DE19605097A1 - Eingekapseltes Kontaktmaterial und Herstellungsverfahren für dieses und Herstellungsverfahren und Verwendungsverfahren für einen eingekapselten Kontakt - Google Patents
Eingekapseltes Kontaktmaterial und Herstellungsverfahren für dieses und Herstellungsverfahren und Verwendungsverfahren für einen eingekapselten KontaktInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein eingekapseltes
Kontaktmaterial und ein Herstellungsverfahren hierfür, und sie
betrifft ein Herstellungsverfahren und ein Verwendungsverfahren
für einen eingekapselten Kontakt, und insbesondere betrifft sie
ein eingekapseltes Kontaktmaterial, das geringeren Schwankungen
des Kontaktwiderstandes während des Schaltvorganges unterliegt,
das eine zufriedenstellende Betriebslebensleistung aufweist, und
das zur kostengünstigen Herstellung befähigt ist.
Ein eingekapselter Kontakt, der für einen
Schutzrohrschalter oder dergleichen verwendet wird, ist derart
aufgebaut, daß ein eingekapseltes Kontaktmaterial z. B. zusammen
mit einem N₂-Gas in einem abgedichteten Behälter eingekapselt
ist, der z. B. aus Glas oder dergleichen ausgebildet ist.
Bei weitverbreiteten herkömmlichen eingekapselten
Kontaktmaterialien ist ein Kontaktsubstrat z. B. aus Fe-Ni-
Legierung ausgebildet, und dessen Oberfläche ist mit Rh oder Ru,
die als Kontaktmantelschicht dienen, beschichtet. Rh, Ru usw.
werden oft verwendet, weil sie sehr harte, hochschmelzende
Metalle sind, die eine gute elektrische Leitfähigkeit und
Verschleißbeständigkeit aufweisen.
Diese herkömmlichen eingekapselten Kontaktmaterialien
werden derart ausgebildet, daß zunächst eine Zwischenschicht auf
der Oberfläche des Kontaktsubstrates ausgebildet wird, indem z. B.
die Substratoberfläche mit einem Metall, wie etwa Ag, Au oder
Cu galvanisch überzogen wird, und indem dann eine
Kontaktmantelschicht auf der Zwischenschicht ausgebildet wird,
indem diese mit Rh oder Ru überzogen wird. Die Zwischenschicht
dient der verbesserten Haftung zwischen dem Kontaktsubstrat und
der Kontaktmantelschicht, und sie dient der Verhinderung der
Diffusion von Rh oder Ru aus der Kontaktmantelschicht in das
Kontaktsubstrat während des Schaltvorganges des Kontaktes.
Die Verwendung von Rh oder Ru, das ein teures Metall ist,
verleiht den oben aufgeführten eingekapselten Kontaktmaterialien
jedoch hohe Materialkosten, wodurch ein Problem der
wirtschaftlichen Effizienz aufgeworfen wird.
Kürzlich wurden daher eingekapselte Kontaktmaterialien zu
einem niedrigen Preis vorgeschlagen, die - ähnlich den
herkömmlichen - Fe-Ni-Legierungen oder dergleichen für das
Kontaktsubstrat verwenden, und die ein hochschmelzendes Metall
wie etwa Mo, W oder eine Legierung davon für die
Kontaktmantelschicht verwenden.
Die Kontaktmantelschichten der vorgenannten eingekapselten
Kontaktmaterialien weisen unter anderen wesentlichen
Eigenschaften für die Kontaktmantelschicht vorteilhafte
Eigenschaften, wie etwa einen hohen Schmelzpunkt, eine große
Härte und eine hohe elektrische Leitfähigkeit auf. Jedoch ist
herausgefunden worden, daß sich die Materialien dieser Art auf
die folgende Weise verhalten.
Im Falle eines Materials, dessen Kontaktmantelschicht aus W
ausgebildet ist, kann z. B. ein Kontaktbetriebstest, der auf
einem wiederholten Schaltvorgang bei 10 Hz beruht, wesentliche
Schwankungen des Kontaktwiderstandes oder die häufige Erzeugung
von intensiven Bogenentladungen in der Kontaktmantelschicht
offenbaren. Wenn das eingekapselte Kontaktmaterial erhöhten
Schwankungen des Kontaktwiderstandes unterliegt, neigt der
Kontaktwiderstand des eingekapselten Kontaktes während des
Schaltvorganges zu Fluktuation, und nebenbei steigt die
Wärmeabgabe des eingekapselten Kontaktes an. Als Ergebnis wird
das Betriebsleben des eingekapselten Kontaktes verkürzt und
schwankt wesentlich, so daß die Zuverlässigkeit des Kontaktes
beim tatsächlichen Gebrauch gesenkt wird.
Man nimmt an, daß diese Probleme entstehen, weil die
Kontaktmantelschicht, die aus Mo, W oder einer Legierung davon
ausgebildet ist, keine zufriedenstellende
Verschleißbeständigkeit aufweist und die Bogeneigenschaften des
Kontaktes erniedrigt. Ein anderer Grund liegt darin, daß Mo, W
und deren Legierungen an der offenen Luft alle
oxidationsempfindlich sind, so daß sich leicht auf der
Oberfläche des Metalls eine elektrisch isolierender Oxidfilm
ausbildet.
In einigen Fällen hat sich der Oxidfilm bereits auf der
Oberfläche der Kontaktmantelschicht (Mo oder W) des oben
genannten Kontaktmaterials ausgebildet, wenn das Material an der
offenen Luft gehandhabt wird, bevor es in dem abgedichteten
Behälter eingekapselt wird. Wenn darüber hinaus die Oberfläche
der Abdichtfläche eines Endabschnittes eines Kontaktsubstrats
vor der Einkapselung oxidiert ist, kann die Kontaktmantelschicht
möglicherweise gleichzeitig oxidiert werden, wobei sich ein
Oxidfilm auf der Oberfläche ausbildet, die dem oben genannten
Endabschnitt des Kontaktsubstrates entspricht.
Mikroskopisch weist der Oxidfilm eine Struktur auf, bei der
die Oxidpartikel in der Oberfläche der Kontaktmantelschicht
verteilt sind. Wenn der eingekapselte Kontakt, der ein
eingekapseltes Kontaktmaterial aufweist, das darin
eingeschlossen ist, dessen Oberfläche sich in diesem Zustand
befindet, einem wiederholten Schaltvorgang unterworfen wird,
wandern oder bewegen sich die Oxidpartikel, und sie
konzentrieren sich in dem Bereich, wo sie mikroskopisch in
tatsächlichem Kontakt miteinander sind. Daher nimmt man an, daß
das Material, das den ausgebildeten Oxidfilm auf seiner
Kontaktmantelschicht aufweist, in den vorgenannten
Betriebslebenseigenschaften verschlechtert wird.
Normalerweise unterliegt der eingekapselte Kontakt dem
Schaltvorgang mit einer an ihm angelegten Spannung
(Stromstärke).
Allgemein kann jedoch ein Schnappen auf der belasteten
Seite während der Verwendung von elektrischen Ausrüstungen
hervorgerufen werden. In einem solchen Fall schreitet der
Schaltvorgang des eingekapselten Kontaktes ohne das Anlegen
jedweder Spannung (Stromstärke) fort. Selbst wenn das Schnappen
z. B. durch die Erschöpfung einer Licht emittierenden Diode oder
dergleichen hervorgerufen wird, die an den eingekapselten
Kontakt angeschlossen ist, wird der Kontakt einem wiederholten
belastungsfreien Schaltvorgang unterzogen.
Insbesondere im Falle eines Schutzrohrschalters arbeitet
dessen Schaltmagnet sogar in unbelastetem Zustand, so daß es
eine hohe Wahrscheinlichkeit dafür gibt, daß dessen
eingekapseltes Material zum Eingehen von Schaltvorgängen in
unbelasteten Zustand gezwungen wird.
Im Falle eines eingekapselten Kontaktes, der ein
eingekapseltes Kontaktmaterial darin aufweist, dessen
Kontaktmantelschicht aus Mo, W oder dessen Legierungen
ausgebildet ist, verursacht der wiederholte Schaltvorgang im
unbelasteten Zustand einen Anstieg des Kontaktwiderstandes,
wodurch die Stabilität und die Zuverlässigkeit des
resultierenden Schalters erniedrigt werden. Die oben genannten
Probleme neigen besonders in dem Falle zum Auftreten, in dem
sich ein Oxidfilm auf der Oberfläche der Kontaktmantelschicht
des eingekapselten Kontaktmaterials ausgebildet hat.
Um die oben genannten Probleme der eingekapselten
Kontaktmaterialien, deren Kontaktmantelschicht aus Mo, W oder
deren Legierungen ausgebildet ist, zu lösen, haben die Erfinder
hiervon eine Anmeldung für ein eingekapseltes Kontaktmaterial
(Japanische Patentanmeldung, Veröffentlichungsnr. 4-19885)
ausgearbeitet und angemeldet, in der eine Kontaktmantelschicht
ausgebildet wird, indem die Oberfläche eines Kontaktsubstrats
mit einem Material beschichtet wird, das hauptsächlich aus Mo,
W, Re, Nb oder Ta besteht, und in der eine die Oxidation
verzögernde, elektrisch leitende dünne Schicht aus Ru, Rh, Pd,
Os, Ir, Pt, Ag oder Au auf der Mantelschicht ausgebildet wird.
Im Falle dieses eingekapselten Kontaktmaterials verringert
die die Oxidation verzögernde leitfähige dünne Schicht auf der
Oberfläche der Kontaktmantelschicht die Möglichkeit der
Ausbildung eines Oxidfilms, der anders hervorgerufen werden
könnte, wenn das Material in dem abgedichteten Behälter
eingekapselt wird. Daher unterliegt das eingekapselte
Kontaktmaterial dieser Sorte weniger Schwankungen im Hinblick
auf dessen anfänglichen Kontaktwiderstand.
Trotz der eingeschränkten Schwankungen beim anfänglichen
Kontaktwiderstand erfreut sich das eingekapselte
Kontaktmaterial, das oben beschrieben ist, jedoch nicht immer
einer guten Schweißbeständigkeit und einer zufriedenstellenden
Bogenbeständigkeit, in Anbetracht des Erfordernisses eines
verlängerten Betriebslebens nach der anfänglichen
Inbetriebnahme. Demgemäß sollten diese Eigenschaften des
Kontaktmaterials weiter verbessert werden. Um diesem Erfordernis
zu genügen, haben die Erfinder hiervon eine Anmeldung
(Japanische Patentanmeldung, Veröffentlichungsnr. 6-39114) für
ein eingekapseltes Kontaktmaterial ausgearbeitet und angemeldet,
in der eine Kontaktmantelschicht durch Beschichten der
Oberfläche eines Kontaktsubstrats mit einem Material ausgebildet
wird, das aus einer Matrix zusammengesetzt ist, die aus
wenigstens einem hochschmelzenden Metall ausgebildet ist, das
aus einer Gruppe gewählt wird, die Mo, Zr, Nb, Hf, Ta und W
umfaßt, und die mit wenigstens einem Element dotiert ist, das
aus einer Gruppe gewählt ist, die Li, K, Ce, Cs, Ba, Sr, Ca, Na,
Y, La, Sc, Th und Rb oder eine Oxid davon umfaßt, und für ein
eingekapseltes Kontaktmaterial, bei dem die Kontaktmantelschicht
mit Spuren von Elementen, wie etwa Mg, Pb, Sn, Zn, Bi, Ag, Cd,
Al, Si, Zr, Ti, Co, Ta, Fe, Mn, Cr usw. dotiert ist.
In den Fällen dieser eingekapselten Kontaktmaterialien
haben die Elemente, die Li K, Ce, Cs, Ba, Sr, Ca, Na, Y, La,
Sc, Th, Rb usw. umfassen, die in der Matrix der
Kontaktmantelschicht enthalten sind, geringe Arbeitsfunktionen.
Bei einer Kontaktmantelschicht, die mit diesen Elementen dotiert
ist, ist die Erzeugung eines Bogens während des Schaltvorganges
des eingekapselten Kontaktes makroskopisch einheitlich, so daß
die Freilegung des Kontaktsubstrates an dem unteren Teil der
Kontaktschicht verzögert wird. Daher wird das Betriebsleben des
Materials verlängert.
Mikroskopisch jedoch, erzeugt der Bogen infinitesimale
Einbuchtungen, die sich über die gesamte Oberfläche der
Kontaktmantelschicht hinweg ausbilden, und diese Einbuchtungen
vermögen die Kontaktfläche zwischen den Kontaktmantelschichten
zu verändern, oder diese können sich ineinander verzahnen, was
zu Schaltversagen (Sperren) führt. Daher kann das Betriebsleben
des Materials möglicherweise verkürzt werden.
