DE19643644C1 - Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektorarrays und Verwendung eines solchen Strahlungsdetektorarrays - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektorarrays und Verwendung eines solchen StrahlungsdetektorarraysInfo
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Description
Für den quantitativen Nachweis von Röntgen- und Gammastrah
lung werden bei mittleren Quantenenergien von 10 bis 150 keV
traditionell gasgefüllte Ionisationsröhren oder Festkörper
szintillatoren im Verbund mit Photomultiplier-Röhren oder
Halbleiterphotodioden eingesetzt. Während im ersten Fall die
ionisierende Wirkung von Röntgenstrahlung direkt zum Nachweis
der dadurch erzeugten elektrischen Ladungen genutzt wird,
dienen im zweiten Fall die Leuchteigenschaften von Festkör
perleuchtstoffen dazu, die Röntgenstrahlung zunächst in nie
derenergetische und insbesondere sichtbare Strahlung umzuwan
deln. Diese kann dann über einen lichtempfindlichen Film oder
einen Strahlungsdetektor für sichtbares Licht nachgewiesen
werden.
Festkörperdetektoren werden als Einzelelemente oder als li
neare Arrays eingesetzt. Zweidimensionale Festkörperdetekto
ren werden hergestellt, indem flächige Leuchtstoffplatten
oder -schichten auf einen elektronischen Bildsensor, zum Bei
spiel auf ein Photodiodenarray aufgebracht werden. Nachteilig
an dieser Methode ist, daß sich das Lumineszenzlicht, das im
Leuchtstoff durch die absorbierte hochenergtische Strahlung
erzeugt wurde, im Leuchtstoff ungehindert nach allen Richtun
gen ausbreiten kann. Dadurch wird ein Strahlungsquant nicht
nur am Ort der Erzeugung sondern auch in benachbarten Berei
chen des Bildsensors bzw. des Photodetektors nachgewiesen.
Dies führt am Ort des Strahlungseinfalls zu einer Signaler
niedrigung im Photodetektor und gleichzeitig zu einer ent
sprechenden Erhöhung der Signale der Nachbardetektoren, was
eine schlechte Bildauflösung bewirkt. Da zur vollständigen
Absorption harter Röntgenstrahlung eine größere Absorpti
onstiefe und damit eine größere Schichtdicke der Leuchtstoff
schicht benötigt wird, wirkt sich diese durch Übersprechen
verschlechterte Bildauflösung bei harter Röntgenstrahlung be
sonders schwerwiegend aus.
Aus der US-PS 5 059 800 ist ein zweidimensionaler Mosaikde
tektor bekannt, der aus einem Photodetektorarray und einem
optisch angekoppelten Szintillatormosaik besteht. Dieses
Szintillatormosaik besteht aus Leuchtstoffeinzelelementen,
die durch Sägen einer Leuchtkeramikplatte erzeugt und durch
Einbringen einer Reflektormasse aus Epoxidharz und Titanoxid
füllung optisch separiert werden. Das Einbringen der Reflek
tormasse in durch Sägen erzeugte Kerben in der Leuchtstoffke
ramikplatte erfolgt nachträglich und erfordert hohe Schnitt
breiten auf zumindest einer Seite der Keramikplatte. Dies
führt zu unterschiedlich großen Lateralflächen und zu unter
schiedlichen Leuchtstoffrasterungen auf Ober- und Unterseite
der Leuchtstoffkeramikplatte. Die auf einer Seite nur dünnen
und diffusen Reflektorschichten erlauben eine nur unvollstän
dige Unterdrückung des optischen Übersprechens zwischen den
einzelnen Elementen. Die dickeren Reflektorschichten auf der
anderen Seite der Leuchtstoffkeramikplatte verringern den An
teil der aktiven Leuchtstofffläche an der Gesamtfläche des
Detektors. Durch die Sägetechnik kann außerdem der Abstand
der Leuchtstoffdetektorelemente nicht beliebig klein gewählt
werden. Neben dem ungünstigen Flächennutzungsgrad weist der
Mosaikdetektor auch einen ungünstigen Volumennutzungsgrad
auf, da hohe Anteile des Detektorvolumens nicht zur Absorpti
on der einfallenden hochenergetischen Strahlung geeignet
sind. Beide Effekte zusammen führen zu einem geringeren Wir
kungsgrad des Mosaikdetektors gegenüber einem unstrukturier
ten Festkörperdetektor.
