DE19648501A1 - Verfahren für die lösbare Verbindung und anschließende Trennung reversibel gebondeter und polierter Scheiben sowie eine Waferstruktur und Wafer - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur lösbaren Verbindung mindestens zweier Wafer, beispielsweise zweier Siliziumwafer (Siliziumscheiben) oder eines Siliziumwafers und eines Glaswafers oder eines Halbleiterwafers und eines Abdeckwafers, bei dem die aneinander in Berührung zu bringen­ den Oberflächen zumindest im wesentlichen optisch glatt und eben sind, sowie eine Waferstruktur und ein Wafer zur Anwen­ dung bei einer solchen Waferstruktur.

Es ist bekannt, daß sich polierte Halbleiterscheiben (zum Beispiel Siliziumwafer für die Mikroelektronik) hydrophil oder hydrophob bei Raumtemperatur reversibel über das Verfah­ ren des direkten Wafer-Bondens verbinden lassen. Die Verbin­ dung ist reversibel und läßt sich wieder trennen, sofern die gebondeten Scheiben vor dem Trennen nicht über längere Zeit­ räume von Stunden oder mehr über etwa 150°C erhitzt wurden.

Es ist bei einem Verfahren der eingangs genannten Art vorge­ schlagen worden, dieses reversible Bonden zum Schutz der Oberfläche von Wafern während der Lagerung und des Transpor­ tes derselben einzusetzen, und zwar in der US-PS 4,962,879 und in der entsprechenden japanischen Patentschrift.

In dieser US-Patentschrift ist das Verfahren des Waferbondens im Detail beschrieben. Es wird dort zum Ausdruck gebracht, daß das Verfahren entweder in einem Reinraum unter Reinraum­ bedingungen oder aber in einer Vorrichtung praktiziert werden kann, die außerhalb oder innerhalb eines Reinraumes zu be­ treiben ist und selbst als miniaturisierter Reinraum betrach­ tet werden kann. Es handelt sich bei dieser Vorrichtung um ein Drehgestell, auf dem die zwei miteinander zu verbindenden Scheiben zunächst auf Abstand gehalten und mit deionisiertem und gefiltertem Wasser gespült werden. Am Abschluß des Spül­ vorganges, der gegebenenfalls auch bei Drehung des Gestelles erfolgen kann, wird der Drehtisch nach Art einer Wäsche­ schleuder betrieben, und zwar bei leicht angehobenem topfar­ tigen Deckel, so daß das Wasser austreten kann und die Wafer getrocknet werden. Der Trockenvorgang kann vorteilhaft durch eine IR-Heizung beschleunigt werden. Die in dieser Vorrich­ tung beabstandeten Wafer werden anschließend durch Entfernung der Trennelemente in Berührung gebracht, wodurch das Wafer-Bonding-Verfahren automatisch abläuft, zumindest nach Ausüben eines anfänglichen lokalen Druckes an einer Stelle der Schei­ ben.

Besonders vorteilhaft bei diesem Verfahren ist, daß man durch eine Infrarotinspektion prüfen kann, ob Verunreinigungen, beispielsweise Teilchen, zwischen den Scheiben vorhanden sind. Diese erscheinen nämlich in Form von stark vergrößerten "Blasen" in Infrarotinterferenzbildern, die durch die Infra-
rotinspektion entstehen. Auch Unebenheiten der Oberfläche der aneinander haftenden Wafer können auf diese Weise sichtbar gemacht werden.

Es ist also nicht nur möglich, bei der Herstellung der gebon­ deten Waferstrukturen zu prüfen, ob die Wafer die erforderli­ che Reinheit und Oberflächenqualität aufweisen, sondern man kann darüber hinaus vor Anwendung der so gebildeten Wafer­ struktur, d. h. vor Trennung der Wafer und anschließender Her­ stellung von Halbleiterbauelementen, nochmals prüfen, ob die Waferstrukturen sauber geblieben sind. Dadurch, daß die Ober­ flächen der Wafer aneinander haften, bleiben diese über einen längeren Zeitraum geschützt und können mit wesentlich weniger Aufwand und in kleineren Behältern transportiert und gelagert werden.

