DE19625875A1 - Bedampfungsanlage und Verdampfereinheit - Google Patents
Bedampfungsanlage und VerdampfereinheitInfo
- Publication number
- DE19625875A1 DE19625875A1 DE19625875A DE19625875A DE19625875A1 DE 19625875 A1 DE19625875 A1 DE 19625875A1 DE 19625875 A DE19625875 A DE 19625875A DE 19625875 A DE19625875 A DE 19625875A DE 19625875 A1 DE19625875 A1 DE 19625875A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- evaporator unit
- unit according
- evaporator
- magnetic field
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 18
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QJVKUMXDEUEQLH-UHFFFAOYSA-N [B].[Fe].[Nd] Chemical compound [B].[Fe].[Nd] QJVKUMXDEUEQLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910001172 neodymium magnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002889 diamagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
Bei der Erfindung handelt sich um eine Anlagen für die plasmaunterstützte
Vakuumbedampfung von Werkstücken, eine Verdampfereinheit, die nach dem
Prinzip der Lichtbogenkatodenfußpunktverdampfung arbeitet und eine bestimmte
Form der Integration der Verdampfereinheit in die Beschichtungsanlage.
Zahlreiche Verfahren zur plasmaunterstützten physikalischen Vakuumbedampfung
wurden in den letzten 30 Jahren vorgeschlagen und viele von ihnen haben
inzwischen eine breite Anwendung gefunden (siehe E. Bergmann und E. Moll:
plasma assisted PVD coating technologies erschienen in Surface Coatings and
Technologies Band 37 (1989), Seiten 483 ff).
Jede physikalische Vakuumbedampfung kann als Abfolge von drei
Verfahrenselementen betrachtet werden, die wiederum stationär sind: Verdampfen
von Komponenten des schichtbildenden Werkstoffs in einer geeigneten Einrichtung,
die man Verdampfereinheit nennt, Transport dieser Komponenten und
gegebenenfalls anderer gasförmiger Komponenten, zu den Werkstücken mit
molekularer Strömung oder mit elektrostatischer oder elektromagnetischer Führung,
Umsetzung dieser Komponenten an den Werkstücken zu Schichten mit den
geforderten Eigenschaften. Zahlreiche Baumuster von Verdampfereinheiten sind
bekannt und heute im Einsatz (siehe E. Bergmann und E. Moll op. cit.). Im Bereich
der physikalischen Vakuumbedampfung von Werkstücken mit verschleißfesten
Schichten beruhen sie entweder auf der Katodenzerstäubung oder auf der
Lichtbogenverdampfung. Ist dieser Vorgang mit einer chemischen Reaktion mit
weiteren schichtbildenden Komponenten verknüpft, die gasförmig in den
Beschichtungsraum eingebracht wurden, so spricht man von reaktiver Verdampfung.
Besteht der Schichtwerkstoff nur aus den aus der Quelle verdampften Komponenten,
so spricht man von nichtreaktiver Verdampfung. Die vorgeschlagene Erfindung
bezieht sich auf beide Verfahren.
Wird zur Verdampfung an der Verdampfereinheit ein Lichtbogen verwendet, so gibt
es die Möglichkeit, die schichtbildenden Komponenten entweder an der Anode oder
an der Kathode der Bogenentladung zu verdampfen. Da im letzteren Fall die
Anbindung der Lichtbogenentladung an die Kathode über ein oder mehrere kleine
Flächen geschieht, deren Ausdehnung im Verhältnis zur Kathodenfläche
vernachlässigbar ist, spricht man in diesem Fall von Katodenfußpunktverdampfung.
Hierzu gibt es zahlreiche Veröffentlichungen und Verfahrensvorschläge, seit L. P.
Sablev, N. P. Petrovich, V. N. Gorbunov, J. I. Luzenko, V. M. Lunev und V. V. Usov
in DE 21 36 532 dargelegt haben, wie sich dieses Phänomen zur physikalischen
Vakuumbedampfung nutzen läßt. Bei der vorgeschlagenen Erfindung handelt es
sich um ein Verfahren zur Katodenfußpunktverdampfung.
Bei der Anwendung des Verfahrens gibt es anerkanntermaßen 3 Probleme, für die
im Laufe der letzten 20 Jahre zahlreiche Lösungen vorgeschlagen wurden:
Das Stabilitätsproblem: Die Stabilität der Lichtbogenentladung und die Begrenzung
des Aufenthalts des Kathodenfußpunkts auf die Kathodenfläche, die zur
Verdampfung vorgesehen ist, im Folgenden Targetfläche genannt.
Das Mikrotröpfchenproblem: Die Phasenverteilung des von der Kathode zu den
Werkstücken transportierten Materials, das im Allgemeinen aus Atomen,
Ionen und Mikrotröpfchen besteht.
Das Gleichmäßigkeitsproblem: Die Gleichmäßigkeit des Abtrags des
schichtbildenden Werkstoffs von der zur Verdampfung vorgesehenen Fläche.
Zur Lösung des Problems der Stabilität wurden bereits in DE 21 36 532 die
Verwendung von Schutzschirmen und magnetischen Feldern vorgeschlagen. Hierzu
gibt es inzwischen zahlreiche Ausführungsbeispiele. Zuletzt wurde von M. Belletti in
der EP 548032 A2 auch vorgeschlagen, hierzu das von den Stromzuleitungen
induzierte magnetische Feld zu verwenden. Diese Schrift enthält eine ausführliche
Darstellung des Stands der Technik bezüglich Begrenzung mit Schutzschirmen. Im
Falle von Magnetfeldern werden immer Felder verwendet, bei denen der Bereich, in
dem die Komponente des Magnetfelds parallel zur Targetfläche ein Maximum hat,
eine geschlossene Schleife bildet. Diese Prinzip wurde von C. F. Morrison jr. in der
US 4724058 vorgeschlagen und inzwischen mit zeitlich veränderlichen oder
rotierenden rotationssymmetrischen Magnetfeldern, wie in der DE 41 09 213 weiter
ausgestaltet.
Das am Kathodenfußpunkt emittierte Material besteht aus Atomen, Ionen und
Mikrotröpfchen verschiedener Größe. Deren Gesamtheit wird als Plasmastrom
bezeichnet. Die Verteilung der Komponenten des Plasmastrahls ist
richtungsabhängig, wie eine Untersuchung von J. E. Daalder, erschienen 1976 im
Band 9 der Serie D des Journal of physics, Seiten 2379-2395, gezeigt hatte. Ein
bedeutender Anteil von Mikrotröpfchen macht die Beschichtung ungeeignet oder
weniger leistungsstark. Bei der Entstehung im Kathodenfußpunkt werden die
Proportionen im Wesentlichen von der Frequenz bestimmt, mit dem der
Kathodenfußpunkt seine Position auf der Targetfläche verändert. Der Anteil an
Mikrotröpfchen sinkt dabei mit steigender Frequenz. Da der hohe Strom, der die
Kathode verläßt, mit der Lorenzkraft sehr gut gelenkt werden kann, verwendet man
Magnetfelder mit einer starken Komponente des Vektors parallel zur
Targetoberfläche, um die Katodenfußpunkte auf einer engen Spur zu führen und so
den Anteil an Mikrotröpfchen zu senken. Diese Methode wird die Methode des
geführten Katodenfußpunkts genannt und wurde zuerst von S. Ramalingam und K.
Kim in der US 4673477 vorgeschlagen.
Eine zweite Methode zur Reduktion des Anteils an Mikrotröpfchen besteht in der
Anwendung von Umlenkungen des Plasmastroms. Diese Methode wird als gefilterte
Kathodenfußpunktbeschichtung bezeichnet. Sie wurde unter anderem von D. M.
Sanders und S. Falabella in der US 5282944 und von N. Matentzoglu, G.
Schumacher und J. Becker in der DE 41 25 365 vorgeschlagen. In DE 41 25 365 wird
vorgeschlagen, einen Schutzschirm zu verwenden, der zwischen der
Targetoberfläche und den zu beschichtenden Werkstücken angebracht ist. Die
Ionen werden elektrostatisch um den Schirm umgelenkt, während die Mikrotröpfchen
von ihm zurückgehalten werden. US 5282944 verwendet eine ringförmige
Targetfläche (17′), die in einer Nebenkammer untergebracht ist. Der Plasmastrom
wird elektromagnetisch um 90° umgelenkt und erreicht die Hauptkammer, wo er
wiederum elektrostatisch um 90° umgelenkt wird, um die Werkstücke (27′) zu
erreichen. Die Verdampfereinheit und Form der Integration der Verdampfereinheit in
die Beschichtungsanlage sind so ausgeführt, daß nur Ionen den Weg von der
Targetfläche zu den Werkstücken zurücklegen können.
Eine 3. Methode verwendet eine elektromagnetische Zusatzionisierungseinrichtung,
die die Atome und teilweise auch die Mikrotröpfchen auf ihrem Weg von der
Targetoberfläche zu den Werkstücken nachionisiert. Sie wurde von P. E. Sathrum
und B. F. Coll in der EP 511153 vorgeschlagen. Die zur Zeit beste Methode
kombiniert die Prinzipien der 2. und der 3 Methoden und wurde von J.R. Treglio in
US 5317235 vorgeschlagen. Die Lichtbogenkathodenfußpunktverdampfereinheit ist
als Nebenkammer (20′′) ausgeführt. Diese Nebenkammer ist mit der Hauptkammer
durch eine kleine Öffnung (32′′) verbunden. Die Targetfläche (24′′) ist ringförmig und
so positioniert, daß alle Komponenten des Plasmastroms wenigstens einmal
umgelenkt werden müssen, um die Werkstücke zu erreichen. Die Umlenkung wird
mit einem Spulenmagneten (30′′) bewerkstelligt.
Auch zum Problem der Gleichmäßigkeit der Targetoberflächenabtragung wurden
zahlreiche Lösungsvorschläge gemacht. Diese umfassen im Wesentlichen
elektrostatische und magnetische Vorrichtungen zur Steuerung des
Lichtbogenkathodenfußpunkts. Erstere wurden von H. Tamagaki in der EP 492592
vorgeschlagen. Wegen ihrer Unvollkommenheit wird hier nicht näher darauf
eingegangen. Die magnetischen Methoden führen den bereits in der US 4724058
vorgeschlagenen Gedanken weiter und modulieren entweder das Magnetfeld durch
variable von Spulen erzeugte Zusatzfelder oder sie bewegen das Magnetmaterial in
einer Doppeldrehbewegung. Diese Methode wurde unter anderem von H. Veltrop, B.
Buil und S. Boelens in der EP 283095 und von J. Reschke, W. Erbkamm, W. Nedon,
R. Pochert, B. Scheffel, S. Schiller und H. Schmidt in DE 41 09 213 vorgeschlagen.
Die zur Lösung der 3 Probleme vorgeschlagenen Methoden können den Anwender
der Katodenfußpunktverdampfung, der anspruchsvolle Beschichtungen zu einem
Preis herstellen will, der vom Markt akzeptiert wird, in mehrerer Hinsicht nicht
befriedigen. Nicht das geringste Problem ist dabei bereits, daß die Methoden jeweils
nur 1 Problem lösen, und meist so gestaltet sind, daß sie eine Lösung der anderen
Probleme mit den dafür vorgeschlagenen Methoden ausschließen.
Die Methoden zur Lösung des Problems der Stabilität schlagen Schirme vor, die auf
einem Potential liegen sollten, daß zwischen Kathodenpotential und
Anodenpotential liegt. Schirme mit diesem Potential müssen aber bei der Methode
der gefilterten Katodenfußpunktverdampfung als elektrostatisch führende
Hindernisse für die Umlenkung des Plasmastrahls verwendet werden. Da es in der
Natur an jedem Punkt nur ein elektrisches Feld gibt, können solche Schirme nicht
gleichzeitig die Kathode an der den Werkstücken abgekehrten Seite umhüllen und
im Raum zwischen Targetfläche und Werkstücken den Plasmastrom steuern.
Ähnliches gilt für die magnetischen Felder. Für die Lösung des Problems der
Stabilität braucht man gemäß US 4673477 magnetische Felder, bei denen der
Bereich, bei denen die Komponente parallel zur Targetfläche ein Maximum hat, eine
geschlossene Schleife bildet; für die Führung des Plasmastrahls benötigt man ein
magnetisches Feld, das im Wesentlichen normal zur Targetfläche ist. Auch alle
vorgeschlagenen Magnetfelder zur Steuerung der Gleichmäßigkeit verwenden
Magnetfelder, die in weiten Bereichen parallel zur Oberfläche sind. Diese Methoden
sind daher mit den Methoden des gefilterten Katodenfußpunktverdampfung nicht
kompatibel. Der klügste Fachmann kann dieses Dilemma nicht lösen. Die Methoden
der gefilterten Katodenfußpunktverdampfung haben weitere schwere Nachteile. Ein
großer Teil, typischerweise 60-90% des verdampften schichtbildenden Werkstoffs
erreicht die Werkstückoberflächen nicht. Dies macht diese Verfahren doppelt
ineffizient. Der überwiegende Teil des Werkstoffs, der mit großem Aufwand
verdampft wurde wird verschwendet. Der überwiegende Teil des verdampften
schichtbildenden Werkstoffs, der mit großem Aufwand verdampft wurde um damit
wertvolle Schichten zu erzeugen und so einen guten Preis dafür zu erzielen, muß
mit großem Aufwand von den Schutzschirmen und Umlenkeinrichtungen wieder
entfernt werden. Es ist auch für einen Fachmann nicht einfach, dicke verschleiß- und
korrosionsfeste Hartstoffschichten von empfindlichen Spulen zu entfernen. Es findet
sich auch in all den Schriften kein Hinweis, wie dies zu bewerkstelligen sei.
Die Methoden der gefilterten Kathodenfußpunktverdampfung und der
Zusatzionisierungseinrichtungen zeigen beim Betrieb weitere unerwartete Nachteile.
In beiden Methoden werden nicht nur die Mikrotröpfchen sondern auch die Atome
aus dem Plasmastrahl entfernt, entweder durch Filtern oder durch Ionisation. Es hat
sich nun gezeigt daß die Verwendung von schichtbildenden Werkstoffkomponenten,
die nur aus Ionen bestehen mit 2 Nachteilen verbunden ist: Die auftreffenden Ionen
zerstäuben einen Anteil des bereits abgeschiedenen Schichtwerkstoffs. Dieser
Anteil geht dabei verloren. Er ist im Bereich von 30-80% des brutto
abgeschiedenen Schichtwerkstoffs. Das Verfahren wird noch ineffizienter und teurer.
