DE1792350U - Elektrische halbleitervorrichtung. - Google Patents

Description

• Elektrische Halbleitervorrichtung.

  Die Neuerung bezieht sich auf elektrische Halbleitervorrichtun-

  gen, insbesondere auf Gleichrichter oder Transistoren mit Halbleiterelementen aus Germanium, Silizium oder intermetallischen Verbindungen.
• Es wurden bereits elektrische Halbleitervorrichtungen vorgeschlagen, die vakuumdicht in ein mindestens teilweise metallisches Gehäuse eingebaut sind und bei denen das Gehäuse aus mehreren metallischen Teilen unterschiedlicher Härte besteht, die nach Einbau der Halbleitervorrichtung durch plastische Verformung mindestens eines Gehäuseteiles ohne Zuführung von Wärme vakuumdicht verbunden sind Dadurch wird erreicht, dass beim Einbau der Halbleitervorrichtung in das Gehäuse jede nachteilige Beeinflussung der Halbleiterelemente durch Gase, Dämpfe oder Erwärmung vermieden wird.
• Es hat sich gezeigt, dass die Dichtigkeit dieser Verbindung noch weiter verbessert werden kann, wenn gemäss der Neuerung an den Verbindungsstellen der Teile unterschiedlicher Härte ein zusätzliches Dichtungsmittel vorhanden ist.
• Dadurch kann auch die Anwendung sehr hoher Pressdrucke beim Verformen vermieden werden. Ausserdem wird bei starken Temperaturänderungen, bei denen sich die aus verschiedenen Metallen

  hergestellten Teile unterschiedlich stark ausdehnen oder zusammen-

  ziehen, durch das zusätzliche Dichtungsmittel in jedem Falle eine

  vollkommen sichere Abdichtung gewährleistet.
• Das Dichtungsmaterial wird vor dem Verbinden der Gehäuseteile durch plastische Verformung des einen Teiles zwischen die beiden Teile eingelegt. Der weichere Gehäuseteil weist zunächst entsprechende Nuten oder Vertiefungen auf, in die der härtere Gehäuseteil vor der Verformung des weicheren Teils eingesetzt wird. In diese Nuten wird vor dem Einsetzen des zweiten Gehäuseteils das Dichtungsmaterial in Form von Ringen, Streifen oder plättchen aus geeigneten Kunststoffen eingelegt. Besonders geeignet sind Silikone, z. B. Silikongummi und organische Fluorverbindungen, wie z. B. Tetrafluoräthylen, da diese Stoffe bei den infrage kommenden Temperaturen sich weder verändern, noch Gase oder Dämpfe abgeben.
• Es können aber auch andere Dichtungsmittel, wie z. B. weiche-Metalle oder Metallegierungen, verwendet werden.
• Eine Ausführungsform der Neuerung ist in den Figuren dargestellt.
• In Figur 1 sind die beiden Teile des Gehäuses dargestellt bevor sie miteinander durch plastische Verformung des einen Gehäuseteils verbunden wurden. Der untere Gehäuseteil 1 besteht beispielsweise aus einem massiven Kupferstück, das an seiner Oberseite eine entsprechende Ausnehmung 2 zur Aufnahme des Halbleiters besitzt. Diese Ausnehmung ist aber nicht unbedingt erforderlich, sondern der Halbleiter kann auch auf der ebenen Oberseite des unteren Gehäuseteils in geeigneter Weise, beispielsweise durch Löten, befestigt sein. Der untere Gehäuseteil hat weiter eine ringförmige Ausnehmung 3, die den Abmessungen des oberen Gehäuseteils angepasst ist. Zur Befestigung der zusammengebauten Vorrichtung auf einer Unterlage ist am Unterteil ein Aussengewinde 4 vorgesehen.

  Der obere Gehäuseteil besteht aus einem Stahlzylinder 5, dessen

  Fuss einen Ansatz 6 aufweist. An Stelle dieses Ansatzes kann der

  Fuss des Zylinders auch Rillen tragen oder in geeigneter Weise verformt sein. Dies dient zur Verbesserung der Verbindung mit dem unteren Gehäuseteil. An dieser Stelle kann der Stahlzylinder 5 auch aufgerauht sein. Der Zylinder ist entweder oben geschlossen, also glockenförmig ausgebildet oder besitzt, wie in Figur 1 dargestellt, eine isolierte Durchführung für die Elektrodenzuleitung. Diese besteht aus einem Metallröhrchen 8, das mit dem Stahlzylinder durch einen geeigneten Isolierstoff 7 verbunden ist. Als besonders geeignet für die Verbindung 7 hat sich Sinterglas erwiesen. Es können gegebenenfalls auch mehrere Durchführungen vorgesehen sein.
• Zur besseren Abdichtung der Verbindungsstelle ist ein Ring 10 aus Tetrafluoräthylen vorgesehen, der vor dem Zusammenbau in die Ausnehmung 3 eingelegt wird.
• Figur 2 zeigt die Vorrichtung nach dem Zusammenbau. Durch Verformung des unteren Gehäuseteils bei 9 ist eine feste Verbindung zwischen dem Gehäuseteil 1 und dem Gehäuseteil 5 entstanden. Der Dichtungsring 10 ist so zwischen beide Teile eingepresst, dass eine vollkommen vakuumdichte Abdichtung erhalten wurde 0 Anlagen

  4 Patentansprüche

  1 Bl. Zeichnungen

Claims (4)

1. Schutzansprüche: 10) Elektrische Halbleitervorrichtung, insbesondere Gleichrichter oder Transistor mit Halbleiterelementen aus Germanium, Silizium oder intermetallischen Verbindungen, die vakuumdicht in ein mindestens teilweise metallisches Gehäuse eingebaut ist, das aus mehreren metallischen Teilen unterschiedlicher Härte besteht, die durch plastische Verformung eines oder mehrerer Gehäuseteile in kaltem Zustande vakuumdicht verschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, dass an den Verbindungsstellen zwischen den Gehäuseteilen aus Stoffen unterschiedlicher Härte ein zusätzliches Dichtungsmittel vorhanden ist.
2. 2.) Elektrische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den miteinander verbundenen Gehäuseteilen Dichtungsringe,-streifen oder-plättchen aus organischen Kunststoffen angeordnet sindo 3.) Elektrische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Dichtungsmittel aus Silikon, z. B.
3. Silikongummi, besteht.
4. 4.) Elektrische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Dichtungsmittel aus organischen Fluorverbindungen, z. B. aus Tetrafluoräthylen, besteht.