DE19737586C2 - Smart-Power-Schalter - Google Patents
Smart-Power-SchalterInfo
- Publication number
- DE19737586C2 DE19737586C2 DE1997137586 DE19737586A DE19737586C2 DE 19737586 C2 DE19737586 C2 DE 19737586C2 DE 1997137586 DE1997137586 DE 1997137586 DE 19737586 A DE19737586 A DE 19737586A DE 19737586 C2 DE19737586 C2 DE 19737586C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- power switch
- smart power
- charge pump
- smart
- power transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Smart-Power-Schalter, insbeson
dere einen SIPMOS-Leistungshalbleiter, mit einem Steuerein
gang, einem FET-Leistungstransistor am Ausgang, der über den
Steuereingang durch ein externes Steuersignal angesteuert
ist, einer an das Gate des FET-Leistungstransistors ange
schlossenen Ladungspumpe zur Spannungserhöhung für den High
side-Betrieb des Smart-Power-Schalters, und einer Schalt
logik.
Ein derartiger Smart-Power-Schalter wird auch einfach als
Smart-Schalter bezeichnet, und bei diesem Schalter handelt es
sich allgemein um einen sogenannten intelligenten Leistungs
halbleiter, der zur gesteuerten Leistungsversorgung externer
Lasten, beispielsweise in Kraftfahrzeugen, zum Einsatz ge
langt.
Wenn der Smart-Power-Schalter der eingangs genannten Art
durch ein externes Steuersignal eingeschaltet wird, wird die
Ladungspumpe aktiviert, die eine für den Smart-Power-Schalter
notwendige Ansteuerspannung erzeugt, nämlich insbesondere ei
ne Spannungserhöhung für den Highside-Betrieb des Smart-
Power-Schalters, der ausgangsseitig einen FET-, insbesondere
ein MOSFET-Leistungstransistor, aufweist. Dieser Vorgang der
Aktivierung des FET-Leistungstransistors über die Ladungs
pumpe ist verhältnismäßig langsam. Charakteristische Ein- und
Ausschaltzeiten betragen etwa 500 µs.
Solche Schaltgeschwindigkeiten sind zum Schalten von Lasten
von beispielsweise Lampen und induktiven Lasten geringer Dy
namik ausreichend, nicht jedoch zum Schalten von Lasten grö
ßerer Dynamik, da sonst die im Smart-Power-Schalter auftre
tenden Umschaltverluste zu groß werden. Beispiele für derar
tige Schaltlasten sind Schrittmotore, gepulste Gleich- und
Wechselspannungsmotore im Niederspannungsbereich, Schaltnetz
teile und dergleichen. Mit anderen Worten sind die bisher be
kannten Smart-Power-Schalter mit Ladungspumpe nicht geeignet,
diese Art von Lasten anzusteuern.
Problematisch an den bisher bekannten Smart-Power-Schaltern
der eingangs genannten Art ist außerdem der relativ hohe
Stromverbrauch, was angesichts des jüngsten Trends zum Ener
giesparen und zur der Verlängerung von Betriebszeiten bei
batteriebetriebenen Geräten usw. nicht akzeptabel ist.
Aus der DE 43 25 899 C2 ist eine Schaltungsanordnung mit ei
nem Leistungstransistor, der in Reihe zu einer Last zwischen
Klemmen für eine Versorgungsspannung geschaltet ist, und ei
ner Ladungspumpenschaltung zur Ansteuerung des Leistungstran
sistors bekannt. Die Ladungspumpenschaltung stellt ein erhöh
tes Ansteuerpotential zur Ansteuerung des Leistungstransis
tors zur Verfügung, wobei ein Versorgungsanschluss der La
dungspumpenschaltung an den Drain-Anschluss des als Low-Side-
Schalters wirkenden Leistungstransistors angeschlossen ist,
so dass der Versorgungsanschluss bei leitendem Leistungstran
sistor annäherungsweise auf Bezugspotential gezogen wird. Ein
Potential zur Ansteuerung des Leistungstransistors kann bei
dieser Schaltungsanordnung nur während der Zeitdauern aufge
baut werden, zu denen der Leistungstransistor sperrt.