Das in der US-PS 4,962,879 beschriebene Verfahren läßt sich nicht nur mit Siliziumscheiben verwenden, sondern beispiels­ weise auch für das Wafer-Bonden von Silizium- und Quarzschei­ ben und einer Vielzahl von anderen Scheiben und Materialpaa­ rungen. Beispielsweise wird in der US-PS 4,962,879 zum Aus­ druck gebracht, daß die meisten Halbleiterwafer, beispiels­ weise auch solche aus Galliumarsenid und Indiumphosphid, mit einer spiegelglatten Oberfläche geliefert werden und durch die Anwendung des dort beschriebenen Wafer-Bonding-Verfahrens für den Transport und die Lagerung geschützt werden können. Es ist auch möglich, beispielsweise bei einer Galliumarse­ nidscheibe, diese mit einer Abdeckscheibe aus Silizium zu schützen, wobei die Kosten für die Siliziumscheibe wesentlich geringer sind als die Kosten für die Scheibe aus Galliumarse­ nid.

Weitere Materialpaarungen sind auch im Aufsatz "History and Future of Semioonduotor Wafer Bonding", U. Gösele,
H. Stenzel, M. Reiche, T. Martini und H. Steinkirchner in der Zeitschrift "Solid State Phenomena" 47 und 48, Seiten 33-44, 1995 angegeben. Dieser Aufsatz beschreibt auch die Oberflä­ chenbedingungen, die erfüllt werden müssen, um das Wafer-Bonding als solches bei Raumtemperatur durchführen zu können. Insbesondere wird dort beschrieben, wie glatt die Oberflächen und wie sie beschaffen sein müssen. Die dort gemachten Anga­ ben, wie auch die Angaben in der US-PS 4,962,879, gelten ge­ nauso für die vorliegende Erfindung und werden, da sie im Stand der Technik bekannt sind, hier nicht weiter beschrie­ ben.

Bei dem Verfahren nach dem US Patent 4,962,879 erfolgt die Trennung der gebondeten Wafer mechanisch über das Einführen von Keilen zwischen den Wafern. Diese mechanische Trennung kann aber in der Praxis zu Kontamination oder Beschädigung der polierten Oberflächen führen. Darüber hinaus ist es schwierig, diese Art der Trennung automatisch durchzuführen. Dies mag ein Grund dafür sein, warum sich das Verfahren noch nicht in der Industrie durchgesetzt hat.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren bzw. eine Waferstruktur vorzuschlagen, das bzw. die ein einfaches Trennen der gebondeten Scheiben ohne die mechanische Einfüh­ rung von Keilen erlaubt, wobei die Gefahr der Kontamination oder Beschädigung der polierten Oberflächen minimiert werden soll.

Zur Lösung dieser Aufgabe wird verfahrensmäßig bei einem Ver­ fahren der eingangs genannten Art vorgesehen, daß vor dem In- Berührung-bringen der Oberflächen der Wafer ein oder mehrere Tropfen einer Flüssigkeit auf mindestens eine der Oberflächen aufgebracht wird und das Wafer-Bonding-Verfahren zumindest im wesentlichen bei Raumtemperatur oder bei einer etwas höheren Temperatur oder gegebenenfalls niedriger Temperatur durchge­ führt wird. Zur Lösung der Verbindung werden die aneinander haftenden Wafer einer deutlich über Raumtemperatur liegenden Temperatur ausgesetzt, bei der sich die Flüssigkeit ausdehnt und verdampft.

Eine Waferstruktur zur Lösung dieser Aufgabe zeichnet sich dadurch aus, daß eine Flüssigkeit an einer oder an mehreren Stellen bzw. verteilt über die Fläche der aneinander haften­ den Oberflächen der Wafer vorliegt.

Mit anderen Worten soll das übliche, direkte Wafer-Bonden mit hydrophilen oder hydrophoben Oberflächen angewandt werden, jedoch mit dem Unterschied, daß direkt vor dem eigentlichen Bonden ein kleiner Flüssigkeitstropfen zwischen die beiden Wafer eingebracht wird, der zur Trennung der gebondeten Wafer erhitzt wird.

Bei Verwendung einer Flüssigkeit verdampft diese während der Erwärmung und drückt durch die damit verbundene starke Volu­ menvergrößerung somit die beiden Wafer auseinander.

