[go: up one dir, main page]

DE19652171A1 - Verfahren zur thermischen Isolation induktiv geheizter Tiegel und Schmelzen in der Kristallzucht mit kohlenstoffgebundenen Kohlenstofffasern - Google Patents

Verfahren zur thermischen Isolation induktiv geheizter Tiegel und Schmelzen in der Kristallzucht mit kohlenstoffgebundenen Kohlenstofffasern

Info

Publication number
DE19652171A1
DE19652171A1 DE1996152171 DE19652171A DE19652171A1 DE 19652171 A1 DE19652171 A1 DE 19652171A1 DE 1996152171 DE1996152171 DE 1996152171 DE 19652171 A DE19652171 A DE 19652171A DE 19652171 A1 DE19652171 A1 DE 19652171A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crucible
carbon
isolation method
thermal insulation
crucibles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE1996152171
Other languages
English (en)
Inventor
Eric Mix
Livio Fornasiero
Klaus Dr Petermann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE1996152171 priority Critical patent/DE19652171A1/de
Publication of DE19652171A1 publication Critical patent/DE19652171A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/002Crucibles or containers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002Crucibles or containers for supporting the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10Crucibles or containers for supporting the melt
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02Induction heating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Dieses Verfahren besteht darin, daß kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern zur thermischen Isola­ tion induktiv geheizter Tiegel und Schmelzen eingesetzt werden.
In der Kristallzucht verwendete induktionsgeheizte Schmelztiegel müssen hinreichend ther­ misch isoliert werden, um übergroße Leistungsverluste durch Abstrahlung zu verhindern. Gleichzeitig stützt die Isolation den Tiegel und gewährleistet seinen stabilen Stand während der Zucht.
Materialien zur thermischen Isolation induktionsgeheizter Tiegel müssen unter den während der Kristallzucht gegebenen hohen Temperaturen und der verwendeten Gasatmosphäre chemi­ sche und mechanische Stabilität bewahren.
Weitere notwendige Eigenschaften des Isolationsmaterials sind eine geringe thermische Leit­ fähigkeit und ein hoher elektrischer Widerstand für Ströme im Hoch- und Mittelfrequenzbe­ reich, wie sie durch die bei Induktionsheizung abgestrahlten elektromagnetischen Felder indu­ ziert werden.
Gängige Isolationsmaterialien induktiv geheizter Tiegel sind Rohre, Keramikgewebe und Gra­ nalien aus ZrO2, Al2O3, HfO2, MgO und ähnlichen Substanzen (s. Wilke, Bohm: Kristallzüch­ tung, Verlag Harri Deutsch, Thun, Frankfurt a. M. 1988, S. 580).
Die genannten bisher üblichen Materialien zur Isolation induktiv beheizter Tiegel basieren auf oxidischen Keramiken, die bei hohen Temperaturen Sauerstoff abspalten können. Der Sauer­ stoff diffundiert von der Isolation in die Zuchtatmosphäre und beeinträchtigt im Fall nichtoxi­ discher Kristalle wie Fluoride, Sulfide und Bromide stark das Wachstum und die Qualität. Oxidische Keramiken lassen sich außerdem nicht für die Isolation von Graphit- und Glaskoh­ letiegeln im Temperaturbereich von 2000°C-3000°C einsetzen.
Isolierende Kombinationen von Keramikrohren, -geweben und Granalien erfordern häufig zeit­ aufwendige Justage und sind unpraktisch zu handhaben.
Keramikgewebe aus Al2O3 und ZrO2 sind wegen der geringen Durchmesser der Keramikfasern von ca. 3-6 µm lungengängig und daher gesundheitlich nicht unbedenklich.
Isolationsmaterialien auf der Basis von reinem Kohlenstoff wurden bisher ausschließlich zu Isolation widerstandsgeheizter Tiegel verwendet. Überraschenderweise ist jedoch die induk­ tive Leistungseinkopplung in kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern im Mittel- und Hoch­ frequenzbereich hinreichend gering für eine Verwendung des Materials zur Isolation induk­ tionsgeheizter Tiegel.
Kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern spalten keinen Sauerstoff ab. Sie können mit induk­ tiv beheizten Graphit-, Glaskohle- und Edelmetalltiegeln bis in höchste Temperaturbereiche eingesetzt werden. Auch carbidbildende unedele Tiegelmaterialien sind einsetzbar, wenn ent­ sprechend Anspruch 2 um den Tiegel eine kleine Gasstrecke von 0.5 mm-10 mm belassen und der Tiegel von oben in einer Aufhängung oder von unten auf einem Podest gehaltert wird.
Aufbauten aus kohlenstoffgebundenen Fasern sind leicht und schnell justiert. Die Kohlefasern sind absolut ungiftig.
Kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern bestehen vollständig (< 99.9%) aus Kohlenstoff. Sie spalten daher in Reinstform keinen Sauerstoff ab, sondern reagieren mit Sauerstoff bei höheren Temperaturen zu CO, das in der Zuchtatmosphäre zu CO2 aufoxidiert werden kann und daher stark reduzierende Zuchtbedingungen einführt.
Die mögliche Anwendbarkeit als Isolation von Graphit- und Glaskohletiegeln erstreckt sich auf Temperaturen von bis zu 3000°C.
Kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern sind leicht mechanisch zu bearbeiten. Ein Isolations­ aufbau aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern besteht aus einem oder mehreren Stücken des Materials, die den Tiegel umgeben. Ein Isolationsaufbau kann daher schnell her­ gestellt werden.
Die Kohlestoffasern haben eine Dicke von ca. 7 µm. Da Kohlenstoff im Körpergewebe schnell abgebaut wird, besteht keine Gefahr einer Anreicherung in den Atemwegen.
Kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern sind im Vergleich zu anderen Isolationsmaterialien sehr preisgünstig. Grundstoff sind carbonisierte Kunststoffasern. Werkstücke können entwe­ der vor der Carbonisierung mit den gängigen Methoden der Kunststofftechnik geformt wer­ den, lassen sich aber auch nach der Carbonisierung leicht mechanisch bearbeiten.
Isolationen aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern haben aufgrund ihrer schwammar­ tigen Konsistenz hervorragende thermische Isolationseigenschaften und im Mittel- und Hoch­ frequenzbereich eine hinreichend geringe elektrische Leitfähigkeit. Sie sind wiederverwendbar.
Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden näher beschrieben.
Ausführungsbeispiel 1 (siehe Abb. 1)
Ein Schmelztiegel (1), der aus einem elektrisch leitfähigen Material, insbesondere etwa Glas­ kohle, Graphit, Platin, Gold, Iridium, Molybdän, Wolfram, Tantal, Rhenium oder Legierungen derselben besteht, ist von einem Hohlzylinder aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern (2) umgeben. Tiegel und Hohlzylinder stehen auf einem Vollzylinder aus kohlenstoffgebunde­ nen Kohlenstoffasern (3), der den Tiegel nach unten thermisch isoliert. Die Heizung erfolgt durch ein elektromagnetisches Wechselfeld, das von einer stromdurchflossenen Spule (4) er­ zeugt wird und Ringströme im Tiegel induziert. Der Aufbau kann äußerlich durch ein Quarz­ glas- oder Keramikrohr (5) stabilisiert werden.
Wenn keine elektrischen Überschläge zwischen Spule und Tiegel zu befürchten sind, kann der Isolationsaufbau unter Verzicht auf das äußere Quarzglas- bzw. Keramikrohr in einem Stück aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern gefertigt werden.
Als Zuchtatmosphären kommen z. B. Edelgase, etwa Argon und Helium, und andere Gase in Frage, die nicht mit reinem Kohlenstoff reagieren.
Ausführungsbeispiel 2 (siehe Abb. 2)
Der Schmelztiegel (1) hängt an mehreren Streben (2) aus einem thermisch und chemisch be­ ständigen Material, die von oben z. B. von einem aufliegenden Keramikring (3) aus in die Iso­ lation hineinragen. Die Halterung kann so geartet sein, daß die Streben fest mit dem Tiegel verbunden (z. B. verschweißt) sind oder der Tiegel in entsprechende Nuten von den Streben eingehakt wird oder die Streben unterhalb des Tiegels verbunden sind, so daß der Tiegel in dieses Gerüst hineingestellt werden kann. Der Tiegel ist durch eine Gasstrecke von der Isola­ tion aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern (4, 5) getrennt. Alternativ kann der Tiegel auch auf einen Sockel aus Keramik, Glas oder Metall gestellt werden, so daß nirgendwo ein direkter Kontakt zwischen Tiegel und Kohlefasern besteht. Dadurch, daß nirgendwo ein direk­ ter Kontakt zwischen Tiegel und kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern besteht, können auch Tiegel aus unedlen carbidbildenden Materialien verwendet werden, wie z. B. Molybdän, Wolfram, Tantal, Rhenium und deren Legierungen. Der Aufbau kann äußerlich durch ein Quarzglas- oder Keramikrohr (6) stabilisiert werden. Die Induktionsspule (7) bewirkt durch ein elektromagnetisches Wechselfeld die Heizung des Tiegels.
Als Zuchtatmosphären kommen auch hier Edelgase, z. B. Argon und Helium in Frage.
Die hier gezeigten Aufbauten mit zylindrischem Tiegel sind für die Zucht von Kristallen nach dem Czochralski-Verfahren geeignet. Weitere mögliche Zuchtmethoden sind die kontrollierte Auskristallisation der Schmelze nach Nacken und Kyropoulos durch langsames Abkühlen des Tiegels, das Bridgman-Verfahren und ähnliche.
Eine Verwendung von kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern ist im direkten Kontakt mit verschiedenen leitfähigen Tiegelmaterialien bis zu folgenden Temperaturen möglich (Angaben nach Wilke, Bohm: Kristallzüchtung, S. 580; für Re aus eigenen Experimenten):
Glaskohle oder Graphit 3000°C
Iridium 2100°C
Platin 1600°C
Gold 900°C
Wolfram 1500°C
Rhenium 2300°C
Der Isolationsaufbau mit Gasstrecke um den Tiegel nach Ausführungsbeispiel 2 erlaubt eine Nutzung bis zu Temperaturen nahe dem Schmelzpunkt des Tiegelmaterials.
Aus Platin- oder Gold-Tiegeln können in einer Isolation aus kohlenstoffgebundenen Kohlen­ stoffasern z. B. Fluoride, Sulfide und Bromide vorteilhaft hergestellt werden. In Glaskohle oder Graphittiegeln ist die Zucht von Fluoriden und Bromiden möglich. In mit kohlenstoffge­ bundenen Kohlefasern isolierten Iridiumtiegeln können hochschmelzende Oxide, z. B. die in der Lasertechnik bedeutenden Granat- und Perowskitkristalle gezüchtet werden.
Eine induktive Heizung leitfähiger Schmelzen von Metallen und Halbleitern ist auch in elek­ trisch isolierenden Tiegelmaterialien durch direkte Einkopplung in die Schmelze möglich.
Alternativ kann der Tiegel auch in einen Ring aus Graphit oder Metall gestellt werden, der als Suszeptor für das elektromagnetische Wechselfeld dient und den Tiegel heizt (Laudise: The growth of single crystals, Prentice-Hall Inc., Englewood Cliffs, N.J., 1970, p. 193). Maximale Arbeitstemperaturen der kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern im direkten Kontakt mit elektrisch isolierenden Tiegelmaterialien sind für
SiO2 1000°C
Al2O3 1600°C
ZrO2 1800°C
MgO 1700°C
ThO2 1950°C
Wird eine Gasstrecke um den Tiegel belassen, kann der Isolationsaufbau bis zu Temperaturen nahe dem Schmelzpunkt des Tiegelmaterials betrieben werden.
Aus Quarzglastiegeln in kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern ist die Zucht von Halblei­ termaterialien wie Silizium und Germanium durch direkte Einkopplung in die Schmelze mög­ lich. Aus Keramiktiegeln lassen sich Einkristalle vieler Metalle züchten.