Aus der EP 0 236 967 A1 ist eine Schaltungsanordnung mit ei
nem in Reihe zu einer Last zwischen Klemmen für eine Versor
gungsspannung geschalteten Leistungstransistor bekannt, wobei
der Leistungstransistor als High-Side-Schalter dient. Zur An
steuerung des Leistungstransistors ist eine Ladungspumpen
schaltung vorgesehen, die eine zum Einschalten des Leistungs
transistors erforderliche Ansteuerspannung erst im Laufe der
Zeit durch mehrmaliges Anlegen von Ansteuerimpulsen an die
Ladungspumpe erreicht.
Aus der EP 0 415 081 A2 ist eine Schaltungsanordnung mit ei
nem in Reihe zu einer Last zwischen Anschlussklemmen einer
Versorgungsspannung geschalteten Leistungstransistor bekannt,
wobei der Leistungstransistor als High-Side-Schalter einge
setzt ist. Zwischen den Gate-Anschluss und den Source-
Anschluss des Leistungstransistors ist ein Kondensator ge
schaltet, der vor dem Durchschalten des Leistungstransistors
auf eine Batteriespannung aufgeladen wird, so dass nach dem
Durchschalten des Leistungstransistors am Gate-Anschluss des
Leistungstransistors ein Potential anliegt, welches im we
sentlichen dem Source-Potential zuzüglich der Batteriespan
nung entspricht. Ein erhöhtes Ansteuerpotential zur Ansteue
rung des Leistungstransistors baut sich damit erst nach dem
Durchschalten des Leistungstransistors auf.
Angesichts dieses Standes der Technik liegt der Erfindung die
Aufgabe zugrunde, einen Smart-Power-Schalter zu schaffen, der
sich durch eine erhöhte Schaltgeschwindigkeit auszeichnet und
mit geringem Stromverbrauch betrieben werden kann.
Gelöst wird diese Aufgabe durch einen Smart-Power-Schalter
mit den Merkmalen des Anspruchs 1.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unter
ansprüchen angegeben.
Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß eine erhöhte
Schaltgeschwindigkeit dadurch erzielt werden kann, daß die
Ladungspumpe während des Schaltbetriebs des Smart-Power-
Schalters stets aktiv gehalten ist, um die zur Ansteuerung
des FET-Leistungstransistors erforderliche Spannung ununter
brochen zur Verfügung zu stellen. Dies bedingt, daß der Steu
ereingang im Gegensatz zum Stand der Technik die Ladungspumpe
nicht ein- und ausschaltet, sondern den FET-Leistungstransi
stor ohne Umweg über die Ladungspumpe "direkt" ansteuert.
Durch diese erfindungsgemäßen Maßnahmen läßt sich die Schalt
geschwindigkeit des in Rede stehenden Smart-Power-Schalters
ohne weiteres um einen Faktor 1000 erhöhen. Besonders vor
teilhaft ist die Anwendung des neuen erfindungsgemäßen Prin
zips auch bei mehrfach integrierten Smart-Power-Schaltern, da
eine Brückenschaltung die derzeit noch diskret aufzubauende
Schaltung ersetzen kann. Der daraus gezogene Vorteil betrifft
die Kostenverringerung bei der Fertigung durch weniger zu be
stückende Bauteile.
