DE19652171A1 - Verfahren zur thermischen Isolation induktiv geheizter Tiegel und Schmelzen in der Kristallzucht mit kohlenstoffgebundenen Kohlenstofffasern - Google Patents
Verfahren zur thermischen Isolation induktiv geheizter Tiegel und Schmelzen in der Kristallzucht mit kohlenstoffgebundenen KohlenstofffasernInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Dieses
Verfahren besteht darin, daß kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern zur thermischen Isola
tion induktiv geheizter Tiegel und Schmelzen eingesetzt werden.
In der Kristallzucht verwendete induktionsgeheizte Schmelztiegel müssen hinreichend ther
misch isoliert werden, um übergroße Leistungsverluste durch Abstrahlung zu verhindern.
Gleichzeitig stützt die Isolation den Tiegel und gewährleistet seinen stabilen Stand während
der Zucht.
Materialien zur thermischen Isolation induktionsgeheizter Tiegel müssen unter den während
der Kristallzucht gegebenen hohen Temperaturen und der verwendeten Gasatmosphäre chemi
sche und mechanische Stabilität bewahren.
Weitere notwendige Eigenschaften des Isolationsmaterials sind eine geringe thermische Leit
fähigkeit und ein hoher elektrischer Widerstand für Ströme im Hoch- und Mittelfrequenzbe
reich, wie sie durch die bei Induktionsheizung abgestrahlten elektromagnetischen Felder indu
ziert werden.
Gängige Isolationsmaterialien induktiv geheizter Tiegel sind Rohre, Keramikgewebe und Gra
nalien aus ZrO2, Al2O3, HfO2, MgO und ähnlichen Substanzen (s. Wilke, Bohm: Kristallzüch
tung, Verlag Harri Deutsch, Thun, Frankfurt a. M. 1988, S. 580).
Die genannten bisher üblichen Materialien zur Isolation induktiv beheizter Tiegel basieren auf
oxidischen Keramiken, die bei hohen Temperaturen Sauerstoff abspalten können. Der Sauer
stoff diffundiert von der Isolation in die Zuchtatmosphäre und beeinträchtigt im Fall nichtoxi
discher Kristalle wie Fluoride, Sulfide und Bromide stark das Wachstum und die Qualität.
Oxidische Keramiken lassen sich außerdem nicht für die Isolation von Graphit- und Glaskoh
letiegeln im Temperaturbereich von 2000°C-3000°C einsetzen.
Isolierende Kombinationen von Keramikrohren, -geweben und Granalien erfordern häufig zeit
aufwendige Justage und sind unpraktisch zu handhaben.
Keramikgewebe aus Al2O3 und ZrO2 sind wegen der geringen Durchmesser der Keramikfasern
von ca. 3-6 µm lungengängig und daher gesundheitlich nicht unbedenklich.
Isolationsmaterialien auf der Basis von reinem Kohlenstoff wurden bisher ausschließlich zu
Isolation widerstandsgeheizter Tiegel verwendet. Überraschenderweise ist jedoch die induk
tive Leistungseinkopplung in kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern im Mittel- und Hoch
frequenzbereich hinreichend gering für eine Verwendung des Materials zur Isolation induk
tionsgeheizter Tiegel.
Kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern spalten keinen Sauerstoff ab. Sie können mit induk
tiv beheizten Graphit-, Glaskohle- und Edelmetalltiegeln bis in höchste Temperaturbereiche
eingesetzt werden. Auch carbidbildende unedele Tiegelmaterialien sind einsetzbar, wenn ent
sprechend Anspruch 2 um den Tiegel eine kleine Gasstrecke von 0.5 mm-10 mm belassen und
der Tiegel von oben in einer Aufhängung oder von unten auf einem Podest gehaltert wird.
Aufbauten aus kohlenstoffgebundenen Fasern sind leicht und schnell justiert. Die Kohlefasern
sind absolut ungiftig.
Kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern bestehen vollständig (< 99.9%) aus Kohlenstoff. Sie
spalten daher in Reinstform keinen Sauerstoff ab, sondern reagieren mit Sauerstoff bei höheren
Temperaturen zu CO, das in der Zuchtatmosphäre zu CO2 aufoxidiert werden kann und daher
stark reduzierende Zuchtbedingungen einführt.
Die mögliche Anwendbarkeit als Isolation von Graphit- und Glaskohletiegeln erstreckt sich
auf Temperaturen von bis zu 3000°C.
Kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern sind leicht mechanisch zu bearbeiten. Ein Isolations
aufbau aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern besteht aus einem oder mehreren
Stücken des Materials, die den Tiegel umgeben. Ein Isolationsaufbau kann daher schnell her
gestellt werden.
Die Kohlestoffasern haben eine Dicke von ca. 7 µm. Da Kohlenstoff im Körpergewebe schnell
abgebaut wird, besteht keine Gefahr einer Anreicherung in den Atemwegen.
Kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern sind im Vergleich zu anderen Isolationsmaterialien
sehr preisgünstig. Grundstoff sind carbonisierte Kunststoffasern. Werkstücke können entwe
der vor der Carbonisierung mit den gängigen Methoden der Kunststofftechnik geformt wer
den, lassen sich aber auch nach der Carbonisierung leicht mechanisch bearbeiten.
Isolationen aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern haben aufgrund ihrer schwammar
tigen Konsistenz hervorragende thermische Isolationseigenschaften und im Mittel- und Hoch
frequenzbereich eine hinreichend geringe elektrische Leitfähigkeit. Sie sind wiederverwendbar.
Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden näher beschrieben.
Ein Schmelztiegel (1), der aus einem elektrisch leitfähigen Material, insbesondere etwa Glas
kohle, Graphit, Platin, Gold, Iridium, Molybdän, Wolfram, Tantal, Rhenium oder Legierungen
derselben besteht, ist von einem Hohlzylinder aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern
(2) umgeben. Tiegel und Hohlzylinder stehen auf einem Vollzylinder aus kohlenstoffgebunde
nen Kohlenstoffasern (3), der den Tiegel nach unten thermisch isoliert. Die Heizung erfolgt
durch ein elektromagnetisches Wechselfeld, das von einer stromdurchflossenen Spule (4) er
zeugt wird und Ringströme im Tiegel induziert. Der Aufbau kann äußerlich durch ein Quarz
glas- oder Keramikrohr (5) stabilisiert werden.
Wenn keine elektrischen Überschläge zwischen Spule und Tiegel zu befürchten sind, kann der
Isolationsaufbau unter Verzicht auf das äußere Quarzglas- bzw. Keramikrohr in einem Stück
aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern gefertigt werden.
Als Zuchtatmosphären kommen z. B. Edelgase, etwa Argon und Helium, und andere Gase in
Frage, die nicht mit reinem Kohlenstoff reagieren.
Der Schmelztiegel (1) hängt an mehreren Streben (2) aus einem thermisch und chemisch be
ständigen Material, die von oben z. B. von einem aufliegenden Keramikring (3) aus in die Iso
lation hineinragen. Die Halterung kann so geartet sein, daß die Streben fest mit dem Tiegel
verbunden (z. B. verschweißt) sind oder der Tiegel in entsprechende Nuten von den Streben
eingehakt wird oder die Streben unterhalb des Tiegels verbunden sind, so daß der Tiegel in
dieses Gerüst hineingestellt werden kann. Der Tiegel ist durch eine Gasstrecke von der Isola
tion aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern (4, 5) getrennt. Alternativ kann der Tiegel
auch auf einen Sockel aus Keramik, Glas oder Metall gestellt werden, so daß nirgendwo ein
direkter Kontakt zwischen Tiegel und Kohlefasern besteht. Dadurch, daß nirgendwo ein direk
ter Kontakt zwischen Tiegel und kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern besteht, können
auch Tiegel aus unedlen carbidbildenden Materialien verwendet werden, wie z. B. Molybdän,
Wolfram, Tantal, Rhenium und deren Legierungen. Der Aufbau kann äußerlich durch ein
Quarzglas- oder Keramikrohr (6) stabilisiert werden. Die Induktionsspule (7) bewirkt durch
ein elektromagnetisches Wechselfeld die Heizung des Tiegels.
