DE1774073C

DE1774073C - Capacitive read-only memory matrix

Info

Publication number: DE1774073C
Authority: DE
Inventors: Shakir Ahmed Wappingers Falls N.Y. Abbas (V.St.A.)
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Publication date: 1972-06-15

Description

I 774 073
ιI 774 073
ι

Die Erfindung betrifft eine kapazitive Festwert- eines Paares gekoppelt ist, eine Eins gespeichertThe invention relates to a capacitive fixed value of a pair is coupled, a one stored

speichermatrix, bei der an allen Bitstellen, unabhän- und wenn sie mit der anderen Abfrageleitung gekop-memory matrix, in which at all bit positions, independently and if it is coupled to the other interrogation line

gig vom gespeicherten Inhalt, Kondensatorbeläge pel ist, eine Null. Aus diesem Speicher wird einegig of the stored content, capacitor coatings pel is a zero. This memory becomes a

vorhanden sind, die neben den Bit- und Treiberlei- Infoi.natioi ausgelesen, indem man einen Impulsare available, which are read out in addition to the bit and driver lines Infoi.natioi by sending a pulse

tungen mit dazwischenliegendem dielektrischem Ma- 5 auf die Tre.'berlcuung gibt, wobei der Leseimpuls auflines with an intervening dielectric measure 5 on the Tre.'''berlcuung, with the read pulse on

terial Ausgleichsleitungen zur kapazitiven Balance einer der beiden Leseleitungen, die mit einem Dihe-material compensation lines for the capacitive balance of one of the two reading lines, which are connected with a di-

aufweist und deren Null- bzw. L-Bit-Leseleitungen rentialvcrstä, ker abgeschlossen sind, entsteht. Umand whose zero or L-bit read lines are rentialvcrstä, ker terminated. Around

mit einem Differentialverstärker abgeschlossen sind. einen Ausgleich der kapazitiven Last auch auf denterminated with a differential amplifier. an equalization of the capacitive load also on the

Durch die deutsche Auslegeschrift 1230465 ist Leseleitungen sicherzustellen, ist bei diesem Speicher eine Festwertspeichermatrix mit Kondensatoren als io eine Ausgleichsleitung mit jeder Treiberleitung verbun-Koppelelemente bekanntgeworden. Die Konden- den. JeHe Ausgleichsleitung ist wie die mit ihr verbunsatoren sind dabei in Matrixform in Form.leitender dene Treiberleitung mit Kondensatoren versehen; Beläge beiderseitig einer isolierenden Trägerplatte diese koppeln kapazitiv die Ausgleichleitungen mit angeordnet, wobei ihre Anschlußleitungen aus zwei denjenigen Leseleitungen, die nicht mit der Treibersenkrecht aufeinanderstehenden Sätzen paralleler ia leitung gekoppelt sind. Daher besteht eine kapazitive Leitungen bestehen. Ewi Merkmal dieser Festwert- Kopplung mit jeder der Bit-Leseleitungen an jeder speichermatrix besteht darin, daß der eine Satz der Bitposition, wodurch eine gleiche kapazitive Last soparallelen Leiter in Form breUer Streifen auf der wohl auf den Abfrageleitungen als auch auf den einen Seite der Isolierplatte in sehr schmalen Steifen Leseleitungen sichergestellt wird, ungeachtet der in angeordnet sind und daß die schmalen Streifen an aus- 20 den Bitpositionen einer Leitung gespeicherten Ingewählten, eine kapazitive Kopplung ergeben sollen- formationen.Reading lines are to be ensured by the German Auslegeschrift 1230465, is with this memory a read-only memory matrix with capacitors as io a compensation line with each driver line verbun coupling elements known. The condensate. Each compensation line is like the one connected with it are provided in matrix form in Form.leitender dene driver line with capacitors; Coverings on both sides of an insulating carrier plate, which capacitively couple the compensating lines arranged, with their connecting lines from two of those read lines that are not perpendicular to the driver superimposed sets of parallel ia line are coupled. Therefore there is a capacitive one Lines exist. Ewi feature of this fixed value coupling with each of the bit read lines on each memory matrix is that the one set of the bit position, creating an equal capacitive load, soparallel Head in the form of broad stripes on the probes on the interrogation lines as well as on the one side of the insulating plate is ensured in very narrow stiffeners read lines, regardless of the in are arranged and that the narrow strips are selected from the bit positions stored in a line, a capacitive coupling should result in information.

den Kreuzungsstellen zu flächenhaften ί.-itenden Be- Wegen des für die Ausgleichsleiter nebst den zuge-the crossing points to planar ί.-iting paths for the compensating ladder along with the adjoining

lägen erweitert sind. hörigen Kapazitätsbelegea erforderlichen Platzes hatare extended. subordinate capacity documents a required space

Bei diesem Festwertspeicher weisen die einen als dieser kapazitive Festwertspeicher jedoch den Nach-In this read-only memory, however, as this capacitive read-only memory, the

Abfrageleiter benutzten Anschlußlcitungen eine vom 15 teil, daß die Speicherkapazität pro cm² nicht sehrQuery conductor used Anschlußlcitungen a part of 15, that the storage capacity per cm ² is not very

jeweiligen Informationsgehalt abhängige kapazitive hoch ist.respective information content dependent capacitive is high.

Last auf, der sich der die Abfrage bewirkende Trji- Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde,Load on which the query causing the Trji- The invention is therefore based on the object

ber nicht automatisch anpasser* kann, womit Be- einen Frstwertspeicher mit Kondensatoren von derAbout not automatic adapters *, which means that loading a limit value memory with capacitors from the

triebsstörungen, wie z. B. Ungleichheit der Lese- oben angegebenen Art zu schaffen, der eine wesent-drive disorders, such as B. To create inequality of the reading type indicated above, which is an essential

signale am Verstärkereingang beim Ablesen ver- 30 Hch höhere Speicherkapazität als die bekannter er-signals at the amplifier input when read have 30 Hch higher storage capacity than the well-known

schiedener Speicherwörter, auftreten. möglicht.different memory words occur. possible.

Um diesem Nachteil zu begegnen, ist es bereits Die erfindungsgemäße Lösung der Aufgabe besteht bekanntgeworden, die anderen, dazu senkrecht darin, daß zwischen jeweils einem Paar von Treiberangeordneten Leitungen, das sind die Leseleitcr, leitungen nur eine Ausgleichsleitung angeordnet ist. paarig vorzusehen und als Leseverstärker einen Diffe- 35 Die erfindungsgemäße kapazitive Festwertspeicherrentialverstärkcr zu verwenden. Die Informations- marrix hat den Vorteil, daß man eine höhere Speieingabe in den Speicher erfolgt so, daß zur Speiche- cherkapazität dadurch erreicht, daß für je zwei Treirung einer EINS ein Kondensator zwischen dem berleitungen nur noch eine Ausgleichsleitung be-Abfrageleiter und die eine Leseleitung, zur Speiche- nötigt wird. Außerdem wird durch die Anordnung rung einer NULL aber ein Kondensator zwischen 40 von Schlitzen in den Kondensatorbelägen bei einer dem Abfrageleiter und die andere Leseleitung gesetzt bestimmten Stärke des Dieelektrikums eine größere ist. Auf diese Weise befindet sich an jeder Bitstelle Kapazität erreicht als ohne Schlitze, wodurch es unabhängig von dem gespeicherten Bitwert ein Kon- möglich wird, die gesamte Größe des Kondensatordensator und ist die kapazitive Last für den Treiber belags entsprechend zu verringern. Durch diese Maßpro Abfrageleiter jeweils der gleiche (britische 45 nähme ist es möglich, den Platzbedarf nochmals zu Patentschrift 1055 261). Die Abfrageleiter können verringern.In order to counter this disadvantage, the object according to the invention has already been achieved became known, the other, perpendicular to it, that between each pair of drivers arranged Lines, that is, the reading lines, lines only one compensating line is arranged. to be provided in pairs and a differential amplifier as a read amplifier to use. The information marrix has the advantage that you have a higher storage input into the memory takes place in such a way that the memory capacity is achieved in that for every two a ONE a capacitor between the overhead lines only a compensating line be-interrogation conductor and a reading line, to the spoke is required. In addition, the arrangement tion of a ZERO but a capacitor between 40 of slots in the capacitor plates at one the sense lead and the other read line set a certain strength of the dielectric a greater one is. In this way there is capacity reached at every bit position than without slots, which means it A con is possible regardless of the stored bit value, the entire size of the capacitor capacitor and the capacitive load for the driver pad is to be reduced accordingly. Through this measure pro Interrogation ladder always the same (British 45 would take it is possible to increase the space required again Patent specification 1055 261). The query ladder can decrease.

beispielsweise in der Zeilenrichtung der Speicher- Die Erfindung wird nun an Hand von in denfor example in the row direction of the memory

matrix liegen. Diese Festwertspeichermatrix weist Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielenmatrix lying. This read only memory matrix has drawings illustrated embodiments

aber je nachdem, um wie viele Werte EINS mehr als näher beschrieben. Es zeigtbut depending on how many values ONE is more than described in more detail. It shows

Werte NULL und umgekehrt pro Spalte, in der Rieh- 50 Fi ß. 1 eine Planansicht eines erfindungsgemäßenValues ZERO and vice versa per column, in which Rieh- 50 Fi ß. 1 is a plan view of an inventive

tung der Leseleitungen also, liegen, eine um so un- 6X4-Festwertspeichers mit Ausgleichskondensatoren,the read lines are, therefore, an all the less 6X4 read-only memory with compensation capacitors,

symmetrischere Belastung des Leseverstärkereingangs F i g. 2 einen Schnitt entlang der Linie 2-2 inmore symmetrical loading of the sense amplifier input F i g. 2 is a section along line 2-2 in

auf, welcher Nachteil in einer weiteren, ebenfalls Fig. 1,on what disadvantage in another, also Fig. 1,

bereits bekannten Festwertspeichermatrix behoben F i g. 3 eine Draufsicht auf einen geschlitzten bzw. already known read-only memory matrix fixed F i g. 3 is a plan view of a slotted or

ist. 95 eingekerbten Kondensatorbelag undis. 95 notched capacitor plate and

Im IBM Technical Disclosure Bulletin vom Januar F i g. 4 eine Kurve, die den Vorteil des in F i g, 2 1963 ist diese auf den Seiten 47 und 48 beschrieben. gezeigten eingeschnittenen leitenden Kondensator-Sie weist mehrere gedruckte parallele Trciberleitun· belages zeigt.In the IBM Technical Disclosure Bulletin January F i g. 4 is a curve showing the advantage of the FIG. 2 1963 this is described on pages 47 and 48. The incised conductive capacitor shown has several printed parallel Trciberleitun · lining shows.

gen auf einer Seite einer dielektrischen Schiebt auf OemüQ den Darstellungen in den F i g. 1 und 2gen on one side of a dielectric slide on OemüQ the representations in F i g. 1 and 2

und Paare von gedruckten parallelen Leselritungen 60 befinden sich auf einer Seite einer Plastikkarte 10and pairs of printed parallel reading marks 60 are located on one side of a plastic card 10

auf der anderen Seite, die sich im rechten Winkel mit sechs parallele gedruckte Treiberleitungen 12 bis 22.on the other hand, which are at right angles to six parallel printed driver lines 12-22.

den Treiberleitungcn kreuzen. An jedem dieser Auf derselben Seite der Plastikkarte befindet sichcross the driver lines. On each of these On the same side of the plastic card is located

Schnittpunkte entsteht so eine kapazitive Kopplung zwischen je zwei Treiberleitungen 12 eine Ausgleiche·Points of intersection thus creates a capacitive coupling between each two driver lines 12 an equalization

zwischen jeder Treiberleitung und je einer von zwei leitung 24 parallel zu den Treiberleitungen 12. Aufbetween each driver line and one of two lines 24 parallel to the driver lines 12

Lesfclcitungen, so daß die Schnittpunkte jeder 'frei- 69 der anderen Seite der Karte 10 sind vier paralleleReadings so that the points of intersection of each free 69 the other side of the card 10 are four parallel

berloiütng mit je zwei Leseteitungen eine Üiinmition Paare von gedruckten Leseleitungen 26 bis 32 ange-In addition, with two reading lines each, a pair of printed reading lines 26 to 32 is attached.

des Speichen darstellen. Wieder wird, wenn die Trei- ordnet. An den Schnittpunkten jedes Paares dieserof the spoke. It will be again when the Trei is in order. At the intersection of each pair of these

mit der einen der beiden Leseleitungen Leseleitungen 26 bis it mit einer Treiberleitung 13with one of the two read lines read lines 26 to it with a driver line 13

befinden sich zwei gedruckte Kondensatorbeläge 34« sind mit der Basis des Transistors 54 und über einenThere are two printed capacitor plates 34 ″ are connected to the base of transistor 54 and over one

und 34 i>. Einer dieser Kondensatorbeläge 34 ist mit der Widerstand 56 mit einer — 3-V-Spanmingsqiielle ver-and 34 i>. One of these capacitor plates 34 is connected to the resistor 56 with a - 3-V-Spanmingsqiielle

Treiberleitung 12 und der andere mit der Ausgleichs- bunden. Die Emitter der Transistoren 54 sind alleDriver line 12 and the other with the equalizing collars. The emitters of the transistors 54 are all

leitung 24 verbunden. mit Erde und ihre Kollektoren sind über die Wider-line 24 connected. with earth and its collectors are

Jeder dieser Kondensatorbeläge 34 ist über eine 5 stände 58 mit dem positiven Anschluß einer 6-V-der beiden Luftleitungen gelegt und stellt so die Stromquelle verbunden. Die Transistoren 48 und 54 kapazitive Kopplung zu dieser Leseleitung her. Somit sind durch die erwähnten Stromquellen von — 3 und sorgt der Kondensatorbelag 34a für eine kapazitive + 6 V normalleitend vorgespannt und arbeiten linear. Kopplung zu den »1 «-Leseleitungen und der Kon- Im Betrieb sind die Transistoren 46 normalerweise densatürbelag34f> für die kapazitive Kopplung zu io nicht leitend, weshalb die Treiberleitungen 12 bis 22 den »O«-Leseleitungen. Wenn der Belag 34a elek- an + 6 V liegen. Da der Transistor 48 leitend ist und trisch mit den Treiberleitungen verbunden ist, wird die Widerstände 50 und 52 gleich sind, weisen die eine »1« in der entsprechenden Bitposition dargestellt, Leseleitungen 26 bis 32 je ein Potential von ungefähr und wenn der Kondensatorbelag 34 ft mit der Treiber- - 1,5 V auf. Die Kapazitäten zwischen den Kondenleitung verbunden ist, wird eine »0« in der entspre- 15 satorbelägen 34 und den Leseleitungen 26 bis 32 chonden Bitposition dargestellt. So ist 7. B. am Schnitt- werden daher auf ungefähr 7,5 V aufgeladen,
punkt der Leseleitungen 26 mit der Treiberleitung 12 Hs sei angenommen, daß d'. längs der Treibereine Eins gespeichert, während am Schnil'punkt der leitung 12 gespeicherte Information gelesen werden Leseleitungen 28 mit der Treiberleitung 12 eine Null soll. Der mit dieser Treiberleitung verbundene Trangespeichert ist. 20 sistor 46 wird kurzzeitig leitend gemacht, um dieEach of these capacitor plates 34 is placed over a 5 level 58 with the positive connection of a 6 V of the two air lines and is thus connected to the power source. The transistors 48 and 54 capacitive coupling to this read line. Thus, by the mentioned current sources from -3 and ensures the capacitor plate 34a for a capacitive + 6 V normally conducting and work linearly. Coupling to the “1” read lines and the con In operation, the transistors 46 are normally not conductive for the capacitive coupling to io, which is why the driver lines 12 to 22 are the “O” read lines. When the lining 34a is electrically connected to + 6 V. Since the transistor 48 is conductive and is trisch connected to the driver lines, the resistors 50 and 52 will be the same, have a "1" shown in the corresponding bit position, read lines 26 to 32 each have a potential of approximately and if the capacitor plate 34 ft with the driver - 1.5V on. The capacitance is connected between the condenser line, a "0" is shown in the corresponding 15 pads 34 and the read lines 26 to 32 chonde bit position. So 7. B. is at the intersection - are therefore charged to about 7.5 V,
point of the read lines 26 to the driver line 12 Hs, it is assumed that d '. stored along the driver a one, while information stored at the intersection of the line 12 is read reading lines 28 with the driver line 12 should be a zero. The trunk connected to this driver line is stored. 20 sistor 46 is briefly made conductive to the

Gemäß der Darstellung in F i g. 2 hat die Grund- Spannung von t- 6 V auf der Treiberleitung 12 nachAccording to the illustration in FIG. 2 has the basic voltage of t- 6 V on the driver line 12 after

ebene 35 durch eine Plastiktafcl 38 einen Abstand 0 V abfallen und dann wieder auf v- 6 V zurück-on level 35, drop a distance of 0 V through a plastic plate 38 and then back to v- 6 V-

von diesen Leseleitungen. Die Plastiktafeln 10 und kehren zu lassen, wie es bei 58 gezeigt ist. Der Span-from these reading lines. Sweep the plastic panels 10 and 14 as shown at 58. The chip

38 enthalten je einen Kern aus Mylar oder einem nungswechsel induziert einen Strom in den durch den38 each contain a core made of mylar or a voltage change induces a current in the through the

anderen geeigneten Plastikmaterial mit einer Poly- as Kondensatorbelag 34a gekoppelten Leseleitungen,other suitable plastic material with a poly-as capacitor lining 34a coupled reading lines,

ester-Bindeschicht 40 auf jeder Seite zur Befestigung der gleich dem Produkt aus Kapazität und Spannungs-ester tie layer 40 on each side for securing the equal to the product of capacitance and voltage

der Kupferleitungen der gedruckten Schaltung an Änderungsgeschwindigkeit ist und so fließt, daß dieof the copper lines of the printed circuit is at rate of change and flows so that the

dem Kern. Kapazität entladen und später wieder geladen wird.the core. Capacity is discharged and then recharged later.

Die Kupferleitungen der gedruckten Schaltungen Die mit der Treiberleitung durch die Kondensator-The copper lines of the printed circuits The ones with the driver line through the capacitor

und Muster können durch herkömmliche Schaltungs- 30 beläge 35 gekoppelten Leseleitungen verlassen daherand patterns can therefore leave read lines coupled by conventional circuit pads 35

Drucktechniken auf der Platte 10 angebracht werden. zuerst ihren Ruhepegel, während sich der Konden-Printing techniques are applied to the plate 10. first their quiescent level, while the condensation

Eine Möglichkeit besteht darin, daß man die einheit- sator entlädt, und fallen dann wieder auf ihren Ruhe-One possibility is to unload the unit and then fall back to its resting position.

lichen Leseleitungen 26 bzw. 32 mit einer Maske auf pegel zurück, während sich der Kondensator wiederUnion read lines 26 and 32 with a mask on level back, while the capacitor is again

die eine Seite der Tafel 10 und mit einer anderen auflädt. Dadurch wird ein Impuls mit ehern nega-charges one side of the board 10 and another. This creates an impulse with brazen negative

Maske die "Trciberleitungen 12 bis 22 sowie die Aus- 35 tiven und einem positiven Teil erzeugt, wie er beiMask the "Trciberlinien 12 to 22 as well as the aus 35 tives and a positive part generated, as he in

gleichst.-itiMigen 24 und die Kondensatorbeläge 34 60 und 62 dargestellt ist.Equal-itiMigen 24 and the capacitor plates 34, 60 and 62 is shown.

auf d'e andere Seite der Tafel 10 druckt. Die Verbin- Da die "^reiberleitung 12 über die nicht mit ihr dung 42 zwischen den Kondensatorbelägen und den durch den Kondensatorbelag 34a gekoppelten Lese-Treiberleitungen oder den Ausgleichsleitungen kön- leitungen führt, erfahren auch diese eir.e Spannungsnen dann auf eine besondere Maske gesetzt werden, 40 änderung. Diese Spannungsänderung ist jedoch wedie vor dtm Drucken mit der Maske zum Drucken gen der geringen kapazitiven Kopplung zwischen der Treiberleitungen, Ausgleichsleitungen und Kon- diesen Leitungen und der Treiberleitung 12 nicht so densatorbelägen ausgerichtet wird. Um die in den groß. Zum Vergleich sind die Spannungen an den Speicherzellen gespeicherte Information zu verän- Leseleitungen bei 64 und 66 gezeigt,
dem, braucht man daher lediglich die Verbindungs- 45 Die Schwankungen auf diesen Leitungen werden maske 42 auszutauschen von dem Abfragetransistor 48 abgefühlt und ver-prints on the other side of panel 10. The connects Since the "^ collector line 12 leads via the non-tion with their 42 kön- between the capacitor plates and the coupled by the capacitor plate 34 a read drive lines or the compensating cables pipes, these eir.e Spannungsnen then undergo a special mask set 40. This voltage change is, however, like before the printing with the mask for printing due to the low capacitive coupling between the driver lines, compensating lines and condenser lines and the driver line 12 not so capacitor coatings For comparison, the voltages at the memory cells, information stored on changing read lines are shown at 64 and 66,
45 The fluctuations on these lines are mask 42 to be exchanged by the interrogation transistor 48 and sensed

Ein Ende der Treiberleitung 12 bis 22 sowie der Ursachen eine Spannungsänderung am Kollektor des Ausgleichsleitungen 24 ist über einen Widerstand 44 Transistors 48. Wenn in irgendeiner gegebenen Bitmit einer 6-V-Stromquelle verbunden und dasselbe position eine Eins gespeichert ist, wie das in der Ende der Treiberleitungen 12 bis 22 mit dem KoI- so Bitposition am Schnittpunkt der Lesdeitungen 26 mit lektor eines Transistors 46. Das andere Ende der der Treiberleitung 12 der Fall ist, wird der Transistor Treiberleitungen und der Ausgleichsleitungen liegt 48 so betrieben, daß er erst mehr und dann weniger an einem offenen Stromkreis. Wie man später sehen leitet, da der Emitter des Transistors 48 erst über wird, werden die Informationen, die in den verschie- und dann unter den Ruhewert schwingt, weshalb der denen Bitpositionen des Speichers gespeichert sind, 55 Transistor 48 erst mehr und dann weniger leitet, über die Transistoren 46 abgefragt, die in dieser Dadurch nimmt die Spannung am Kollektor des Anordnung normalerweise nicht leitend vorgespannt Transistors 48 zuerst ab und dann zu, wie bei 69 gesind, zeigt ist. Wenn eine Null auf einer Bitpo:ition One end of drive line 12-22, which causes a voltage change at the collector of equalizing line 24, is transistor 48 through resistor 44. When connected to a 6V power source in any given bit and the same position stored as a one as that in the end of the driver lines 12 to 22 with the KoI- so bit position at the intersection of the read lines 26 with the lektor of a transistor 46. The other end of the driver line 12 is the case, the transistor driver lines and the compensating lines 48 are operated so that it is only more and then less on an open circuit. As you can see later, since the emitter of transistor 48 is first over, the information that swings into the different and then below the rest value, which is why the bit positions of the memory are stored , 55 transistor 48 first more and then less , queried via the transistors 46, which in this way the voltage at the collector of the arrangement normally non-conductive biased transistor 48 first decreases and then increases, as shown at 69, shows. If a zero on a bit position

Jc zwei Leseleitungen 26 bis 32 sind mit einem gespeichert ist, wie es in der Opposition am Transistor 48 im DifTerential-Lcsevcrstiirker 49 ver· 60 Schnittpunkt der Treiberlcitung 12 mit den Lesebunden. Die »Ι«-Lew,leitungen sind mit den Emil· leitungen 28 der Fall ist, schwingt die BitleitungJc two read lines 26 to 32 are stored with one as it is in opposition on The transistor 48 in the differential inverter 49 ver · 60 intersection of the driver line 12 with the read links. The "Ι" -Lew lines are with the Emil lines 28 is the case, the bit line oscillates

tem dieser Transistoren 48 verbunden, wUhrend die 28f) erst in den negativen und dann in dentem of these transistors 48, while the 28f) first in the negative and then in the

»(!«•Leseleitungen mit der Basis der Transistoren positiven Bereich. Dadurch wird der Emitter des»(!« • Read lines with the base of the transistors positive area. This becomes the emitter of the

verbunden sind. Die Basis der Transistoren 48 ist Transistors 48 zuerst negntivcr und dani positiver,are connected. The base of the transistors 48 is transistor 48 first negative and then more positive,

außerdem Über den Widerstand 50 mit Erde ver- 65 wodurch der Transistor erst weniger und datin mehrIn addition, 65 connected to earth via resistor 50, which means that the transistor is only less and then more

bunden, wöhrend die ßmitter außerdem über den leitet. Dadurch steigt die Spannung am Kollektor d«sbound, while the ßmitter also leads over the. This increases the voltage at the collector d «s

Widerstand 52 mit einer — 3-V-Spannungsquclle ver· Transistor!« 48 zuerst und füllt dann ob, wie bei 70Resistor 52 with a -3 V voltage source ver · transistor! «48 first and then fills whether, as at 70

bunden sind. Die Kollektoren der Transistoren 48 gezeigt. Somit sind die Ausgangssignale am Kollek-are bound. The collectors of transistors 48 are shown. Thus the output signals at the collector

tor des Transistors 48 bipolar, da eine »I« von einer »0« dadurch unterschieden werden kann« daß bei einem ßlfierimpuls zuerst der negative Teil kommt und dann der positive folgt, während bei einem *0«*ln> puls zuerst der positive Teil und dann der negative Teil des Impulses folgt,gate of transistor 48 is bipolar, since an "I" of a "0" can be distinguished "by the fact that the negative part comes first in the case of an ßlfier pulse and then the positive follows, while with a * 0 «* ln> pulse first the positive part and then the negative part of the pulse follows,

Aus der obigen Beschreibung ist zu ersehen, daß man durch dieses System eine höher« Bitdichte erreicht, weil für je zwei Treiberleitungen nur eine Ausgleichsleitung benötigt wird, im Gegensatz zu dem früheren System, das für jede Treiberleitung eine Ausgieichsleiiung brauchte.From the above description it can be seen that a higher bit density is achieved with this system, because only one for every two driver lines Compensating line is required, in contrast to the previous system which had one for each driver line Compensation needed.

In Fig.4 sind Mwßkurven gezeigt, die bei einer experimentell ausgeführten kapazitiven Festwertspei* chermatrix aufgenommen wurden. Auf der Senkrechten des Diagramms ist dabei die Kapazität eingetragen und auf der Waagerechten die Höhe bzw. die Stärke des Dielektrikums. Die eine Kurve wurde mit geschlitzten Belägen aufgenommen und die andere Kurve mit ungeschützten. Wie sich nun aus der Kurve ergibt, verhält sieh die Kapazität umgekehrt proportional zur Höhe des Dielektrikums, und zwar in einem sehr starken Maße. Wie nun weiter aus P i g. 4 zu ersehen ist, ruft die Einfügung eines Schlitzes 74 in einen Kondensatorbelag 72, wodurch eine Reduktion der leitenden Zone erreicht wird, keine wesentliche Veränderung der Kapazität hervor. Es ist jedoch ganz eindeutig zu ersehen, daß unterhalb einer gewissen Stärke bzw. Dicke des Dielektrikums die BeIn FIG. 4, Mw measurement curves are shown which were recorded in an experimentally executed capacitive read-only memory matrix. The capacitance is plotted on the vertical of the diagram and the height or thickness of the dielectric is plotted on the horizontal. One curve was recorded with slotted surfaces and the other curve with unprotected. As can now be seen from the curve, the capacitance is inversely proportional to the height of the dielectric, to a very large extent. As now further from P i g. 4, the insertion of a slot 74 in a capacitor plate 72, whereby a reduction in the conductive zone is achieved, does not produce any significant change in the capacitance. However, it can be clearly seen that below a certain strength or thickness of the dielectric, the Be läge ohne Schlitze eitle etwas größere Kapazität als die Beläge mit Sehlitzen hervorrufen. Oberhalb dieser Dicke des Dielektrikums, an der sieh Im Diagramm nach P i g. 4 die beiden Kurven schneiden, ruft jedochIf there were no slots, there would be a somewhat greater capacity than the coverings with seat braids. Above this Thickness of the dielectric at which you can see in the diagram for P i g. 4 intersect the two curves, but calls

S ein Belag mit Schlitzen eine etwas größere Kapazität hervor als ein Belag ohne Schlitze. Da es demnach möglich ist, mit Hilfe vat\ Schlitzen bei einer gewissen Dicke des Dielektrikums ein« höhere Kapazität hervorzurufen, ist es auch möaüchydie gesamte GrößeA surface with slots has a slightly greater capacity than a surface without slots. Since it is thus possible with the aid vat \ slits at a certain thickness of the dielectric cause a "higher capacity, it is also möaüchydie overall size

ίο der Kondensatorbeläge entsprechend w verringern, wodurch tatsächlich ein geriflgeterftaumbedarf erzielt wird.ίο reduce the capacitor plates corresponding to w, which is actually a geriflgeterftaumbedarf is achieved.

Claims

Patentansprüche:Patent claims:

I. Kapazitive Festwertspeiehermatrix, bei der an allen Bitstellen, unabhängig vom gespeicherten Inhalt, Kondensatorbeläge vorhanden sind, die neben den Bit- und Treiberleitungen mit dazwischenliegendem dielektrischem Matertal Aus-ίο gteichsleitungen zur kapazitiven Balance aufweistI. Capacitive read-only memory matrix, in which at all bit positions, regardless of the stored Contents, capacitor coatings are present, which, in addition to the bit and driver lines with interposed dielectric Matertal Aus-ίο gteichslinien for capacitive balance

und deren Null- bzw. L-Bit-Leseteitungen mit einem Differential verstärker abgeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen jeweils einem Paar von Treiberleitungen (12 undand whose zero or L-bit read lines are terminated with a differential amplifier, characterized in that between each pair of driver lines (12 and

14) nur eine Aosgleichsleitung (24) angeordnet ist.14) only one equalizing line (24) is arranged.

2. Kapazitive Festwertspeichermatrix nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Kondensatorbeläge (34) Schlitze bzw. Eiflkerbungen (74) aufweisen.2. Capacitive read-only memory matrix according to claim I, characterized in that the capacitor plates (34) have slots or notches (74) have.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings