DE1774381C3 - Verfahren zum Herstellen eines Magnetspeichers mit drei übereinander angeordneten Sätzen paralleler, voneinander isolierter Leiter - Google Patents

Description

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)ie Erfindung betrifft ein Verfahren zum Hersteleines Magnetspeichers mit drei übereinander anrdncten Sätzen paralleler, voneinander isolierter er, von denen die des mittleren Satzes senkrecht den Leitern der beiden äußeren Sätze verlaufen und mit einem dünnen, ferromegnetiscnen Film von uniaxtaler Anisotropie überzogen sind, wobei jeweils ein Leiter des eine» äußeren Satzes an seinem einen Ende mit dem entsprechenden Ende eines Leiters des anderen äußeren Satzes zu einem Leiterpaar verbunden ist, mit Hilfe von drei rechteckigen, plattenartigen Isolierkörpern.

Bei einem Verfahren dieser Art nach der französischen Patentschrift Nr. 1 379 699 werden die beiden äußeren Sätze von kreisrunden Drähten unter Einschaltung einer irgendwie gearteten Isolierung auf den mittleren Satz Drähte aufgelegt, die den dünnen, ferromagnetischen Film von uniaxialer Anisotropie tragen, und das entstandene Gebilde wird mechanisch zusammengehalten. Da die Drähte des mitt-Jsren Satzes punktförmig von den Drähten der beiden äußeren Sätze berührt werden, soll die magnetische Leistung eines solchen Speichers nicht gut sein.

An solchen punktförmigen Berührungsstellen mit den Drähten des mittleren Satzes köiüicü iokal sehr große Drücke auftreten, die auf den dünnen, ferromagnetischen Filmüberzug einwirken. Infolge eines solchen Druckes kann die Kristallanisotropie gerade an derjenigen Stelle des Überzuges verändert werden, an der durch die Änderung der Magnetisierungsrichtung die Bitinformation eingeschrieben bzw. gelesen werden soll. Zwar versucht man, wie aus dem !Taschenbuch der Nachrichtenverarbeitung« von K. Steinbuch, Berlin-Göttingen-Heidelberg, 1962, S. 276, hervorgeht, durch die passende Wahl der Legierungszusammensetzung des Filmüberzuges sowohl die Kristallanisotropie als auch die Magnetostriktion gleichzeitig zu Null zu machen, was jedoch in der Praxis nicht völlig erreichbar ist.

Folglich müssen bei der Herstellung eines Magnetspeichers dieser Art die Drähte des mittleren Satzes, die den dünnen Filmüberzug tragen, frei von äußeren mechanischen Kräften montiert werden und auch weiterhin in dieser Weise unlx'astet bleiben.

Aus der französischen Patentschrift 1 379 699 ist außerdem bekannt, die Leiter der beiden äußeren Sätze auf je einer rechteckigen, isolierenden Platte aus einem Kunstharz durch ein Lichtätzverfahren als dünne, schmale Bänder auszubilden. Die Leiter des mittleren Satzes, die den Filmüberzug tragen, werden zwischen den beiden rechteckigen Platten befestigt. Hierzu werden zwischen den Leitern Stege oder, auch Distanzstücke genannt, eingelegt, deren Dicke zumindest der Dicke der Leiter entspricht. Das gesamte Gebilde wird schließlich verleimt, damit die Stege in ihrer Lage zwischen je zwei benachbarten Leitern de:; mittleren Satzes und zwischen den isolierenden Platten verbleiben.

Dieses bekannte Verfahren ist vornehmlich für eine Fertigung kleiner Magnetspeicher von Hand vorgesehen, weil zahlreiche einzelne Stege, genau ausgerichtet, zwischen den Leitern des mittleren Satzes eingefügt werden und zusätzlich jedes leitende Band des oberen Satzes mit dem zugehörigen Band des unteren Satzes durch ein außerhalb des Speichers herumgeführtes Leiterstück elektrisch verbunden werden muß.

Anstatt die Leiter des mittleren Satzes durch die Stege (Distanzstücke) voreinander zu trennen, können sie auch auf einem Blatt aus Kunstharz z. B. mit einem Klebemittel angebracht werden, wie ebenfalls aus dieser Vorveröffentlichung hervorgeht; anschließend wird das Blatt zwischen den beiden isolieren-

den Unterlagen, die die äußeren Leitersätze tragen, eingefügt. Dabei verbleiben jedoch zwischen den Drähten des mittleren Satzes Luftzwischenräume, und die Leiter werden zumindest durch das Gewicht der oberen Unterlage mit dem oberen Leitersatz in unerwünschter Weise mechanisch belastet. Natürlich können die Luteiwischenräume mit einem Klebmittel ausgefüllt werden, das in relativ großer Menge flüssig eingebracht wird. Beim Festwerden und bei späteren Temperaturschwankungen können in dem Klebmittel starke innere Spannungen wirksam werden, die auf den Filmüberzug der Leiter des mittleren Satzes übertragen werden und auf diesen wiederum in unerwünschter Weise starke örtliche Druckkräfte ausüben.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Massenproduktion von Magnetspeichern der eingangs bezeichneten Art mit großer Speicherkapazität anzugeben, bei dem die drei Isolierkörper gemeinsam zu einem Gehäuse zusammengesetzt werden, an dem alle Leiter der äußeren Sätze durch ein bekanntes Lichtätzverfahren sowie deren elektrische Verbindung gemeinsam ausgebildet und alle Leiter des mittleren Satzes gemeinsam angebracht werden, die dabei frei von äußeren mechanischen Bl-lastungen bleiben.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zwei Isolierkörper, die auf ihrer einen Breitseite mit einer Metallschicht bedeckt sind, mit ihrer anderen Breitseite unter Anwendung von Wärrve i'.ivJ Druck an die Seitenflächen des dritten, aus einem Epoxyharz geformten Isolierkörpers gebunden werden, in dem außerhalb eines schmalen Randbereiches mehrere langgestreckte, zueinander parallele, rillenförmige Hohlräume ausgebildet sind, daß durch das entstandene Gebilde innerhalb des Randbereiches längs einer Linie, die parallel zu den rillenförmigen Hohlräumen verläuft, mehrere Löcher hindurchgebohrt werden, daß in den beiden äußeren Metallschichten, wie an sich bekannt, die beiden äußeren Leitersätze durch Ätzen ausgebildet werden, derart, daß sie mit ihrem einen Ende die Löcher umgeben, daß über die Löcher die paarweise elektrische Verbindung zwischen den äußeren Leitersätzen hergestellt wird, daß die beiden zu der Linie gebohrter Löcher senkrechten Randbereiche des gesamten Gebildes abgetrennt werden und daß die dabei freigelegten rillenförmigen Hohlräume von den Leitern des mittleren Satzes durchzogen werden.

Der Vorteil dieses Verfahrens ist auch darin zu sehen, daß die anfängliche Bearbeitung der normalerweise aus einem Kunststoff bestehenden Isolierkörper bis zu einem geschlossenen Gehäuse örtlich und zeitlich getrennt in einem Kunststoffverarbeitungsbetrieb erfolgen kann, worauf die Anbringung der Leitersätze und ihre Verbindung in einem Metallbearbeitungsbetrieb fortgesetzt wird.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigt

Fig. 1 einen plattierten Draht und die zugehörige Treibleitung, die gemeinsam eine Speicherzelle zum Speichern eines binären Digit bilden,

Fig. 2 ein Schema eines magnetischen Drahtspeicher,

Fig. 3 eine abgebrochene perspektivische Ansicht des Speichers,

FiR. 4 eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht, aus der die Ausbildung der riUenförmigen Hohlräume für die plattierten Drähte und der Endverbindungen der Treibleitungen hervorgeht,

Fig. 5 einen Schnitt durch die Endverbindungen der Treibleitungen in der einen Herstellungsstufe,

Fig. 6 einen Schnitt durch einen Abschnitt mit der Endverbindung und einem plattierten Draht und Fig. 7a bis 7g schematisch das Verfahren zum Herstellen eines Drahtspeichers gemäß der Erfindunß-Ein plattierter Draht 10 (Fig. 1) weist einen Kern 14 aus Beryllium-Kupfer von 0,000127 mm Durchmesser und einen FiImU aus einer Nickel-Eisen-Legierung (80% Ni und 20% Fe) auf, der eine bevorzugte, leichte Magnetisierungsrichtung in Umfangsrichtung des Drahtes (Pfeil 16) hat, während die harte Achse (Pfeil 17) in Längsrichtung des Films verläuft. Eine Wartleitung ist in zwei Hälften 18 und 20 zerlegt, die an ihrem einen Ende durch ein leitendes Element 22 miteinander verbunden sind. Der Abschnitt des aufplattierten Films 12, der unterhalb der Wonleitung Hegt, bildet eine Speicherzelle. In Abwesenheit äußerer Felder Ii gt der Magneüsierunesvektor des Films 12 in der lei;hten Achse entweder in der Uhrzeigerrichtung (Pfeil 24) oder entgegengesetzt (Pfeil 26). Diese beiden Richtungen gebe.f eine gespeicherte binäre Eins bzw. eine Null wieder.

Beim Auslesen einer Information dient der Kern 14 des plattierten Drahtes 10 als Abtastleitung. Wie durch Pfeile 28 und 30 angedeutet ist, wird vom Treibsirom in den beiden Hälften 18 und 20 der Wortleitung ein axiales Magnetfeld (Pfeil 32) aufgebaut, von dem die Magnetisierung des Films in seiner Richtung gedreht wird. Diese Richtungsänderung ist durch gestrichelte Pfeile 24' und 26' angedeutet. Infolge der Drehung wird der Fluß senkrecht zu der Schleife geändert, die vom Kern 14 als Abtastleitung und seiner Rückführleitung zur Erde gebildet ist, und eine elektrische Spannung erzeugt, dei^n Polung von der Richtung der Magnetisierung in der Speicherzelle zwischen den Hälften 18 und 20 abhängt.

Beim Einschreiben dient der Kern 14 als Ireibleitung. Während der Magnetisierun.p.svektor durch einen Worisiromimpuls in den beulen Hälften 18 und 20 gedreht wird, wird ein kleiner Strom durch den Kern 14 geschickt, von dem ein Feld in Umfangsrichtung aufgebaut wird, das die Magnetisierung in die gewünschte Richtung lenkt, wenn der Wortstrom aufhört. Das Schreiben findet also mit koinzidierenden Strömen statt, wobei der Strom im Kern einerseits so groß sein muß, daß der Film unterhalb drr erregten Wortleitung umgeschaltet wird, der aber andererseits so klein sein muß, daß der Film unterhalb der anderen inaktiven WortleiUngen (in F 1 g. nicht gezeigt) nicht umgeschaltet wird.

Fig. 2 zeigt schematisch die Anordnung mehrerei Drähte der zuvor erläuterten Art. Die beiden Half ten 18 und 20 der Wortlcitung, die an ihrem einer Ende durch das leitende Element 22 miteinandei verbunden sind, werden von Wahlschaltungen 34 er regt, wodurch ein Signal auf die gewählte Wort leitung gelangt. Die Wortleitung wirkt auf alle plat tierten Drähte IQ als Speicherzelle; daher kann jed< Wortleitung ein adressierbarcs Register zum Spei ehern eines Wortes aus mehreren Digits bilden. En Block 36 enthält diejenigen Schaltungen, von denci beim Schreiben den gewählten plattierten Drähte: die Treibsignale zugeleitet werden, Leseverstärke

und ihre zugehörigen Erregerschaltungen. Wie erinnert sei, werden die Kerne 14 sowohl beim Schreiben zum Führen eines Treibstromes als auch beim Lesen zum Ableiten des abgetasteten Bitsignals benutzt. Die Wahischaltungen 34 und die Schaltungen des Blockes 36 sind an sich bekannt und bilden keinen Teil der Erfindung.