Die auftreffenden Ionen verursachen Fehlstellen im Gitter des abgeschiedenen
polykristallinen Schichtwerkstoffs. Fehlstellen haben ein bedeutenden negativen
Einfluß auf die elektrischen und optischen Eigenschaften der abgeschiedenen
Schicht. Ein Übermaß an Fehlstellen ist auch für die mechanischen Eigenschaften
schädlich.
Die Methoden zur Verbesserung der Gleichmäßigkeit der
Targetoberflächenabtragung sind aber noch in anderer Hinsicht unbefriedigend. Die
Spulen, die man für variable magnetische Felder benötigt, sind schwer ins
Hochvakuum zu integrieren, insbesondere da sie noch zusätzlich vom
Kathodenkörper, der mit der Kathode eines Leistungsgeräts verbunden ist,
elektrisch isoliert werden müssen. Die zur Erzeugung von genügend starken
Magnetfeldern nötigen Ströme bedingen in der Praxis eine Kühlung, für die
wiederum nicht der Kühlkreislauf der Kathode verwendet werden kann, sondern ein
zweiter Kühlkreislauf benötigt wird. Ähnliches gilt für die vorgeschlagene
komplizierte Doppelbewegung. Selbstverständlich sind alle diese Probleme für den
Fachmann konstruktiv lösbar, aber der Aufwand ist beträchtlich. Komplexe
Konstruktionen haben sich aber im Vakuum und insbesondere im Plasma noch nie
bewährt. Die beiden Lösungsvarianten lösen auch das Problem der
Krempenbildung nicht. Eine Krempe entsteht zum Beispiel beim Abtrag einer
kreisförmigen Targetfläche, da die Randzone der Targetoberfläche weniger stark
abgetragen wird als die zentrale Zone. Die Targetoberfläche wird konkav. Die
Ursache hierfür liegt in der Form der gewählten Magnetfelder, die immer eine von
zwei Polzonen umschlossene Fläche mit horizontalem Magnetfeld sind. Da der
Magnet sich im Kathodentopf bewegen muß wird eine ringförmige Randzone der
Targetoberfläche immer nur von den Polschuhen überstrichen. Diese Randzone ist
ein Bereich, in dem sich der geführte Kathodenfußpunkt nicht aufhält. Eine
befriedigende Lösung für dieses Problem wurde bisher nicht gefunden.
Die Erfindung löst die erwähnten Probleme durch eine neuartige Anlage, durch
einen neuartigen Aufbau der Verdampferquellen und eine bestimmte Form der
Integration der Verdampfereinheit in die Beschichtungsanlage.
Der Stand der Technik der Anlagen verwendet entweder in die Kammer eingebaute,
oder an sie angeflanschte Verdampferquellen. Bei den Vorschlägen für den
gefilterten Kathodenfußpunktverdampfer verwendet man in einigen Vorschlägen
Nebenkammern, jedoch sind diese immer so ausgebildet, daß keine direkten
geraden Linien die Targetoberfläche durch die Verbindungsöffnung der
Nebenkammer mit den Werkstücken verbinden können, was Teil des
Funktionsprinzips ist, aber zu den bekannten Nachteilen führt. Die
erfindungsgemäße Vorrichtung besteht aus einer Hauptkammer, in der sich keine
Lichtbogenkathodenfußpunktverdampfer befinden. In ihr sind nur die Werkstücke,
deren Aufnahmen und, wenn nötig, Vorrichtungen zum Konditionieren und
Dekonditionieren der Werkstücke untergebracht. Sie besteht weiters aus wenigstens
einer Nebenkammer. Die Nebenkammer enthält die
Lichtbogenkathodenfußpunktverdampfer und ist mit der Hauptkammer durch eine
große rechteckige Öffnung verbunden, durch die der neutrale Dampf also die Atome
der verdampften schichtbildenden Komponente ungehindert zu den Werkstücken
strömen können. Bei tiefen Kammerdrucken wird diese Strömung molekular sein.
Das Prinzip dieser freien Strömung der Atome bedingt, daß die Verbindung
zwischen Nebenkammer und Hauptkammer einen wesentlichen Teil der
Kammerhöhe abdeckt. Die Höhe sollte der Beschichtungshöhe in der Hauptkammer
entsprechen. Als Beschichtungshöhe bezeichnet man die Länge der
Zylindererzeugenden des Raumbereichs, in dem sich alle Werkstückflächen
wenigstens befinden müssen, die für die Beschichtung vorgesehen sind. Das
Verhältnis von Beschichtungshöhe zur Hauptkammerhöhe hängt natürlich von der
Art der zu beschichtenden Werkstücke ab. Sie hängt auch von der Geschicktheit
des Konstrukteurs bei der Konstruktion der Aufnahmen und der
Konditionierungseinrichtungen ab. Für eine wirtschaftliche Anlage sollte die
Beschichtungshöhe wenigstens 60% der Hauptkammerhöhe betragen. Die Tiefe der
Nebenkammer ist eine jener Kenngrößen, der erfindungsgemäßen Anlage, die das
Verhältnis von Atomen, Ionen und Mikrotröpfchen bestimmen. Es hat sich gezeigt,
daß bei Tiefen, die geringer als 300 mm sind, der Anteil an Mikrotröpfchen, die auf
den Werkstückoberflächen auftrifft so groß wird, daß die Beschichtung mit
Titanverbindungen auch bei einfachen geschliffenen Werkzeugen bereits starke
Leistungseinbußen zeigt. Will man ausschließlich polierte Werkzeuge beschichten,
mag es sinnvoll sein, die Tiefe auf über 500 mm zu erhöhen. Auch die Wahl der
verdampften Komponente des schichtbildenden Werkstoffs und die Höhe, um die die
Verdampferquelle in die Nebenkammer hineinragt, beeinflussen die Wahl der Tiefe
der Nebenkammer. Unsere Optimierung war mit Verdampfereinheiten durchgeführt
worden, die 80 mm weit in die Nebenkammer hineinragten. Wählt man die
Nebenkammer zu tief, tiefer als 800 mm geht der Effekt, der der Erfindung
zugrundeliegt verloren. Der Anteil der Atome., die von den Targetoberflächen direkt
die Werkstückoberflächen erreicht, wird zu gering. Die Breite des rechteckigen
Ausschnitts läßt sich genau durch den Öffnungswinkel bestimmen. Der
Öffnungswinkel, ist der Winkel, den die beiden Ebenen, die einerseits durch die
Hauptkammerachse, andererseits durch die beiden der Hauptkammer und der
Nebenkammer gemeinsamen Zylindererzeugenden definiert sind, miteinander an
ihrer Schnittlinie, der Hauptkammerachse einnehmen. Für nichtzylindrische
Hauptkammern gilt Analoges. Für den Öffnungswinkel gelten die gleichen
Betrachtungen wie für die Tiefe der Nebenkammer, nur daß in diesem
Zusammenhang die Form der Kontaktfläche der Verdampfereinheiten oder die
Projektion der Verdampfereinheiten auf die zur Kammerverbindungsöffnung
parallele Nebenkammerwand bei der Optimierung berücksichtigt werden muß. Die
Praxis hat gezeigt, daß sich nur mit Öffnungswinkeln, die zwischen π/10 und π/3
liegen, befriedigende Resultate erzielen lassen. In einer bevorzugten Ausführung ist
die zur Kammerverbindungsöffnung parallele Nebenkammerwand als Tür
ausgebildet, die mit der Nebenkammer über einen Flansch und Dichtungen
vakuumdicht verbunden ist. Dies erleichtert den Unterhalt wesentlich, vor allem
dann, wenn auf dieser Tür die Verdampferquellen angebracht sind.
Auch wenn diese erfindungsgemäße Anordnung bei verschiedenen Baumustern von
Verdampfereinheiten, wie sie im Stand der Technik bekannt sind, es erlaubt
befriedigende Beschichtungsresultate zu erzielen, so hat sich doch gezeigt daß
eine Anordnung mit wenigstens zwei rotationssymmetrischen Verdampfereinheiten
besonders günstig ist. Auch dies zeigt, wie weit das Verhalten erfindungsgemäßen
Anlage vom Stand der Technik abweicht. Dieser empfiehlt die Verwendung von
einzelnen rechteckigen Verdampfereinheiten oder eine spiralförmige Anordnung der
rotationssymmetrischen Verdampfereinheiten. Das elektrische Potential auf dem die
Nebenkammerwand bezüglich der Targetfläche liegt beeinflußt natürlich ebenfalls
das Verhältnis von Ionen zu Atomen der verdampften Komponente des
schichtbildenden Werkstoffs. Es hat sich gezeigt, daß optimale Bedingungen
erreicht werden, wenn die Nebenkammer eine Auskleidung aufweist, die von der
Hauptkammerwand und der Nebenkammerwand elektrisch-isoliert ist.
Die erfindungsgemäße Verdampfereinheit ist im Vergleich zum Stand der Technik
wesentlich einfacher aufgebaut. Dies bringt nicht nur Kostenvorteile. Es hat sich
auch gezeigt, daß durch die Einfachheit die Zuverlässigkeit stark erhöht wird.
Die erfindungsgemäße Verdampfereinheit besteht aus einem
rotationssymmetrischen Topf, dessen Rückseite mit der Wand der Kammer, in die
sie eingebaut ist, fest und vakuumdicht verbunden ist. Einzelheiten solcher
Verbindungen können dem Stand der Technik, wie er seit langem für Einbauten in
Vakuumanlagen besteht, entnommen werden. Der Topf wird durch eine Kühlplatte
vakuumdicht verschlossen. An seiner Stirnseite dieser so entstandenen Baugruppe
wird dann eine Scheibe aus der zu verdampfenden schichtbildenden Komponente
aufgebracht. Die den Werkstücken zugewandte Seite der Scheibe aus der zu
verdampfenden schichtbildenden Komponente wird Targetoberfläche genannt. Die
andere oberflächenbildende Kreisfläche wird Targetrückseite genannt. In seinem
Inneren enthält der Topf ein rotationssymmetrisches Bauteil, das permanent ein
Magnetfeld erzeugt. Das Magnetfeld ist nicht rotationssymmetrisch. Dieses
magnetfelderzeugende Bauteil rotiert um die Achse der Verdampferquelle, die mit
der Achse des Topfs und des magnetfelderzeugenden Bauteils zusammenfällt. Die
Verdampferquelle weist 2 konzentrische Stromzuführungen auf. Die konzentrische
Stromzuführung bringt gegenüber dem Stand der Technik, wie er in DE 41 09 213
dargestellt ist wesentliche Verbesserungen: Die Anordnung ist einfacher. Man
benötigt keinen doppelwandigen Topf. Dadurch, daß man ein
nichtrotationssymmetrisches Magnetfeld verwendet, muß dieses nicht so nahe an
der Targetfläche untergebracht werden. Dies erlaubt es zwischen der Scheibe aus
der zu verdampfendenden Komponente des Schichtwerkstoff und das
magnetfelderzeugende Bauteil eine Kühlplatte einzufügen. Man erzielt dadurch eine
wesentlich verbesserte Kühlung, was sich vorteilhaft auf das Verhältnis von Atomen
zu Mikrotröpfchen auswirkt das am Kathodenfußpunkt erzeugt wird. Eine weitere
Verbesserung gelang durch die Verwendung von 2 konzentrischen
Stromzuführungen. Zwar wurde schon in EP 492 592 darauf hingewiesen, daß bei
rechteckigen Verdampfereinheiten die Verwendung von mehreren
Stromzuführungen vorteilhaft ist. Die dort aufgezeigten Gründe treffen
überraschenderweise auch für rotationssymmetrische Verdampfereinheiten zu. Die
Verwendung von konzentrischen Zuführungen bringt aber gegenüber der linearen
Anordnung wesentliche Vorteile. Sie erleichtert die Abschirmung und erlaubt es so,
die inzwischen erhobenen Forderungen nach elektromagnetischer Verträglichkeit zu
erfüllen. Dies sind aber nur die wesentlichen konstruktiven Merkmale in denen sich
die erfindungsgemäße Verdampfereinheit vom Stand der Technik unterscheidet und
eine Verbesserung bringt. Bei der erfindungsgemäßen Verdampfereinheit handelt es
sich nämlich um keinen geführten Kathodenfußpunkt, wie er allen bisherigen
Vorschlägen zur Verwendung von Magnetfeldern zugrunde liegt. Das verwendete
Magnetfeld ist nicht so aufgebaut, daß der Bereich, in dem die Komponente des
Magnetfelds parallel zur Targetfläche ein Maximum hat eine geschlossene Schleife
bildet. Es handelt sich um ein Magnetfeld, das in möglichst weiten Bereichen der
Targetoberfläche zu dieser parallel ist. Ein derartiges Magnetfeld übt auf der
gesamten Kathodenfläche auf den Kathodenfußpunkt eine Kraft aus, die diesen
dazu bringt auf einen anderen Punkt weiterzuspringen. Im Gegensatz zum
geführten Funken wird keine bevorzugte Sprungrichtung angestrebt. Wichtig ist nur
die Häufigkeit des Sprungs. Man kann von einem gejagten Kathodenfußpunkt
sprechen. Durch die Rotation des nicht rotationssymmetrischen Magnetfelds wird
der Effekt weiter verstärkt, indem auf der gesamten Kathodenfläche ständig ein zu
dieser paralleles Magnetfeld vorhanden ist, dessen Richtung sich jedoch ständig
ändert. Der Kathodenfußpunkt oder die Kathodenfußpunkte werden unaufhaltsam
gejagt, ohne einen Ruhepunkt finden zu können.
Damit ist auch das Problem der ungleichmäßigen Targetflächenabtragung gelöst.
Eine weitere Verbesserung besteht darin, das magnetfelderzeugende Bauteil schnell
rotieren zu lassen, wenigstens mit 50 Umdrehungen/Minute, bevorzugt mit mehr als
500 Umdrehungen/Minute. Der Stand der Technik wie EP 283095 verwendete
langsame Doppelrotationen. Dies war für den geführten Kathodenfußpunkt richtig.
Der gejagte Kathodenfußpunkt funktioniert um so besser, je unerbittlicher, sprich
schneller der oder die Kathodenfußpunkte gejagt werden.
Auch bei der weiteren Ausführungen habe ich wesentliche Verbesserungen erzielen
können. So ist die doppelfunktionale Verwendung von Kupferrohren als
Stromzuführung und als Wasserzuführung möglich, weil wir die konzentrische
Anordnung und die später genauer beschriebene Konstruktion des Kühlkörpers
gewählt haben. Die Anordnung des magnetfelderzeugenden Bauteils an Luft, erlaubt
es dieses und seine Achse mit gut geschmierten Kugel lagern an den Topf oder die
Kammerwand anzubinden. Dies ist wiederum Voraussetzung für die schnelle
Rotation des magnetfelderzeugenden Bauteils.
Im Besonderen und bevorzugt wird das magnetfelderzeugende Bauteil so
ausgeführt, daß das von ihm bei Stillstand erzeugte Magnetfeld im Wesentlichen nur
Linien enthält, die die Targetoberfläche nur einmal durchstoßen. Das heißt sie treten
nur aus der Targetoberfläche aus, beziehungsweise in die Targetoberfläche ein. Die
Rückführung zum Gegenpol geschieht nach dem Eintritt beziehungsweise Austritt in
die zylindrische Targetoberfläche, Kühlkörperoberfläche oder Oberfläche des
magnetfelderzeugenden Bauteils. Dieses Magnetfeld kann durch verschiedene
Aufbauten von Komponenten aus Dauermagneten und ferromagnetischen
Werkstoffen erzeugt werden. Falls sie alleine nicht genügend mechanische Stabilität
besitzen, können sie in eine Struktur aus diamagnetischem Werkstoff, zum Beispiel
Kunststoff eingebettet werden. Eine bevorzugte einfache Struktur besteht aus
Dauermagneten und ferromagnetischen Polschuhen. Diese sind so angeordnet, daß
ein Pol parallel zur Targetoberfläche ist oder mit dieser einen bestimmten Winkel
einschließt. An ihm treten alle Magnetfeldlinien ein(aus), die in die Targetoberfläche
eintreten, beziehungsweise aus dieser austreten. Dieser Pol ist exzentrisch
angeordnet. Der Gegenpol oder die Gegenpole bilden einen Kreis, der zur
Targetscheibe konzentrisch sein kann. Die Gegenpolflächen sind aber nicht zur
Targetoberfläche parallel. Ihre Flächennormalen schließen mit der Achse der
Targetoberfläche Winkel βi ein. In diesem Fall bestimmt man ihren mit den
Polflächen gewuchtetem Mittelwert. Er sei β. Es können auch alle Gegenpolflächen
denselben Winkel β mit der Achse der Targetoberfläche einschließen. Dies ist aber
nicht unsere bevorzugte Ausführung. Um einen stabilen Betrieb der
Kathodenfußpunktverdampfereinheit zu erreichen, sollte dieser Winkel bevorzugt
nicht kleiner als π/20 und nicht größer als 4π/5 sein. Voraussetzung für den
geführten Kathodenfußpunkt im Stand der Technik war β = 0 gewesen.
In der erfindungsgemäßen Anlage kann der Betrieb der Verdampfereinheiten weiter
verbessert werden. Die Verbesserungen betreffen die Stabilität der
Verdampfereinheit und die Qualität der in der Anlage erzeugten Schichten. Dies ist
möglich, wenn man im Bereich des Übergangs von der Hauptkammer zur
Nebenkammer zusätzliche Anoden anbringt. Die Verwendung von anderen Anoden
als der Kammerwand, die man als Zusatzanoden bezeichnet, und auch das Splitten
des Anodenstroms zwischen Kammerwand und Zusatzanoden sind im Stand längst
bekannt. Sie sind entweder zur Targetoberfläche konzentrisch oder wie in
EP 511153 als Ring vor der Targetoberfläche ausgebildet. Ein Anbringen im Bereich
des Übergangs von der Haupt- zur Nebenkammer ist neu und erlaubt es, den
Ionenanteil im Strom der schichtbildenden Komponenten zu reduzieren und so die
Eigenspannungen in der Schicht, die insbesonders bei einer
Titankarbonitridbeschichtung von Hartmetallwerkzeugen störend sind, zu
reduzieren.
Überraschenderweise hat sich gezeigt, daß die optimalen Bedingungen für die
Schichtabscheidung in Anwendungen des Verschleißschutzes dann gegeben sind,
wenn der Öffnungswinkel α, der den Kammerausschnitt bestimmt, gleich dem
mittleren Winkel β ist, den die Gegenpole mit der Verdampferachse einschließen.
Dies glaube ich so erklären zu können, daß das Magnetfeld dem Ionenstrom eine
konische Ausrichtung gibt. Bei gleichem Winkel paßt dieser gut durch die Öffnung
zur Hauptkammer.
Die Einzelheiten der Erfindung können aus den folgenden Figuren nachvollzogen
werden, Fig. 1 und Fig. 2 zeigen zwei Ansichten der erfindungsgemäßen Anlage,
Fig. 3 gibt eine Ansicht der wesentlichen Elemente der erfindungsgemäßen
Verdampfereinheit, Fig. 4 eine Ausführungsbeispiel des Kühlkörpers und Fig. 5
ein Ausführungsbeispiel des magnetfelderzeugenden Bauteils. Fig. 6 ist eine
weitere Ausführung des magnetfelderzeugenden Bauteils. Im Einzelnen zeigt
Fig. 1 eine Anlagen für die plasmaunterstützte Vakuumbedampfung von
Werkstücken, die aus einer Hauptkammer (1) und einer Nebenkammer (3) besteht.
Hauptkammer und Nebenkammer sind durch die Öffnung (4) so miteinander
verbunden, daß eine molekulare Strömung nicht behindert wird. In der Hauptkammer
befinden sich die zu beschichtenden Werkstücke (8), in der Nebenkammer (2)
Verdampferquellen (5). Einzelheiten der Anlage wie Pumpen, Gaszuführungen,
Substratbewegungsmechanismen und Konditionierungseinrichtungen sind nicht
dargestellt, da der Aufbau und die Positionierung dem Fachmann bekannt sind. Die
Fig. 1 zeigt weiterhin die Höhe (7) der Anlage (2) und die Länge (6) der
rechteckigen Öffnung (4), die Hauptkammer mit Nebenkammer verbindet.
Fig. 2 zeigt teilweise die gleichen Elemente wie Fig. 1. Zusätzlich zeigt sie den
Öffnungswinkel α, der den Ausschnitt charakterisiert und die Tiefe (9) der
Nebenkammer (3). Die Verdampfereinheit (5) ist auf einer Tür (10) aufgebracht, die
zur Verbindungsfläche (4) parallel ist. Die Nebenkammer ist mit einer Auskleidung
(11) versehen, die von der Nebenkammerwand, der Tür (10) und der
Hauptkammerwand (2) durch eine elektrische Isolation (35) getrennt ist. Im Bereich
zwischen Nebenkammer und Hauptkammer sind oben und unten zwei Zusatzanoden
(31) angebracht. Es handelt sich dabei um 2 rechteckige Kupferprofile, deren Länge
der Breite des Ausschnitts entspricht und deren Breite im Bereich zwischen 5 und 20 mm
liegt. Sie sind natürlich etwas kürzer als der Ausschnitt um elektrischen Kontakt
sicher zu vermeiden. Sie sind auf ein Rohr aufgeschweißt, das wassergekühlt ist,
und das gleichzeitig als Stromzuführung dient. Strom und Wasser werden durch
eine nicht dargestellte Durchführung nach außen geführt.
Fig. 3 zeigt die wesentlichen Einzelheiten des Aufbaus der Verdampfereinheit. Sie
ist rotationssymmetrisch aufgebaut, mit einer Symmetrieachse (23). Einzelheiten,
deren Ausführung dem Fachmann vertraut sind, wie Schrauben, Dichtungen und
Durchführungen sind nur dann dargestellt, wenn sie eine besondere Funktion oder
Ausführung aufweisen. Die Verdampfereinheit besteht aus einer Scheibe (13) aus
der zu verdampfenden schichtbildenden Komponente des Schichtwerkstoffs. Sie ist
mit der dahinter liegenden Kühlplatte (14) fest verbunden. Diese Verbindung kann
entweder durch einzelne Schrauben in der Randzone, durch Pratzen an der
Randzone, durch einen Gewindebolzen im Zentrum oder durch eine Überwurfmutter
bewerkstelligt werden. Die Verbindung ist nicht vakuumdicht. Die dahinter liegende
Kühlplatte wird bevorzugt aus Kupfer gefertigt. Einzelheiten sind in der Fig. 4
dargestellt. In ihr Inneres führen zwei konzentrische Kupferrohre (18) und (24). (24)
dient zur Zuleitung des Kühlwassers und (18) zur Ableitung des Kühlwassers. Die
beiden Rohre (18) und (24) sind durch Kupferbrücken (36) miteinander elektrisch
verbunden und über ein Kabel (22) an den negativen Pol einer geeigneten
Gleichspannungsversorgung (20) angeschlossen. Der positive Pol der
Gleichspannungsversorgung ist über ein Kabel (21) und einen Stromteiler mit den
Zusatzanoden und der Kesselwand verbunden. Der Kühlkörper ist mechanisch steif
und durch die Dichtungsringe (15) vakuumdicht mit einem Topf (12) verbunden, der
aus rostfreiem Stahl, Inconel, Aluminium, Kupfer oder einem anderen nicht
ferromagnetischem Material gefertigt sein kann. Dieser Topf wiederum ist
mechanisch steif und durch Dichtungsringe mit der Kammerwand, beziehungsweise
die Nebenkammertür (37) verbunden. Auch dies kann mit Schrauben oder Pratzen,
bevorzugt mit einer Verbindung, die den einschlägigen ISO-Normen für
Vakuumtechnik entspricht, realisiert werden. In diesem Topf befindet sich ein
magnetfelderzeugendes Bauteil (16), das in Fig. 6 näher dargestellt ist. Dieses
Bauteil ist über eine Achse (38) und ein schnelläufiges Kugellager (17) mechanisch
an den Topf angebunden. Diese Achse wird von einem Motor (30) angetrieben.
Fig. 4 zeigt ein Beispiel für die Realisation des Kühlkörpers (14). Er besteht aus
einem Kupfertopf (25), dessen Stirnseite durch eine dünne, aufgelötete Kupferfolie (26)
verschlossen ist. Sein Inneres ist durch eine Trennwand (27) in eine obere
Kammer (29) und eine untere Kammer (28) geteilt. Im Zentrum seiner Unterseite
befindet sich ein Loch, an das ein Zuflußrohr (24) angeschlossen ist. Dieses füllt die
untere Kammer (28). An einer dreieckigen Öffnung des Trennblechs tritt das Wasser
in die obere Kammer (29) über und tritt nach deren Durchströmung durch das
Ablaßrohr (18) wieder aus. Das Ablaßrohr (18) ist mit der Folie (26) in deren
Zentrum (39) elektrisch leitend verbunden. Das Einlaßrohr (24) leitet den
elektrischen Strom über den Topf (25) an einen Bereich (40) der in etwa der
Kontaktfläche zwischen Folie und Topf entspricht, die Randzone der
Targetoberfläche. Die Wandstärken und die Werkstoffe der beiden Rohre und des
Topfs müssen so gewählt werden, daß der elektrische Widerstand der beiden
Zuleitungen annähernd gleich ist. Annähernd gleich ist zum Beispiel erfüllt, wenn der
Unterschied im Widerstand nicht größer als 0.2 Ω ist.
Fig. 5 zeigt eine bevorzugte Form des erfindungsgemäßen Magnetfelds. In einer
Platte (16) aus Polyethylen wurde exzentrisch ein Zylinder (46) aus dem
dauermagnetischen Werkstoff Neodym-Eisen-Bor eingesetzt und mit einem
Polschuh (30) versehen, dessen Oberfläche den Nordpol der magnetischen
Anordnung bildet. An die Rückseite des Dauermagneten schließt sich ein
spinnenförmiger Polschuh mit langen Armen (34) und kurzen Armen (33) aus
Weicheisen an, der den magnetischen Fluß zu den Gegenpolen (31) und (32) leitet.
Sie bilden den Südpol der magnetischen Anordnung. Alle Gegenpole liegen auf
einem mit der Platte konzentrischem Kreis. Die Flächennormalen (42) und (41) der
einzelnen Arme bilden mit der Rotationsachse der Platte (23) Winkel β₁ und β₂. Die
Pole sind durch Magnetlinien (39) miteinander verbunden. Auf Grund des Form der
Anordnung, treten alle Magnetlinien am Nordpol aus der Magnetplatte parallel zur
Achse (23) aus und werden so in ihrem Verlauf aus der Targetoberfläche, nachdem
sie diese durchdrungen haben, austreten. An den Südpolen werden sie wieder im
Wesentlichen normal zu den Polflächen (31) und (32), also parallel zu den
Flächennormalen (40) und (42) in den Polschuh eintreten. Davor haben sie in den
meisten Fällen den Zylindermantel einer der drei Bauelemente (12), (13), (14)
durchdrungen.
Fig. 6 zeigt eine andere praktische Realisierung. Die Aufsicht 6a zeigt den Nordpol
(30) der von einem Polschuh aus Weicheisen gebildet ist. Unter ihm befindet sich
wiederum ein Zylinder (46) aus dem dauermagnetischem Werkstoff Neodym-Eisen-
Bor. Dieser Zylinder sitzt auf einer Weicheisenplatte (44). An diese
Weicheisenplatte schließen sich an einigen Stellen Quader aus dauermagnetischem
Material (45) an, die einen unsymmetrischen Stern bilden. An ihren Enden schließen
sich weitere Quader aus dauermagnetischem Material (40) an, die zu ihnen in einem
bestimmten Winkel stehen. Sie sind mit ihnen durch einen kleinen Polschuh (43)
verbunden. An ihrem Ende können weitere Polschuhe angebracht sein. Auch diese
Anordnung erzeugt ein Magnetfeld, wie es in Fig. 5 dargestellt ist.
Claims (20)
1. Anlage für die plasmaunterstützte physikalische Bedampfung von Werkstücken,
die einen oder mehrere Kathodenfußpunktverdampfereinheiten umfaßt,
dadurch gekennzeichnet, daß
sie aus einer zylindrischen Hauptkammer (1) und wenigstens einer quaderförmigen Nebenkammer (3) besteht,
daß der Zylindermantel der zylindrischen Hauptkammer wenigstens eine rechteckige Öffnung aufweist
daß die rechteckigen Öffnungen der zylindrischen Hauptkammer mit den quaderförmigen Nebenkammern entlang einer Längsseitenfläche eine verbindende Öffnung (4) bildend verbunden sind und
daß die zu beschichtenden Substrate (8) ausschließlich in der Hauptkammer untergebracht sind.
dadurch gekennzeichnet, daß
sie aus einer zylindrischen Hauptkammer (1) und wenigstens einer quaderförmigen Nebenkammer (3) besteht,
daß der Zylindermantel der zylindrischen Hauptkammer wenigstens eine rechteckige Öffnung aufweist
daß die rechteckigen Öffnungen der zylindrischen Hauptkammer mit den quaderförmigen Nebenkammern entlang einer Längsseitenfläche eine verbindende Öffnung (4) bildend verbunden sind und
daß die zu beschichtenden Substrate (8) ausschließlich in der Hauptkammer untergebracht sind.
2. Anlage gemäß Anspruch 1
dadurch gekennzeichnet,
daß in der zylindrischen Hauptkammer keine Verdampfereinheiten eingebaut sind und
daß alle Verdampfereiheiten (5) in der quaderförmigen Nebenkammer eingebaut sind.
daß alle Verdampfereiheiten (5) in der quaderförmigen Nebenkammer eingebaut sind.
3. Anlage gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Länge (6) der rechteckigen Öffnung wenigstens 60% der Länge (7) des Zylindermantels der Hauptkammer ist und
daß die Tiefe (7) zwischen 300 und 800 mm beträgt.
daß die Länge (6) der rechteckigen Öffnung wenigstens 60% der Länge (7) des Zylindermantels der Hauptkammer ist und
daß die Tiefe (7) zwischen 300 und 800 mm beträgt.
4. Anlage gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche
dadurch gekennzeichnet, daß
die rechteckige Öffnung des Zylindermantels der Hauptkammer einem
Öffnungswinkel α entspricht, der größer als π/10 und kleiner als π/3 ist.
5. Anlage gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche
dadurch gekennzeichnet,
daß die quaderförmige Nebenkammer (3) eine Türe (10) aufweist, die die Seitenfläche bildet, die zur Verbindungsseitenfläche (4) parallel ist und
daß diese Türe die Verdampfereinheit(en) (5) trägt.
daß die quaderförmige Nebenkammer (3) eine Türe (10) aufweist, die die Seitenfläche bildet, die zur Verbindungsseitenfläche (4) parallel ist und
daß diese Türe die Verdampfereinheit(en) (5) trägt.
6. Anlage gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche
dadurch gekennzeichnet,
daß die Nebenkammer (3) eine Auskleidung (5) aufweist und
daß diese Auskleidung von der Hauptkammerwand (2) und der Nebenkammerwand elektrisch isoliert ist.
daß die Nebenkammer (3) eine Auskleidung (5) aufweist und
daß diese Auskleidung von der Hauptkammerwand (2) und der Nebenkammerwand elektrisch isoliert ist.
7. Anlage gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
in der Nebenkammer wenigsten 2 rotationssymmetrische Verdampfereinheiten
eingebaut sind.
8. Verdampfereinheit nach dem Prinzip der Katodenfußpunktverdampfung für eine
Anlage für die plasmaunterstützte physikalische Bedampfung von Werkstücken, die
einen oder mehrere Kathodenfußpunktverdampfereinheiten umfaßt, bestehend aus
einem rotationssymmetrischem Topf (12), der mit der Kammerwand (37) der Anlage
fest verbunden ist, einer ebenen kreisförmigen Targetfläche (13), die aus
wenigstens einer der Komponenten des Werkstoffs besteht, der die Schicht bilden
soll, einer Wasserkühlung, einem beweglichen magnetfelderzeugendem Bauteil (16)
dadurch gekennzeichnet, daß
das magnetfelderzeugende Bauteil (16) um eine Achse (23), die der Topfachse entspricht eine einfache Rotation ausführt
das vom magnetfelderzeugendem Bauteil erzeugte magnetische Feld nicht rotationssymmetrisch ist und
daß sie wenigstens zwei konzentrische Stromzuführungen aufweist.
das magnetfelderzeugende Bauteil (16) um eine Achse (23), die der Topfachse entspricht eine einfache Rotation ausführt
das vom magnetfelderzeugendem Bauteil erzeugte magnetische Feld nicht rotationssymmetrisch ist und
daß sie wenigstens zwei konzentrische Stromzuführungen aufweist.
9. Verdampfereinheit gemäß Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß sich unmittelbar an die Targetfläche ein vakuumdichter wasserdurchströmter Kühlkörper (14) anschließt und
daß sich hinter dem Kühlkörper das rotierende magnetfelderzeugende Bauteil (16) befindet.
daß sich unmittelbar an die Targetfläche ein vakuumdichter wasserdurchströmter Kühlkörper (14) anschließt und
daß sich hinter dem Kühlkörper das rotierende magnetfelderzeugende Bauteil (16) befindet.
10. Verdampfereinheit gemäß wenigstens einem der Anspruch 8-9,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Rotationsgeschwindigkeit des magnetfelderzeugenden Bauteils (16) wenigstens
50 Umdrehungen/Minute beträgt.
11. Verdampfereinheit gemäß wenigstens einem der Ansprüche 8-10,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Rotationsgeschwindigkeit wenigstens 500 Umdrehungen/ Minute erreicht.
12. Verdampfereinheit gemäß wenigstens einem der Ansprüche 8-11,
dadurch gekennzeichnet, daß
Wasserzuführung und Stromzuführung teilweise über zwei konzentrische
Rohre (18), (24) erfolgt.
13. Verdampfereinheit gemäß wenigstens einem der Ansprache 8-12,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Rohre aus Kupfer sind.
14. Verdampfereinheit gemäß wenigstens einem der Ansprüche 8-13,
dadurch gekennzeichnet, daß,
eines der beiden Rohre elektrisch mit dem Zentrum (39) der Oberfläche (26) des Kühlkörpers verbunden ist, die an die Targetrückseite anschließt
eines der beiden Rohre mit der Randzone (40) der Oberfläche (26) des Kühlkörpers verbunden ist, die an die Targetrückseite anschließt.
eines der beiden Rohre elektrisch mit dem Zentrum (39) der Oberfläche (26) des Kühlkörpers verbunden ist, die an die Targetrückseite anschließt
eines der beiden Rohre mit der Randzone (40) der Oberfläche (26) des Kühlkörpers verbunden ist, die an die Targetrückseite anschließt.
15. Verdampfereinheit gemäß wenigstens einem der Ansprüche 8-14,
dadurch gekennzeichnet, daß
die elektrischen Widerstände der beiden Zuleitungen annähernd gleich sind.
16. Verdampfereinheit gemäß wenigstens einem der Ansprüche 8-15,
dadurch gekennzeichnet, daß
das rotierende magnetfelderzeugende Bauteil (16) sich an Luft befindet.
17. Verdampfereinheit gemäß wenigstens einem der Ansprüche 8-16,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Magnetlinien (39), die Pole (30) und Gegenpole (31), (32) des
magnetfelderzeugenden Bauteils (16) verbinden, die Targetoberfläche im
Wesentlichen nur an jeweils einem Punkt Targetfläche durchstoßen.
18. Verdampfereinheit gemäß wenigstens einem der Ansprüche 8-17,
dadurch gekennzeichnet, daß
alle Polflächen (30) im Wesentlichen parallel zur Targetoberfläche orientiert sind und
die meisten der Gegenpolflächen (31), (32), mit der Achse der Targetfläche (23)
einen durchschnittlichen Winkel 13 einschließen und daß
der Winkel β zwischen π/10 und π/3 beträgt.
19. Anlage und Verdampfereinheit gemäß wenigstens einem der Ansprüche 1-7
und gemäß wenigstens einem der Ansprüche 8-18,
dadurch gekennzeichnet daß
der Winkel α gleich dem Winkel β ist.
20. Anlage und Verdampfereinheit gemäß wenigstens einem der Ansprüche 1-7
und gemäß wenigstens einem der Ansprüche 8-18,
dadurch gekennzeichnet, daß
im Bereich, der zur Verbindungsfläche und einer der beiden Kammerwände
unmittelbar benachbart ist, eine oder mehrere Anoden (31) angebracht sind,
die wenigstens einen Teil des Lichtbogenentladungsstrom aufnehmen.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH02073/95A CH689558A5 (de) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | Bedampfungsanlage und Verdampfereinheit. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19625875A1 true DE19625875A1 (de) | 1997-01-16 |
Family
ID=4225274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19625875A Withdrawn DE19625875A1 (de) | 1995-07-11 | 1996-06-28 | Bedampfungsanlage und Verdampfereinheit |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6207029B1 (de) |
| JP (1) | JPH0925563A (de) |
| CH (1) | CH689558A5 (de) |
| DE (1) | DE19625875A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10080930B4 (de) * | 1999-03-23 | 2005-03-10 | Sumitomo Electric Industries | Vakuumbogen-Verdampfungsverfahren, Vakuumbogen-Verdampfungssystem und Drehschneidewerkzeug |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070138003A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-06-21 | Annaqin Llc | Lamination and conversion process and apparatus |
| DE102010020737A1 (de) * | 2010-05-17 | 2011-11-17 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Target für Funkenverdampfung mit räumlicher Begrenzung der Ausbreitung des Funkens |
| US10704136B2 (en) * | 2013-03-05 | 2020-07-07 | Raytheon Technologies Corporation | Cathodic arc deposition stinger |
| US20180269044A1 (en) | 2017-03-20 | 2018-09-20 | International Business Machines Corporation | Pvd tool to deposit highly reactive materials |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE126040C (de) | ||||
| DE104998C (de) | ||||
| US3625848A (en) * | 1968-12-26 | 1971-12-07 | Alvin A Snaper | Arc deposition process and apparatus |
| US3793179A (en) | 1971-07-19 | 1974-02-19 | L Sablev | Apparatus for metal evaporation coating |
| US4622452A (en) | 1983-07-21 | 1986-11-11 | Multi-Arc Vacuum Systems, Inc. | Electric arc vapor deposition electrode apparatus |
| US4448659A (en) | 1983-09-12 | 1984-05-15 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for evaporation arc stabilization including initial target cleaning |
| US4556471A (en) * | 1983-10-14 | 1985-12-03 | Multi-Arc Vacuum Systems Inc. | Physical vapor deposition apparatus |
| US4673477A (en) | 1984-03-02 | 1987-06-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Controlled vacuum arc material deposition, method and apparatus |
| US4724058A (en) | 1984-08-13 | 1988-02-09 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for arc evaporating large area targets |
| JPS6260866A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-03-17 | Fujitsu Ltd | マグネトロンスパツタ装置 |
| US4929322A (en) * | 1985-09-30 | 1990-05-29 | Union Carbide Corporation | Apparatus and process for arc vapor depositing a coating in an evacuated chamber |
| JP2571948B2 (ja) * | 1986-04-04 | 1997-01-16 | リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミネソタ | 耐火性金属化合物のアークコーティング |
| CA1301239C (en) | 1987-03-16 | 1992-05-19 | Hans Veltrop | Method and arrangement for mechanically moving of a magnetic field generating device in a cathode arc discharge evaporating device |
| ATE65265T1 (de) | 1987-08-26 | 1991-08-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur aufbringung von schichten auf substraten und vakuumbeschichtungsanlage zur durchfuehrung des verfahrens. |
| FR2670218B1 (fr) * | 1990-12-06 | 1993-02-05 | Innovatique Sa | Procede de traitement de metaux par depot de matiere, et pour la mise en óoeuvre dudit procede. |
| US5126030A (en) * | 1990-12-10 | 1992-06-30 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Apparatus and method of cathodic arc deposition |
| JPH0772338B2 (ja) | 1990-12-25 | 1995-08-02 | 株式会社神戸製鋼所 | 真空アーク蒸着装置 |
| US5269898A (en) | 1991-03-20 | 1993-12-14 | Vapor Technologies, Inc. | Apparatus and method for coating a substrate using vacuum arc evaporation |
| CA2065581C (en) | 1991-04-22 | 2002-03-12 | Andal Corp. | Plasma enhancement apparatus and method for physical vapor deposition |
| IT1253065B (it) | 1991-12-13 | 1995-07-10 | Unicoat Srl | Vaporizzatore ad arco voltaico |
| US5282944A (en) | 1992-07-30 | 1994-02-01 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ion source based on the cathodic arc |
| US5317235A (en) | 1993-03-22 | 1994-05-31 | Ism Technolog | Magnetically-filtered cathodic arc plasma apparatus |
-
1995
- 1995-07-11 CH CH02073/95A patent/CH689558A5/de not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-06-28 DE DE19625875A patent/DE19625875A1/de not_active Withdrawn
- 1996-07-09 US US08/679,386 patent/US6207029B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-11 JP JP8182047A patent/JPH0925563A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10080930B4 (de) * | 1999-03-23 | 2005-03-10 | Sumitomo Electric Industries | Vakuumbogen-Verdampfungsverfahren, Vakuumbogen-Verdampfungssystem und Drehschneidewerkzeug |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6207029B1 (en) | 2001-03-27 |
| CH689558A5 (de) | 1999-06-15 |
| JPH0925563A (ja) | 1997-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0334204B1 (de) | Verfahren und Anlage zur Beschichtung von Werkstücken | |
| DE60201044T2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Vakuumbeschichtung mittels Lichtbogen | |
| DE3206882C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Verdampfen von Material unter Vakuum | |
| DE4102102C2 (de) | Magnetanordnung mit wenigstens zwei Permanentmagneten sowie ihre Verwendung | |
| EP2140476B1 (de) | Vakuum lichtbogenverdampfungsquelle, sowie eine lichtbogenverdampfungskammer mit einer vakuum lichtbogenverdampfungsquelle | |
| DE2707144A1 (de) | Kathodenzerstaeubungsvorrichtung | |
| DE60212551T2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Vakuumbeschichtung mittels Lichtbogen | |
| DE3506227A1 (de) | Anordnung zur beschichtung von substraten mittels kathodenzerstaeubung | |
| EP2018653A2 (de) | Arcquelle und magnetanordnung | |
| EP0489239A1 (de) | Anordnung zum Beschichten von Substraten mit Magnetronkathoden | |
| DE3920835A1 (de) | Einrichtung zum beschichten von substraten | |
| EP0971388A2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum mehrlagigen PVD-Beschichten von Substraten | |
| EP0946966A1 (de) | Vorrichtung zur kathodenzerstäubung | |
| DE3339482A1 (de) | Magnetisches zerstaeubungstarget | |
| DE4135939C2 (de) | ||
| WO2011160766A1 (de) | Arc-verdampfungsquelle mit definiertem elektrischem feld | |
| EP0558797B1 (de) | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung | |
| EP0812001A2 (de) | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung | |
| DE69121446T2 (de) | Zerstäubungssystem | |
| WO2004057642A2 (de) | Vacuumarcquelle mit magnetfelderzeugungseinrichtung | |
| DE19625875A1 (de) | Bedampfungsanlage und Verdampfereinheit | |
| EP0371252B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen von Substraten mit einer magnetfeldunterstützten Niederdruck-Entladung | |
| DE19614598A1 (de) | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung | |
| DE2815627B2 (de) | Auf dampf quelle | |
| DE3411536A1 (de) | Magnetronkatode fuer katodenzerstaeubungsanlagen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |