DE19710401C1 - Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristallzellen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von FlüssigkristallzellenInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 30
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 6
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 claims description 40
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 claims description 40
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 claims description 40
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 claims description 40
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 claims description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 33
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 32
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 8
- 238000006748 scratching Methods 0.000 claims description 5
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003197 gene knockdown Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer
Flüssigkristallzelle wie es bereits aus dem Artikel
"Simplest Process Color TFT-LCDs" bekannt ist. Die
Flüssigkristallzelle besteht aus zwei Glasplatten, welche in
einem geringen Abstand voneinander, der durch Abstandshalter
eingehalten wird, zusammengeklebt sind. Zwischen diesen
Glasplatten befindet sich der Flüssigkristall. Einen der
beiden Glasplatten ist auf der Innenseite der
Flüssigkristallzelle mit einer oder mehreren
Photoemulsionsschichten beschichtet.
Aus der JP 8-166 583 (A) ist eine Flüssigkristallzelle
bekannt, bei welcher ein Schutzfilm auf die Filterplatte zum
Schutz vor Sägestaub beim Zerteilen aufgebracht ist. Dieser
Schutzfilm weist im Bereich der Schnittlinien Auslässe auf,
wobei die Filterschicht bereits vor Aufbringen der
Schutzschicht so strukturiert ist, daß sie die Randzonen
ausläßt.
Die JP 61-132 929 (A) beschreibt ein Verfahren zur
Herstellung von Flüssigkristallanzeigen, bei welchem eine
Glasplatte zuerst mit einem Elektrodenfilm aus Indium-Zinn-
Oxid beschichtet wird, auf welchen dann eine gelantine
basierte Filterschicht erzeugt wird.
Weiterhin ist aus JP-61-48 803 (A) ein Verfahren zur
Herstellung eines Farbfilters bekannt, bei welchem ein
Glasubstrat mit Gelantine beschichtet wird, welche wiederum
mit einem Photoresist überzogen wird. In dem Bereich, in dem
der Photoresist entfernt wird, kann der Farbfilter durch
Plasmaätzen entfernt werden. Die als Photoresist
ausgebildete Schutzschicht muß nach dem Ätzvorgang dann
insgesamt entfernt werden.
Weiterhin ist es Stand der Technik, mehrere
Flüssigkristallzellen, wobei jedoch statt der Photoemulsion
eine farbige Pigmentbeschichtung benutzt wird, auf einer
großen Glasplatte herzustellen, welche am Ende des
Herstellungsprozesses angeritzt und gebrochen wird.
Das Brechen der mit Photoemulsion beschichteten Glasplatte
ist jedoch problematisch, was die Massenfertigung von Flüs
sigkristallzellen mit einer Photoemulsionsbeschichtung er
schwert. Die Photoemulsion besteht üblicherweise aus einer
relativ dicken (beispielsweise 16 Mikrometer) Gelatine
schicht, welche sich in großen Flächen beim Brechen vom Glas
ablöst. Da Gelatine außerdem feuchtigkeitsempfindlich ist,
ist auch das Schneiden mittels eines Wasserstrahls unmög
lich.
Das erfindungsgemäße Verfahren mit den kennzeichnenden Merk
malen des Anspruchs 1 hat demgegenüber den Vorteil, daß meh
rere mit Gelatine beschichtete Glasplatten in einem einzigen
Prozeßdurchgang hergestellt werden können. Hierdurch wird
einerseits die Produktion vereinfacht und auch verbilligt,
andererseits werden somit auch Schwankungen in der Produkti
onsqualität verringert. Das erfindungsgemäße Verfahren mit
den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 7 hat den Vor
teil, daß es erlaubt, Flüssigkristallzellen mit Farbfiltern
aus Photoemulsion oder auch mit Schwarzer Matrix aus Photoe
mulsion in großen Stückzahlen und damit preiswerter herzu
stellen.
Durch die in den abhängigen Ansprüchen aufgeführten Maßnah
men sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des
in den unabhängigen Ansprüchen angegebenen Verfahrens mög
lich.
So ist das Erzeugen der Sollbruchstelle durch Ritzen beson
ders vorteilhaft, da für diese Methode der Trennung bereits
vorhandene numerisch computergesteuerte Maschinen herangezo
gen werden können.
Glas vereint in vorteilhafter Weise günstige mechanische Ei
genschaften, da es durch Anritzen und Brechen geteilt werden
kann, und günstige optische Eigenschaften, da es mit sehr
geringem Absorptionskoeffizienten hergestellt werden kann.
Darüber hinaus ist Glas chemisch inert und kann mit einer
Vielzahl von Beschichtungen versehen werden.
Das Sputtern der Schutzschicht stellt eine relativ preiswer
te Dünnschichttechnik dar und führt daher zur weiteren Ver
billigung der Herstellung.
Durch die Verwendung von Indium-Zinn-Oxid als Schutzschicht
erhält man in vorteilhafter Weise eine Schicht, welche über
ihre Schutzfunktion hinaus sowohl elektrisch leitend als
auch optisch transparent ist. Somit kann die Schutzschicht
eine Doppelfunktion als Schutzschicht und Elektrode erfül
len.
Es ist besonders vorteilhaft, die Gelatineschicht mit Hilfe
von reaktivem Ionenätzen unter Verwendung von O2-Ar-Sf6 ab
zutragen, da dieser Verfahrensschritt einerseits eine gründ
liche Abtragung der Gelatine in den exponierten Bereichen
gewährleistet, jedoch gleichzeitig den Randbereich der Gela
tine, der nicht abgetragen werden soll, auch nicht in Mit
leidenschaft zieht. Somit werden sehr scharfe Ränder ohne
Unterätzungen erzeugt.
Schließlich ist es vorteilhaft, auf die Schutzschicht eine
Orientierungsschicht aufzubringen, da hierdurch ein in die
Flüssigkristallzelle einzufüllender Flüssigkristall eine ge
nau definierte Vorzugsrichtung erhält.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher er
läutert. Es zeigen Fig. 1 bis Fig. 6 ein Verfahren zur
Herstellung einer mit Gelatine beschichteten Platte, Fig. 7
eine Flüssigkristallzelle, Fig. 8 bis 10 ein Verfahren
zur Herstellung einer Flüssigkristallzelle.
In Fig. 1 ist eine Vorläuferplatte 21 zu sehen, welche aus
einem spröden Material, beispielsweise Glas besteht.
Die Vorläuferplatte 21 wird mit einer Gelatineschicht 13
versehen. Fig. 2 zeigt die Vorläuferplatte 21 nach diesem
Verfahrensschritt.
Fig. 3 zeigt, wie auf die mit einer Gelatineschicht 13 ver
sehene Vorläuferplatte 21 eine Blende 20 aufgelegt wurde.
Die in diesem Ausführungsbeispiel verwendete Blende 20 weist
im hier gewählten Ausführungsbeispiel im wesentlichen Stege
auf, welche in einem Rechteckgitter angeordnet sind, sowie
Aussparungen, welche etwa die Form von Rechtecken haben.
Durch die Aussparungen der Blende 20 wird nun eine Schutz
schicht auf die Gelatineschicht 13 aufgesputtert.
Unter Sputtern versteht der Fachmann die Zerstäubung von
Festkörpern durch Ionenbeschuß. Ein Substrat, welches im
hier gewählten Ausführungsbeispiel aus Indium-Zinn-Oxid be
steht, und in Fig. 3 nicht dargestellt ist, wird mit einem
Ionenstrahl beschossen, so daß sich zerstäubtes Indium-Zinn-
Oxid 22 auf der Gelatineschicht 13 und der Blende 20 nieder
schlagen kann.
