adhesive layer ( 126 ) is formed using titanium and the first barrier layer ( 127 ) is formed using titanium nitride.

6. Thin-film-operated mirror array in an optical projection system according to one of claims 1 to 5, characterized in that a first opening ( 128 ) is formed in a part of the second metal layer ( 125 ), under which the connection ( 110 ) is formed.

7. thin-film-operated mirror array in an optical projection system according to one of claims 1 to 6, characterized in that the thin-film-operated mirror array further comprises a third metal layer ( 235 ) to avoid a photoelectric leakage current caused by incident light, the third metal layer ( 235 ) is formed on the second metal layer ( 125 ).

8. thin-film-operated mirror array in an optical projection system according to claim 7, characterized in that the thin-film-operated mirror array further comprises a third passivation layer ( 239 ) for protecting the third metal layer ( 235 ), the third passivation layer ( 239 ) on the third metal layer ( 235 ) is trained.

9. thin film actuated mirror array in a projection optical system according to claim 7 or 8, characterized in that the third metal layer ( 235 ) further a second adhesive layer ( 236 ) which is formed on the second metal layer ( 125 ), and a second barrier layer ( 237 ) , which is formed on the second adhesive layer ( 236 ).

10. Thin film actuated mirror array in a projection optical system according to claim 9, characterized in that the second adhesive layer ( 236 ) is formed using titanium, and the second barrier layer ( 237 ) is formed using titanium nitride.

11. Thin-film mirror array in an optical projection system according to one of claims 7 to 10, characterized in that a second opening ( 238 ) is formed in a part of the third metal layer ( 235 ), under which the connection ( 110 ) is formed.

12. Thin-film-operated mirror array in an optical projection system, which is actuated by a first signal and a second signal, the thin-film-operated mirror array in an optical projection system having the following:
a substrate ( 100 ) having electrical wiring ( 105 ) for receiving a first signal from the outside and transmitting the first signal;
a first metal layer ( 115 ) formed on the substrate ( 100 ) having a terminal ( 110 ) connected to the electrical wiring ( 105 ) for transmitting the first signal;
a first passivation layer ( 120 ) for protecting the substrate ( 100 ) which has the electrical wiring ( 105 ) and the terminal ( 110 ), the first passivation layer ( 120 ) on the electrical wiring ( 105 ) and on the first metal layer ( 115 ) is trained;
a second metal layer ( 125 ) formed on the first passivation layer ( 120 ) to avoid a leakage photoelectric current caused by light incident from a light source;
a second passivation layer ( 330 ; 130 ) formed on the second metal layer ( 125 ) to protect the second metal layer ( 125 );
a third metal layer ( 335 ; 235 ) formed on the second passivation layer ( 330 ; 130 ) to avoid a photoelectric leakage current caused by the light;
an actuator ( 200 ) having i) a support layer ( 150 ) formed on the third metal layer ( 335 ; 235 ), ii) a lower electrode ( 155 ) for receiving the first signal, the lower electrode ( 155 ) is formed on the support layer ( 150 ), iii) an upper electrode ( 165 ) corresponding to the lower electrode ( 155 ) for receiving the second signal and for generating an electric field between the upper electrode ( 165 ) and the lower electrode ( 155 ), and iv) an active layer ( 160 ) formed between the upper electrode ( 165 ) and the lower electrode ( 155 ) and deformed by the electric field; and
a reflection device ( 190 ) for reflecting the light, the reflection device ( 190 ) being formed on the actuator ( 200 ).

13. A thin-film mirror array in a projection optical system according to claim 12, characterized in that the third metal layer ( 335 ) further comprises a third passivation layer ( 239 ) for protecting the third metal layer ( 335 ), the third passivation layer ( 239 ) on the third metal layer ( 335 ) is formed, and has an etch-resistant layer ( 140 ) for protecting the third passivation layer ( 239 ), the etch-resistant layer ( 140 ) being formed on the third passivation layer ( 239 ), and in that the actuator ( 200 ) also has a common one Has line ( 166 ) for applying the second signal to the upper electrode ( 165 ), the common line ( 166 ) being formed on part of the actuator ( 200 ) and connected to the upper electrode ( 165 ).

14. The thin film actuated mirror array in a projection optical system according to claim 12 or 13, characterized in that the second metal layer ( 125 ) further comprises a first adhesive layer ( 126 ) formed on the first passivation layer ( 120 ) using titanium and a first Has barrier layer ( 127 ) formed on the first adhesive layer ( 126 ) using titanium nitride.

15. Thin film actuated mirror array in a projection optical system according to one of claims 12 to 14, characterized in that the third metal layer ( 235 ) further comprises a second adhesion layer ( 236 ) which is formed on the second passivation layer ( 130 ) using titanium, and a second barrier layer ( 237 ) formed on the second adhesive layer ( 236 ) using titanium nitride.

16. Thin film actuated mirror array in a projection optical system according to one of claims 12 to 15, characterized in that a first opening ( 128 ) is formed in a part of the second metal layer ( 125 ), under which the connector ( 110 ) is formed, and a second Opening ( 238 ) is formed in a part of the third metal layer ( 235 ), under which the first opening ( 128 ) is formed.

17. Thin-film-operated mirror array in an optical projection system according to claim 12, characterized in that the third metal layer ( 235 ) is formed on a part of the second passivation layer ( 130 ), under which the connection ( 110 ) is formed.

18. A method for producing a thin-film-operated mirror array in a projection optical system, which is actuated by a first signal and a second signal, the method comprising the following steps:
Providing a substrate with electrical wiring for receiving the first signal from the outside and transmitting the first signal;
Forming a first metal layer on the substrate, the first metal layer having a terminal connected to the electrical wiring for transmitting the first signal;
Forming a first passivation layer on the electrical wiring and on the first metal layer;
Forming a second metal layer on the first passivation layer to prevent leakage of photoelectric current caused by light incident from a light source;
Forming a second passivation layer on the second metal layer to protect the second metal layer;
Forming a first layer on the second passivation layer;
Forming a lower electrode layer on the first layer and patterning the lower electrode layer to form a lower electrode for receiving the first signal;
Forming a second layer and an upper electrode layer on the lower electrode;
Forming an actuator by patterning the top electrode layer to form an upper electrode for receiving the second signal and generating an electric field, patterning the second layer to form an active layer that is deformed by the electric field, and patterning the first Layer to form a base layer under the lower electrode; and
Forming a reflection device for reflecting the light on the actuator.

19. Process for producing a thin-film-operated mirror array in an optical projection system according to claim 18, characterized in that the step of forming the second metal layer continues the steps forming a first adhesive layer on the first Passivation layer using titanium and by means of a Sputtering method and the formation of a first barrier layer on the first adhesive layer using titanium nitride and by means of a PVD method.

20. Process for producing a thin-film-operated mirror array in an optical projection system according to claim 18 or 19, characterized in that the step of forming the second metal layer continues the step forming an opening by etching part of the second Metal layer on which the connection is formed.