Für die Zucht hochgradig reiner Kristalle in der Halbleiter- bzw. Lasertechnik empfiehlt sich folgendes Verfahren: Vor der eigentlichen Zucht ist die Isolation aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern mit einem Glaskohle- oder Graphittiegel auf 2800°C aufzuheizen. Unter die­ ser Temperatur verdampfen die meisten von den Kohlefasern adsorbierten Stoffe. Unmittelbar nach dem Abkühlen wird der eigentliche mit der Einwaage der aufzuschmelzenden Substanz befüllte Schmelztiegel in die ausgeheizte Isolation eingebaut und die Zucht durchgeführt.
Die kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern können oberflächlich mit einem carbonisierten Lack versiegelt werden, um eine übermäßige Adsorption von Fremdstoffen im Material zu verhindern. Eine Induktion von Ringströmen in der carbonisierten Lackschicht und eine fara­ daysche Abschirmung des Schmelztiegels werden verhindert, wenn die Lackschicht in regel­ mäßigen Abständen durchritzt wird. Der Widerstand an den durchritzten Stellen ist genügend groß, um eine Ausbildung von Ringströmen zu unterbinden.
Beschreibung der Zeichnungen Abb. 1
Ein Schmelztiegel (1), der aus einem elektrisch leitfähigen Material, insbesondere etwa Glas­ kohle, Graphit, Platin, Gold, Iridium, Molybdän, Wolfram, Tantal, Rhenium oder Legierungen derselben besteht, ist von einem Hohlzylinder aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern (2) umgeben. Tiegel und Hohlzylinder stehen auf einem Vollzylinder aus kohlenstoffgebunde­ nen Kohlenstoffasern (3), der den Tiegel nach unten thermisch isoliert. Die Heizung erfolgt durch ein elektromagnetisches Wechselfeld, das von einer stromdurchflossenen Spule (4) er­ zeugt wird und Ringströme im Tiegel induziert. Der Aufbau kann äußerlich durch ein Quarz­ glas- oder Keramikrohr (5) stabilisiert werden.
Wenn keine elektrischen Überschläge zwischen Spule und Tiegel zu befürchten sind, kann der Isolationsaufbau unter Verzicht auf das äußere Quarzglas- bzw. Keramikrohr in einem Stück aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern gefertigt werden.
Als Zuchtatmosphären kommen z. B. Edelgase, etwa Argon und Helium, und andere Gase in Frage, die nicht mit reinem Kohlenstoff reagieren.
Abb. 2
Der Schmelztiegel (1) hängt an mehreren Streben (2) aus einem thermisch und chemisch be­ ständigen Material, die von oben z. B. von einem aufliegenden Keramikring (3) aus in die Iso­ lation hineinragen. Die Halterung kann so geartet sein, daß die Streben fest mit dem Tiegel verbunden (z. B. verschweißt) sind oder der Tiegel in entsprechende Nuten von den Streben eingehakt wird oder die Streben unterhalb des Tiegels verbunden sind, so daß der Tiegel in dieses Gerüst hineingestellt werden kann. Der Tiegel ist durch eine Gasstrecke von der Isola­ tion aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern (4, 5), bestehend aus einem Unterteil (5), der als Vollzylinder ausgeführt ist, sowie einem in Form eines Hohlzylinders gefertigten Oberteil (4), getrennt. Alternativ kann der Tiegel auch auf einen Sockel aus Keramik, Glas oder Metall gestellt werden, so daß nirgendwo ein direkter Kontakt zwischen Tiegel und Kohlefasern besteht. Dadurch, daß nirgendwo ein direkter Kontakt zwischen Tiegel und koh­ lenstoffgebundenen Kohlenstoffasern besteht, können auch Tiegel aus unedlen carbidbilden­ den Materialien verwendet werden, wie z. B. Molybdän, Wolfram, Tantal, Rhenium und deren Legierungen. Der Aufbau kann äußerlich durch ein Quarzglas- oder Keramikrohr (6) stabili­ siert werden. Die Induktionsspule (7) bewirkt durch ein elektromagnetisches Wechselfeld die Heizung des Tiegels.
Als Zuchtatmosphären kommen auch hier Edelgase, z. B. Argon und Helium in Frage.

Claims (11)

1. Verfahren zur thermischen Isolation von induktiv beheizten Tiegeln, und Schmelzen in der Kristallzucht, dadurch gekennzeichnet, daß kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern als thermische Iso­ lation eines Tiegels innerhalb einer Induktionsspule verwendet werden können, ohne daß Tiegel oder Schmelzen dadurch vom elektromagnetischen Wechselfeld abgeschirmt wer­ den.
2. Isolationsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich zwischen Tiegel und kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern eine 0,5 mm bis 10 mm breite Gasstrecke befindet.
3. Isolationsverfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß es zur thermischen Isolation induktionsbeheizter Tiegel und Schmelzen während der Kristallzucht von Oxiden, Bromiden, Sulfiden, Fluoriden, Halblei­ tern und Metallen nach dem Czochralski-, dem Nacken-Kyropoulos-, dem Bridgman-Ver­ fahren o. ä. angewendet werden kann.
4. Isolationsverfahren nach Anspruch 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß es als thermische Isolation von induktionsbeheizten Glas­ kohle- und Graphittiegeln bis zu Temperaturen von 3000°C eingesetzt werden kann.
5. Isolationsverfahren nach Anspruch 1, 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß es als thermische Isolation von induktionsbeheizten Metalltie­ geln verwendet werden kann.
6. Isolationsverfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ohne direkten mechanischen Kontakt zwischen Isolation und Tiegel auch carbidbildende Tiegelmaterialien oder Materialien, die mit Kohlenstoff ein Eu­ tektikum bilden verwendet werden können, wie Mo, Ta, W, Re.
7. Isolationsverfahren nach Anspruch 2 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß es als thermische Isolation von induktionsbeheizten Mo-, Ta-, W-, Re-Tiegeln bis zu Temperaturen von 3000°C eingesetzt werden kann.
8. Isolationsverfahren nach Anspruch 1, 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß es zur thermischen Isolation von Tiegeln aus Keramik oder Quarzglas herangezogen werden kann, in denen elektrisch leitfähige Schmelzen von Metal­ len und Halbleitern induktiv beheizt werden.
9. Isolationsverfahren nach Anspruch 1, 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß es zur thermischen Isolation eines induktiv beheizten Suszep­ tors, der einen Quarzglas- oder Keramiktiegel heizt, verwendet werden kann.
10. Isolationsverfahren nach Anspruch 1, 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß durch kohlenstoffgebundene Kohlenstoffasern eine stark reduzierende Zuchtatmosphäre geschaffen wird.
11. Isolationsverfahren nach Anspruch 1, 2 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Isolationsbestandteilen aus kohlenstoffgebundenen Kohlenstoffasern eine carbonisierte oberflächliche Beschichtung aufgebracht ist, die die mechanische Stabilität und Formbeständigkeit des Materials erhöht und ein Ablösen einzel­ ner Kohlenstoffasern erschwert, wobei die Induktion von Wirbelströmen in der Beschich­ tung dadurch unterbunden wird, daß die Schicht in regelmäßigen Abständen unterbrochen ist.
DE1996152171 1996-12-14 1996-12-14 Verfahren zur thermischen Isolation induktiv geheizter Tiegel und Schmelzen in der Kristallzucht mit kohlenstoffgebundenen Kohlenstofffasern Withdrawn DE19652171A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1996152171 DE19652171A1 (de) 1996-12-14 1996-12-14 Verfahren zur thermischen Isolation induktiv geheizter Tiegel und Schmelzen in der Kristallzucht mit kohlenstoffgebundenen Kohlenstofffasern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1996152171 DE19652171A1 (de) 1996-12-14 1996-12-14 Verfahren zur thermischen Isolation induktiv geheizter Tiegel und Schmelzen in der Kristallzucht mit kohlenstoffgebundenen Kohlenstofffasern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19652171A1 true DE19652171A1 (de) 1998-06-18

Family

ID=7814793

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1996152171 Withdrawn DE19652171A1 (de) 1996-12-14 1996-12-14 Verfahren zur thermischen Isolation induktiv geheizter Tiegel und Schmelzen in der Kristallzucht mit kohlenstoffgebundenen Kohlenstofffasern

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19652171A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1060236C (zh) * 1998-06-15 2001-01-03 陈新谋 石墨化纤维制造新工艺及专用设备
DE10345937A1 (de) * 2003-09-30 2005-04-21 Ald Vacuum Techn Ag Vorrichtung für den Feinguß von Metallen
EP2400816A1 (de) 2010-06-24 2011-12-28 Zenergy Power GmbH Vorrichtung zum Einschmelzen von Metallstücken
CN109673072A (zh) * 2018-11-05 2019-04-23 张勤洪 一种磁热发生器

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4243471A (en) * 1978-05-02 1981-01-06 International Business Machines Corporation Method for directional solidification of silicon
US4469925A (en) * 1981-04-07 1984-09-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Inductive heating device utilizing a heat insulator
DE3835646A1 (de) * 1987-10-19 1989-06-08 Gni I Pi Redkometalliceskoj Pr Schale zur bewehrung eines quarztiegels
US5055243A (en) * 1990-02-27 1991-10-08 Kantoyaking Kogyo K.K. Method of preparing carbon fiber-reinforced carbon modules
DE3743880C2 (de) * 1986-12-26 1992-09-03 Toshiba Ceramics Co., Ltd., Tokio/Tokyo, Jp
US5242723A (en) * 1988-08-19 1993-09-07 Osaka Gas Company, Ltd. Formed thermal insulator and process for preparation of same
US5260538A (en) * 1992-04-09 1993-11-09 Ethyl Corporation Device for the magnetic inductive heating of vessels
JPH07187880A (ja) * 1993-12-27 1995-07-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 酸化物単結晶の製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4243471A (en) * 1978-05-02 1981-01-06 International Business Machines Corporation Method for directional solidification of silicon
US4469925A (en) * 1981-04-07 1984-09-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Inductive heating device utilizing a heat insulator
DE3743880C2 (de) * 1986-12-26 1992-09-03 Toshiba Ceramics Co., Ltd., Tokio/Tokyo, Jp
DE3835646A1 (de) * 1987-10-19 1989-06-08 Gni I Pi Redkometalliceskoj Pr Schale zur bewehrung eines quarztiegels
US5242723A (en) * 1988-08-19 1993-09-07 Osaka Gas Company, Ltd. Formed thermal insulator and process for preparation of same
US5055243A (en) * 1990-02-27 1991-10-08 Kantoyaking Kogyo K.K. Method of preparing carbon fiber-reinforced carbon modules
US5260538A (en) * 1992-04-09 1993-11-09 Ethyl Corporation Device for the magnetic inductive heating of vessels
JPH07187880A (ja) * 1993-12-27 1995-07-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 酸化物単結晶の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1060236C (zh) * 1998-06-15 2001-01-03 陈新谋 石墨化纤维制造新工艺及专用设备
DE10345937A1 (de) * 2003-09-30 2005-04-21 Ald Vacuum Techn Ag Vorrichtung für den Feinguß von Metallen
DE10345937B4 (de) * 2003-09-30 2008-02-14 Ald Vacuum Technologies Ag Vorrichtung für den Feinguß von Metallen
EP2400816A1 (de) 2010-06-24 2011-12-28 Zenergy Power GmbH Vorrichtung zum Einschmelzen von Metallstücken
DE102010024883A1 (de) * 2010-06-24 2011-12-29 Zenergy Power Gmbh Vorrichtung zum Einschmelzen von Metallstücken
CN109673072A (zh) * 2018-11-05 2019-04-23 张勤洪 一种磁热发生器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60117629T2 (de) Vorrichtung zur Erhitzung einer Flüssigkeit
DE112011100596T5 (de) Verfahren zur herstellung eines siliciumcarbid-einkristalls
DE112020000646T5 (de) Einrichtung zum Halbleiterkristallwachstum
DE2942057A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines einkristall-siliziumstabs
WO1999017345A1 (de) Verfahren zum thermischen ausheilen von durch implantation dotierten siliziumcarbid-halbleitern
DE102004058547B4 (de) Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen mit großem Durchmesser
DE10316228B3 (de) Effusionszelle mit verbesserter Temperaturkontrolle des Tiegels
DE102009004751B4 (de) Thermisch isolierte Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines SiC-Volumeneinkristalls
DE19652171A1 (de) Verfahren zur thermischen Isolation induktiv geheizter Tiegel und Schmelzen in der Kristallzucht mit kohlenstoffgebundenen Kohlenstofffasern
AT400848B (de) Vorrichtung zum züchten eines einkristalls
DE1521494B1 (de) Vorrichtung zum Eindiffundieren von Fremdstoffen in Halbleiterkoerper
DE19912484A1 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen
DE1933128C3 (de) Rohr zum Eindiffundieren von Dotierungsstoffen in Halbleiterkörper
DE3111657A1 (de) Verfahren zur herstellung von magnetfilmsubstrat-zusammensetzungen
DE1444530A1 (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterstaeben
EP1162647B1 (de) Plasma-Verdampfungsquelle mit Kathoden-Elektrode für eine Vakuum-Beschichtungsanordnung
Feeney et al. High− field electron emission from oxide− metal composite materials
DE4234590C1 (de) Verfahren zum beidseitigen kontinuierlichen Beschichten eines Substrats und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE1138514B (de) Tiegel zum Schmelzen hochreiner Halbleiterstoffe
DE19610650B4 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterialstäben
EP2920342B1 (de) Vorrichtung für das tiegelfreie zonenziehen von kristallstäben
DE2226728C2 (de) Einrichtung zum Züchten von Kristallen nach dem Flammenschmelzverfahren
DD202901A1 (de) Anordnung zur zuechtung oxidischer einkristalle nach dem czochralski-verfahren
DE4447398A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Züchtung von kristallinen Halbleiter-Stäben
DE102009057903B4 (de) Hochtemperaturgasverdampfungsvorrichtung und Verfahren zur Hochtemperaturgasverdampfung

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee