DE19640946A1 - Röntgenaufnahme-Anordnung mit einem Photoleiter - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Erzeugung von Röntgenaufnahmen mittels eines Röntgenbildwandlers, der einen die Röntgenstrahlung wenigstens teilweise absorbierenden Photoleiter auf einem als Elektrode wirksamen Substrat umfaßt, mit Mitteln zum Aufladen des Photoleiters mit einer bestimmten Polarität, so daß in dem Photoleiter ein elektrisches Feld mit einer definierten Richtung erzeugt wird. Außerdem betrifft die Erfindung ein Röntgenaufnahmegerät mit einer solchen Anordnung.

Ein idealer Photoleiter ist ein Isolator, wenn er nicht belichtet wird. Lediglich während einer Belichtung bzw. einer Bestrahlung mit Röntgenstrahlen wird er leitfähig und zwar um so mehr, je höher die Bestrahlungsintensität ist. Damit wird an den bestrahlten Stellen die durch eine vorherige Aufladung erzeugte Ladungs­ dichte entsprechend der dort auftreffenden Dosis verringert. Das auf diese Weise auf der Oberfläche des Photoleiters erzeugte zweidimensionale Ladungsmuster, das im wesentlichen der räumlichen Verteilung der Röntgenstrahlungsdosis entspricht ("latentes Bild" oder "Ladungsbild"), wird von einer Ausleseeinheit in elektrische Signale umgesetzt, die verstärkt, gefiltert, digitalisiert und gespeichert werden können. Die Signale sind dann der digitalen Bildverarbeitung zugänglich.

Aus der EP-A 0342760 ist es bekannt, daß als Folge von Defektstellen in dem Photoleiter der sogenannte Memory-Effekt auftreten kann. Die Defektstellen haben zur Folge, daß in ihrer Umgebung nach der Bestrahlung noch eine gewisse Leit­ fähigkeit erhalten bleibt, was dazu führt, daß bei der nächsten Röntgenaufnahme Strukturen der vorangehenden Röntgenaufnahme als Artefakt im Bild erscheinen. Der Memory-Effekt ist um so ausgeprägter, je höher die Dosis bei der vorangegan­ genen Aufnahme war. Er macht sich daher nur bei Röntgenaufnahmen bemerkbar; bei einer Röntgendurchleuchtung, bei der - pro Einzelbild - eine wesentlich geringere Röntgendosis erzeugt wird, macht er sich nicht störend bemerkbar. Bei der bekannten Anordnung werden die durch den Memory-Effekt verursachten Artefakte durch eine Software-Korrektur beseitigt bzw. reduziert.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es demgegenüber, den Memory-Effekt selbst zu reduzieren. Diese Aufgabe wird erfindungsgemaß dadurch gelöst, daß zwischen dem Substrat und dem Photoleiter und/oder auf der vom Substrat abgewandten Seite des Photoleiters eine Einfangschicht zum Reduzieren der von außen in den Photoleiter injizierten Ladungsträger vorgesehen ist.

Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß eine signifikante Ursache für den Memory-Effekt in den Ladungsträgerströmen zu sehen ist, die von außen bzw. von den Grenzflächen in den Photoleiter injiziert werden. Durch die Einfangschicht(en) wird die Zahl der in den Photoleiter injizierten Ladungsträger und damit der Memory-Effekt reduziert. Auf die Defektstellen, die gemäß der EP-A-0342760 den Memory-Effekt hervorrufen können, haben die Einfangschichten hingegen keinen unmittelbaren Einfluß.

Die Anforderungen an die Einfangschicht hängen von der Polarität ab, mit der der Photoleiter aufgeladen wird. Wenn das Substrat dabei negativ ist, muß zwischen dem Substrat und dem Photoleiter eine Elektronen-Einfangschicht und/oder auf der vom Substrat abgewandten Seite des Photoleiters eine Löcher-Einfangschicht vorgesehen sein. Ist hingegen das Substrat positiv, dann muß zwischen dem Substrat und dem Photoleiter eine Löcher-Einfangschicht und/oder auf der vom Substrat abgewandten Seite eine Elektronen-Einfangschicht vorgesehen sein.

