DE1766297A1 - Verfahren zum Anpassen einer integrierten Schaltung an ein als Traeger dienendes Substrat - Google Patents
Verfahren zum Anpassen einer integrierten Schaltung an ein als Traeger dienendes SubstratInfo
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Description
anaaisscassssagsasxtsssasxcacsssaatssiassKssss:
"Verfahren gum Anpassen einer integrierten Schaltung an ein
als Träger dienendes Substrat"
Sin Scheibchen, an dem eine integrierte Schaltung ausgebildet ist, trägt in bestimmter Anordnung einen ersten
Satz von AnschluBstücken und ist mit einem zweiten Satz von
AnsohluBstücken versehen, die in ihrer Anordnung von denjenigen
des ersten Satzes verschieden sind. Die An Schluß st lücke
des zweiten Satzes sind elektrisch mit den entsprechenden Anschlußstücken des ersten Satzes verbunden und gegen
andere Elemente der von dem Scheibchen getragenen Schaltung elektrisch isoliert.
Sie Erfindung bezieht sich auf integrierte Schaltungen oder die Komponenten der Mikroschaltungstechnik und
insbesondere auf Verfahren zur Schaffung äußerer elektrischer Verbindungen zu derartigen Schaltungen in irgend einer
gewünschten Anordnung ohne Rücksicht auf die ursprüngliche und im allgemeinen nicht veränderbare Gestaltung des Lei-
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.30.April ΐ.9.6..&η "Verfahren zum Anpaeaeii
tungsmueters der eigentlichen Schaltung.
Insbesondere in der Halbleitertechnik ist es allgemein bekannt, in einem einzigen Körper aus Halbleitermaterial eine Vielzahl aktiver oder passiver elektronischer
oder elektrischer Schaltungselemente auszubilden, die elektrisch miteinander verbunden sind, um eine oder mehrere
elektrische Aufgaben zu erfüllen. Typische Schaltungselemente, die in dieser Weise ausgebildet und verbunden werden,
sind Blöden, Transistoren, Widerstände und Kapazitäten
(Kondensatoren). Die verbindenden Elemente werden für gewöhnlich von elektrisch leitenden Strecken gebildet, die
an der Außenfläche einer elektrisch isolierenden Schicht
auf dem Halbleiterkörper oder der Unterlage ausgebildet werden, um die verlangten Teile der aktiven oder passiven
Schaltungselemente zu verbinden. Es ist üblich, dieses die äußeren Verbindungen darstellende Netzwerk dadurch herzustellen,
daß zunächst über die ganze Oberfläche des Halbleiterkörpers oder der Unterlage Metall, beispielsweise
durch Niederschlagen im Vakuum, aufgebracht wird. Hierauf wird durch photographischee Maskieren und Ätzen das Metall
so weit entfernt, daß Teile davon an den gewünschten Stellen zurückbleiben und Verbindungen in solcher Weise herstellen,
wie dies der verlangten Schaltung und ihrer Punktion oder ihren Funktionen entspricht. Metall wird auch auf
bestimmtei relativ großen Flächenbereichen zurückgehalten,
um die Schaltung oder Schaltungen an äußere Apparaturen an-
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..3Q.*April
schließen zu können. Solche größeren !Flächenbereiche werden
nachstehend als Schaltungsverbindungsflächen oder Anschlußstücke
bezeichnet. Die Kombination, die aus einer Unterlage mit einem oder mehreren Schaltelementen oder daraus gebildeten
Schaltungen besteht, wird nachstehend kurzerhand als "Schaltung" oder auch als "Schaltungsscheibchen" bezeichnet.
Eine derartige Kombination ist in der Regel recht klein. Eine typische, für einen Rechner geeignete integrierte
Schaltung, die beispielsweise die Punktion eines Schieberegisters erfüllt, kann auf einem Siliziumscheibchen von
1,2 χ 1,7 x 0,15 mm untergebracht werden. Solche Schaltungsscheibchen
werden in der Regel vom Hersteller in der Form einer Vielzahl identischer Scheibchen geliefert, die noch
aus einem Stück eines gemeinsamen Halbleiterscheibchens bestehen, das anschließend aufgeteilt wird, um diskrete, also
getrennte Schaltungsscheibchen zu erhalten.
