DE19716330A1

DE19716330A1 - Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung auf einem Schleifwerkzeug

Info

Publication number: DE19716330A1
Application number: DE19716330A
Authority: DE
Inventors: Thorsten Dr Matthee; Lothar Dr Schaefer
Original assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV
Current assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV
Priority date: 1997-04-18
Filing date: 1997-04-18
Publication date: 1998-10-22
Anticipated expiration: 2017-04-19
Also published as: US6042886A; DE19716330C2

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung auf ei nem Schleifwerkzeug.

Es ist bekannt, Schleifwerkzeuge mit einer Beschichtung, beispielsweise einer Diamantschicht zu versehen. Dabei wird die Oberflächenmorphologie der Be schichtung stets so eingestellt, daß eine glatte Schicht auf dem Grundkörper abgeschieden wird. Zum Schaffen eines entsprechenden Spanraumes für das Schleifen wird der Grundkörper mit einer Struktur, beispielsweise einem Außen gewinde versehen. Die auf dem Grundkörper abgeschiedene Diamantschicht hat als glatte Schicht die Aufgabe, einen Verschleißschutz und Schneidstoff für die Zerspanung zu bilden, denn in der Regel werden standfeste Schneidkanten und niedrige Reibkoeffizienten verlangt.

Es ist auch bekannt, einen Schleifbelag mit einzelnen Diamantkörnern in einer metallischen Binderphase zu verwenden. Die Binderphase kann galvanisch auf gebracht sein und dient neben der Verankerung der Diamantkörner dem gezielten Verschleiß. Der Spanraum ergibt sich bei diesen Werkzeugen dadurch, daß die Binderphase verschleißt und die Diamantkörner dann einen Überstand dieser gegenüber aufweisen. Diese Werkzeuge zu profilieren, ist sehr zeitaufwendig und erfordert viel Erfahrung.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein neues Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung auf einem Schleifwerkzeug zu schaffen, bei dem eine Dia mantbeschichtung als Schleifbelag vorgesehen ist.

Die Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 definierte Erfindung gelöst. Weiter bildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen definiert. Ein aufwendiges und teures Profilieren von metallgebundenem Diamantbelag bei bekannten Dia mantschleifwerkzeugen ist nicht mehr erforderlich. Im Chemical Vapor Deposi tion (CVD)-Verfahren aufzutragende Diamantschichten lassen sich recht leicht auf einem zu bearbeitenden Grundkörper konturgetreu abscheiden. Bei Wahl eines glatten Grundkörpers mit einer rauhen Diamantschicht, die im CVD-Ver fahren auf dem Grundkörper abgeschieden wurde, wird auch ohne eine Binderphase wie beispielsweise Kobalt ein ausreichend großer Spanraum für eine Feinbearbeitung von Werkstücken erzielt.

Es erweist sich auch als vorteilhaft, daß ein nach häufigem Verwenden even tuell abgenutztes Werkzeug, bei dem der Grundkörper freiliegt und die Dia mantbeschichtung abgetragen wurde, erneut im CVD-Verfahren beschichtet werden kann.

Für den Fachmann erweist es sich als besonders erstaunlich und prinzipiell ab wegig, daß eine reine Diamantschicht als Schleifschicht dienen kann. Die Rauhigkeit der Schicht kann vorteilhaft eingestellt und vorzugsweise an den bestimmten Anwendungsfall angepaßt werden.

Im Gegensatz zum Stand der Technik, bei dem möglichst wenig Oberflächen rauhigkeit als Ziel gesetzt ist, um beim Schleifen möglichst glatte Oberflächen zu hinterlassen, wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eine möglichst große Rauhigkeit zum Schaffen eines möglichst großen Spanraumes, der bei der Oberflächenbearbeitung erwünscht ist, eingestellt. Ein nicht ausreichender Spanraum würde nämlich zu dem Wiedereinarbeiten von Spänen in die zu be arbeitende Oberfläche und zu sonstigen Beeinträchtigungen der Funktion des Schleifwerkzeugs führen. Erfindungsgemäß wird nun ausreichender Spanraum zur Verfügung gestellt, gleichzeitig kann durch die Beschichtung aus Diamant aber im Mikrobereich wiederum sichergestellt werden, daß gleichwohl eine glatte und ausgezeichnete Oberfläche des bearbeiteten Werkstücks entsteht. Die Aufrauhung des Werkzeugs wirkt daher im Gegensatz zum Vorurteil des Fachmannes hier nicht kontraproduktiv. Anhand von Tests kann dies bereits be legt werden.

Im Prinzip wird ein Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung auf einem Schleifwerkzeug geschaffen, bei dem eine rauhe Diamantbeschichtung auf der Oberfläche des Schleifwerkzeugs durch Gasphasenabscheidung als Schleif belag erzeugt wird. Besonders bevorzugt wird das CVD-Verfahren, insbesondere das Hot Filament Chemical Vapor Deposition (HF-CVD)- Verfahren, vorgesehen. Die Diamantschicht wird dabei direkt vorzugsweise als phasenrein geschlossene Schicht auf dem Grundkörper des Schleifwerkzeuges abgeschieden. Es erweist sich auch als sehr vorteilhaft, die Diamantschicht in Verbindung mit geringen Mengen graphitisch gebundenen Kohlenstoffs zusammen abzuscheiden. Der graphitisch gebundene Kohlenstoff in der CVD- Diamantschicht kann zunächst verschleißen und gibt nach und nach den zwischen den Diamantkristallen vorgesehenen Spanraum frei.

Einerseits kann die Diamantschicht auf einem glatten Grundkörper abgeschie den werden. Andererseits wird der Grundkörper vorzugsweise vor dem Ab scheiden der Diamantschicht aufgerauht. Dies kann beispielsweise durch Sandstrahlen, Bearbeiten mit einer Feile, Schleifscheibe oder Bürste oder auch durch Bearbeitung mit einer Läppscheibe geschehen. Es wird bei der Bearbei tung mit einer Läppscheibe vorzugsweise eine sehr grobe Körnung, insbeson dere eine Körnung von » 10 µm, besonders bevorzugt von etwa 213 µm ge wählt. Eine solche grobe Körnung ist ausgesprochen ungewöhnlich für das Läppen, das normalerweise mit Korngrößen von wenigen um arbeitet. Von ei nem Fachmann auf diesem Gebiet würde eine solch grobe Körnung normaler weise nie in Betracht gezogen werden. Sie erweist sich jedoch im vorliegenden Fall als vorteilhaft, weil nicht nur eine Erhöhung der Oberflächenrauhigkeit da durch erzielt wird, sondern zusätzlich noch eine notwendige Vorbekeimung der zu beschichtenden Oberfläche des Grundkörpers auf diese Weise zugleich durchgeführt wird. Eine Vorbekeimung des Grundkörpers geschieht vorzugs weise bei Verwendung von körnigem Diamantmaterial oder Diamantwerkzeugen bei der Aufrauhung des Grundkörpers. Dadurch wird ein Arbeitsgang bei der Herstellung des Werkzeuges eingespart, mit entsprechenden Kosten- und Zeitvorteilen.

Alternativ zum Aufrauhen des glatten Grundkörpers kann auch ein poröser Grundkörper verwendet werden. Dieser weist bereits von sich aus eine aufge rauhte Oberfläche auf.

Durch die Aufrauhung des Grundkörpers wird die CVD-Diamantschicht auch mechanisch mit dem Grundkörper gut verankert und zeigt eine gute Haftung auf diesem.

Bei der Aufrauhung des Grundkörpers des Schleifwerkzeugs sollte darauf ge achtet werden, daß die von dem Werkzeug zu erfüllenden Toleranzen nicht überschritten werden, da meist Präzisionswerkzeuge beschichtet werden. Die Aufrauhung sollte jedenfalls so bemessen werden, daß die Diamantschicht gerade gut haftet.

Zum Schaffen einer rauhen CVD-Diamantschicht trägt der Abscheidungsprozeß selbst bei. Anders als beim Stand der Technik wird der Abscheidevorgang so eingestellt, daß sich eine möglichst rauhe Oberfläche, entsprechend einer (111)- oder (110)-Textur ergibt. Es sollen also möglichst viele Spitzen frei stehen. Um einen möglichst großen Spanraum zu erzielen, sollten die Körner, die die ein zelnen Spitzen bilden, möglichst groß wachsen. Dabei wird vorzugsweise darauf geachtet, daß eine sekundäre Keimbildung vermieden wird. Eine sekundäre Keimbildung beinhaltet, daß sich auf der Oberfläche der großen Körner oder Diamant-Kristalle kleinere Kristalle bilden und dort wachsen. Das Aufwachsen kleinerer Kristalle auf der Oberfläche eines großen führt letztendlich zu einer Verringerung der Rauhigkeit und damit zu einer Verringerung des Spanraumes. Dies soll aber gerade vermieden werden.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird eine möglichst hohe Substrattem peratur, insbesondere eine Temperatur von 900 bis 1000°C eingestellt. Diese ist im Vergleich zu einer bekannten Beschichtung von Hartmetall mit einer glat ten Diamantschicht sehr hoch. Bei der Beschichtung wird ein Methananteil von vorzugsweise etwa 1,0 bis 1,2% gewählt. Um einen größeren Anteil graphitisch gebundenen Kohlenstoffs zwischen den Diamantkörnern zu erhalten, kann der Methananteil noch weiter erhöht werden. Der Anteil graphitisch gebundenen Kohlenstoffs läßt sich durch den Methananteil einstellen. Für die genannten Pa rameter stellen sich beispielsweise Rauhigkeitswerte bei einem Werkzeug von Rz = 10 µm bei einer Schichtdicke von 20 µm bis 30 µm ein. Wird ein solches Schleifwerkzeug zum Schleifen von Korund eingesetzt, ergibt sich an dem Werkstück beispielsweise eine Rauhigkeit von etwa Rz = 5 µm.

Zur näheren Erläuterung der Erfindung werden im folgenden Ausführungsbei spiele eines Verfahrens zur Herstellung einer Beschichtung auf einem Schleif werkzeug anhand der Zeichnungen beschrieben. Diese zeigen in:

Fig. 1 eine Prinzipskizze des Verfahrensablaufs der Beschichtung eines Schleifwerkzeuges,

Fig. 2 einen schematischen Schnitt durch die Oberfläche eines nach dem erfindungsgemäßen Verfahren beschichteten Werkzeuges mit einem aufgerauhten Grundkörper,

Fig. 3 eine schematische Schnittansicht durch eine zweite Ausführungs form eines nach dem erfindungsgemäßen Verfahren beschichteten Werkzeuges mit glattem Grundkörper, und

Fig. 4 eine Prinzipskizze von erfindungsgemäß abgeschiedenen Diamant kristallen mit graphitischem Anteil.

In Fig. 1 ist eine Prinzipskizze des Verfahrensablaufs zur Beschichtung eines Schleifwerkzeuges mit einem Grundkörper dargestellt. Im Detailausschnitt ist ein Grundkörper 1 mit glatter Oberfläche 2 dargestellt. Im Verfahrensschritt 1 wird der glatte Grundkörper 1 aufgerauht. Dies wird durch Bearbeiten mit einem Diamantwerkzeug 3 erreicht. Das Diamantwerkzeug 3 kann beispielsweise eine Feile oder eine Läppscheibe sein. Vorteilhaft kann auch eine Bürste eingesetzt werden. Sowohl Feile als auch Läppscheibe weisen vorteilhaft eine grobe Körnung der Diamantkörner 4 auf, beispielsweise eine 213 µm-Körnung.

Alternativ zu der Bearbeitung mit einem Diamantwerkzeug 3 kann der Grund körper 1 auch gesandstrahlt werden. Dies ist in Fig. 1 durch eine Düse 5 mit Sand 6 skizziert. Vorzugsweise wird der Grundkörper 1 während der Behand lung zum Aufrauhen rotiert, um allseitig optimal bearbeitet werden zu können.

Das Werkzeug kann beispielsweise ein konventionelles Werkzeug fürs Honen oder aber ein Stift, eine Trennscheibe oder ähnliches sein.

Durch die Bearbeitung mit dem Diamantwerkzeug oder durch das Sandstrahlen erhält der Grundkörper 1 die im Verfahrensschritt II gezeigte aufgerauhte Ober fläche 2. Für die Beschichtung mit der Diamantschicht im CVD-Verfahren ist es jedoch nicht erforderlich, den Grundkörper wie im Verfahrensschritt I dargestellt, aufzurauhen. Diese Aufrauhung erweist sich zur Verbesserung der Haftung der aufzutragenden Diamantschicht und zur Vorbekeimung der Oberfläche des Grundkörpers als vorteilhaft.

Zur weiteren Verbesserung der Haftung der im Verfahrensschritt IV aufzu tragenden Diamantschicht wird vorteilhaft im Verfahrenschritt III der aufgerauhte Grundkörper mit einer Zwischenschicht 7 versehen. Die Zwischenschicht 7 verhindert oder vermindert vorteilhaft ein Ausgasen von Kohlenstoff, wenn bei spielsweise Graphit als Grundkörper verwendet wird. Die Zwischenschicht 7 ist also dicht und vereinfacht das Abscheiden von Diamant auf dem Grundkörper 1. Bei der Verwendung anderer Grundkörper, wie z. B. Stahl, kann eine Zwischenschicht 7 auch die Diffusion von solchen Elementen an die Oberfläche vermindern, die das Diamantwachstum hemmen. Vorzugsweise ist die Oberfläche der Zwischenschicht ebenfalls rauh und unterstützt daher die Rauhigkeit der Oberfläche des Grundkörpers. Die Zwischenschicht wird nach dem Auftragen vorteilhaft noch vorbekeimt. Sie kann beispielsweise eine Platin- und/oder Goldschicht sein.

Im Verfahrensschritt IV findet die eigentliche Beschichtung mit einer Diamant schicht 8 statt. Der vorbereitete Grundkörper 1 ist in eine Vorrichtung zur Durchführung eines Gasphasenabscheidungs- oder Chemical Vapor Deposition (CVD)-Verfahrens eingefügt. Vorzugsweise wird ein Hot Filament Chemical Vapor Deposition (HF-CVD)-Verfahren durchgeführt. Von einer solchen Vor richtung zur Durchführung des Gasphasenabscheidungsverfahrens ist lediglich ein Filament 9 dargestellt. Für die Beschichtung wird eine im Vergleich zu der Diamantbeschichtung von Hartmetall recht hohe Substrattemperatur gewählt. Vorzugsweise werden Temperaturen von 900 bis 1000°C gewählt. Durch Variation des Methananteils bei der Gasphasenabscheidung kann die Zusam mensetzung der Diamantbeschichtung hinsichtlich eventuell vorhandener und/oder vorgesehener Anteile graphitisch gebundenen Kohlenstoffs verändert werden.

Fig. 2 zeigt einen schematischen Detailausschnitt eines nach dem Verfahren gemäß Fig. 1 beschichteten Werkzeugs im Schnitt. Durch Aufrauhen des Grundkörpers 1 weist dessen Oberfläche 2 Spitzen und Zacken auf. Diese werden umgeben von der Diamantbeschichtung 8. Die Spitzen und Zacken geben eine unregelmäßig starke Rauhigkeit vor, die durch die Beschichtung nicht ausgeglichen oder nennenswert eingeebnet wird. Vielmehr wird diese Rauhigkeit noch durch die Konsistenz und Beschaffenheit der Diamant beschichtung verstärkt.

Die Diamantschicht dient einerseits dem Spanabtrag auf der Oberfläche des Werkstücks, andererseits aber auch als Verschleißschutz der Oberfläche des Grundkörpers. Der Grundkörper ist gerade so stark aufgerauht, daß die Diamantschicht auf ihm gut haftet und die von dem Werkzeug als Präzisionswerkzeug zu erfüllenden Toleranzen nicht überschritten werden.

Anstelle des Verfahrensschrittes I gemäß Fig. 1 zum Erzielen einer aufgerauhten Oberfläche des Grundkörpers kann vorzugsweise auch ein poröser Grundkörper gewählt werden. Dessen Oberfläche zeigt dann ein ähnliches Bild wie die aufgerauhte Oberfläche 2 des Grundkörpers 1 gemäß Fig. 2. Die Porosität sollte im wesentlichen möglichst groß gewählt werden, insbesondere liegt sie bei 12 bis 15%.

Als Material für den Grundkörper wird vorteilhaft ein Material gewählt, mit einem kleinen Ausdehnungskoeffizienten, insbesondere mit einem Ausdehnungs koeffizienten von 1,3.10^-6 1/K bis 1,6.10⁶ 1/K, um auch bei den hohen Beschichtungstemperaturen ein optimales Ergebnis der Beschichtung zu erzielen.

Diamant weist einen sehr kleinen Ausdehnungskoeffizienten von etwa 1.10^-6 1/K auf. Daher kommt es nach der Beschichtung bei hohen Temperaturen und anschließendem Abkühlen auf Raumtemperatur zu erheb lichen thermischen Spannungen, sofern der Ausdehnungskoeffizient des Grund körpers nicht angepaßt ist. Diese Spannungen können so groß werden, daß es zu unerwünschten Abplatzungen der Beschichtung kommt, wenn die Schichtan bindung an den Grundkörper nicht optimal ist.

