DE1785668U - MAGNETIC MEMORY ELEMENT. - Google Patents
MAGNETIC MEMORY ELEMENT.Info
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- DE1785668U DE1785668U DE1956S0021733 DES0021733U DE1785668U DE 1785668 U DE1785668 U DE 1785668U DE 1956S0021733 DE1956S0021733 DE 1956S0021733 DE S0021733 U DES0021733 U DE S0021733U DE 1785668 U DE1785668 U DE 1785668U
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Description
Magnetisches Speicherelement
Ab/Ky - 2 -
Derartige magnetische Speicherelemente
finden beispielsweise als bistabile Schaltglieder in Schieberegistern Verwendung.
In Figur 1 der Zeichnung ist ein aus magnetischen Speicherelementen aufgebautes
Schieberegister im Ausschnitt dargestellt, wobei jeder der gezeichneten ringförmigen
Magnetkerne M1, M2... und N1, N2... je drei Wicklungen besitzt : die Eingangswicklung
E, die
Die Ausgangswicklung A jedes Magnetkernes ist über je ein richtungsabhängiges
Kopplungsglied K mit der Eingangsv.'icklung E
Jeder Schaltimpuls Pm kippt diejenigen der Magnetkerne M1, M2...,
die den dem Speicherwert"Eins"entsprechenden einen Magnetisierungszustand einnehmen,
in den dem Speicherwert"Null"ent-
Da die Spannung dieses "Null"-Impulses relativ zur Spannung eines "Eins"-Impulses nur gering ist-bei den handelsüblichen Speicherkernen liegt das Spannungsverhältnis von "Eins"-Impuls zu "Null"-Impuls in der Gegend von zehn-kann er den dem erzeugenden Magnetkern nachfolgenden Magnetkern im allgemeinen nicht in den dem Speicherwert"Eins"entsprechenden Magnetisierungszustand kippen. Ein an die Eingangswicklung eines Magnetkernes gegebener'Null'-Impuls verringert aber dessen dem Speicherwert "Null" entsprechende remanente Magnetisierung, so daß dieser Magnetkern in seiner Ausgangswicklung beim Auftreten des nächsten seiner Schaltwicklung zugeführten Schaltimpulses einen "Null"-Impuls von einer gegenüber dem ursprünglichen "Null"-Impuls erhöhten Spannung induzieren Auf diese Weise bildet sich beim Weiterschalten des Speicherwertes"Null"im Schieberegister ein progressiv von Kern zu Kern immer mehr anwachsender Störimpuls aus ;, der, wenn-er die für eine Ummagnetisierung nötige Spannung erreicht, den weiterzuschaltenden Speicherwert "Null" in den Wert "Eins" verfälscht.Since the voltage of this "zero" pulse is relative to the voltage of a The "one" pulse is only small - this is the case with commercially available memory cores Voltage ratio of "one" pulse to "zero" pulse in the region of ten-can he does not generally follow the magnetic core following the generating magnetic core toggle into the magnetization state corresponding to the memory value "one". One on the input winding of a magnetic core, however, reduces the given 'zero' pulse remanent magnetization corresponding to the memory value "zero", so that this magnetic core in its output winding when the next one of its switching winding occurs Switching pulse a "zero" pulse from a compared to the original "zero" pulse Induce increased voltage In this way, when the Storage value "zero" in the shift register a progressive from core to the core more and more interfering impulse from; the, if-he the for a magnetization reversal required voltage is reached, the memory value to be switched "zero" into the value "One" falsified.
Es ist deshalb erwünscht, die weitergegebenen "Null"-Impuls in
Zur Verringerung des Einflusses der"Null"-Impulse ist es bekannt, in den Kopplungskreisen zwischen den einzelnen magnetischen Speicherelementen je einen mit einer Vorspannung beaufschlagten Richtleiter anzubringen, der die Weitergabe von unterhalb einer bestimmten Mindesthöhe liegenden Impulsen verhindert. Dazu sind jedoch Vorspannungsquellen nötig.To reduce the influence of the "zero" pulses, it is known in the coupling circuits between the individual magnetic storage elements each to attach a pre-tensioned directional ladder, which the passing on prevents pulses lying below a certain minimum level. These are however, bias sources are required.
Demgegenüber wird gemäß der Erfindung eine Verringerung der "Null"-Impulse
und deren Einfluß ohne Mehraufwand dadurch erreicht, daß die Schalt-und Ausgangswicklungen
jedes magnetischen Spei-
In der Anwendung dieser Erkenntnis auf die betrachteten magnetischen
Speicherelemente bedeutet das : Für den zur Erzeugung eines"Eins"-Impulses führenden
Ummagnetisierungsvorgang ist der durch den Magnetkern verlaufende Fluß fast völlig
unabhängig von der Verteilung der einzelnen Windungen der Schaltwicklung auf dem
Kern. Für den zur Erzeugung eines "Null"-Impulsls führenden geringen Magnetisierungszuwachs
von der Sättigungs-
Messungen an handelsüblichen, kreisförmigen Ringkernen haben gezeigt, daß sich durch die Erfindung eine Verringerung der Spannung der"Null"-Impulse um über 50 % erreichen läßt.Measurements on commercially available, circular toroidal cores have shown that the invention reduces the voltage of the "zero" pulses can reach over 50%.
In Figur 2 ist die bisherige Anordnung der einzelnen Windungen der
Schalt-und der Ausgangswicklung auf einem Ringkern dargestellt : Die ausgezogene
Schaltwicklung S und die gestrichelt gezeichnete Ausgangswicklung A sind zur Erzielung
einer möglichst
Figur 3 zeigt demgegenüber dieerfindungsgemäße Anordnung der einzelnen Windungen der Schalt-und der Ausgangswicklung auf dem Ringkern : Die ausgezogene Schaltwicklung S und die gestrichelt gezeichnete Ausgangswicklung A sind jeweils auf ein möglichst kurzes Stuck des Kernumfanges konzentriert-gegebenenfalls durch Bewicklung. in mehreren Lgen-und stehen sich diametral gegenüber.In contrast, FIG. 3 shows the inventive arrangement of the individual Turns of the switching and the output winding on the toroidal core: The drawn out Switching winding S and the dashed line output winding A are respectively concentrated on the shortest possible piece of the core circumference - if necessary through Wrapping. in several lying and diametrically opposed to each other.
Finden die magnetischen Speicherelemente in einem Schieberegister
nach Figur 1 Verwendung, so bedürfen sie noch der Eingangswicklung E zur Kopplung
mit der Ausgangswicklung A des jeweils vorhergehenden Speicherelements. Es ist vorteilhaft,
die Eingangswicklung E ihrerseits auf ein möglichst kurzes Stück des Magnetkernes
in möglichst großem Abstand von der Ausgangswicklung A zu konzentrieren. Das hat
nämlich zur Folge, daß die bei Zufuhr eines"Null"-Impulses an die Eingangswicklung
im Magnetkern bewirkte Flußverminderung einen beträchtlichen Streuanteil aufweist,
so daß die Sättigungsremanenz in der Ausgangswicklung A durch diesen "Null"-Impuls
beträchtlich weni@er vermindert wird, als es bei gleichmäßiger Verteilung der Eingangswicklung
auf den ganzen Magnetkern der Fall wäre. Während also durch die Konzentrierung der
Schalt-und Ausgangswicklung in möglichst großem gegenseitigen Abstand die Spannung
der "Nulr'-Impulse bereits bei deren Entstehen vermindert wird, wird durch die Konzentrierung
der Eingangswicklung der Einfluß eines
Ein weiteres Merkmal der Erfindung besteht darin, daß der als Ringkern ausgebildete Magnetkern eine von einem Kreisring abweichende langgestreckte Form, vorzugsweise die Form eines elliptischen Ringes, hat. Dadurch läßt sich eine weitere Erhöhung des Streuanteils des magnetischen Flusses und damit eine weitere Verringerung der"Null"-Impulse gegenüber einem Speicherelement mit kreisringförmigem Magnetkern erreichen.Another feature of the invention is that as a toroidal core formed magnetic core deviating from a circular ring elongated Shape, preferably the shape of an elliptical ring. This can be a further increase in the leakage component of the magnetic flux and thus a further increase Reduction of the "zero" pulses compared to a storage element with a circular ring Reach magnetic core.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1956S0021733 DE1785668U (en) | 1956-09-28 | 1956-09-28 | MAGNETIC MEMORY ELEMENT. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1956S0021733 DE1785668U (en) | 1956-09-28 | 1956-09-28 | MAGNETIC MEMORY ELEMENT. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1785668U true DE1785668U (en) | 1959-03-26 |
Family
ID=32862522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1956S0021733 Expired DE1785668U (en) | 1956-09-28 | 1956-09-28 | MAGNETIC MEMORY ELEMENT. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1785668U (en) |
-
1956
- 1956-09-28 DE DE1956S0021733 patent/DE1785668U/en not_active Expired
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