In F i g. 3 ist eine teilweise abgebrochene, perspektivische Ansicht einer Ebene aus dem Speicher der Erfindung zu sehen. Zum Anschluß der plattierten Drähte 10 an die Leseverstärker- und Bittreiberschaltungen des Blockes 36 (F i g. 2) ist ein Anschlußsteg 44 vorgesehen; diese Drähte sind an ihrem anderen Ende an einem Abschlußband 46 angeschlossen. Alle diese Drähte 10 laufen durch je einen rillenförmigen Hohlraum in einer Anordnung von Rippen 42. Obgleich nur eine begrenzte Anzahl plattierter Drähte 10 und ihrer zugehörigen rillenförmigen Hohlräume dargestellt sind, enthält doch ein Bereich M tatsächlich auch plattierte Drähte. Auf einer StUtzplatte 48 ist ein unterer Isolierkörper 40 a angebracht; an der Stützplatte liegt die eine Hälfte 20 der Treibleitungen an; an seiner anderen Seitenfläche sind die Rippen 42 gebunden. An die Oberseite der Rippen 42 ist ein weiterer Isolierkörper 40 6 gebunden, auf dem die andere Hälfte 18 der Treibleitungen vorgesehen ist. In F i g. 3 ist nur eine solche Hälfte 18 der Worttreibleitung zu sehen, die über das leitende Element 22 mit der unmittelbar darunterliegenden Hälfte 20 verbunden ist, was nur zum Teil angedeutet ist. Ihr anderes Ende 50 steht über eine Wahldiode 52 mit einem weiteren Anschlußsteg 54 in Verbindung, der zu den die Wortleitungen auswählenden Wahlschaltungen 34 (F ι g. 2) eine elektrische Verbindung herstellt. Der vereinfachten Darstellung wegen ist auch nur eine Wortleitung gezeigt, obgleich die gesamten Isolierkörper 40 a und 406 mit mehreren gesonderten Wortleitungen bedeckt sind. Der gesamte Bereich zwischen dem Anschlußsteg 44 und dem Abschlußband 46 ist von einem Schirm 56 bedeckt, der die plattierten Drähte 10 gegen Streufelder schützt, die ihre magnetischen Zustände nachteilig beeinflussen können. Auf der Rückseite 58 der Stützplatte 48 kann eine weitere, äinliche Speicherebene montiert sein. Ihre Konstruktion würde nahezu übereinstimmen, wenn man davon absieht, daß der Ort des Anschlußsteges 44 und des Abschlußbandes 46 vertauscht sein, also an der anderen Seite liegen würde.

F i g. 4 stellt eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht eines Abschnittes der Speicherebene nach F i g. 3 dar, in der von oben nach unten der Schirm 56, die oberen Hälften 18 der Worttreibleitungen, der Isolierkörper 40 b, der auf den Rippen 42 angebracht ist, der untere Isolierkörper 40 a, der an seiner Unterseite die unteren Hälften 20 der Treibleitungen trägt, und ein unterer Schirm 56' dargestellt sind, von dem die Wortleitungen isoliert sind. Ein einziger Draht 10 soll gerade in einen von zwei benachbarten Rippen 42 gebildeten, rillenförmigen Hohlraum 42' eingeführt werden. Wenn die Schichten schließlich zusammengebaut sind (F i g. 5), wird eine elektrische Verbindung zwischen den oberen und unteren Hälften der Worttreibleitungen dadurch hergestellt, daß je ein Element 22 durch Löcher 59 hindurchgesteckt wird. Die Elemente 22 sind durch Ätzen oder Stanzen als Zähne eines Kamms 60 ausgebildet, die durch Schultern 64 verbunden sind: von diesen wird die Tiefe festgesetzt, um die die Elemente 22 in die Löcher 59 eingelassen werden können. Bei einer anderen Ausführungsform sind die Löcher 59 inwendig plattiert, und die Elemente 22 können weggelassen werden.

F i g. 5 ist ein Schnitt durch die Speicherebene der F i g. 4, der durch die Löcher 59 gelegt ist und die Elemente 22 in ihrer hindurchgesteckten Stellung zeigt. Der Kamm 60 ist so weit eingesetzt, wie es die

ίο Schultern 64 zulassen; hierbei ragen die Spitzen der Elemente 22 über die Unterseite der unteren Hälften 20 der Wortleitungen heraus. Um die Endverbindungen zwischen den Wortleitungshälften 18 und 20 zu vervollständigen, werden der Oberteil des Kammes, also ein Steg 62 und die Schultern 64 im rechten Winkel zur Oberseite der oberen Hälften 18 abgebogen, und Spitzen 22o werden derart umgebogen, daß sie an der Oberseite der unteren Hälften 20 der Wortleitungen zur Anlage kommen. Die elektrischen

Anschlüsse werden dann an allen Ober- und Unterseiten z. B. durch Löten hergestellt und die Schultern 64 und die Stege 62 derart beschnitten, daß die °^;nzelnen Verbindungen der Treibleitungshälften zurückbleiben, die elektrisch voneinander getrennt

as sind. Eine solche Verbindung ist im Schnitt der F i g. 6 zu sehen, der in einer Ebene im rechten Winkel zu der Zeichenebene der F i g. 5 verläuft. Der Draht ist hier im rillenförmigen Hohlraum 42' angeordnet, der beidseits von den Wänden der Rippen 42

gebildet wird. Der obere und untere Isolierkörper 40 b und 40 α sind an die Außenflächen der Rippen 42 gebunden, und die oberen und unteren Hälften 18 und 20 der Wortteibleitungen stehen mit den Außenseiten der Isolierkörper 40a und 40b in Verbindung.