Im Falle der Kontaktmantelschicht, die desweiteren die
Spurenelemente einschließlich Mg, Pb, Sn, Zn, Bi, Ag, Cd, Al,
Si, Zr, Ti, Co, Ta, Fe, Mn, Cr, usw. enthält, sind die
Spurenelemente mit den Zusatzelementen wie etwa Li, K, Ce, Cs,
Ba, Sr, Ca, Na, Y, La, Sc, Th, Rb usw. legiert, wodurch die
Verdampfung der Zusatzelemente und dergleichen eingeschränkt
wird. Obwohl dieses Verhalten den Effekt sicher stellt, daß die
Schwankungen des Kontaktwiderstandes während des Schaltvorganges
des eingekapselten Kontaktes vermindert werden, kann man sich
nicht erhoffen, daß die Betriebslebensleistung sehr viel besser
als diejenige des Materials ist, das keines der Spurenelemente
enthält. Im Falle eines eingekapselten Kontaktes, der das
eingekapselte Kontaktmaterial umfaßt, dessen Kontaktmantel
schicht mit den Spurenelementen dotiert ist, tritt darüber
hinaus insofern ein Problem auf, als daß die Schwankungen der
Betriebslebensleistung der eingekapselten Kontakte, die in
verschiedenen Produktionschargen hergestellt wurden, wesentlich
sind, d. h. die Stabilität der Produktqualität ist gering.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die
Bereitstellung eines eingekapselten Kontaktmaterials, das sich
einer besseren Betriebslebensleistung erfreut, und das weniger
Schwankungen des Kontaktwiderstandes unterliegt, als das
eingekapselte Kontaktmaterial, das in der Japanischen
Patentanmeldung mit der Veröffentlichungsnr. 6-39114 beschrieben
ist.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung
eines eingekapselten Kontaktmaterials, das weniger Schwankungen
in den Eigenschaften zwischen den Produktionschargen unterliegt,
und das sich deshalb einer stabilen Betriebslebensleistung
erfreut.
Noch eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die
Bereitstellung eines eingekapselten Kontaktmaterials, das Rh, Ru
oder andere teure Materialien minimal verwendet, wobei eine
kostengünstige Herstellung sichergestellt wird.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung
eines Herstellungsverfahrens für ein eingekapseltes
Kontaktmaterial, durch das die Zusammensetzung, die
Oberflächenkonfiguration und die Struktur einer
Kontaktmantelschicht so stabilisiert sind, daß die
Betriebslebensleistung des Materials stetig ist.
Eine zusätzliche Aufgabe der Erfindung ist die
Bereitstellung eines Herstellungsverfahrens und eines
Verwendungsverfahrens für einen eingekapselten Kontakt, bei dem
sich der Kontaktwiderstand nicht verschlechtern kann, obwohl
sich z. B. ein Oxidfilm auf der Oberfläche einer
Kontaktmantelschicht eines eingekapseltem Kontaktmaterials
ausbildet, oder obwohl Schaltvorgänge in unbelastetem Zustand
wiederholt auftreten.
Um die oben genannten Aufgaben zu lösen, wird gemäß der
vorliegenden Erfindung ein eingekapseltes Kontaktmaterial
(hiernach als Kontaktmaterial A bezeichnet) zur Verfügung
gestellt, das wenigstens eine Kontaktmantelschicht umfaßt, die
ausgebildet wird, indem die Oberfläche eines Kontaktsubstrates
bedeckt wird, wobei die Kontaktmantelschicht eine wesentliche
Matrix umfaßt, die aus wenigstens einem Element ausgebildet ist,
das aus einer Gruppe gewählt ist, die Mo, Zr, Nb, Hf, Ta und W
umfaßt, wobei die Matrix mit 0,5 bis 50 Atom-% wenigstens eines
Elementes dotiert ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Zn,
Cd, Hg, Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, Sb und Bi umfaßt, und
wobei die Kontaktmantelschicht eine Dicke von 0,1 µm oder mehr
aufweist.
Gemäß der Erfindung, wird darüber hinaus ein eingekapseltes
Kontaktmaterial (hiernach als Kontaktmaterial B bezeichnet)
bereitgestellt, das wenigstens eine Kontaktmantelschicht umfaßt,
die durch Bedecken der Oberfläche eines Kontaktsubstrates
ausgebildet wurde, wobei die Kontaktmantelschicht eine
wesentliche Matrix umfaßt, die aus wenigstens einem Element
ausgebildet ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Mo, Zr,
Nb, Hf, Ta und W umfaßt, wobei die Matrix mit 0,1 bis 50 Mol-%
eines Oxides wenigstens eines Elementes dotiert ist, das aus
einer Gruppe gewählt ist, die Zn, Cd, Hg Al, Ga, In, Tl, Ge,
Sn, Pb, As, Sb und Bi umfaßt, und wobei die Kontaktmantelschicht
eine Dicke von 0,1 µm oder mehr aufweist.
Gemäß der Erfindung wird des weiteren ein eingekapseltes
Kontaktmaterial (hiernach als Kontaktmaterial C bezeichnet)
bereitgestellt, das wenigstens eine Kontaktmantelschicht umfaßt,
die durch Bedecken der Oberfläche eines Kontaktsubstrats
ausgebildet wurde, wobei die Kontaktmantelschicht wenigstens
eine laminierte Struktur aufweist, die wenigstens eine untere
Schicht umfaßt, die aus wenigstens einem Element ausgebildet
ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Mo, Zr, Nb, Hf, Ta
und W umfaßt, und aus wenigstens einer oberen Schicht, die aus
wenigstens einem Element ausgebildet ist, das aus einer Gruppe
gewählt ist, die Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, Sb
und Bi umfaßt, und wobei die untere und die obere Schicht
jeweils eine Dicke von 0,1 µm oder mehr aufweisen.
Gemäß der Erfindung wird darüber hinaus ein
Herstellungsverfahren für ein eingekapseltes Kontaktmaterial zur
Verfügung gestellt, das das Ausbilden der Kontaktmantelschicht
des Kontaktmaterials A oder B auf der Oberfläche des
Kontaktsubstrats umfaßt, wobei die Temperatur des
Kontaktsubstrats innerhalb des Bereiches von 300 bis 900°C
gesteuert wird.
Gemäß der Erfindung wird darüber hinaus ein
Herstellungsverfahren für ein eingekapseltes Kontaktmaterial zur
Verfügung gestellt, das das Ausbilden der Kontaktmantelschicht
des Kontaktmaterials C auf der Oberfläche des Kontaktsubstrates
auf eine Weise umfaßt, derart, daß die Temperatur des
Kontaktsubstrats innerhalb des Bereiches von 300 bis 600°C
gesteuert wird, wenn die untere Schicht ausgebildet wird, und
innerhalb des Bereiches von 50 bis 500°C, wenn die obere
Schicht ausgebildet wird.
Gemäß der Erfindung wird ein Herstellungsverfahren für
einen eingekapselten Kontakt zur Verfügung gestellt, das das
Einkapseln eines eingekapselten Kontaktmaterials zusammen mit
einem inerten Gas in einem abgedichteten Behälter umfaßt, und
das elektrische Entladen des eingekapselten Kontaktmaterials.
Darüber hinaus wird gemäß der Erfindung ein
Verwendungsverfahren für einen eingekapselten Kontakt zur
Verfügung gestellt, der das elektrische Entladen eines
eingekapselten Kontaktmaterials vor oder während der Verwendung
eines eingekapselten Kontaktes umfaßt, der aus einem
eingekapselten Kontaktmaterial ausgebildet ist, das zusammen mit
einem inertem Gas in einem abgedichteten Behälter eingekapselt
ist.
Fig. 1 Ist eine Querschnittsansicht eines Kontaktmaterials
A gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht eines Kontaktmaterials
B gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 3 ist eine Querschnittsansicht eines Kontaktmaterials
C gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 ist eine graphische Darstellung, die das Verhältnis
zwischen der Häufigkeit des Schaltvorganges und dem Widerstand
an den Elektroden von Schutzrohrschaltern zeigt, die jeweils die
Kontaktmaterialien nach Beispiel 2 und Vergleichsbeispiel 1
umfassen;
Fig. 5 ist eine graphische Darstellung, die das Verhältnis
zwischen der Häufigkeit des Schaltvorganges und dem Widerstand
an den Elektroden von Schutzrohrschaltern jeweils nach Beispiel
202 und Vergleichsbeispiel 61 zeigt, und
Fig. 6 ist eine graphische Darstellung, die das Verhältnis
zwischen der Häufigkeit des Schaltvorganges und dem Widerstand
an den Elektroden zeigt, der beobachtet wird, wenn ein
Schutzrohrschalter gemäß dem Beispiel 202 einem
Hochbelastungslebensleistungstest unterzogen wird.
Ein Kontaktmaterial A wird zunächst beschrieben.
Beim Kontaktmaterial A, wie es in Fig. 1 gezeigt ist, wird
eine Kontaktmantelschicht 2A (die später erwähnt ist)
ausgebildet, indem die Oberfläche eines Kontaktsubstrats 1
beschichtet wird.
Das Material des Kontaktsubstrats 1 unterliegt keinen
besonderen Einschränkungen, und es kann jede Substanz sein, die
herkömmlicherweise als Substratmaterial für eingekapselte
Kontakte verwendet wird. Z. B. können Fe, Ni, Co, Ni-Fe, Co-Fe-
Nb, Co-Fe-V, Fe-Ni-Ni-Al-Ti, Fe-Co-Ni, Kohlenstoffstahl,
Phosphorbronze, Nickelsilber, Messing, rostfreier Stahl, Cu-Ni-
Sn, Cu-Ti usw. zu diesem Zweck in Anbetracht der Verminderung
der Herstellungskosten verwendet werden.
Die Kontaktmantelschicht 2A ist aus einer Legierungsmatrix
(hierin später als Matrixmetall bezeichnet) und einem
Zusatzelement oder -elementen zusammengesetzt. Das Matrixmetall
kann aus wenigstens einem Metall ausgebildet sein, z. B. ein
einfaches Metall, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Mo, Zr,
Nb, Hf, Ta und W umfaßt, oder es kann eine Legierung sein, wie
etwa Hf-Nb, Hf-Ta, Hf-Mo, Hf-Zr, Hf-W, Mo-Nb, Mo-Ta, Mo-Zr, M-W,
Nb-Ta, Nb-W, Nb-Zr, Ta-W, Ta-Zr oder W-Zr. Das/die
Zusatzelement(e) kann/können wenigstens ein Element sein, das
aus einer Gruppe gewählt ist, die Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Tl,
Ge, Sn, Pb, As, Sb und Bi umfaßt.
Da alle die oben genannten Matrixmetalle, die die Matrix
der Kontaktmantelschicht 2A ausmachen können, einen hohen
Schmelzpunkt und eine große Härte aufweisen, dienen sie der
Verstärkung der Verschleißbeständigkeit der Kontaktmantel
schicht.
Die Zusatzelemente, die in der Matrix enthalten sind,
stabilisieren den Kontaktwiderstand der Kontaktmantelschicht
während des Schaltvorganges, und sie sorgen für eine
Verbesserung der Verschleißbeständigkeit und der
Oxidationsbeständigkeit. Dies beruht auf den folgenden Gründen,
wie jedoch nicht definitiv angenommen wird.
Die oben genannten Zusatzelemente haben niedrigere Schmelz-
und Siedepunkte, als diejenigen des Matrixmetalls. Daher wird
angenommen, daß die Zusatzelemente frei aus der Matrix zur
Oberfläche der Kontaktmantelschicht 2A hin wandern können, und
daß sie z. B. zu der Oberfläche hin durch die elektrische
Energiebelastung "ausgeschwitzt werden können", die während des
Schaltvorganges des eingekapselten Kontaktes erzeugt wird, was
zur Stabilisierung des Kontaktwiderstandes und der
Bogeneigenschaften führt.
Wenn der Sauerstoff in der Atmosphäre in der
Kontaktmantelschicht durch dessen Oberfläche während der
Ausbildung der Mantelschicht oder der Herstellung des
eingekapselten Kontaktes zurückgehalten wird, nimmt man an, daß
der zurückgehaltene Sauerstoff z. B. von den Zusatzelementen
adsorbiert wird. Daher nimmt man an, daß der Sauerstoff von den
Zusatzelementen aufgenommen wird, so daß das Matrixmetall der
Kontaktmantelschicht am oxidiert werden gehindert wird, und daß
sich kein isolierender Oxidfilm einfach auf der Oberfläche der
Schicht auszubilden vermag.
Im Gegensatz zu dem Fall, bei dem sich ein Oxidfilm auf der
Oberfläche der Kontaktmantelschicht ausbildet, ist es daher
unwahrscheinlich, daß der Kontaktwiderstand leicht instabil
wird, und die Stabilisierung der Bogeneigenschaften vermindert
die Möglichkeit des Sperreffektes, so daß die
Betriebslebensleistung verbessert wird.
In Anbetracht dieser Umstände sind die Zusatzelemente,
damit sie ihre Funktionen erfüllen können, vorzugsweise als
einfache Substanzen in dem Matrixmetall dispergiert, ohne daß
sich während der Ausbildung der Kontaktmantelschicht 2A (die
später genannt ist) intermetallische Verbindungen ausbilden.
Bevorzugte Kombinationen des Matrixmetalls und der
Zusatzelemente, welche die vorgenannte bevorzugte
Kontaktmantelschicht 2A ausmachen, umfassen z. B. Mo-Bi, Mo-Cd,
Mo-Mg, Mo-In, Mo-Pb; Nb-Bi, Nb-Hg, Nb-Pb; Ta-Bi, Ta-Mg; W-Bi, W-
Cd, W-Ga, W-Mg, W-In, W-Pb, W-Sb, W-Sn, W-Zn usw.
Der Gehalt an Zusatzelementen in der Kontaktmantelschicht
2A wird auf 0,5 bis 50 Atom-% eingestellt.
Wenn der Gehalt niedriger als 0,5 Atom-% ist, können die
Zusatzelemente die oben genannten Effekte nicht in
zufriedenstellender Weise hervorrufen, und der Kontaktwiderstand
während des Schaltvorganges neigt dazu, instabil zu werden. Wenn
der Gehalt höher als 50 Atom-% ist, wird andererseits der
elektrische Widerstand der Kontaktmantelschicht 2A so hoch, daß
die elektrische Leitfähigkeit erniedrigt wird. Vorzugsweise
reicht der Gehalt von 5 bis 30 Atom-%, noch bevorzugterer Weise
reicht er von 10 bis 20 Atom-%.
Die Dicke der Kontaktmantelschicht 2A wird auf 0,1 µm oder
mehr eingestellt. Wenn die Schicht 2A dünner als 0,1 µm ist,
fehlt es ihr an Verschleißbeständigkeit, und sie kann sich
keiner zufriedenstellenden Betriebslebensleistung für den
eingekapselten Kontakt erfreuen. Die obere Grenze für die Dicke
der Kontaktmantelschicht 2A wird geeigneterweise in Anbetracht
der Betriebsbedingungen und der Herstellungskosten des
herzustellenden eingekapselten Kontaktes festgelegt. Wenn die
Kontaktmantelschicht 2A zu dick gemacht wird, wenn sie gemäß dem
Filmausbildungsverfahren ausgebildet wird, das später genannt
wird, wird eine Oberfläche z. B. leicht rauh, so daß der
Kontaktwiderstand zum Ansteigen neigt und daß die Filmausbildung
erhöhte Kosten verursacht. Vorzugsweise wird daher die obere
Grenze für die Dicke der Schicht 2A auf 100 µm eingestellt.
In dieser Kontaktmantelschicht 2A können die Zusatzelemente
in dem Matrixmetall einheitlich verteilt sein oder gemäß einem
Konzentrationsgradienten in Richtung der Dicke.
In dem Falle, in dem die Zusatzelemente gemäß dem
Konzentrationsgradienten in Richtung der Dicke verteilt sind,
wird die Konzentration der Zusatzelemente auf der
Oberflächenseite der Kontaktmantelschicht 2A höher gemacht. Mit
anderen Worten, die Zusatzelemente sind derart verteilt, daß die
Matrixmetallkonzentration auf der Kontaktsubstratseite höher
ist.
Wenn dieser Konzentrationsgradient in der
Kontaktmantelschicht ausgebildet wird, liegt mehr
hochschmelzendes, sehr hartes Matrixmetall anteilig in Richtung
auf das Kontaktsubstrat 1 hin vor, so daß die
Zähigkeitseigenschaften des eingekapselten Kontaktmaterials
verbessert werden, um den Erhalt der Struktur der
Kontaktmantelschicht zu erleichtern. Wie zuvor angegeben, ist
die Konzentration der Zusatzelemente, die die genannten Effekte
hervorrufen, auf der Oberflächenseite höher. Selbst wenn die
Kontaktmantelschicht 2A z. B. mit Sauerstoff in Kontakt gerät
und diesen einfängt, kann daher der Sauerstoff sofort zur
Verhinderung der Oxidation des Matrixmetalls und des
Fortschreitens der Oxidationsreaktion in den inneren Teil der
Schicht aufgenommen werden. Daher kann sich kein Oxidfilm leicht
auf der Oberfläche der Kontaktmantelschicht ausbilden, und der
Kontaktwiderstand während des Schaltvorganges kann auf
zufriedenstellendere Weise stabilisiert werden.
Der Konzentrationsgradient kann ein linearer sein. In dem
Falle, in dem das Filmausbildungsverfahren (das später erwähnt
wird) verwendet wird, macht jedoch ein abgestufter
Konzentrationsgradient die Ausbildung leichter. Z.B. ist es
bereits ausreichend, daß der Matrixmetallgehalt 50 bis 100 Atom-%
(0 bis 49 Atom-% an Zusatzelementen) in dem Mantelschichtanteil
auf der Kontaktsubstratseite und 0 bis 49 Atom-% (51 bis 100
Atom-% an Zusatzelementen) im Oberflächenanteil beträgt.
Selbst in dem Fall, in dem der oben genannte
Konzentrationsgradient der Zusatzelemente in der
Kontaktmantelschicht 2A ausgebildet wird, muß der Gehalt der
Zusatzelemente auf den vorgenannten Wert, 0,5 bis 50 Atom-%, als
Mittelwert eingestellt werden.
Wenn die Kontaktmantelschicht 2A, die die vorgenannte
Zusammensetzung aufweist, des weiteren mit 1 bis 40 Atom-%
Sauerstoff dotiert wird, kann der Ausgleich oder die
Vereinheitlichung des erzeugten Bogens mittels eines unbekannten
Mechanismus während dem Schaltvorgang des eingekapselten
Kontaktes beschleunigt werden. Wenn in diesem Fall der
Sauerstoffgehalt unterhalb 1 Atom-% liegt, werden die
vorgenannten Effekte verringert. Wenn der Sauerstoffgehalt höher
als 40 Atom-% liegt, wird andererseits der elektrische Widerstand
der Kontaktmantelschicht 2A so hoch, daß die elektrische
Leitfähigkeit unausweichlich abgesenkt wird.
Die Kontaktmantelschicht 2A kann eine einzelne Schicht sein
oder eine laminierte Struktur, die aus einer Mehrzahl von
Schichten zusammengesetzt ist.
Gemäß den geläufig zur Verfügung stehenden
Filmausbildungsverfahren, weist die ausgebildete Schicht
unausweichlicherweise Nadel-Löcher auf. Je dünner jedoch die
Schicht ausgebildet wird, um so mehr sind die erzeugten Nadel-
Löcher vermindert. Daher können diese Nadel-Löcher in ihrer
Anzahl vermindert werden, um die Kontakteigenschaften zu
verbessern, indem die Kontaktmantelschicht 2A durch Laminieren
oder durch Übereinanderschichten einer Mehrzahl von laminaren
Schichten ausgebildet wird.
Die laminaren Schichten der laminierten
Kontaktmantelschicht können aus demselben oder aus verschiedenen
Materialien ausgebildet sein. Im letztgenannten Fall können die
einzelnen laminaren Schichten vollständig ihre jeweiligen
Funktionen wahrnehmen.
Bei dem eingekapselten Kontaktmaterial A kann eine
Zwischenschicht zwischen dem Kontaktsubstrat 1 und der
Kontaktmantelschicht 2A eingeschoben sein, um die Haftung
zwischen den beiden zu erhöhen. Das intermediäre Material kann
aus Ag, Al oder Au oder einer Legierung, die auf diesen Metallen
beruht, ausgebildet sein. Diese Materialien sind aufgrund ihrer
elektrischen Leitfähigkeit und Nachgiebigkeit vorteilhaft.
Es ist darüber hinaus anzuraten, eine äußerste Schicht
auszubilden, indem die Oberfläche der Kontaktmantelschicht 2A
des eingekapselten Kontaktmaterials A mit einem Material
beschichtet wird, das hauptsächlich aus einem elektrisch
leitenden Metall und/oder Oxid besteht. In diesem Fall können
Schwankungen des anfänglichen Kontaktwiderstandes des erhaltenen
eingekapselten Kontaktes vermindert werden.
Das/die Metall(e), das/die hier verwendet werden
kann/können ein Metall sein, wie etwa Ru, Rh, Re, Pd, Os, Ir,
Pt, Ag oder z. B. Au oder ein oder mehrere Metalle, die aus
einer Gruppe gewählt sind, die Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Pt, Ag-Rh, Au-
Pd, Au-Pt, Au-Rh, Ir-Os, Ir-Pt, Ir-Ru, Os-Pd, Os-Ru, Pd-Pt, Pd-
Rh, Pd-Ru, Pt-Rh, Re-Rh, Re-Ru usw. umfaßt. Das/die Oxid(e)
kann/können ein oder mehrere Oxide sein, die aus einer Gruppe
gewählt sind, die RuO₂, Rh₂O₃, RhO₂, ReO₃, OSO₄, IrO₂, Ir₂O₃ und so
weiter z. B. umfaßt.
Vorzugsweise wird die Dicke der äußersten Schicht auf
0,05 µm oder mehr eingestellt. Wenn die äußerste Schicht dünner
als 0,05 µm ist, können die vorgenannten Effekte nicht
zufriedenstellend erzeugt werden. Obwohl die obere Grenze für
die Dicke keinen besonderen Einschränkungen unterliegt, sollte
sie in Anbetracht der Spaltgröße zwischen eingekapselten
Kontaktmaterialien, die in abgedichteten Behältern eingekapselt
sind und in Anbetracht der Kosten der Filmausbildung geeignet
gewählt werden. Im allgemeinem ward die obere Grenze bei 20 µm
gewählt.
Es folgt eine Beschreibung eines Kontaktmaterials B gemäß
der vorliegenden Erfindung.
Dieses Kontaktmaterial B, wie es in der Fig. 2 gezeigt ist,
unterscheidet sich von dem oben beschriebenen Kontaktmaterial A
nur insofern, als daß eine Kontaktmantelschicht 2B aus dem
Matrixmetall und aus einem Oxid wenigstens eines Elementes
zusammengesetzt ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Zn,
Cd, Hg, Al, Ga, In, T , Ge, Sn, Pb, As, Sb und Bi umfaßt.
In diesem Fall wird, wie in dem Falle, in dem die
vorgenannten Elemente als einfache Substanzen in dem
Matrixmetall dispergiert werden, der Kontaktwiderstand während
des Schaltvorganges stabilisiert, die Verschleißbeständigkeit
und die Oxidationsbeständigkeit der Kontaktmantelschicht 2B
werden verbessert, und die Erzeugung des Sperreffektes ist
eingeschränkt, wodurch die Betriebslebensleistung verbessert
ist.
Der Gehalt der vorgenannten Oxide in der
Kontaktmantelschicht 2B des Kontaktmaterials B wird auf 0,1 bis
50 Mol-% festgelegt. Wenn der Gehalt geringer als 0,1 Mol-% ist,
wird der Kontaktwiderstand instabil, so daß die vorgenannten
Effekte nicht mit Leichtigkeit erzeugt werden können. Wenn der
Gehalt höher als 50 Mol-% ist, wird der elektrische Widerstand
der Kontaktmantelschicht 2B so hoch, daß die elektrische
Leitfähigkeit erniedrigt wird.
Die Dicke der Kontaktmantelschicht 2B muß aus dem gleichen
Grunde wie im Falle des Kontaktmaterials A auf 0,1 µm oder mehr
eingestellt werden. Vorzugsweise wird die obere Grenze für diese
Dicke auf 100 µm aus den gleichen Gründen eingestellt.
Wenn die Kontaktmantelschicht 2B desweiteren mit 1 bis 40
Atom-% Sauerstoff dotiert wird, wie im Fall des Kontaktmaterials
A, kann der Ausgleich oder die Vereinheitlichung des während des
Schaltvorganges des Kontaktes erzeugten Bogens beschleunigt
werden, so daß die Betriebslebensleistung verbessert wird.
Vorzugsweise wird in diesem Fall der Sauerstoffgehalt innerhalb
des vorgenannten Bereiches aus den selben Gründen wie im Falle
des Kontaktmaterials A eingestellt.
Aus dem gleichen Grund wie im Falle des Kontaktmaterials A,
kann darüber hinaus die Kontaktmantelschicht 2B eine laminierte
Struktur sein, die aus einer Mehrzahl von Schichten
zusammengesetzt ist.
Wie im Falle des Kontaktmaterials A, kann eine
Zwischenschicht aus den gleichen Material mit der gleichen Dicke
wie vorgenannt zwischen der Kontaktmantelschicht 2B und dem
Kontaktsubstrat 1 eingeschoben sein, und eine äußerste Schicht
aus demselben Material mit der selben Dicke, wie vorgenannt,
kann durch Beschichten der Mantelschicht 2B ausgebildet werden.
Es folgt eine Beschreibung eines Kontaktmaterials C gemäß
der vorliegenden Erfindung.
Im Falle dieses Kontaktmaterials C, wie es in Fig. 3
gezeigt ist, ist eine Kontaktmantelschicht 2C, die durch
Beschichten der Oberfläche des Kontaktsubstrates 1 ausgebildet
ist, als ganzes eine laminierte Struktur, die aus einer unteren
Schicht 2C₁ und aus einer oberen Schicht 2C₂ zusammengesetzt ist.
Die untere Schicht 2C₁ ist aus wenigstens einem Metall
ausgebildet, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Mo, Zr, Nb,
Hf, Ta und W umfaßt. Die obere Schicht 2C₂ ist aus wenigstens
einem Metall ausgebildet, das aus einer Gruppe gewählt ist, die
Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, Sb und Bi umfaßt.
Die Kontaktmantelschicht 2C kann eine einzelne Schicht
sein, die auf der laminierten Struktur als Grundeinheit ruht,
und die aus der unteren und der oberen Schicht 2C₁ und 2C₂
zusammengesetzt ist, oder sie kann eine laminierte Struktur
sein, die durch Übereinanderschichten einer ganzen Zahl von
Grundeinheiten erhalten wird.
Im Falle der Kontaktmantelschicht 2C ist die Oberfläche der
unteren Schicht 2C₁, die aus einem oxidationsempfindlichen Metall
ausgebildet ist, durch die obere Schicht 2C₂ beschichtet, die aus
einem Element ausgebildet ist, das wie vordem erwähnt, zur
Aufnahme von Sauerstoff befähigt ist. Wenn die Mantelschicht 2C
mit Sauerstoff in Kontakt gebracht wird, während der
eingekapselte Kontakt an der offenen Luft gehandhabt oder
hergestellt wird, wird daher der Sauerstoff von der oberen
Schicht 2C₂ aufgenommen, so daß die Oxidation der unteren Schicht
2C₁ eingeschränkt werden kann. Daher kann die Ausbildung eines
Oxidfilmes, der zu Schwankungen des Kontaktwiderstandes während
des Schaltvorganges führt, unterdrückt werden. Daher ist die
Betriebslebensleistung besser als im Falle des Kontaktmaterials
A.
Obwohl die untere und die obere Schicht 2C₁ und 2C₂ jeweils
eine ein-Schicht-Struktur aufweisen können, können sie wahlweise
eine laminierte Struktur einschließlich einer Vielzahl laminarer
Schichten aufweisen, die weniger Nadel-Löcher enthalten. In
diesem Fall können die laminaren Schichten der unteren und der
oberen Schicht 2C₁ und 2C₂ aus dem gleichen oder aus
unterschiedlichen Materialien ausgebildet sein. Im letzteren
Fall können die einzelnen laminaren Schichten ihre jeweiligen
Aufgaben in einander ergänzender Weise wahrnehmen.
Die jeweiligen Dicken der unteren und der oberen Schichten
2C₁ und 2C₂ werden beide aut 0,1 µm oder mehr eingestellt. Dies
beruht auf dem gleichen Grund wie in den Fällen der
Kontaktmantelschichten 2A und 2B der Kontaktmaterialien A und B.
Wie in den Fällen der Kontaktmaterialien A und B kann eine
ähnliche Zwischenschicht zwischen dem Kontaktsubstrat 1 und der
unteren Schicht 2C₁ eingeschoben sein, und darüber hinaus kann
eine ähnliche äußerste Schicht auf der Oberfläche der oberen
Schicht 2C₂ ausgebildet sein.
Daher kann gemäß den eingekapselten Kontaktmaterialien A, B
und C der vorliegenden Erfindung die Oxidation der Oberfläche
der Kontaktmantelschicht durch die Auswirkung der vorgenannten
Zusatzelemente und deren Oxiden eingeschränkt werden, so daß der
Kontaktwiderstand und dessen Schwankungen vermindert werden, und
so daß die Betriebslebensleistung des eingekapselten Kontaktes
verbessert wird.
Darüber hinaus kann der eingekapselte Kontakt, W, Zr, Nb,
Ta, Mo usw. verwenden, die herkömmlicherweise nicht nutzbringend
verwendet wurden, und er kann die Verwendung der teuren Rh, Ru
usw. einschränken. Daher kann das erhaltene eingekapselte
Kontaktmaterial einen geringen Preis aufweisen.
Es folgt eine Beschreibung für ein Herstellungsverfahren
der Kontaktmaterialien A, B und C. Diese Kontaktmaterialien A, B
und C können jeweils hergestellt werden, indem die
Kontaktmantelschichten 2A, 2B und 2C auf der Oberfläche des
Kontaktsubstrates mittels einem herkömmlichen
Filmausbildungsverfahren ausgebildet werden.
Zunächst wird die Oberfläche des Kontaktsubstrates mit
Edelgasionen wie etwa Ar, Ne, Kr usw. mittels Ionenbombardement
oder Elektronenstrahl ("electron shower") gereinigt, und eine
vorbestimmte Kontaktmantelschicht wird dann auf der gereinigten
Kontaktsubstratoberfläche mittels einem herkömmlichen
physikalischen oder chemischen Dampfphasenabscheidungsverfahren
ausgebildet, wie etwa dem Sputtering, der Ionen-unterstützen
Dampfphasenabscheidung, dem Ionen-plating, oder der Plasma-CVD.
Bei der Ausbildung der Kontaktmantelschicht ist es
wesentlich, die Temperatur des Kontaktsubstrates, insbesondere
die Oberflächentemperatur des Substrates zu steuern.
Allgemein ist, wenn die Oberflächentemperatur des
Kontaktsubstrates zu niedrig ist, die Kristallisation der
Kontaktmantelschicht, die auf dem Substrat ausgebildet wird,
unbefriedigend, oder aber die Mantelschicht kann eine poröse
säulenförmige Struktur werden. Daher ist die
Korrosionsbeständigkeit der Mantelschicht vermindert, und die
Bestandteile können der Diffusion unterliegen. Wenn andererseits
die Oberflächentemperatur zu hoch ist, wird die resultierende
Kontaktmantelschicht eine grobe säulenförmige Struktur, und
deren Oberflächenrauhheit ist erhöht, so daß der
Kontaktwiderstand ansteigt und instabil wird. Gemäß der
vorliegenden Erfindung, wird daher die Temperatur des
Kontaktsubstrates innerhalb des Bereiches von 300 bis 900°C
gesteuert, wenn die Kontaktmantelschicht auf der Oberfläche des
Kontaktsubstrates ausgebildet wird. Vorzugsweise wird die
Temperatur des Kontaktsubstrates auf 400 bis 800°C, noch
bevorzugterer Weise auf 300 bis 600°C eingestellt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung weisen Mo, Zr, Nb, Hf, Ta
und W oder Legierungen dieser Metalle unter den anderen
Bestandteilen der Kontaktmantelschichten 2A, 2B und 2C alle hohe
Schmelz- und Siedepunkte auf, während die Zusatzelemente wie
etwa Zn, Cd, Mg, Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi usw.
relativ niedrige Schmelz- und Siedepunkte aufweisen.
Wenn eine Kontaktmantelschicht einer gewissen
Zusammensetzung oder eine laminierte Struktur, die aus den
vorgenannten Bestandteilen zusammengesetzt ist, auf der
Oberfläche des Kontaktsubstrates ausgebildet wird, können daher
die vorgenannten Zusatzelemente, die einen relativ geringen
Schmelz- und Siedepunkt aufweisen, möglicherweise erneut
verdampfen, in Abhängigkeit von der Temperatur des
Kontaktsubstrates. In einer solchen Lage schwankt die
Zusammensetzung der Kontaktmantelschicht, so daß die
herzustellende Mantelschicht nicht in stetiger Weise die
gewünschten Eigenschaften aufweist.
Daher wird bei der Herstellung der Kontaktmantelschichten
2A, 2B und 2C gemäß der vorliegenden Erfindung die Temperatur
des Kontaktsubstrates auf die folgende Art und Weise gesteuert.
Zuerst wird bei der Herstellung der Kontaktmaterialien A
und B die Temperatur des Kontaktsubstrates innerhalb des
Bereiches von 300 bis 900°C gesteuert. Wenn die Temperatur
niedriger als 300°C ist, können die Kontaktmantelschichten 2A
und 2B in unbefriedigender Weise kristallisiert sein, oder sie
können poröse säulenförmige Strukturen annehmen, wie dies zuvor
angegeben ist. Wenn die Temperatur höher als 900°C ist, können
die Zusatzelemente dazu neigen, erneut zu verdampfen, so daß, die
Zusammensetzungen der Kontaktmantelschichten 2A und 2B schwanken
können, wodurch die Herstellung eingekapselter
Kontaktmaterialien mit zuverlässiger Qualität verhindert wird.
Vorzugsweise wird die Temperatur des Kontaktsubstrates innerhalb
des Bereiches von 400 bis 800°C, und in besonders bevorzugter
Weise zwischen 300 bis 600°C gesteuert.
Die Kontaktmantelschichten 2A und 2B der Kontaktmaterialien
A und B können mit 1 bis 40 Atom-% Sauerstoff dotiert werden,
indem die Schichten 2A und 2B auf eine solche Weise ausgebildet
werden, daß der Partialdruck des Sauerstoffes in der Atmosphäre
des Reaktionssystemes während der vorgenannten Filmausbildung
geeignet gesteuert wird. Alternativ können die
Kontaktmantelschichten 2A und 2B in einer sauerstoffbeladenen
Atmosphäre, wie etwa an der offenen Luft erhitzt werden, nachdem
sie sich ausgebildet haben.
Selbst im letzteren Fall kann sich kein elektrisch
isolierender Oxidfilm in übermäßiger Weise auf den Oberflächen
der Kontaktmantelschichten 2A und 2B ausbilden. Dies liegt
wahrscheinlich daran, daß der meiste Sauerstoff von den
Zusatzelementen aufgenommen wird, und daß der verbleibende
Sauerstoff in den Mantelschichten diffundiert. Es ist nur
notwendig, daß die Atmosphäre und die Temperatur, die für die
Hitzebehandlung benutzt werden, geeignet gewählt wurden. Z.B.
sollten an der offenen Luft die Kontaktmantelschichten 5 bis 36
Stunden lang auf eine Temperatur von 100 bis 400°C erhitzt
werden. Wenn die Temperatur höher als 400°C ist, neigt die
Oxidation dazu, übermäßig fortzuschreiten. Wenn die Temperatur
geringer als 100°C ist, ist die Behandlungszeit auf der anderen
Seite für industrielle Anwendungen zu lang.
Die vorgenannten Zwischen- und äußersten Schichten, können
mittels herkömmlicher Filmausbildungsverfahren ausgebildet
werden, wie sie für die Ausbildung der Kontaktmantelschichten
verwendet werden.
Bei der Ausbildung der Kontaktmantelschicht 2C des
Kontaktmaterials C wird die untere Schicht 2C₁ zuerst auf der
Oberfläche des Kontaksubstrates ausgebildet, dessen Temperatur
innerhalb des Bereichs von 300 bis 900°C gesteuert wird.
Wenn die Kontaktsubstrattemperatur geringer als 300°C
ist, kann die untere Schicht 2C₁ in nicht zufriedenstellender
Weise kristallisiert sein, oder sie kann eine poröse
säulenförmige Struktur erhalten, so daß deren
Korrosionsbeständigkeit gemindert ist, und so daß darüber hinaus
ihre Bestandteile diffundieren. Wenn die Temperatur höher als
900°C ist, wird die untere Schicht 2C₁ andererseits eine grobe
säulenförmige Struktur, und ihre Oberflächenrauhheit ist erhöht,
so daß der Kontaktwiderstand zunimmt und instabil wird.
Bei der Ausbildung der oberen Schicht 2C₂ auf der unteren
Schicht 2C₁ danach wird die Temperatur des Kontaktsubstrates, d. h.
die Temperatur der gesamten Struktur einschließlich dem
Kontaktsubstrat und der unteren Schicht 2C₁ darunter, innerhalb
des Bereiches von 50 bis 500°C gesteuert. Wenn diese Temperatur
geringer als 50°C ist, ist die Haftung an der unteren Schicht
2C₁ so schlecht, daß die obere Schicht 2C₂ abgetrennt werden
kann. Wenn die Temperatur höher als 500°C ist, beginnt
andererseits die ausgebildete obere Schicht 2C₂ erneut zu
verdampfen.
Es folgt eine Beschreibung eines Herstellungsverfahrens
und eines Verwendungsverfahrens für den eingekapselten Kontakt
gemäß der vorliegenden Erfindung.
Obwohl diese Verfahren auf die Fälle anwendbar sind, in
denen die Kontaktmaterialien A, B und C gemäß der vorliegenden
Erfindung als die eingekapselten Kontaktmaterialien verwendet
werden, können sie insbesondere wirkungsvoll auf
Kontaktmaterialien angewendet werden, deren Kontakt
mantelschichten aus leicht oxidierbaren Materialien ausgebildet
sind.
Das Herstellungsverfahren wird als erstes beschrieben.
Ein gegebenes eingekapseltes Kontaktmaterial wird
elektrisch entladen, nachdem es zusammen mit einem inerten Gas
hermetisch innerhalb eines abgedichteten Behälters mittels eines
herkömmlichen Verfahrens eingekapselt wurde. Obwohl das
Verfahren der elektrischen Entladung keinen besonderen
Einschränkungen unterliegt, sollte eine Spannung von 200 bis
3000 V vorzugsweise an den Elektroden des eingekapselten
Kontaktmaterials 1 bis 100 Sekunden angelegt werden.
Diese Behandlung schränkt den Anstieg und die
Schwankungen des Kontaktwiderstandes während dem Schaltvorgang
ein, wodurch die Betriebslebensleistung verbessert wird. Obwohl
der Schaltvorgang des eingekapselten Kontaktes in einem
unbelasteten Zustand durchgeführt wird, kann der
Kontaktwiderstand nicht leicht einer Verschlechterung
unterliegen.
Man nimmt - wenn auch nicht definitiv - an, daß diese
Auswirkungen dem Umstand zuzuschreiben sind, daß feine
Oxidpartikel des Oxides, das den Oxidfilm auf der Oberfläche der
Kontakmantelschicht ausbildet, daran gehindert werden, sich
während der Herstellung des eingekapselten Kontaktes an den
tatsächlichen Kontaktbereichen des Kontaktmaterials
anzureichern, während der Schaltvorgang fortschreitet. Man nimmt
ebenfalls an, daß die vorgenannten Effekte hervorgerufen werden,
wenn die feinen Oxidpartikel durch die intensive Hitze, die
durch die elektrische Entladung erzeugt wird, verdampft werden,
so daß die Entfernung des Oxidfilmes auf der
Kontaktmantelschicht fortschreitet.
Es folgt eine Beschreibung für das Verwendungsverfahrens
des eingekapselten Kontaktes gemäß der vorliegenden Erfindung.
Bei diesem Verfahren, wird das eingekapselte
Kontaktmaterial einer elektrischen Entladung auf die gleiche Art
und Weise wie vorgenannt unterzogen, bevor der hergestellte
eingekapselte Kontakt verwendet wird.
In dem dies getan wird, wird ein Oxidfilm, wenn überhaupt
einer vorhanden ist, auf der Kontaktmantelschicht des
eingekapselten Kontaktmaterials daran gehindert, die
Betriebslebensleistung nachteilig zu beeinflussen, und zwar aus
dem gleichen Grund wie oben ausgesagt.
Es ist darüber hinaus offensichtlich, daß die
Betriebslebensleistung des eingekapselten Kontaktes, sobald er
verwendet wird, aus dem gleichen Grund verbessert werden kann,
wie oben ausgesagt, indem der Kontakt einer elektrischen
Entladung während der Verwendung unterworfen wird.
Wenn das Herstellungsverfahren und das
Verwendungsverfahren auf den eingekapselten Kontakt angewendet
werden, kann ein Oxidfilm, wenn überhaupt einer vorhanden ist,
auf der Kontaktmantelschicht des Kontaktmaterials, das
eingekapselt werden soll, entfernt werden, um eine hohe
Betriebslebensleistung des eingekapselten Kontaktes
sicherzustellen.
Das Kontaktmaterial, das in Fig. 1 gezeigt ist, wurde auf
die folgende Weise hergestellt.
Zuerst wurde eine quadratische Platte von 1 mm Kantenlänge
aus einer 52%igen Ni-Fe-Legierung als Kontaktsubstrat für eine
Zunge hergestellt. Die Oberfläche des Kontaktsubstrates wurde
einer 5-minütigen Ultraschallreinigung unter Verwendung von
Aceton und dann einer Elektropolitur mit Phosphorsäure
unterzogen.
Danach wurde das Kontaktsubstrat in eine Vakuumkammer
eingebracht, und die Kammer wurde auf 2 × 10-4 Pa oder weniger
evakuiert. Dann wurde ein Ventil einer Vakuumpumpe zur Hälfte
geöffnet, um den erschöpften Wirkleitwert zu verringern, und Ar-
Gas wurde so eingebracht, daß der Druck in der Kammer 1 × 10-1 Pa
betrug. Danach wurde eine Spannung von -400 V an das
Kontaktsubstrat angelegt, so daß eine Hochfrequenz von 0,2 kW von
einer Hochfrequenzantenne in der Kammer erzeugt wurde, und die
Oberfläche des Kontaktsubstrates wurde mittels einem Ionen-
Bombardement-Verfahren unter Verwendung von Ar-Ionen gereinigt.
Das Kontaktsubstrat 1 wurde bei den Temperaturen, die in
Tabelle 1 gezeigt sind, gehalten, und die Elemente, die in
Tabelle 1 gezeigt sind, wurden von einer
Elektronenstrahlverdampfungsquelle verdampft, die in die Kammer
eingesetzt wurde, wobei die Kontaktmantelschichten 2A mit den in
Tabelle 1 gezeigten Zusammensetzungen und Dicken bei einer
Abscheidungsgeschwindigkeit von 20 Angström/Sekunde erhalten
wurden.
Die Kontaktmaterialien, die so erhalten worden waren,
wurden auf die folgenden Eigenschaften untersucht.
Kontaktwiderstand: Eine Sonde aus purem Au wurde unter
einer Kontaktbelastung von 0,1 N mit den jeweiligen quadratischen
Stücken von 1 mm Kantenlänge des Kontaktmaterials unmittelbar
nach der Herstellung in Kontakt gebracht, und die
Kontaktmaterialien wurden auf Raumtemperatur gekühlt, nachdem
sie in einer N₂-Atmosphäre von 430°C 30 Minuten lang stehen
gelassen worden waren, und dann wurde der Kontaktwiderstand (mΩ)
mittels der vier-Punkte-Sonden-Methode gemessen. Die Messung
wurde offenen Luft bei Raumtemperatur durchgeführt.
Betriebslebensleistungtest: Schutzrohrstecker mit N₂ als
einkapselndem Gas wurden aus einem Paar von Kontaktmaterialien
ausgebildet. Bei Raumtemperatur wurden diese Schalter mit 10 Hz
mittels eines 40 AT (Amperewindungen, "ampere-turn")
Antriebsmagnetfeldes derart betrieben, daß sie mit einer
Stromstärke von 0,5 A bei 100 V versorgt wurden, und die
Häufigkeit des Schaltvorganges wurde wiederholt, bevor das
Auftreten von Schwierigkeiten untersucht wurde.
Der Zeitpunkt des Auftretens von Schwierigkeiten ist der
Zeitpunkt, zu dem der Schaltvorgang versagte oder zu dem er
Widerstand an der Elektrode des Schutzrohrschalters 1 Ω oder
mehr erreichte.
Die Tabelle 1 zeigt kollektiv die Ergebnisse der
Untersuchung.
Die Beziehungen zwischen der Häufigkeit des
Schaltvorganges und des Widerstandes an der Elektrode des
Schutzrohrschalters wurden für Schutzrohrschalter untersucht,
die die Kontaktmaterialien nach Beispiel 2 und nach
Vergleichsbeispiel 1 enthielten. Die Fig. 4 zeigt die Ergebnisse
dieser Untersuchung. Zum Vergleich zeigt die Fig. 4 die
Beziehungen zwischen der Häufigkeit des Schaltvorganges und des
Widerstandes für Schutzrohrschalter, die Kontaktmaterialien
enthalten, deren Kontaktmantelschicht aus Rh ausgebildet ist.
In Fig. 4 stellen die weißen Dreiecke (und das schwarze
Dreieck) die Schutzrohrschalter dar, die das Material nach
Beispiel 2 umfassen; die weißen Kreise (und der schwarze Kreis)
stellen die Schutzrohrschalter dar, die das Material gemäß dem
Vergleichsbeispiel 1 umfassen; und die weißen Quadrate (und das
schwarze Quadrat) stellen die Schutzrohrschalter dar, die ein
Bezugsmaterial umfassen.
Die schwarzen Zeichen zeigen den Zeitpunkt an, zu dem der
Schaltvorgang versagte. Wie aus den Ergebnissen, die in Tabelle
1 gezeigt sind gesehen werden kann, weist jedes der
Kontaktmaterialien gemäß der vorliegenden Erfindung einen
niedrigeren Kontaktwiderstand auf und erfreut sich einer
wesentlich besseren Betriebslebensleistung als die
Kontaktmaterialien (Vergleichsbeispiele 1 und 2), die
Kontaktmantelschichten aufweisen, die nicht mit irgendwelchen
Zusatzelementen dotiert sind, und zwar sowohl unmittelbar nach
der Herstellung als auch nach der Hitzebehandlung.
In dem Fall, in dem der Gehalt an Zusatzelementen, wenn
überhaupt welche vorhanden sind, geringer als 1 Atom-% oder höher
als 50 Atom-% ist (Vergleichsbeispiele 3 und 4), ist der
Kontaktwiderstand hoch und das Betriebsleben ist kurz. Daher
sollte der Gehalt an Zusatzelementen auf 1 bis 50 Atom-%
eingestellt werden.
Wenn darüber hinaus die Dicke der Kontaktmantelschicht
0,01 µm beträgt, ist das Betriebsleben extrem kurz. Daher sollte
die Mantelschichtdicke auf 0,1 µm oder mehr eingestellt werden.
Wie aus der Fig. 4 ersichtlich ist, unterliegt darüber
hinaus der Widerstand des Schutzrohrschalters, der das
Kontaktmaterial (Beispiel 2) der vorliegenden Erfindung enthält,
geringeren Schwankungen und ist stetiger als der Widerstand der
Schutzrohrschalter, die das Kontaktmaterial nach dem
Vergleichsbeispiel 1 und das Bezugskontaktmaterial enthalten.
Daher weist das Kontaktmaterial der Erfindung eine gute
Kontaktstabilität auf. Ebenfalls ist das Betriebsleben sehr viel
länger als dasjenige des Bezugsmaterials (das mit Rh beschichtet
ist).
Die Temperatur eines jeden Kontaktsubstrates wurde auf
700°C gehalten, der Partialdruck des Sauerstoffs in der Kammer
wurde eingestellt, und die Kontaktmantelschichten mit den in der
Tabelle 2 gezeigten Zusammensetzungen und Dicken wurden auf dem
Kontaktsubstrat bei einer Abscheidungsgeschwindigkeit von 20
Angström/Sekunde ausgebildet.
Die resultierenden Kontaktmaterialien wurden auf die
gleiche Weise im Hinblick auf den Kontaktwiderstand und die
Betriebslebensleistung gemessen, wie in den Fällen der Beispiele
1 bis 16. Die Tabelle 2 zeigt kollektiv die Ergebnisse der
Messung an.
Jede der Kontaktmantelschichten der Beispiele 17, 18 und
19 und der Vergleichsbeispiele 6 und 7, die in Tabelle 2 gezeigt
sind, wurde durch Dotieren der Kontaktmantelschicht nach
Beispiel 2, die in Tabelle 1 gezeigt ist, mit Sauerstoff
erhalten. Wenn die Kontaktmantelschichten mit Sauerstoff dotiert
werden, wird die Betriebslebensleistung weiter verbessert, wie
dies aus dem Vergleich zwischen diesen Beispielen und Beispiel 2
ersichtlich ist, obwohl der Kontaktwiderstand ein wenig
ansteigt. Wenn der Sauerstoffgehalt jedoch 40 Atom-% übersteigt,
steigt der Kontaktwiderstand an und zur gleichen Zeit nimmt die
Betriebslebensleistung ab (Vergleichsbeispiel 7). Das
Vergleichsbeispiel 6 weist im wesentlichen die gleichen
Eigenschaften wie das Beispiel 2 auf. Dies zeigt an, daß ein
Sauerstoffgehalt von weniger als 1 Atom-% keinen
zufriedenstellenden Effekt hervorzurufen vermag.
Die Kontaktmantelschichten mit den Zusammensetzungen und
Dicken, die in Tabelle 3 gezeigt sind, wurden ausgebildet, und
die Temperatur des Kontaktsubstrats wurde auf 300°C abgesenkt.
Die Elemente, die in Tabelle 3 gezeigt sind, wurden von der
Elektronenstrahlverdampfungsquelle verdampft, ohne die
Substrattemperatur zu ändern, und metallische Schichten mit den
in der Tabelle aufgeführten Dicken wurden als äußerste Schichten
auf den Kontaktmantelschichten ausgebildet.
Der Kontaktwiderstand und die Betriebslebensleistung der
resultierenden Kontaktmaterialien, wurden auf die gleiche Weise
wie in den Fällen der Beispiele 1 bis 16 gemessen. Tabelle 3
zeigt kollektiv die Ergebnisse der Messung an.
Jede der Kontaktmantelschichten der Beispiele 25 bis 30
und das Vergleichsbeispiel 8, die in Tabelle 3 gezeigt sind,
wurden erhalten, indem eine äußerste Schicht auf der Oberfläche
der Kontaktmantelschicht nach Beispiel 2, wie in Tabelle 1
gezeigt, ausgebildet wurde. Wie aus dem Vergleich dieser
Beispiele offensichtlich ist, macht die Ausbildung der äußersten
Schicht das Betriebsleben länger als dasjenige der
Kontaktmantelschicht nach Beispiel 2. Wenn die äußerste Schicht
dünn ist (Vergleichsbeispiele 8 bis 10), kann jedoch keine
Verbesserung der Betriebslebensleistung erwartet werden. Es
sollte deshalb vorzugsweise die Dicke der äußersten Schicht auf
0,05 µm oder mehr eingestellt werden.
Die Kontaktsubstrate, die in den Beispielen 1 bis 16
verwendet worden waren, wurden in eine Vakuumkammer eingesetzt,
und die Kammer wurde mit einer Ar-Atmosphäre von 0,66 Pa
beschickt und die Temperatur eines jeden Substrats wurde auf
400°C gehalten. In diesem Zustand wurden die
Kontaktmantelschichten mit den in der Tabelle 4 gezeigten
Zusammensetzungen und Dicken mittels einem "0,5 kW-DC-Magnetron-
Sputtering-Verfahren" ausgebildet.
Dann wurde Sauerstoff in die Kammer eintreten lassen, und
der Partialdruck des Sauerstoffs wurde eingestellt. Es wurde
ebenfalls das Target ausgewechselt, und Metalloxidschichten mit
den in der Tabelle genannten Zusammensetzungen und Dicken wurden
als äußerste Schichten auf den Kontaktmantelschichten
ausgebildet.
Die resultierenden Kontaktmaterialien wurden auf die
gleiche Weise im Hinblick auf den Kontaktwiderstand und die
Betriebslebensleistung gemessen wie in den Fällen der Beispiele
1 bis 16. Tabelle 4 zeigt kollektiv die Ergebnisse der Messung
an.
Wie aus dem Vergleich zwischen den Ergebnissen, die in
der Tabelle 4 und der Tabelle 1 gezeigt sind ersichtlich ist,
ist das Betriebsleben lang, obwohl die äußersten Schichten,
Metalloxidschichten, auf den Oberflächen der
Kontaktmantelschichten ausgebildet werden. In den Fällen der
Vergleichsbeispiele 11 und 12, in denen die Dicken der äußersten
Schicht nur 0,01 µm betragen, sind jedoch die vorgenannten
Effekte nicht sehr auffallend.
Das Kontaktmaterial nach Beispiel 2 wurde bei den in
Tabelle 5 gezeigten Temperaturen an der offenen Luft 24 Stunden
lang erhitzt, wobei dessen Oberfläche oxidiert wurde. Die
erhaltenen Hitze-behandelten Produkte wurden auf die gleiche
Weise im Hinblick auf den Kontaktwiderstand und die
Betriebslebensleistung gemessen wie in den Fällen der Beispiele
1 bis 16. Die Tabelle 5 zeigt kollektiv die Ergebnisse der
Messung an.
Wie aus den Ergebnissen die in Tabelle 5 gezeigt sind
ersichtlich ist, wird die Betriebslebensleistung wie in den
Fällen der Beispielen 41 bis 52 verbessert, obwohl die
Kontaktmantelschichten einer Oxidationsbehandlung an der offenen
Luft unterworfen werden. Das Material des Vergleichsbeispieles
13, dessen Oxidationstemperatur nur 70°C beträgt, ist zu dem
Material nach Beispiel 2 in den Eigenschaften im wesentlichen
äquivalent und weist keine Auswirkungen der Oxidationsbehandlung
auf. Im Falle des Vergleichsbeispiels 14, bei dem die
Oxidationstemperatur 500°C hoch ist, ist der Kontaktwiderstand
andererseits zu hoch, und das Betriebsleben ist kurz. Daher wird
die Temperatur für die Oxidationsbehandlung vorzugsweise auf 100
bis 400°C eingestellt.
Die Kontaktmaterialien A, die in Fig. 1 gezeigt sind,
wurden unter den gleichen Bedingungen wie in den Beispielen 1
bis 16 hergestellt, außer daß die Temperatur des
Kontaktsubstrates auf die in Tabelle 6 gezeigte Weise
eingestellt wurde.
Zwanzig Kontaktmaterialien wurden im Hinblick auf den
Kontaktwiderstand und die Betriebslebensleistung auf die gleiche
Weise wie in den Fällen der Beispiele 1 bis 16 gemessen. Tabelle
6 zeigt kollektiv die Ergebnisse der Messung. Für die
Betriebslebensleistung sind Mittelwerte und Standardabweichungen
angegeben.
Wie aus der Tabelle 6 ersichtlich ist, ist die mittlere
Schalthäufigkeit im Betriebsleben des Materials eines jeden
Vergleichsbeispieles, bei dem die Schicht bei einer bei 200°C
gehaltenen Kontaktsubstrattemperatur ausgebildet wurde,
niedriger als diejenige des Materials eines jeden Beispiels.
Darüber hinaus können die Materialien dieser Vergleichsbeispiele
nicht als hoch zuverlässig betrachtet werden, da deren
Standardabweichungen so groß sind, daß deren
Lebenscharakteristiken Schwankungen unterliegen. Als die
Kontaktmantelschichten dieser Materialien mikroskopisch nach der
Herstellung beobachtet wurden, wurde festgestellt, daß viele von
ihnen im wesentlichen aufgetrennt waren, und daß die Oberfläche
des Kontaktsubstrates völlig von wenigen Mantel schichten bedeckt
war.
Bei den Materialien derjenigen Beispiele, bei denen die
Kontaktsubstrattemperatur auf 700°C gehalten wurde, wurde
andererseits festgestellt, daß die Oberfläche des
Kontaktsubstrates sicherer durch die Kontaktmantelschichten
bedeckt war, als bei den Materialien mit bei 200°C gehaltener
Kontaktsubstrattemperatur. Jedoch sind deren
Betriebslebenseigenschaften schlechter, als diejenige der
Materialien aus denjenigen Beispielen, bei denen die
Kontaktsubstrattemperatur bei 300 bis 600°C gehalten wurde.
Dies kann man dem Umstand zuschreiben, daß die Zusatzelemente
aufgrund der hohen Kontaktsubstrattemperatur während der
Filmausbildung erneut verdampfen, wodurch Schwankungen des
Gehaltes an Zusatzelementen in dem Matrixmetall hervorgerufen
werden.
Demgemäß ist es anzuraten, die Temperatur des
Kontaktsubstrates während der Filmausbildung innerhalb des
Bereiches von 300 bis 600°C zu steuern.
Die Kammer wurde mit einer (Ar + O₂) Atmosphäre von 0,66
Pa beschickt, wobei die Kontaktsubstrate bei den in der Tabelle 7
gezeigten Temperaturen gehalten wurden, und die
Kontaktmantelschichten mit den Zusammensetzungen und Dicken, die
in Tabelle 7 gezeigt sind, wurden nach dem "0,5 kW-DC-Magnetron-
Sputtering-Verfahren" ausgebildet.
Die resultierenden Kontaktmaterialien wurden im Hinblick
auf den Kontaktwiderstand und die Betriebslebenseigenschaften
gemessen, einschließlich der mittleren Schalthäufigkeit und der
Standardabweichung, und zwar auf die gleiche Weise wie in den
Fällen der Beispiele 57 bis 76. Tabelle 7 zeigt die Ergebnisse
der Messung kollektiv an.
Wie aus der Tabelle 7 ersichtlich, können die
Betriebslebenseigenschaften besser als in den Fällen der
Materialien der Beispiele 57 bis 76 gemacht werden, in dem die
Kontaktmantelschichten mit Sauerstoff dotiert werden. Jedoch
werden sogar in diesem Fall die Betriebslebenseigenschaften
verschlechtert, wenn die Temperatur des Kontaktsubstrates
während der Filmausbildung auf 200°C abgesenkt wird. Es ist
daher anzuraten, die Kontaktsubstrattemperatur während der
Filmausbildung innerhalb des Bereiches von 300 bis 600°C zu
steuern.
Die Matrixmetalle und Zusatzelemente, die in der Tabelle
8 gezeigt sind, wurden in jede der beiden
Elektronenstrahlverdampfungsquellen in der Vakuumkammer
eingesetzt, die zur Herstellung der Beispiele 1 bis 16 verwendet
worden war, und jedes Kontaktsubstrat wurde auf der Temperatur
von 400°C gehalten. In diesem Zustand wurden
Kontaktmantelschichten ausgebildet, die die in der Tabelle
angegebenen Dicken aufwiesen.
Jedes Matrixmetall wurde so verdampft, daß dessen
Konzentration auf der Kontaktsubstratseite unter Bezugnahme auf
die Ausrichtung in der Dicke einer jeden Kontaktmantelschicht
100 Atom-% betrug. Danach wurde die Verdampfung stufenweise
zurückgefahren, so daß die Matrixmetallkonzentration auf der
Oberfläche der Kontaktmantelschicht 0 Atom-% betrug. Auf diese
Weise wurde ein Konzentrationsgradient in Richtung der Dicke der
Kontaktmantelschicht ausgebildet. Bei diesem Verfahren wurde die
Abscheidungsgeschwindigkeit für das Matrixmetall auf 24
Angström/Sekunde eingestellt.
Andererseits war jedes Zusatzelement gemäß einem
Konzentrationsgradienten derart verteilt, daß seine
Konzentration an der Kontaktsubstratseite 0 Atom-% betrug und
stufenweise anstieg, so daß sie auf der Oberfläche der
Kontaktmantelschicht 100 Atom-% betrug. Auch in diesem Fall wurde
die Abscheidungsgeschwindigkeit auf 20 Angströmen/Sekunde
eingestellt.
Daher hat jede resultierende Kontaktmantelschicht eine
derartige Zusammensetzung, daß, das Zusatzelement in dem
Matrixmetall enthalten ist. Jedoch weist das Zusatzelement einen
Konzentrationsgradienten in Richtung der Dicke der Schicht auf.
Insbesondere ist das Zusatzelement dichter auf der
Kontaktsubstratseite als auf der Oberflächenseite verteilt.
Diese Grundoperation wurde wiederholt, wobei laminierte
Strukturen der Kontaktmantelschichten ausgebildet wurden.
Tabelle 8 zeigt die Anzahl der laminierten Strukturen an.
Die resultierenden Kontaktmaterialien wurden im Hinblick
auf den Kontaktwiderstand und die Betriebslebenseigenschaften
auf die gleiche Weise gemessen, wie dies bei den Beispielen 57
bis 76 der Fall war. Tabelle 8 zeigt die Ergebnisse der Messung
kollektiv an.
Trotz des Konzentrationsgradienten des Zusatzelementes in
jeder Kontaktmantelschicht ist, wie aus Tabelle 8 ersichtlich,
die mittlere Schalthäufigkeit hoch und die Standardabweichung
ist gering, wodurch zufriedenstellende
Betriebslebenseigenschaften sichergestellt werden. In den Fällen
der Vergleichsbeispiele 25 bis 30, bei denen die
Kontaktmantelschichten relativ dünn sind, sind jedoch die
Betriebslebenseigenschaften schlechter. Daher ist es anzuraten,
die Schichtdicken auf 0,1 µm oder mehr einzustellen.
Die Kontaktmantelschichten mit den Konzentrations
gradienten für das Matrixmetall und das Zusatzelement wurden auf
die gleiche Weise ausgebildet, wie bei den Beispielen 97 bis
109, außer daß die Temperatur des Kontaktsubstrates auf die in
Tabelle 9 gezeigte Weise verändert wurde.
Die resultierenden Kontaktmaterialen wurden im Hinblick
auf den Kontaktwiderstand und die Betriebslebenseigenschaften
auf die selbe Weise wie in den Fällen der Beispiele 97 bis 109
gemessen. Tabelle 9 zeigt die Ergebnisse der Messung kollektiv
an.
Wenn die Temperatur des Kontaktsubstrates 200°C beträgt,
steigt der Kontaktwiderstand an, während sich die
Betriebslebenseigenschaften verschlechtern, wie dies aus Tabelle
9 ersichtlich ist. Wenn die Temperatur des Kontaktsubstrates
700°C erreicht, neigen die Betriebslebenseigenschaften zur
Verschlechterung. Daher ist es anzuraten, die
Kontaktsubstrattemperaturen innerhalb des Bereiches von 300 bis
600°C zu steuern.
Die Kontaktmaterialien B, die in Fig. 2 gezeigt sind,
wurden auf die folgende Weise hergestellt.
Die Kontaktsubstrate, die in den Beispielen 1 bis 16
verwendet worden waren, wurden in die Vakuumkammer eingesetzt,
die Kammer wurde mit einer (Ar + O₂) Atmosphäre von 0,66 Pa
beschickt, und die Temperatur eines jeden Kontaktsubstrates
wurde auf 400°C gehalten. In diesem Zustand wurden
Kontaktmantelschichten mit den in der Tabelle 10 gezeigten
Zusammensetzungen und Dicken mittels einem "0,7 kW-RF-Magnetron-
Sputtering-Verfahren" ausgebildet.
Die resultierenden Kontaktmaterialien wurden im Hinblick
auf den Kontaktwiderstand und die Betriebslebensleistung auf die
gleiche Weise wie in den Fällen der Beispiele 1 bis 16 gemessen.
Die Tabelle 10 zeigt die Ergebnisse der Messung kollektiv an.
Wie aus Tabelle 10 ersichtlich, ist die
Betriebslebensleistung einer jeden Kontaktmantelschicht
wesentlich besser als in den Fällen der Vergleichsbeispiele 1
bis 5, die in Tabelle 1 gezeigt sind, selbst in dem Fall, in dem
ein Oxid des Zusatzelementes in Matrixmetall enthalten ist. Wenn
der Oxidgehalt zu niedrig oder zu hoch ist, wie etwa in den
Fällen der Vergleichsbeispiele 33 und 34, steigt der
Kontaktwiderstand an, und die Betriebslebensleistung wird
unausweichlich schlechter. Daher sollte der Oxidgehalt in dem
Matrixmetall auf 1 bis 50 Mol-% eingestellt werden.
Sowohl unmittelbar nach der Herstellung als auch nach der
Hitzebehandlung ist der Kontaktwiderstand des Kontaktmaterials
eines jeden Beispieles geringer als derjenige des
Kontaktmaterials eines jeden Vergleichsbeispiels.
Kontaktmantelschichten mit den in Tabelle 11 gezeigten
Zusammensetzungen und Dicken wurden auf den Oberflächen der
Kontaktsubstrate auf die gleiche Weise wie in den Fällen der
Beispiele 121 bis 133 ausgebildet. Dann wurde das Target
ausgewechselt, und es wurden metallische Schichten, die die in
Tabelle 11 gezeigten Dicken aufwiesen, als äußerste Schichten
auf den Kontaktmantelschichten mittels dem "0,5 kW-DC-Magneton-
Sputtering-Verfahren" ausgebildet.
Die resultierenden Kontaktmaterialien wurden im Hinblick
auf den Kontaktwiderstand und die Betriebslebensleistung auf die
gleiche Weise wie in den Fällen der Beispiele 121 bis 133
gemessen. Die Tabelle 11 zeigt die Ergebnisse der Messung
kollektiv an.
Kontaktmantelschichten mit den Zusammensetzungen und
Dicken, die in Tabelle 12 gezeigt sind, wurden auf den
Oberflächen der Kontaktsubstrate auf die gleiche Weise wie in
den Fällen der Beispiele 121 bis 133 ausgebildet. Dann wurde das
Target ausgewechselt, und die Metalloxidschichten mit den in
Tabelle 12 gezeigten Zusammensetzungen und Dicken wurden als
äußerste Schichten auf den Kontaktmantelschichten mittels dem
"0,5 kW-DC-Magnetron-Sputtering-Verfahren" ausgebildet.
Die resultierenden Kontaktmaterialien wurden im Hinblick
auf den Kontaktwiderstand und die Betriebslebensleistung auf die
gleiche Weise wie in den Fällen der Beispiele 121 bis 133
gemessen. Die Tabelle 12 zeigt die Ergebnisse der Messung
kollektiv an.
Obwohl die metallischen Schichten oder
Metalloxidschichten als die äußersten Schichten auf der
Oberfläche der Kontaktmantelschichten ausgebildet sind, ist das
Betriebsleben, wie aus den Tabellen 11 und 12 ersichtlich,
länger als in den Fällen der Beispiele 121 bis 133, die keine
solche Behandlung umfassen. Jedoch kann dieser Effekt nicht in
zufriedenstellender Weise erzeugt werden, wenn die äußersten
Schichten dünn sind.
Die Kontaktmaterialien C, die in Fig. 3 gezeigt sind,
wurden auf die folgende Weise hergestellt.
Die Kontaktsubstrate wurden in die Vakuumkammer
eingesetzt, die bei den Beispielen 1 bis 16 verwendet worden
war, und sie wurden bei der Temperatur (600°C) gehalten, die in
Tabelle 13 gezeigt ist. In diesem Zustand wurden von der
Elektronenstrahlverdampfungsquelle untere Schichten 2C₁ der in
der Tabelle angegebenen Metalle bei einer
Abscheidungsgeschwindigkeit von 20 Angström/Sekunde ausgebildet,
die die in der Tabelle angegebenen Dicken aufwiesen. Dann wurde
die Kontaktsubstrattemperatur auf 200°C eingestellt, und in
diesem Zustand wurden obere Schichten 2C₂ der in der Tabelle
angegebenen Elemente mit den in der Tabelle angegebenen Dicken
einzeln auf den unteren Schichten 2C₁ mit einer
Abscheidungsgeschwindigkeit von 20 Angström/Sekunde ausgebildet.
Daher wurden die Kontaktmantelschichten 2C mit einer laminierten
Struktur ausgebildet.
Die resultierenden Kontaktmaterialien wurden im Hinblick
auf den Kontaktwiderstand und die Betriebslebenseigenschaften
auf die gleiche Weise gemessen, wie in den Fällen der Beispiele
1 bis 16. Die Tabelle 13 zeigt die Ergebnisse der Messung
kollektiv an.
Wenn die vorgenannte laminierte Struktur ausgebildet
wird, ist, wie aus Tabelle 13 ersichtlich, die mittlere
Schalthäufigkeit höher als in den Fällen des Kontaktmaterials
nach den Beispielen 1 bis 16, die in Tabelle 1 gezeigt sind.
Wenn sowohl die unteren als auch die oberen Schichten 2C₁ und 2C₂
dünner als 0,1 µm sind, erniedrigt sich die mittlere
Schalthäufigkeit und die Standardabweichung steigt an, wie aus
den Vergleich zwischen den Materialien der Beispiele und
Vergleichsbeispiele ersichtlich, der in Tabelle 13 gezeigt ist.
Daher sollten die untere und die obere Schicht auf eine Dicke
von 0,1 µm oder mehr eingestellt werden.
Die Kontaktsubstrate wurden in die Vakuumkammer
eingesetzt, die bei den Beispielen 1 bis 16 verwendet worden
war, und sie wurden bei den in der Tabelle 14 gezeigten
Temperaturen gehalten. In diesem Zustand wurden die unteren
Schichten 2C₁ mit den in der Tabelle angegebenen Dicken bei einer
Abscheidungsgeschwindigkeit von 20 Angström/Sekunde ausgebildet,
indem die in der Tabelle angegebenen Metalle von der
Elektronenstrahlverdampfungsquelle verdampft wurden. Dann wurden
die Kontaktsubstrattemperaturen auf die in der Tabelle
angegebenen Werte abgesenkt, und die in der Tabelle angegebenen
Elemente wurden bei diesen Temperaturen verdampft. Daher wurden
die oberen Schichten 2C₂ mit den in der Tabelle angegebenen
Dicken als laminierte Strukturen bei einer Abscheidungs
geschwindigkeit von 20 Angström/Sekunde ausgebildet.
Die resultierenden Kontaktmaterialien wurden im Hinblick
auf den Kontaktwiderstand und die Betriebslebenseigenschaften
auf die gleiche Weise wie in den Fällen der Beispiele 1 bis 16
untersucht. Tabelle 14 zeigt die Ergebnisse der Messung
kollektiv an.
Wie aus Tabelle 14 ersichtlich, schwanken der
Kontaktwiderstand und die Betriebslebenseigenschaften der
Kontaktmaterialien beträchtlich, in Abhängigkeit von dem
Verhältnis zwischen den Temperaturen der Kontaktsubstrate für
die Ausbildung der oberen und unteren Schichten.
Was die Kontaktsubstrattemperatur für die Ausbildung der
unteren Schichten betrifft, zeigt z. B. der Vergleich zwischen
Beispiel 171 und Vergleichsbeispiel 48 an, daß der
Kontaktwiderstand höher und die Betriebslebenseigenschaften
schlechter sind, wenn die Temperatur bei 200°C gehalten wird,
als wenn sie bei 400°C gehalten wird. Das gleiche gilt für das
Verhältnis zwischen den Fällen der Temperaturen von 900°C
(Vergleichsbeispiel 49) und 800°C (Beispiel 172). Daher ist es
anzuraten, die Kontaktsubstrattemperatur für die Ausbildung der
unteren Schichten innerhalb des Bereiches von 400 bis 800°C zu
steuern.
Was die Kontaktsubstrattemperatur für die Ausbildung der
oberen Schichten betrifft, zeigt andererseits der Vergleich
zwischen Beispiel 173 und Vergleichsbeispiel 50 an, daß der
Kontaktwiderstand höher und die Betriebslebenseigenschaften
schlechter sind, wenn die Temperatur bei 30°C liegt, als wenn
sie bei 50°C liegt. Das gleiche gilt für das Verhältnis
zwischen den Fällen der Temperaturen von 550°C
(Vergleichsbeispiel 51) und 500°C (Beispiel 174) . Daher ist es
anzuraten, die Kontaktsubstrattemperatur für die Ausbildung der
oberen Schichten innerhalb des Bereiches von 50 bis 500°C zu
steuern.
Die Kontaktsubstrate wurden in die Vakuumkammer auf die
gleiche Weise wie in den Beispielen 1 bis 16 eingesetzt, und sie
wurden bei der in der Tabelle angegebenen Temperatur (400°C)
gehalten.
Dann wurde die gleiche Grundoperation wie für die
Beispiele 97 bis 109 ausgeführt, um die unteren Schichten
auszubilden, die die Zusammensetzungen, Dicken und Anzahlen
laminierter Strukturen aufwiesen, wie sie in Tabelle 15 gezeigt
sind. Danach wurde die Kontaktsubstrattemperatur auf 200°C
abgesenkt und dabei gehalten, wonach die oberen Schichten der in
der Tabelle angegebenen Elemente mit dem in der Tabelle
angegebenen Dicken einzeln auf den unteren Schichten ausgebildet
wurden. Die Abscheidungsgeschwindigkeit für die Ausbildung der
oberen Schichten wurde auf 25 Angström/Sekunde eingestellt.
Demgemäß hat jede Kontaktmantelschicht, die so erhalten
wurde, eine laminierte Struktur, einschließlich einer unteren
Struktur, die einen Konzentrationsgradienten für ein
Zusatzelement aufweist und eine obere Schicht, die aus dem
Zusatzelement zusammengesetzt ist.
Die resultierenden Kontaktmaterialien wurden im Hinblick
auf den Kontaktwiderstand und die Betriebslebenseigenschaften
auf die gleiche Weise wie in den Fällen der Beispiele 1 bis 16
gemessen. Tabelle 15 zeigt die Ergebnisse der Messung kollektiv
an.
Wie aus Tabelle 15 ersichtlich, weisen die
Kontaktmaterialien, die auf diese Weise hergestellt wurden,
ebenfalls gute Betriebslebenseigenschaften auf. Der Vergleich
zwischen den Materialien der Beispiele und der
Vergleichsbeispiele zeigt an, daß die mittlere Schalthäufigkeit
abgesenkt ist, und daß die Standardabweichung erhöht ist, d. h.
die Betriebslebenseigenschaften sind verschlechtert, wenn die
Dicke der oberen Schicht vermindert wird. Daher sollte die Dicke
der oberen Schicht auf 0,1 µm oder mehr eingestellt werden.
Die Kontaktmantelschichten wurden auf die gleiche Weise
ausgebildet, wie in den Fällen der Beispiele 182 bis 189, außer
daß die Temperaturen der Kontaktsubstrate für die Ausbildung der
oberen und unteren Schichten auf die in Tabelle 16 gezeigte
Weise verändert wurden.
Die resultierenden Kontaktmaterialien wurden im Hinblick
auf den Kontaktwiderstand und die Betriebslebenseigenschaften
auf die gleiche Weise gemessen, wie in den Fällen der Beispiele
182 bis 189. Tabelle 16 zeigt die Ergebnisse der Messung
kollektiv an.
Auch in diesem Fall kann, wie aus Tabelle 16 ersichtlich,
der Kontaktwiderstand gesenkt werden, die mittlere
Schalthäufigkeit kann gesteigert werden, und die
Standardabweichung kann vermindert werden, indem die
Kontaktsubstrattemperatur innerhalb des Bereiches von 300 bis
600°C bei der Ausbildung der oberen Schichten und innerhalb des
Bereiches von 50 bis 500°C bei der Ausbildung der unteren
Schichten, wie in den Fällen der Beispiele 171 bis 181 gesteuert
wird.
Verschiedene Kontaktmaterialien (Schutzrohrstifte) wurden
nach dem Verfahren hergestellt, das im Zusammenhang mit den
Beispielen 1 bis 16 beschrieben ist.
Wenn die jeweiligen Oberflächen der
Kontaktmantelschichten der erhaltenen Kontaktmaterialien
mikroskopisch beobachtet wurden, wurden Oxidpartikel mit
Durchmessern mehrerer Mikrometern erkannt.
Dann wurden die Kontaktmaterialien zusammen mit einen
N₂-Gas hermetisch in abgedichtete Behälter eingekapselt, wodurch
eingekapselte Kontakte (Schutzrohrschalter) ausgebildet wurden.
Die so erhaltenen eingekapselten Kontakte wurden einer
elektrischen Entladungsbehandlung zu den in den Tabellen 17 und
18 genannten Bedingungen unterworfen. Die in den Tabellen 17 und
18 gezeigten Vergleichsbeispiele sind Fälle, in denen die
Kontakte keiner elektrischen Entladungsverfahrensweise
unterzogen wurden.
Nachfolgend wurden die eingekapselten Kontakte in Bezug
auf die Betriebslebenseigenschaften wie folgt untersucht.
Niederbelastungslebensleistungstest: Eine Spannung von 5 V
wurde an die eingekapselten Kontakte angelegt, und die Kontakte
wurden bei 100 Hz wiederholt mittels eines 40 At
(Amperewindungen, "ampere-turn") -Antriebsmagnetfeldes auf eine
solche Weise betätigt, daß sie mit einem 100 µA-Strom versorgt
wurden, und die Häufigkeit des Schaltvorganges, die vor dem
Auftreten von Störungen wiederholbar war, wurde gemessen.
Hochbelastungslebensleistungstest: Bei Raumtemperatur
wurden die anderen eingekapselten Kontakte außer denjenigen der
Beispiele 206, 207, 208 und 211 wiederholt bei 10 Hz mittels
eines 40 AT (Amperewindungen, "ampere-turn")-Antriebsmagnetfeldes
auf eine solche Weise betätigt, daß sie mit einer Stromstärke
von 100 µA bei 0,5 A versorgt wurden, und die Häufigkeit des
Schaltvorganges, die vor dem Auftreten von Störungen wiederholt
wurde, wurde gemessen.
Bei beiden dieser Lebensleistungstests ist der Zeitpunkt
des Auftretens von Störungen ein Zeitpunkt, zu dem der
Schaltvorgang ein Versagen erleidet, oder zu dem der Widerstand
an der Elektrode des eingekapselten Kontaktes 1Ω oder mehr
erreicht.
Die Tabellen 17 und 18 zeigen die Ergebnisse der Messung
kollektiv an.
Die Schutzrohrschalter des Beispiels 202 und des
Vergleichsbeispiels 61 wurden der selben Vorgehensweise wie bei
den vorgenannten Niederbelastungslebensleistungstest
unterworfen, und der Widerstand an der Elektrode eines jeden
Schalters wurde gemessen. Fig. 5 zeigt die Ergebnisse der
Messung ausgedrückt als Verhältnis zwischen der Schalthäufigkeit
und dem Widerstand.
In Fig. 5 stellen die weißen Kreise den Fall des
Schutzrohrschalters des Beispiels 202 dar, und die weißen
Quadrate stellen den Fall des Schutzrohrschalters des
Vergleichsbeispiels 61 dar.
Wie aus den in den Tabellen 17 und 18 gezeigten
Ergebnissen ersichtlich, weisen die eingekapselten Kontakte der
Beispiele, die einem elektrischen Entladungsverfahren unterzogen
worden sind, wesentlich bessere Lebenseigenschaften auf, als die
eingekapselten Kontakte der Vergleichsbeispiele. Eine
stabilisierte Betriebslebensleistung unter hoher Belastung
benötigt wenigstens die Stabilisierung der
Niederbelastungsbetriebslebensleistung. Beim Niederbelastungs
lebensleistungstest ist der Widerstand am Kontakt eines jeden
Beispiels, wie aus Fig. 5 ersichtlich, bei Vergleich mit der
Schalthäufigkeit stetiger als derjenige eines jeden
Vergleichsbeispieles. Daher kann der Schaltvorgang eines jeden
eingekapselten Kontaktes stabilisiert werden, indem der Kontakt
einem elektrischen Entladungsverfahren vor dem tatsächlichen
Gebrauch unterworfen wird, wie etwa im Falle jedes Beispiels.
Der eingekapselte Kontakt des Beispiels 202 wurde der
gleichen Betriebsweise wie in dem vorgenannten Hoch
belastungslebensleistungstest unterzogen, und der Widerstand am
Kontakt wurde gemessen. Fig. 6 zeigt das Verhältnis zwischen der
Schalthäufigkeit und dem Widerstand. Wie aus Fig. 6 ersichtlich,
erfreut sich der eingekapselte Kontakt von Beispiel 202 einem
Betriebslebenpegel von zwanzig Millionen Malen, wenn er als
Schalthäufigkeit ausgedrückt wird. Daher ist der eingekapselte
Kontakt, der gemäß dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung
hergestellt ist, so ausgelegt, daß der Widerstand an ihm sowohl
beim Hoch- als auch beim Niederbelastungslebensleistungstest
stabil ist.
Obwohl die eingekapselten Kontakte der oben beschriebenen
Beispiele solche sind, die einem elektrischen
Entladungsverfahren unterzogen worden sind, ist es
offensichtlich, daß nicht entladene eingekapselte Kontakte die
gleichen Effekte wie oben gesagt nur hervorrufen können, wenn
sie einem elektrischen Entladungsverfahren vor der Verwendung
ausgesetzt werden. Selbst nachdem die Verwendung begonnen hat,
können die eingekapselten Kontakte darüber hinaus die gleichen
Ergebnisse erzeugen, wenn sie einem elektrischen
Entladungsverfahren während der Verwendung ausgesetzt werden.
Claims (12)
1. Eingekapseltes Kontaktmaterial, das folgendes umfaßt:
wenigstens eine Kontaktmantelschicht, die durch Bedecken der Oberfläche eines Kontaktsubstrates ausgebildet wurde, wobei die Kontaktmantelschicht eine wesentliche Matrix umfaßt, die aus wenigstens einem Element ausgebildet ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Mo, Zr, Nb, Hf, Ta und W umfaßt, und wobei die Matrix mit 0,5 bis 50 Atom-% wenigstens eines Elementes dotiert ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, Sb und Bi umfaßt, und
wobei die Kontaktmantelschicht eine Dicke von 0,1 µm oder mehr aufweist.
wenigstens eine Kontaktmantelschicht, die durch Bedecken der Oberfläche eines Kontaktsubstrates ausgebildet wurde, wobei die Kontaktmantelschicht eine wesentliche Matrix umfaßt, die aus wenigstens einem Element ausgebildet ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Mo, Zr, Nb, Hf, Ta und W umfaßt, und wobei die Matrix mit 0,5 bis 50 Atom-% wenigstens eines Elementes dotiert ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, Sb und Bi umfaßt, und
wobei die Kontaktmantelschicht eine Dicke von 0,1 µm oder mehr aufweist.
2. Eingekapseltes Kontaktmaterial, das folgendes umfaßt:
wenigstens eine Kontaktmantelschicht, die durch Bedecken der Oberfläche eines Kontaktsubstrates ausgebildet ist, wobei die Kontaktmantelschicht eine wesentliche Matrix umfaßt, die aus wenigstens einem Element ausgebildet ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Mo, Zr, Nb, Hf, Ta und W umfaßt, wobei die Matrix mit 0,1 bis 50 Mol-% eines Oxides wenigstens eines Elementes dotiert ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Zn, Cd Hg, Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, Sb und Bi umfaßt, und
wobei die Kontaktmantelschicht eine Dicke von 0,1 µm oder mehr aufweist.
wenigstens eine Kontaktmantelschicht, die durch Bedecken der Oberfläche eines Kontaktsubstrates ausgebildet ist, wobei die Kontaktmantelschicht eine wesentliche Matrix umfaßt, die aus wenigstens einem Element ausgebildet ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Mo, Zr, Nb, Hf, Ta und W umfaßt, wobei die Matrix mit 0,1 bis 50 Mol-% eines Oxides wenigstens eines Elementes dotiert ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Zn, Cd Hg, Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, Sb und Bi umfaßt, und
wobei die Kontaktmantelschicht eine Dicke von 0,1 µm oder mehr aufweist.
3. Eingekapseltes Kontaktmaterial, das folgendes umfaßt:
wenigstens eine Kontaktmantelschicht, die durch Bedecken der Oberfläche eines Kontaktsubstrates ausgebildet ist, wobei die Kontaktmantelschicht eine laminierte Struktur aufweist, die wenigstens eine untere Schicht umfaßt, die aus wenigstens einem Element ausgebildet ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Mo, Zr, Nb, Hf, Ta und W umfaßt und wenigstens eine obere Schicht, die aus wenigstens einem Element ausgebildet ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, Sb und Bi umfaßt, und
wobei die untere und obere Schicht jeweils eine Dicke von 0,1 µm oder mehr aufweisen.
wenigstens eine Kontaktmantelschicht, die durch Bedecken der Oberfläche eines Kontaktsubstrates ausgebildet ist, wobei die Kontaktmantelschicht eine laminierte Struktur aufweist, die wenigstens eine untere Schicht umfaßt, die aus wenigstens einem Element ausgebildet ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Mo, Zr, Nb, Hf, Ta und W umfaßt und wenigstens eine obere Schicht, die aus wenigstens einem Element ausgebildet ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, Sb und Bi umfaßt, und
wobei die untere und obere Schicht jeweils eine Dicke von 0,1 µm oder mehr aufweisen.
4. Das eingekapselte Kontaktmaterial nach Anspruch 1, wobei
die Kontaktmantelschicht einen Konzentrationsgradienten derart
aufweist, daß wenigstens das eine Element, das aus einer Gruppe
gewählt ist, die Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, Sb
und Bi umfaßt, dichter auf der Oberflächenseite vorkommt.
5. Eingekapseltes Kontaktmaterial nach Anspruch 1 oder 2,
worin die Kontaktmantelschicht mit 1 bis 40 Atom-% Sauerstoff
dotiert ist.
6. Eingekapseltes Kontaktmaterial nach Anspruch 1, 2 oder
3, worin die Oberfläche der Kontaktmantelschicht mit einer
äußersten Schicht beschichtet ist, die aus einem Metall oder
einem Metalloxid ausgebildet ist, und die eine Dicke von 0,05 µm
oder mehr aufweist.
7. Herstellungsverfahren für ein eingekapseltes
Kontaktmaterial, das das Ausbilden der Kontaktmantelschicht nach
Anspruch 1 oder 2 auf der Oberfläche des Kontaktsubstrates
umfaßt, wobei die Temperatur des Kontaktsubstrates innerhalb des
Bereiches von 300 bis 900°C gesteuert wird.
8. Herstellungsverfahren nach Anspruch 7, wobei die
Temperatur des Kontaktsubstrates innerhalb des Bereiches von 300
bis 600°C gesteuert wird.
9. Herstellungsverfahren für ein eingekapseltes
Kontaktmaterial, das das Ausbilden der Kontaktmantelschicht nach
Anspruch 3 auf der Oberfläche des Kontaktsubstrates auf eine
solche Weise umfaßt, daß die Temperatur des Kontaktsubstrates
innerhalb des Bereiches von 300 bis 600°C gesteuert wird, wenn
die untere Schicht ausgebildet wird, und innerhalb des Bereiches
von 50 bis 500°C, wenn die obere Schicht ausgebildet wird.
10. Herstellungsverfahren nach Anspruch 9, wobei die
Temperatur des Kontaktsubstrates innerhalb des Bereiches von 400
bis 800°C gesteuert wird, wenn die untere Schicht ausgebildet
wird.
11. Herstellungsverfahren für einen eingekapselten Kontakt,
das folgendes umfaßt:
das Einkapseln eines eingekapselten Kontaktmaterials zusammen mit einem inerten Gas in einem abgedichteten Behälter,
und das elektrische Entladen des eingekapselten Kontaktmaterials.
das Einkapseln eines eingekapselten Kontaktmaterials zusammen mit einem inerten Gas in einem abgedichteten Behälter,
und das elektrische Entladen des eingekapselten Kontaktmaterials.
12. Verwendungsverfahren für einen eingekapselten Kontakt,
das folgendes umfaßt:
das elektrische entladen eines eingekapselten Kontaktmaterials während oder bevor der Verwendung eines eingekapselten Kontaktes, der aus einem eingekapselten Kontaktmaterial ausgebildet ist, das zusammen mit einem inerten Gas in einem abgedichteten Behälter eingekapselt ist.
das elektrische entladen eines eingekapselten Kontaktmaterials während oder bevor der Verwendung eines eingekapselten Kontaktes, der aus einem eingekapselten Kontaktmaterial ausgebildet ist, das zusammen mit einem inerten Gas in einem abgedichteten Behälter eingekapselt ist.
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