DE19609929A1 - Leistungshalbleitermodul - Google Patents
LeistungshalbleitermodulInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Leistungshalbleitermodul mit einer Bodenplatte,
darauf aufgelöteten elektrisch isolierenden Substraten und darauf wiederum aufgelö
teten Leistungshalbleiterbauelementen entsprechend dem Oberbegriff des An
spruchs 1.
Mit Leistungshalbleitermodulen wird üblicherweise eine Stromrichterschaltung oder
ein Teil einer solchen Schaltung realisiert. Sie sind für die Montage auf einem Kühl
körper konzipiert.
Ein solches Halbleitermodul ist aus der DE 43 38 107 C1 bekannt. Bei dem daraus
bekannten Modul ist die Oberseite der Bodenplatte plan und die Unterseite in bezug
auf die plane Oberfläche konvex geformt. Stimmen Längs- und Querausdehnungen
der Bodenplatte annähernd überein, besitzt die Unterseite die Form einer Kugelka
lotte. Durch den Lötvorgang, das Aufbringen eines Gehäuses und das Aufschrauben
der Bodenplatte auf den Kühlkörper wird die Konvexizität der Unterseite der Boden
platte verringert und ein großflächiger Kontakt zum Kühlkörper hergestellt. Die Lö
tung erfolgt beim bekannten Modul in zwei Schritten. Im ersten Schritt werden ke
ramische Substrate, die eine lötfähige Oberfläche aufweisen, auf die Bodenplatte
gelötet und in einem zweiten Schritt werden die Substrate mit Halbleiterbauelemen
ten verbunden. Ein solches Modul wird üblicherweise mit Anschlußleitern, einem
Gehäuse und einer Gehäusefüllung versehen.
Das so fertiggestellte Modul wird auf einen planen Kühlkörper aufgeschraubt. Dazu
weist die Bodenplatte in ihrem Randbereich Bohrungen für Befestigungsschrauben
auf. Durch die Montage auf den Kühlkörper soll sich die Bodenplatte verformen, bis
die Unterseite plan am Kühlkörper anliegt. Die Oberseite verformt sich konvex.
Die Beeinflussung der Krümmung der Bodenplatte hängt vor allem von den Lot
werkstoffen, den Lotdicken, und der Anzahl und Lage von aufzulötenden Substraten
ab. Da einer oder mehrerer dieser Parameter bei jeder Lötung variieren, ist die letzt
liche, nach der Montage nach gegebene Krümmung der Unterseite der Bodenplatte
bei jedem Modul unterschiedlich ausgeprägt. Versuche haben gezeigt daß trotz ur
sprünglich gleichem Krümmungsradius der Unterseite mehrerer Bodenplatten nicht
immer ein gleich guter Kontakt zum Kühlkörper erreicht werden kann. Bei manchen
Modulen fehlt deshalb an Teilflächen der Bodenunterseite der notwendige Kontakt
zum Kühlkörper. Vor allem fehlt oftmals der Kontakt an Seitenbereichen, an denen
eine Verschraubung fehlt und die Bodenplatte nicht ausreichend an den Kühlkörper
gepreßt wird. Eine solche Situation ist in Fig. 1 zu sehen, die eine Bodenplatte 1 mit
Bohrungen 14 darstellt. Die Bohrungen dienen der späteren Verschraubung auf den
Kühlkörper. Die schraffierten Flächen 15 sind typische Bereiche, bei denen ein un
befriedigender Kontakt zum Kühlkörper gegeben ist. Werden die Schrauben fester
angezogen, um einen allseitigen Kontakt zum Kühlkörper herzustellen, kann es in
der Mitte der Bodenplatte zu einer Aufwölbung kommen.
Die DE 39 40 933 A1 befaßt sich ebenfalls mit dem Problem des thermischen Kon
takts zwischen einer Modulbodenplatte und einem Kühlkörper. Dort wird eine Kup
fer-Bodenplatte mit Hilfe einer konvex gekrümmten beheizbaren Preßvorrichtung in
eine gewünschte Form gebracht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Leistungshalbleitermodul anzugeben,
dem ein guter thermischer Kantakt zwischen Leistungshalbleiterbauelementen,
Substraten und einer Bodenplatte zu einem Kühlkörper gewährleistet ist. Ein weite
res Ziel der Erfindung besteht darin, Verspannungen der Bodenplatte, welche im
Langzeiteinsatz zu Verformungen der Bodenplatte führen können, zu minimieren.
Diese Aufgabe wird bei einem Leistungshalbleitermodul nach dem Oberbegriff des
Anspruchs 1 durch dessen kennzeichnendes Merkmal gelöst.
Der oder die vorgeschlagenen Schlitze an der Unterseite der Bodenplatte lassen
sich so dimensionieren und anordnen, daß praktisch keine Beeinträchtigung der
Wärmespreizung in der Bodenplatte auftritt und eine großflächige Wärmeableitung
an den Kühlkörper gegeben ist.
Eine ausführlichere Beschreibung der Erfindung und ihrer Ausgestaltungsmöglich
keiten erfolgt nachstehend anhand der Zeichnungsfiguren.
Es zeigen:
Fig. 1 Bodenplatte eines Moduls nach dem Stand der Technik, mit typischen
Flächenbereichen, die einen unzureichenden thermischen Kontakt zu
einem Kühlkörper haben;
Fig. 2 Leistungshalbleitermodul mit wenigstens einem Schlitz an der Untersei
te seiner Bodenplatte,
Fig. 3 eine mögliche Ausführung der Bodenplatte.
Fig. 2 zeigt eine Modulanordnung, wobei für die Erfindung unwesentliche Details,
wie Modulgehäuse, elektrische Anschlüsse und Leiterbahnen nicht dargestellt sind.
Fig. 2 zeigt eine Bodenplatte 1, die im allgemeinen aus einem gut wärmeleitenden
Werkstoff, z. B. aus Kupfer oder aus einem lötfähigen Verbundwerkstoff aus Silizi
umkarbid und Aluminium (SiC/Al) besteht. Die Bodenplatte 1 hat eine plane Obersei
te 3 und bezüglich dieser planen Oberseite eine konvex gekrümmte Unterseite 2.
Auf der Oberseite 3 sind thermisch gut leitende, elektrisch isolierende Substrate 4, 5
angeordnet. Diese bestehen üblicherweise aus einer Platte 17 aus Aluminiumoxid
(Al₂O₃) oder Aluminiumnitrid (AlN), die auf der Ober- und Unterseite jeweils mit einer
lötfähigen Kupferschicht 16, 18 versehen ist, wobei die obere Schicht 16 zu Leiter
bahnen strukturiert ist. Die Kupferschichten 16, 18 sind nach einem Direktverbin
dungsverfahren aufgebracht. Die Substrate 4, 5 werden mit der Oberseite 3 der Bo
denplatte 1 durch Weichlotschichten 6, 7 verbunden. Auf der Oberseite der
Substrate 4, 5 sind über weitere Weichlotschichten 10, 11 Leistungshalbleiterbau
elemente in Form von Halbleiterchips 8, 9 befestigt. Die Halbleiterchips 8, 9 können
über nicht dargestellte Leiterbahnen miteinander und mit ebenfalls nicht dargestell
ten Gehäuseanschlüssen verbunden sein. Auch üblicherweise vorhandene Band
verbindungen mit Drähten zwischen den Chipoberseiten und Leiterbahnen sind nicht
gezeigt.
Die konvex gekrümmte Unterseite 2, deren Krümmung in der Zeichnung übertrieben
dargestellt ist, weist einen oder mehrere Schlitze 13 auf. Diese sind derart dimen
sioniert und angeordnet, daß die mechanische Stabilität der Bodenplatte 1 gewähr
leistet ist, die Wärmespreizung in der Bodenplatte nicht beeinträchtigt wird und die
Wärmeabfuhr von den Halbleiterbauelementen 8, 9 über die Substrate und über die
Bodenplatte 1 zu einem Kühlkörper 12 durch einen großflächigen Kontakt zum Kühl
körper verbessert wird. Die Anordnung der Schlitze 13 wird deshalb so gewählt, daß
diese nicht unterhalb der Substrate 4, 5 verlaufen. Eine mögliche Gestaltung einer
Bodenplatte 1 mit einem einzigen Schlitz 13 ist in Fig. 3 dargestellt.
Die Schlitze 13 in der Bodenplatte 1 bewirken, daß auf die plane Oberfläche 3 wir
kende Kräfte, z. B. durch ein Gehäuse bzw. eine Verschraubung auf den Kühlkörper,
zu einer verbesserten Anpassung der Bodenplatte an den Kühlkörper führen. Gerin
ge, erwünschte Verformungen der Bodenplatte treten somit nur im Bereich des oder
der Schlitze und nicht unterhalb von Substraten auf. Eine Verformung von Lotschich
ten, die sich zwischen den Substraten und der Bodenplatte befinden, wird dadurch
minimiert. Die Plattenunterseite erhält einen allseitig guten Kontakt zum Kühlkörper.
Der verbesserte Gesamtkontakt führt zu einer verbesserten Wärmeabfuhr von den
Leistungshalbleiterchips zum Kühlkörper.
Die Lötung des Moduls erfolgt in zwei Schritten. Zuerst werden die Substrate und
die Halbleiterchips mit einem höherschmelzenden Lot verlötet und anschließend
drahtgebondet. Im zweiten Schritt werden die Substrate auf die Bodenplatte gelötet,
wobei ein Lot verwendet wird, dessen Schmelztemperatur unter der des Lotes der
ersten Lötung liegt.
Claims (8)
1. Leistungshalbleitermodul
- - mit einer Bodenplatte (1), die eine plane Oberseite (3) und eine konvex ge krümmte Unterseite (2) hat,
- - mit einem oder mehreren auf der Oberseite (3) der Bodenplatte (1) angeord neten, thermisch gut leitenden und elektrisch isolierenden Substraten (4, 5), die mit der Bodenplatte (1) jeweils durch eine Weichlotschicht (6, 7) verbun den sind, und
- - mit einem oder mehreren Leistungshalbleiterchips (8, 9), die jeweils durch eine Weichlotschicht (10, 11) mit einem der Substrate (4, 5) verbunden sind,
dadurch gekennzeichnet, daß die Bodenplatte (1) an ihrer konvexen Unterseite (2)
einen oder mehrere Schlitze (13) aufweist, deren Tiefe nur einem Teil der Boden
plattendicke an der jeweiligen Stelle entspricht.
2. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Bodenplatte (1) aus Kupfer oder aus einem Verbundwerkstoff aus Siliziumkarbid
und Aluminium (SiC/Al) besteht.
3. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorstehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß die Substrate (4, 5) jeweils aus einer Keramikplatte (17)
bestehen, die auf der Ober- und Unterseite jeweils mit einer Kupferschicht (16, 18)
versehen sind, die mittels eines Direktverbindungsverfahrens aufgebracht sind.
4. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die Keramikplatte (17) jeweils aus Aluminiumoxid (Al₂O₃) oder Aluminiumnitrid (AlN)
besteht.
5. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeich
net, daß die obere Kupferschicht (16) zu Leiterbahnen strukturiert ist.
6. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorstehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß der oder die Schlitze (13) nicht unter Substraten (4, 5)
verlaufen.
7. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorstehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß das Modul nach einem zweistufigen Lötverfahren her
gestellt ist und die Weichlotschichten (10, 11) zur Verbindung der Halbleiterchips (8,
9) mit den Substraten (4, 5) aus einem höher schmelzenden Lot bestehen, als die
Weichlotschichten (6, 7) zur Verbindung der Substrate (4, 5) mit der Bodenplatte (1).
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Family
ID=7788201
Family Applications (1)
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| DE19609929A Expired - Lifetime DE19609929B4 (de) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | Leistungshalbleitermodul |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19609929B4 (de) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001008219A1 (de) * | 1999-07-23 | 2001-02-01 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Halbleitermodul |
| DE102006011995B3 (de) * | 2006-03-16 | 2007-11-08 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit segmentierter Grundplatte |
| WO2003021680A3 (de) * | 2001-09-01 | 2008-02-07 | Eupec Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
| US8237260B2 (en) | 2008-11-26 | 2012-08-07 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module with segmented base plate |
| WO2013004455A1 (de) * | 2011-06-16 | 2013-01-10 | Osram Ag | Verfahren zur herstellung einer leuchtvorrichtung und leuchtvorrichtung |
| EP2725609A4 (de) * | 2011-06-27 | 2015-06-17 | Rohm Co Ltd | Halbleitermodul |
| US9929066B1 (en) | 2016-12-13 | 2018-03-27 | Ixys Corporation | Power semiconductor device module baseplate having peripheral heels |
| CN110998839A (zh) * | 2017-08-04 | 2020-04-10 | 电化株式会社 | 功率模块 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7751178B2 (ja) * | 2021-06-17 | 2025-10-08 | ミネベアパワーデバイス株式会社 | パワー半導体モジュール |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4100566A (en) * | 1976-03-24 | 1978-07-11 | Hitachi, Ltd. | Resin-sealed type semiconductor devices and manufacturing method of the same |
| US4887149A (en) * | 1986-07-17 | 1989-12-12 | Sgs Microelectronica S.P.A. | Semiconductor device mounted in a highly flexible, segmented package, provided with heat sink |
| DE4020577A1 (de) * | 1989-06-28 | 1991-01-10 | Hitachi Ltd | Halbleiteranordnung |
| WO1992006495A1 (en) * | 1990-09-27 | 1992-04-16 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thermal stress-relieved composite microelectronic device |
| DE4338107C1 (de) * | 1993-11-08 | 1995-03-09 | Eupec Gmbh & Co Kg | Halbleiter-Modul |
| DE4318463C2 (de) * | 1993-06-03 | 1995-07-27 | Schulz Harder Juergen | Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3940933C2 (de) * | 1989-12-12 | 1996-08-01 | Eupec Gmbh & Co Kg | Verfahren zum Verformen einer Basisplatte für Halbleitermodule und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens |
-
1996
- 1996-03-14 DE DE19609929A patent/DE19609929B4/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4100566A (en) * | 1976-03-24 | 1978-07-11 | Hitachi, Ltd. | Resin-sealed type semiconductor devices and manufacturing method of the same |
| US4887149A (en) * | 1986-07-17 | 1989-12-12 | Sgs Microelectronica S.P.A. | Semiconductor device mounted in a highly flexible, segmented package, provided with heat sink |
| DE4020577A1 (de) * | 1989-06-28 | 1991-01-10 | Hitachi Ltd | Halbleiteranordnung |
| WO1992006495A1 (en) * | 1990-09-27 | 1992-04-16 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thermal stress-relieved composite microelectronic device |
| DE4318463C2 (de) * | 1993-06-03 | 1995-07-27 | Schulz Harder Juergen | Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates |
| DE4338107C1 (de) * | 1993-11-08 | 1995-03-09 | Eupec Gmbh & Co Kg | Halbleiter-Modul |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001008219A1 (de) * | 1999-07-23 | 2001-02-01 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Halbleitermodul |
| WO2003021680A3 (de) * | 2001-09-01 | 2008-02-07 | Eupec Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
| US8227913B2 (en) | 2001-09-01 | 2012-07-24 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module comprising elastic housing for accommodating movement of individual substrate regions on a heat sink |
| DE102006011995B3 (de) * | 2006-03-16 | 2007-11-08 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit segmentierter Grundplatte |
| US8237260B2 (en) | 2008-11-26 | 2012-08-07 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module with segmented base plate |
| US9488344B2 (en) | 2011-06-16 | 2016-11-08 | Osram Gmbh | Method for producing a lighting device and lighting device |
| WO2013004455A1 (de) * | 2011-06-16 | 2013-01-10 | Osram Ag | Verfahren zur herstellung einer leuchtvorrichtung und leuchtvorrichtung |
| EP2725609A4 (de) * | 2011-06-27 | 2015-06-17 | Rohm Co Ltd | Halbleitermodul |
| US9129932B2 (en) | 2011-06-27 | 2015-09-08 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor module |
| US9929066B1 (en) | 2016-12-13 | 2018-03-27 | Ixys Corporation | Power semiconductor device module baseplate having peripheral heels |
| CN110998839A (zh) * | 2017-08-04 | 2020-04-10 | 电化株式会社 | 功率模块 |
| EP3664133A4 (de) * | 2017-08-04 | 2020-08-05 | Denka Company Limited | Leistungsmodul |
| US11094648B2 (en) | 2017-08-04 | 2021-08-17 | Denka Company Limited | Power module |
| CN110998839B (zh) * | 2017-08-04 | 2023-07-04 | 电化株式会社 | 功率模块 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19609929B4 (de) | 2006-10-26 |
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| DE3437774C2 (de) |
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