DE1947665C3 - Speicheranordnung mit seriellem Zugriff - Google Patents

Description

3. Speicheranordnung nach Anspruch 1 und 2, 35 seits darauf zu achten, daß sie groß genug ist, um dadurch gekennzeichnet, daß das Steuermedium eins Umkehr des Bereichs und die gewünschte Lese-(70) von einem elektrisch leitenden Stab, der mit Geschwindigkeit sicherzustellen, andererseits darauf, einer magnetischen Schicht überzogen ist, oder daß sie klein genug bleibt, um ein gleichzeitiges Umvon einem magnetischen Stab gebildet ist und daß klappen an mehreren Stellen, das heißt eine Bildung als Speichermedium iängs des Stabes eine Anzahl 40 von mehreren Bloch-Wänden und eine irrtümliche von den Stab umgebenden magnetischen Schei- Löschung der gespeicherten Information, zu vermeiben (74, 76, 78) angeordnet ist. den. Dies ist lediglich mit sehr aufwendigen Mitteln

4. Speicheranordnung nach Anspruch 3, da- zu erreichen und insbesondere dann schwierig, wenn, durch gekennzeichnet, daß die magnetischen wie im Falle von Speicheranordnungen, zusätzliche Scheiben (74, 76, 78) kreisförmig ausgebildet sind 45 weitere Felder vorhanden sind, weiche sich diesen und daß der magnetische Stab (70) durch deren Feldern überlagern. Für eine praktische Realisierung, Mitte hindurchgeht. insbesondere in Massenproduktionen, ist daher die

5. Speicheranordnung nach Anspruch 3 oder 4, oben beschriebene, von einer wandernden Blochdadurch gekennzeichnet, daß die Scheiben (74, Wand gesteuerte Speicheranordnung wenig geeignet. 76, 78) aus einem Glassubstrat und einer Über- 5° Es ist ferner bekannt (Buch »Ferromagnetism« von zugsschicht aus magnetischem Material bestehen. Richard M. Bozorth, 6. Auflage, Seiten 494 bis498),

6. Speicheranordnung nach Anspruch 5, da- daß bei einigen Materialien dann, wenn die Umkehdurch gekennzeichnet, daß der Überzug aus einem rung eines Bereiches der Magnetisierung mit der dazu magnetischen Material besteht, das eine in Um- notwendigen Kraft begonnen worden ist, für die weifangsrichtung der Scheiben (74, 76, 78) verlau- 55 tere Umkehrung der Magnetisierung in dem Bereich fende Richtung leichter Magnetisierbarkeit auf- nur eine kleinere Kraft notwendig ist, wenn diese weist. Materialien einer mechanischen Spannung unterworfen werden.

Eine Nickel-Eisen-Legierung mit etwa 79% Ni, 60 die im Handel erhältlich ist, stellt ein gutes Beispiel

für die vielen Stoffe dar, in welchen diese Erscheinung

möglich ist. Die Hystereseschleife dieses Materials unter mechanischer Spannung ist in F i g. 2 dargestellt. Sie zeigt eine Schwellen-Kennlinie, bei welcher

Die Erfindung betrifft eine Speicheranordnung mit 65 die Erzeugung eines Bereichs oder Bezirks eatgegenseriellern Zugriff mit wenigstens einem magnetischen gesetzter Magnetisierung ein Feld erfordert, dessen Speiehennediüm und init einem magnetischen Steuer- Stärke gleich oder größer als Hs ist. Die Fortpflanmedium, das zur Fortpflanzung einer ausgelösten zung einer vorhandenen Bloch-Wand erfordert ein

1 947 685

Feld_gleich Ho oder stärker. Ein Feld, welches stiir- eines magnetischen Spcichemicditim», dessen Schlch-

kcr ist als Ho, jedoch schwächer als Hs, ruft die ten eine magnetisch erzeugte Anisotropie aufweinen,

Fortpflanzung einer vorhandenen Bioch-Wand ohne welche ein« leichte und zwei harte Magnetisierungs-

Evzeugung unerwünschter neuer Bezirke hervor. Die richtungen gemäß Fi g, 5 B ergibt,

Beziehung zwischen Ho, Hs und der mechanischen S Fig, 6 die Umschalteigcnschnften der magne-

Spannimg für die genannte Legierung ist in Fig, 3 A tischen Schicht unter d»r Wirkung von Feldern in

dargestellt. Ein Vergleich dieser Bo/icIiunK mit der in einer leichten oder einer harten Magnctisierungsrich-

Fig. 3B dargestellten Beziehung für eine andere lung,

Eisen-Nickcl-Legierung mil etwa 14% Ni, die eben- F i g. 7 eine bevorzugte Ausführungsform der kom-

falls im Handel erhältlich ist, zeigt die wesentlichen io binicrlen Anordnung des magnelischcn Stabes und

Unterschiede zwischen den beiden Stoffen. Er zeigt einer Mehrzahl von Scheiben mit dünnen magneauch die besondere Eignung der erstgenannten Lc- tischen Schichten,

gicrung für die Anwendung als Magnetspeicher der F i g. 8 und 8 B eine Scheibe mit dünner magne-

hier angesprochenen Art. tischer Schicht in ihrem normalen bzw, gestörten Ma-

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine 15 gnetisierungszustand,

Speicheranordnung der eingangs genannten Gattung Fig. 9 eine Abschirmung, welche über der Stab-

zu schaffen, bei der die Empfindlichkeit gegenüber Scheibenanordnung gemäß Fig. 7 angeordnet ist und der Stärke des anliegenden Magnetfeldes verringert der Abtastung durch die wandernde Bloch-Wand '^l§ gist und eine Schutzwirkung gegen une-wünschtcs Um- bildet,

§§ -klappen der Bereiche sowie gegen eine versehentliche 20 Fig. IO eine andere Ausführungsform der Erfin-Il Löschung der gespeicherten Information erreicht dung, die statt der mehreren kreisförmigen Speicher-Irwird. scheiben gemäß Fig. 7 einen einzigen, fortlaufenden

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch ge- Streifen als magnetisches Speichermedium aufweist,
§ löst, daß mit dem Steuermedhim, in dem die Bloch- Fig. 11 einen typischen Magnetisierungszustand

|§ Wand wandert, eine Einrichtung verbunden ist, die 35 des in Fig, 10 gezeigten Speiebermediums,
§i auf das Steuermedium eine mechanische Spannung Fig. 12A, 12B und 12C den magnetischen Zu-

% ausübt, und daß die magnetische Schicht des Steuer- stand des Speichermediums vor, während bzw. nach ■| mediums aus einem Material besteht, dessen der Abtastung durch die wandernde Bloch-Wand, H Hystereseschleife unter Einwirkung der media- und

|| nischen Spannung eine Einschnürung aufweist, auf 30 Fig. 13 mehrere Arbeits-Impulsdiagramme der in H Grund der die Fortpflanzung der durch ein Start- Fig. 10 dargestellten Speicheranordnung.
J magnetfeld ausgelösten Bloch-Wand mittels eines Fig. 1 zeigt prinzipiell einen magnetischen Stab

f Magnetfelds, das kleiner ist als das Startmagnetfeld, 10, durch den sich eine wandernde Bloch-Wand 20 bewirkt w Wd. fortpflanzen soll. Beim Betrieb möge der Stab It eine

Ej ist noch eine Anordnung bekannt (deutsche 35 ursprüngliche Magnetisierung in Richtung des Pfeils

' Auslegeschrift 1 218 519), bei der zur Speicherung 14 aufweisen. Wird nun ein statisches Magnetfeld 16,

f digitaler Daten in einem magnetischen S₁^. crme- dessen Größe Ho zum Umschalten oder Umklappen I: diurn mechanische Spannungen angewendet werden. des Stabes 10 nicht ausreicht, in der entgegengesetzten r Bei dieser Anordnung wird jedoch das Speicher- Richtung angelegt, so geschieht nichts, bis ein neuer - i.iedium zeitlich sich ändernden Spannungen unter- 40 Weißscher Bezirk 18 erzeugt wird, welcher eine

ί worfen, die sich darin als mechanische Schwingungen Bloch-Wand oder Ticnnfläche zwischen dem ur-

fortpflanzen. Hierdurch erreicht man, daß sich in dem sprünglichen Bezirk 14 und dem neuen Bezirk 18

Speichermedium magnetische Anisotropien ausbilden, bildet. Sodann pflanzt sich diese neue Bloch-Wand

\ die zu einem Wechsel der magnetischen Vorzugsrich- durch den Stab fort, bis derselbe in dieser neuen Rich- \ tung führen. Ein derartiger Speicher ist teuer un>; 45 tung22 gesättigt ist. Es kann also erreicht werden,

schwierig herzustellen, zudem anfällig und relativ daß sich eine Bloch-Wand vom einen Ende des maj. langsam. Im Gegensatz hierzu wird bei der vorliegen- gnetischen Stabes 10 zum anderen Ende bewegt, wo-

' den Erfindung das Speichermedium keinen mecha- bei Geschwindigkeiten von 400 m/sec und darüber er-

nischen Kräften unterworfen, und lediglich das Steuer- reicht werden.

medium ist fest eingespannt, womh sich eine sehr 50 Fig 4 zeigt die Form einer Bloch-Wand50 in hohe Abtastgeschwindigkeit mit minimalen Zugriff- einem magnetisierten Stab 40 der beschriebenen Art zeiten zu den Speichern erreichen läßt. im Schnitt. An der Oberfläche der Bloch-Wand ist

An Kai d der Figuren wird die Erfindung beispiels- eine große Magnetflußdichte vorhanden. Dieses weise näher erläutert. Es zeigt Magnetfeld ist von der Mitte des Stabes radial nach

F i g. 1 eine Ansicht eines Stabes mit wandernder 55 außen gerichtet.

Bloch-Wand. Die Bloch-Wand 5· hat eine Breite von etwa

F i g. 2 auf die oben schon Bezug {genommen wor- 5000 A. Bei Verwendung der obenerwähnte« Leden ist, eine charakteristische Hystereseschleife eines gierung mit 79 % Nickel würde der Magnetfluß in der Materials, in welchem die Erscheinung der wandern- Oberfläche des Stabes etwa 7000 Gauß betragen. In den Bloch-Wand auftritt, 60 kurzem Abstand vom Stab 40 fällt das Feld auf

Fig. 3 A und 3B, die ebenfalls schon erwähnt einige Oersted ab.

worden sind, Diagramme der Beziehungen zwischen Ein weiter unten erläutertes Speichermediuni i;ützt

Ho, Hs und der mechanischen Spannung in zwei ge- Eigenschaften aus, welche sich beispielsweise in einer

eigneten Stoffen, Nickel-Eisen-Legierung mit etwa 82% Ni finden, die

F i g. 4 einen Schnitt, der eine Bloch-Wand in 65 ebenfalls im Handel erhältlich ist. Filme oder dünne

einem magnetisierten Stab des betrachteten Materials Schichten aus diesem Material haben eine magne-

reigt, tisch hervorgerufene Anisotropie, welche eine leichte

F i g. 5 A, 5 B und 5 C die Hystereseeigenschaften und zwei harte Magnetisierungsrichtungen ergibt, wie

graphisch in Fig. 5 dargestellt ist. Die Umschalt- denz eines UmfangsfeldesHc und eines radialen

eigenschaften unter dem Einfluß von Feldern in den Feldes Hd erforderlich. Dies wird erreicht, indem ein

leichten und harten Magnetisierungsrichtungen sind Stromimpuls längs des Stabes geschickt wird (bei-

in Fi g. 6 gezeigt. Diese Figur zeigt, daß ein Feld mit spielsweise positiv -ur Speicherung einer »1« negativ

der Starkeß in der horizontalen oder leichten Magne- 5 zur Speicherung einer »0«), und zwar im deichen

iisierungsrichtung die Schicht nicht stört, wenn nicht Zeitpunkt, in dem die Bioch-Wand oder Bereichs-

gleichzeitig ein Feld mit der Stärke A oder darüber wand an der jeweiligen Schicht vorbeigeht, in welcher

in der vertikalen oder harten Magnetisiertingsrichtung die binäre Information gespeichert werden soll

angewendet wird. Das Feld in der vertikalen Magne- Eine Reihe von Stromimpulsen von der mit dem

f isicrungsnchtung stört selbst den statischen Speicher- w linken Ende des Stabes 70 verbundenen StromimpuJs-

^ZU Tu vⁿl «· uu ■ λ ■ u, ,,. ■ i^{!UeHe während} des Durchgangs der Bioch-Wand Ahnliche Eigenschaften sind m blockformigen und bringt oder schreibt der Reihe nach Information in streifen- oder bandförmigen Stoffen durch Kaltwal- die Scheiben 74, 76 und 78 mit der dünnen Magnetzen und Glühen, durch magnetisches Glühen und schicht.

durch Anwendung von Magnetfeldern während des 15 Nachdem die Bioch-Wand 80 entlang dem Stab

Herstellungsverfahrens, wie Elektroplattieren oder 70 gelaufen ist, muß der magnetische Z-rtand des

Niederschlagen, erzielbar. ganzen Stabes zurückgestellt werden. Dies wird

^VTTl: ^ElgenSCS^ftl^nkoT^{n dUrdl dUrch Umk}<*™ d Vöß d Vi

g s zurückgestellt werden. Dies wird

VrTTl: H ^Elge,^nSCS^ftlⁿ _w ^koT^{n dU},^{rdl d}.^{Urch Umk}<*™ und Vergrößern des Vormagneti-Verfahren an dem die Bioch-Wand tragenden sierungsfeldes (H_BIAS) in einem zur Rückorientierung

wi? Ti ' Th ^CS "S"? ^FOnT ^{aö deS Berdches} «"Senden Ausmaß bewirkt, oder A

flachen Sf b " ' "" ^ ^UmkehrsP^ulc mit einem Umkehrstrom.m-

Im folgenden werden zwei Ausführungsformen der n^netisiSSfiS^ v^ndÄef eI ist findu ltt D it i Sb ?

Im folgenden werden zwei Ausführungsformen der n^netisiSSfiS^ v^ndÄef eI ist Erfindung erläutert. Die eine weist einen Stab mit auch Möglich? die RichtungderBloch Wand durch wandernder Bioch-Wand mit einer Vielzahl von »5 Umkehret des VormaSsieruSd« S in Shib it dü Mthih f SSSfi ^

rnder BiochWand mit einer Vielzahl von »5 Umkehret des

Scheiben mit dünner Magnetschicht auf, weiche einem geeigneten SSSfi

nacheinander längs des Stabes angeordnet sind. Eine Eine solche Speicheranordnung St viele nütz-

Stromimpulsquelle und ein Leseverstärker zum liehe Anwendungsmöglichkeiten Bei Se 'weise Vmn

Lesen und Schreiben an den Scheiben sind gemein- die Geschwindigkeit der BlocSvaS dureh d« FeW

sam m,t dem magnetischen Stab verbunden. Die 30 H_ms gesteuert-werden, sHaß S e?nc veränder-

zweite Ausfuhrungsfo,m weist ebenfa s einen Stab liehe T>atcnühprtr*„„„„<. u ■ ■ 1 · -Ij

mit wandernder Bioch-Wand auf. Das magnetische auf diese Weis^ eine PT ! ^g ^ °-f' ·"?

Speichermedium besitzt jedoch die Form eines fort- Durch Umkeh enTes fid«T ^g "ff ^Wf

laufenden Streifens, welcher an dem Stab anliegt, und emerBeWn^e nS?w ^er ^und «f ^rv°^rrufcn

ein getrennter Lese-Schreibleiter ist zwischen dem 35 sirtendSinfd^e S^Wand vom ^elende zum

Stab und dem Speichermedium angeordnet. henfoTge gdesen werden «"gekehrten Rc-

Diem Fig. 7 gezeigte Anordnung weist eine Sfari- Die Bioch-WanH Rp,«^,,, ι · , α ι ■

spule 72 und eine Vielzahl von Scheiben 74, 76 und Stab uSehrt SZW ·κ" ^J" α'''·"!!

78 mit dünner Magnetschicht auf. Diese Kombina- gleM, eTner mechaniS^' ?" ^⁸ ' "',"I" .^Bet"^eb

tion biidet eine Prundleeendi- «inpirl«.«-«- —:4a ^l .. ΪΖ.:".?. ^er.^m„^echa.^niscnen Bewegungsumkehr in einc!"

Erfindung. Um die ind^r ^le^pdcie^Inf^ma- " ""w'enn" "Γη'ϊίη^'^ _ΓΙ , -

tion zu lesen, wird durch einen Stromimpuls in der welche auT einen St^h πί r'f⁸^ ^verwe"^det'

Startspule 72 eine Bioch-Wand 80 ge .artet oder in eestanelf <inH !« 1»«? ?u ^mFl&-⁷ gezeigten Form

Gang gesetzt, die unter dem Einfluß des VormagneZ Se" von ?25 Bitsie Ά T ^^^«"f

sierungsfeldes H,_ins in Richtung des Pfeiles 75 längs 45 ten mit iispfelsweise ioofin Γ' "' ^Dlcke.^S.^chi^ch-

des Stabes 70 wandert. Wenn die Bioch-Wand an serune der S Sfflh ^I0000A.^werden *ur Verbes-

einem Magnetschichtelemen. 74 vorbeigeht, wird Ts ?e"urfgswe_{ß ir}f trtlhlTZ^ ?*■ *" ^f^'

Element dem Feld Hd idem Feld der Wand) in der ein Slkfssener KS ^f» Magnetisierungsrichtung

schweren (radialen) Magnetisierungsrichtung unter- und d_ner S J^ ^ ^ ·* " ^ ' ^

worfen. Wie in den Fig. 8 A und 8B gezeigt wird 50 Sekunde hST^^^'"digkeit von 240 m je

dadurch die Magnetisierung der Schicht gestörtZd 117 MHz ⁸ Datenübertragungsfrequenz

aus ihrem Normalzutd (Fi 8A) i d Z '

gung der Schicht gestörtZd 117 MHz ggq

aus ihrem Normalzustand (Fig. 8A) in den Zustand 'ßner der FaTftnn.n ™ 1 1, ^- .. τ·

gemäß Fig.8B gebracht. Dadurch wird der magne- f ähfckeit diese αΪοΗπ ^WelcJ^er. ^d'^e. T° ^Ie Le'stungs-

fische Zustand nicht zerstört oder »dauernd gestört« die Streu»™ rf,^n ?% ^bef^intracht'g^{en kann}< ^ist

Es wird definiert, daß eine im Uhrzeigerlnn der 55 verhid I h ΐ ""^¹^· ^ ^dieS/^U

ört oder »dauernd gestört« die Streu»™ rf,^n

Es wird definiert, daß eine im Uhrzeigerlnn der 55 verhindern It eh ΐ -^ ^ u/ Scheibe 76 gespeicherte Information bei Störung eine aus Stabend dünn ^ΓΓ^Τ ^BaUte'' ^{Über d}? Spannung längs des Stabes erzeugt, welche am Start- nünf anwbrach nl *'?" ^beste'^ienden/nprdendc negativ und am Zielende positiv ist. Dies wird Rück JA A S _n ^Ab _o ^sc^^irmunS ^erS^{ibl einen} als »!« bezeichnet. Im Gegenzeigersinn gesnefchS «Ϊλ Ί I^ ^^aß.^netfluß ^ Bioch-Wand. Eine Information, wie in der Scheibe 78 geVeiS erzeug 60 winUnn rf* üt'^ " ^{F j} ß-^ dargestellt. Die Vere,nc Spannung am Stab 70 mit entgegUSzS pt J^SÄTf"^'^{135 Fdd} "Γ Ianlt d di iht If

e,nc Spannung am Stab 70 mit entgegUSzS pt J^SrÄTf ' Γ

Ianlat. und diese Gespeicherte Information wird ah w^< J?& ^aar.8^ef^eHt· ^Die Vormagnetisierungsspule

binare ·>0, heTcichncL Wenn die Bioch-Wand 80 den Fi, e zweitT'l ' rh^" ^™"™ ^dngCSCiZL

Stab 70 dun-hlätift. werden alle Magnet«!melementc nrrfnnn ■ Ausfuhrungsform dieser Speicheran-

74 76 und 78 der Reihe nach nicht JmK-SK? 6, ei_nen 1,-S JS«^F' ^g-' '° ^darß^cstcIlt· Diese Form weist

oder pclcsen ° ⁵ !^ne" „^{Stab 10}° ^mt wandernder Bioch-Wand und

! m Informiiiion in einer bclimmlcn Scheibe 74 feCf ¹^_n ²' ^ein?^{n Streifcn aus} magnetischem

7ft ..,l,r 78 „, spc.chcrn i/u schreiben), ist die KoInVi-' ail?. ^Ci"^{Cn L}^c-Schreih!eiier 10fi

Bei dieser Ausführungsform weist das Speichermedium 104 schwere Magnetisicrungsrichtungen längs der Achse des Stabes 100 und in der Dickenabmessung des Speichcrmediuins 104 auf, während die leichte Magnetisicrungsrichtung quer zur Achse des Stabes verläuft. Wenn die Bloch-Wand den Stab 100 durchläuft, legt sie ein Feld an das Speichermedium 104 in einer radialen Richtung nacheinander längs des bandförmigen Speichermediums. Es sei angenommen, daß der in F i g. 11 gezeigte Magnetisierungszustand der gegenwärtige Zustand des in Fig. 10 gezeigten Speichcrmcdiums ist.

Eine Störung eines gegebenen magnetischen Zustands wird beim Durchgang der Bloch-Wand hervorgerufen. Diese Wirkung ist in den Fig. 12A, 12B und 12 C dargestellt. Die Figuren entsprechen dem Normalzustand, dem Zustand während der Anwesenheit einer Bloch-Wand bzw. dem Zustand nach dem Durchgang der Wand.

Diese Drehung in radialer Richtung vom Stab nach außen ergibt nur dann eine Änderung des mit dem Lcsclcitcr gekoppelten Magnetflusses, wenn ein Übergangs- oder Umschlagbereich angetroffen wird wie beim Übergang von der Stelle« zur Stelle b in dem in F i g. 11 gezeigten Speichermedium. Da keine Änderung zwischen der Stelle b und der Stelle c vorhanden ist, wird kein Signal erzeugt. Wenn eine Änderung vorhanden ist, erzeugt dieser Übergang eine Spannung in der Lescleitung in einer Richtung (positiv), wenn der Übergang von α zu b erfolgt, und in der entgegengesetzten Richtung (negativ) für Jen Übergang von c zu el.

Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 10 wird das Schreiben durch eine Kombination des Feldes der wandernden Bloch-Wand und des auf dem Strom in dem Lesc-Schreibleiter 106 beruhenden Feldes hervorgerufen. Wenn der B-Vektor auf einen Winkel von 45° angehoben wird, wie beim Lesen, und gleichzeitig ein Feld in der leichten Magnelisierungsricliluiig entgegengesetzt zum vorigen Zustand angelegt wird, dann klappt der magnetische Vektor in die sen entgegengesetzten Zustand um. Dieses Umschalten oder Umklappen wird regelmäßig in dünnen Magnetschichtcn hervorgerufen und wurde in anisotropen Bandmaterialien beobachtet.

ίο Die der in Fig. 10 dargestellten Speicheranordnung zugeordneten Impulswellenfonnen sind schematisch in Fig. 13 dargestellt. In der mit »Lesen« bezeichneten oberen Gruppe von Wellenformen ist ein Strom in der Vormagnetisierungs-Feldspulc vorhan- · den, und dieses Feld bleibt auf einer Stärke + Ho, wenn der Strom in der Startfeldspule, welcher unmittelbar darunter dargestellt ist, einen positiven Impuls auf eine Höhe +Hs erhält. Dieser Startimpuls löst die Fortpflanzung einer wandernden Bloch-Wand

zo längs des Stabes 100 aus. Wenn der magnetische Zustand des Speichermediums 104 so ist, wie in F^: g. 11 dargestellt, so entsprechen die in der nächst niedrigeren Wellenform dargestellten, nacheinander abgetasteten Ausgangssignale den jeweiligen Zuständen des magnetischen Mediums. Beim Durchgang der Bloch-Wand wird eine »1«, »0«, »1«, »1«, »0« aus dem Speichermedium gelesen.

In gleicher Weise entspricht die mit »Schreiben« bezeichnete untere Gruppe der in Fig. 13 dargestellten Wellenformen den für das Schreiben der entsprechenden Signale auf das Speichermedium erforderlichen Eingangsströmen. Wenn die Bloch-Wand längs des Stabes wandert, wird ein Schreibstrom gleichzeitig auf die aufeinanderfolgenden Speicherabschnitte gegeben, so daß in diesen Speicherabschnitt die binäre Information geschrieben wird.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

509 614/141

Claims (2)

1. wandernden Bloch-Wand geeignet ist, wobei das Speichermedium benachbart zu dem magnetischen

   Patentansprüche; Stcuermedium angeordnet ist, ferner mit einer mit

   dem Slcuermedium induktiv gekoppelten Starlspule

   1, Speicheranordnung mit seriellem Zugriff mit 5 sowie mit Lese- und Schreibcinrichtiingen,
   wenigstens einem megnetischen Speicliermcdium Eine derartige Speicheranordnung, bei der ein nia-

   und mit einem magnetischen Steuermedium, das gnetisclies Speichermedium durch die Störung abgczur Fortpflanzung einer ausgelösten wandernden fragt wird, die durch das Feld einer wandernden Bloch-Wand geeignet ist, wobei das Speichernd- Blech-Wand hervorgerufen wird und bei der das dium benachbart zu dem magnetischen Steuer- »o Speichermedium durch eine Koinzidenz des Feldes medium angeordnet ist, ferner mit einer mit dem dieser Bloch-Wand und eines stromerzeugten Magnet-Steuermedium induktiv gekoppelten Startspule so- fcldes an einer gegebenen Stelle beschrieben wird, ist wie mit Lese- und Schreibe! η richtungen, da- bekannt (USA.-Patentschrift 3 140 471).
   durch gekennzeichnet, daß mit dem Das magnetische Steuermedium ist zu Beginn in

   Steuermedium (70, 100), in dem die Bloch-Wand 15 einer Richtung leichter Magnetisierbarkeit magnetisch wandert, eine Einrichtung verbunden ist, die auf gesättigt, wobei alle Elektroncnspin-Achscn parallel das Steuermedium (70, 100) eine mechanische zueinander ausgerichtet sind, so daß es einen einhcit-Spannung ausübt, und daß die magnetische liehen Weißschen Bezirk bildet. Wenn das Feld, das 'Schicht des Steuermedium'; aus einem Material diese Magnetisierung bewirkt, umgekehrt wird und besteht, dessen Hysterese-Schleife unter Einwir- 20 wenn dieses Feld ausreichend stark ist, karr, die kung der mechanischen Spannung eine Einschnü- Orientierung des gesamten Bezirkes rasch umgekehrt rung aufweist, auf Grund der die Fortpflanzung werde», wobei alle Elektronenspin-Achsen gleichder durch ein Startmagnetfeld (Hs) ausgelösten zeitig eine 180°-Drehung durchführen. Wählt man Bloch-Wand mittels eines Magnetfeldes (FIo), das das die Umkehr bewirkende Feld jedoch derart, daß kleiner ist als das Startmagnetfeld (Hs), bewirkt 25 seine Stärke lediglich etwas größer ist als die zur Umwird, kehr der Magnetisierung notwendige Koerzitivkraft,
2. 2. Speicheranordnung nach Anspruch 1, da- so tritt die Umwandlung des Bezirks langsamer ein, durch gekennzeichnet, daß das Speichermedium wobei eine Grenzfläche zwischen dem ursprünglichen (104) ein kontinuierlicher Teil eines magnc- und dem umgewandelten Bezirk eine Bloch-Wand tischen Dünnfilms ist und daß die Lese- und 30 bildet, die längs des Steuermediums fortschreitet. Die Schreibeinrichtungep. eine Leiteranordnung (106) Stärke des Magnetfeldes muß dabei jedoch sehr gcumfassen, die das Speichermedium (104) umgibt nau eingehalten werden, damit die Bloch-Wand mit und teilweise zwischen dem Steuermedium (100) der für die Steuerzweckc notwendigen Genauigkeit und dem Speichermedium (104) verläuft. duich das Steuermedium wandert. Hierbei ist einer-