Als Zuchtatmosphären kommen auch hier Edelgase, z. B. Argon und Helium in Frage.
Die hier gezeigten Aufbauten mit zylindrischem Tiegel sind für die Zucht von Kristallen nach
dem Czochralski-Verfahren geeignet. Weitere mögliche Zuchtmethoden sind die kontrollierte
Auskristallisation der Schmelze nach Nacken und Kyropoulos durch langsames Abkühlen des
Tiegels, das Bridgman-Verfahren und ähnliche.
Eine Verwendung von kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern ist im direkten Kontakt mit
verschiedenen leitfähigen Tiegelmaterialien bis zu folgenden Temperaturen möglich (Angaben
nach Wilke, Bohm: Kristallzüchtung, S. 580; für Re aus eigenen Experimenten):
| Glaskohle oder Graphit | 3000°C |
| Iridium | 2100°C |
| Platin | 1600°C |
| Gold | 900°C |
| Wolfram | 1500°C |
| Rhenium | 2300°C |
Der Isolationsaufbau mit Gasstrecke um den Tiegel nach Ausführungsbeispiel 2 erlaubt eine
Nutzung bis zu Temperaturen nahe dem Schmelzpunkt des Tiegelmaterials.
Aus Platin- oder Gold-Tiegeln können in einer Isolation aus kohlenstoffgebundenen Kohlen
stoffasern z. B. Fluoride, Sulfide und Bromide vorteilhaft hergestellt werden. In Glaskohle
oder Graphittiegeln ist die Zucht von Fluoriden und Bromiden möglich. In mit kohlenstoffge
bundenen Kohlefasern isolierten Iridiumtiegeln können hochschmelzende Oxide, z. B. die in
der Lasertechnik bedeutenden Granat- und Perowskitkristalle gezüchtet werden.
Eine induktive Heizung leitfähiger Schmelzen von Metallen und Halbleitern ist auch in elek
trisch isolierenden Tiegelmaterialien durch direkte Einkopplung in die Schmelze möglich.
Alternativ kann der Tiegel auch in einen Ring aus Graphit oder Metall gestellt werden, der als
Suszeptor für das elektromagnetische Wechselfeld dient und den Tiegel heizt (Laudise: The
growth of single crystals, Prentice-Hall Inc., Englewood Cliffs, N.J., 1970, p. 193). Maximale
Arbeitstemperaturen der kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern im direkten Kontakt mit
elektrisch isolierenden Tiegelmaterialien sind für
| SiO2 | 1000°C |
| Al2O3 | 1600°C |
| ZrO2 | 1800°C |
| MgO | 1700°C |
| ThO2 | 1950°C |
Wird eine Gasstrecke um den Tiegel belassen, kann der Isolationsaufbau bis zu Temperaturen
nahe dem Schmelzpunkt des Tiegelmaterials betrieben werden.
Aus Quarzglastiegeln in kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern ist die Zucht von Halblei
termaterialien wie Silizium und Germanium durch direkte Einkopplung in die Schmelze mög
lich. Aus Keramiktiegeln lassen sich Einkristalle vieler Metalle züchten.
Für die Zucht hochgradig reiner Kristalle in der Halbleiter- bzw. Lasertechnik empfiehlt sich
folgendes Verfahren: Vor der eigentlichen Zucht ist die Isolation aus kohlenstoffgebundenen
Kohlenstoffasern mit einem Glaskohle- oder Graphittiegel auf 2800°C aufzuheizen. Unter die
ser Temperatur verdampfen die meisten von den Kohlefasern adsorbierten Stoffe. Unmittelbar
nach dem Abkühlen wird der eigentliche mit der Einwaage der aufzuschmelzenden Substanz
befüllte Schmelztiegel in die ausgeheizte Isolation eingebaut und die Zucht durchgeführt.
Die kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern können oberflächlich mit einem carbonisierten
Lack versiegelt werden, um eine übermäßige Adsorption von Fremdstoffen im Material zu
verhindern. Eine Induktion von Ringströmen in der carbonisierten Lackschicht und eine fara
daysche Abschirmung des Schmelztiegels werden verhindert, wenn die Lackschicht in regel
mäßigen Abständen durchritzt wird. Der Widerstand an den durchritzten Stellen ist genügend
groß, um eine Ausbildung von Ringströmen zu unterbinden.
Ein Schmelztiegel (1), der aus einem elektrisch leitfähigen Material, insbesondere etwa Glas
kohle, Graphit, Platin, Gold, Iridium, Molybdän, Wolfram, Tantal, Rhenium oder Legierungen
derselben besteht, ist von einem Hohlzylinder aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern
(2) umgeben. Tiegel und Hohlzylinder stehen auf einem Vollzylinder aus kohlenstoffgebunde
nen Kohlenstoffasern (3), der den Tiegel nach unten thermisch isoliert. Die Heizung erfolgt
durch ein elektromagnetisches Wechselfeld, das von einer stromdurchflossenen Spule (4) er
zeugt wird und Ringströme im Tiegel induziert. Der Aufbau kann äußerlich durch ein Quarz
glas- oder Keramikrohr (5) stabilisiert werden.
Wenn keine elektrischen Überschläge zwischen Spule und Tiegel zu befürchten sind, kann der
Isolationsaufbau unter Verzicht auf das äußere Quarzglas- bzw. Keramikrohr in einem Stück
aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern gefertigt werden.
Als Zuchtatmosphären kommen z. B. Edelgase, etwa Argon und Helium, und andere Gase in
Frage, die nicht mit reinem Kohlenstoff reagieren.
Der Schmelztiegel (1) hängt an mehreren Streben (2) aus einem thermisch und chemisch be
ständigen Material, die von oben z. B. von einem aufliegenden Keramikring (3) aus in die Iso
lation hineinragen. Die Halterung kann so geartet sein, daß die Streben fest mit dem Tiegel
verbunden (z. B. verschweißt) sind oder der Tiegel in entsprechende Nuten von den Streben
eingehakt wird oder die Streben unterhalb des Tiegels verbunden sind, so daß der Tiegel in
dieses Gerüst hineingestellt werden kann. Der Tiegel ist durch eine Gasstrecke von der Isola
tion aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern (4, 5), bestehend aus einem Unterteil (5),
der als Vollzylinder ausgeführt ist, sowie einem in Form eines Hohlzylinders gefertigten
Oberteil (4), getrennt. Alternativ kann der Tiegel auch auf einen Sockel aus Keramik, Glas
oder Metall gestellt werden, so daß nirgendwo ein direkter Kontakt zwischen Tiegel und
Kohlefasern besteht. Dadurch, daß nirgendwo ein direkter Kontakt zwischen Tiegel und koh
lenstoffgebundenen Kohlenstoffasern besteht, können auch Tiegel aus unedlen carbidbilden
den Materialien verwendet werden, wie z. B. Molybdän, Wolfram, Tantal, Rhenium und deren
Legierungen. Der Aufbau kann äußerlich durch ein Quarzglas- oder Keramikrohr (6) stabili
siert werden. Die Induktionsspule (7) bewirkt durch ein elektromagnetisches Wechselfeld die
Heizung des Tiegels.
Als Zuchtatmosphären kommen auch hier Edelgase, z. B. Argon und Helium in Frage.
Claims (11)
1. Verfahren zur thermischen Isolation von induktiv beheizten Tiegeln, und Schmelzen in der
Kristallzucht,
dadurch gekennzeichnet, daß kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern als thermische Iso
lation eines Tiegels innerhalb einer Induktionsspule verwendet werden können, ohne daß
Tiegel oder Schmelzen dadurch vom elektromagnetischen Wechselfeld abgeschirmt wer
den.
2. Isolationsverfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß sich zwischen Tiegel und kohlenstoffgebundenen
Kohlenstoffasern eine 0,5 mm bis 10 mm breite Gasstrecke befindet.
3. Isolationsverfahren nach Anspruch 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet, daß es zur thermischen Isolation induktionsbeheizter Tiegel und
Schmelzen während der Kristallzucht von Oxiden, Bromiden, Sulfiden, Fluoriden, Halblei
tern und Metallen nach dem Czochralski-, dem Nacken-Kyropoulos-, dem Bridgman-Ver
fahren o. ä. angewendet werden kann.
4. Isolationsverfahren nach Anspruch 1 und 3,
dadurch gekennzeichnet, daß es als thermische Isolation von induktionsbeheizten Glas
kohle- und Graphittiegeln bis zu Temperaturen von 3000°C eingesetzt werden kann.
5. Isolationsverfahren nach Anspruch 1, 2 und 3,
dadurch gekennzeichnet, daß es als thermische Isolation von induktionsbeheizten Metalltie
geln verwendet werden kann.
6. Isolationsverfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß ohne direkten mechanischen Kontakt zwischen Isolation und
Tiegel auch carbidbildende Tiegelmaterialien oder Materialien, die mit Kohlenstoff ein Eu
tektikum bilden verwendet werden können, wie Mo, Ta, W, Re.
7. Isolationsverfahren nach Anspruch 2 und 6,
dadurch gekennzeichnet, daß es als thermische Isolation von induktionsbeheizten Mo-, Ta-,
W-, Re-Tiegeln bis zu Temperaturen von 3000°C eingesetzt werden kann.
8. Isolationsverfahren nach Anspruch 1, 2 und 3,
dadurch gekennzeichnet, daß es zur thermischen Isolation von Tiegeln aus Keramik oder
Quarzglas herangezogen werden kann, in denen elektrisch leitfähige Schmelzen von Metal
len und Halbleitern induktiv beheizt werden.
9. Isolationsverfahren nach Anspruch 1, 2 und 3,
dadurch gekennzeichnet, daß es zur thermischen Isolation eines induktiv beheizten Suszep
tors, der einen Quarzglas- oder Keramiktiegel heizt, verwendet werden kann.
10. Isolationsverfahren nach Anspruch 1, 2 und 3,
dadurch gekennzeichnet, daß durch kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern eine stark
reduzierende Zuchtatmosphäre geschaffen wird.
11. Isolationsverfahren nach Anspruch 1, 2 und 6,
dadurch gekennzeichnet, daß auf den Isolationsbestandteilen aus kohlenstoffgebundenen
Kohlenstoffasern eine carbonisierte oberflächliche Beschichtung aufgebracht ist, die die
mechanische Stabilität und Formbeständigkeit des Materials erhöht und ein Ablösen einzel
ner Kohlenstoffasern erschwert, wobei die Induktion von Wirbelströmen in der Beschich
tung dadurch unterbunden wird, daß die Schicht in regelmäßigen Abständen unterbrochen
ist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1996152171 DE19652171A1 (de) | 1996-12-14 | 1996-12-14 | Verfahren zur thermischen Isolation induktiv geheizter Tiegel und Schmelzen in der Kristallzucht mit kohlenstoffgebundenen Kohlenstofffasern |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| DE1996152171 DE19652171A1 (de) | 1996-12-14 | 1996-12-14 | Verfahren zur thermischen Isolation induktiv geheizter Tiegel und Schmelzen in der Kristallzucht mit kohlenstoffgebundenen Kohlenstofffasern |
Publications (1)
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|---|---|
| DE19652171A1 true DE19652171A1 (de) | 1998-06-18 |
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ID=7814793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1996152171 Withdrawn DE19652171A1 (de) | 1996-12-14 | 1996-12-14 | Verfahren zur thermischen Isolation induktiv geheizter Tiegel und Schmelzen in der Kristallzucht mit kohlenstoffgebundenen Kohlenstofffasern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19652171A1 (de) |
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- 1996-12-14 DE DE1996152171 patent/DE19652171A1/de not_active Withdrawn
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