Es liegt auf der Hand, daß bei der Verwendung derartiger Mikroschaltungen das Problem auftritt, die endgültigen
Verbindungen zu den leitenden Strecken auf dem Schaltungsscheibchen herzustellen, um irgendeine bestimmte elektrische
Punktion oder Systemfunktion zu erhalten. Es wird ferner einleuchten, daß die gleiche Schaltung in funktionellem
Sinne von verschiedenen Herstellern in Scheibchenform bezogen werden kann, daß aber die Anordnung der Schaltungsverbindungsflächen
oder Anschlußstücke für den äußeren Anschluß im allgemeinen verschieden und nicht genormt ist,
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..30ι*Λρχ11 1.9.6.än !Verfahren z.um....Anpaafl.fin
und zwar hauptsächlich mit Rücksicht auf die Tatsache, daß
jeder Hersteller seine eigenen Methoden in der Konstruktion und der Maskierung benutzt. Solche Ungleichförmigkeit in
der Anordnung der Anschlußstücke findet sich natürlich auch, wenn es sich um funktionell voneinander verschiedene Schaltungsscheibchen
handelt. Für denjenigen, der solche funktionell gleichartigen oder verschiedenen Schaltungsscheibchen
verwendet, bleibt nur übrig, häufig nicht nur funktionell verschiedene Schaltungen sondern auch funktionell miteinander
übereinstimmende Schaltungen, die aus verschiedenen Quellen stammen und sämtlich die Form Von Scheibchen mit
durchweg verschiedener Anordnung der Anschlußstücke haben,
in eine Gesamtschaltung mit einem möglichst kleinen Aufwand an Kosten und Arbeit und mit einem großen Maß von Einheitlichkeit
einzufügen.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, ein besseres Verfahren zur Herstellung elektrischer Verbindungen
zu Komponenten Integrierter Schaltungen zu schaffen.
Enger gefaßt besteht die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe darin, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung
elektrischer Verbindungen zu elektrischen Apparaturen zu schaffen, die eine Vielzahl von auf ihnen angeordneten
Verbindungsmitteln aufweisen.
Weiterhin zielt die Erfindung darauf ab, ein verbessertes Verfahren zur Schaffung elektrischer Apparaturen,
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3.Q.*Aprll 1.9.68bn "Xerfaoren zum Anpassen
insbesondere Komponenten integrierter Schaltungen zu schaffen, die eine bestimmte Anordnung elektrischer Anschluß-Stücke
und ferner eine gleichfalls bestimmte, standardisierte Anordnung weiterer Anschlußstücke aufweisen.
Erflndungegemäß werden diese Aufgaben dadurch gelöst,
daß ein weiterer Satz von zusätzlichen Anschlußstücken in einer bestimmten, standardisierten Anordnung auf dem
Scheibchen einer integrierten Schaltung vorgesehen wird, wobei diese zweite Anordnung von Anschlußstücken von der eigentlichen
Schaltung elektrisch isoliert ist, jedoch elektrisch mit bestimmten Anschlußstücken, die bereits in der
integrierten Schaltung vorhanden sind, verbunden sind. Dieser zweite Satz von Anschlußstücken kann dann verwendet werden,
um das Sehaltungseeheibchen an ein genormtes Substrat
anzuschließen, das seinerseits Anschlußstücke trägt, die in ihrer Anordnung der standardisierten Anordnung der Anschlußstücke
in der genannten zweiten Anordnung auf dem Schaltungsβoheibchen
entsprechen. Dabei ist es gleichfalls möglich, den ssweiten Satz von Anschlußstücken mit Mitteln zur
Herstellung des Anschlusses zu versehen, beispielsweise durch getrennt angeordnete Lötanechlüsse0
Zur weiteren Erläuterung diene die Zeichnung. Dort zeigen
eine Draufsicht eines eine integrierte Schaltung tragenden
Scheibchens mit einer Vielzahl elektrischer
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.3.0... April 19.6Sm !!Verfahren zum....Anp.a.aaen *_».*.·..*.?. βι^τγ. ftL
Flg. 2 bis 5 im Aufriß gehaltene Querschnitte durch einen
Teil eines eine integrierte Schaltung tragenden Scheibchens in verschiedenen Stufen der Behandlung
nach dem erfindungsgemäßen Verfahren,
Pig, 6 eine Draufsicht eines Teiles eines eine integrierte Schaltung nach fig, 1 tragenden Scheibchens, nachdem
es erfindungegemäß behandelt worden ist, und
Pig. 7 eine Draufsicht eines standardisierten Substrats genormter
Abmessungen, auf dem ein eine integrierte Schaltung tragendes Scheibchen angegracht 1st, das
erfindungsgemäß derart behandelt worden ist, daß eine Anordnung von Verbindungsstücken geschaffen
wird, die mit der Anordnung von Verbindungsstücken auf dem Substrat übereinstimmt.