Die Herstellung der zuvor beschriebenen Speicherebene sei an Hand der Fig. 7a bis 7g erläutert. Die F ϊ g. 7 a zeigt in Blockdarstellung die aufeinanderfolgenden Verfahrensschritte. Der erste Schritt besteht darin, der Ausrichtung dienende Löcher in ein Kupferschichtengebilde zu bohren, wie in Fig. 7b angedeutet ist.

Beim nächsten Schritt werden mehrere Rippen gegossen, und diese werden an das Gebilde gebunden, wie in den F i g. 7 c und 7d zu sehen ist. Hierzu wer-

♦5 den die Rippen in einer entsprechend gebauten Gußform 72 geformt, und die Hohlräume werden mit einer Epoxyverbindung gefüllt. Die Gußform weist die entsprechenden Vorsprünge auf, von denen die rillenförmigen Hohlräume hervorgerufen werden.

Hiernach wird auf die Rippen das Kupferschichtengebilde aufgelegt, wie als Block 74 der Fig. 7a angegeben ist. Gemäß der Fig. 7d bleiben die Rippen in der Gußform 72, und eine Deckplatte 76 wird auf die unbedeckte Fläche der gegossenen Rippen gelegt, so daß an der Oberseite eine Kupferschicht 78 frei liegt. Die sich ergebende Anordnung ist in Fig. 7e wiedergegeben.

Der nächste Verfahrensschritt besteht darin, ein zweites Kupferschichtengebilde an die Rippen zu binden und zu härten, wie als Block 82 der Fig. 7a angegeben ist. Hierzu wird ein Klebmittelüberzug auf die Oberfläche der unteren Stützplatte aufgebracht. Die Schicht soll 0,076 bis 0,127 mm dick sein. Vom Klebmittel wird das Lösemittel dadurch entfernt, daß die Anordnung etwa 10 Minuten· lang in einem Ofen auf einer Temperatur von 83° C gehalten wird. Hierbei wird das Klebmittel vollständig getrocknet, damit es sich nicht in die rillenförmigen

Hohlräume hinein ausbreiten oder in diese hineinlaufen kiinn. Um das /weite Schiclitengehilde an den Rippen zu befestigen, wird die Seite der Stüt/platte, die den getrockneten Klebmittelüberzug trügt, mit den Flächen der Rippen in Berührung gebracht. Die Anordrungen werden sorgfältig in eine Presse gelegt und mit annähernd 42 kg cm- belastet und bei einer Temperatur von etsva 177 C getrocknet, worauf man sie in der Presse abkühlen läßt. Bei diesem Trocknungsvorgang wird das Klebmittel, das auf die Stützplatienseite des unteren Isolierkörpers aufgebracht ist, an die Flächen der Rippen gebunden, so daß es an diesen haftet.

Nach der Bindung der Schichten besteht der nächste Schritt darin, daß die Löcher für die Treibleitungen gebohrt werden, wie als Block 84 der Fig. 7a dargestellt ist. Die Fig. 7f zeigt, wie diese Locher an dem einen Lndc der Anordnung gebohrt werden. Falls der Kamm mit den Zähnen oder EIementen 22, die durch die Schichten hindurchgesteckt werden, nicht verwendet wird, werden als nächstes die Löcher inwendig mit einem leitenden Material plattiert. Diese Plattierimg ist natürlich nicht nötig, wenn die Elemente 22 Anwendung finden sollen. Bei einem andersartigen Verfahren wird ein Element benutzt, das um das Ende der Anordnung herumläuft und die beiden Hälften der Treiblcitung verbindet. Die t.öcher, die im ersten Verfahrensschritt (Block70) iKTLotcllt sind, dienen der genauen Ausrichtung des Bohrers beim Bohren der Verbindungslochcr für die Treibleilungcn.

Nachdem die Anordnung so weit ausgebildet ist, werden die Worllcitunsen auf die obere und untere Seitenfläche des Kupfers gedruckt. Die Netzwerke für diese !lachen werden mit derselben Vorlage hergestellt, wobei das eine das Spiegelbild des anderen ist. Sie werden dann genau ausgerichtet und mit Bczugslöchern versehen, die mit den der Ausrichtung dienenden Löchern (Block 70) zusammenfallen. Nachdem die Wortbänder auf die obere und untere fläche gedruckt sind, werden die Wortleitungen geätzt, wie es aus der 'Technik der gedruckten Schallungen bekannt ist. Die Ausbildung der gedruckten Wortleitungen ist als Block 86 dargestellt.

Hiernach werden die oberen und unteren Treibleitungshülften miteinander verbunden, was als Block 88 in Fig. 7a und außerdem in Fig. 7g gezeigt ist. Falls der in den F i g. 4 und 5 erläuterte Kamm benutzt wird, werden der Steg und die Elemente umgebogen und die Anschlüsse angelötet.

Nach der Fertigstellung dieser Konstruktion muß sie uuf die gewünschte Größe geschnitten werden, wie als Block 90 der Fig. 7 a zu sehen ist; dabei wird der Steg 62 des Kamms entfernt, und die rillenförmigen Hohlräume werden freigelegt. Während des Ätzens sind diese rillcnförmigen Hohlräume völlig umschlossen, so daß die Ätzmittel nicht in sie eindringen können. Nach dem Zurechtschneiden der Anordnung werden die rillcnförmigen Hohlräume auf Behinderungen untersucht und durch Bohren oiler durch Einführen eines gerade gestreckten Drahtes von annähernd 0,18 mm Durchmesser frciecmacht, Sobald die rillenförmigcn Hohlräume frei sind, wird die Anordnung in einem Gehäuse untergebracht, und die einzelnen plattierten Drähte werden eingeführt wie als Block 92 in F i g. 7 a dargestellt ist.

Hierzu 4 BIaH Zeichnungen 409 63!

Claims (3)

1. Patentansprüche:

   I. Verfahren zum Herstellen eines Magnetspeichers mit drei übereinander angeordneten Sätzen paralleler, voneinander isolierter Leiter, von denen die des mittleren Satzes senkrecht zu den Leitern der beiden äußeren Sätze verlaufen und mit einem dünnen, ferromagnetischen Film von uniaxialer Anisotropie überzogen sind, wobei je- jo weils ein Leiter des einen äußeren Satzes an seinem einen Ende mit dem entsprechenden Ende eines Leiters des anderen äußeren Satzes zu einem Leiterpaar verbunden ist, mit Hilfe von drei rechteckigen, plattenartigen Isolierkörpern, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Isolier körper (40 a, 406), die auf ihrer einen Breitseite mit einer Metallschicht (78) bedeckt sind, mit ihrer anderen Breitseite unter Anwendung von Wärme und Druck an die Seitenflächen des dritten, aus einem Epoxyharz geformten Isolierkörpers gebunden werden, in dem außerhalb eines schmalen Randbereiches mehrere langgestreckte, zueinander parallele, rillenförmige Hohlräume (42') ausgebildet sind, daß durch das entstandene Gebilde innerhalb des Randbereiches längs einer Linie, die parallel zu den rülenförmigen Hohlräumen (42') verläuft, mehrere Löcher (59) hindurchgebohrt werden, daß in den beiden äußeren Metallschichten (78), wie an sich bekannt, die beiden äußeren Leitersätze (18, 20) durch Ätzen ausgebildet werden, derart, daß sie mit ihrem einen Ende die Löcher (59) umgeben, daß über die Löcher (59) die paarweise elektrische Verbindung zwischen den äußeren . eitersätzen (18. 20) hergestellt wird, daß die beiden zu der Linie gebohrter Löcher (59) senkrechten Randbereiche des gesamten Gebildes abgetrennt werden und daß die dabei freigelegten rillenförmigen Hohlräume (42') von den Leitern (10) des mittleren Satzes durchzogen werden.
2. 2. Verfahren nach dem Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung der elektrischen Verbindung zwischen den beiden äußeren Leitersätzen (18, 20) durch die Löcher (59) ein Kamm (60) aus einem elektrischen Leiter hindurchgesteckt wird, daß sowohl die aus dem Gebilde nun herausragenden Zahnspitzen (22 a) als auch der verbleibende Steg (62) des Kammes (60) umgebogen werden und daß schließlich der Steg (62) von den Zähnen (22) abgetrennt wird.
3. 3. Verfahren nach dem Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung der elektrischen Verbindung zwischen den beiden äußeren Leitersätzen (18, 20) die Löcher (59) inwendig mit einem elektrisch leitenden Material plattiert werden.