Es sei an dieser Stelle erwähnt, daß aus der US-PS 5,436,101 bereits ein Röntgenbildwandler mit einem Selen-Photoleiter bekannt ist, der beiderseits des Photoleiters mit einer Löcher-Einfangschicht aus einer Selen-Arsen-Legierung (mit 0,1-33 Gewichtsprozent Arsen) versehen ist. Damit soll es möglich sein, den Photoleiter sowohl bei positiv Aufladung (wobei das Substrat negativ ist) als auch bei negativer negativer Aufladung (mit positivem Substrat) zu betreiben. Durch die beiden Schichten ergibt sich eine Verbesserung für eine negative Aufladung des Photoleiters, so daß sich der Photoleiter dabei ähnlich verhält wie bei einer positiven Aufladung. Für eine positive Aufladung des Photoleiters ergibt sich keine Verbesserung der Eigenschaften des Photoleiters bzw. es resultiert sogar eine Einschränkung seine Dynamikbereiches. - Bei der Erfindung ist demgegenüber für die Aufladung nur eine Polarität vorgesehen (bei einem Selen-Photoleiter bevorzugt eine positive Aufladung) und die Erfindung verbessert die Eigenschaften des Photoleiters bei dieser Polarität der Aufladung.

Weiterhin sei erwähnt, daß aus der EP-A 0 588 397 ein für Röntgendurchleuchtungen vorgesehener Röntgenbilddetektor bekannt ist, der eine Sensormatrix aufweist, deren Sensorelemente die Ladungsträger aus dem darüber liegenden Bereich eines Photoleiters erfassen. Zur Reduzierung der den Durchleuchtungsbetrieb störenden Dunkelentladungsraten sind dabei beiderseits des aus Selen bestehenden Photoleiters Selenschichten mit einem Dotierungszusatz vorgesehen, so daß die eine Schicht Löcher und die andere Elektronen einfängt.

Einfangschichten haben für die Ladungsträger der einen Art (z. B. Elektronen) eine im Vergleich zum Photoleiter geringe elektrische Leitfähigkeit, während sie für Ladungsträger des entgegengesetzten Typs (Löcher) eine hohe Leitfähigkeit auf­ weisen. Dieses Verhalten läßt sich nach einer Weiterbildung der Erfindung dadurch erreichen, daß das Material der Einfangschicht sich vom Material des Photoleiters durch eine Dotierung mit einem Zusatzstoff unterscheidet, wodurch in der Einfang­ schicht Defektstellen zum Einfangen der injizierten Ladungsträger entstehen.

Eine bevorzugte Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß auf der vom Photoleiter abgewandten Seite der Einfangschicht eine Schicht vorgesehen ist, die eine wesent­ lich geringere Dicke, aber die gleiche stoffliche Zusammensetzung hat wie der Photoleiter. Diese Schicht wirkt als Pufferschicht, die die Schichten mit bildgebender Funktion von den Grenzflächen - insbesondere zum Substrat - trennt.

In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß sich auf der vom Substrat abgewandten Seite des Photoleiters eine Passivierungsschicht befindet. Eine solche Passivierungsschicht bildet einen mechanischen und chemischen Schutz für die Oberfläche des Photoleiters und reduziert außerdem auch die Zahl der Ladungsträger, die in den Photoleiter eindringen können.

Eine bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß der Photoleiter überwie­ gend aus Selen besteht, daß das Substrat aus Aluminium besteht, das auf seiner dem Photoleiter zugewandten Fläche oxidiert ist, und daß die Mittel zum Aufladen des Photoleiters so gestaltet sind, daß das Potential an der dem Substrat abgewandten Seite positiv in Bezug auf das Potential des Substrates ist. Wenn der Photoleiter statt dessen auf ein negatives Potential aufgeladen würde, würde sich ein wesentlich ungünstigeres Verhalten ergeben.

Eine andere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß der Photoleiter überwiegend aus Bleioxid besteht, daß das Substrat aus Aluminium besteht, das auf seiner dem Photoleiter zugewandten Fläche oxidiert ist, und daß die Mittel zum Aufladen des Photoleiters so gestaltet sind, daß das Potential an der dem Substrat abgewandten Seite negativ in Bezug auf das Potential des Substrates ist. Im Gegensatz zu einem Selen-Photoleiter werden bei einem Bleioxid-Photoleiter die günstigeren Ergebnisse bei einer Aufladung auf ein negatives Potential erreicht.

In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Elektronen-Ein­ fangschicht Selen enthält, das eine Chlor-Dotierung von weniger als 1000 ppm aufweist. Im Gegensatz dazu ist nach einer anderen Ausgestaltung der Erfindung zum Einfangen positiver Ladungsträger (Löcher) vorgesehen, daß die Löcher-Einfangschicht Selen enthält, das eine Natrium- oder eine Wasserstoff-Dotierung von weniger als 2000 ppm aufweist.

Eine für einen Bleioxid-Photoleiter geeignete Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß die Einfangschichten Bleioxid mit mehr bzw weniger Sauerstoff-Atomen als Blei-Atomen enthalten. Bei einem Sauerstoffüberschuß kann eine derartige Schicht Elektronen einfangen und bei einem Sauerstoffdefizit Löcher.

Die erfindungsgemäße Anordnung ist vorzugsweise bei einem Röntgenaufnahmegerät anwendbar. Dabei wird ausgegangen von einem Röntgen-Aufnahmegerät mit einem Röntgenstrahler zur Erzeugung von Röntgenstrahlung, einem Röntgenbildwandler, der einen die Röntgenstrahlung wenigstens teilweise absorbierenden Photoleiter auf einem als Elektrode wirksamen Substrat umfaßt, Mitteln zum Aufladen des Photolei­ ters mit einer einzigen Polarität, so daß in dem Photoleiter ein elektrisches Feld mit einer definierten Richtung erzeugt wird, und eine Ausleseeinheit zum Auslesen des in dem Röntgenbildwandler durch die Röntgenstrahlung erzeugten Ladungsmusters; die Reduzierung des Memory-Effektes ergibt sich dabei dadurch, daß zwischen dem Substrat und dem Photoleiter und/oder auf der vom Substrat abgewandten Seite des Photoleiters eine Einfangschicht zum Reduzieren der von außen in den Photoleiter injizierten Ladungsträger vorgesehen ist.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen naher erläutert. Es zeigen

Fig. 1 Ein Röntgengerät, bei dem die Erfindung anwendbar ist in schematischer Darstellung.

Fig. 2a und b ein erstes Ausführungsbeispiel,

Fig. 3a und b ein zweites Ausführungsbeispiel und

Fig. 4a und b ein drittes Ausführungsbeispiel- jeweils für einen Selen - bzw. einen Bleioxiddetektor.

Fig. 1 zeigt einen Teil eines Röntgenaufnahmegeräts, in dem die Erfindung anwendbar ist in schematischer Darstellung. Mit 1 ist dabei ein Röntgenbildwandler bezeichnet, der einen Zylindermantel - bzw. trommelförmigen Trägerkörper 11 aus Aluminium umfaßt, auf dessen Außenfläche eine Beschichtung 10 aufgebracht ist, die unter anderem einen Photoleiter umfaßt.

Der als Substrat wirksame Trägerkörper 11 ist an eine Gleichspannungsquelle 5 angeschlossen, die eine gegenüber Erdpotential negative Gleichspannung von z. B. -1,5 kV liefert.

Vor einer Röntgenaufnahme wird der Röntgenbildwandler 1 mit dem Photoleiter gleichmäßig auf ein definiertes Potential, z. B. 0 Volt, aufgeladen, wobei ein Motor 8 dafür sorgt, daß der Trägerkörper 11 um seine Längsachse 12 rotiert, so daß sich eine gleichmäßige Aufladung ergibt. Die Aufladung erfolgt mittels einer Aufladeeinrichtung, die eine Koronaeinheit 3 und einen Gleichspannungserzeuger 9 bzw. ein Netzteil umfaßt, das eine Gleichspannung für die Koronaeinheit 3 liefert. Die Koronaeinheit 3 erstreckt sich senkrecht zur Zeichenebene, also parallel zur Drehachse 12 des Trägerkörpers 11 über dessen gesamte Länge. Sie umfaßt ein geerdetes Gehäuse 3a mit einem U-förmigen Querschnitt, dessen offene Seite zum Photoleiter hin gerichtet ist. In dem Gehäuse 3a befindet sich ein Draht 3b, wobei zwischen diesem Draht und dem Photoleiter zweckmäßigerweise ein Gitter vorgesehen ist, das ebenfalls geerdet ist. Während einer Aufladung liegt der Draht 3b an einer positiven Spannung von z. B. 4 kV. Dadurch ergibt sich um den Draht herum ein stark inhomogenes elektrisches Feld, das zu einer Gasentladung führt. Bei der Gasentladung werden die Luftmoleküle in der Nähe des Drahtes 3b ionisiert. Die dabei erzeugten positiven Ladungsträger gelangen durch die Maschen des erwähnten Gitters hindurch auf die Oberfläche des Röntgenbildwandlers mit dem Photoleiter und laden diesen auf. Wenn dieser das Potential des geerdeten Gehäuses 3a erreicht hat, gelangen praktisch keine weiteren positiven Ladungsträger mehr zum Photoleiter.

Während einer Röntgenaufnahme steht der Trägerkörper 11 still und wird auf seiner dem Röntgenstrahler 2 zugewandten Seite belichtet, wodurch sich die Leitfähigkeit des Photoleiters erhöht, so daß sich dessen Oberfläche je nach Intensität der Röntgenstrahlung entlädt und ein entsprechendes Ladungsmuster entsteht.

Nach einer Röntgenaufnahme wird das durch die Röntgenbelichtung auf der Ober­ fläche des Photoleiters erzeugte Ladungsmuster mittels einer Ausleseeinheit 4 ausgelesen. Diese Ausleseeinheit erstreckt sich ebenfalls parallel zur Achse 12 des Röntgenbildwandlers und enthält in dieser Richtung verteilt eine Anzahl von Influenzsonden, die der Ladungsdichte auf der Oberfläche entsprechende elektrische Signale erzeugen.

Die Erfindung ist auch bei einem Röntgenbildwandler mit einem anders geformten Trägerkörper anwendbar z. B. einem ebenen Trägerkörper. Deshalb wird bei den Fig. 2a. . .4b, die die Schichtenfolge der Beschichtung 10 darstellen, von einem ebenen Trägerkörper bzw. Substrat 11 ausgegangen. Das Substrat 11 kann aus Aluminium mit einer Oxidschicht 110 bestehen oder aber aus einem Glaskörper, der mit einem Metall, z. B. Aluminium, oder mit Indiumzinnoxid beschichtet ist. Dabei ist eine Photoleiterschicht 101 aus Selen vorgesehen, die einen Zusatz von 0,5 Gewichtsprozent Arsen enthält, um einer Rekristallisation vorzubeugen. Die Photoleiterschicht 101 hat eine Dicke zwischen 100 und 1000 µm, z. B. 500 µm. Auf ihrer vom Substrat 11 abgewandten Seite ist die Photoleiterschicht 101 mit einer Passivierungsschicht 102 bedeckt, die dem mechanischen und chemischen Schutz der Photoleiteroberfläche dient und die z. B. aus einem organischen Lack oder Parapoly-Xylyl bestehen kann.

Das Substrat 11 ist auf seiner dem Photoleiter 101 zugewandten Seite mit einer Oxidschicht 110 versehen, die z. B. naßchemisch hergestellt werden kann. Die Passivierungsschicht 102 und die Oxidschicht 110 verhindern im Idealfall das Eindringen von Löchern bzw. Elektronen in die Photoleiterschicht 101. In der Praxis läßt sich jedoch nicht vermeiden, daß ein Strom von Ladungsträgern, z. B. von Elektronen, aus dem Substrat 11 in den Photoleiter 101 injiziert wird. Dieser wird durch unter Röntgenstrahlung entstehende Raumladungen (geladene Störstellen in Interface-Nähe) noch verstärkt, wodurch sich ein störender Memory-Effekt ergibt.

Dieser Zustrom von Elektronen aus dem Substrat 11 wird erfindungsgemaß mit einer Elektronen-Einfangschicht 103 unterdrückt. Dabei kann es sich um eine Selenschicht mit einer Dicke zwischen 0,1 und 50 µm handeln, die eine Chlordotierung von 1 bis 1000 ppm aufweist (je dünner die Schicht ist, desto höher sollte die Dotierung sein). Durch die Dotierung ergeben sich in der Einfangschicht 103 Defektstellen, an denen sich Elektronen anlagern, so daß die elektrische Leitfähigkeit für Elektronen bzw. die Beweglichkeit der Elektronen reduziert wird, während die elektrische Leitfähigkeit für Löcher bzw. die Beweglichkeit der Löcher erhöht wird.

Fig. 2b zeigt eine zu Fig. 2a analoge Ausführungsform, wobei jedoch als Photo­ leiter eine Bleioxidschicht 101 vorgesehen ist, die eine geringere Dicke haben kann als die Selenschicht 101 bei Fig. 2a, z. B. 50 bis 500 µm, weil Bleioxid die Röntgenstrahlung stärker absorbiert als Selen. Das Substrat 11 kann wiederum aus Aluminium mit einer Oxidschicht 110 bestehen oder aber aus einem Glaskörper, der mit einem Metall, z. B. Aluminium, oder mit Indiumzinnoxid beschichtet ist. Dabei empfiehlt sich jedoch, die Außenfläche der Passivierungsschicht 102 (die die gleiche Dicke haben und aus dem gleichen Material bestehen kann wie die Schicht 102 bei der Ausführungsform nach Fig. 2a) nicht positiv aufzuladen sondern negativ, so daß das Substratpotential demgegenüber positiv ist. Dies wird bei einer Anordnung gemäß Fig. 1 dadurch erreicht, daß der Aluminiumträger 11 an eine positive Gleichspannung angeschlossen wird.

Wegen dieser anderen Polarität der Aufladung können aus dem Substrat 11 in den Photoleiter 101 allenfalls Löcher injiziert werden. Infolgedessen muß die Einfangschicht 103 zwischen Substrat und Photoleiter bei Fig. 2b als Löcher-Ein­ fangschicht wirksam sein. Eine solche Schicht kann eine Dicke von 0,1 bis 50 µm haben und aus Selen bestehen, das mit 1 bis 2000 ppm Natrium dotiert ist oder aus einer Bleioxidschicht, die mit Wasserstoff dotiert ist oder eine Bleioxidschicht, die gegenüber dem stöchiometrischen Verhältnis von Blei und Sauerstoff ein Sauerstoffdefizit aufweist, d. h. weniger Sauerstoffatome enthält als Bleiatome.

Die in Fig. 3a dargestellt Ausführungsform unterscheidet sich von der Ausführungsform nach Fig. 2a dadurch, daß zwischen dem Substrat 11 und der Elektronen-Einfangschicht 103 eine Schicht 104 vorgesehen ist, die eine Dicke bis zu 50 µm aufweisen kann und aus demselben Material besteht wie der Photoleiter 101. Diese zusätzliche Schicht 104 wirkt als Pufferschicht, die die Schichten 103, 101 mit bildgebender Funktion von der immer etwas gestörten Grenzfläche Substrat-Selen separiert.

Analog dazu unterscheidet sich die in Fig. 3b dargestellte Schichtenfolge von der Schichtenfolge nach Fig. 2b dadurch, daß zwischen der Löcher-Einfangschicht 103' und dem Substrat eine bis 50 µm dicke Schicht 104' aus Bleioxid (in stöchiometrischen Verhältnis) vorgesehen ist, wodurch der Löcherstrom, der vom Substrat in den Photoleiter 101 injiziert wird, noch weiter reduziert wird.

Die Schichtenfolge nach Fig. 4a unterscheidet sich von derjenigen nach Fig. 3a dadurch, daß zwischen der Passivierungsschicht 102 und dem Photoleiter 101 eine zwischen 0,1 und 20 µm dicke, an die Passivierungsschicht 102 angrenzende Schicht 105 aus dem gleichen Material wie der Photoleiter 101 sowie eine Löcher-Ein­ fangschicht 106 vorgesehen ist, die an den Photoleiter angrenzt. Diese Schicht kann eine Dicke von 0,1 bis 50 µm haben und aus Selen mit einer Dotierung von 1 bis 2000 ppm Natrium bestehen. Dadurch wird der in den Photoleiter 101 injizierte Löcherstrom reduziert.

Analog dazu unterscheidet sich die Schichtenfolge nach Fig. 4b von derjenigen nach Fig. 3b dadurch, daß zwischen der Passivierungsschicht 102 und der Photo­ leiterschicht eine bis 20 µm dicke Schicht 105' aus (stöchiometrischen) Bleioxid und eine Elektronen-Einfangschicht 106' vorgesehen ist, die bei einer Dicke zwischen 0,1 und 50 µm aus mit 1 bis 100 ppm chlordotierten Selen oder aber aus einer Bleioxidschicht mit einem Überschuß an Sauerstoff bestehen kann.