Pig· 1 zeigt eine integrierte Schaltung in Form eines Scheibchens 2, das aus einem Träger 4- aus Silizium
besteht, in welchem eine Vielzahl elektrischer Elemente oder Komponenten ausgebildet sind, die im einzelnen nicht
gezeichnet sind. Dabei kann es sich um Transistoren, Dioden, Widerstände und Kondensatoren handeln. In einem typischen
Fall stellt dieses Schaltungsscheibchen die eingangs erwähnte Schieberegisterschaltung dar. Auf der Oberfläche dee Siliziumscheibchens
4 ist eine Vielzahl elektrischer Verbindungen 6 ausgebildet, die zu den verschiedenen elektrischen
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..3.0....ApXiI 196An .lYexXaJaren zum. Anpassen *...,....,..*." w*r jfcr...
Elementen führen und außerdem in relativ großen Flächen*
stücken münden, die nachstehend als AnSchlußstücke 8 bezeichnet
werden sollen. Diese Leitungen 6 und Anschlußstükke θ können, wie in der Technik der integrierten Schaltungen
bekannt ist, dadurch hergestellt werden, daß sie in Form von im Vakuum niedergeschlagenen Streifen oder Flächen
aus Metall in Haftung mit einem darunter befindlichen überzug 10 aus elektrisch isolierendem Material aufgebracht werden,
beispielsweise Siliziumdioxyd, ausgenommen nur die Stellen, wo elektrische Verbindungen zu den verschiedenen
Anschlüssen der elektrischen Komponenten verlangt sind. Für denjenigen, der solche Schaltungsscheibchen 2 weiterverwenden
will, hat das Scheibchen 2 eine obere Außenfläche, die aus metallenen Flächen 6 und 8 und Flächen 10 aus elektrisch
isolierendem Material besteht. Ee liegt an ihm, die zu betätigende
Gesamtschaltung mit den nötigen Verbindungen zu den großflächigen Anschlußstücken 8 zu versehen. Da das
Scheibchen 2 auf irgend einem Typ von Unterlage, beispielsweise auf einem größeren Substrat oder einem Einheitsschaltungsträger
angebracht werden soll, muß die Gestaltung des Substrats, welches das Scheibchen aufnehmen soll, derart
beschaffen sein, daß es der Anordnung der großflächigen Anschlußstücke
8 entspricht, die der Hersteller des Scheibchens vorgesehen hat. Wie oben erwähnt, würde kaum ein Problem
darin liegen, eine derartige Verbindung zwischen dem Scheibchen und dem Substrat zu schaffen, wenn die Anordnung
..3Q....Apr.il 19.6An .!!..Y.ex£aJfctr.eJx....Ä^
der Anschlußstücke für alle derartige Schaltungeecheibchen
standardisiert wäre, ausgenommen vielleicht solche Probleme, die dadurch entstehen, daß eine bestimmte Ausrichtung
zwischen den verbindenden Kontakten od.dgl· zu fordern ist. Da jedoch jeder bestimmte Hersteller seine eigene Anordnung
der Anschlußstücke vorsieht und bestimmte Schaltungen verschiedene Anordnungen der Anschlußstücke aufweisen, ist derjenige,
der die Schaltungen verwenden will, sofern er die gleiche Schaltung in bezug auf ihre elektrische funktion
von mehr als einem Hersteller oder mehr als einer Quelle beziehen will, genötigt, sein Erzeugnis, nämlich die standardisierten
Substrate, so zu gestalten, daß sie den verschiedenen Anordnungen der AnschlußstUoke entsprechen. Die
