DE19536525B4

DE19536525B4 - Lead frame for integrated circuits

Info

Publication number: DE19536525B4
Application number: DE19536525A
Authority: DE
Inventors: Charles-Wee-Ming Lee; Klaus Müller; Guan-Hin Heng; Chu-Siu Ng; Günter-Paul Mayer; Tat-Choon Chua; Patricia-Choon-Muah Lee
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 1995-09-29
Filing date: 1995-09-29
Publication date: 2005-11-17
Anticipated expiration: 2015-09-30
Also published as: DE19536525A1; WO1997012387A3; WO1997012387A2

Abstract

Leiterrahmen für integrierte Schaltungen aus einem metallischen Grundkörper mit einem mittig angeordneten, einstückigen Trägerelement (2), auf welchem ein Halbleiterchip (3) aufsetzbar ist und mit einer Vielzahl um das Trägerelement (2) herum angeordneten und über später entfernbare Stege (5) miteinander verbundenen Leiterbahnen (6), wobei das Trägerelement (2) Öffnungen (8) und/oder Aussparungen (9) aufweist, welche von dem aufzusetzenden Halbleiterchip (3) überdeckt werden, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerelement (2) vier im Quadrat nebeneinanderliegende viereckige Elemente (2c) mit innenliegenden Öffnungen aufweist, wobei die viereckigen Elemente (2c) ausschließlich im Zentrum des Trägerelements (2) aneinander einstückig angebunden sind.leadframe for integrated Circuits of a metallic base body with a centrally arranged, one-piece support element (2) on which a semiconductor chip (3) can be placed and with a Variety about the support element (2) arranged around and over later removable webs (5) interconnected interconnects (6), wherein the carrier element (2) openings (8) and / or recesses (9), which of the aufzusetzenden Semiconductor chip (3) covered be characterized in that the carrier element (2) four square adjacent quadrangular elements (2c) with internal openings , wherein the quadrangular elements (2c) exclusively in Center of the support element (2) in one piece are connected.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Leiterrahmen für integrierte Schaltungen gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The The invention relates to an integrated circuit leadframe according to the preamble of claim 1

Ein Leiterrahmen für integrierte Schaltungen ist beispielsweise aus der EP 0 621 633 A2 bekannt. Leiterrahmen dieser Art weisen eine Vielzahl von über später zu entfernende Stege miteinander verbundene Leiterbahnen und ein zentral im metallischen Leiterrahmen angeordnetes Trägerelement zum Befestigen eines Halbleiterchips auf. Der Halbleiterchip wird über Bonddrähte an die dem Träger benachbarten inneren Enden der Leiterbahnen angeschlossen. Die äußeren Enden der Leiterbahnen bilden die Anschlußelemente zum Verbinden des Halbleiterbauelementes mit anderen elektrischen Komponenten. Die erwähnten inneren Anschlüsse werden durch Bonden und die äußeren Anschlüsse im allgemeinen durch Löten hergestellt. Der Leiterrahmen besteht bevorzugt aus einem gut wärmeleitenden Metall oder aus Metall-Legierungen, wie z. B. Kupfer oder Kupfer-Legierungen und einer Edelmetallplattierung, die entweder selektiv nur den Träger und die für die Anschlüsse vorgesehenen Bereiche des Leiterrahmens oder den Leiterrahmen vollständig bedeckt.A lead frame for integrated circuits is for example from the EP 0 621 633 A2 known. Lead frames of this type have a plurality of laterally removable webs interconnected interconnects and a centrally disposed in the metallic lead frame support member for attaching a semiconductor chip. The semiconductor chip is connected via bonding wires to the carrier adjacent to the inner ends of the tracks. The outer ends of the conductor tracks form the connection elements for connecting the semiconductor component to other electrical components. The mentioned inner terminals are made by bonding and the outer terminals generally by soldering. The lead frame is preferably made of a good heat conducting metal or metal alloys, such. As copper or copper alloys and a noble metal cladding, which either completely selectively covers only the support and provided for the terminals areas of the lead frame or the lead frame.

Häufig ist das Trägerelement, auf das später der Halbleiterchip aufgesetzt wird, eine rechteckförmige massive Platte, die von ihrer Grundfläche her etwa der Größe des Halbleiterchips entspricht oder sogar etwas größer als diese gewählt wird. Hierdurch wird eine einfache Montage des Halbleiterchips auf dem Trägerelement gewährleistet. Es hat sich jedoch herausgestellt, daß integrierte Schaltungen, d.h. in einem Kunststoffgehäuse befindliche Halbleiterchips, die auf solche Leiterrahmen aufgebracht sind, äußerst empfindlich in Bezug auf einen Gehäusebruch bzw. Gehäusespannungen und Durchbiegungen des Gehäuses sind. Der Grund hierfür liegt in der bei Feuchtigkeitsabsorption des IC-Gehäuses zwischen dem metalli schen Trägerelement des Leiterrahmens und der Kunststoffkomponente des Gehäuses zu beobachtenden Delamination. Darüber hinaus kann auch die zwischen dem Trägerelement und dem Halbleiterchip aufgebrachte Klebschicht eine solche Delamination herbeiführen und thermische Spannungen innerhalb des Kunststoffgehäuses des integrierten Schaltkreises führen und den Bruch des Gehäuses hervorrufen, was ebenfalls zum Bruch des Gehäuses führen kann. Ein Bruch des Gehäuses kann des weiteren durch thermische Belastung während des Montageprozesses auftreten.Frequently the carrier element, on the later of the Semiconductor chip is put on, a rectangular solid plate made of their base area about the size of the semiconductor chip equal or even slightly larger than this chosen becomes. As a result, a simple mounting of the semiconductor chip on the support element guaranteed. However, it has been found that integrated circuits, i.e. in a plastic housing located semiconductor chips, which are applied to such lead frames are extremely sensitive with respect to a housing break or housing stress and deflections of the housing are. The reason for that lies in the moisture absorption of the IC housing between the Metallic support element the lead frame and the plastic component of the housing to observing delamination. About that In addition, between the carrier element and the semiconductor chip applied adhesive layer cause such delamination and thermal stresses within the plastic housing of the lead integrated circuit and the breakage of the case cause, which can also lead to the breakage of the housing. A breakage of the housing can be further due to thermal stress during the assembly process occur.

Zur Lösung dieses Problems sind mittlerweile Versuche angestellt worden, geeignete Gehäusematerialien, d. h. solche mit möglichst geringen minimalen differentiellen Temperaturunterschieden zum Leiterrahmen und solche mit geringer Spannungsneigung zu verwenden. Um die durch die Kupferoxidation bedingte Delamination, wie sie bei der Verwendung von Leiterrahmen aus Kupfer oder Kupfer-legierungen beobachtet wird, zu vermeiden, ist versucht worden, das erwähnte Bonden bei niedriger Temperatur und bei absolut sauberer Umgebung durchzuführen sowie eine chemische Vorbehandlung des Leiterrahmens vorzusehen, um eine starke Oxidation am Auftreten zu hindern.to solution In the meantime experiments have been made on this problem, suitable ones Housing materials d. H. such with as possible low minimum differential temperature differences to the lead frame and to use those with low susceptibility to voltage. To the through the copper oxidation-related delamination, as in use of leadframes of copper or copper alloys is observed it has been tried to avoid the mentioned bonding at low temperature and in an absolutely clean environment as well as a chemical pretreatment of the Lead frame to provide a strong oxidation on the occurrence to prevent.

Ferner ist es aus der gattungsbildenden US 5,378,565 bekannt, ein Trägerelement vorzusehen, welches Öffnungen und/oder Aussparungen aufweist, welche von dem aufzusetzenden Halbleiterchip überdeckt werden.Furthermore, it is from the generic US 5,378,565 It is known to provide a carrier element which has openings and / or recesses which are covered by the semiconductor chip to be applied.

Weitere Veröffentlichungen, die sich mit dieser Thematik befassen, sind die US 5,021,865 , die US 5,021,864 , und die JP 04-022 162 A.Other publications dealing with this topic are the US 5,021,865 , the US 5,021,864 , and JP 04-022 162 A.

