DE19503358A1 - Siebkettenfilter und entsprechendes Verfahren - Google Patents
Siebkettenfilter und entsprechendes VerfahrenInfo
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Classifications
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
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- H03H9/6433—Coupled resonator filters
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Funkfrequenzvorrichtun
gen, insbesondere Funkfrequenzfilter und im speziellen Funk
frequenzfilter die akustische Wellen einsetzen.
Bei Funkwellenkommunikationseinrichtungen besteht ein anhal
tendes Bedürfnis die entsprechenden Komponenten zu miniatu
risieren. Beispielsweise besteht bei folgenden Einrichtungen
ein Bedürfnis kleinere und effizientere Komponenten zu ha
ben: leichte Hand-portable zellulare Telefone, schnurlose
lokale Netzwerke zum Verbinden von Computersystemen in Büro
gebäuden in leicht rekonfigurierbarer Weise, Paging-Vorrich
tungen in Armbanduhrgröße und Kreditkartengröße sowie bei
anderen Einrichtungen zur schnellen und effizienten flexi
blen Sprach- und Daten-Kommunikation.
Filter werden für eine Vielzahl derartiger Kommunikationsan
wendungen benötigt, wobei gleichzeitig eine geringe Größe,
geringes Gewicht und eine gute Leistung gefordert ist. Eine
ansteigende Anzahl von Produkten versucht feste spektrale
Quellen einzusetzen, um Aufgaben zu lösen, die vorher nicht
zur Debatte standen. Beispiele hierfür sind zellulare Tele
fone, Verbindungen zwischen Computern und zwischen Computern
und Hilfsgeräten etc. Der Wunsch zunehmend komplizierte Kom
munikationsknoten portabel, tragbar sowie auf Taschenformat
zu bringen, stellt extreme Anforderungen an die Filtertech
nologie dar, wenn man die wachsende Anzahl von Funkfrequenz
quellen betrachtet.
Akustische Wellenfilter stellen Filter zur Verfügung, die
folgende Kriterien erfüllen: (i) sie sind extrem robust,
(ii) sie erlauben einfache Massenherstellung, (iii) sie
benötigen keine Nachstellungen während der gesamten Lebens
zeit und (iv) sie weisen stark verbesserte Eigenschaften im
Hinblick auf das Leistungs-/Größenverhältnis in einem Fre
quenzband zwischen einigen zehn MegaHertz bis zu einigen
GigaHertz auf. Jedoch stellen das Bedürfnis nach geringen
Einführungsverlusten im Durchgangsband und das gleichzeitige
Bedürfnis nach einem hohen Formfaktor und hoher Stopband
schwächung Anforderungen an das Filterdesign, die nicht ein
fach mit einem einzigen akustischen Wellenfilter allein ge
löst werden können.
Ein Ansatz um diesen Bedürfnissen und Forderungen gerecht zu
werden besteht darin, zwei oder mehr akustische Wellenfilter
hintereinander zu schalten. Dieser Ansatz realisiert erhöhte
Stopbandsignaldämpfung, erfordert jedoch zusätzliche Anpaß
komponenten (z. B. Induktoren und/oder Kapazitäten) und er
höht auch die Größe und das Gewicht akustischer Wellenfilter
und die Anzahl der Filter die hintereinander geschaltet wer
den. Anpaßkomponenten sind zusätzlich hinsichtlich der Größe
und des Gewichts unvorteilhaft, da jeder Wandler zumindest
zwei Anpaßkomponenten benötigt, von denen jeder zumindest so
groß ist wie der akustische Wellenfilter selbst.
Ein Ansatz besteht darin zwei oder mehr derartiger Filter
auf einem einzigen Substrat aufzubringen, wobei die Filter
so ausgelegt sind, daß sie reine reale Impedanzen aufweisen
die aufeinander abgestimmt sind, so daß keine störenden
Anpaßkomponenten mehr benötigt werden. Eine Realisierung
enthält eine Serie-Parallelanordnung von Resonanzelementen
mit gestuften Mittenfrequenzen die in einer Kettenstruktur
angeordnet sind, d. h. einer Struktur die aus hintereinander
geschalteten Abschnitten (Kaskadenabschnitten) bestehen, von
denen jeder ein Serienresonanzelement gefolgt von einem
Nebenschlußresonanzelement aufweist. Typischerweise wird für
jeden Abschnitt die Antiresonanzfrequenz des Nebenschlußele
ments so gewählt, daß sie die Resonanzfrequenz des beilie
genden Serienelements aufweist, wodurch reine reale Ein
gangs- und Ausgangsimpedanzen erhalten werden. Nachteile
dieses Ansatzes bestehen darin, daß bei einer Implementation
mit SAW-Resonatoren eine feste Bandbreite für den elektro
mechanischen Kopplungskoeffizienten (k²) der mit diesem
gewählten Substratmaterial assoziiert ist, vorliegt. Frühere
Siebkettenfilterstrukturen verwendeten piezoelektrischen
Serien und/oder Nebenschlußelemente die auf extrem schmale
Bandbreiten abgestimmt waren, im Bereich zwischen 0,01% bis
0,1%, wobei dies teilweise deshalb geschah, da sie mit
piezoelektrischen Materialien mit sehr geringen elektrome
chanischen Kopplungskoeffizienten implementiert waren. All
gemein ist bei einem herkömmlichen Ansatz dann, wenn drei
Charakteristiken hinsichtlich Filtermaterial, Impedanz,
Selektivität und Bandbreite spezifiziert sind, die vierte
Charakteristik auch bereits bestimmt.
Es besteht daher ein Bedürfnis nach einer Siebkettenfilter
konfiguration/Design, bei dem eine flexible Bandbreite,
geeignete Außenbanddämpfung und geringe in-Band Einfügungs
verluste auftreten, und wobei keine externen Anpaßkomponen
ten benötigt werden, und ein Drift-freier Betrieb möglich
ist sowie eine Realisierung in kompakter monolithischer Form
ermöglicht wird.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Bandpaßfilter sowie
ein Verfahren angegeben, mit dem es möglich ist einen Band
paßsiebkettenfilter mit einer Mittenfrequenz, einem ersten
Eingang und einem zweiten Eingang herzustellen. Das Verfah
ren enthält die Schritte des Bereitstellens eines ersten
L-Netzwerks mit einer ersten Verbindung, einer zweiten Verbin
dung und einer induktiven Impedanz bei der Mittenfrequenz
und das Bereitstellen eines zweiten L-Netzwerks mit einer
ersten Verbindung, einer zweiten Verbindung und einer kapa
zitiven Impedanz bei der Mittenfrequenz. Das Verfahren weist
weiterhin die Schritte des Koppelns der ersten Verbindung
des ersten L-Netzwerks mit dem ersten Eingang, das Koppeln
der ersten Verbindung des zweiten L-Netzwerks mit der zwei
ten Verbindung des ersten L-Netzwerks und das Koppeln der
zweiten Verbindung des zweiten L-Netzwerks mit dem zweiten
Eingang auf.
Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wer
den im folgenden unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen näher erläutert.
Dabei zeigen die Zeichnungen im
einzelnen:
Fig. 1 eine vereinfachte Ansicht eines akustischen
Wellenresonators mit optionalen Reflektoren;
Fig. 2 ein schematisches Schaltbild eines vereinfachten
äquivalenten Schaltkreises für den Resonator der
Fig. 1;
Fig. 3 eine vereinfachte Ansicht eines Siebkettenfilters
mit drei Abschnitten gemäß der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 4 eine vereinfachte Ansicht eines Siebkettenfilters
mit vier Abschnitten;
Fig. 5 eine gemessene Frequenzantwort und eine Beschrei
bung des Siebkettenfilters der Fig. 4; und
Fig. 6 ein Blockschaltbild eines Abschnitts einer Funk
frequenzvorrichtung die Siebkettenfilter gemäß der
vorliegenden Erfindung enthält.
Fig. 1 zeigt eine stark vereinfachte Ansicht eines akusti
schen Wellenresonators 10 enthaltend einen akustischen Wel
lenwandler 13 mit ineinandergreifenden Elektroden 19 (im
folgenden auch als "Finger-" oder "Fingerelektroden" be
zeichnet) die abwechselnd mit einem ersten Anschluß 17 oder
einem zweiten Anschluß 18 über Sammelschienen (bus bars) 12,
12′ verbunden sind. Der Resonator 10 kann Reflektoren 11,
11′ aufweisen die auf jeder Seite des Wandlers 13 in der
Hauptausbreitungsrichtung der akustischen Welle 14, 16 ange
ordnet sind. Die Reflektoren 11, 11′ weisen typischerweise
Metallelektroden anlog zu den Elektroden 19 auf, welche ent
weder voneinander elektrisch isoliert sind oder mit nur
einer der Sammelschienen 12, 12′ innerhalb eines bestimmten
Reflektors 11, 11′ verbunden sind oder die innerhalb eines
bestimmten Reflektors 11, 11′ miteinander elektrisch verbun
den sind, jedoch nicht mit Gegenständen (features) außerhalb
des bestimmten Reflektors 11, 11′.
Die Elektroden 19 sind typischerweise periodisch und defi
nieren eine bestimmte akustische Wellenlänge, bei der der
Wandler 13 eine charakteristische akustische Mittenfrequenz
(center frequency) zusammen mit einer Mittenfrequenzwellen
länge für die akustische Energie, in Antwort auf das Anlegen
einer elektrischen Anregung mit geeigneter Frequenz an den
Anschlüssen 17, 18, abgibt. Die Elektroden 19 sollten ein
Viertel der Mittenfrequenzwellenlänge betragen, d. h. entlang
der Richtungen 14, 16, jedoch können auch andere Dimensionen
entsprechend der Auslegung des Resonators 10 gewählt werden.
Die Reflektoren 11, 11′ enthalten typischerweise Elektroden
oder andere reflektierende Strukturen die ein Viertel der
Wellenlänge, gemessen entlang den Richtungen 14, 16, betra
gen, da die Elektroden mit dieser Breite dazu tendieren
reflektierend zu wirken, jedoch können auch andere Weiten,
welche geeignete Reflektionscharakteristiken aufweisen, ver
wendet werden und diese Weiten können entsprechend den für
den Resonator 10 verwendeten Materialien, einschließlich dem
Substrat 9, sowie entsprechend den Reflektionscharakteristi
ken gewählt werden.
Der Resonator 10 ist vorzugsweise auf einer polierten Ober
fläche des Substrats 9 mittels photolithographischer Verfah
ren aufgebracht, ähnlich wie sie zur Herstellung anderer
mikroelektronischer Komponenten verwendet werden und die
Richtungen 14 und 16 sind vorzugsweise genau auf die bevor
zugte kristallographische Achse ausgerichtet, durch die die
gewünschte akustische Wandler-, Ausbreitungs- und Reflek
tionscharakteristiken bereitgestellt werden.
Fig. 2 zeigt ein schematisches Schaltbild eines vereinfach
ten äquivalenten Schaltkreises für den Resonator 10 der Fig.
1. Die Werte für die Komponenten Co, Cm- L, R wie sie in
Fig. 2 gezeigt sind, können mittels der Gleichungen 1-3, der
Geometrie des Wandlers 13 und der relevanten Materialkon
stanten, bestimmt werden. R kann zu Null gemacht werden
(d. h. ignoriert werden) oder über empirische Daten bestimmt
werden. In der Praxis wird man öfters einige Ohm beobachten
können. R repräsentiert Bulk-Wellenstrahlung (Körperwellen
strahlung), akustische Ausbreitung weg von dem Empfangs
wandler, Metallwiderstand, Deffraktionseffekte und andere
Verluste die in den Resonanzelementen angetroffen werden.
Die statische Kapazität Co wird wie folgt bestimmt:
Co = CeNW (1)
wobei Ce einen Materialparameter darstellt, der die Kapazi
tät pro Finger und pro cm beschreibt (für viele Materialien
in einer Vielzahl von Lehrbüchern tabuliert), N die Anzahl
der Wandlerfingerpaare repräsentiert (d. h., der Paare der
Elektroden 19 in dem Wandler 13 der Fig. 1) und W die Über
lappung der Elektroden 19 in cm angibt (senkrecht zu den
Richtungen 14 und 16).
Die Bewegungskapazität Cm steht in folgender Beziehung zur
statischen Kapazität Co:
Cm = (8k²Co)/(π²) (2)
wobei k² den elektromechanischen Kopplungskoeffizient
(tabuliert in einer Vielzahl von Lehrbüchern für piezoelek
tronische Materialien), repräsentiert. Die Bewegungsindukti
vität L ergibt sich zu:
L = 1/(Cmωr²) (3)
wobei ωr die Radian-Wandlerresonanzfrequenz darstellt.
wobei ωr die Radian-Wandlerresonanzfrequenz darstellt.
Die Admittanz Y die zwischen den Anschlüssen 17 und 18 der
Fig. 2 gemessen wird ergibt sich zu:
Y = jωCo + 1/(R + j(ωL - 1/(ωCm))) (4)
Die Admittanz Y weist eine Resonanzfrequenz ωr auf die übli
cherweise nahe bei und etwas kleiner ist als die akustische
Mittenfrequenz (etwa die Schallgeschwindigkeit dividiert
durch die akustische Wellenlänge die mit der Periodizität
der Elektroden 19 des Wandlers 13 assoziiert ist):
ωr = (Lcm)-0,5 (5)
und die Antiresonanzfrequenz ωa:
ωa = ωr(1 + Cm/Co)0,5 (6)
oder
ωa = ωr(1 + 8k²/π²)0,5 (7)
Die Antiresonanzfrequenz ωa ist stets größer, als die Reso
nanzfrequenz ωr und zwar um ein Verhältnis, das durch den
elektromechanischen Kopplungskoeffizient k² (Gleichung 7)
bestimmt wird. Für extrem hohe Kopplungskoeffizienten (z. B.
k² < 5%), kann es nötig werden einen geeigneten Kopplungs
koeffizienten empirisch zu bestimmen, da die physikalischen
Beziehungen zwischen den Parametern (z. B. der akustischen
Wellenlänge, der Strahlungskonduktanz, ωa, ωr etc.) und die
akustische Mittenfrequenz nicht immer richtig abgeschätzt
werden können. Gemäß der vorliegenden Erfindung werden vor
zugsweise Kopplungskoeffizienten größer als 0,0001, noch
bevorzugterweise größer als 0,01 und vorzugsweise größer als
0,05, insbesondere bevorzugt größer als 0,07 und ganz bevor
zugterweise größer als 0,10 eingesetzt.