Aus der DE 38 29 912 A1 ist ein Mehrelementstrahlungsdetektor
bekannt, der mehrere stäbchenförmige, optisch voneinander ge
trennte Szintillatorelemente aufweist, auf deren Oberfläche
jeweils eine Photodiode hergestellt ist. Das Herstellungsverfahren
für den Detektor weist die ersten drei Verfahrensschritte des Anspruchs
1 auf.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung
eines Festkörperstrahlungsdetektors anzugeben, mit dem sich
ein Strahlungsdetektorarray mit hoher Auflösung und hohem
Wirkungsgrad herstellen läßt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren nach
Anspruch 1 gelöst. Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung
sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird von Leuchtstoffplatten
ausgegangen, aus denen durch Zersägen die einzelnen Leucht
stoffpixel separiert werden, bei dem die Seitenflächen der
Pixel mit Reflektorschichten und/oder Kollimatorschichten
versehen werden und bei dem die Pixel zu einer Pixelplatte
verbunden werden. Dabei ist es jedoch nicht erforderlich, daß
die Leuchtstoffpixel einzeln gehandhabt werden. Vielmehr wer
den die Reflektorschichten stets auf plattenförmigen Leucht
stoffkörpern aufgebracht, während die Sägeprozesse an lami
nierten Stapeln solcher plattenförmiger Leuchtstoffkörper
durchgeführt werden. Zur Herstellung einer Pixelplatte sind
also im wesentlichen zwei Laminierschritte erforderlich, an
die sich jeweils ein Sägeschritt anschließt. Als Produkt der
Sägeschritte werden stets plattenförmige Körper erhalten, die
relativ zu einzelnen Leuchtstoffpixeln einfacher zu handhaben
sind und die sich einfach vergüten oder weiterbehandeln las
sen.
Das Aufbringen der Reflektorschichten erfolgt auf den relativ
großen Oberflachen der plattenförmigen Leuchtstoffkörper. Auf
diese Weise lassen sich die Reflektorschichten in hoher Qua
lität und Homogenität herstellen. Die Schichtdicken der Re
flektorschichten lassen sich minimieren, Schichtqualität und
Schichthomogenität können optimiert werden. Auf diese Weise
wird eine Pixelplatte und in der Folge ein Strahlungsdetek
torarray erhalten, das sowohl einen hohen Flachen- als auch
Volumenanteil effektiv nutzbaren Leuchtstoffs aufweist und
daher einen hohen Wirkungsgrad zeigt.
Ein jeder der Verfahrensschritte kann mit hoher Genauigkeit
und daher auch mit guter Reproduzierbarkeit durchgeführt wer
den. So ist es möglich, eine Pixelplatte mit äußerst gleich
mäßiger und homogener Rasterung herzustellen, wobei die Ra
sterung exakt an die Rasterung des Photodetektorarrays ange
paßt werden kann. Durch Verbinden des Photodetektorarrays mit
der Pixelplatte wird ein fertiger Strahlungsdetektor erhal
ten.
Zusätzliche Verbesserungen bezüglich der Güte der Oberflächen
und der auf zubringenden Schichten werden erzielt, wenn nach
jedem Sägeschritt und/oder vor jedem Laminierschritt die
Oberflächen einer zusätzlichen Oberflächenbehandlung unterzo
gen werden. Dabei wird (falls nötig) eine besonders ebene
Oberfläche erzielt und in der Oberfläche eine definierte Rau
higkeit eingestellt. Entsprechende Behandlungsschritte zum
Einebenen und Glätten der Oberflächen umfassen zumindest ei
nen der Schritte Atzen, Schleifen, Läppen oder Polieren. Die
se zusätzlichen Behandlungsschritte ermöglichen es, die Säge
prozesse relativ grob durchzuführen und die erhaltenen plat
tenförmigen Leuchtstoffkörper erst hinterher bezüglich der
gewünschten Abmessungen und der gewünschten Oberflächenbe
schaffenheit anzupassen. Außerdem wird die Maßgenauigkeit der
Pixelplatte bezüglich des gewünschten Rasters verbessert.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung umfaßt das er
findungsgemäße Verfahren die zusätzliche Erzeugung einer Kol
limatorschicht, mit der die anfallende Röntgen- oder
Gammastrahlung kollimiert und das Übersprechen zwischen ein
zelnen Pixeln oder Pixelzeilen durch gestreute Röntgen- oder
Gammaquanten unterdrückt wird. Die Kollimatorschichten werden
auf den Hauptoberflächen der Leuchtstoffplatten und/oder der
Stäbchenplatten erzeugt. Dabei ist es möglich, eine Kolli
matorschicht auf jede der beiden beim Laminieren miteinander
zu verklebenden Hauptoberflächen aufzubringen. Ausreichend
ist es jedoch, jeweils nur auf einer der zu verklebenden
Oberflächen eine Kollimatorschicht aufzubringen.
Die Kollimatorschicht wird über den Reflektorschichten er
zeugt. Möglich ist es jedoch auch, eine Reflektorschicht mit
Kollimatoreigenschaften zu verwenden, zum Beispiel eine spie
gelnde Metallschicht eines Schwermetalls oder eine diffus re
flektierende Keramikschicht, die ein schweres Element umfaßt.
Die Kollimatorschicht kann bündig mit der Oberfläche der
Leuchtstoff- oder Stäbchenplatte in einer Schichttechnik auf
gebracht werden. Möglich ist es jedoch auch, eine Kollimator
folie oder eine sonstige dünne vorgefertigte Schicht auf zu
mindest eine der Hauptoberflächen aufzubringen. Dabei ist es
möglich, daß die Kollimatorschicht eine größere Fläche auf
weist als die Leuchtstoff- oder Stäbchenplatten, zwischen die
sie einlaminiert werden. Läßt man die Kollimatorschicht ein
seitig am Plattenstapel und/oder am Stäbchenblock überstehen,
wird auf diese Weise eine Pixelplatte erhalten, bei der ent
weder einzelne Pixelzeilen durch überstehende Kollimator
schichten getrennt sind.
Als Leuchtstoff sind monokristalline, polykristalline oder
keramische Stoffe geeignet, die hochenergetische Strahlung
unter Erzeugung von Lumineszenzstrahlung absorbieren. Vor
zugsweise besitzen als Leuchtstoffe geeignete Verbindungen
eine gute Absorption für hochenergetische Strahlung und um
fassen daher insbesondere Verbindungen von Elementen mit ho
hen Ordnungszahlen. Vorzugsweise weist ein Leuchtstoff einen
hohen Wirkungsgrad bei der Umwandlung von absorbiert er
hochenergetischer Strahlung in Lumineszenzstrahlung auf. Vor
zugsweise weist der Leuchtstoff eine hohe Durchlässigkeit für
das Lumineszenzlicht auf und ist für die Wellenlänge der Lu
mineszenzstrahlung daher transluzent bis transparent. Für
schnelle Strahlungsdetektoren bzw. Strahlungsdetektorarrays
sind Leuchtstoffe von Vorteil, bei denen die Lumineszenz
strahlung rasch abklingt. Vorzugsweise werden Leuchtstoffe
eingesetzt, die ein schnelles und lineares Ansprechen auf
einfallende hochenergetische Strahlung zeigen.
Beispiele für solche Leuchtstoffe sind mit Natrium oder Thal
lium dotierte Alkalihalogenide, beispielsweise mit Thallium
dotiertes Cäsiumiodid; Zinkwolframat, Cadmiumwolframat,
Zinksilikat mit Mangan- oder Wismutdotierung, Gadoliniumoxid
und Gadoliniumoxisulfid, jeweils dotiert mit Seltenerdelemen
ten, Yttriumoxid mit Europiumdotierung, Kalziumfluorphosphat
mit Antimon- und Mangandotierung sowie prinzipiell weitere
bekannte oder auch noch unbekannte Leuchtstoffe.
Als Reflektorschichten sind diffuse Reflektorschichten, me
tallisch glänzende Reflektorschichten oder dielektrische
Schichtenfolgen mit Reflexionsverhalten geeignet. Besonders
geeignet wegen ihres guten Reflexionsverhaltens sind diffuse
Reflektorschichten, beispielsweise auf der Basis von weißen
Pigmenten. Diese Schichten zeigen bereits ab einer Schicht
dicke von 50 bis 150 µm eine hohe Reflexion. Geeignete Mate
rialien für diffuse Reflektoren sind daher beispielsweise Ti
tanoxid TiO₂, Bleisulfat PbSO₄, Bariumsulfat BaSO₄, Bariumti
tanat BaTiO₃ oder Aluminiumoxid Al₂O₃. Die Reflektorschicht
kann körnige Pigmente enthalten, die in einem Binder suspen
diert sind. Als Binder geeignet sind für die Lumineszenz
strahlung transparente, gut aushärtbare Polymere, die gegen
die hochenergetische Strahlung stabil sind oder zumindest
keine dosisabhängige Verfärbung zeigen. Vorzugsweise werden
als Reflektorschichten mit diffusen Reflektoren jedoch kera
mische Schichten oder Folien eingesetzt. Deren Reflexionsver
halten ist abhängig von der Porengröße und kann mit herkömm
lichen keramischen Verfahren gut eingestellt werden.
Metallisch glänzende oder spiegelnde Reflektorschichten be
stehen aus dünnen Metallspiegeln, beispielsweise aus ca. 1 um
Silber-, Palladium- oder Aluminiumschichten. Solche Schichten
lassen sich in einfacher Weise und unter kontrollierten Be
dingungen aufdampfen oder aufsputtern. Dabei ist es möglich,
auch solche Metalle für metallisch glänzende Reflektorschich
ten einzusetzen, die beim Sputtern eine chemische Reaktion
mit dem Leuchtstoff zeigen, beispielsweise eine silberhaltige
Reflektorschicht über einem Gadoliniumoxisulfid-Leuchtstoff.
Dazu wird vor dem Abscheiden der Reflektorschicht eine dünne
Haftvermittler- und/oder Barriereschicht aus einem inerten
Material erzeugt, beispielsweise eine dünne Siliziumoxid
schicht.
Aus der Vergütung optischer Oberflächen und Gläser sind eine
Reihe wellenlängenabhängiger Reflektorschichten bekannt, die
auf Interferenzeffekten beruhen und somit wesentlich von der
Schichtdicke abhängig sind. Durch Kombination mehrerer sol
cher dielektrischer Schichten unterschiedlicher Schichtdicke
ist es möglich, für mehrere Wellenlängen oder einen gewissen
Wellenlängenbereich gute Reflexionseigenschaften zu erzeugen.
In einer Ausgestaltung der Erfindung werden unterschiedliche
Reflektormaterialien für die Reflektorschicht kombiniert. Ei
ne bevorzugte Reflektorschicht besteht zum Beispiel aus einer
Dreifachschicht diffuser Reflektor/metallischer Reflek
tor/diffuser Reflektor. Während die diffusen Reflektorschich
ten hier ausschließlich zur Erhöhung der Lichtausbeute an Lu
mineszenzlicht dienen, verhindert die dazwischenliegende me
tallische Reflektorschicht die Transmission des Lumineszenz
lichts über die Pixelgrenzen hinweg und damit ein Überspre
chen benachbarter Strahlungsdetektorelemente bzw. einzelner
Leuchtstoffpixel. In einer solchen Dreifachreflektorschicht
ist es möglich, bei gleicher Reflexionswirkung die Schicht
dicken der Einzelschichten zu reduzieren.
Das Laminieren der plattenförmigen Leuchtstoffkörper
(Leuchtstoffplatten oder Stäbchenplatten) erfolgt mit Hilfe
eines transparenten und gegen die hochenergetische Strahlung
stabilen Klebstoffes. Dieser kann ein, einen thermoplasti
schen Kunststoff umfassender Heißkleber sein. Vorzugsweise
werden jedoch vollständig aushärtende ein- oder mehrkomponen
tige Reaktionsharze eingesetzt, die thermisch und/oder durch
Strahlung härtbar sind. Geeignete Klebstoffe sind beispiels
weise aus der Klasse der zweikomponentigen Epoxidharze ausge
wählt.
Auch die Verbindung der Pixelplatte mit dem Photodetektorar
ray kann durch Kleben erfolgen, wobei derselbe Klebstoff wie
für den Laminierprozeß der einzelnen Stapel verwendet werden
kann. Da die Oberfläche der zu verklebenden Pixelplatte durch
zusätzliche Behandlungsschritte ausreichend plan und glatt
ausgestaltet werden kann, ist zum Verkleben mit dem Photode
tektorarray eine dünne Klebstoffschicht von beispielsweise 5
bis 10 um Dicke ausreichend. Da die Klebstoffschicht zwischen
Pixelplatte und Photodetektorarray über sämtliche Pixel und
Photodetektorelemente verläuft, ist bei geklebten Strahlungs
detektoren prinzipiell durch Streuung oder Brechung an den
Kanten der Leuchtstoffpixel bzw. Leuchtstoffelemente ein
Übersprechen zwischen einzelnen Detektorelementen möglich. Da
dieses Übersprechen mit größer werdender Schichtdicke der
Klebstoffschicht zunimmt, ist es bei einem mit dem erfin
dungsgemäßen Verfahren hergestellten Strahlungsdetektor wegen
der minimalen Schichtdicke nur sehr gering.
Eine bevorzugte Verwendung findet ein erfindungsgemäß herge
stelltes Strahlungsdetektorarray in der Computertomographie.
Dort werden bislang nur Detektorzeilen eingesetzt, die aus in
<p-Richtung hintereinander angeordneten einzelnen Detektorele
menten bestehen, wobei die Einzeldetektoren jeweils wieder
durch Reflektoren und/oder Kollimatoren gegen Übersprechen
geschützt sind. Bekannte Detektorzeilen sind zum Beispiel mo
dulartig aus Zeilen von beispielsweise 16 Einzeldetektoren
mit einer Größe von jeweils 20 × 1 × 1,5 mm³ aufgebaut. Der
Strahlungsdetektor eines Computertomographen umfaßt dabei
mehrere Module, die polyedrisch angeordnet einem Kreisbogen
angenähert sind. In einer einzigen Röntgenaufnahme wird dabei
mit einem in ϕ-Richtung aufgefächerten Röntgenstrahl eine
Auflösung erhalten, die proportional zur Dimensionierung und
Anzahl der Einzeldetektorelemente ist. Mit den genannten Com
putertomographen können Details bis ca. 1 mm Durchmesser auf
gelöst werden. Eine Auflösung vertikal zur ϕ-Richtung wird
bei Computertomographen heute durch Röntgenblendensysteme er
reicht. Durch das Aufnehmen von mehreren Schichtbildern oder
durch sogenannte Spiralscans können ganze Volumensegmente er
faßt werden.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren werden nun Strahlungsde
tektoren erhalten, die bereits bei einmaliger Röntgenbestrah
lung eine Volumenauflösung beziehungsweise das Aufnehmen meh
rerer Schichtaufnahmen gleichzeitig ermöglichen. Vorteilhafte
erfindungsgemäße Strahlungsdetektorarrays umfassen beispiels
weise 2 bis 80 Detektorzeilen. Die Anzahl der Zeilen ist da
bei im wesentlichen durch die elektrische Ansteuerung des
Photodetektorarrays begrenzt, die ohne allzu großen Verlust
an aktiver Detektorfläche auf der Oberfläche des Photodetek
torarrays erfolgen soll. Prinzipiell ist es jedoch möglich,
die Pixelplatte in einer beliebig großen Matrix zu erzeugen
und mit einer entsprechenden Matrix bzw. einem entsprechend
großen Photodetektorarray zu verbinden.
In einer Ausgestaltung der Erfindung wird der Stäbchenblock
aus unterschiedlich dicken Stäbchenplatten zusammengefügt.
Dies ermöglicht das Herstellen einer Pixelplatte bzw. eines
Strahlungsdetektorarrays mit gleichbleibender Teilung in ϕ-
Richtung, aber variierender Teilung in dazu vertikaler Rich
tung. Damit können spezielle Aufnahmetechniken realisiert
werden, die eine variable Bildauflösung ermöglichen.
Im folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand von
Ausführungsbeispielen und der dazugehörigen neun Figuren nä
her erläutert.
Die Fig. 1 bis 4 zeigen anhand schematischer perspektivi
scher Darstellungen Verfahrensstufen bei der
Herstellung einer Pixelplatte.
Die Fig. 5 und 6 zeigen fertige Strahlungsdetektorarrays
anhand schematischer Querschnitte.
Die Fig. 7 bis 9 zeigen anhand schematischer perspektivi
scher Darstellungen Verfahrensstufen bei der
Herstellung einer Pixelplatte mit überstehendem
Kollimator.
Fig. 1 stellt eine Leuchtstoffplatte LP dar, die beidseitig
auf den xz-Hauptflächen mit einer ersten Reflektorschicht RS1
beschichtet ist. Die Leuchtstoffplatte LP kann ein kerami
scher oder kristalliner Leuchtstoff sein, dessen Hauptober
flächen vor dem Aufbringen der Reflektorschichten RS1 durch
eine Oberflächenkonditionierung eingeebnet und bis zu einer
definierten Rauhigkeit geglättet wurden, beispielsweise durch
Läppen oder Polieren.
Möglich ist es jedoch auch, nur eine Oberfläche der Leucht
stoffplatte LP mit einer Reflektorschicht RS1 zu versehen.
Mehrere der mit Reflektorschichten RS1 beschichteten Leucht
stoffplatten LP werden in y-Richtung zu einem Plattenstapel
PS gestapelt und mit Hilfe eines Klebstoffs miteinander ver
klebt. Fig. 2 zeigt diesen Plattenstapel, bei dem zur besse
ren Übersichtlichkeit auf die Darstellung der Reflektor
schichten RS1 und der Klebstoffschichten verzichtet wurde.
Parallel zur xy-Ebene wird der Plattenstapel PS nun in mehre
re Stäbchenplatten zersägt. Eine der möglichen Schnittlinien
S1 ist in der Fig. 2 dargestellt.
Die xy-Hauptoberflächen der Stäbchenplatten SP werden nun in
ähnlicher Weise wie die Hauptoberflächen der Leuchtstoffplat
ten behandelt, um eine plane und glatte Oberfläche definier
ter Rauhigkeit zu erhalten. Anschließend werden die beiden
xy-Hauptoberflächen der Stäbchenplatten mit zweiten Reflek
torschichten RS2 beschichtet. Mehrere der so beschichteten
Stäbchenplatten SP werden anschließend zu einem Stäbchenblock
SB verbunden, beispielsweise durch Verkleben. Fig. 3 zeigt
einen solchen Stäbchenblock und davon beabstandet zusätzlich
eine mit Reflektorschichten RS2 beschichtete Stäbchenplatte
SP. Parallel zur yz-Ebene wird der Stäbchenblock nun in Pi
xelplatten PP zersägt. Eine der möglichen Schnittlinien S2
ist in der Fig. 3 angedeutet.
In Fig. 4 ist eine fertige Pixelplatte PP schematisch darge
stellt, die hier ein annähernd gleichmäßiges Raster bei der
Unterteilung in einzelne Pixel aufweist. Je nach Anwendungs
fall ist es jedoch auch möglich, für die Pixelplatte PP un
terschiedliche Rastermaße in y- und z-Richtung zu wählen.
Möglich ist es auch, die Rasterung in z-Richtung innerhalb
einer Pixelplatte zu variieren und beispielsweise ein in z-
Richtung ansteigendes Rastermaß (Pixelbreite) zu wählen.
Die Pixelplatten PP können nun auf ihren yz-Hauptoberflächen
erneut oberflächenbehandelt werden, da diese Oberflächen die
Strahlungseinfallsfläche und die Lichtaustrittsfläche des
späteren Strahlungsdetektorarrays darstellen. Zusätzlich kann
eine der Hauptoberflächen, die die spätere Strahleneintritts
fläche darstellt, mit einer weiteren Reflektorschicht (in
Fig. 4 nicht dargestellt) versehen werden, wobei diese Reflek
torschicht RS3 für die nachzuweisende hochenergetische Strah
lung transparent ist.
Zur Fertigstellung des Strahlendetektorarrays wird die so
vorbehandelte Pixelplatte mit einem Photodetektorarray ver
bunden und beispielsweise mit Hilfe einer dünnen Klebstoff
schicht KS auf diese aufgeklebt. Pixelplatte PP und Photode
tektorarray PDA weisen eine identische Rasterung auf, wobei
jedoch der Querschnitt der einzelnen Pixel P und der der ein
zelnen Photodetektoren PD voneinander abweichen kann.
Fig. 5 zeigt es fertiges Strahlungsdetektorarray anhand ei
nes schematischen Querschnitts, wobei hier die xy-Ebene ge
wählt wurde. Der Querschnitt in der xz-Ebene kann identisch
sein, kann jedoch auch beispielsweise im Rastermaß abweichen.
Möglich ist es auch, daß die Stäbchenplatten SP mit zweiten
Reflektorschichten RS2 versehen werden, die von den ersten
Reflektorschichten RS1 der Leuchtstoffplatten LP unterschied
lich sind. Der Unterschied kann dabei sowohl in der Art des
Reflektormaterials als auch in der Zusammensetzung der Re
flektorschicht liegen, wobei beispielsweise die zweite Re
flektorschicht RS2 zusätzliches Kollimatormaterial oder eine
weitere Reflektorschicht beinhalten kann. In Fig. 6 ist ein
weiteres Strahlungsdetektorarray anhand eines schematischen
Querschnitts durch die xz-Ebene dargestellt. Im Unterschied
zu dem in Fig. 5 dargestellten Strahlungsdetektorarray sind
hier die einzelnen Pixel durch zwei Reflektorschichten RS2
und eine dazwischenliegende Kollimatorschicht KOL voneinander
getrennt. Die Kollimatorschicht KOL umfaßt die Verbindung ei
nes Elements mit höherer Ordnungszahl, das eine hohe Absorp
tion für hochenergetische Strahlung aufweist. Durch besondere
Ausgestaltung der Kollimatorschicht, beispielsweise als grob
porige Keramikschicht kann diese Kollimatorschicht KOL als
weitere Reflektorschicht dienen. Eine geeignete Kollimator
schicht kann auch eine metallische Schicht eines absorbieren
den Elements umfassen, die dann wiederum gleichzeitig eine
metallisch spiegelnde Reflektorschicht darstellt.
Wie bereits erläutert, können die Querschnitte gemäß der
Fig. 5 und 6 Querschnitte ein und desselben oder unter
schiedlicher Strahlungsdetektorarrays darstellen. Möglich ist
es auch, daß ein Strahlungsdetektorarray in beiden Schnit
tebenen xy und xz einen identischen Aufbau aufweist, wobei
dieser beispielsweise wie in Fig. 5 oder wie in Fig. 6 dar
gestellt aussehen kann.
Fig. 7: In einer Abwandlung der Erfindung wird eine aus dem
Plattenstapel PS (siehe Fig. 2) gesägte Stäbchenplatte SP
auf einem blockförmigen Hilfsträger HB so befestigt, daß zwi
schen Stäbchenplatte SP und Hilfsträger HB eine ausreichend
feste aber dennoch wieder lösbare Verbindung entsteht. Ent
lang von Schnittlinien S3 parallel zur zy Ebene werden aus
der Anordnung nun Pixelzeilenplatten PZP herausgesägt, die
aus je einem plattenförmigen Hilfsträger HP und der lösbar
darauf befestigten Pixelzeile PZ bestehen.
Fig. 8: Mehrere solcher Pixelzeilenplatten PZP werden nun
abwechselnd mit Schichten oder Folien aus Kollimatormaterial
KS zu einem Block verbunden, beispielsweise durch Laminieren
oder Verkleben (in der Figur nicht maßstäblich dargestellt).
Fig. 9: Die plattenförmigen Hilfsträger HP werden nun aus
dem Block herausgelöst. Es verbleibt eine Anordnung, bei der
zwischen zueinander parallelen Pixelzeilen PZ überstehende
Kollimatorschichten KS angeordnet sind. Auch diese Anordnung
läßt sich zu einem Strahlendetektorarray weiter verarbeiten,
zum Beispiel analog dem bereits in Verbindung mit den Fig.
5 und 6 beschriebenen Verfahren.
Das erfindungsgemäß hergestellte Strahlendetektorarray ist
insbesondere für die Computertomographie geeignet. Da dort
hohe Auflösungen gewünscht werden, ist das Verfahren zusätz
lich auf eine optimale Rastergröße für die Computertomogra
phie optimiert. Die Pixelgrößen bzw. das Rastermaß in y-
Richtung, die der ϕ-Richtung herkömmliche Detektorzeilen ent
spricht, wird dabei im Bereich von ca. 0,5 bis 2 mm gewählt.
Vertikal zur ϕ-Richtung, was der erfindungsgemäßen zweiten
Dimension des Strahlungsdetektorarrays entspricht, kann das
Rastermaß größer sein und hat beispielsweise 0,5 bis 8 mm Ra
sterabstand. Die x-Dimension parallel zum Strahlungseinfall
wird in Abhängigkeit von der Absorptionslänge der nachzuwei
senden Strahlung im verwendeten Leuchtstoff gewählt. Für eine
Gadoliniumoxisulfidkeramik, wie sie für die Computertomogra
phie besonders geeignet ist, beträgt eine der Absorptionslän
ge entsprechende Dicke der Pixelplatte (in x-Richtung) ca.
1,5 mm.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist jedoch nicht auf Strah
lungsdetektorarrays für die Computertomographie beschränkt.
Vielmehr können auch Strahlungsdetektorarrays mit anderen
Leuchtstoffen und anderen Rastermaßen von beispielsweise bis
zu 20 mm hergestellt werden, die für unterschiedlichste tech
nische Zwecke geeignet sind, beispielsweise zum Durchleuchten
von verschlossenen Behältern oder größeren Gegenständen.
Claims (11)
1. Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektorarrays
für hochenergetische Strahlung mit folgenden Schritten:
- - Leuchtstoffplatten (LP) werden an den beiden gegenüberlie genden in der xz-Ebene eines x, y, z-Koordinatensystems liegenden xz-Hauptoberflächen mit einer ersten Reflektor schicht (RS1) versehen
- - mehrere Leuchtstoffplatten (LP) werden mit den Reflektor schichten (RS1) zueinander weisend gestapelt und mit Hilfe eines Klebemittels zu einem Plattenstapel (PS) verklebt
- - der Plattenstapel (PS) wird parallel zur xy-Ebene des Koor dinatensystems in mehrere Stäbchenplatten zersägt
- - die Stäbchenplatten (SP) werden an allen zu den Sägeflächen parallelen Oberflächen mit einer zweiten Reflektorschicht (RS2) versehen
- - mehrere mit Reflektorschichten (RS2) versehene Stäbchen platten (SP) werden mit den zuletzt erzeugten Reflektor schichten (RS2) zueinander weisend entlang der z-Richtung des Koordinatensystems gestapelt und mit Hilfe eines Klebe mittels zu einem Stäbchenblock (SB) verklebt
- - aus dem Stäbchenblock (SB) werden parallel zur yz-Ebene des Koordinatensystems Pixelplatten gesägt
- - die Pixelplatten (PP) werden mit Photodetektorarrays (PDA) zu Strahlungsdetektorarrays verbunden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem die Hauptoberflächen der Pixelplatten (PP) sowie der
Leuchtstoffplatten (LP) und der Stäbchenplatten (SP) vor dem
Aufbringen der Reflektorschichten (RS) so behandelt werden,
daß sie eben sind und eine definierte Rauhigkeit aufweisen,
und wobei diese Behandlung zumindest einen der Schritte Ät
zen, Schleifen, Läppen oder Polieren umfaßt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
bei dem als Reflektorschichten (RS) metallische Spiegel
schichten aufgebracht werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
bei dem diffus reflektierende Reflektorschichten (RS) aufge
bracht werden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
bei dem über zumindest einer von erster Reflektorschicht
(RS1) und zweiter Reflektorschicht (RS2) eine weitere Reflek
torschicht oder eine hochenergetische Strahlung absorbierende
Kollimatorschicht (KOL) aufgebracht wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
bei dem eine Kollimatorschicht (KOL,KS) aufgebracht wird, die
eine Verbindung eines schweres Elements umfaßt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
bei dem als Kollimatorschicht (KOL,KS) und/oder Reflektor
schicht (RS) eine keramische Schicht aufgebracht wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
bei dem der Stäbchenblock (SB) aus mehreren Stäbchenplatten
(SP) unterschiedlicher Dicke gefertigt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
bei dem das Verbinden der Pixelplatte (PP) mit dem Photede
tektorarray (PDA) durch Verkleben erfolgt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
bei dem die Pixelplatte (PP) mit einem Photodetektorarray
(PDA) von gleicher Rasterung verbunden wird, wobei sich je
doch die aktiven Flächen der einzelnen Leuchtstoff-Pixel (P)
von den aktiven Flächen der einzelnen Photodetektoren (PD) um
2 bis 10 Prozent unterscheiden.
11. Verwendung eines Strahlungsdetektorarrays, hergestellt
nach einem der Ansprüche 1 bis 10, als Detektor in der Compu
tertomographie.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1996143644 DE19643644C1 (de) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektorarrays und Verwendung eines solchen Strahlungsdetektorarrays |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1996143644 DE19643644C1 (de) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektorarrays und Verwendung eines solchen Strahlungsdetektorarrays |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19643644C1 true DE19643644C1 (de) | 1998-04-09 |
Family
ID=7809500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1996143644 Expired - Fee Related DE19643644C1 (de) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektorarrays und Verwendung eines solchen Strahlungsdetektorarrays |
Country Status (1)
| Country | Link |
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