DE19730329A1

DE19730329A1 - Integrated photocell array with PN isolation

Info

Publication number: DE19730329A1
Application number: DE19730329A
Authority: DE
Inventors: Jenoe Dr Ing Tihanyi; Wolfgang Dr Ing Werner
Original assignee: Siemens AG; Siemens Corp
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 1997-07-15
Filing date: 1997-07-15
Publication date: 1999-01-28
Anticipated expiration: 2017-07-16
Also published as: DE19730329C2

Abstract

In an integrated photocell array with p-n isolation (5), in which the photocell p-n junctions (2) are irradiated with light, the p-n isolation (5) is protected against the light irradiation (8) preferably by reflective layers (6, 7) which deflect the incident light towards the p-n junctions (2). Preferably, the reflective layers (6, 7) consist of aluminium and only permit entry of light parallel to the planes of the p-n junctions (2). The p-n isolation (5) may be provided with a buried light barrier layer of silicide, especially tungsten silicide. When the photocells consist of emitter-free bipolar transistors operated as photodiodes, a cover may be provided merely for the edge p-n junctions.

Description

Die Erfindung betrifft ein integriertes Fotozellenarray mit PN-Isolation, bei dem als Fotozellen verwendete PN-Übergänge mit Licht bestrahlt sind.The invention relates to an integrated photocell array PN isolation, for the PN transitions used as photocells are irradiated with light.

Bekanntlich können zur Isolation benachbarter Bauelemente voneinander in integrierten Schaltungen die sog. dielektri sche Isolation oder die Graben- bzw. Trench-Isolation ange wandt werden. Die dielektrische Isolation wird beispielsweise bei sog. Festkörper- bzw. Solid-State-Relais (SSR) einge setzt, während die Trench-Isolation zusammen mit wafergebon deten Scheiben in den verschiedensten integrierten Schaltun gen Verwendung findet.As is known, can be used to isolate neighboring components the so-called dielectri from each other in integrated circuits insulation or the trench or trench insulation be turned. The dielectric insulation is for example with so-called solid state or solid state relays (SSR) sets during the trench isolation together with wafergebon disks in various integrated circuits gene is used.

Die erwähnten SSR erfordern eine monolithische Integration von DMOS-Transistoren mit einer Durchbruchspannung bis etwa 400 V, Niedervoltbauelemente für die Ansteuerung und Schutz funktionen und ein Fotozellenarray das dann, wenn es bei spielsweise von einer Leuchtdiode angestrahlt ist, die not wendige Einschaltspannung zu liefern vermag.The SSR mentioned require monolithic integration of DMOS transistors with a breakdown voltage up to about 400 V, low-voltage components for control and protection functions and a photocell array when it comes to for example, is illuminated by a light emitting diode, which is not can supply agile switch-on voltage.

Für ein solches Fotozellenarray wird derzeit die dielektri sche Isolation verwendet, wobei ein Leckstrom zwischen ein zelnen Zellen des Fotozellenarrays nicht auftreten kann.The dielectri is currently used for such a photocell array insulation used, with a leakage current between one cells of the photocell array cannot occur.

Wird eine PN-Isolation zum elektrischen Isolieren von benach barten Fotozellen in einem integrierten Fotozellenarray ein gesetzt, so wird der Betrieb des Fotozellenarrays durch La dungsträger beeinträchtigt, die bei Bestrahlung der PN-Iso lation mit dem auf das Fotozellenarray einfallenden Licht freigesetzt werden. Daher ist eine PN-Isolation für inte grierte Fotozellenarrays bisher als wenig zweckmäßig angese hen.If a PN insulation for electrical insulation of neighboring embedded photocells in an integrated photocell array set, the operation of the photocell array is controlled by La manure carrier impaired when irradiating the PN-Iso lation with the light incident on the photocell array to be released. Therefore, PN isolation for inte hitherto considered photocell arrays as not very practical hen.

Es ist nun Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein integrier tes Fotozellenarray zu schaffen, dessen Betrieb nicht durch Ladungsträger beeinträchtigt wird, die bei Einfall des einge strahlten Lichtes auf die PN-Isolation ausgelöst werden.It is an object of the present invention to integrate to create photocell array, the operation of which is not Load carrier is impaired, which when turned on radiated light to be triggered on the PN insulation.

Diese Aufgabe wird bei einem integrierten Fotozellenarray mit PN-Isolation, bei dem als Fotozellen verwendete PN-Übergänge mit Licht bestrahlt sind, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die PN-Isolation vor einer Lichtbestrahlung geschützt ist. Hierzu können auf das integrierte Fotozellenarray Spiegel schichten aufgebracht werden, die einfallendes Licht zwar zu den PN-Übergängen der Fotozellen leiten, jedoch die PN-Iso lation vor dem einfallenden Licht abschirmen. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die PN-Isolation mit einer vergra benen Lichtsperrschicht zu versehen, für die beispielsweise Wolframsilizid (WSi) verwendet werden kann.This task is carried out with an integrated photocell array PN isolation, for the PN transitions used as photocells are irradiated with light, solved according to the invention in that the PN insulation is protected from light irradiation. For this purpose, mirrors can be mounted on the integrated photocell array layers are applied, the incident light to the PN transitions of the photocells, but the PN iso Shield the lation from the incident light. Another Possibility is to grate the PN insulation to provide light barrier layer, for example Tungsten silicide (WSi) can be used.

Es ist aber auch möglich, für die einzelnen Fotozellen als Fotodioden betriebene Bipolartransistoren ohne Emitter einzu setzen und bei diesen eine Abdeckung für am Rand der Fotozel le vorgesehene PN-Übergänge einzusetzen. Dabei wird aller dings davon ausgegangen, daß der Nutzstrom eines solchen Bi polartransistors ohne Emitter wesentlich größer ist als der parasitäre Leckstrom, der bei Bestrahlung mit Licht in der durch den Buried-Layer und das Substrat gebildeten Diode auf tritt. Es wird hier also im Gegensatz zu den anderen Ausfüh rungsbeispielen des erfindungsgemäßen integrierten Fotozel lenarrays bewußt ein geringer Leckstrom in Kauf genommen.But it is also possible for the individual photocells as Photodiodes operated bipolar transistors without emitters and put a cover on the edge of the photo cell Use the PN transitions provided. Everything will dings assumed that the useful current of such a Bi polar transistor without an emitter is much larger than that parasitic leakage current, which when irradiated with light in the diode formed by the buried layer and the substrate occurs. So here it is in contrast to the other executions Example of the integrated photo cell according to the invention lenarrays consciously accepted a low leakage current.

Für die bereits genannten Spiegelschichten kann in vorteil hafter Weise Aluminium eingesetzt werden. Es ist aber auch möglich, andere Materialien zu benutzen, sofern diese einfal lendes Licht ausreichend zu reflektieren vermögen.For the mirror layers already mentioned can be advantageous aluminum is used. It is also possible to use other materials, provided they come to mind reflecting light can adequately reflect.

In bevorzugter Weise sind die Spiegelschichten so angeordnet, daß sie das Licht, das auf das Fotozellenarray einfällt, in eine Richtung umlenken, die ungefähr parallel zu den Ebenen der PN-Übergänge verläuft. In bevorzugter Weise können die Spiegelschichten einerseits auf die einzelnen Fotozellen par allel zu den PN-Übergängen und andererseits zwischen den ein zelnen Fotozellen in der Form eines umgekehrten "V" mit einem Neigungswinkel von etwa 45° bezüglich der Ebene des jeweili gen PN-Überganges angeordnet werden. Anstelle einer Spiegel schicht können die PN-Übergänge auch mit einer beispielsweise aus Siliziumdioxid bestehenden Abdeckung versehen werden, so daß die außerhalb der PN-Übergänge angeordneten Spiegel schichten das Licht in den Bereich der PN-Übergänge ablenken.The mirror layers are preferably arranged such that that it blocks the light that falls on the photocell array redirect a direction that is roughly parallel to the planes the PN transitions run. In a preferred manner, the Mirror layers on the one hand on the individual photocells par allel to the PN transitions and on the other hand between the one individual photocells in the shape of an inverted "V" with a Inclination angle of about 45 ° with respect to the plane of the respective be arranged towards the PN junction. Instead of a mirror The PN transitions can also be layered with, for example cover made of silicon dioxide can be provided, so that the mirrors arranged outside the PN junctions layers deflect the light into the area of the PN junctions.

Bei dem erfindungsgemäßen integrierten Fotozellenarray er folgt also die Isolation zwischen den einzelnen Fotozellen über PN-Übergänge, d. h. eine PN-Isolation, wobei das einfal lende Licht so umgelenkt wird, daß lediglich die als Fotozel len verwendeten PN-Übergänge mit Licht bestrahlt sind.In the integrated photocell array according to the invention the insulation between the individual photocells follows via PN transitions, d. H. a PN isolation, which is easy lending light is deflected so that only as a photo cell len used PN junctions are irradiated with light.

Der Leckstrom der PN-Isolation ist zwar nicht Null wie bei der dielektrischen Isolation, aber um viele Größenordnungen kleiner als der Nutzstrom, der durch die Bestrahlung der PN- Übergänge der Fotozellen erzeugt wird.The leakage current of the PN insulation is not zero as with dielectric insulation, but by many orders of magnitude less than the useful current that is generated by the irradiation of the PN Transitions of the photocells is generated.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:The invention will be described in more detail below with reference to the drawings explained. Show it:

Fig. 1 eine Schnittdarstellung durch ein Fotozel lenarray nach einem ersten Ausführungsbei spiel der Erfindung, Fig. 1 is a sectional view through a Fotozel lenarray after a first Ausführungsbei game of the invention,

Fig. 2 ein Ersatzschaltbild zu dem Fotozellenarray von Fig. 1, Fig. 2 shows an equivalent circuit to the photo cell array of Fig. 1,

Fig. 3 eine Schnittdarstellung einer Fotozelle nach einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfin dung, Fig. 3 is a sectional view of a photocell-making according to a second embodiment of the OF INVENTION,

Fig. 4 ein Ersatzschaltbild zu dem zweiten Ausfüh rungsbeispiel von Fig. 3, Fig. 4 is an equivalent circuit diagram to the second exporting approximately example of Fig. 3,

Fig. 5 eine Schnittdarstellung durch ein Fotozel lenarray nach einem dritten Ausführungsbei spiel der Erfindung, und Fig. 5 is a sectional view through a Fotozel lenarray according to a third Ausführungsbei game of the invention, and

Fig. 6 eine Schnittdarstellung durch eine Fotozelle nach einem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Fig. 6 is a sectional view through a photocell according to a fourth embodiment of the invention.

In Fig. 1 sind in einem P-leitenden Siliziumsubstrat 1 zwei Fotozellen D1, D2 vorgesehen. Jede Fotozelle D1, D2 weist einen P-leitenden Bereich 3 sowie eine N-leitenden Bereich 4 auf. Zwischen den Bereichen 3, 4 besteht so ein PN-Übergang 2 der jeweiligen Fotozelle D1 bzw. D2.In Fig. 1 1, two photo cells D1, D2 are provided in a P-type silicon substrate. Each photocell D1, D2 has a P-type region 3 and an N-type region 4 . There is a PN junction 2 of the respective photocell D1 or D2 between the areas 3 , 4 .

Die beiden gezeigten Fotozellen D1 und D2 sind voneinander durch eine PN-Isolation 5 elektrisch getrennt, die durch den PN-Übergang zwischen dem Siliziumsubstrat 1 und den N-Berei chen 4 gebildet wird.The two photocells D1 and D2 shown are electrically separated from one another by a PN insulation 5 , which is formed by the PN junction between the silicon substrate 1 and the N regions 4 .

Bei Lichteinstrahlung soll das einfallende Licht die PN-Über gänge 2 erreichen, während die PN-Isolation 5 vor einem sol chen Licht möglichst geschützt sein soll, damit kein parasi tärer Leckstrom ausgelöst wird.When exposed to light, the incident light should reach the PN transitions 2 , while the PN insulation 5 should be protected from such light as possible so that no parasitic leakage current is triggered.

Erfindungsgemäß sind daher Spiegelschichten 6, 7 vorgesehen, die so angeordnet sind, daß sie das einfallende Licht einer seits zu den PN-Übergängen 2 leiten, andererseits jedoch die PN-Isolation 5 vor dem einfallenden Licht schützen. Im ein zelnen sind daher die Spiegelschichten 7 parallel zu dem PN- Übergang 2 auf den P-Bereich 3 aufgetragen, während die Spie gelschichten 6 in den Bereichen zwischen den Fotozellen D1, D2 unter einem Winkel von etwa 45° schräg verlaufen, so daß einfallendes Licht 8 zu den PN-Übergängen 2 umgelenkt wird. According to the invention, therefore, mirror layers 6 , 7 are provided, which are arranged such that they on the one hand guide the incident light to the PN junctions 2 , but on the other hand protect the PN insulation 5 from the incident light. In an individual, therefore, the mirror layers 7 are applied parallel to the PN junction 2 on the P region 3 , while the mirror layers 6 in the regions between the photocells D1, D2 are inclined at an angle of approximately 45 °, so that incident Light 8 is redirected to the PN junctions 2 .

Wesentlich ist also, daß durch die Spiegelschichten 6 das zu nächst senkrecht einfallende Licht 8 nur auf die als Fotozel len wirkenden PN-Übergänge 2 abgelenkt wird, so daß diese ausreichend bestrahlt sind, während die PN-Isolation 5 vor diesem Licht geschützt ist.It is therefore essential that the mirror layers 6 deflect the light 8 that is incident vertically only onto the PN junctions 2 acting as Fotozel len, so that these are sufficiently irradiated, while the PN insulation 5 is protected from this light.

Die Herstellung des erfindungsgemäßen Fotozellenarrays ist einfach durchzuführen: in das P-leitende Substrat 1 werden in üblicher Weise die N-Bereiche 4 durch Diffusion eingebracht, wonach in einem weiteren Diffusionsschritt die P-leitenden Bereiche 3 gebildet werden. Sodann werden die Gräben 9 ge ätzt, wozu die üblichen Ätzverfahren herangezogen werden kön nen. Schließlich werden sodann noch die Spiegelschichten 6, 7 aufgebracht, für die in bevorzugter Weise Aluminium verwendet werden kann.The photocell array according to the invention can be produced in a simple manner: the N-regions 4 are introduced into the P-type substrate 1 in a conventional manner by diffusion, after which the P-type regions 3 are formed in a further diffusion step. The trenches 9 are then etched, for which purpose the usual etching processes can be used. Finally, the mirror layers 6 , 7 are then applied, for which aluminum can be used in a preferred manner.

Fig. 2 zeigt ein Ersatzschaltbild des Ausführungsbeispiels von Fig. 1. Hier liegen n Fotozellen D1, D2, . . . Dn in Reihe zueinander, um bei Lichteinstrahlung (vgl. die Pfeile in Fig. 2) eine Gesamtspannung Un zu erzeugen. Die einzelnen Fo tozellen D1, D2, . . . Dn sind gegen das Substrat 1 bzw. dessen Anschluß S durch die jeweilige Dioden bildende PN-Isolation 5 isoliert. FIG. 2 shows an equivalent circuit diagram of the exemplary embodiment from FIG. 1. There are n photocells D1, D2,. . . Dn in series with each other in order to generate a total voltage Un when exposed to light (cf. the arrows in FIG. 2). The individual photocells D1, D2,. . . Dn are isolated from the substrate 1 or its connection S by the PN insulation 5 forming the respective diodes.

Fig. 3 zeigt eine Schnittdarstellung eines zweiten Ausfüh rungsbeispiels des erfindungsgemäßen Fotozellenarrays, das sich vom ersten Ausführungsbeispiel der Fig. 1 zunächst da durch unterscheidet, daß der N-leitende Bereich 4 über einen Buried-Layer (vergrabene Schicht) 9 kontaktiert ist, welcher N⁺-dotiert ist. Außerdem ist der P-Bereich 3 in den Bereich 4 eingebettet. Das Siliziumsubstrat 1 ist P⁻-leitend und geer det. Fig. 3 shows a sectional view of a second exemplary embodiment of the photocell array according to the invention, which differs from the first exemplary embodiment of FIG. 1 by the fact that the N-conducting region 4 is contacted via a buried layer (buried layer) 9 , which N Is ⁺-doped. In addition, the P area 3 is embedded in the area 4 . The silicon substrate 1 is P⁻-conductive and geer det.

Als wesentlicher unterschied zum Ausführungsbeispiel von Fig. 1 ist bei dem Fotozellenarray der Fig. 3 oberhalb der eigentlichen Fotozelle aus den Bereichen 3, 4 und 9 eine Ab deckung 10 aus beispielsweise Siliziumdioxid vorgesehen. Die se Abdeckung 10 ist lichtundurchlässig und über eine (nicht gezeigte) Zwischenschicht auf den Bereichen 3, 4 aufgebracht.As a significant difference from the exemplary embodiment of FIG. 1, a cover 10 made of, for example, silicon dioxide is provided in the photocell array of FIG. 3 above the actual photocell from the regions 3 , 4 and 9 . The se cover 10 is opaque and applied to the areas 3 , 4 via an intermediate layer (not shown).

Einfallendes Licht wird durch die Spiegelschichten 6 in den Gräben 9 wie beim Ausführungsbeispiel der Fig. 1 in den Be reich des PN-Überganges 2 zwischen dem P-Bereich 3 und dem N- Bereich 4 abgelenkt. Dieses einfallende Licht kann aber in folge der Abdeckung 10 nicht die PN-Isolation 5 zwischen dem N⁺-leitenden Buried-Layer 9 und dem Substrat 1 erreichen.Incident light is deflected by the mirror layers 6 in the trenches 9 as in the embodiment of FIG. 1 in the loading area of the PN junction 2 between the P area 3 and the N area 4 . However, this incident light cannot reach the PN insulation 5 between the N⁺-conducting buried layer 9 and the substrate 1 as a result of the cover 10 .

Fig. 4 zeigt ähnlich wie Fig. 2 ein Ersatzschaltbild zu dem Ausführungsbeispiel von Fig. 3. Auch hier können einzelne Fo tozellen D1, D2, . . . Dn in Reihe geschaltet werden, wobei diese voneinander durch die PN-Isolation 5 aus den Dioden isoliert sind, die durch den PN-Übergang zwischen dem Buried- Layer 9 und dem Substrat 1 erzeugt sind. Fig. 4 shows, similar to Fig. 2, an equivalent circuit diagram for the embodiment of Fig. 3. Here, too, individual photocells D1, D2,. . . Dn are connected in series, these being isolated from one another by the PN insulation 5 from the diodes which are produced by the PN junction between the buried layer 9 and the substrate 1 .

Fig. 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungs gemäßen Fotozellenarrays in einer Schnittdarstellung, bei dem anstelle von Spiegelschichten zum Schutz der PN-Isolation zwischen dem N-Bereich 4 und dem Siliziumsubstrat 1 eine Sperrschicht 11 aus beispielsweise Wolframsilizid eingesetzt wird. Diese Sperrschicht 11 reflektiert das einfallende Licht 8 zurück in den N-Bereich 4 und zu dem PN-Übergang 2. Die Be reiche 3, 4 sind bei diesem Ausführungsbeispiel in eine Wanne mit P-leitenden Seitenwänden 12 eingebettet, deren Oberseiten durch Abdeckschichten 13 aus beispielsweise Aluminium abge schirmt sind. Diese Abdeckschichten 13 wirken also ebenfalls als Spiegelschichten, wie dies in der linken Hälfte von Fig. 5 für das einfallende Licht 8 veranschaulicht ist. Die Abdeckschichten 13 verhindern damit, daß der PN-Übergang zwi schen den Seitenwänden 12 und dem N-Bereich 4 mit Licht be strahlt wird und einen Leckstrom erzeugt. Fig. 5 shows a further embodiment of the photocell array according to the Invention in a sectional view, in which a barrier layer 11 of, for example, tungsten silicide is used instead of mirror layers to protect the PN insulation between the N region 4 and the silicon substrate 1 . This barrier layer 11 reflects the incident light 8 back into the N region 4 and to the PN junction 2 . Be rich 3 , 4 are embedded in this embodiment in a tub with P-type side walls 12 , the tops of which are shielded by cover layers 13 made of aluminum, for example. These cover layers 13 thus also act as mirror layers, as is illustrated in the left half of FIG. 5 for the incident light 8 . The cover layers 13 thus prevent the PN junction between the side walls 12 and the N-area 4 be irradiated with light and generate a leakage current.

Für die Sperrschicht 11 kann anstelle von Wolframsilizid auch ein anderes Silizid in vorteilhafter Weise eingesetzt werden. Another silicide can also be used advantageously for the barrier layer 11 instead of tungsten silicide.

Fig. 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungs gemäßen integrierten Fotozellenarrays, wobei hier der P-Be reich 3 und der N-Bereich 4 zusammen mit dem Buried-Layer 9 und Anschlußdiffusionen 15 einen Bipolartransistor ohne Emit ter als Fotodiode bilden. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird davon ausgegangen, daß der Nutzstrom, der am PN-Übergang 2 entsteht, wesentlich größer ist als der parasitäre Leckstrom, der am PN-Übergang zwischen dem Buried-Layer 9 und dem Sili ziumsubstrat 1 auftritt. Die PN-Übergänge außerhalb der ei gentlichen Fotozelle sind hier ähnlich wie beim Ausführungs beispiel der Fig. 3 durch eine Abdeckung 10 aus beispielswei se Aluminium geschützt. Diese Abdeckung 10 ist über nicht ge zeigte Zwischenschichten auf der Oberfläche einer Epitaxie schicht 14 ausgebildet, in der das Fotozellenarray vorgesehen ist. Fig. 6 shows a further embodiment of the integrated photocell array according to the Invention, here the P-Be region 3 and the N region 4 together with the buried layer 9 and terminal diffusions 15 form a bipolar transistor without an emitter as a photodiode. In this embodiment, it is assumed that the useful current that arises at the PN junction 2 is substantially greater than the parasitic leakage current that occurs at the PN junction between the buried layer 9 and the silicon substrate 1 . The PN junctions outside the actual photocell are protected here, similar to the embodiment of FIG. 3, by a cover 10 made of aluminum, for example. This cover 10 is formed over ge not showing intermediate layers on the surface of an epitaxial layer 14 in which the photocell array is provided.

Das erfindungsgemäße integrierte Fotozellenarray läßt sich infolge seiner PN-Isolation wesentlich günstiger herstellen als Fotozellenarrays mit Trenchisolation. Dies ist insbeson dere darauf zurückzuführen, daß Halbleiterscheiben mit PN- Isolation wesentlich günstiger zu fertigen sind als Halblei terscheiben mit Trenchisolation. The integrated photocell array according to the invention can be produce much cheaper due to its PN insulation as photocell arrays with trench isolation. This is in particular due to the fact that semiconductor wafers with PN Insulation is much cheaper to manufacture than semi-lead washers with trench insulation.

Reference list

11

Siliziumsubstrat
Silicon substrate

22nd

PN-Übergang
PN transition

33rd

P-Bereich
P range

44th

N-Bereich
N range

55

PN-Isolation
PN isolation

66

, ,

77

Spiegelschichten
Mirror layers

88th

Licht
light

99

Buried-Layer
Buried layer

1010th

Abdeckung
cover

1111

Sperrschicht
Barrier layer

1212th

Seitenwände
side walls

1313

Abdeckschichten
Cover layers

1414

Epitaxieschicht
Epitaxial layer

1515

Anschlußdiffusion
D1, D2, . . . Dn Fotozellen
S Anschluß (Substrat)
Port diffusion
D1, D2,. . . Dn photocells
S connection (substrate)

Claims

1. Integrated photocell array with PN isolation ( 5 ), in which PN transitions ( 2 ) used as photocells are irradiated with light, characterized in that the PN isolation ( 5 ) is protected from light irradiation ( 8 ).

2. Integrated photocell array according to claim 1, characterized in that mirror layers ( 6 , 7 ) on the one hand guide incident light to the PN junctions ( 2 ) of the photocells, on the other hand shield the PN insulation ( 5 ) from the incident light ( 8 ).

3. Integrated photocell array according to claim 2, characterized in that the mirror layers ( 6 , 7 ) consist of aluminum.

4. Integrated photocell array according to claim 2 or 3, characterized in that the mirror layers ( 6 ) let the light fall parallel to the planes of the PN junctions ( 2 ).

5. Integrated photocell array according to one of claims 2 to 4, characterized in that the mirror layers on the one hand ( 6 ) on the individual photocells parallel to their PN transitions ( 2 ) and on the other hand ( 7 ) between the individual photocells in the form of a reverse "V" are arranged with an inclination angle of approximately 45 ° with respect to the plane of the respective PN junctions ( 2 ).

6. Integrated photocell array according to one of claims 1 to 4, characterized in that the PN junctions ( 2 ) are provided with a cover ( 10 ) so that they are only reached by deflected light ( 8 ).

7. Integrated photocell array according to claim 1, characterized in that the PN insulation ( 5 ) with a buried light blocking layer ( 11 ) is provided.

8. Integrated photocell array according to claim 7, characterized in that the light blocking layer ( 11 ) consists of a silicide, in particular re tungsten silicide.

9. Integrated photocell array according to claim 1, characterized in that in a bipolar transistor oh ne emitter operated as a photodiode, a cover ( 10 ) is provided only for edge PN transitions.