Fig. 3 zeigt eine vereinfachte Ansicht eines Siebketten
filters (ladder filter) 30 mit drei Abschnitten, welcher
erste und zweite Eingänge 31, 32 aufweist. Der Siebketten
filter 30 weist typischerweise eine Durchlaßbandbreite um
eine Mittenfrequenz (center frequency) fo auf. Der Siebket
tenfilter mit drei Abschnitten 30 weist einen ersten Ab
schnitt 33 auf, der ein Serienelement 34 und ein Neben
schlußelement (shunt element) 35 aufweist, der zweite Ab
schnitt 33′ weist ein Serienelement 34′ und ein Neben
schlußelement 35′ auf und der dritte Abschnitt 33′′ weist ein
Serienelement 34′′ und ein Nebenschlußelement 35′′ auf. In
einer Ausführungsform können die Serienelemente 34 und 34′′
identisch gewählt werden, das gleich gilt für die Neben
schlußelemente 35 und 35′′. Ein viertes Serienelement (nicht
gezeigt) könnten zwischen dem Serienelement 34′′ und dem Ein
gang 32 geschaltet sein, wobei das Nebenschlußelement 35′′
mit dem Serienelement 34′′ gekoppelt sein könnte.
Der zweite Abschnitt 33′ kann so gewählt werden, daß er eine
geringere Bandbreite aufweist und entsprechend zumindest
über einen Teil des Filterdurchlaßbandes eine induktive
Impedanzcharakteristik aufweist. Dabei können der erste
Abschnitt 33 und/oder der dritte Abschnitt 33′′ so gewählt
werden, daß sie eine breitere Bandbreite aufweisen und über
den gleichen Filterdurchlaßabschnitt eine entsprechende
kapazitive Impedanzcharakteristik über den gleichen Durch
laßbandabschnitt aufweisen, derart, daß die induktive
Charakteristik des zweiten Abschnitts 33′ im wesentlichen
die kapazitiven Einflüsse von der Kombination des ersten und
zweiten Abschnitts 33, 33′′ auslöscht.
Alternativ kann der zweite Abschnitt 33′ so gewählt werden,
daß er eine breitere Bandbreite aufweist und über einen Teil
des Filterdurchlaßbandes eine kapazitive Impedanz aufweist.
Die Kombination des ersten und dritten Abschnitts weist dann
ein schmäleres Durchlaßband auf und über einen Teil des Fil
terdurchlaßbereiches eine induktive Impedanz, wobei die
kapazitive Impedanzkomponente des zweiten Abschnitts 33′ im
wesentlichen die induktiven Anteile von der Kombination aus
erstem und drittem Abschnitt über zumindest einen Teil des
Filterdurchlaßbereiches auslöscht.
Die ersten und zweiten Abschnitte 33, 33′ können eine kombi
nierte Reaktanz aufweisen, die im wesentlichen die reaktive
Impedanzkomponente des dritten Abschnitts 33′′ auslöscht oder
der erste Abschnitt 33 kann eine Reaktanz aufweisen die im
wesentlichen die reaktive Impedanzkomponente der Kombination
aus zweitem und drittem Abschnitt auslöscht.
Im allgemeinen können die kombinierten reaktiven Impedanzen
jeder Gruppe von Abschnitten zu gleichen Teilen von den ent
sprechenden Abschnitten bewirkt werden. Sie können mehr von
einem der Abschnitte oder einer Gruppe von Abschnitten
beeinflußt werden oder sie können im wesentlichen von nur
einer Untermenge von Abschnitten oder einem einzigen
Abschnitt bewirkt werden. Weiter können die kombinierten
Impedanzen, wenn eine komplexe Last oder Quellimpedanz
gewünscht ist oder erforderlich ist, so gewählt werden, daß
sie komplex-konjugiert dazu sind.
Herkömmliche Siebkettenfilter weisen typischerweise Elemente
auf, bei denen die Resonanzfrequenz der Serienelemente so
gewählt wird, daß sie gleich der Antiresonanzfrequenz der
Nebenschlußelemente sind. In herkömmlichen Allpaß-(Lattice)-Filtern
die Quarzresonanzelemente verwenden, beträgt der
elektromechanische Kopplungskoeffizient k² typischerweise
weniger als 0,5%, wodurch die fraktionale Bandweite (die
Bandweite dividiert durch die Mittenfrequenz) die für diese
Filter erzielbar ist, auf sehr geringe Werte begrenzt wird.
Entsprechend der vorliegenden Erfindung wurde gefunden, daß
die Verwendung wesentlich höherer Kopplungskoeffizienten
materialien (z. B. LiNbO₃, LiTaO₃ usw.) eine größere Streuung
zwischen Resonanz- und Antiresonanzfrequenzen bewirkt. Bei
spielsweise bewirkt 64° LiNbO₃ einen Kopplungskoeffizienten
im Bereich von 9% bis 13%, 41° LiNbO₃ einen Kopplungskoeffi
zienten im Bereich von 15-25% und 36° LiTaO₃ einen Kopp
lungskoeffizienten im Bereich von 6,5-8%. Diese erhöhte
Frequenzsteuerung gestattet eine höhere Designfreiheit.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wurde weiter festgestellt,
daß, wenn die Resonanzfrequenz ωr des Serienresonanzelements
so gewählt wird, daß sie kleiner ist als die Antiresonanz
frequenz ωa des Nebenschlußresonanzelements, ein L-Abschnitt
erhalten wird, der eine geringere Bandbreite aufweist als
bei herkömmlichen Ansätzen (Resonanzfrequenz ωr des Serien
resonanzelements gleich der Antiresonanzfrequenz ωa des
Nebenschlußelements) und daß darüber hinaus eine positive
imaginäre Impedanzkomponente (d. h., eine induktive Reaktanz)
bei der gewünschten Filtermittenfrequenz fo erhalten wird.
In gleicher Weise führt die Auswahl der Resonanzfrequenz ωr
für das Serienresonanzelement auf einen Wert der größer ist
als die Antiresonanzfrequenz ωa des Nebenschlußelements zu
einem Abschnitt mit größerer Bandbreite als bei herkömmli
chen Ansätzen und darüber hinaus zu einer negativen imaginä
ren Impedanzkomponente (d. h., einer kapazitiven Reaktanz)
bei der gewünschten Filtermittenfrequenz fo. Das Kombinieren
eines Filterabschnitts mit negativer Impedanzkomponente mit
einem Filterabschnitt mit einer positiven Impedanzkompo
nente erlaubt es die komplex-konjugierten Impedanzen zwi
schen den Abschnitten aufeinander abzustimmen, wodurch
geringere Verluste bei und nahe der Filtermittenfrequenz fo
erreicht werden und eine größere Flexibilität für die Fil
terbandbreiteauswahl erreicht wird.
Fig. 4 zeigt eine vereinfachte Ansicht eines Siebkettenfil
ters 40 mit vier Abschnitten, welcher erste und zweite elek
trische Eingänge (ports) 31 und 32 aufweist. Die Wandler
enthalten Serienelemente 42, 42′, 47, 47′ und Nebenschluß
elemente 43, 43′ sowie 48, 48′, welche typischerweise Haupt
ausbreitungsrichtungen für die akustischen Wellen aufweisen
(analog zu den Richtungen 14 und 16 der Fig. 1) die mit der
allgemein bevorzugten Achse, d. h. parallel zueinander, über
einstimmen. In diesem Beispiel werden die Endabschnitte 41
und 41′ so gewählt, daß sie identische Elemente aufweisen
und in gleicher Weise werden die mittleren Abschnitte 46 und
46′ ausgewählt. Die Endabschnitte 41 und 41′ weisen Serien
elemente 42, 42′ und Nebenschlußelemente 43, 43′ mit ent
sprechenden Resonanzfrequenzen ωr bei 925,8 MHz und 199,7
MHz auf, während die mittleren Abschnitte 46 und 46′ Serien
elemente 47 und 47′ und Nebenschlußelemente 48 und 48′ auf
weisen die entsprechend 944,2 MHz und 882,6 MHz für die
Resonanzfrequenzen ωr aufweisen.
Weiterhin wurde festgestellt, daß die Auswahl der Resonanz
frequenz des Serienresonanzelements 42 nahe der Antireso
nanzfrequenz des Nebenschlußelements 48 und die Auswahl der
Resonanzfrequenz des Serienelements 47 nahe bei der Anti
resonanzfrequenz des Nebenschlußelements 43 zu einer Durch
laßcharakteristik und einer komplex-konjugierten Anpassung
des Abschnitts 41 mit dem Abschnitt 46 führt (bei einer Fil
termittenfrequenz, Zin ca. 50 + j20 Ω auf einer Seite des
Abschnitts 41, wenn die andere Seite mit 50 Ω abgeschlossen
ist). Dies stellt die in Tabelle 1 mit Design 1 bezeichnete
Filterausführung dar. Alternativ kann der Abschnitt 41 so
gewählt werden, daß die kapazitive Impedanz bei der Filter
mittenfrequenz liegt und der Abschnitt 46 die konjugierte
Impedanz aufweist.
Tabelle I. Gemessene Siebkettenfiltereigenschaften für
mehrere Siebkettenfilterdesigns die mit Oberflächen
wellenresonator hergestellt wurden, die 301 Elektroden
mit einer akustischen Strahlungsbreite von 43,9
Mikrometern auf 54° Y-rotiertem LiNbO₃ aufweisen.
Alle Designs weisen 7, 8 oder 9 Resonatoren auf, zeigen gute
Einführungsverluste (IL) und erreichen relativ große Band
breiten von 4,5 dB und 20 dB (BW). Ein Vergleich der Designs
1, 4 und 5 mit den ähnlichen Designs 2 und 3 zeigt, daß die
letzte Unterdrückung (ultimate rejection) für die Siebket
tenfilter zum Teil durch das Kapazitätsverhältnis (Cap.
rat., das Verhältnis der Serien-Co zum Nebenschluß-Co) be
stimmt wird. Bei Frequenzen die weiter von der Mittenfre
quenz fo beabstandet sind, agieren die Serien- und Neben
schlußelemente als kapazitive Spannungsdividierer um die
letzte (außerhalb der Bandbreite) Schwächung (ultimate
attenuation) oder Zurückweisung zu bestimmen. Ein Vergleich
der Designs 1, 2 und 5 und 6 zeigt, daß, wenn die Anzahl der
L-Abschnitte ansteigt, die letzte Zurückweisung auch
ansteigt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Resonanzfrequenz
ωr und die Antiresonanzfrequenz ωa der Serien- und Neben
schlußelemente geeignet bestimmt, indem Schaltkreisoptimie
rungswerkzeuge, wie beispielsweise SuperCompact® von Pater
son, New York, verwendet werden. Ein Verfahren sieht vor,
eine Serie von Resonanzfrequenzen ωr und/oder Antiresonanz
frequenzen ωa gemäß Gleichung 7 einzugeben, wobei die Anti
resonanzfrequenzen ωa der Nebenschlußelemente etwa gleich
der Resonanzfrequenzen ωr der Serienelemente ist und dann
die Schaltoptimierungswerkzeuge zu verwenden, um einen modi
fizierten Satz von Resonanzfrequenzen ωr und Antiresonanz
frequenzen ωa zu bestimmen. Ein modifiziertes Beispiel eines
SuperCompact-Eingabefiles ist unten gezeigt, wobei dieses
zum Beispiel 1 korrespondiert und die Antwort ist in Fig. 5
gezeigt.
Ein Eingabefile entsprechend diesem Beispiel führt zu
Co1 = Co2 = 2,8798 pF, Co3 = Co4 = 2,7524 pF, F1 = 831,94
MHz, F2 = 845,41 MHz, F3 = 806,1 MHz und F4 = 792,84 MHz
wenn Gradienten- (quasi-Newton Gradientenverfahren mit
kleinsten Quadraten) und Zufallsoptimierer verwendet werden.
Siebkettenfilter mit oberflächen-akustischen Wellenresonato
ren und insbesondere Resonatoren die für relativ breitban
dige Anwendung ausgelegt sind, können einfach skaliert wer
den indem der Abstand (die Periodizität) der Resonatorwand
lerfinger (19, Fig. 1) geändert wird, während die Verhält
nisse der Resonanzfrequenzen ωr wie sie durch die Schalt
kreisanalysewerkzeuge und andere Verfahren erhalten wurden,
beibehalten werden. Dies erlaubt es einem Designer ein glei
ches Design bei einer etwas unterschiedlichen Mittenfrequenz
fo wiedereinzusetzen, welches dann eine ähnliche Spezifika
tion aufweist oder erlaubt eine schnelle zwei Iterationen-
Konvergenz zu einem gewünschten Satz von Filtercharakteri
stiken, wenn das Verhältnis zwischen der Resonanzfrequenz ωr
und der akustischen Wandler-Mittenfrequenz vorher unbekannt
ist (z. B. bei Materialien mit sehr hohen Kopplungskoeffizi
enten, bei denen herkömmliche Ansätze zu schlechteren
Designs führen).
Fig. 5 zeigt eine Kurve bei einer gemessenen Frequenzantwort
51 (durchgezogene Linie) und eine Spezifikation 52, 52′
(gestrichelte Linie) für den Siebkettenfilter 40 der Fig. 4
der gemäß dem Parameter für das Design 1 der Tabelle I her
gestellt wurde und entsprechend dem SuperCompact-Beispiel,
wie es oben beschrieben wurde, optimiert wurde, jedoch über
einen unterschiedlichen Frequenzbereich. Der gemessene Mit
tenfrequenz-Einführungsverlust von 2,5 dB fällt zwischen die
spezifizierten Einführungs-Verlustgrenzen von 0 dB und 4,5 dB,
während die gemessene 4,5 dB-Bandbreite 4,9% oder 45,7 MHz
beträgt, was in Übereinstimmung mit der maximalen und
minimalen Bandbreite von 76,9 und 27,9 MHz steht. Die Außen
bandunterdrückung überschreitet 30 dB über den gemessenen
Bereich (780 bis 1080 MHz), im Gegensatz zu den mindestens
benötigten 20 dB.
Die Wandler verwendeten 301 Elektroden mit einer akustischen
Bandbreite von 43,9 Mikrometern auf 64° Y-rotiertem NiNbO₃.
Die gemessenen Charakteristiken 51 stellen "Raum" für tempe
raturbedingte und durch andere Umwelteinflüsse bedingte
Änderungen bei den Filtercharakteristiken dar und erlauben
bei der Herstellung für die einzelnen Elemente Variationen
vorzusehen, die die Charakteristiken der gebauten Einrich
tungen beeinflussen, wodurch ein robustes und herstellbares
Filterdesign erhalten wird.
Fig. 6 zeigt ein Blockschaltbild des Abschnitts 1800 eines
Funkfrequenzempfängers oder einer anderen Funkfrequenzvor
richtung die Siebkettenfilter gemäß der vorliegenden Erfin
dung enthalten. Die Vorrichtung 1800 umfaßt eine Antenne
1801, die zum Empfangen und/oder Übertragen von Signalen
dient. Alternativ kann die Antenne 1801 durch eine Glas
faserverbindung, eine Kabelverbindung oder durch ein anderes
Signalübertragungsmedium ersetzt werden.
Der Diplexer 1803 ist mit der Antenne 1801 und einem Über
tragungsabschnitt (nicht gezeigt) gekoppelt. Der Diplexer
1803 ist ein Filter für einen speziellen Zweck, welcher die
empfangenen Signale (jedoch nicht viel größere Signale von
dem benachbarten Übertrager) zum Filter 1807 über einen
optionalen Anpassungsschaltkreis 1805 koppelt. Der Filter
1807 ist mit dem Verstärker 1811 über ein optionales Anpaß
element 1809 gemäß der vorliegenden Erfindung gekoppelt. Der
Ausgang des Verstärkers 1811 wird zum Filter 1815 über das
optionale Anpaßelement 1813 gemäß der vorliegenden Erfindung
gekoppelt. Der Filter 1815 überträgt seinen Ausgang an den
Mischer 1819 über das optionale Anpaßelement 1817. Das
Signal vom Filter 1815 wird im Mischer 1819 mit einem ande
ren Signal vom lokalen Oszillator 1825, der über einen
Filter 1829 gekoppelt ist, kombiniert. Die Anpaßelemente
1827, 1831 und 1821 weisen vorzugsweise Filter 1823 und 1829
auf. Das Ausgangssignal vom Mischer 1819 wird dann durch den
Filter 1823 gefiltert, um ein ZF-Ausgangssignal zur Verfü
gung zu stellen. Die Anordnung der vorliegenden Erfindung
kann verwendet werden, um einen oder alle Filter 1803, 1807,
1815, 1823, 1829 zur Verfügung zu stellen. Ein Oszillator
und ein Filter analog zu LO 1825 und ein Filter 1829 können
zusammen mit einem geeigneten Verstärker und einem Modulator
eingesetzt werden, um ein Signal "vom Übertrager" zur Verfü
gung zu stellen und dieser Filter (bekannt als "Übertra
gungs-clean-up-Filter") kann auch gemäß der vorliegenden
Erfindung zur Verfügung gestellt werden.
Somit wurde ein Siebkettenfilter beschrieben, der spezielle
Probleme beseitigt und einige Vorteile gegenüber früheren
Verfahren und Mechanismen aufweist. Die Verbesserungen sind
dabei bedeutend. Die hohen Kosten, die Komplexität und die
hohe Teilezahl von früheren Kaskaden-Filtern wird vermieden.
Weiter werden reale Eingangs- und Ausgangsimpedanzen für
kompakte, leichte und einstellungsfreie Filter zusammen mit
einer verbesserten Designflexibilität erreicht.
Claims (20)
1. Verfahren zum Herstellen eines Bandpaß-Siebketten
filters (ladder filter) mit einer Mittenfrequenz, einem
ersten und einem zweiten Eingang, wobei das Verfahren
folgende Schritte aufweist:
Bereitstellen eines ersten L-Netzwerks, welches eine erste Verbindung, eine zweite Verbindung und eine induktive Impedanz bei der Mittenfrequenz aufweist;
Bereitstellen eines zweiten L-Netzwerks mit einer ersten Verbindung, einer zweiten Verbindung und einer kapazitiven Impedanz bei der Mittenfrequenz;
Koppeln der ersten Verbindung des ersten L-Netzwerks mit dem ersten Eingang;
Koppeln der ersten Verbindung des zweiten L-Netzwerks mit der zweiten Verbindung des ersten L-Netzwerks; und
Koppeln der zweiten Verbindung des zweiten L-Netzwerks mit dem zweiten Eingang.
Bereitstellen eines ersten L-Netzwerks, welches eine erste Verbindung, eine zweite Verbindung und eine induktive Impedanz bei der Mittenfrequenz aufweist;
Bereitstellen eines zweiten L-Netzwerks mit einer ersten Verbindung, einer zweiten Verbindung und einer kapazitiven Impedanz bei der Mittenfrequenz;
Koppeln der ersten Verbindung des ersten L-Netzwerks mit dem ersten Eingang;
Koppeln der ersten Verbindung des zweiten L-Netzwerks mit der zweiten Verbindung des ersten L-Netzwerks; und
Koppeln der zweiten Verbindung des zweiten L-Netzwerks mit dem zweiten Eingang.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die kapazitive Impedanz des zweiten L-Netzwerks eine
Reaktanz aufweist, die im wesentlichen gleich der Größe
einer Reaktanz der induktiven Impedanz des ersten
L-Netzwerks bei der Mittenfrequenz ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 bei dem der Schritt des
Bereitstellens eines ersten L-Netzwerks durch folgende
Schritte charakterisiert wird:
Bereitstellen eines ersten Resonanzelements mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer ersten Resonanzfrequenz und einer ersten Antiresonanzfrequenz;
Bereitstellen eines zweiten Resonanzelements mit einer zweiten Resonanzfrequenz und einer zweiten Antireso nanzfrequenz, wobei die erste Resonanzfrequenz kleiner ist als die zweite Antiresonanzfrequenz;
Koppeln des ersten Anschlusses des ersten Resonanzele ments mit der ersten Verbindung des ersten L-Netzwerks;
Koppeln des zweiten Anschlusses des ersten Resonanzele ments mit der zweiten Verbindung des ersten L-Netz werks; und
Koppeln des zweiten Resonanzelements auf Masse mit dem zweiten Anschluß des ersten Resonanzelements.
Bereitstellen eines ersten Resonanzelements mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer ersten Resonanzfrequenz und einer ersten Antiresonanzfrequenz;
Bereitstellen eines zweiten Resonanzelements mit einer zweiten Resonanzfrequenz und einer zweiten Antireso nanzfrequenz, wobei die erste Resonanzfrequenz kleiner ist als die zweite Antiresonanzfrequenz;
Koppeln des ersten Anschlusses des ersten Resonanzele ments mit der ersten Verbindung des ersten L-Netzwerks;
Koppeln des zweiten Anschlusses des ersten Resonanzele ments mit der zweiten Verbindung des ersten L-Netz werks; und
Koppeln des zweiten Resonanzelements auf Masse mit dem zweiten Anschluß des ersten Resonanzelements.
4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei der Schritt des
Bereitstellens eines zweiten L-Netzwerks durch folgende
Schritte gekennzeichnet ist:
Bereitstellen eines dritten Resonanzelements mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer dritten Resonanzfrequenz und einer dritten Antiresonanz frequenz;
Bereitstellen eines vierten Resonanzelements mit einer vierten Resonanzfrequenz und einer vierten Antireso nanzfrequenz, wobei die dritte Resonanzfrequenz größer als die vierte Antiresonanzfrequenz ist;
Koppeln des ersten Anschlusses des dritten Resonanz elements mit der ersten Verbindung des zweiten L-Netz werks;
Koppeln des zweiten Anschlusses des dritten Resonanz elements mit der zweiten Verbindung des zweiten L-Netz werks; und
Koppeln des vierten Resonanzelements auf Masse mit dem zweiten Anschluß des dritten Resonanzelements.
Bereitstellen eines dritten Resonanzelements mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer dritten Resonanzfrequenz und einer dritten Antiresonanz frequenz;
Bereitstellen eines vierten Resonanzelements mit einer vierten Resonanzfrequenz und einer vierten Antireso nanzfrequenz, wobei die dritte Resonanzfrequenz größer als die vierte Antiresonanzfrequenz ist;
Koppeln des ersten Anschlusses des dritten Resonanz elements mit der ersten Verbindung des zweiten L-Netz werks;
Koppeln des zweiten Anschlusses des dritten Resonanz elements mit der zweiten Verbindung des zweiten L-Netz werks; und
Koppeln des vierten Resonanzelements auf Masse mit dem zweiten Anschluß des dritten Resonanzelements.
5. Verfahren nach Anspruch 3 bei dem der Schritt des
Bereitstellens der ersten und zweiten Resonanzelemente
durch folgende Schritte gekennzeichnet ist:
Bereitstellen eines ersten Resonanzelements mit einem ersten akustischen Resonator mit einer ersten Resonanz frequenz und der ersten Antiresonanzfrequenz, wobei die erste Resonanzfrequenz ωr1 mit der ersten Antiresonanz frequenz ωa1 in folgender Beziehung steht:
Bereitstellen eines zweiten Resonanzelements mit einem zweiten akustischen Resonator mit einer zweiten Reso nanzfrequenz und der zweiten Antiresonanzfrequenz, wo bei die zweite Resonanzfrequenz ωr2 mit der zweiten Antiresonanzfrequenz ωa2 in folgender Beziehung steht: ωa2 = ωr2(1 + 8k²/π²)0,5wobei k² ein elektromechanischer Kopplungskoeffizient eines gewöhnlichen (common) piezoelektrischen Substrats ist, welches die ersten und zweiten akustischen Resona toren enthält.
Bereitstellen eines ersten Resonanzelements mit einem ersten akustischen Resonator mit einer ersten Resonanz frequenz und der ersten Antiresonanzfrequenz, wobei die erste Resonanzfrequenz ωr1 mit der ersten Antiresonanz frequenz ωa1 in folgender Beziehung steht:
Bereitstellen eines zweiten Resonanzelements mit einem zweiten akustischen Resonator mit einer zweiten Reso nanzfrequenz und der zweiten Antiresonanzfrequenz, wo bei die zweite Resonanzfrequenz ωr2 mit der zweiten Antiresonanzfrequenz ωa2 in folgender Beziehung steht: ωa2 = ωr2(1 + 8k²/π²)0,5wobei k² ein elektromechanischer Kopplungskoeffizient eines gewöhnlichen (common) piezoelektrischen Substrats ist, welches die ersten und zweiten akustischen Resona toren enthält.
6. Verfahren nach Anspruch 4, wobei der Schritt des
Bereitstellens der dritten und vierten Resonanzelemente
durch folgende Schritte gekennzeichnet ist:
Bereitstellen eines dritten Resonanzelements mit einem dritten akustischen Resonator mit einer dritten Reso nanzfrequenz und der dritten Antiresonanzfrequenz, wobei die dritte Resonanzfrequenz ωr3 mit der dritten Antiresonanzfrequenz ωa3 in folgender Beziehung steht: ωa3 = ωr3(1 + 8k²/π²)0,5; undBereitstellen eines vierten Resonanzelements mit einem vierten akustischen Resonator mit der vierten Resonanz frequenz und der vierten Antiresonanzfrequenz, wobei die vierte Resonanzfrequenz ωr4 mit der vierten Anti resonanzfrequenz ωa4 in folgender Beziehung steht:ωa4 = ωr4(1 + 8k²/π²)0,5wobei k² ein elektromechanischer Kopplungskoeffizient eines gewöhnlichen piezoelektrischen Substrats ist, welches den dritten und vierten akustischen Resonator enthält.
Bereitstellen eines dritten Resonanzelements mit einem dritten akustischen Resonator mit einer dritten Reso nanzfrequenz und der dritten Antiresonanzfrequenz, wobei die dritte Resonanzfrequenz ωr3 mit der dritten Antiresonanzfrequenz ωa3 in folgender Beziehung steht: ωa3 = ωr3(1 + 8k²/π²)0,5; undBereitstellen eines vierten Resonanzelements mit einem vierten akustischen Resonator mit der vierten Resonanz frequenz und der vierten Antiresonanzfrequenz, wobei die vierte Resonanzfrequenz ωr4 mit der vierten Anti resonanzfrequenz ωa4 in folgender Beziehung steht:ωa4 = ωr4(1 + 8k²/π²)0,5wobei k² ein elektromechanischer Kopplungskoeffizient eines gewöhnlichen piezoelektrischen Substrats ist, welches den dritten und vierten akustischen Resonator enthält.
7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei der Schritt des
Bereitstellens des dritten und vierten Resonanzelements
den Schritt des Bereitstellens eines gewöhnlichen
piezoelektrischen Substrats mit einem Kopplungs
koeffizienten größer als 0,07 enthält.
8. Bandpaß-Siebkettenfilter mit einer Mittenfrequenz,
einem ersten Eingang (port) und einem zweiten Eingang,
wobei der Bandpaß-Siebkettenfilter gekennzeichnet ist
durch:
ein erstes L-Netzwerk mit einer ersten Verbindung, einer zweiten Verbindung und einer induktiven Impedanz bei der Mittenfrequenz; und
ein zweites L-Netzwerk mit einer ersten Verbindung, einer zweiten Verbindung und einer kapazitiven Impedanz bei der Mittenfrequenz, wobei die erste Verbindung des ersten L-Netzwerks mit dem ersten Eingang gekoppelt ist, die erste Verbindung des zweiten L-Netzwerks mit der zweiten Verbindung des ersten L-Netzwerks gekoppelt ist und die zweite Verbindung des zweiten L-Netzwerks mit dem zweiten Eingang gekoppelt ist.
ein erstes L-Netzwerk mit einer ersten Verbindung, einer zweiten Verbindung und einer induktiven Impedanz bei der Mittenfrequenz; und
ein zweites L-Netzwerk mit einer ersten Verbindung, einer zweiten Verbindung und einer kapazitiven Impedanz bei der Mittenfrequenz, wobei die erste Verbindung des ersten L-Netzwerks mit dem ersten Eingang gekoppelt ist, die erste Verbindung des zweiten L-Netzwerks mit der zweiten Verbindung des ersten L-Netzwerks gekoppelt ist und die zweite Verbindung des zweiten L-Netzwerks mit dem zweiten Eingang gekoppelt ist.
9. Filter nach Anspruch 8, wobei die kapazitive Impedanz
des zweiten L-Netzwerks eine Reaktanz aufweist, die
etwa gleich der Größe einer Reaktanz der induktiven
Impedanz des ersten L-Netzwerks bei der Mittenfrequenz
ist.
10. Filter nach Anspruch 8, wobei das erste L-Netzwerk
gekennzeichnet ist durch:
ein erstes Resonanzelement mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer ersten Resonanzfrequenz und einer ersten Antiresonanzfrequenz; und
ein zweites Resonanzelement mit einer zweiten Resonanz frequenz und einer zweiten Antiresonanzfrequenz, wobei die erste Resonanzfrequenz kleiner ist als die zweite Resonanzfrequenz, wobei der erste Anschluß des ersten Resonanzelements mit dem ersten Anschluß des ersten L-Netzwerks gekoppelt ist, der zweite Anschluß des ersten Resonanzelements mit der zweiten Verbindung des ersten L-Netzwerks gekoppelt ist und das zweite Resonanz element mit dem zweiten Anschluß des ersten Resonanz elements nach Masse gekoppelt ist.
ein erstes Resonanzelement mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer ersten Resonanzfrequenz und einer ersten Antiresonanzfrequenz; und
ein zweites Resonanzelement mit einer zweiten Resonanz frequenz und einer zweiten Antiresonanzfrequenz, wobei die erste Resonanzfrequenz kleiner ist als die zweite Resonanzfrequenz, wobei der erste Anschluß des ersten Resonanzelements mit dem ersten Anschluß des ersten L-Netzwerks gekoppelt ist, der zweite Anschluß des ersten Resonanzelements mit der zweiten Verbindung des ersten L-Netzwerks gekoppelt ist und das zweite Resonanz element mit dem zweiten Anschluß des ersten Resonanz elements nach Masse gekoppelt ist.
11. Filter nach Anspruch 10 bei dem das zweite L-Netzwerk
gekennzeichnet ist durch:
ein drittes Resonanzelement mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer dritten Resonanzfrequenz und einer dritten Antiresonanzfrequenz; und
ein viertes Resonanzelement mit einer vierten Resonanz frequenz und einer vierten Antiresonanzfrequenz, wobei die dritte Resonanzfrequenz größer ist als die vierte Antiresonanzfrequenz, der erste Anschluß des dritten Resonanzelements der ersten Verbindung des zweiten L-Netzwerks verbunden ist, der zweite Anschluß des dritten Resonanzelements mit der zweiten Verbindung des zweiten L-Netzwerks gekoppelt ist und das vierte Reso nanzelement mit dem zweiten Anschluß des dritten Reso nanzelements nach Masse gekoppelt ist.
ein drittes Resonanzelement mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer dritten Resonanzfrequenz und einer dritten Antiresonanzfrequenz; und
ein viertes Resonanzelement mit einer vierten Resonanz frequenz und einer vierten Antiresonanzfrequenz, wobei die dritte Resonanzfrequenz größer ist als die vierte Antiresonanzfrequenz, der erste Anschluß des dritten Resonanzelements der ersten Verbindung des zweiten L-Netzwerks verbunden ist, der zweite Anschluß des dritten Resonanzelements mit der zweiten Verbindung des zweiten L-Netzwerks gekoppelt ist und das vierte Reso nanzelement mit dem zweiten Anschluß des dritten Reso nanzelements nach Masse gekoppelt ist.
12. Filter nach Anspruch 10, wobei der Filter gekennzeich
net ist durch:
das erste Resonanzelement enthält einen ersten akusti schen Resonator mit der ersten Resonanzfrequenz und der ersten Antiresonanzfrequenz, wobei die erste Resonanz frequenz ωr1 mit der ersten Antiresonanzfrequenz ωa1 in folgender Beziehung steht: ωa1 = ωr1(1 + 8k²/π³)0,5; unddas zweite Resonanzelement einen zweiten akustischen Resonator mit der zweiten Resonanzfrequenz mit der zweiten Antiresonanzfrequenz enthält, wobei die zweite Resonanzfrequenz ωr2 mit der zweiten Antiresonanz frequenz ωa2 in folgender Beziehung steht:ωa2 = ωr2(1 + 8k²/π²)0,5wobei k² ein elektromechanischer Kopplungskoeffizient eines gewöhnlichen piezoelektrischen Substrats ist, welches die ersten und zweiten akustischen Resonatoren enthält.
das erste Resonanzelement enthält einen ersten akusti schen Resonator mit der ersten Resonanzfrequenz und der ersten Antiresonanzfrequenz, wobei die erste Resonanz frequenz ωr1 mit der ersten Antiresonanzfrequenz ωa1 in folgender Beziehung steht: ωa1 = ωr1(1 + 8k²/π³)0,5; unddas zweite Resonanzelement einen zweiten akustischen Resonator mit der zweiten Resonanzfrequenz mit der zweiten Antiresonanzfrequenz enthält, wobei die zweite Resonanzfrequenz ωr2 mit der zweiten Antiresonanz frequenz ωa2 in folgender Beziehung steht:ωa2 = ωr2(1 + 8k²/π²)0,5wobei k² ein elektromechanischer Kopplungskoeffizient eines gewöhnlichen piezoelektrischen Substrats ist, welches die ersten und zweiten akustischen Resonatoren enthält.
13. Filter nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß,
das dritte Resonanzelement einen dritten akustischen
Resonator mit der dritten Resonanzfrequenz und der
dritten Antiresonanzfrequenz enthält, wobei die dritte
Resonanzfrequenz ωr3 mit der dritten Antiresonanz
frequenz ωa3 in folgender Beziehung steht:
la3 = ωr3(1 + 8k²/π²)0,5; unddas vierte Resonanzelement einen vierten akustischen
Resonator mit der vierten Resonanzfrequenz und der
vierten Antiresonanzfrequenz enthält, wobei die vierte
Resonanzfrequenz ωr4 mit der vierten Antiresonanz
frequenz ωa4 in folgender Beziehung steht:ωa4 = ωr4(1 + 8k²/π²)0,5wobei k² ein elektromechanischer Kopplungskoeffizient
eines gewöhnlichen piezoelektrischen Substrats ist,
welches den dritten und vierten akustischen Resonator
enthält.
14. Filter nach Anspruch 13, wobei das gewöhnliche
piezoelektrische Substrat einen Kopplungskoeffizient
von größer als 0,07 aufweist.
15. Funkeinheit, aufweisend einen Bandpaß-Siebkettenfilter
mit einer Mittenfrequenz, einem ersten Eingang und
einem zweiten Eingang, dadurch gekennzeichnet, daß der
Filter ein Substrat enthält mit einem piezoelektrischen
Material mit einem elektromechanischen Kopplungs
koeffizienten;
einen ersten Resonator mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer ersten Resonanzfrequenz und einer ersten Antiresonanzfrequenz, wobei der erste
Resonator auf dem Substrat angeordnet ist und der erste Anschluß mit dem ersten Eingang gekoppelt ist;
einen zweiten Resonator mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer zweiten Resonanzfrequenz und einer zweiten Antiresonanzfrequenz, wobei der zweite Resonator auf dem Substrat angeordnet ist und der erste Anschluß des zweiten Resonators mit dem zwei ten Anschluß des ersten Resonators gekoppelt ist und der zweite Anschluß des zweiten Resonators mit Masse gekoppelt ist, um ein erstes L-Netzwerk zu bilden, wel ches eine induktive Impedanz bei der Mittenfrequenz aufweist;
einem dritten Resonator mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer dritten Resonanzfrequenz und einer dritten Antiresonanzfrequenz, wobei der dritte Resonator auf dem Substrat angeordnet ist und der erste Anschluß des dritten Resonators mit dem zwei ten Anschluß des ersten Resonators gekoppelt ist und der zweite Anschluß des dritten Resonators mit dem zweiten Eingang gekoppelt ist; und
einem vierten Resonator mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer zweiten Resonanzfrequenz und einer zweiten Antiresonanzfrequenz, wobei der vierte Resonator auf dem Substrat angeordnet ist, der erste Anschluß des vierten Resonators im zweiten Anschluß des dritten Resonators gekoppelt ist und der zweite Anschluß des vierten Resonators mit Masse gekop pelt ist, und wobei der dritte und vierte Resonator ein zweites L-Netzwerk aufweisen, welches eine kapazitive Impedanz bei der Mittenfrequenz aufweist, und wobei die kapazitive Impedanz etwa die induktive Impedanz bei der Mittenfrequenz auslöscht.
einen ersten Resonator mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer ersten Resonanzfrequenz und einer ersten Antiresonanzfrequenz, wobei der erste
Resonator auf dem Substrat angeordnet ist und der erste Anschluß mit dem ersten Eingang gekoppelt ist;
einen zweiten Resonator mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer zweiten Resonanzfrequenz und einer zweiten Antiresonanzfrequenz, wobei der zweite Resonator auf dem Substrat angeordnet ist und der erste Anschluß des zweiten Resonators mit dem zwei ten Anschluß des ersten Resonators gekoppelt ist und der zweite Anschluß des zweiten Resonators mit Masse gekoppelt ist, um ein erstes L-Netzwerk zu bilden, wel ches eine induktive Impedanz bei der Mittenfrequenz aufweist;
einem dritten Resonator mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer dritten Resonanzfrequenz und einer dritten Antiresonanzfrequenz, wobei der dritte Resonator auf dem Substrat angeordnet ist und der erste Anschluß des dritten Resonators mit dem zwei ten Anschluß des ersten Resonators gekoppelt ist und der zweite Anschluß des dritten Resonators mit dem zweiten Eingang gekoppelt ist; und
einem vierten Resonator mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß, einer zweiten Resonanzfrequenz und einer zweiten Antiresonanzfrequenz, wobei der vierte Resonator auf dem Substrat angeordnet ist, der erste Anschluß des vierten Resonators im zweiten Anschluß des dritten Resonators gekoppelt ist und der zweite Anschluß des vierten Resonators mit Masse gekop pelt ist, und wobei der dritte und vierte Resonator ein zweites L-Netzwerk aufweisen, welches eine kapazitive Impedanz bei der Mittenfrequenz aufweist, und wobei die kapazitive Impedanz etwa die induktive Impedanz bei der Mittenfrequenz auslöscht.
16. Filter nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß
die ersten, zweiten, dritten und vierten Resonatoren
Oberflächen-Akustikwellenwandler aufweisen.
17. Filter nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß
die ersten, zweiten, dritten und vierten Resonatoren
Oberflächen-Akustikwellenwandler aufweisen, die erste,
zweite, dritte und vierte akustische Resonanzfrequenzen
und erste, zweite, dritte und vierte akustische Mitten
frequenz-Wellenlängen aufweisen, wobei der erste Wand
ler Elektroden mit einer Länge von ein Viertel der er
sten akustischen Mittenfrequenz-Wellenlänge aufweist,
der zweite Wandler Elektroden mit einem Viertel der
zweiten akustischen Mittenfrequenz-Wellenlänge in bezug
auf die Breite aufweist, der dritte Wandler Elektroden
mit einem Viertel der dritten akustischen Mittenfre
quenz-Wellenlänge in bezug auf die Breite und der
vierte Wandler Elektroden mit einem Viertel der vierten
akustischen Mittenfrequenz-Wellenlänge in bezug auf die
Breite, aufweisen.
18. Filter nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß
die ersten, zweiten, dritten und vierten Resonatoren
Oberflächen-Akustik-Wellenwandler aufweisen, von denen
jeder akustische Reflektoren aufweist die nahe den
Oberflächen-Akustik-Wellenwandlern und in einer Haupt
ausbreitungsrichtung der akustischen Welle angeordnet
sind.
19. Filter nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß
das Substrat 64° rotiertes Lithiumniobat aufweist.
20. Filter nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß:
der erste Resonator einen ersten akustischen Resonator mit einer ersten Resonanzfrequenz und einer ersten Antiresonanzfrequenz aufweist, wobei die erste Reso nanzfrequenz ωr1 mit der ersten Antiresonanzfrequenz ωa1 in folgender Beziehung steht: ωa1 = ωr1(1 + 8k²/π²)0,5;der zweite Resonator einen zweiten akustischen Resona tor aufweist mit einer zweiten Resonanzfrequenz und einer zweiten Antiresonanzfrequenz, wobei die zweite Resonanzfrequenz ωr2 mit der zweiten Antiresonanz frequenz ωa2 in folgender Beziehung steht:la2 = ωr2(1 + 8k²/π²)0,5,wobei die erste Resonanzfrequenz kleiner ist als die zweite Antiresonanzfrequenz;
der dritte Resonator einen dritten akustischen Resona tor mit einer dritten Resonanzfrequenz mit einer drit ten Antiresonanzfrequenz aufweist, wobei die dritte Resonanzfrequenz ωr3 mit der dritten Antiresonanz frequenz ωa3 in folgender Beziehung steht:ωa3 = ωr3(1 + 8k²/π²)0,5; undder vierte Resonator einen vierten akustischen Resona tor mit einer vierten Resonanzfrequenz und einer vier ten Antiresonanzfrequenz aufweist, wobei die vierte Resonanzfrequenz ωr4 mit der vierten Antiresonanz frequenz ωa4 in folgender Beziehung steht:ωa4 = ωr4(1 + 8k²π²)0,5,
wobei k² ein elektromechanischer Kopplungskoeffizient eines Substrats ist und wobei die dritte Resonanz frequenz größer ist als die vierte Resonanzfrequenz.
der erste Resonator einen ersten akustischen Resonator mit einer ersten Resonanzfrequenz und einer ersten Antiresonanzfrequenz aufweist, wobei die erste Reso nanzfrequenz ωr1 mit der ersten Antiresonanzfrequenz ωa1 in folgender Beziehung steht: ωa1 = ωr1(1 + 8k²/π²)0,5;der zweite Resonator einen zweiten akustischen Resona tor aufweist mit einer zweiten Resonanzfrequenz und einer zweiten Antiresonanzfrequenz, wobei die zweite Resonanzfrequenz ωr2 mit der zweiten Antiresonanz frequenz ωa2 in folgender Beziehung steht:la2 = ωr2(1 + 8k²/π²)0,5,wobei die erste Resonanzfrequenz kleiner ist als die zweite Antiresonanzfrequenz;
der dritte Resonator einen dritten akustischen Resona tor mit einer dritten Resonanzfrequenz mit einer drit ten Antiresonanzfrequenz aufweist, wobei die dritte Resonanzfrequenz ωr3 mit der dritten Antiresonanz frequenz ωa3 in folgender Beziehung steht:ωa3 = ωr3(1 + 8k²/π²)0,5; undder vierte Resonator einen vierten akustischen Resona tor mit einer vierten Resonanzfrequenz und einer vier ten Antiresonanzfrequenz aufweist, wobei die vierte Resonanzfrequenz ωr4 mit der vierten Antiresonanz frequenz ωa4 in folgender Beziehung steht:ωa4 = ωr4(1 + 8k²π²)0,5,
wobei k² ein elektromechanischer Kopplungskoeffizient eines Substrats ist und wobei die dritte Resonanz frequenz größer ist als die vierte Resonanzfrequenz.
Applications Claiming Priority (1)
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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