Wenn der Ladungsträgerstrom, der vom Substrat 11 her in den Photoleiter 101 eindringt, klein im Vergleich zu dem Ladungsträgerstrom ist, der von der gegen­ überliegenden Seite in den Photoleiter 101 injiziert wird, können die Schichten 103 und 104 bzw 103' und 104' auch entfallen.

Claims (10)

1. Anordnung zur Erzeugung von Röntgenaufnahmen mittels eines Röntgenbildwandlers (1), der einen die Röntgenstrahlung wenigstens teilweise absorbierenden Photoleiter (101) auf einem als Elektrode wirksamen Substrat (11) umfaßt, mit Mitteln (3) zum Aufladen des Photoleiters mit einer bestimmten Polarität, so daß in dem Photoleiter ein elektrisches Feld mit einer definierten Richtung erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Substrat (11) und dem Photoleiter und/oder auf der vom Substrat abgewandten Seite des Photoleiters (101) eine Einfangschicht (103; 106) zum Reduzieren der von außen in den Photoleiter injizierten Ladungsträger vorgesehen ist.

2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Einfangschicht (103; 106) sich vom Material des Photoleiters (101) durch eine Dotierung mit einem Zusatzstoff unterscheidet, wodurch in der Einfangschicht Defektstellen zum Einfangen der injizierten Ladungsträger entstehen.

3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der vom Photoleiter (101) abgewandten Seite der Einfangschicht eine Schicht (104, 105) vorgesehen ist, die eine wesentlich geringere Dicke, aber die gleiche stoffliche Zusammensetzung hat wie der Photoleiter (101).

4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich auf der vom Substrat abgewandten Seite des Photoleiters eine Passivierungsschicht (102) befindet.

5. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Photoleiter (101) überwiegend aus Selen besteht, daß das Substrat (11) aus Aluminium besteht, das auf seiner dem Photoleiter zugewandten Fläche (110) oxidiert ist, und daß die Mittel zum Aufladen (3) des Photoleiters so gestaltet sind, daß das Potential an der dem Substrat abgewandten Seite positiv in Bezug auf das Potential des Substrates (11) ist.

6. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Photoleiter (101) überwiegend aus Bleioxid besteht, daß das Substrat (11) aus Aluminium besteht, das auf seiner dem Photoleiter zugewandten Fläche oxidiert ist, und daß die Mittel (3) zum Aufladen des Photoleiters so gestaltet sind, daß das Potential an der dem Substrat abgewandten Seite negativ in Bezug auf das Potential des Substrates ist.

7. Anordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektronen-Einfangschicht (103, 105') Selen enthält, das eine Chlor-Dotierung oder eine Sauerstoff-Dotierung von weniger als 1000 ppm aufweist.

8. Anordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher-Einfangschicht (105, 103') Selen enthält, das eine Natrium- oder eine Wasserstoff-Dotierung von weniger als 2000 ppm aufweist.

9. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Einfangschichten Bleioxid mit mehr bzw weniger Sauerstoff-Atomen als Blei-Atomen enthalten.

10. Röntgen-Aufnahmegerät mit einem Röntgenstrahler (2) zur Erzeugung von Röntgenstrahlung, einem Röntgenbildwandler (1), der einen die Röntgenstrahlung wenigstens teilweise absorbierenden Photoleiter (101) auf einem als Elektrode wirksamen Substrat (11) umfaßt, Mittel (3) zum Aufladen des Photoleiters mit einer einzigen Polarität, so daß in dem Photoleiter ein elektrisches Feld mit einer definierten Richtung erzeugt wird, und eine Ausleseeinheit (4) zum Auslesen des in dem Röntgenbildwandler durch die Röntgenstrahlung erzeugten Ladungsmusters, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Substrat (11) und dem Photoleiter und/oder auf der vom Substrat abgewandten Seite des Photoleiters eine Einfangschicht (103, 105) zum Reduzieren der von außen in den Photoleiter injizierten Ladungsträger vorgesehen ist.