In Fig. 3 ist eine zweite Ausführungsform einer erfindungsgemäß hergestellten Beschichtung eines Werkzeuges mit einem glatten Grundkörper 1 dargestellt. Auf den glatten Grundkörper ist eine rauhe Diamantschicht 10 abgeschieden. Die rauhe Diamantschicht ist so vorgesehen, daß möglichst viele Spitzen frei stehen. Eine solche Textur wird mit (111) oder (110) bezeichnet. Der zum Zerspanen benötigte Spanraum wird bei der dargestellten Diamantschicht durch die Zwischenräume zwischen den Kristallen selbst zur Verfügung gestellt. Ein solches Schleifwerkzeug eignet sich besonders für die Feinbearbeitung von Werkstücken. Für den Fachmann ist es erstaunlich, daß mit einer durch ein Gasphasenabscheideverfahren auf einem glatten Grundkörper abgeschiedenen Diamantschicht überhaupt ein Schleifen möglich ist. Ein Schleiffachmann würde einerseits die Rauhigkeit einer im Gasphasenabscheideverfahren abge schiedenen Diamantschicht für zu gering halten im Vergleich zu konventionellen Werkzeugen und andererseits das Mangeln einer sogenannten Binderphase, wie sie bei konventionellen Werkzeugen für einen gezielten Verschleiß vorgesehen ist, bemängeln.

Um ein Haften der Diamantschicht auf dem glatten Grundkörper zu begünstigen wird dieser zunächst vor der Gasphasenabscheidung vorteilhaft vorbekeimt. In der in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform ist eine phasenreine, geschlos sene Diamantschicht ohne Zusätze wie beispielsweise Kobalt direkt auf dem glatten Grundkörper abgeschieden. Bei dem Gasphasenabscheideverfahren kann aber auch graphitisch gebundener Kohlenstoff in die CVD-Diamantschicht mit eingebaut werden. Eine solche Ausführungsform ist in Fig. 4 schematisch skizziert. Eine solche Schicht 11 aus graphitisch gebundenem Kohlenstoff umlagert die einzelnen Diamantkristalle 12. Der Spanraum S wird durch die jeweilige obere Begrenzung der Diamantkristalle 12 und der Schicht 11 aus graphitisch gebundenem Kohlenstoff erzeugt.

Der graphitisch gebundene Kohlenstoff wird im Vergleich zur Diamantschicht recht schnell verschlissen und gibt nach und nach wieder neuen Spanraum zwischen den einzelnen Diamantkristallen 12 frei.

Der Anteil des graphitisch gebundenen Kohlenstoffs in der Diamantschicht kann durch entsprechende Variation des Methananteils bei der Gasphasenab scheidung eingestellt werden. Beispielsweise beträgt der Methananteil bei der Gasphasenabscheidung etwa 1,0 bis 1,2%. Bei der Gasphasenabscheidung werden die einzustellenden Parameter, wie Zeit, Temperatur, Gasanteile etc., so gewählt, daß, wie ideal in Fig. 4 dargestellt, möglichst nur große Kristalle 12 wachsen. Auf der Oberfläche der großen Diamantkristalle 12 können nämlich durch sekundäre Keimbildung auch kleinere Kristalle wachsen. Dieses würde aber zu einer Verringerung der Rauhigkeit der Diamantschicht und damit ebenfalls zu einer Verringerung des zur Verfügung stehenden Spanraumes S führen, was unerwünscht ist.

Die Diamantschicht wächst zunächst phasenrein auf. Dadurch wird eine gute Haftung der Diamantschicht an dem Grundkörper erzielt. Erst wenn die Diamantschicht gänzlich geschlossen und bereits eine etwa 2 µm dicke Diamantschicht aufgewachsen ist, wird die Gasphase während des laufenden Abscheideverfahrens geändert. Die Änderung zielt darauf, daß sich graphitisch gebundener Kohlenstoff und Diamant gleichermaßen abscheiden. Dadurch wird der vorteilhafte Effekt des kontinuierlichen Schaffens von Spanraum erzielt.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können auf Werkzeugen beispielsweise Rauhigkeitswerte von Rz = 10 µm und eine Schichtdicke der Diamantschicht von 20 bis 30 µm erzeugt werden. Schleifwerkzeuge mit einem Rauhigkeitswert von Rz = 10 µm können beim Abschleifen von einem Werkstück aus Korund auf diesem Werkstück beispielsweise eine Rauhigkeit von Rz = 5 µm erzeugen. Es wird damit etwa der halbe Rauhigkeitswert des Werkstücks bezüglich des Rauhigkeitswertes des Werkzeuges erzeugt.

Durch das vorherige Aufrauhen eines glatten Grundkörpers mit einem Diamant werkzeug, beispielsweise einer Läppscheibe mit grober Körnung, kann vor teilhaft ein Verfahrensschritt, nämlich der der Vorbekeimung, eingespart wer den. Dies erspart Zeit und Kosten bei der Herstellung der Beschichtung des Schleifwerkzeuges.

Bezugszeichenliste

1

Grundkörper

2

Oberfläche

3

Diamantwerkzeug

4

Diamantkörner

5

Düse

6

Sand

7

Zwischenschicht

8

Diamantschicht

9

Filament

10

Diamantschicht

11

Schicht aus graphitisch gebundenem Kohlenstoff

12

Diamantkristall
S Spanraum

Claims

1. Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung auf einem Schleifwerkzeug, dadurch gekennzeichnet, daß eine rauhe Diamantbeschichtung (8, 10) auf der Oberfläche (2) eines Grundkörpers (1) des Schleifwerkzeuges durch Gasphasenabscheidung als Schleifbelag erzeugt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Diamantschicht (8, 10) im Chemical Vapor Deposition (CVD)-Verfah ren auf dem Schleifwerkzeug abgeschieden wird, insbesondere im Hot Fila ment Chemical Vapor Deposition (HF-CVD)-Verfahren.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Diamantschicht (8, 10) direkt als phasenrein geschlossene Schicht auf dem Schleifwerkzeug-Grundkörper (1) abgeschieden wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Diamantschicht (8, 10) mit geringen Mengen graphitisch gebundenen Kohlenstoffs zusammen auf dem Grundkörper (1) des Schleifwerkzeugs ab geschieden wird.

5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche (2) des Grundkörpers (1) rauh oder im wesentlichen po rös ist oder aufgerauht wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß zum Aufrauhen des Grundkörpers (1) körniges Diamantmaterial oder ein Diamantwerkzeug verwendet wird.

7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (1) mittels einer Läppscheibe (3) mit großer Körnung, insbesondere mit einer Körnung »10 µm, oder im Rollverfahren aufgerauht wird.

8. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (1) vor seiner Beschichtung mit der Diamantschicht (8, 10) gesandstrahlt wird.

9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (1) gerade so stark aufgerauht wird, daß die Diamant schicht (8, 10) gut haftet, und die von dem Werkzeug zu erfüllenden Tole ranzen nicht überschritten werden.

10. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Textur der Beschichtung (8, 10) so eingestellt wird, daß möglichst viele Spitzen frei stehen, entsprechend einer (111)- oder (110)-Textur.

11. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Diamantkristalle (12) der Beschichtung (8, 10) möglichst groß aufwachsen.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß eine sekundäre Keimbildung vermieden wird.

13. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Substrattemperatur von T = 900 bis 1000°C eingestellt wird, und daß ein Methananteil von 1,0 bis 1,2% eingestellt wird.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Mengenanteil des in der Diamantschicht eingefügten graphitisch gebundenen Kohlenstoffs durch Ändern des Methananteils in der Gaspha senabscheidung verändert wird.

15. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Diamantbeschichtung (8, 10) durch Ändern der Beschich tungstemperatur, -zeit und Gaszusammensetzung homogen eingestellt wird.

16. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Diamantschicht im ersten Schritt phasenrein auf den Grundkörper aufwächst, und daß bei gänzlich geschlossener Diamantschicht und einer Schichtdichte von insbesondere 2 um während des laufenden Gasphasen abscheideprozesses die Gasphase dahingehend geändert wird, daß gra phitisch gebundener Kohlenstoff und Diamant zugleich abgeschieden wer den.

17. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für den Grundkörper (1) eines mit einer im wesentlichen gro ßen Porosität, insbesondere mit einer Porosität von 12 bis 15%, und/oder ein Material mit einem kleinen Ausdehnungskoeffizienten, insbesondere mit einem Ausdehnungskoeffizienten von 1,3.10^-6 1/K bis 1,6.10^-6 1/K, gewählt wird.

18. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Schleifwerkzeug konventionelle Werkzeuge, wie Stifte, Trennschei ben oder dergleichen, oder Werkzeuge für das Honen beschichtet werden.