gleiche Unheitlichkeit und Kompliziertheit in der Gestaltung ergibt sich, wenn die Notwendigkeit besteht, ein Gemisch
elektrisch verschieden funktionierender Scheibchen zu verwenden. Die Erfindung ermöglicht es demjenigen, der
derartige Schaltungsscheibchen weiterverwendet, diese Probleme,
die in der Verschiedenartigkeit der Gestaltung liegen, auf einfache, bequeme und billige Weise zu überwinden
und für seinen eigenen Gebrauch ein standardisiertes Verbindungsglied
zu schaffen, mittels dessen es möglich ist, ohne die genannten Schwierigkeiten Schaltungsscheibchen
nahezu jeder Anordnung der Anschlußstüoke aufzunehmen und
zu montieren. Zugleich hat der Verwender Gelegenheit, irgendwelche besonderen Vorschriften in bezug auf Ausrichtung
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li£An .!!.Y.e.r£aJar.en zm. Anpassen. ....α......*......". Bi^r ££.....
und Abstand für Anschlußkontakte u.dglo zu erfüllen.
Um dieses wünschenswerte Ziel erfindungsgemäß zu erreichen, wird ale erster Schritt die fest gegebene Anordnung
von Anachlußstücken 8 auf dem Sehaltungsscheibchen 2
mit einem darüberliegenden Schutzüberzug aus elektrisch isolierendem Material, beispielsweise Glas, versehen, in
welchem Löcher hergestellt werden, um darunterliegende Teile der Anschlußstücke 8 freizulegen. Dies kann dadurch geschehen,
daß Glas über die Oberfläche des Scheibchens aufgesprüht wird und danach durch konventionelle photoresistive
Ätsnethoden Teile des Glases entfernt werden, um in dem
Glas Löcher zu bilden, die zu den Anschlußstücken 8 führen.
Ein anderes Verfahren besteht darin, die Anschlußstücke zunächst mit einem darüberliegenden überzug aus polymerem
Material 12 zu versehen, wie dies in dem in Pig· 2 dargestellten Teil des Schaltungssoheibchens 2 gezeichnet
ist· Vorteilhaft werden die Bereiche 12 aus polymerem Material
duroh Anwendung konventioneller photoresistiver Verfahren
gebildet, wie in der Teohnik bekannt ist. Kurz gesagt besteht dieses Verfahren darin, daß lichtempfindliches
polymeres Material über die ganze Fläche des Schaltungssoheibohen·
2 aufgebracht und der so entstandene Oberzug duroh ein· optische Maske hinduroh belichtet wird, so daß
nur diejenigen Bereiche des polymeren Materials, die oberhalb der großflächigen Anschlußstücke 8 liegen, belichtet
und dadurch unlöslich gemacht und/oder polymerisiert wer-
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.3Q- April 19JBAn !!Y.e.rXaJbx.exi....auai..Anp.aÄa.en *.*..».*.».! ψ<Γ. WL
/β
den. Hierauf werden durch spezielle Lösungsmittel, die für
diesen Zweck bekanntlich zur Verfügung stehen, die nicht exponierten, löslichen Bereiche polymeren Materials entfernt,
so daß das exponierte polymere Material an Ort und Stelle auf den Anschlußstücken 8 oder auf bestimmten Teilflächen
derselben, die im allgemeinen kleiner sind als die ganze Fläche, verbleibt. Geeignete typische Lösungsmittel
für diesen Zweck sind beispielsweise Methyl, A'thylketon oder Trichloräthylen.
Hierauf wird eine Schicht 14 aus Glas durch Aufdampfen oder Aufsprühen auf die gesamte Fläche des Schaltungssoheibchens
gebracht, einschließlich der polymeren Bereiche 12 und das Metall, aus dem die an der Oberfläche liegenden
Verbindungsstreifen und sonstigen Elemente der Schaltung bestehen. Oberhalb der darunterliegenden Anschlußstükke
θ werden in der Glasschicht 14 Löcher hergestellt. Für
die Herstellung der verlangten Löcher stehen im wesentliohen zwei Verfahren zur Verfügung. Einmal kann das Schaltungssoheibchen
2 in eine Lösung getaucht werden, die das unter der Glassohicht liegende polymere Material 12 auflöst.
Eine geeignete Lösung für diesen Zweck kann aus einem der oben erwähnten Lösungsmittel bestehen, mit dem Unterschied
allerdings, daß längere Zeiten nunmehr nötig sind, um die Entfernung des polymeren Materials zu bewirken, das durch
das Lösungsmittel weichgemacht wird· Sie Entfernung kann durch Bewegung des Lösungsmittels angeregt werden. Das Lu-
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...3Q..*Ap.ril 19£ftn !!.Verfahren zum. Anpassen«..»*.«.»'!
sungsmittel 1st in der Lage, die polymeren Bereiche 12 zu
erreichen und auf sie einzuwirken, obwohl diese Bereiche von der Glasschicht 14 überdeckt sind. Dazu kann eines von
mehreren verschiedenen Verfahren angewendet werden. Da das Glas auf die Oberfläche des Sehaltungsscheibchens 2 durch
Aufsprühen oder Aufdampfen von oben hergestellt worden ist, befindet sich wenig oder überhaupt kein Glas an den Seitenflächen
der polymeren Flächenstücke. Infolgedessen können diese Seitenflächen von der Lösung erreicht und entfernt
werden, wodurch der darüberliegende Teil des Glasüberzuges frei gemacht wird. Außerdem wurde gefunden, dafl die Fläche
dee Glases oberhalb der polymeren Bereiche diskontinuierlich oder porös ist, wie durch ihr runzeliges Aussehen zum
Ausdruck kommt. Diese Porosität gestattet dem Lösungsmittel, das polymere Material durch das Glas hindurch zu erreichen
und es aufzulösen, so daß seine Verbindung mit dem Glas gelockert wird.
Stattdessen kann das Schaltungsscheibchen 2 auch in einen Ofen gebracht und darin auf eine Temperatur erhitzt
werden, die bewirkt, daß das polymere Material 12 stärker polymerisiert wird, und zwar vorzugsweise bis zum
Zustand der Verkohlung. Solche Erhitzung hat zur Folge, daß daa polymere Material sich ausdehnt und die darüberliegende
GlasBchicht mechanisch von der Oberfläche absprengt. Läßt man das polymere Material verkohlen, so wird seine Entfernung
durch gewöhnliche Säuberungsverfahren erleichtert, bei-
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3Q...Apxil 19.6.8m !.!y..e.rX.ahr.eÄ....Ä^ jj0H ...... ML·
spielsweiee duroh Spülen und Bürsten in Wasser.
In Fig. 3 ist ein Teil des Sehaltungsscheibchens
2 nach der Durchführung der oben beschriebenen Verfahrensschritte
dargestellt. Der gezeichnete Teil besteht aus dem
Scheibchen 2 mit einer Schicht 14 aus Glas, die die Mantelfläche des Scheibchens mit Ausnahme bestimmter Seile überdeckt.
Der nächste Schritt besteht gemäß Fig. 4 darin, daß eine Schicht 16 aus elektrisch leitendem Material oder Metall,
beispielsweise Aluminium, durch Niederschlag aus dem Vakuum auf die ganze Außenfläche des Schaltungsecheibchens
2 und insbesondere über die gesamte Glasschicht 14 und diejenigen
Teile der Anschlußstücke 8, die im Bereich der Löcher freigelegt worden sind, gebracht wird. Ale weiterer
Verfahreneschritt folgt die Entfernung von Teilen der Metallschicht
16 zwecks Bildung eines zweiten Satzes von Anschlußstücken 18 in der Stellung, Grüße und Form, die verlangt wird, um eine Anpassung an ein bestimmtes Muster oder
eine bestimmte Anordnung zu ermöglichen, wie sie beispielsweise durch ein Standard-Substrat gegeben sind. Ein solches
ist in Fig« 7 dargestellt und unten im einzelnen beschrieben.
Im Ergebnis hat das soweit beschriebene Verfahren ein Schaltungsecheibchen 2 geliefert, das mit AnsohlußstUoken
8 versehen ist, die in ihrer Form und Stellung Bit den Kontaktstücken
des Standard-Substrats des Verbrauchers übereinstimmen. Die Bildung dieses zweiten Satzes von Ansohlußatükken
18 kann durch normale photoresistive Ätzverfahren, wie
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19£An
sie in der Technik bekannt sind, geschehen. Es kann auch wünschenswert sein, nicht gezeichnete diskrete Anschlußelemente,
beispielsweise in Form von Lötkuppen, auf den verschiedenen Anschlußstücken aufzugalvanisieren.
Einer der wesentlichen zusätzlichen Vorteile des Verfahrens naoh der Erfindung besteht in der Möglichkeit,
endgültige Anschlußbereiche, nämlioh die Anschlußstücke 18,
zu schaffen, die im Vergleich mit den primären Anschlußbereichen, nämlich den Anschlußstücken 8, relativ dick sind.
Diese letzteren sind wegen der Kleinheit, Vielzahl und Kompliziertheit des Schaltungssoheibchens oft ausgesprochen
dünn und eignen sich daher nicht gut zur Herstellung einer kräftigen metallurgischen Verbindung. In einem typischen
Pail beträgt die Dicke der Anschlußstücke 8 innerhalb der ersten Anordnung etwa 6000 ^-Einheiten. Die Dicke der
Schutzschicht 14 aus Glas kann etwa 2 Mikron betragen und die Dicke des zweiten Satzes von Anschlußstücken 18 kann
beispielsweise zwischen 2 und 5 Mikron liegen.
Pig· 6 zeigt eine Draufsicht eines Teiles des Schaltungsschelbchene 2, nachdem es in der beschriebenen
Weise gemäß der Erfindung behandelt worden ist. Die gesamte Oberfläch· des Scheibchens ist, wie erwähnt, nunmehr von
einer Schutzschicht 14 aus Glas bedeokt. Auf Teilen dieser Glassohloht befinden eioh die AnsohlußstUoke 18 des zweiten
Satze«, die so angeordnet sind, daB sie zu einer Standard-Kontaktanordnung
auf tinem al· Zwi■ohtηverbinder dienenden
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3Q«Apr.il ISiSAn lY.e.ri.ata.eÄ....aum....An^
Substrat (Pig· 7) passen. Die Anschlußstücke 18 des zweiten
Satzes stehen in elektrisch leitender Verbindung mit den Anschlußstücken 8 des ersten Satzes, die in Pig· 6 in gestrichelten
Linien gezeichnet sind und sich unterhalb der Anschlußstücke 18 des zweiten Satzes befinden. Ebenfalls mit
gestrichelten Linien sind die Löcher 141 angedeutet, die
sich durch die Glasschicht 14 hindurch erstrecken und sich unterhalb der Anschlußstücke 18 des zweiten Satzes befinden.
Es wird einleuchten, daß jede beliebige Verteilung oder Anordnung der Anschlußstücke des zweiten Satzes ermöglicht
werden kann, und zwar entsprechend den Wünschen und Notwendigkeiten bei der Weiterverwendung. So ist es möglich, die
Anschlußstücke des zweiten Satzes über Schaltungebereiche des Scheibchens 2 hinweg zu erstrecken, gegen die sie durch
die Glasschicht 14 isoliert sind, so daß diese Anschlußstükke
wesentlich größer gemacht werden können, als wenn sie direkt auf dem Siliziumscheibchen selbst angebracht wären,
zumal es wünschenswert ist, die auf dem Siliziumscheibchen zur Verfügung stehende Fläche maximal für die eigentliche
Schaltung nutzbar zu machen.
Pig· 7 zeigt ein typisches genormtes oder Standard-Substrat 20. Das Substrat besteht aus einer Unterlage
22 aus Glas oder anderem geeignetem Isolierstoff, auf deren Oberfläche eine Vielzahl primärer Anschlußstücke 24 und verbindende
Streifen 26 angeordnet sind, die schließlich in eine Vielzahl sekundärer Kontaktglieder 28 auslaufen· Die
1 09847/0533
..3.0....ApXiI 19£ftn .".Isrfatoea s.m A&passea .........."
primären Anschlußstücke 24 und sekundären Kontaktglieder 28
können aus metallenen Buckeln oder Warzen oder aus im Vakuum niedergeschlagenen Metallwulsten bestehen. Es können
aber auch Kontaktglieder 24' auf den Anschlußstücken 18 des
Schaltungsscheibchens 2 vorgesehen werden und sind dann auf dem Standard-Substrat 20 überflüssig. Die Anschlußstücke 24
auf dem Substrat, die beispielsweise von Warzen oder Kuppen aus Lot gebildet werden, sind so gestaltet, daß sie durch
Ultraschalleinwirkung, Löten oder Ausübung von Druck unter Hitze eine feste Verbindung zwischen dem zweiten Satz von
Anschlußstücken 18 auf dem Schaltungsscheibchen 2 und den
entsprechenden Anschlußstücken 24 des Standard-Substrats 20 herstellen. Sie Sekundärkontakte oder Kuppen 28 sind so beschaffen,
daß sie den Anschluß äußerer Drahtleitungen durch Löten oder Schweißen erleichtern.
Der abschließende Verfahrensschritt bei der Herstellung der Gesamtanordnung ist gemäß Fig. 7 die Montage
des Schaltungsscheibchens 2 auf den ihm jeweils zugeordneten Bereichen des Standard-Substrats 22, derart, daß die
Ansohlußstücke 18 des zweiten Satzes auf dem Schaltungssoheibchen die zugeordneten Anschlußstücke 24 (oder 24')
auf dem Standard-Substrat 22 berühren. Vor oder nach der Montage des Schaltungsscheibchens oder der Schaltungsscheibchen
auf dem Standard-Substrat und der Herstellung einer sicheren Verbindung zwischen beiden können Drahtleitungen
an die Sekundärkontakte oder Kuppen 28 angeschlossen werden.
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3Q0April 19.6&n "YerXaJarexi zum Anpaflee.n
:en s
Dae Scheibchen mit der integrierten Schaltung ist dann sum
Gebrauch fertiggestellt» Es kann wünschenswert sein, die Uesamtanordnung einschließlich des Schaltungsscheibohens 2
und des Standard-Substrats 22 mit Kunststoff zu umhüllen, beispielsweise einem der bekannten Epoxydharze. Stattdessen
kann die Gesamtanordnung auch in einer der in der Halbleitertechnik
bekannten, hermetisch abgeschlossenen Fackungen untergebracht werden.
Vorstehend ist ein verbessertes Verfahren zur Hontage
von Scheibchen mit integrierten Schaltungen auf Standard-Substraten beschrieben. Zu den mit der Erfindung erreichten
Vorteilen gehört nicht nur die Möglichkeit der Verwendung von Standard-Substraten für Schaltungsscheibohen
mit verschiedener Anordnung der Anschlußstücke, sondern
auch die Tatsache, daß die Schaltungssohelbohen hermetisch
dicht in Glas eingeschlossen sind. Zusätzlich gestattet die Erfindung die Schaffung optimaler metallurgischer Verbindungen
in elektrischer und mechanischer Hinsicht zwischen den Schaltungsscheibchen und dem Standard-Substrat· Dadurch erhalten
diese Verbindungen eine wesentlich größere metallene Dicke, als zuvor möglich war, was zur schließlich erzielten
Festigkeit und Robustheit der Anordnung beiträgt· Dem Verbraucher der Schaltungssoheibohen ist außerdem Gelegenheit
gegeben, die Größe, Form und lage der Ansohlußstücke und
Kontaktkuppen optimal zu gestalten und auf diese Weise die Unzuverlässigkeiten und Mühseligkeiten zu vermelden, die
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..3Q.»April 1.9.68η .Verfahren zum.Anpassen ♦·........·· Bianr.
eich ergeben» wenn die Anschlußstücke dicht nebeneinanderliegen,
wie dies zuvor für die Herstellung von Verbindungen zwischen einem Scheibchen und einem zugeordneten Substrat
charakteristisch war.
Soweit im vorstehenden Text von standardisierten oder genormten Substraten die Rede ist, so sind nicht unbedingt
behördlich oder durch Verbände vorgeschriebene Normen oder Standardisierungen gemeint, sondern in erster Linie
firmeninterne Normen.
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Claims (1)
- 3Q....Ap.ril 19o8jn "Verfahren zum Anpaaaen ·..·.·.»♦" gjptf^tüB.Hughes Aircraft Company, Centlnela and Tealβ Street,SSS=SSSSSSSSSS=SSS=S=S=SS=S=SSSS=SZSSSSSSSSs=S:Culver City, California, U.S.A.Patentansprüche:1| Verfahren zum Anpassen einer integrierten Schaltung, die einen ersten Satz von Anschlußstücken in bestimmter Anordnung aufweist, an ein als Träger dienendes Substrat, d. a durch gekennzeichnet, daß die Schaltung (2, 4» 6) mit einem zweiten Satz von Anschlußstücken (18) versehen wird, deren Anordnung derjenigen von Anschluß-Stücken (24) auf dem Substrat (20, 22) entspricht, wobei die Stücke (18) des zweiten Satzes mit den Stücken (8) dee ersten Satzes unter Isolierung gegen andere Elemente (6) der Schaltung elektrisch verbunden werden, so daß die Schaltung (2, 4t 6) an das Substrat (20, 22) mittels des zweiten Satzes von Anschlußstücken (18) und der Anschlußstücke (24) des Substrate (20, 22) angeschlossen werden kann.2· Verfahren naoh Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf die die Schaltungselemente (6) tragende Seite der integrierten Schaltung (2, 4f 6) eine elektrisch isolierende Schutzschicht (14) gebracht wird, in der Löcher oberhalb des ersten Satsea von Anschlußstükken (8) hergestellt werden, und daß der zweit« Satz von An-109847/0533..3CUApXiI 1.9.6fto ?T.erialarÄn....Äum...Axip.aaaen ·.*.·..».*..!'schlußstücken (18) außen auf der Schutzschicht (14-) angeord net und durch die Löcher mit den Anschlußstücken (8) des er sten Satzes elektrisch verbunden wird.3· Verfahren naoh Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet» daß die Schutzschicht (H) aus Glas besteht, das mit der Oberfläche der Schaltung (2, 4, 6) haftend verbunden wird·4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß auf den Anschlußstücken (18) des zweiten Satzes oder auf den Anschlußstücken des Substrats (20, 22) diskrete Verbindungselemente (241 bzw« 24) befestigt werden.5β Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußstücke (18) des zweiten Satzes dicker hergestellt werden als die Anschlußstücke (8) des ersten Satzes.6. Nach dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5 hergestellte Kombination einer integrierten Schaltung und eines diese tragenden Substrats, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Verbindungen zwischen den Ansohlußstücken (18) des zweiten Satzes und den AnsohlußetUoken (24) des Substrate zugleich die mechanische Verbindung zwischen der Schaltung (2, 4, 6) und dem Substrat (20, 22) bilden.109847/0533
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- 1968-05-24 GB GB25025/68D patent/GB1186974A/en not_active Expired
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Also Published As
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| SE344870B (de) | 1972-05-02 |
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