Ferner sei in diesem Zusammenhang auch noch die US 5,389,577 erwähnt. Aus dieser Druckschrift ist ein Leiterrahmen für eine integrierte Schaltung mit einem Trägerelement bekannt, welches vom aufsitzenden Halbleiterchip überlappt wird. Das beschriebene Trägerelement ist jedoch nicht einstückig aus gebildet, sondern besteht aus zwei Hälften, die als Stromführungsbahnen dienen. Der beschriebene Leiterrahmen mit dem zweigeteilten Trägerelement soll die sonst übliche Anbindung von Bonddrähten zur Stromversorgung des Halbleiterchips vermeiden. Die Vermeidung eines Bruchs des Gehäuses des integrierten Schaltkreises, der innerhalb dieses Gehäuses sitzt, ist in der US 5,389,577 jedoch nicht angesprochen.Furthermore, in this context, the US 5,389,577 mentioned. From this document, a lead frame for an integrated circuit with a carrier element is known, which is overlapped by the seated semiconductor chip. However, the support element described is not formed in one piece, but consists of two halves, which serve as current guide tracks. The described lead frame with the two-part support element is intended to avoid the otherwise usual connection of bonding wires to the power supply of the semiconductor chip. The avoidance of a breakage of the housing of the integrated circuit, which sits within this housing is in the US 5,389,577 but not addressed.

Die bisherigen Ansätze zur Lösung der vorstehend erwähnten Probleme sind bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen teilweise sehr aufwendig und darüber hinaus nicht voll zufriedenstellend.The previous approaches to the solution the aforementioned Problems are in the production of integrated circuits sometimes very elaborate and above not completely satisfactory.

Der vorliegenden Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, einen Leiterrahmen für integrierte Schaltungen anzugeben, welcher im montierten Zustand mit Halbleiterchip und Gehäuse einen Bruch des Gehäuses weitgehend ausschließt. Diese Aufgabe soll in einfacher Weise gelöst werden.Of the The present invention is therefore based on the object, a Lead frame for indicate integrated circuits, which in the assembled state with semiconductor chip and housing a breakage of the case largely excludes. This task is to be solved in a simple manner.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch den mit dem Patentanspruch 1 beanspruchten Leiterrahmen gelöst.These The object is achieved by the solved with the claim 1 claimed lead frame.

Der erfindungsgemäße Leiterrahmen zeichnet sich dadurch aus, daß das Trägerelement vier im Quadrat nebeneinanderliegende viereckige Elemente mit innenliegenden Öffnungen aufweist, wobei die viereckigen Elemente ausschließlich im Zentrum des Trägerelements aneinander einstückig angebunden sind.The lead frame according to the invention is characterized in that the support element four square elms adjacent to each other in square te having internal openings, wherein the quadrangular elements are connected together in one piece only in the center of the support member.

Die Grundidee der vorliegenden Erfindung liegt darin, die gesamte metallische Fläche des einstückigen Trägerelementes auf das Minimale zu reduzieren, aber gleichzeitig die mit dem Halbleiterchip in Kontakt kommenden Teile des Trägerelementes über einen möglichst großen Bereich zu verteilen. Dadurch wird die eingangs erwähnte Problematik der zu beobachtenden Delamination zwischen metallischen Trägerelement und Kunst stoffgehäuse bzw. zwischen metallischen Trägerelement und Klebschicht des Halbleiterchips stark vermindert.The The basic idea of the present invention is that of the entire metallic area of the one piece support element to reduce to the minimum, but at the same time with the semiconductor chip in Contact coming parts of the support element over a preferably huge Distribute area. This is the initially mentioned problem the observed delamination between metallic carrier element and plastic housing or between metallic carrier element and adhesive layer of the semiconductor chip greatly reduced.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegegnstand der Unteransprüche.advantageous Further developments of the invention are Gegegnstand the dependent claims.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert. Es zeigen:The Invention will be explained in more detail with reference to the figures. It demonstrate:

1 einen Leiterrahmen mit sternförmigem Trägerelement und 1 a lead frame with star-shaped support element and

2 einen Leiterrahmen für eine integrierte Schaltung mit einem rechteckförmigen Trägerelement, das mit mehreren Öffnungen und Aussparungen versehen ist. 2 an integrated circuit lead frame having a rectangular support member provided with a plurality of openings and recesses.

In den nachfolgenden Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen gleiche Teile mit gleicher Bedeutung.In denote the following figures, unless stated otherwise, same reference numerals like parts with the same meaning.

In 1 ist ein erster Leiterrahmen 1 für eine integrierte Schaltung dargestellt. Der Leiterrahmen 1 besteht aus einem metallischen Grundkörper. Dieser Grundkörper kann beispielsweise aus Kupfer oder einer Kupfer-Legierung bestehen. Der Leiterrahmen 1 weist ein mittig angeordnetes einstückiges Trägerelement 2 zur Aufnahme eines Halbleiterchips auf. Die Außenkontur des Halbleiterchips ist in 1 strichliert dargestellt und mit dem Bezugszeichen 3 gezeichnet. Der Halbleiterchip 3 kann beispielsweise mittels einer geeigneten Klebeschicht auf das Trägerelement 2 aufgeklebt sein. Das im einzelnen noch zu erläuternde Trägerelement 2 ist ringförmig von einer Vielzahl von Leiterbahnen 6 umgeben. Im Ausführungsbeispiel von 1 sind insgesamt 144 solcher Leiterbahnen 6 vorgesehen. Diese Leiterbahnen 6 sind über später entfernbare Stege 5, die im Ausführungsbeispiel von 1 lediglich ausschnittsweise in der linken oberen Ecke des Leiterrahmens 1 dargestellt sind, miteinander verbunden.In 1 is a first ladder frame 1 shown for an integrated circuit. The ladder frame 1 consists of a metallic base body. This basic body may for example consist of copper or a copper alloy. The ladder frame 1 has a centrally arranged integral support element 2 for receiving a semiconductor chip. The outer contour of the semiconductor chip is in 1 shown in dashed lines and with the reference numeral 3 drawn. The semiconductor chip 3 For example, by means of a suitable adhesive layer on the support element 2 be glued on. The still to be explained in detail support element 2 is ring-shaped by a variety of tracks 6 surround. In the embodiment of 1 are a total of 144 such tracks 6 intended. These tracks 6 are over later removable bridges 5 in the embodiment of 1 only partially in the upper left corner of the ladder frame 1 are shown connected to each other.

Das Trägerelement 2 ist bei dem in 1 dargestellten Leiterrahmen 1 im Gegensatz zu den bisher bekannten Trägerelementen nicht als rechteckförmige massive Platte ausgebildet, sondern spinnenförmig bzw. sternförmig mit einer zentralen Öffnung 8. Die mittige kreisrunde Öffnung 8 kann beispielsweise einen Durchmesser von 4 mm aufweisen. Von dieser mittigen Öffnung 8 erstrecken sich entlang der beiden Diagonalen D des Leiterrahmens 1 jeweils Strahlenkörper 2a in entgegenge setzte Richtung. Diese Strahlenkörper 2a verjüngen sich mit zunehmendem Abstand von der Öffnung 8. Am distalen Ende, das etwa im Bereich des Beginnes der Leiterbahnen 6 liegt, schließt sich jeweils ein Steg 2b an, über den das Trägerelement 2 an den Leiterrahmen 1 angebunden ist.The carrier element 2 is at the in 1 illustrated lead frame 1 in contrast to the previously known support elements not formed as a rectangular solid plate, but spider-shaped or star-shaped with a central opening 8th , The central circular opening 8th may for example have a diameter of 4 mm. From this central opening 8th extend along the two diagonals D of the lead frame 1 each beam body 2a in opposite direction. These ray bodies 2a Rejuvenate with increasing distance from the opening 8th , At the distal end, approximately in the area of the beginning of the tracks 6 is located, each includes a footbridge 2 B on, over which the carrier element 2 to the ladder frame 1 is connected.

Das sternförmige Trägerelement 2 mit seinen vier im Winkel von jeweils 90 Grad zueinander beabstandeten Strahlenkörpern 2a weist an seiner oberen und unteren sowie linken und rechten Seite jeweils eine hyperbelartige Außenkontur auf. Die vom Metall ausgefüllte Fläche des Trägerelementes 2 ist im Vergleich zu den herkömmlichen Trägerelementen erheblich reduziert, so daß die Problematik der Oxidation des metallischen Trägerelementes sowie die Kontaktfläche des Trägerelementes 2 mit dem Kunststoffmaterial des Gehäuses der integrierten Schaltung bzw. der Klebeschicht des aufsitzenden Halbleiterchips vermindert und damit die Gefahr einer Delamination erheblich reduziert ist.The star-shaped carrier element 2 with its four angularly spaced 90 degrees from each other beam bodies 2a has on its upper and lower and left and right sides in each case a hyperbolic outer contour. The surface of the carrier element filled by the metal 2 is significantly reduced in comparison to the conventional support elements, so that the problem of oxidation of the metallic support member and the contact surface of the support element 2 reduced with the plastic material of the housing of the integrated circuit or the adhesive layer of the seated semiconductor chip and thus the risk of delamination is significantly reduced.

Die in 1 dargestellten Stege 2b liegen jeweils in Verlängerung der Enden der Strahlenkörper 2a des Trägerelementes 2 und damit auf den Diagonalen D. Die Stege 2b sind mit einer Vielzahl von Öffnungen 10 versehen, die es erlauben, daß beim Umspritzvorgang des bereits mit einem Halbleiterchip versehenen Leiterrahmens mit Kunststoffmaterial ein guter Durchsatz bzw. ein gutes Durchdringen des Kunststoffmateriales durch den Leiterrahmen 1 gewährleistet ist. Im Ausführungsbeispiel von 1 sind die Stege 2b auf der Diagonalen D liegend mit vier kreisrunden Öffnungen 10, sowie jeweils links und rechts von der Diagonalen D beabstandeten Längsöffnungen versehen. Zusätzlich verfügt der Steg 2b über drei weitere Öffnungen auf der dem jeweiligen Strahlenkörper 2a zugewandten Seite. Wie aus 1 ersichtlich, ist das Trägerelement 2 sowohl mit einer mittigen kreisrunden Öffnung 8 als auch mit vier randseitigen Aussparungen 9 versehen, die die erfingungsgemäße Reduzierung des Trägerelementes 2 auf ein sternförmiges Gebilde erlauben.In the 1 illustrated webs 2 B lie respectively in extension of the ends of the beam body 2a of the carrier element 2 and thus on the diagonal D. The bars 2 B are with a variety of openings 10 provided, which allow the Umspritzvorgang of the already provided with a semiconductor chip lead frame with plastic material, a good throughput or a good penetration of the plastic material through the lead frame 1 is guaranteed. In the embodiment of 1 are the bars 2 B lying on the diagonal D with four circular openings 10 , and each provided on the left and right of the diagonal D spaced longitudinal openings. In addition, the jetty has 2 B over three more openings on the respective beam body 2a facing side. How out 1 can be seen, is the carrier element 2 both with a central circular opening 8th as well as with four marginal recesses 9 provided, the erfingungsgemäße reduction of the support element 2 allow on a star-shaped structure.

Obwohl der in 1 dargestellte Leiterrahmen 1 eine rechteckförmige Außenkontur aufweist, könnte der Leiterrahmen 1 auch beliebig anders gestaltet werden. Wesentlich ist lediglich die Ausgestaltung des Trägerelementes 2 mit den randseitigen Stegen 2b. Das in 1 dargestellte Trägerelement 2 ist sowohl zur vertikalen Achse A als auch horizontalen Achse B symmetrisch.Although the in 1 illustrated ladder frame 1 has a rectangular outer contour, the lead frame could 1 also be designed differently. Essential is only the design of the support element 2 with the marginal webs 2 B , This in 1 illustrated support element 2 is symmetrical with respect to both vertical axis A and horizontal axis B.

In 2 ist ein Leiterrahmen 1 nach der Erfindung dargestellt. Die bereits bekannten Bezugszeichen werden für gleiche Teile weiterverwendet. Das Trägerelement 2 ist im vorliegenden Beispiel ein spinnenartiges Element, das vier quadratische Rahmen 2c aufweist, die im Zentrum des Leiterrahmens 1 einstückig aneinandergebunden sind. Die vier im Quadrat nebeneinanderliegenden Rahmen 2c sind ausschließlich im Zentrum des Leiterrahmens durch ein metallisches, viereckförmiges Element 2d einstückig aneinandergebunden. Im übrigen liegt jeder Rahmen 2c neben einem benachbarten Rahmen 2c beabstandet. Die schlitzförmigen Aussparungen zwischen zwei Rahmen 2c sind mit dem Bezugszeichen 9 bezeichnet. Die vier Ecken des aus den vier Rahmen 2c gebildeten Trägerelementes 2c liegen auf den Diagonalen D und sind dort über auf den jeweiligen Diagonalen D verlaufenden Bügel 2e an die aus 1 bekannten Stege 2b angebunden.In 2 is a ladder frame 1 represented according to the invention. The already known reference numerals are used for the same parts. The carrier element 2 in the present example is a spider-like element that has four square frames 2c that is in the center of the ladder frame 1 are integrally connected to each other. The four frames side by side in square 2c are exclusively in the center of the ladder frame by a metallic, quadrangular element 2d integrally bound together. Otherwise, there is every frame 2c next to a neighboring frame 2c spaced. The slot-shaped recesses between two frames 2c are denoted by the reference numeral 9 designated. The four corners of the four frames 2c formed carrier element 2c lie on the diagonal D and are there on on the respective diagonal D running bracket 2e to the 1 known bridges 2 B tethered.

Jeder der vier Rahmen 2c des Trägerelementes 2 weist eine mittige, weitgehend quadratische Öffnung 8 auf. Diese Öffnung 8 weist an den zur Mitte des Leiterrahmens 1 zeigenden Ecken eine Schräge auf.Each of the four frames 2c of the carrier element 2 has a central, largely square opening 8th on. This opening 8th points to the center of the ladder frame 1 pointing corners on a slope.

Obwohl in der 2 lediglich ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Leiterrahmens 1 dargestellt wurde, bieten sich weitere Möglichkeiten an, das Trägerelement 2 im Vergleich zur Grundfläche eines auf das Trägerelement 2 aufzubringenden Halbleiterchips zu reduzieren.Although in the 2 only one embodiment of the lead frame according to the invention 1 has been presented, there are further possibilities, the support element 2 compared to the base of a on the support element 2 To reduce to be applied semiconductor chips.

Das Konzept der Erfindung, die effektive Grundfläche des Trägerelementes 2 auf ein Minimum zu reduzieren, ermöglicht es, Spannungen innerhalb des Gehäuses einer integrierten Schaltungsanordnung zu minimieren, da die thermische Fehlanpassung zwischen Leiterrahmen und Gehäuse weitgehend ausgeschlossen wird. Darüber hinaus wird durch die kleine wirksame Fläche des Trägerelementes 2 eine mögliche Oxidation, insbesondere bei Leiterrahmen aus Kupfer oder Kupfer-Legierungen, auf einen begrenzten Bereich reduziert, so daß das Problem der Delamination ebenfalls vermindert wird.The concept of the invention, the effective base of the support element 2 Minimizing to a minimum makes it possible to minimize voltages within the package of an integrated circuit because the thermal mismatch between leadframe and package is largely eliminated. In addition, due to the small effective area of the support element 2 reduces possible oxidation, particularly in leadframes of copper or copper alloys, to a limited range so that the problem of delamination is also reduced.

11: Leiterrahmenleadframe
22: Trägerelementsupport element
2a2a: Strahlenkörperciliary body
2b2 B: Stegweb
2c2c: Rahmenframe
2d2d: Elementelement
2e2e: Bügelhanger
33: HalbleiterchipSemiconductor chip
55: Stegweb
88th: Öffnungopening
99: Aussparungrecess
1010: Öffnungopening
AA: Achseaxis
BB: Achseaxis
DD: Diagonalediagonal

Claims

Integrated circuit leadframe comprising a metallic base body with a centrally arranged, one-piece support element ( 2 ), on which a semiconductor chip ( 3 ) is mountable and with a plurality around the support element ( 2 ) and later removable via webs ( 5 ) interconnected interconnects ( 6 ), wherein the carrier element ( 2 ) Openings ( 8th ) and / or recesses ( 9 ), which of the aufzusetzenden semiconductor chip ( 3 ) are covered, characterized in that the carrier element ( 2 ) four quadrangular quadrilateral elements ( 2c ) having internal openings, the quadrangular elements ( 2c ) exclusively in the center of the carrier element ( 2 ) are connected to each other in one piece.

Lead frame according to claim 1, characterized in that the lead frame ( 1 ) after removal of the webs ( 5 ) has a rectangular outer contour, and that the carrier element ( 2 ) on four diagonals (D) beam-shaped or star-shaped Trägerendstege ( 2 B ) having.

Lead frame according to claim 1 or 2, characterized in that the carrier element ( 2 ) symmetrical to the vertical axis (A) of the carrier element ( 2 ) is trained.

Leadframe according to one of claims 1 to 3, characterized in that the carrier element ( 2 ) symmetrical to the horizontal axis (B) of the carrier element ( 2 ) is trained.

Leadframe according to one of the preceding claims, characterized in that the leadframe ( 1 ) is formed of copper or a copper alloy.

Lead frame according to one of the preceding claims, characterized in that the support element ( 2 ) Has frame sections with a thickness of about 0.5 mm.

Leadframe according to one of the preceding claims, characterized characterized in that Lead frame has a thickness of about 0.25 mm.