Im nächsten Verfahrensschritt wird die Blende 20 abgenommen,
so daß eine Vorläuferplatte 21, welche mit einer Gelatine
schicht 13 beschichtet ist, welche wiederum mit in etwa
rechteckigen Segmenten von Schutzschicht 14 versehen ist,
zurückbleibt. Dies ist in Fig. 4 gezeigt. Auf diese mit der
strukturierten Schutzschicht 14 versehene Gelatineschicht 13
wird nun ein Ätzgasstrahl 23 gerichtet.
Der Ätzgasstrahl 23 besteht beispielsweise aus einem O2-Ar-
SF6-Gasgemisch, welches die aus Indium-Zinn-Oxid bestehende
Schutzschicht 14 nicht angreift, jedoch die Gelatine 13, in
den Bereichen, in denen sie nicht von der Schutzschicht 14
bedeckt ist, abträgt. Es sind auch andere Gasgemische denk
bar, es ist hierbei jedoch zu berücksichtigen, daß Gelatine
wasserempfindlich ist und bei Berührung mit Wasser auf
quillt.
Fig. 5 zeigt die Vorläuferplatte 21 nach Beendigung des
Ätzschritts. Die Vorläuferplatte 21 ist mit in etwa rechtec
kig strukturierten Gelatineschichten 13 versehen, welche von
ebenfalls in etwa rechteckig strukturierten Schutzschichten
14 bedeckt ist.
Im in Fig. 6 gezeigten letzten Verfahrensschritt wird die
Vorläuferplatte 21 in einzelne Segmente geteilt, wobei jedes
Segment eine rechteckige Vielschichtstruktur aus Gelatine
schicht 13 und Schutzschicht 14 aufweist. Diese Teilung er
folgt entlang der Bruchlinien 26. Das Teilen der Vorläufer
platte 21 erfolgt, indem die Vorläuferplatte entlang der
Bruchlinien 26 geritzt wird, so daß eine Sollbruchstelle 25
entsteht. Anschließend wird die Vorläuferplatte 21 durch
schlagartiges Aufbringen einer Kraft 24 geteilt.
Das erfindungsgemäße Verfahren wurde anhand einer mit Gela
tine beschichteten Glasplatte illustriert. Die Relevanz des
Verfahrens liegt darin, daß Gelatine das Träger- und Binde
material für Photoemulsion darstellt, und weitgehend deren
mechanische Eigenschaften bestimmt. Die Photoemulsion wie
derum wird gebraucht, um einige Fertigungsschritte im Be
reich der Fertigung von Flüssigkristallzellen besonders ra
tionell zu gestalten, wie in den eingangs zitierten Dokumen
ten zum Stand der Technik geschildert wird.
Sollten andere Materialien als Gelatine zur Herstellung von
Photoemulsion zur Verfügung stehen, so ist das Verfahren
selbstverständlich auch hierfür gedacht.
Andererseits ist das Verfahren auch geeignet, um beispiels
weise fotografische Platten rationeller herzustellen.
Die Blende 20 besteht im hier gezeigten Ausführungsbeispiel
aus einem Blech, welches mit Hilfe einer Fräse strukturiert
wurde. Die hierdurch erzielte Genauigkeit ist hinreichend
für den beabsichtigten Einsatz in einer Flüssigkristallan
zeige.
Eine Flüssigkristallanzeige, in welcher die mit Gelatine und
einer Schutzschicht beschichtete Glasplatte eingesetzt wer
den kann, ist in Fig. 7 gezeigt. Hierbei bezeichnen gleiche
Bezugszeichen wie in den Fig. 1 bis 6 gleiche Bestandtei
le.
Die Flüssigkristallzelle besteht aus einer ersten Platte 1
und einer zweiten Platte 2, welche parallel zueinander ange
ordnet sind. Die erste Platte 1 ist auf ihrer der zweiten
Platte 2 zugewandten Seite mit einer Gelatineschicht 13 ver
sehen, welche ihrerseits wiederum mit einer Schutzschicht 14
versehen ist. Die lateralen Abmessungen der Gelatineschicht
13 und der Schutzschicht 14 sind etwas kleiner als die der
ersten Platte 1, so daß ein Randbereich der ersten Platte 1
auf der der zweiten Platte 2 zugewandten Fläche ohne Be
schichtung bleibt. Die zweite Platte 2 ist auf ihrer der er
sten Platte 1 zugewandten Seite mit einer leitenden Be
schichtung 12 versehen. Die lateralen Abmessungen der lei
tenden Beschichtung 12 sind ebenfalls etwas geringer als die
lateralen Abmessungen der zweiten Platte 2, welche wiederum
die gleichen lateralen Abmessungen besitzt wie die erste
Platte 1. Die erste Platte 1 und die zweite Platte 2 sind
durch eine Schicht aus Kleber 11 miteinander verbunden. Der
Kleber 11 ist in dem Bereich der ersten und zweiten Platte
aufgebracht, in welchem eine der Beschichtungen 12, 13, 14
ist. Um zu verhindern, daß die Schutzschicht 14 und die lei
tende Beschichtung 12 einander berühren, befinden sich zwi
schen diesen Abstandshaltern 15, welche beispielsweise aus
kurzen Bruchstücken einer Glasfaser bestehen. Ebenso kann
der Kleber mit den Abstandshaltern vermischt werden. Somit
entsteht zwischen der ersten Platte 1 und der zweiten Platte
2 ein Zwischenraum 18, welcher zwischen den beiden Platten
1, 2 vom Kleber 11 versiegelt wird. In diesem Zwischenraum
18 befindet sich der Flüssigkristall. Die bisher beschriebe
nen Bestandteile bilden die Flüssigkristallzelle. Die Flüs
sigkristallzelle kann als Flüssigkristallanzeige verwendet
werden, indem sie beispielsweise mit einer Beleuchtungsein
heit 16 versehen wird, welche Licht 17 ausstrahlt, das ent
weder durch die Flüssigkristallzelle transmittiert wird oder
von dieser reflektiert wird. Gegebenenfalls sind noch zu
sätzliche optische Folien und mechanische Bauteile vorzuse
hen, welche jedoch nicht erfindungsrelevant sind.
Im folgenden soll gezeigt werden, wie mit Hilfe des in den
Fig. 1 bis 5 dargestellten Verfahrens eine Flüssigkri
stallanzeige, wie sie in Fig. 7 dargestellt ist, herge
stellt werden kann. Zur Herstellung einer Flüssigkristall
zelle wird die in Fig. 5 dargestellte Vorläuferplatte 21,
auf welcher sich die in Rechtecke strukturierte Gelatine
schicht 13 befindet, welche wiederum ihrerseits von einer in
gleicher Form strukturierten Schutzschicht bedeckt ist, her
angezogen. Diese Anordnung wird mit kurzen Bruchstücken ei
ner Glasfaser bestreut, welche als Abstandshalter 15 dienen.
Auf die Vorläuferplatte 21 werden weiterhin Raupen aus Kle
ber aufgebracht, wobei je eine Raupe ein Rechteck aus Gela
tine und Schutzschicht fast vollständig umfaßt. Um in einem
folgenden Verfahrensschritt die Befüllung mit dem Flüssig
kristall zu ermöglichen, ist es ratsam, die Raupe in Form
eines nicht vollständig geschlossenen Rechtecks auszubilden.
Fig. 8 zeigt die Vorläuferplatte 21 nach Durchführung die
ser beiden Verfahrensschritte, welche in beliebiger Reihen
folge erfolgen können.
Der Kleber 11 ist vorteilhafterweise, aber nicht notwendi
gerweise, so angeordnet, daß er teilweise die mit der Pho
toemulsion beschichtete, teilweise die von der Photoemulsion
befreiten Flächen bedeckt. Er schützt somit wirkungsvoll die
Seitenflächen vor Feuchtigkeit.
Im nächsten Verfahrensschritt wird auf die aus Vorläufer
platte 21, Gelatineschicht 13, Schutzschicht 14, Abstands
halter 15 und Kleber 11 bestehende Anordnung eine obere Vor
läuferplatte 30 abgesenkt. Die obere Vorläuferplatte 30 ist
hierbei als dünne Glasplatte 31 ausgebildet, welche mit ei
ner durchgehenden Indium-Zinn-Oxidschicht 32 versehen ist.
Fig. 9 zeigt die nach diesem Verfahrensschritt entstandene
Anordnung.
Fig. 10 zeigt, wie die in Fig. 9 entstandene Anordnung aus
Vorläuferplatte 21, mit Gelatineschicht 13 und Schutzschicht
14, die mit Kleber 11 und Abstandshalter 15 mit der oberen
Vorläuferplatte 30 verbunden ist, geteilt wird. Hierzu wird,
analog zu Fig. 6, Vorläuferplatte 21 und die obere Vorläu
ferplatte 30 durch Ritzen mit Sollbruchstellen 25 versehen.
Durch schlagartige Einwirkung einer Kraft 24 kann die Anord
nung entlang der durch die Sollbruchstellen 25 definierten
Bruchlinien 26 gebrochen werden.
Somit wird eine Flüssigkristallzelle ähnlich der in Fig. 7
gezeigten gewonnen, wobei die Bruchteile der Vorläuferplatte
21 die erste Platte 1, die Bruchteile der oberen Vorläufer
platte 30 die zweite Platte 2 der leitenden Beschichtung 12
bilden.
Die durch Teilung der in Fig. 10 gezeigten Anordnung ent
standenen Flüssigkristallzellen weisen, im Gegensatz zur in
Fig. 7 dargestellten Flüssigkristallzelle, eine Beschich
tung auf der zweiten Platte 2 auf, deren laterale Abmessun
gen genauso groß sind, wie die der zweiten Platte 2 selbst.
Beide Größenverhältnisse sind möglich und vorgesehen und
sollen nicht erfindungsrelevant sein.
Es ist ebenso möglich und vorgesehen, auf wenigstens eine
der beiden Platten eine Orientierungsschicht aufzubringen,
die dazu dient, dem Flüssigkristall eine stabile Orientie
rung zu verleihen. Dies kann beispielsweise aus Polyimid be
stehen, welches auf der Oberfläche durch geeignete Mittel
texturiert wird. Wenn diese Orientierungsschicht auf die
schon geätzte und mit der Schutzschicht beschichtete Gelati
neschicht nach Abnehmen der Blende aufgetragen wird, so er
gibt sich der zusätzliche Vorteil, daß die Ränder der Gela
tineschicht gegen Umwelteinflüsse, insbesondere Feuchtigkeit
geschützt werden.
Schließlich ist es möglich und vorgesehen, ein Aktiv-Matrix-
Display mit einer Flüssigkristallzelle, die nach dem erfin
dungsgemäßen Verfahren hergestellt wurde, zu bauen. Hierbei
wird die Oxidchicht 32 durch eine matrixförmige Anordnung
von Schaltelementen, beispielsweise Dünnschichttransistoren
oder -dioden, angesteuert über Spalten- und Zeilenleitungen,
ersetzt. Die Matrix dient dabei zur selektiven Adressierung
von diskreten Bildelektroden aus Indium-Zinn-Oxid.
Claims (16)
1. Verfahren zur Herstellung von Platten aus einem spröden
Material mit einer Beschichtung aus Gelatine, wobei die
Beschichtung aus Gelatine auf eine Vorläuferplatte
aufgebracht wird, und die Vorläuferplatte entlang einer
Bruchlinie geteilt wird, dadurch gekennzeichnet, daß
- a) auf die Gelatineschicht (13) eine Blende (20) aufgelegt wird, wobei die Blende (20) Stege aufweist, welche so angeordnet werden, daß die Bruchlinien (26) bedeckt werden,
- b) eine aus einem leitfähigen, transparenten Material bestehende Schutzschicht (14) auf die nicht von den Stegen der Blende bedeckten Bereiche der Gelatine aufgebracht wird,
- c) die Blende (20) abgenommen wird,
- d) die Gelatineschicht (13) in den Bereichen, in denen sie nicht von der Schutzschicht (14) bedeckt wird, durch Trockenätzen in ihrer gesamten Dicke entfernt wird,
- e) die Vorläuferplatte (21) mit einer Sollbruchstelle (25) entlang der Bruchlinie (26) versehen wird,
- f) die Vorläuferplatte (21) entlang der Bruchlinie gebrochen wird.
2. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Sollbruchstelle durch Ritzen
erzeugt wird.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Platte aus Glas hergestellt
wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht gesputtert
wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht aus Indium-
Zinn-Oxid hergestellt wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß mit reaktivem Ionenätzen mit
Hilfe eines O2-Ar-SF6-Gasgemischs geätzt wird.
7. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallzelle,
wobei zwei Platten (1, 2) und ein dazwischen befindlicher
Abstandhalter (15) zu einer Anordnung verbunden werden, und
die Anordnung entlang von Bruchlinien (26) zerteilt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß
- a) eine Platte (21) einseitig mit Gelatine (13) beschichtet wird,
- b) auf die Gelatineschicht (14) eine Blende (20) aufgelegt wird, wobei die Blende Stege aufweist, welche so angeordnet werden, daß die Bruchlinien (26) bedeckt werden,
- c) eine aus einem leitfähigen, transparenten Material bestehende Schutzschicht (14) auf die nicht von den Stegen der Blende bedeckten Bereiche der Gelatine aufgebracht wird,
- d) die Blende abgenommen wird,
- e) die Gelatine (13) in den Bereichen, in denen sie nicht von der Schutzschicht (14) bedeckt wird, durch Trockenätzen in ihrer gesamten Dicke entfernt wird,
- f) die Platte mit einer zweiten Platte (30) und einem dazwischen liegenden Abstandhalter (15) zu einer Anordnung verbunden wird, wobei die Bruchlinien (26) der beiden Platten gegenüberliegend angeordnet werden,
- g) die Platten mit einer Sollbruchstelle (25) entlang der Bruchlinie (26) versehen werden,
- h) die Anordnung entlang der Bruchlinie gebrochen wird.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Platten so angeordnet
werden, daß die Gelatineschicht zwischen den beiden Platten
liegt.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Sollbruchstelle durch Ritzen
erzeugt wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Platte aus Glas hergestellt
wird.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht gesputtert
wird.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht aus Indium-
Zinn-Oxid hergestellt wird.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß mit reaktivem Ionenätzen mit
Hilfe eines O2-Ar-SF6-Gasgemischs geätzt wird.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Gelatineschicht als
Photoemulsion ausgebildet ist.
15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Gelatineschicht als farbige
Photoemulsion ausgebildet ist.
16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß auf die Schutzschicht eine
Orientierungsschicht aufgebracht wird.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19710401A DE19710401C1 (de) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristallzellen |
| JP10539070A JP2000510971A (ja) | 1997-03-13 | 1998-03-05 | 液晶セルを製造する方法 |
| US09/180,653 US6143189A (en) | 1997-03-13 | 1998-03-05 | Method for producing liquid crystal cells |
| PCT/DE1998/000658 WO1998040782A1 (de) | 1997-03-13 | 1998-03-05 | Verfahren zur herstellung von flüssigkristallzellen |
| EP98919037A EP0897551A1 (de) | 1997-03-13 | 1998-03-05 | Verfahren zur herstellung von flüssigkristallzellen |
| TW087103346A TW408245B (en) | 1997-03-13 | 1998-03-07 | Method for producing liquid crystal cells |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19710401A DE19710401C1 (de) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristallzellen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19710401C1 true DE19710401C1 (de) | 1998-11-19 |
Family
ID=7823254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19710401A Expired - Fee Related DE19710401C1 (de) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristallzellen |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6143189A (de) |
| EP (1) | EP0897551A1 (de) |
| JP (1) | JP2000510971A (de) |
| DE (1) | DE19710401C1 (de) |
| TW (1) | TW408245B (de) |
| WO (1) | WO1998040782A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10248390A1 (de) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Giesecke & Devrient Gmbh | Display für tragbaren elektronischen Datenträger |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100672622B1 (ko) * | 2000-07-26 | 2007-01-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 패드 및 그 제조방법 |
| KR20110005499A (ko) * | 2009-07-10 | 2011-01-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4094058A (en) * | 1976-07-23 | 1978-06-13 | Omron Tateisi Electronics Co. | Method of manufacture of liquid crystal displays |
| JPS6426821A (en) * | 1987-03-13 | 1989-01-30 | Toppan Printing Co Ltd | Production of electrode plate for color display device |
| US4729971A (en) * | 1987-03-31 | 1988-03-08 | Microwave Semiconductor Corporation | Semiconductor wafer dicing techniques |
| US4978420A (en) * | 1990-01-03 | 1990-12-18 | Hewlett-Packard Company | Single chamber via etch through a dual-layer dielectric |
| JP2808480B2 (ja) * | 1990-07-18 | 1998-10-08 | キヤノン株式会社 | 液晶カラー表示素子用基板の製造方法 |
| JP2814155B2 (ja) * | 1990-08-13 | 1998-10-22 | キヤノン株式会社 | Ito膜パターンの形成方法および液晶表示素子用基板の製造方法 |
| DE4133150A1 (de) * | 1991-09-30 | 1993-04-01 | Siemens Ag | Verfahren zum abtrennen eines halbleiter-plaettchens aus einem halbleiter-plaettchenverband |
| JP2768857B2 (ja) * | 1991-10-29 | 1998-06-25 | シャープ株式会社 | 液晶表示基板の分断方法 |
| US5492582A (en) * | 1993-04-22 | 1996-02-20 | Casio Computer Co., Ltd. | Method of manufacturing liquid crystal display device |
| US5891597A (en) * | 1995-11-24 | 1999-04-06 | Samsung Display Devices Co., Ltd. | Process for manufacturing a liquid crystal display panel |
| KR100218580B1 (ko) * | 1996-07-09 | 1999-09-01 | 구자홍 | 고 밀도 대형 액정 표시 장치 제조 방법 |
-
1997
- 1997-03-13 DE DE19710401A patent/DE19710401C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-05 EP EP98919037A patent/EP0897551A1/de not_active Ceased
- 1998-03-05 JP JP10539070A patent/JP2000510971A/ja active Pending
- 1998-03-05 WO PCT/DE1998/000658 patent/WO1998040782A1/de not_active Ceased
- 1998-03-05 US US09/180,653 patent/US6143189A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-07 TW TW087103346A patent/TW408245B/zh not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| # * |
| JP 08-1 66 583 A mit Abstr. in Pat. Abstr. Jap. * |
| JP 61-1 32 929 A mit Abstr. in Pat. Abstr. Jap. * |
| JP 61-48 803 A mit Abstr. Japio * |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE10248390A1 (de) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Giesecke & Devrient Gmbh | Display für tragbaren elektronischen Datenträger |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6143189A (en) | 2000-11-07 |
| WO1998040782A1 (de) | 1998-09-17 |
| TW408245B (en) | 2000-10-11 |
| JP2000510971A (ja) | 2000-08-22 |
| EP0897551A1 (de) | 1999-02-24 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| 8100 | Publication of patent without earlier publication of application | ||
| D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |