DE1966001C3 - Halbleiterbauelement. Ausscheidung aus: 1911915 - Google Patents
Halbleiterbauelement. Ausscheidung aus: 1911915Info
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- DE1966001C3 DE1966001C3 DE1966001*A DE1966001A DE1966001C3 DE 1966001 C3 DE1966001 C3 DE 1966001C3 DE 1966001 A DE1966001 A DE 1966001A DE 1966001 C3 DE1966001 C3 DE 1966001C3
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Classifications
-
- H10W76/132—
-
- H10W72/20—
-
- H10W72/536—
-
- H10W90/753—
-
- H10W90/754—
Landscapes
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein mindestens einen scheibenförmigen Halbleiterkörper enthaltendes Halbleiterbauelement, bei welchem der Halbleiterkörper mit
einem ersten, eine ganze Obernächenseite einnehmenden metallischen Anschlußkontakt mittels einer
Weichloischichl; auf einen metallischen Sockel aufgelötet ist, bei welchem ferner mindestens ein metallischer Anschlußstift durch den Sockel isoliert hin-
durchgeführt ist, und bei welchem schließlich eine als Anschlußdraht ausgebildete Stromzuführung von dem
metallischen Anschlußsüft zu einem zweiten, an der Oberseite des Halbleiterkörpers angebrachten metallischen Anschlußkontaki: führt, wobei der AnFchluß-
draht aus einem geradlinig ausgebildeten Mittelabschnitt, aus einem gegenüber diesem Mittelabschnitt
abgewinkelten, geradlinig ausgebildeten Endabschnitt und aus einem gegenüber dem Mittelabschnitt ebenfal's
abgewinkelten, wendelförmig ausgebildeten End-
abschnitt besteht und wobei ferner der Anschluß draht mit seinem geradlinig ausgebildeten Endabschnitt
mit dem zweiten, an der Oberseite des Halbleiterkörpers angebrachten Anschlußkont.akt verlötet
ist und mit seinem wendelförmig ausgebildeten End-
ao abschnitt über den Anschlußstift geschoben und mit
diesem verlötet ist.
Es ist bereits ein Halbleiterbauelement dieser Art vorgeschlagen worden (deutsche Patentanmeldung
P 15 89 543.9). Bei diesem Halbleiterbauelement
drückt der Anschlußdraht lediglich unter seinem Eigengewicht auf den scheibenförmigen Halbleiterkörper.
Dies hat zur Folge, daß nach dem Zusammenfügen der Einzelteile des Bauelements die Gefahr
besteht, daß der Anschlußdraht verrutscht, so daß
insbesondere dann, wenn der an der Oberseite des Halbleiterkörpers angebrachte Anschlußkontakt kleinflächig ist, eine sichere Kontaktgabe zwischen ihm
und dem Anschlußdraht beim Zusammenlöten des Bauelements nicht immer gewährleistet ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art zu
entwickeln, bei welchem beim Zusammenlöten eine
sichere Kontaktgabe zwischen dem an der Oberseite des Halbleiterkörpers angebrachten Anschlußkoniakt
und dem mit ihm zu verlötenden Anschlußdraht gewährleistet ist.
Eine besonders einfache und wirkungsvolle Lösung dieser Aufgabe ergibt sich, wenn gemäß der Erfindung
der wendelförmig ausgebildete Endabschnitt
♦5 entlang dem Anschlußstift bis zum Verklemmen dieser beiden Teile nach unten geschoben ist.
Dies hat zur Folge, daß der Anschlußdraht mit seinem geradlinig ausgebildeten Endabschnitt eine zusätzliche
Kraft auf den Halbleiterkörper ausübt, die groß im Vergleich zum Eigengewicht des Anschlußdrahtes
ist. Dadurch wird erreicht, daß der Anschlußdraht, der Halbleiterkörper und der metallische Sokkel
sowohl während der Montage als auch während des Lötprozesses in ihrer jeweiligen gegenseitigen
Anordnung unverrutschbar fixiert werden. Dies ist insbesondere dann von entscheidender Bedeutung,
wenn an der Oberseite des Halbleitc, körpers mehrere
und/oder besonders kleinflächige Anschlußkontakte angebracht sind und/oder mehrere Halbleiterkörper
(Chips) in einem einzigen Halbleiterbauelement untergebracht sind.
Weitere Einzelheiten und zweckdienliche Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen
in Verbindung mit einem in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiel. Es zeigt
F i g. 1 ein Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung mit abgenommenem Deckel in perspektivischer
Darstellung,
Fig. 2 einen Schnitt nach der Linie H-II der
ρ i „ 1 eoenians mn ι
lFg'i g: 3 den Anschlußdraht in nicht verspanntem sätzlichtonn*«™$™*^ SpiiSÄTÄ
Zustand von unten, und oen «Β»™κπ«ι» r- Wußdraht 61 α mit sei-
F ig. 4 den Anschlußdraht in nicht verspanntem 5 werden. DannwnJ der Anscm E dab8chnitt μ/;
Zustand von der Seite. nem wendelfdrroig aMgebuncjn ^ sdn
. D» in den Fig.l .und 2 ,darstellte Halbtoter- -^nii^^fkSAnl0anAt^m
Das in den Fig. I und 2 dargestellte Halbleit ^?.^
bauelement enthält einen plättchenförmigen Halb- geradlinig aus^l^L^^2&\cg*n Amvh\K&-
leiterkörper 38. Der Halbleiterköφer 38 trägt an se,- unteren Ende auf den rnn Lonor,g g
ner Unterseite einen ersten Anschlußkontakt 39 » kofl7de;"*Eg ausgebildete End-(Fig-2),
welcher sich über diese ganze UnteneUe . N»^,^ ^riSS™Slangdeni Anschlußk
Mi di Ahlßktkt ist der Halb abschnitt W m\?™"J£?* ^ i B
ner Unterseite einen ersten Anschlußkontak f;Eg ausgebildete End
(Fig-2), welcher sich über diese ganze UnteneUe . N»^,^ ^riSS™Slangdeni Anschlußerstreckt.
Mit diesem Anschlußkontakt ist der Halb- abschnitt W1 m\?™"J£?* ^ geringen Beleiierkörper
38 auf eine Sockelplatte 35 aufgelötet, süft K4 bis zum \^ξ^η ^ ^sptih^i Diwelche
einen Teil des Gehäuses des Halbleiterbau- trag nach unten geschoben. Bei en ρ dlini
elements bildet und gleichzeitig als Elektroden- 15 mensiomerung de .Langer^ sow ^ auch B des wen.
anschluß für den Halbleiterkörper 38 dient. D.e ausgebüdeten Endab ^hmt^lü« ^ ^
Sockelplatte 35 trägt an ihrer Unterseite einen ersten delformig a^bildeten Moa * ά ·η.
Anschlußstift K0. Dieser Anschlußstift dient als d.e Verwendung «jerjjgre Ve™ bildeien End-Stromzuführung
für den Anschlußkontakt 39 des deJ- m^'"t^fSTnschluß^tift /C4 bis zum
Halbleiterkörpers 38. . 2° 'ibschnitt ^4 tn"anB ch , ngG verschiebt,
Der ΗΗΐωβίΙβΓ^φβΓ 38 hat außer seinem an semer Anschlagen auf der Glast in .cnmeζ g.4 aref
Unterseite liegenden ersten AnschluDkontakt 39 noch wobei b.ch automatisch cn stets rep
einen zweiten AnschluEkontakt 7, welcher an der Vorspannbetrag ergiDt der
Obe^eite angeordnet und über einen Anschlußdraht Danach wird au d m *™™™*£ aufgeschoben
61« mit einem zweiten Anschlußstift K4 verbunden *5 Zeichnung 1"^t dargesteUt*£™Z d J Lötofen
ist. Dieser AnschJußstift K, ist mittels einer Glasern- -nd dann das so montierte Gebilde in
Schmelzung G4 isoliert durch die Sockelplatte 35 hin- gebracht. Vpr<;rhieheil des wendelförmig ausgcdurchgeführt.
Der Anschlußdraht 61« besteht aus Durch das Verschieben ^ we no B die
einem'annähernd geradlinig ausgebildeten Mittel- bildeten Ε"^8^ ""de, Kraft, welche der nunabschnitt
10, aus einem gegenüber diesem Mittel- 30 Te1Ie 61a und 38 ln™g Jc^™61'fl auf den Halbabschnitt
abgewinkelten, geradlinig ausgebildeten ^ehr,versP\n 8 nt"^^Vedaufe des Lötprozesses
und annähernd vertikal verlaufenden ersten End- leite.*^^ ^^ ^hdarait diese Teile an
abschnitt ΙΟ* und aus einem gegenüber dem Mittel- mit Sicherneit nathsin^en u ^^
abschnitt ebenfalls abgewinkelten, jedoch wendelfor- der zu verlotenden Beruhrungsste!
mig ausgebildeten zweiten Endabschnitt W/. Die 35 bleiben Anschlußdraht
Achse der Wendel verläuft dabei annähernd vertikal. Zu d.esem Z™* ™fj*™/^ll eine aute
Das untere Ende des ersten Endabschnitts 10 a des 61a aus einem Material bestehen we cnes
Anschlußdrahts 61« ist mit dem zweiten Anschluß- elektrische Le.tfah.gke.t eme gute Ve^Hortjrkert
kontaKt? des Halbleiterkörpers38 verlötet. Der zweite im Interesse ^5/^^"11^^ außerdem auch
Endabschnitt Wj des Anschlußdrahtes 61« ist über 40 ^.^^SSJ^'S die Löttemperatur erhalden
zweiten Anschlußstift K, gestuckt und rrut diesem ™h™d^& Ertons auf die LoUen^p ^.^
ι Zusammenbau des Halbleiterbauelements sa.ionstemperatur des^^
SS
daß dann der Anschlußstift K0 auf die Unterseite der 50 z. B. Ag97 CJi:, sow'e kaJl^"°r n D,e an den An.
Sockelplatte 35 stumpf aufgeschweißt wird. Statt vorzüglich fur diesen Zwe. M^^bldterkö ers
dessen kann aber auch dre Anschlußstift Ku gle.ch- £hJuJ,ko h nt;k;e"^
zeitig mit dem Anbringen der Glaseinschmelzung hart ^hchenj^^te^ b^h« a ^ ^ ^
angelötet werden. Im Anschluß an diesen Prozeß lot auf Bleibjss\s'^eC~5hobene ^ίήη& besteht
werden alle Metalloberflächen des vorgefertigten Sok- 55 den An?cnlu~tl" £* „ % Aß aus Sn 96 Ag4 Bi 0,5
kels mit einer mit Weichlot benetzbaren Metall- wahIwejse auJ ^.^„""^ Zinngehalt
schicht, vorzugsweise aus Nickel, überzogen. oder 3 js einer rD M^g ^' H t Das Ver-
Lot vorbelegt ist, auf die Sockelplatte 35 aufgelegt. am Halbleiterbauelement.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Mindestens einen scheibenförmigen Halbleiterkörper enthaltendes Halbleiterbauelement,
bei welchem der Halbleiterkörper (38) mit einem ersten, eine ganze Oberflächenseite einnehmenden
metallischen Anschlußkontakt (39) mittels einer Weichlotschicht auf einem metallischen Sockel
(35) aufgelötet ist, bei welchem ferner mindestens ein metallischer Anschlußstift (JC4) durch den
Sockel (35) isoliert hindurchgeführt ist und bei welchem schließlich eine als Anschlußdraht (61a)
ausgebildete Stromzuführung von dem metallischen Anschlußstift (K4) zu einem zweiten, an der
Oberseite des Halbleiterkörpers (38) angebrachten metallischen Anschlußkontakt (7) führt, wobei
der Anschlußdraht (61a) aus einem annähernd geradlinig ausgebildeten Mittelabschnitt (10), aus
einem gegenüber diesem Mittelabschnitt (10) abgewinkelten, geradlinig ausgebildeten Endabschnitt
(10 a) und aus einem gegenüber dem Mittelabschnitt ebenfalls abgewinkelten, wendelförmig
ausgebildeten Endabschnitt (W4') besteht und wobei ferner der Anschlußdraht (61a) mit seinem
geradlinig ausgebildeten Endabschnitt mit dem zweiten, an der Oberseite des Halbleiterkörpers
angebrachten Anschlußkontakt (7) verlötet ist und mit seinem wendelförmig ausgebildeten Endabschnitt
(W4') über den Anschlußstift (K4) geschoben
und mit diesem verlötet ist, dadurch gekennzeichnet, daß de. wendelförmig
ausgebildete Endabschnitt (W4) entlang dem Anschlußstift
(K4) bis zum Verklemmen dieser beiden Teile (W4; K4) nach unten geschoben ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekenii2eichnet, daß der Anschlußdraht
(61a) aus einer Silber-Kupfer-Legierung mit wenigen Gewichtsprozenten Kupfer, vorzugsweise
aus Ag 97 Cu 3, oder aus kaltverformtem reinem Nickel besteht.
3. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die an
den Anschlußkontakten (7; 39) des Halbleiterkörpers (38) befindlichen Lotschichten aus einem
Weichlot auf Bleibasis, vorzugsweise aus Pb96 Sn 4, bestehen.
4. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der
isoliert durch den Sockel (35) hindurchgeführte Anschlußstift (K4) mit dem wendelförmig ausgebildeten
Endabschnitt (W4') des Anschlußdrahtes (61a) durch ein Lot verlötet ist, welches aus
Pb 92,5 Sn 5 Ag oder Sn 96 Ag 4 Bi 0,5 oder aus einer Blei-Zinn-Legierung besteht, welche einen
Zinnanteil zwischen 6 und 10 Gewichtsprozenten hat.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1966001*A DE1966001C3 (de) | 1967-09-12 | 1969-03-08 | Halbleiterbauelement. Ausscheidung aus: 1911915 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1967B0094403 DE1589543B2 (de) | 1967-09-12 | 1967-09-12 | Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner weichlotkontaktierung |
| DE1966001*A DE1966001C3 (de) | 1967-09-12 | 1969-03-08 | Halbleiterbauelement. Ausscheidung aus: 1911915 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1966001A1 DE1966001A1 (de) | 1971-02-04 |
| DE1966001B2 DE1966001B2 (de) | 1973-01-25 |
| DE1966001C3 true DE1966001C3 (de) | 1974-06-06 |
Family
ID=5755531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1966001*A Expired DE1966001C3 (de) | 1967-09-12 | 1969-03-08 | Halbleiterbauelement. Ausscheidung aus: 1911915 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1966001C3 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2807601A1 (de) * | 1977-02-25 | 1978-08-31 | Nippon Electric Co | Loetverbindung zwischen einem elektrischen bauteil, insbesondere halbleiterelement, und einer zuleitung |
| DE3028570A1 (de) * | 1980-07-28 | 1982-03-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum kontaktieren von halbleiterbauelementen |
-
1969
- 1969-03-08 DE DE1966001*A patent/DE1966001C3/de not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2807601A1 (de) * | 1977-02-25 | 1978-08-31 | Nippon Electric Co | Loetverbindung zwischen einem elektrischen bauteil, insbesondere halbleiterelement, und einer zuleitung |
| DE3028570A1 (de) * | 1980-07-28 | 1982-03-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum kontaktieren von halbleiterbauelementen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1966001B2 (de) | 1973-01-25 |
| DE1966001A1 (de) | 1971-02-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |