DE19508535A1 - Sputtertarget aus einer Kobalt-Basislegierung mit hohem Magnetfelddurchgriff - Google Patents
Sputtertarget aus einer Kobalt-Basislegierung mit hohem MagnetfelddurchgriffInfo
- Publication number
- DE19508535A1 DE19508535A1 DE19508535A DE19508535A DE19508535A1 DE 19508535 A1 DE19508535 A1 DE 19508535A1 DE 19508535 A DE19508535 A DE 19508535A DE 19508535 A DE19508535 A DE 19508535A DE 19508535 A1 DE19508535 A1 DE 19508535A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- target
- alloy
- cathodic sputtering
- magnetron
- sputtering target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 7
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 13
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Target für die Magne
tronkathodenzerstäubung aus einer Co-Basis-Legie
rung mit Zusätzen aus Cr und mindestens einem der
Elemente Pt, Pd, Ni, Ti, V, Ta, W, B.
Beim Magnetron-Kathodenzerstäuben werden zur Opti
mierung des Zerstäubungsprozesses Permanentmagnete
hinter dem Target (Kathode) so angeordnet, daß
sich vor dem Target, im Entladungsraum, ein Mag
netfeld ausbildet, durch das ein Entladungsplasma
lokalisiert wird. Der Bereich der Target
oberfläche, über dem das Plasma lokalisiert ist,
wird bevorzugt abgestäubt, wodurch sich dort ein
Erosionsgraben bildet.
Bei ferromagnetischen Targets treten dabei haupt
sächlich zwei Probleme auf:
- - Erstens wird der magnetische Fluß der Perma nentmagnete im Target gebündelt, so daß nur ein geringer Fluß in den Entladungsraum dringen kann. Dieses Problem erfordert daher die Verwendung sehr dünner ferromagnetischer Targets.
- - Zweitens bewirkt die lokale Querschnitts abnahme des Targets während der Kathoden zerstäubung (Erosionsgraben) bei ferromag netischen Targets einen zunehmenden Magnet fluß direkt über dem Erosionsgraben. Dadurch tritt lokal eine höhere Ionisierungswahr scheinlichkeit des Zerstäubungsgases und lokal eine höhere Zerstäubungsrate auf, mit der Folge, daß der Erosionsgraben sehr eng wird, verbunden mit einer nur geringen Materialausbeute des Targets.
Verbesserte Magnetfeldgeometrien und ein höherer
Magnetfelddurchgriff können durch aufwendige Tar
getkonstruktionen erreicht werden. Durch Schlitze
im Target, senkrecht zur Richtung des Magnet
feldes, kann der magnetische Widerstand im Target
erhöht werden und ein größeres Feld im
Entladungsraum erreicht werden (K. Nakamura et al.
IEEE Transactions on Magnetics, Bd. MAG-18, 1982,
S. 1080-1082).
Kukla et al. (IEEE Transactions on Magnetics, Bd.
MAG-23, 1987, S. 137-139) beschreiben eine Kathode
für ferromagnetische Materialien, die aus mehreren
Einzeltargets besteht, die in zwei Ebenen überein
ander angeordnet sind, um ein höheres Magnetron-
Magnetfeld zu erreichen. Diese Konstruktionen sind
jedoch teurer und erschweren die Magnetron-
Kathodenzerstäubung. Es sind auch Targets für den
Einsatz in Magnetron-Kathodenzerstäubungsanlagen
bekannt (DE 38 19 906; EP 252 478 81), bei denen
der magnetische Felddurchgriff durch das Ein
stellen einer hexagonalen (0001)-Fasertextur senk
recht zur Targetfläche erreicht werden kann. Dies
erlaubt den Einsatz von Targets mit einer größeren
Ausgangsdicke und führt außerdem zu einem besseren
Ausnutzungsgrad des Targets. Die Fasertextur wird
dabei durch eine Kaltumformung bei Temperaturen
unter 400°C erreicht. Es zeigte sich jedoch, daß
entsprechende Kaltumformungen für Legierungen, die
weitere Zusätze, wie z. B. mehrere Atomprozent Pt
enthalten, bei diesen niedrigen Temperaturen nicht
mehr möglich ist. Verantwortlich hierfür ist die
zu geringe Duktilität des Werkstoffs infolge der
Legierungszusätze.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
ein Targetmaterial auf der Basis von CoPtCr-
Legierungen zu schaffen, das einen möglichst
großen Magnetfelddurchgriff auf Magnetronkathoden
aufweist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Tar
getlegierung gelöst, die 8-18 at.% Pt und 19-21
at.% Cr enthält, so daß die Curietemperatur der
Legierung, definiert als der Schnittpunkt zwischen
der Hochtemperaturasymptoten des Magnetisierungs
verlaufs M(T) mit der Tangente an den Bereich des
schnellsten Abfalls der Magnetisierungskurve M(T),
unterhalb 8°C liegt. Bei einer bevorzugten
Ausführungsform ist ein Teil des Cr-Gehalts durch
ein weiteres Element, wie z. B. Ta, W, Mo, Pd, Ti,
V, Ni, B ersetzt, wobei günstige Legierungsgehalte
im Bereich einiger Atomprozent liegen.
Bei Untersuchungen des Magnetisierungsverhaltens
üblicher Targetlegierungen zeigt sich, daß bei
einigen CoPtCr-Legierungen die Curietemperatur Tc
nicht sehr weit oberhalb der Zimmertemperatur
liegt. Außerdem ergibt sich eine unerwartet starke
Verschiebung von TC mit dem Cr-Gehalt:
während sich der Pt-Gehalt ebenso wie der Gehalt
weiterer Elemente um mindestens eine Größenordnung
schwächer auswirkt.
Es ergibt sich so die unerwartete Möglichkeit, für
Legierungen, die einen Cr-Gehalt knapp unter
20-21 at.% aufweisen, durch geringeres Erhöhen der
Cr-Gehalte Targetlegierungen herzustellen, die bei
Zimmertemperatur aufgrund der Breite des TC-Über
gangs nur noch eine unbedeutende Schwächung des
Magnetfeldes der Magnetronkathode darstellen. Je
nach Pt-Gehalt und eventuellem Gehalt eines
weiteren Elements sind dabei leicht unterschied
liche Cr-Gehalte anzustreben. Von solchen Targets
hergestellte Schichten weisen noch gute Schreib-
und Leseeigenschaften auf, wenn der Cr-Gehalt
21 at.% nicht übersteigt.
Wie Fig. 1 zeigt, ist für eine grafische
Bestimmung der Curie-Temperatur aus dem tempe
raturabhängigen Verlauf der Magnetisierung,
gemessen mit einer Magnetwaage, die Tangente 5 an
den steilsten Abfall der Magnetisierungskurve 6 zu
legen und der Schnittpunkt 7 mit der HT-Asymptote
8 als TC zu ermitteln.
Die in Tabelle 1 aufgeführten Beispiele sollen die
Erfindung näher erläutern. Alle Versuchstargets
wurden durch Schmelzen und Gießen in Stahlkokillen
der entsprechenden Mengenanteile der Ausgangs
substanzen erzeugt. Die Gußstücke wurden an
schließend heißgewalzt und zu Scheiben ⌀ 150 mm ×
6 mm bearbeitet.
Zur einfachen Messung des Streufeldes oberhalb des
Targets wurde ein zylinderförmiger Magnet 1 so
unter der Mitte der Targetscheibe 3 positioniert,
daß eine Feldstärke von 100-300 Oe oberhalb eines
6 mm dicken unmagnetischen Targets vorlag.
Anschließend wurden die Targetscheiben untersucht,
wobei die zur Target ebene senkrechte Feldstärke
komponente Hz direkt über dem Target in der
Symmetrieachse von Target und Magnete mit einer
Hall-Sonde 4 gemessen wurde. Wie Fig. 2 zeigt,
befindet sich die Hall-Sonde 4 gegenüber dem
Magneten 1, wobei zwischen diesem Magneten 1 und
der Sonde 4 ein Abstandshalter 2 aus
unmagnetischem Werkstoff und die Targetscheibe 3
angeordnet sind. Der relative Magnetfelddurchgriff
G ist dann gegeben durch
G = Hz(Target)/Hz(ohne Target)
Claims (2)
1. Target für die Magnetronkathodenzerstäubung,
bestehend aus einer Co-Basislegierung mit
Zusätzen von Cr und mindestens einem der
Elemente Pt, Pd, Ni, Ti, V, Ta, W, B, dadurch
gekennzeichnet, daß die Curietemperatur der
Legierung , definiert als der Schnittpunkt der
Hochtemperaturasymptoten des Magnetisierungs
verlaufs M(T) mit der Tangente an den Bereich
des schnellsten Abfalls der Magnetisierungs
kurve M(T), unterhalb 80°C liegt und die
Legierung 0Pt16 at.% und 19 at.% (Cr+R)23
at.% enthält, wobei ein Teil des Cr durch R
ersetzbar ist, das für mindestens eines der
Elemente Mo, Pd, Ni, Ti, V, Ta, W, B steht.
2. Target nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Legierung 6 at.%Pt20 at.%
und 19 at.%Cr21 at.% enthält.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19508535A DE19508535A1 (de) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | Sputtertarget aus einer Kobalt-Basislegierung mit hohem Magnetfelddurchgriff |
| US08/572,792 US6372104B1 (en) | 1995-03-10 | 1995-12-15 | Cobalt base alloy sputtering target with high magnetic field penetration |
| JP8049969A JPH08260136A (ja) | 1995-03-10 | 1996-03-07 | 高い磁場支配率を有するコバルト基合金からなるスパッタターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19508535A DE19508535A1 (de) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | Sputtertarget aus einer Kobalt-Basislegierung mit hohem Magnetfelddurchgriff |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19508535A1 true DE19508535A1 (de) | 1996-09-12 |
Family
ID=7756234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19508535A Ceased DE19508535A1 (de) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | Sputtertarget aus einer Kobalt-Basislegierung mit hohem Magnetfelddurchgriff |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6372104B1 (de) |
| JP (1) | JPH08260136A (de) |
| DE (1) | DE19508535A1 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10004824A1 (de) * | 2000-02-04 | 2001-08-16 | Balzers Process Systems Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Substraten, Magnetronquelle und Sputterbeschichtungskammer |
| DE102005049328A1 (de) * | 2005-10-12 | 2007-04-19 | W.C. Heraeus Gmbh | Materialmischung, Sputtertarget, Verfahren zu seiner Herstellung sowie Verwendung der Materialmischung |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6521108B1 (en) * | 1998-12-29 | 2003-02-18 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonded sputter target assembly and method of making same |
| US6797137B2 (en) * | 2001-04-11 | 2004-09-28 | Heraeus, Inc. | Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidfied alloy powders and elemental Pt metal |
| JP4466925B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2010-05-26 | 日鉱金属株式会社 | フレキシブル銅基板用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲット |
| US20070007130A1 (en) * | 2005-07-11 | 2007-01-11 | Heraeus, Inc. | Enhanced magnetron sputtering target |
| US20070017803A1 (en) * | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target manufacturing method |
| US20090028744A1 (en) * | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Heraeus, Inc. | Ultra-high purity NiPt alloys and sputtering targets comprising same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0252478A2 (de) * | 1986-07-08 | 1988-01-13 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Target aus Kobalt-Basis für Kathodenzerstäubung und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE3819906C1 (de) * | 1988-06-11 | 1989-08-03 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De | |
| EP0535314A1 (de) * | 1991-08-30 | 1993-04-07 | Mitsubishi Materials Corporation | Zerstäubungstarget aus einer Platin-Kobalt-Legierung und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US5232566A (en) * | 1991-05-14 | 1993-08-03 | International Business Machines Corporation | Underlayer doping in thin film magnetic recording media |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0391258B1 (de) * | 1989-04-04 | 1995-06-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Magnetisches Aufzeichnungsmedium und Herstellungsverfahren desselben |
| JP2763165B2 (ja) * | 1989-07-10 | 1998-06-11 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US5057200A (en) * | 1990-08-15 | 1991-10-15 | Hmt Technology Corporation | Method of forming thin-film recording medium |
| US5180640A (en) * | 1990-10-01 | 1993-01-19 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium comprising a magnetic alloy layer of cobalt nickel, platinum and chromium formed directly on a nickel alloy amorphous underlayer |
| US5149409A (en) * | 1991-01-11 | 1992-09-22 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating thin film metal alloy magnetic recording disks to selectively variable coercivities |
| JPH087859B2 (ja) * | 1991-09-06 | 1996-01-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US5523173A (en) * | 1994-12-27 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording medium with a CoPtCrB alloy thin film with a 1120 crystallographic orientation deposited on an underlayer with 100 orientation |
| US5512150A (en) * | 1995-03-09 | 1996-04-30 | Hmt Technology Corporation | Target assembly having inner and outer targets |
-
1995
- 1995-03-10 DE DE19508535A patent/DE19508535A1/de not_active Ceased
- 1995-12-15 US US08/572,792 patent/US6372104B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-03-07 JP JP8049969A patent/JPH08260136A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0252478A2 (de) * | 1986-07-08 | 1988-01-13 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Target aus Kobalt-Basis für Kathodenzerstäubung und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE3819906C1 (de) * | 1988-06-11 | 1989-08-03 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De | |
| US5232566A (en) * | 1991-05-14 | 1993-08-03 | International Business Machines Corporation | Underlayer doping in thin film magnetic recording media |
| EP0535314A1 (de) * | 1991-08-30 | 1993-04-07 | Mitsubishi Materials Corporation | Zerstäubungstarget aus einer Platin-Kobalt-Legierung und Verfahren zu dessen Herstellung |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP 5-148631 A., In: Patents Abstracts of Japan, C-1115,Sept.29,1993,Vol.17,No.540 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10004824A1 (de) * | 2000-02-04 | 2001-08-16 | Balzers Process Systems Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Substraten, Magnetronquelle und Sputterbeschichtungskammer |
| US6579424B2 (en) | 2000-02-04 | 2003-06-17 | Unaxis Deutschland Gmbh | Method for the production of substrates, magnetron source and sputter-coating chamber |
| DE10004824B4 (de) * | 2000-02-04 | 2009-06-25 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Verfahren zur Herstellung von Substraten, Magnetronquelle, Sputterbeschichtungskammer und Verwendung des Verfahrens |
| DE102005049328A1 (de) * | 2005-10-12 | 2007-04-19 | W.C. Heraeus Gmbh | Materialmischung, Sputtertarget, Verfahren zu seiner Herstellung sowie Verwendung der Materialmischung |
| DE102005049328B4 (de) * | 2005-10-12 | 2007-07-26 | W.C. Heraeus Gmbh | Materialmischung, Sputtertarget, Verfahren zu seiner Herstellung sowie Verwendung der Materialmischung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6372104B1 (en) | 2002-04-16 |
| JPH08260136A (ja) | 1996-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69102324T4 (de) | Dünnfilm magnetisches Material und Verfahren zur Herstellung. | |
| DE69202258T2 (de) | Magnetoresistives Element. | |
| EP0346817B1 (de) | Magnetfeldsensor mit ferromagnetischer, dünner Schicht | |
| DE69233139T2 (de) | Magnetowiderstandseffekt-Element und Magnetowiderstandseffekt-Fühler | |
| DE2855858C2 (de) | Glasartige Legierung mit hoher magnetischer Permeabilität | |
| DE3538852C2 (de) | ||
| DE69200169T3 (de) | Magnetresistive Materialien. | |
| DE69929857T2 (de) | Magnetpolfläche mit niedrigen Wirbelströmen und reduzierter Hysterese in Magnetresonanzabbildungsverfahren | |
| DE69729705T2 (de) | Magnetisches Aufzeichnungsmedium, Herstellungsverfahren für dasselbe und magnetischer Speicher | |
| DE19508535A1 (de) | Sputtertarget aus einer Kobalt-Basislegierung mit hohem Magnetfelddurchgriff | |
| EP0383216B1 (de) | Magnetooptische Schicht und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE3440386C2 (de) | ||
| DE69619166T2 (de) | Magnetoresistiver Wandler mit "Spin-Valve" Struktur und Herstellungsverfahren | |
| DE4238861C2 (de) | Vorrichtung zur Bestimmung der Position eines axial beweglichen Körpers | |
| EP0143433B1 (de) | Magnetischer Aufzeichnungsträger | |
| DE69318251T2 (de) | Weichmagnetischer mehrschichtiger Dünnfilm zum Gebrauch in einem Dünnfilmmagnetkopf und Herstellungsverfahren dafür | |
| DE3541621A1 (de) | Anordnung zum abscheiden einer metallegierung | |
| DE3616006C2 (de) | ||
| DE68924017T2 (de) | Senkrechte Anisotropie in Dünnfilmvorrichtungen. | |
| EP0572465A1 (de) | Mehrschichtensystem für magnetoresistive sensoren und verfahren zu dessen herstellung. | |
| DE69226562T2 (de) | Kombinierter Lese-/Schreibe-Magnetkopf | |
| DE3440384C2 (de) | ||
| DE69205462T2 (de) | Senkrechter magnetischer Film und magnetischer Aufzeichnungsträger. | |
| EP0120260A2 (de) | Magnetfeldsensor und einen Magnetfeldsensor enthaltender Positionssensor | |
| EP0144851B1 (de) | Aufstäubung von Permalloy-Schichten |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8131 | Rejection |