Vorteilhafterweise ist ferner vorgesehen, daß die Ladungs
pumpe bei Bedarf über die Statusleitung inaktiv geschaltet
wird. Dadurch wird eine Zerstörung des FET-Leistungs
transistors bei Vorliegen eines fehlerhaften Betriebs, wie
beispielsweise Übertemperatur oder Überstrom, vermieden, in
dem die Ladungspumpe deaktiviert wird. Außerdem kann dann,
wenn vorgesehen ist, das Statussignal auf der Statusleitung
durch eine externe Maßnahme auf den dem inaktiven Zustand der
Ladungspumpe entsprechenden Pegel, beispielsweise dem logi
schen Niedrigpegel zu ziehen, die Leistungsaufnahme des
Smart-Power-Schalters im Ruhezustand drastisch verringert
werden. Dies ist besonders vorteilhaft bei einem Einsatz des
Smart-Power-Schalters in Automobilen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung beispiel
haft näher erläutert; die einzige Figur der Zeichnung zeigt
schematisch eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Smart-
Power-Schalters.
Der in der Figur gezeigte Smart-Highside-Schalter entspricht
bis auf die geänderte Ansteuerung des FET-Leistungstransi
stors am Ausgang und der Ansteuerung der Ladungspumpe dem
eingangs abgehandelten herkömmlichen Smart-Power-Schalter.
Demnach weist der erfindungsgemäße Smart-Power-Schalter 10
einen Steuereingang 1 und einen MOSFET-Leistungstransistor 2
am Ausgang auf, dessen Gate über eine Zwischenstufe 3 mit dem
Steuereingang 1 verbunden ist. Diese Zwischenstufe 3 besteht
aus einem Pegelkonverter und einem diesem nachgeschalteten
Gate-Treiber zur Ansteuerung des MOSFET-Leistungstransistors
2. Außerdem ist eine Ladungspumpe 4 vorgesehen, die in her
kömmlicher Weise aufgebaut sein kann und ausgangsseitig in
bekannter Weise an das Gate des MOSFET-Leistungstransistors 2
angeschlossen ist, um für den Highside-Betrieb des Smart-
Power-Schalters eine Spannungserhöhung zu bewirken.
Gesteuert wird die Ladungspumpe 4 nicht wie beim Stand der
Technik über den Steuereingang 1, sondern unabhängig von die
sem über eine Statusleitung 5, die ein Statussignal führt,
das in an sich bekannter Weise über einen Statuswiderstand 6
gewonnen wird, der an eine Gleichspannung, beispielsweise ei
ner Höhe von 5 Volt, angeschlossen ist und außerdem an einem
Mikro-Controller der Schaltlogik 7 für den Smart-Power-
Schalter und zwar zum einen direkt an den Statuseingang des
Mikro-Controllers 7 und zum andern indirekt über einen Tran
sistor 8 mit OPEN-DRAIN-Struktur. Am Statuseingang der La
dungspumpe 4 liegt außerdem ein weiterer Transistor 9 mit
OPEN-DRAIN-Struktur an, über welchen interne Information für
das Statussignal geliefert wird.
Der vorstehend in seinem Aufbau erläuterte Smart-Power-Schal
ter arbeitet wie folgt.
Da die Ladungspumpe 4 unabhängig vom Steuereingang aus
schließlich durch ein Statussignal betrieben wird, bei dem es
sich auch um ein extern zugeführtes Statussignal handeln
kann, ist die Ladungspumpe 4 stets in Betrieb, wenn der
Smart-Power-Schalter eingeschaltet ist. Das heißt, die La
dungspumpe 4 liefert für den MOSFET-Leistungstransistor 2
stets die für diesen erforderliche Spannung.
Für den Fall, daß der Smart-Power-Schalter ausgeschaltet ist,
wird extern ein entsprechendes Statussignal an die Statusleitung
5 und damit an die Ladungspumpe 4 angelegt, und diese
wird ausgeschaltet. Das heißt, bei ausgeschaltetem Smart-
Power-Schalter verbraucht diese keinen Strom.
Andererseits erfolgt die Abschaltung der Ladungspumpe 4 und
damit des MOSFET-Leistungstransistors 2 bei Vorliegen eines
entsprechenden Statussignals, das Übertemperatur, Überstrom
oder eine dergleichen Störung anzeigt, einschließlich eines
OPEN-LOAD-ZUSTANDS am Ausgang des Smart-Power-Schalters.
