DE1764578C3 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Feldeffekttransistor - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Bei der Herstellung monolithischer, integrierter Schaltungen werden gleichzeitig durch eine Mindestzahl von Behandlungen auf einem Substrat verschiedene aktive Halbleiterschaltungselemente, wie Dioden, Transistoren usw. oder passive Halbleiterschaltungselemente, wie Widerstände, Kondensatoren usw. angebracht.

Die durchgefühlten Behandlungen erfolgen gemäß bekannten Techniken, wie Legieren, Diffusion, epitaktisches Abscheiden oder Anbringen von dünnen Schichten. Die verlangten Eigenschaften der unterschiedlichen Schaltungselemente erfordern jedoch manchmal Behandlungen durchzuführen, die nicht miteinander vereinbar sind oder von denen einige andere Schaltungselemente beeinträchtigen können. Außerdem stellt die elektrische Isolierung der Elemente untereinander entsprechend der herzustellenden Schaltung bestimmte Anforderungen in bezug auf Polarität oder Leitfähigkeit in Übereinstimmung mit den Eigenschaften der Schaltungselemente.

Es ist bekannt (siehe z. B. die FR-PS 14 46 319), die unterschiedlichen Schaltungselemente einer integrierten Schaltung dadurch zu isolieren, daß diese in je einer Insel untergebracht werden, die unten durch eine tiefer liegende Schicht des dem der Insel entgegengesetzten Leitungstyps und an den Rändern durch diffundierten Zonen des gleichen Leitungstyps wie die tiefer liegende

b> Schicht begrenzt wird, welche Zonen sich durch die die Insel enthaltenden) Schichten) bis zu der tieferen Schicht erstrecken und die Schaltungselemente vollständig umgeben. Die auf diese Weise für jedes Schaltungselement gebildete Insel kann durch Polarisierung des mit dem weiteren Körperteil gebildeten Oberganges in der Sperrichtung elektrisch isoliert werden.

Ein Feldeffekttransistor in einer monolithischen Halbleiteranordnung, die aktive Schaltungselemente wie pnp- und npn-Transistoren oder Dioden in einer Anzahl dieser isolierten Inseln enthält, muß Anforderungen erfüllen, die durch die bekannten Techniken nicht stets miteinander vereinbar sind.

Der Kanal eines Feldeffekttransistors hat vorzugsweise einen gleichmäßigen, verhältnismäßig hohen spezifischen Widerstand, um die zulässige Betriebsspannung zu erhöhen, was dadurch erreicht wird, daß dieser Kanal durch einen Teil der epitaktischen Schicht des erwünschten Leitungstyps gebildet wird, statt daß Verunreinigungen dieses Leitungstyps in eine Schicht des entgegengesetzten Leitungstyps diffundiert werden. Der gewählte Leitungstyp ist nicht notwendigerweise der des Substrats; die Wahl erfolgt im Zusammenhang mit den Möglichkeiten oder Anforderungen der anderen Schaltungselemente der Schaltung und der gewünschten Isolierung.

Dahei wird der Kanal des Feldeffekttransistors häufig in einer epitaktischen Schicht auf einem Substrat des entgegengesetzten Leitungstyps gebildet. In diesem Falle können die die Steuerzone bzw. das Gate des Transistors bildenden Zonen der Steuerelektrode ähnlich wie bei bekannten Verfahren durch örtliche Diffusion von der Oberfläche der epitaktischen Schicht her angebracht werden, wobei ferner ein Teil des Substrats, der unter dieser Schicht liegt, mit der Oberfläche der Anordnung vorzugsweise durch eine diffundierte Zone solcher Geometrie verbunden wird, daß diese Zone das den Kanal bildende Gebiet bestimmt und vollständig umgibt. Ein solcher Transistor läßt sich jedoch nicht gegen den weiteren Teil der Anordnung isolieren, da ein Teil der Steuerelektrode durch einen Teil des Substrats gebildet wird, der infolgedessen die Spannung dieser Elektrode annehmen würde, während für die anderen Elemente in oder auf dem Substrat eine andere Spannung notwendig ist. Außerdem ist das Substrat häufig an einer leitenden Bodenfläche festgelötet.

Wenn das halbleitende Substrat des gleichen Leitungstyps wie der Kanal ist, kann eine örtliche Diffusion aus der Oberfläche des Substrats erfolgen, statt daß ein Teil des Substrats den begrabenen Teil der Steuerelektrode bildet. Eine solche Anordnung ist aus der FR-PS 14 20 391 bekannt. Diese Anordnung enthält außer einem oder mehreren Feldeffekttransistoren einen oder mehrere Bipolartransistoren (pnp- oder npn-Transistoren), die in der monolithischen Halbleiteranordnung integriert sind. In dieser Anordnung bildet das Substrat einen Teil des Kollektors der Bipolartransistoren ähnlich wie die auf diesem Substrat angebrachte epitaktische Schicht. Folglich sind die unterschiedlichen Elemente der Schaltung nicht vollständig gegeneinander isoliert. Eine solche Anordnung ist auch aus der US-PS 32 93 087 bekannt. Dabei wird jedoch die Basis des Bipolartransistors durch einen völlig von dem Kollektor umgebenen Teil der epitaktischen Schicht gebildet. Es ist jedoch oft erwünscht, einen Bipolartransistor mit diffundierter Basis zur Verfügung zu haben.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 so auszugestalten, daß ein Feldeffekttransistor mit einem durch einen Teil einer epitaktischen Schicht gebildeten Kanal auch dann mit anderen Halbleiterschaltungselementen, insbesondere Bipolartransistcien, kombiniert werden kann, wenn der Leitungstyp des Substrats der Anordnung dem der epitaktischen Schicht entgegengesetzt ist

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst

Der Feldeffekttransistor wird dadurch gegen das Substrat isoliert, daß eine solche Dicke der ersten epitaktischen Schicht vorgesehen wird, daß nach der Diffusion der örtlichen begrabenen Schicht zwischen dieser begrabenen Schicht und dem Substrat noch ein Teil der ersten epitaktischen Schicht mit der ursprünglichen Dotierung zurückbleibt, während weiter die komplexe epitaktische Schicht in isolierte Inseln aufgeteilt wird. Die Dicke des zurückbleibenden Teils der ersten epitaktischen Schicht zwischen der begrabenen Schicht und dem Substrat wird möglichst groß gewählt, um die Streukapazität und die Wirkung parasitärer Transistoren zu verringern.

Der auf diese Weise erhaltene Feldeffekttransistor ist vollständig isoliert und hat die Vorteile eines durch eine epitaktische Schicht gebildeten Kanals, d. h. einen hohen, gleichmäßigen spezifischen Widerstand und somit eine hohe zulässige Spannung und gute Reproduzierbarkeit, da das epitaktische Abscheiden sich genau wiederholen läßt und darauf die Diffusionen sich sehr genau durchführen lassen.

Es können z. B. örtlich isolierende Vordiffusionen vor dem ersten epitaktischen Abscheiden durchgeführt werden. Nach dem Anbringen der ersten epitaktischen Schicht werden auf deren Oberfläche isolierende Diffusionen in de- gleichen Form wie die Vordiffusionen durchgeführt und gleichzeitig wird die begrabene Schicht der Steuerelektrode des Feldeffekttransistors angebracht; nach dem Anbringen der zweiten epitaktischen Schicht werden auf deren Oberfläche wieder isolierende Diffusionen in der gleichen Form wie die vorhergehenden durchgeführt, während das Oberflächengebiet der Elektrode des Feldeffekttransistors eindiffundiert wird.

Zwischen diesen unterschiedlichen Stufen lassen sich andere Diffusionen verschiedenen Leitungstyps durch übliche Techniken durchführen, um anderen aktive oder passive Schaltungselemente in dem gleichen Halbleiterkörper unterzubringen.

Die Struktur des bei dem Verfahren nach der Erfindung erhaltenen Feldeffekttransistors in den zwei aufeinanderfolgenden Teilschichten einer epitaktischen Schicht auf einem Substrat entgegengesetzten Leitungstyps ermöglicht die Herstellung dieses Transistors mit der der anderen Halbleiterschaltungselemente zu vereinigen.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen die

Fig. la bis lh schematisch Schnitte längs der Linie I-I in F i g. 2 einer Halbleiteranordnung in verschiedenen Herstellungsstufen durch ein Verfahren nach der Erfindung,

F i g. 2 schematisch eine Draufsicht auf diese Halbleiteranordnung,

F i g. 3 das Schaltbild eines Verstärkers mit unter anderem Feldeffekttransistoren und Komplementärtransistoren,

Fig.4 schematisch einen Schnitt durch eine Halbleiteranordnung, in der gegeneinander isolierte aktive Schaltungselemente der Schaltung nach Fig.3 durch j ein Verfahren nach der Erfindung integriert sind.

Es sei bemerkt, daß in den Figuren die maskierenden Oberflächenschichten z. B. aus Siliciumoxid nicht angegeben sind. Diese Schichten werden in der Beschreibung nicht erwähnt, da deren Ausbildung und die Anbringung

iü von Fenstern darin für Maskierungszwecke in üblicher

Weise durchführbar sind. Auch die Vordiffusion

nachträglich einzudiffundierenden Dotierstoffs ist nicht stets erwähnt

Als Beispiel ist ein Feldeffekttransistor mit einem

π η-leitenden Kanal in einer η-leitenden epitaktischen Schicht beschrieben, aber es kann in gleicher Weise selbstverständlich auch ein Transistor mit einem p-leitenden Kanal in einer p-leitenden epitaktischen Schicht angebracht werden. Zu diesem Zweck braucht

2n nur der Leitungstyp umgekehrt zu werden.

Auf einem p-leitenden Einkristall-Siliciumkörper 1 (Fig. la) wird in der Fläche 3 dieser Scheibe eine Vordiffusion in einem Gebiet 2a (F i g. Ib) durchgeführt, dessen Form der der Isolierzonen für die Ränder der

>: isolierten Inseln entspricht Die nachfolgenden Stufen betreffen das epitaktische Abscheiden einer Schicht 4 über die ganze vorbereitete Oberfläche 3 mit einer geringen Dotierstoffkonzentration und mit einem dem des Körpers oder des Substrats 1 entgegengesetzten

jo Leitungstyp (F i g. 1 c).

Darauf wird auf der Oberfläche 6 der epitaktischen Schicht 4 eine Vordiffusion in einem Gebiet 2i»(F i g. Id) entsprechend dem Gebiet 2a und in einem Gebiet 5a mit der erwünschten Konfiguration des begrabenen Teiles

i> der Steuerelektrode des Transistors durchgeführt.

Dann wird eine epitaktische Schicht 7 (F i g. Ie) über die ganze Oberfläche 6 der ersten Schicht 4 mit einer Dotierstoffkonzentration gleich der der ersten Schicht 4 und mit dem gleichen Leitungstyp angebracht.

An Auf der Oberfläche 9 der zweiten epitaktischen Schicht 7 wird dann eine Vordiffusion in einem Gebiet 2c(F i g. If) entsprechend den Gebieten 2a und 26 und in einem Gebiet 11a mit der erwünschten Konfiguration der Oberflächenzone durchgeführt, die sich bis zum

-i > begrabenen Gebiet der Steuerelektrode des Transistors erstreckt.

Eine Diffusion des entgegengesetzten Leitungstyps wird in einem Gebiet 12a zur Bildung des Oberflächengebiets der Steuerelektrode (Fig. Ig) von der Oberflä-

"i" ehe 9 her durchgeführt. Die Geometrie dieses Gebiets wird vorzugsweise so gewählt, daß dieses Gebiet mit dem Gebiet Ufa zusammenhängt, so daß die endgültige Steuerelektrode 11, 12 den Kanal 13 zwischen den Source- und Drainelektroden 8 und 10 vollständig

r> umgibt Eine letzte Diffusion des einen Leitungstyps dient zur Bildung der Kontaktzonen des Kanals bei 8a und 10a

Nach diesen aufeinanderfolgenden Diffusionen bilden die Zonen 2a, 2b und 2c gemeinsam die Ränder der

in Inseln, während die Zone Wb sich bis zur begrabenen Zone 5 zur Bildung des zweiten Teiles der Steuerelektrode erstreckt, wobei die Diffusionen 12a und 5d eine solche Tiefe erreichen, daß für den Kanal die erwünschte Dicke der epitaktischen Schicht zuriick-

hi bleibt. Fig. lh zeigt den auf diese Weise erhaltenen Transistor.

Der begrabene Teil 5 der Steuerelektrode hat eine Kontaktzone 11 und die c :.ie Steuerelektrode ist mit 12

bezeichnet. Der Kanal 13 enthält eine Zone 8, die Sourcezone, und eine Zone 10, die Drainzone, die beide einen sehr niedrigen spezifischen Widerstand aufweisen. Die durch die Zone 14 gebildete Insel isoliert den Transistor gegen das Substrat 1 und gegen andere Schaltungselemente im Körper.

Dieser Transistor ist in Draufsicht in F i g. 2 dargestellt, in der entsprechende Teile mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind. Es wird einleuchten, daß die zwei Steuerelektroden miteinander verbunden sind und elektrisch ein Ganzes bilden. Dies ist jedoch nicht notwendig und durch das Verfahren nach der Erfindung kann ein Feldeffekttransistor jeder erwünschten Geometrie hergestellt werden.

Das Schaltbild nach F i g. 3 ist das eines Verstärkers mit hoher Eingangsimpedanz und geringem Rauschen, in dem Feldeffekttransistoren und Bipolartransistoren und eine die Spannung begrenzende Diode in einer nach dem Verfahren nach der Erfindung hergestellten monolithischen Halbleiteranordnung verwendet werden. Der Eingang des Verstärkers ist mit £ der Ausgang mit S bezeichnet. Der Feldeffekttransistor 71 ergibt eine hohe Eingangsimpedanz.

Der Feldeffekttransistor T₂, der Γι gleich ist, bildet einen Begrenzer, der eine sehr hohe dynamische Belastung von T] ermöglicht und der einen niedrigen Gleichstromwiderstand aufweist. Der Transistor 7Ί ergibt daher eine hohe Verstärkung.

Die Diode D liefert eine ununterbrochene Verbindung mit Spannungstransponierung, aber mit einer niedrigen, dynamischen Impedanz. Die Komplementärtransistoren Ti und Ta, die als Verstärker geschaltet sind, erlauben eine Speisung mit sehr niedriger Gleichspannung. Du' mit diesen Elementen verbundenen Widerstände Ri bis Rs werden nicht beschrieben, da deren Anbringung in einem Halbleiterkörper in bekannter Weise erfolgen kann. Sie können z. B. eindiffundiert oder in dünnen Schichten angebracht werden.

Andere Elemente dieser Anordnung sind schematisch in F i g. 4 dargestellt. Diese Figur zeigt einen Feldeffekttransistor gleich Γι und T₂, eine Diode mit schroffem Übergang und die zwei Komplementärtransistoren Ti und 7i. Diese Schaltungselemente sind in einem Körper mit einer aus der epitaktischen Schicht 22 und epitaktischen Schicht 23 bestehenden Schicht auf einem Substrat 21 des entgegengesetzten Leitungstyps untergebracht. In diesem Beispiel ist die Schicht n-le:tend und das Substrat 21 p-leitend.

Jedes aktive Schaltungselement ist in einer isolierten Insel untergebracht, während die diffundierten, sich bis zum Substrat 21 erstreckenden Zonen 24 die Inseln voneinander trennen. In einer ersten Insel ist der Feldeffekttransistor untergebracht, dessen Kanal 20 zwei Kontaktzonen 28 und 30, die Source- bzw. Drainelektroden enthält; das Oberflächengebiet 29 der Steuerelektrode wird aus der Oberfläche der epitaktischen Schicht ähnlich wie die Kontaktzone 27 der zweiten Steuerelektrode eindiffundiert, während der tiefer liegende Teil derselben durch die begrabene Schicht 26 gebildet wird, die aus der Oberfläche der ersten Schicht 22 der epitaktischen Schicht eindiffundiert wird. Der Teil 25 dieser Schicht isoliert den Transistor gegen das Substrat 21.

Die in einer zweiten Insel untergebrachte Diode hat ein Oberflächengebiet 35, das als Kathode dient, und aus der Oberfläche der Schicht 23 eindiffundiert ist, und ein begrabenes Gebiet 33, das als Anode dient und aus der Oberfläche der Schicht 22 eindiffundiert ist Die zwei Diffusionen von 33 und 35 vollziehen sich gemeinsam und es ergibt sich ein schroffer Übergang, der die Eigenschaften der Diode begünstigt.
Der in einer dritten Insel untergebrachte pnp-Transi-

-> stor enthält einen Emitter 41, der aus der Oberfläche der Schicht 23 eindiffundiert ist, und eine Basis 40, die aus dergleichen Oberfläche eindiffundiert ist. Der Kollektor dieses Transistors wird durch eine begrabene Schicht 38, die aus der Oberfläche der Schicht 22 eindiffundiert ist

!■■> und durch eine Kontaktzone 39 gebildet, die aus der Oberfläche der Schicht 23 eindiffundiert ist. Der Kollektor wird durch den nach den verschiedenen thermischen Behandlungen unter der begrabenen Schicht 38 zurückbleibenden Teil 37 der ersten

ι ι epitaktischen Schicht 22 gegen das Substrat 21 isoliert.

Der npn-Transistor in einer vierten Insel weist die übliche Struktur auf. Dieser Transistor enthält einen diffundierten Emitter 45, eine diffundierte Basis 46 und einen Kollektor, der durch den Teil der epitaktischen ι Schicht in der Insel 43 und eine begrabene Schicht 44 mit niedrigem spezifischem Widerstand gebildet wird, welche begrabene Schicht aus der Oberfläche der ersten Schicht 22 eindiffundiert ist, wobei der Kollektor mit einer Kontaktzone 48 versehen ist.
) Es wird einleuchten, daß die verschiedenen, vorerwähnten, im Halbleiterkörper untergebrachten Schaltungselemente miteinander vereinbar sind und daß die zur Herstellung derselben erforderlichen Behandlungen ähnlich denen der Fig. la bis lh sind und daß die

• Elemente gut gegeneinander isoliert werden, wenn das Substrat und die Inseln in der erwünschten Weise polarisiert werden. Bei dem Feldeffekttransistor ist es meistens möglich, der Insel 25 eine Spannung zuzuführen, die die Übergänge zwischen dieser Insel und der Elektrode 26 und zwischen dieser Insel und dem Substrat 21 sperrt, so daß dieser Transistor gegen den weiteren Teil des Körpers isoliert wird. Es ist manchmal möglich, in einigen der vorerwähnten isolierten Inseln mehrere, gegebenenfalls identische Schaltungselemente

■■ unterzubringen.

Die vorstehend beschriebene Anordnung ist nur als Beispiel dargestellt. Außer den erwähnten Halbleiterschaltungselementen oder statt derselben lassen sich durch entsprechende, vereinigbare Behandlungen ande-

• ■ re aktive oder passive Schaltungselemente anbringen.

Durch Umkehrung der erwähnten Leitungstypen können auch miteinander vereinigbare Schaltungselemente in einer monolithischen Anordnung untergebracht werden, die aus einem η-leitenden Halbleiterkör-■ per mit einer p-leitenden epitaktischen Schicht besteht

Bei der Herstellung der Anordnung nach F i g. 3 ist es vorteilhaft, gleichzeitig die begrabenen Schichten 26,38 und 33 und den zwischenliegenden Teil der Isolierzoner 24 einzudiffundieren. Auch die Gebiete 29 und 41, sowie '· "■ die Zonen 35,40,28,30 und 45 und die Zonen 27,34 und 39 und die oberen Teile der Isolierzonen 24 lassen sich gleichzeitig eindiffundieren.

Als Beispiel werden nachstehend die wesentlicher Herstellungsstufen eines Feldeffekttransistors beschrie· ·" ben(s. auch die F ig. la bis lh).

Auf einem p-leitenden Einkristall-Siliciumkörper mil einer Dicke von etwa 150 μπι und einem spezifischer Widerstand von etwa 5 bis 10 Ohm - cm (1 in Fi g. la wird auf der Oberfläche 3 p⁺-Leitung erzeugendes Boi ' > im Gebiet 2a rings um die für den Transistor bestimmte Stelle (Fig. Ib) zur Bildung der den Rand dei isolierenden Insel bildenden Isolierzone vordiffundiert Die Oberflächenkonzentration beträgt 10¹⁹ bis 10²¹

Atome/cm³.

Nach dem Entfernen der während der vorhergehenden Diffusion entstandenen Oxydschicht wird in bekannter Weise eine erste, η-leitende epitaktische Schicht mit einer Dotierstoffkonzentration von etwa 10¹⁵ bis 10¹⁶ Atomen/cm³ bis zu einer Dicke von etwa 10 bis 15 μΐη (4 in F i g. 1 c) angebracht.

Auf dieser ersten epitaktischen Schicht wird eine zweite isolierende Borvordiffusion in einem Gebiet 2b entsprechend dem Gebiet 2a durchgeführt; das Gebiet 2b hat die gleichen Eigenschaften wie das Gebiet 2a.

Gleichzeitig mit dieser Vordiffusion wird das p-leitende Vordiffusionsgebiet 5a mit einer Oberflächenkonzentration von 10¹⁹ bis 10²⁰ Atomen/cm³ zur Bildung der begrabenen Schicht der Steuerelektrode des Transistors gebildet.

Darauf wird die bei der vorhergehenden Diffusion entstandene Oxydschicht entfernt und eine zweite epitaktische Schicht in gleicher Weise wie die erste und vom gleichen Leitungstyp mit der gleichen Konzentration bis zu einer Dicke von 5 bis 10 μπι angebracht (7 in Fig. Ie).

Auf dieser zweiten epitaktischen Schicht wird eine dritte Borvordiffusion im Gebiet 2c entsprechend den Gebieten 2a und 2b durchgeführt, wodurch die Zonen 2c die gleichen Eigenschaften wie die Zonen 2a und 2b aufweisen. Während der unterschiedlichen Behandlungen zur Herstellung des Transistors treffen die drei Diffusionen von 2a, 2b und 2c durch die Dicke der zwei epitaktischen Schichten hin zusammen und bilden die Zonen 2 (F i g. 1 h) für die Isolierung der Insel, in der der Transistor untergebracht wird. Gleichzeitig mit dieser dritten Diffusion wird die Vordiffusionszone 1 la mit Bor ausgeführt, um die Kontaktzone der Elektrode zu bilden, wobei die Oberflächenkonzentration 10" bis 10²⁰ Atome/cm³ beträgt. Diese Diffusionszone 11 wird durch die Dicke der zweiten epitaktischen Schicht hin bis zu der begrabenen Schicht diffundiert, um ein ununterbrochenes p-leitendes Gebiet 5,11 zu bilden, das eine der Steuerelektrodenzonen des Transistors bildet.

Darauf wird bei 12a Bor mit einer Oberflächenkonzentration von 10¹⁸ bis 10¹⁹ Atomen/cm³ eindiffundiert zur Bildung der zweiten Steuerelektrodenzone des Transistors.

Dann wird Phosphor in den Gebieten 8a und 10a (F i g. Ig) mit einer Oberflächenkonzentration von etwa 10²¹ Atomen/cm³ eindiffundiert, welche Zonen (n ⁺-Leitung) die Source- und Drainkontaktzonen des Transistors bilden.

Die Anordnung wird dann durch Anbringung der Kontakte, z. B. durch Metallisierung im Vakuum, fertiggestellt und in üblicher Weise in einer Umhüllung untergebracht.

Es können andere Dotierstoffe und andere Konzentrationen als die hier genannten benutzt werden. Ferner können in einer monolithischen Halbleiteranordnung z. B. auch Kondensatoren untergebracht werden. Statt Siliciumoxid kann Siliciumnitrid verwendet werden.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer in elektrisch gegeneinander :> isolierte Inseln aufgeteilten epitaktischen Schicht eines ersten Leitungstyps auf einem Substrat eines zweiten, zum ersten entgegengesetzten Leitungstyps, bei der in mindestens einer dieser Inseln ein Feldeffekttransistor angeordnet ist, dessen Kanalzone durch einen Teil der epitaktischen Schicht gebildet wird und dessen erste Steuerzone mit zur Kanalzone entgegengesetztem Leitungstyp von der Oberfläche der epitaktischen Schicht her eindiffundiert wird, derart, daß sie einer durch die Kanalzone von ihr getrennten zweiten Steuerzone des gleichen Leitungstype gegenüberliegt, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Steuerzone (5, 11) durch Diffusion einer örtlichen, vom Substrat (1) isolierten, begrabenen Schicht (5) des zweiten Leitungstyps von einem Vordiffusionsgebiet (5d) her, das an der Oberfläche einer ersten auf das Substrat abgeschiedenen epitaktischen Schicht (4) vor dem Anbringen einer zweiten epitaktischen Schicht (7) eindiffundiert wird, wobei die erste und die zweite epitaktische Schicht den ersten Leitungstyp aufweisen, und durch Diffusion einer die Kanalzone (13) umgebenden Zone (11) des zweiten Leitungstyps von der Oberfläche der zweiten epitaktischen Schicht (7) her erzeugt wird, wobei diese Zone (U) sich bis zu der genannten begrabenen Schicht (5) erstreckt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite epitaktische Schicht (7) die gleiche Dotierungskonzentration wie die erste epitaktische Schicht (4) aufweist.