Da keine Keile oder mechanische Einrichtungen zwischen die beiden Wafer gedrückt werden müssen, besteht keine Gefahr ei­ ner Beschädigung der polierten Oberflächen. Das erfindungsge­ mäße Verfahren läßt sich leicht automatisieren. Es ist ledig­ lich notwendig, das gebondete Waferpaar von beiden Seiten in geeigneter Weise zu halten, zum Beispiel durch jeweils ein Vakuumfutter, und dann auf eine Temperatur zu erhitzen, bei der die eingeschlossene Flüssigkeit verdampft, so daß durch die entsprechende Volumenerhöhung die beiden Wafer getrennt werden. Durch die äußeren Halteeinrichtungen werden die bei­ den einzelnen Wafer durch nach außen gerichtete Kräfte voll­ ends auseinander gezogen und gehalten. Es ist streng genommen nicht notwendig, die Wafer selbst zu erwärmen. Statt dessen genügt es, lediglich die Flüssigkeit zu erwärmen, beispiels­ weise durch Mikrowellenenergie.

Deionisiertes und gefiltertes Wasser stellt wegen der gerin­ gen Gefahr einer Kontamination die bevorzugte Flüssigkeit dar. Im übrigen ist deionisiertes und gefiltertes Wasser eine bei der Herstellung von Halbleiterbauteilen üblicherweise be­ nutzte und somit sowohl vorhandene als auch prozeßgerecht an­ wendbare Flüssigkeit.

Die Erfindung ist jedoch nicht auf die Anwendung von deioni­ siertem und gefiltertem Wasser als Flüssigkeit beschränkt, sondern es können durchaus andere Flüssigkeiten ins Auge ge­ faßt werden. Vorzugsweise werden jedoch Flüssigkeiten verwen­ det, die unter Normaldruck einen Siedepunkt unterhalb von 150°C besitzen, da eine Erhitzung der Wafer über diese Tempe­ ratur hinaus nicht erwünscht ist.

Das richtige Volumen des Flüssigkeitstropfens hängt vom Durchmesser, der Dicke und den elastischen Konstanten der ge­ bondeten Wafer ab. Die gewählte Flüssigkeit soll auf jeden Fall keine Verunreinigungen enthalten, die für die weitere Behandlung der Wafer schädlich ist. Die Anwendung von Wasser­ tropfen in Verbindung mit hydrophoben Wafern stellt eine be­ sonders günstige Kombination dar.

Die Flüssigkeit kann entsprechend Anspruch 2 gleichmäßig über die Oberfläche der gebondeten Wafer verteilt werden. In die­ sem Falle soll nur soviel Wasser zur Anwendung gelangen, daß die Wasserschicht eine Dicke von einem Molekül oder höchstens etwa zehn Molekülen aufweist. Sehr dicke Schichten lassen es nicht zu, daß die Wafer permanent aufeinander haften, und be­ inhalten zugleich die Gefahr, daß ein Wasserverlust durch Verdunsten auftritt.

Bei aneinander gebondeten Wafern mit einer nur sehr dünnen Schicht zwischen den beiden Oberflächen, vorzugsweise von der Dicke lediglich eines Wassermoleküls, kann man die berechtig­ te Hoffnung haben, daß ein Wasserverlust nicht oder nur über sehr lange Zeiträume eintritt.

Besonders bevorzugt ist das Verfahren gemäß Anspruch 3, wo­ nach die Flüssigkeit in eine oder mehrere Vertiefungen in der Oberfläche mindestens eines der Wafer eingebracht wird. Hier­ durch wir die Gefahr des Verdunstens mit sehr hoher Wahr­ scheinlichkeit ausgeschlossen, da die aneinander haftenden Oberflächen der Wafer so nahe beieinander angeordnet sind, daß die Moleküle der Flüssigkeit oder des Feststoffes nicht entweichen können.

Besonders bevorzugt wird die Vertiefung im mittleren Bereich der Scheibe angeordnet, da die Volumenvergrößerung bzw. Druckerhöhung, die zur Trennung der Wafer führt, eine beson­ ders günstige Auswirkung entfalten kann, weil die Entfernung vom mittleren Bereich der Wafer bis zum Rand gleichmäßig kurz ist. Auch wenn eine kleine Vertiefung im mittleren Bereich der Wafer an sich nicht stören sollte, könnte eine solche Vertiefung doch als störend empfunden werden. Es bietet sich dann an, die Vertiefung oder Vertiefungen im Randbereich der Wafer auszubilden, und zwar beispielsweise im Bereich der üb­ lichen Abflachung, wo die Wafer häufig eine besondere Kennung aufweisen.

Besonders bevorzugte Beispiele der Erfindung lassen sich den weiteren Ansprüchen entnehmen.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Figuren näher er­ läutert, bei denen:

Fig. 1 der Fig. 1 der US-PS 4,962,879 entspricht,

Fig. 2 eine Draufsicht eines erfindungsgemäßen Wafers mit einer Vertiefung zur Aufnahme der Flüssigkeit zeigt,

Fig. 3 eine Schnittzeichnung durch die Vertiefung der Fig. 2 in einem vergrößerten Maßstab darstellt, und zwar nach Anbringung des zweiten Wafers, und

Fig. 4 eine schematische Darstellung der Trennung der ge­ bondeten Wafer zeigt.

In Fig. 1 sind zwei Siliziumscheiben 10 und 12 gezeigt, die beispielsweise einen Durchmesser von 4 Zoll (10 cm) und eine Dicke von 350 bis 550 µm aufweisen können, wobei die einander zugewandten Oberflächen der beiden Wafer 10 und 12 spiegel­ glatt poliert sind. Die beiden Scheiben 10 und 12 werden von einem Drehgestell 14 getragen, das um die mittlere Längsachse 16 drehbar ist. Der Drehtisch kann beispielsweise aus Teflon (Polytetrafluorethylen) bestehen. Um eine Berührung der Ober­ flächen während der Reinigung und der Spülung zu vermeiden, werden diese mittels Abstandselementen 18 mit einer Dicke von etwa 550 µm, die beispielsweise aus Teflon bestehen, ausein­ andergehalten.

Der Abstand zwischen den Wafern soll im Bereich zwischen 10 und 1000 µm gehalten werden. Das Gestell mit den Wafern wird dann in ein Hydrophilisierungsbad von 300 ml H₂O, 50 ml H₂O₂, 200 ml NH₄OH bei einer Temperatur zwischen 50 und 60°C für etwa 2 bis 5 min eingetaucht. Danach wird der Spalt zwischen den Wafern mit gut gefiltertem und deionisiertem Wasser (Wasserstrom 20) etwa 5 min lang gespült. Die Wafer werden vorzugsweise während des Spülvorgangs gegenüber dem Wasser­ strom 20 mittels des Drehgestells 14 um die Achse 16 gedreht, oder es wird der Wasserstrom gegenüber den Wafern gedreht. Durch dieses Verfahren entstehen hydrophile Waferoberflächen.

Nach diesem Spülvorgang wird das Gestell 14 mit den Wafern in waagerechter Ausrichtung nach Art einer Wäscheschleuder be­ trieben und mit einem topfartigen Deckel 22 geschlossen, wo­ bei jedoch zwischen dem Deckel 22 und dem Randbereich des Drehgestells 14 ein kleiner Spalt vorhanden ist, durch den bei Drehung des Gestells um die Achse 16 Wasser nach Art ei­ ner Wäscheschleuder entweichen kann. Der Schleudervorgang findet bei etwa 3000 U/min statt. Nach einigen Minuten ist dieser Vorgang beendet. Die hierfür erforderliche Zeit kann auch verkürzt werden, wenn die Wafer während des Schleuder­ vorganges mit einer Infrarotlampe 24 auf etwa 45°C oder mehr erwärmt werden.

Es ist auch möglich, mit hydrophoben Waferoberflächen zu ar­ beiten. Um solche Oberflächen zu erzeugen, wird das Gestell mit den Wafern in ein 1% HF Bad getaucht und anschließend durch einen Schleudervorgang getrocknet, und zwar diesmal ohne Spülung mit Wasser oder einer sonstigen Flüssigkeit.

Nach Abschluß des Trockenvorganges wird - unabhängig davon, ob es sich um hydrophile oder hydrophobe Wafer handelt - erfindungsgemäß beispielsweise mittels einer kleinen Kanüle ein Wassertropfen zwischen die Wafer gebracht. Die Abstands­ halter 14 werden anschließend entfernt. Durch einen leichten Druck auf die Scheibe verteilt sich das Wasser über die Grenzfläche zwischen den beiden Wafern, was auch durch die Kapillarkräfte gefördert wird. Bei Ausübung eines leichten Drucks an einer Stelle der Waferstruktur, beispielsweise mit­ tels eines zangenartigen Werkzeugs 26, haften diese zumindest im wesentlichen vollflächig aneinander.

Durch die Infrarotlampe kann die praktisch anwendbare Tempe­ ratur bis ca. 90°C betragen, wobei die Aussage in den Ansprü­ chen, wonach das Bonding-Verfahren bei einer etwas höheren Temperatur stattfinden kann, in diesem Sinne zu verstehen ist.

Anstatt die Flüssigkeit zwischen den Wafern zu verteilen, kann diese bzw. dieser in eine Vertiefung 28 in der Oberflä­ che des einen Wafers eingeführt werden, wie aus den Fig. 2 und 3 hervorgeht.

Wie insbesondere aus Fig. 3 zu ersehen ist, bildet die Ver­ tiefung nach dem Waferbonden einen allseitig geschlossenen Hohlraum 30, in dem die Flüssigkeit enthalten ist.

Zur Lagerung und zum Transport der so aneinander gebondeten Wafer kann dann eine Vorrichtung gemäß Fig. 5 oder 6 der US-PS 4,962,879 zur Anwendung gelangen.

Zur Trennung der aneinander gebondeten Wafer wird das Paar in die Vorrichtung gemäß Fig. 4 eingesetzt. Die Bezugszeichen 32 deuten auf zwei Vakuumfutter hin, die eine voneinander weg gerichtete Vorspannkraft auf die beiden Wafer ausüben, wie durch die Pfeile 34 angedeutet ist. Durch Einschalten der In­ frarotlampe 36 wird die Flüssigkeit zwischen den beiden Wa­ fern 10 und 12 erwärmt, so daß die Flüssigkeit verdampft und durch diese Volumenerhöhung die beiden Wafer auseinanderge­ drückt werden. Durch die Vakuumfutter 32 werden die zwei Wa­ fer dann auseinander gezogen und in einem Abstand gehalten, bei dem ein erneutes Wafer-Bonden ausgeschlossen ist.

Dieser Abstand soll relativ klein gehalten werden, da man er­ findungsgemäß festgestellt hat, daß - wenn dieser Abstand klein bleibt - die Gefahr der Verunreinigung der Oberflächen sehr gering ist. Es findet sozusagen kein Luftaustausch zwi­ schen dem engen Spalt und der Umgebung statt, der zur Kontamination der Oberflächen führen könnte.

Das Trennen kann demgemäß entweder in einem Reinraum oder aber in einer umschlossenen Kammer stattfinden, die eine Art Kleinreinraum darstellt.

Vor Durchführung des Trennverfahrens kann durch Infrarotin­ terferenzbilder die Qualität der Oberflächen überprüft wer­ den, und zwar im Hinblick darauf, ob Verunreinigungen in der Grenzfläche zwischen den beiden Wafern vorhanden sind oder ob die Wafer selbst Unebenheiten aufweisen, die nicht zulässig sind.

Es ist auch denkbar, daß man anstelle eines Wassertropfens einen sublimierenden Feststoff verwendet, der zunächst er­ hitzt wird, damit er sublimiert und sich die entsprechenden Moleküle zwischen den Wafern in einer dünnen, quasi monomole­ kularen Schicht ablagern. Dies wird dadurch begünstigt, daß die Wafer eine Temperatur unter der Sublimationstemperatur aufweisen. Auch hier können dann die zwei Wafer aneinander gedrückt werden, um das Wafer-Bonding-Verfahren abzuschlie­ ßen.

Claims (16)

1. Verfahren zur lösbaren Verbindung mindestens zweier Wafer (10, 12), beispielsweise zweier Siliziumwafer (Siliziumscheiben) oder eines Siliziumwafers und eines Glaswafers oder eines Halbleiterwafers und eines Abdeckwa­ fers durch ein Wafer-Bonding-Verfahren, bei dem die anein­ ander in Berührung zu bringenden Oberflächen zumindest im wesentlichen optisch glatt und eben sind, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem In-Berührung-bringen der Oberflächen der Wafer (10, 12) ein oder mehrere Tropfen einer Flüssigkeit auf mindestens eine der Oberflächen aufgebracht wird und das Wafer-Bonding-Verfahren zumindest im wesentlichen bei Raumtemperatur oder bei einer etwas höheren Temperatur oder gegebenenfalls niedriger Temperatur durchgeführt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeit vor dem In-Berührung-bringen der Oberflächen der Wafer (10, 12) über diese Oberflächen oder über eine der Oberflächen (10) gleichmäßig verteilt wird, wobei die gewählte Menge der Flüssigkeit ausreicht, in verteilter Form eine Schicht von der Dicke eines Moleküls bzw. mehre­ rer, jedoch weniger als zehn Moleküle zu bilden.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeit vor dem miteinander In-Berührung-bringen der Oberflächen in eine Vertiefung (28) oder in mehrere Ver­ tiefungen in den zu verbindenden Oberflächen oder in einer davon eingebracht wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Menge der Flüssigkeit zumindest im wesentlichen dem Volu­ men der Vertiefung (28) entspricht.

5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefung im mittleren Bereich des einen Wafers (10) und/oder in dessen Randbereich, vorzugsweise im Be­ reich der üblichen Abflachung bzw. Randmarkierung gebildet wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge­ kennzeichnet, daß deionisiertes und gefiltertes Wasser als Flüssigkeit verwendet wird.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die in Berührung zu bringenden Oberflächen hydrophob gestaltet werden, beispielsweise durch Behandlung mit HF.

8. Verfahren zum Trennen zweier nach einem der oben genannten Verfahren aneinander haftenden Wafer (10, 12), dadurch ge­ kennzeichnet, daß zumindest die von den aneinander haften­ den Wafern (10, 12) eingeschlossene Flüssigkeit einer deutlich über der Bondtemperatur liegenden Temperatur aus­ gesetzt wird, bei der die Flüssigkeit verdampft.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die aneinander haftenden und an jeweiligen einander gegenüber­ liegenden Vakuumfutter (32) gehaltenen Wafer (10, 12) von­ einander weg vorgespannt und in diesem Zustand der deut­ lich über Raumtemperatur liegenden Temperatur ausgesetzt werden.

10. Waferstruktur, bestehend aus mindestens zwei bei etwa Raumtemperatur oder bei einer etwas höheren Temperatur oder bei einer tieferen Temperatur aneinander gebondeten Wafern (10, 12), beispielsweise zwei Siliziumwafern (Siliziumscheiben) oder einem Siliziumwafer und einem Glaswafer oder einem Halbleiterwafer und einem Abdeckwa­ fer, dadurch gekennzeichnet, daß eine Flüssigkeit an einer oder mehreren Stellen (28) bzw. verteilt über die Fläche der aneinander haftenden Oberflächen der Wafer vorliegt.

11. Waferstruktur nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeit in einer Vertiefung (28) oder in meh­ reren Vertiefungen in den aneinander haftenden Oberflächen oder in einer davon vorliegt.

12. Waferstruktur nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Menge der Flüssigkeit zumindest im wesentlichen dem Volumen der Vertiefung (28) bzw. der Vertiefungen ent­ spricht.

13. Waferstruktur nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefung (28) im mittleren Be­ reich des einen Wafers (10) und/oder in dessen Randbe­ reich, vorzugsweise im Bereich der üblichen Abflachung bzw. Randmarkierung angeordnet ist.

14. Waferstruktur nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeit deionisiertes und ge­ filtertes Wasser ist.

15. Waferstruktur nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß sie alleine oder mit weiteren Wafer­ strukturen dieser Art in einem Behälter angeordnet ist.

16. Wafer (10) zur Anwendung bei einer Waferstruktur nach ei­ nem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß er im mittleren Bereich und/oder im Randbereich, vorzugs­ weise im Bereich der üblichen Abflachung bzw. Randmarkie­ rung, eine Vertiefung (28) zur Aufnahme einer Flüssigkeit aufweist.