Da erfindungsgemäß im Gegensatz zum Stand der Technik die La
dungspumpe 4 nur im Fall einer Störung oder einer vollstän
digen Abschaltung des Smart-Power-Schalters außer Funktion
gesetzt wird und im übrigen stets eingeschaltet bzw. akti
viert ist, entfallen die beim Smart-Power-Schalter gemäß dem
Stand der Technik, wie eingangs angeführt, auftretenden
Ein/Ausschaltzeiten in der Größenordnung von 500 µs, so daß
der erfindungsgemäße Smart-Power-Schalter mit wesentlich hö
herer Schaltgeschwindigkeit, beispielsweise mit dem Faktor
1000 schneller als bislang betrieben werden kann.
1
Steuereingang
2
Leistungstransistor
3
Zwischenstufe
4
Ladungspumpe
5
Statusleitung
6
Widerstand
7
Schaltlogik
8
Transistor
9
Transistor
10
Smart-Power-Schalter
Claims (6)
1. Smart-Power-Schalter, insbesondere SIPMOS-Leistungshalb
leiter, mit einem Steuereingang (1), einem FET-Leistungstran
sistor (2) am Ausgang, der über den Steuereingang (1) durch
ein externes Steuersignal ansteuerbar ist, einer an das Gate
des FET-Leistungstransistors (2) angeschlossenen Ladungspumpe
(4) zur Spannungserhöhung für den Highside-Betrieb des Smart-
Power-Schalters, und einer Schaltlogik (7), wobei die La
dungspumpe (4) während des Schaltbetriebes des SMART-Power-
Schalters stets aktiv gehalten ist, um die zur Ansteuerung
des FET-Leistungstransistors (2) erforderliche Spannung unun
terbrochen zur Verfügung zu stellen, und bei einer vollständi
gen Abschaltung des SMART-Power-Schalters inaktiv gehalten
ist, und wobei der Steuereingang (1) ohne Umweg über die La
dungspumpe (4) an das Gate des FET-Leistungstransistors (2)
angeschlossen ist.
2. Smart-Power-Schalter nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Steuer
eingang (1) über eine Zwischenstufe (3) mit einem Pegelkon
verter und einen Gate-Treiber an das Gate des FET-
Leistungstransistors (2) angeschlossen ist.
3. Smart-Power-Schalter nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß ein unnorma
ler Betriebszustand des Smart-Power-Schalters, insb.
Übertemperatur oder eine Lastunterbrechung bzw. OPEN-LOAD am
Ausgang des Smart-Power-Schalters, durch ein Statussignal an
die Schaltlogik (7) gemeldet wird, und daß das Statussignal
zur Inaktivierung der Ladungspumpe (4) dient.
4. Smart-Power-Schalter nach Anspruch 1, 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet, daß das Status
signal direkt an die Ladungspumpe (4) angelegt ist.
5. Smart-Power-Schalter nach Anspruch 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß das Status
signal den ausgeschalteten Zustand des Smart-Power-
Schalters an die Ladungspumpe (4) meldet, um diese zu deakti
vieren.
6. Smart-Power-Schalter nach Anspruch 3, 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet, daß ein an die
Ladungspumpe (4) angeschlossener Statusausgang OPEN-DRAIN-
Struktur aufweist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1997137586 DE19737586C2 (de) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | Smart-Power-Schalter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1997137586 DE19737586C2 (de) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | Smart-Power-Schalter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19737586A1 DE19737586A1 (de) | 1999-03-04 |
| DE19737586C2 true DE19737586C2 (de) | 2002-03-21 |
Family
ID=7840500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1997137586 Expired - Fee Related DE19737586C2 (de) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | Smart-Power-Schalter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19737586C2 (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107911107A (zh) * | 2018-01-04 | 2018-04-13 | 南京濠暻通讯科技有限公司 | 一种带电量计量的智能触摸开关及系统 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0236967A1 (de) * | 1986-03-11 | 1987-09-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines mit sourceseitiger Last verbundenen Mosfet |
| EP0415081A2 (de) * | 1989-09-01 | 1991-03-06 | Robert Bosch Gmbh | Ansteuerschaltung für eine getaktete Last in einem Fahrzeug |
| DE4325899C2 (de) * | 1993-08-02 | 1995-11-16 | Siemens Ag | MOS-Schaltstufe |
-
1997
- 1997-08-28 DE DE1997137586 patent/DE19737586C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0236967A1 (de) * | 1986-03-11 | 1987-09-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines mit sourceseitiger Last verbundenen Mosfet |
| EP0415081A2 (de) * | 1989-09-01 | 1991-03-06 | Robert Bosch Gmbh | Ansteuerschaltung für eine getaktete Last in einem Fahrzeug |
| DE4325899C2 (de) * | 1993-08-02 | 1995-11-16 | Siemens Ag | MOS-Schaltstufe |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19737586A1 (de) | 1999-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE68905360T2 (de) | Steuerschaltung für eine induktive Last. | |
| DE112013005027B4 (de) | Flyback-Converter-Schaltung | |
| DE102006014276B4 (de) | Elektromagnetventil und Elektromagnetventil-Antriebsschaltung | |
| DE3718309A1 (de) | Schaltungsanordnung zur getakteten ansteuerung von halbleiterschaltern | |
| DE10252827B3 (de) | Schaltungsanordnung zur schnellen Ansteuerung insbesondere induktiver Lasten | |
| DE102007001414B3 (de) | Schaltungsanordnung sowie Verfahren zum Betrieb einer induktiven Last | |
| DE102018213130A1 (de) | Elektrisches Bordnetz und Kraftfahrzeug mit einem solchen Bordnetz | |
| DE10042903A1 (de) | Steuerungsvorrichtung für eine Fahrzeuglampe | |
| DE102010063744A1 (de) | Schaltungsanordnung und Verfahren zur Anlaufstrombegrenzung bei einem Starter | |
| DE102005027442B4 (de) | Schaltungsanordnung zum Schalten einer Last | |
| DE19737586C2 (de) | Smart-Power-Schalter | |
| EP2036202B1 (de) | Schaltungsanordnung und verfahren zum ansteuern eines elektrischen verbrauchers | |
| EP1094605A2 (de) | Schaltungsanordnung zum Ansteuern einer Last mit reduzierter Störabstrahlung | |
| EP1850470B1 (de) | Synchrongleichrichter-Schaltung und Verfahren zum Betrieb der Synchrongleichrichter-Schaltung | |
| DE10236872A1 (de) | Schaltungsanordnung zur steuerbaren Stromversorgung, insbesondere Schaltungsanordnung zum Dimmen von Leuchtdiodenanordnungen | |
| DE102005032085A1 (de) | Vorrichtung zur Leistungsverringerung beim Betrieb einer induktiven Last | |
| WO2009062554A1 (de) | Umschaltbare spannungsversorgung für hilfsstromkreise in einem stromrichter | |
| DE69917183T2 (de) | Treiberschaltung für eine Brennstoff-Einspritzdüse mit grossem Betriebsspannungsbereichen | |
| EP0766394B1 (de) | Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Leistungs-Enhancement-MOSFET | |
| EP1489743B1 (de) | Direkte Umkommutierung zwischen Leistungsbauteilen | |
| EP1627143A1 (de) | Treiberstufe f r ein solenoidventil | |
| EP4143937B1 (de) | Fahrzeugschaltungsanordnung | |
| EP1482154A2 (de) | Schaltungsanordnung und Verfahren zur Steuerung wenigstens einer elektrischen Komponente eines Kraftfahrzeugs | |
| DE10250155B4 (de) | Schaltnetzteil | |
| LU101883B1 (de) | Schaltungsanordnung zum Begrenzen eines Einschaltstroms |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |