Transistorverstärker mit Temperaturstabilisierung des Arbeitspunktes
der Undotufe Die Erfindung betrifft einen Transistorverstärker mit Temperaturstabilisierung
des Arbeitspunktes der Endstufe und einer Gleichstromgegankopplung von der Endstufe
zu der die Endstufe galvanisch ansteuernden Treiberstufe. Bei Transistorendstufen
ist en äußerst wichtig, daß der Ruhestrom in einem vorgegebenen Temperaturbereich
konstant gehalten wird, damit innerhalb dieses Temperaturbereiches die volle Ausgangsleistung
erhalten worden kann.
Als stabilisierende Maßnahmen sind grundsittzlieh Q@oich-
atroagegenkopgplungen über mehrere Trsmistoratufen bekannt.
En wurde auch schon eine Schaltur gsanordnung zur Xompon-
sation der Temperaturabhängigkeit den kuhostromea von
Transistoren vorgeschlagen (Akt.Z. 9A1319 YIIIc/21g),
die stark vereinfacht in Pig. 2 wiedergegeben ist. Hei
diesen Verstärker ist ein Hilfatranoistor T3
der selber an der Verstärkung des Aignaleo nicht teil'-
nimmt. Die Baoisvorspannung diesen gilfstransietnrs
wird
mittels eines Spannungsteilers R69 R7? gewonnen, der
zu-
sammen seit einen %mitterwiderotand ,g9 den Arbeitspunkt
den Hilfotransistora T'3 und den galvahiehh angosahlosoenen
Fndtransistorn T2 bcotimmt. Der 2ndtranaistor T2 weist
einen Emittereridorstand R5 auf und ist mit seiner Basis
an einen weiteren Spannungsteiler R10, R11 angeschlossen,,
der wiederum mit dem Rollektor das Hillotransistors vor
banden ist. Durch die Dimensionierung des Emitterwider-
etandes R9 und den Kollektorwiderstandos R8 des Hilfs-
.
transistorn T3 ist dafür gesorgt, daß die beiden Tran-
sistoren T3 und T2 dieselbe Temperatue besitzen. Weiter-
hin sind Spannungstellerliiderstänäo R6, R7 dos Hilft-
tranaistors i3 bezUglich ihrer abeoluton elarto und Texpo-
raturkoeffisienten derart dimensioniert, daƒ sich
der
gewünschte konotante Ruhestrom dos xndtrensistora T2
.
einstellt. .
Aufgabe dar Erfindung ist es, die Ochaltung eines
mehr..
stufigen @ransistorvc@rs@@trkers anaugoben, bei der
in.:.
einfacher Weise eine besondere gute ßtabilisierung
de.s :. , ; ä ,,
Arbeitopunkton der indetufe erreicht Wird.
Ausgehend von offnem Traneistorvoratärker .
mit fiempƒratur- .
atabilinlorung dos Arboit.epunkton der Indetufe und
osner
Gleiehitromgegenkopplung von der Endstufe, zu der die End-
stufe galvanisch ansteuernden Treiberstufe ist diese Auf-
gabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Basis eines
mit einem Emitterwideratand versehenen Transistors der
Treiberstufe an den Verbindungspunkt zweier Spannungs-
teilerwiderotände angeschlossen ist, von denen der erste
Spannungsteilerwiderstand galvanisch mit einem Emitter-
widerstand eines baaisgeateuerten Transistors der Endstufe
und der zweite Spannungeteilerwiderstand mit dem kollek-
torseitigen.Potential der Versorgungsspannung verbunden ist.
Änderungen des Stromes im Transistor der Endstufe und
damit Änderungen der Gleichspannung an dessen Emitter-
widerstand werden über den ersten Spannungsteilerwider-
atand an die Basis des Transistors der Treiberstufe zu-
rUckgeführt, wo sie über diesen Transistor eine Änderung
der Basisvorspannung des Transistors der Endstufe und
damit seines Emitter^tromes in einer Weise bewirken, die
der ursprünglichen Stromänderung entgegengesetzt ist. Der
zweite Spannungatcilerwiderstand ermöglicht es, die
Gleichspannung am Emitterwider sUnd des Transistors der
Endstufe klein zu halten. Dadurch wird der Wirkungsgrad
der Endstufe und auch deren Wechsclstremver stUrkung unt vr
Vermeidung sehr großer Abblockkondensatoren am Emitter
des Endtransistors wesentlich erhöht.
Dabei ist zveckmüßigerweise die Basis des Transistors der
Endotufe galvanisch, vorzugsweise über eine Zenerdione;
aus dem Iiol lektorkreia des Transistors der Treiberstufe
angesteuert.
Eine Weiterbildung der Erfindung ist dadurch gekennzeich-
net, daß an mindestens einen der Spannungsteilerwider-
stünde temperaturabhängige Bauelemente angeschaltet
und
derart bemessen sind, daß durch Spannungsteilung eine
temperaturabhängige, die temperaturabhängige Änderung
der Fmitter-Basis-Schwellenspannung des Transistors der
Treiberstufe kompensierende Basisgleichspannung entsteht.
Dadurch wird auch die Temperaturabhängigkeit des Treiber-
transistors in einfacher Weise kompensiert. .
Hei einer einfachen und vorteilhaften Ausführungeiorm der
vorerwähnten Weiterbildung ist dem ersten Spannungsteiler-
widerstand eine in Durclilaßrichtung betriebene Halbleiter-
diodc in Serie geschaltet.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform ist dadurch ge-
kennzeichnet, daƒ ein die Treiberstufe ansteuernder-Vor-
transistor mit seinen Kollektor an einen durch Unterteilung
des zweiten Spannungsteilerwiderstandes in,zwei,in Serie
geschaltete Teilwiderstände entstehenden Zwischenpunkt
angeschlossen ist. Durch die kombinierte Verwendung des
Vortrancistors zur zusätzlichen Temperaturkompensation .
und zur Signalverstärkung entsteht. ein
Tran-
sistorverstärker mit hoher Verstärkung und ausgezeichneter
Stabilität des Ruhe;trömen.der Endatufe.ohne jeglichen.
IIehrauf;:and gegenüber anderen dreistufigen Transistor-
verstürl;ern. Dabei kann die Basis des einen Emitterwider-
stand aufweisenden Vortransiwtors.an einen Verbinüungspunkt
zweier an der Versorgungsspannungliegenden Arbeitspunkt-
Spannungstcileri-iiderstäaide angeschlossen sein.
Zar Erhöhung der Signalverstärkung kann'der zwischen die
Easis des Transistors der Treiberstufe und den Kollektor ,
des Vor`ransistor s geschaltete Teilui:derstand 1-rechsel-
.
stromüberbrückt sein.
Um die Wirkung der.Gleichstromgegenkopplung über den
ersten Spannungoteilerwiderstand für die Signalverstärkung
auszuschließen, kann der erste Spannungstoilerwiderstand
in Reihenwiderstände aufgeteilt und zwischendurch weehsel-
strommäßig geerdet sein. ..
Weitere Einzelheiten der Erfindung werden nachstehend an
Hand zweier Ausführungsboispiole nach den Fig. 1 und 3
näher erläutert.
In Fig. 1 ist ein zweistufiger Transistorverstärker nach
der Erfindung dargestellt. Der Treibertransistor T1 und
der Endtransistor T2 sind vom gleichen Leitfähigkeitstyp
(npn-Typ) und arbeiten beide in Emitterschaltung. Am Ein-
gang B wird dao Signal über einen Kondensator der Basis
des Troibertranaistors T1 zugeführt, dessen Emitter
wechselatrommäßig geerdet und über einen Emitterwider-
stand R2 mit dem emittersoitigen Potential--UB der Ver-
sorgungsspannung verbunden ist. An den Kollektor des
Treibertransistors T1 iot ein mit dem kollektorseitigen
Potential 0 der Versorgungsspannung verbundener Arbeits-
widerstand R3 und die Kathode einer Zenerdiode Z ange-
schlossen, deren Anode mit der Basis des Endtransistors T2
verbunden ist. Im Kollektorkrois des Endtransistors T2
befindet sich die PrinUrwinklung des Ausgangsübertragers Ü,
dessen SekundRr%@,icklung den Ausgang A dos Transistorver-
st4rkern darstellt. Der ]bitter dos Endtransistors T2 ist
erstens über den Emitterwiderstand R5, dessen Spannungs-
abfall mit UR bezeichnet ist, mit dem emitterseitigen
Potential -UB der Versorgungsspannung und zweitens über
die Spannungatellerwideretände R1 und R4 sowie die Diode D
mit dem kollektorseitigen Potential 0 der Versorgungs-
spannung verbunden. Dabei ist an den Verbindungspunkt des
zweiten Spannungsteilerwiderstandos R1 und der Serien-
schaltung, bestehend aus der Diode il und dem ersten
Spannungoteilerwiderstand R4 die Beeis de® Treibertran-
sistors T1 angeschlossen. Änderungen den Stromes
im 11nd-
transiotor T2 und damit Änderungen den Spannuxsabfallen
Ua.worden über den ersten ßpannungstelleruideretand
R4
und die Diode D an die Basis den Treibertransistors 21
zurückgeführt, wo sie Uber den Treiber'rssistor S1 und
die Zenerdiodo Z eine Änderung der Zeeiaapannung den
Endtransistors T2 und damit seinen ,Rmitterstrozes
In
einer Weise bewirken, die der ursprünglichen
Stroadkderung
entgegengesetzt ist. Dabei werden tepclratnrbediagte
Änderungen der EQitter-Baois-Sehwolloaung den 2rober-
transistors T1 in ihrer Wirkung auf den,golloktorstrow
durch die temperaturbedingte Änderung
der Durohla8-
Sch@ellenspannung der Diode D, die zweckaUigorweise
aus den gleichen Material wie der Transistor T1 besteht,
kompensiert. Der sweite Spannungstoilerviderstand R1
setzt die Wirkung der ßleichstromgegenkopplung nur un-
wesentlich herab, ervöglicht es aber in einfacher Weine,
den Temperaturgang den Treibertransistors T'! zu
kompen-
sieren sowie den Spannungsabfall UR klein zu halten. Durch
den vergleiehsi-reiso geringen Spannungsabfall Ua (boispiels-
weise 0,7 Y) wird der Wirkungsgrad der Endstufe und auch
deren Wechselstronverstärkung ganz
erhöht* ohne
daß der niederohrige Emitteswideretand R5
durch einen
sehr großen Kondensator überbrtickt werden wuß. Temperatur-
bedingte Änderungen der Zenerspannung der Zenerdiode Z._
sowie der Schwellenspannung ü"2 der Imitter-Baeis-Strecke.
des Transistors T2 werden durch die Wirkung der ßloieh-
stromgegonkopplung stark herabgesetzt.
In Fig. 3 ist ein droietutigor Traneiatorvoratärkor nach...
der Erfindung dargeatollt. Der Scbaltvstoil,boaterid
aus der Treibertransistor f1 und dem ftransistor 22
.
stimmt in wesentlichen mit der @nos@dau; :msah äig. : ,bereis,
jedoch iot dieser Anordnung ein Vortransistor T4 rorge-
aehaltet, dessen Kollektor an einen durch Unterteilung
des zweiten Spannungsteilerwiderstandes R1 in zwei in
Serie geschaltete Teilwiderstände R1a und R1b entstehenden
Zwischenpunkt angeschlossen ist. In dieser Anordnung wird
die Wirkung der Temperaturabhängigkeit der Emitter-Basis--
Schuellenapannung UBE1 durch die Wirkung der Emitter-
Basis-Schwellenspannung UBE4 des Vortransistors T4 kom-
pensiert, so daß die Diode D aus Fig. 1 entfallen kann.
Das Eingangssignal E wird nun über einen Kondensator der
Basis des Vortransistora T4 zugeleitet und gelangt ver-
stärkt von dessen Kollektor über den wechselstromüber-
brückten Teilwiderstand R1a an die Basis des Treibertran-
sistors Ti. Der andere Teilwiderstand R 1b stellt nun für
den Vortransistor T4 einen Arbeitswiderstand dar. Der
Emitter des Vor transi: tor s T4 ist wechsclstremmäßig ge-
erdet und über einen Emitterwiderstand R14 mit dem emit-
terseitigen 7otcntial -UB der Hraorgungsspannung verbunden-
Zusammen mit diesem rr@itter,;id@rstan d R14 wird der Arbeits-
punkt des Vortransistors T4 und der nachfolgenden Tran-
sistoren T1 und T2 durch dein Arbeitspunkt-Spannungsteiler,
bestehend au: den Widerständen R12 und R13 festgelegt,
an deren Verbindungspunkt die Basis des Vortransis tors T4
angeschlossen ist. Dabei liegt an den Arbeitspunk t-Spen-
nungsteiler;;ider Münden R12 und R13 die gesamte Versor-
gungsspannung.
Durch TemperaturUnderungen bedingte Änderungen der Eigen-
schaften der Z'enerdiode Z und des Endtransistors T2 werden
durch die 7crnehniich durch den erster. Spannungsteiler-
widerstand R.. und den Emit. terwiderstand R5 gebildete
G1 eichsttomgegenkopplung unterdrückt-. Änderungen der
Aasis-Fmitter-Spannung UBE1 des Treibertransistors Ti
werden durch das aus dem Vortranslstor T4 und den Wider-
stünden R1a, R1b, R4 und R14 gebildete Netzwerk umwirksam
gemacht. Hei geeigneter Dimensionierung,kann auch der
Einfluß des durch die Gleichstromgegenkopplung nicht
völlig aufgehobenen Temperaturganges-der Zenerdiode Z,
des Endtransistors T2 und des Widerstandes R5 auf den.
Ruhestron des Endtransistors weiter herabgesetzt werden:...
3
Der Strom in der .Endstufe wird z.8. durch die Arbeitspunkt-
Spannungsteilerwiderstände R1.2 und R13 des Vortransistors
T4 eingestellt. Durch die Gleichotromgegenkopplung;aind...
Toleranzen der Zenerspannung der Zenerdiode .Z und der,.
Basis-Enitter-Spannung UHE2 des TraApiators T2 nur von
geringen Einfluß. Der Emitterwiderstand R5, de.s Endtran- ,
sistors T2 kann klein gehalten werden. Wegen der Ver-iwen-
dung des Vortrajiaiotorß T4 auch zur Temperaturkompensation
erfordert die Schaltungsanordnung keinen zusätzlichen
Bauteileaufwand im Vergleich zu bekannten,dreistufige.n
Transistorverstärkern.
Die Schaltungsanordnung nach Fig. 3.exbeitet auch zufrie-
dnnstellend, wenn die Transistoren T4 und T1 nicht auf
g1 eichcr Tenpcrztur - etwa durch gemeinpamen Kühlkörper -
.
gehalter: werden; die Tomperaturdiffereüz. zi.iischen dem
Vor±r ansi stor T4 und dem Treibeztranaintor T i soll aber
.
erbalten bleiben.
Transistor amplifier with temperature stabilization of the operating point of the undo stage The invention relates to a transistor amplifier with temperature stabilization of the operating point of the output stage and a direct current counter-coupling from the output stage to the driver stage which galvanically controls the output stage. In transistor amplifiers s is extremely important that the bias current is kept constant within a predetermined temperature range, so that the full output power can obtained within this temperature range. As stabilizing measures, Q @ oich-
atro gegenkopgplungen known over several Trsmistoratufen.
A gearshift arrangement for the Xompon-
sation of the temperature dependence of the kuhostromea
Transistors proposed (Akt.Z. 9A 1 319 YIIIc / 21g),
which is greatly simplified in Pig. 2 is reproduced. Hey
this amplifier is an auxiliary tranoistor T3
who himself does not participate in the amplification of the Aignaleo
takes. The Baois bias of these gilfstransietnrs will
by means of a voltage divider R69 R7? won who to-
together for a% mitterwiderotand, g9 the working point
the Hilfotransistora T'3 and the galvahiehh angosahlosoenen
Fnd transistor T2 determines. The 2ndtranaistor T2 has
a Emittereridorstand R5 au f and has its base
connected to another voltage divider R10, R11,
who in turn with the roll gate before the Hillotransistor
tying is. By dimensioning the emitter resistor
etandes R9 and the collector resistor R8 of the auxiliary .
transistorn T3 ensures that the two trans-
sistors T3 and T2 have the same temperature. Further-
there are tension plate liiderstänäo R6, R7 dos help-
tranaistors i3 regarding their abeoluton elarto and texpo-
rature coefficient dimensioned in such a way that the
desired constant quiescent current dos xndtrensistora T2.
adjusts. .
The object of the invention is to connect a more ..
stufigen @ ransistorvc @ rs @@ trkers anaugoben, with the in.:.
in a simple way, a particularly good ßstabilisierung de.s :. ,; ä ,,
Work point of the indetufe is reached.
Starting from the open Traneistorvoratärker . with fiempƒratur- .
atabilinlorung dos arboit.punkton the in detufe and osner
DC negative feedback from the output stage to which the output
stage galvanically activating driver stage is this
gift according to the invention in that the base of a
provided with an emitter resistor transistor of
Driver stage at the connection point of two voltage
Teilerwiderotände is connected, the first of which
Voltage divider resistor galvanically with an emitter
resistance of a baais-controlled transistor of the output stage
and the second voltage divider resistor with the collective
potential of the supply voltage is connected.
Changes in the current in the transistor of the output stage and
so that changes in the DC voltage at its emitter
resistance are generated via the first voltage divider
atand to the base of the transistor of the driver stage
fed back where they made a change via this transistor
the base bias of the transistor of the output stage and
so that its emitter ^ tromes effect in a way that
is opposite to the original change in current. Of the
second voltage atciler resistor allows the
DC voltage at the emitter resistor and the transistor of the
To keep the output stage small. This increases the efficiency
of the output stage and also their alternating current amplification below vr
Avoidance of very large blocking capacitors on the emitter
of the final transistor increased significantly.
The base of the transistor is zveckmüßigerweise the
Endotufe galvanically, preferably via a Zenerdione;
from the Iiol lektorkreia of the transistor of the driver stage
controlled.
A further development of the invention is characterized
net that at least one of the voltage divider resistors
temperature-dependent components would be switched on and
are dimensioned such that a voltage division
temperature-dependent, the temperature-dependent change
the Fmitter-base threshold voltage of the transistor of the
The base DC voltage that compensates for the driver stage is created.
This also reduces the temperature dependency of the driver
transistor compensated in a simple manner. .
Hei a simple and advantageous embodiment of the
the aforementioned training is the first voltage divider
resistance of a semiconductor operated in the direction of
diodc connected in series.
Another advantageous embodiment is thereby
indicates that a pre-control device controlling the driver stage
transistor with its collector connected to one by subdivision
of the second voltage divider resistor in, two, in series
switched partial resistances result in an intermediate point
connected. The combined use of the
Pre-transistor for additional temperature compensation.
and for signal amplification. a
Tran-
transistor amplifier with high gain and excellent
Stability of the rest; flow of the final stage without any.
IIehrauf;: and compared to other three-stage transistor
unevenly. The base of one emitter resistor can
stood at a connecting point with the forward transitory
two operating point points connected to the supply voltage
Voltage stabilizers must be connected.
In addition to increasing the signal amplification, the
Easis of the transistor of the driver stage and the collector,
of the pre-transistor switched part: the status 1-arithmetic.
be bridged.
To the effect of the DC negative feedback over the
first voltage divider resistor for signal amplification
can exclude the first voltage transformer resistance
divided into series resistors and in between
be earthed in terms of current. ..
Further details of the invention are provided below
Hand of two execution pistols according to FIGS. 1 and 3
explained in more detail.
In Fig. 1 is a two-stage transistor amplifier according to
of the invention shown. The driver transistor T1 and
the final transistor T2 are of the same conductivity type
(npn-type) and both work in common emitter circuit. At one
Gang B becomes the signal via a capacitor of the base
of the Troibertranaistor T1, the emitter of which
earthed via an exchange tube and via an emitter resistor
stood R2 with the emitter-like potential - UB of the
supply voltage is connected. To the collector of the
Driver transistor T1 iot a with the collector side
Potential 0 of the supply voltage of connected working
resistor R3 and the cathode of a Zener diode Z
closed, the anode of which with the base of the end transistor T2
connected is. In the collector crois of the end transistor T2
is the principle angle of the output transformer Ü,
the secondary winding of which the output A of the transistor
represents strong. The] bitter end transistor T2 is
firstly via the emitter resistor R5, whose voltage
waste is designated with UR, with the emitter-side
Potential -UB of the supply voltage and secondly via
the voltage ateller resistors R1 and R4 and the diode D
with the collector-side potential 0 of the supply
voltage connected. At the connection point of the
second voltage divider resistor R1 and the series
circuit consisting of the diode il and the first
Voltage divider resistor R4 die Beeis de® driver
sistor T1 connected. Nd- changes the current in the 11
transiotor T2 and with it changes the Spannuxsabfall
A.o. has been released via the first voltage regulator R4
and the diode D to the base of the driver transistor 21
fed back, where they Uber the driver transistor S1 and
the Zenerdiodo Z a change of the Zeeiaapension den
End transistor T2 and thus its , Rmitt e rstro z es In
in a way that changes the original road traffic
is opposite. Thereby tepclratnrbediagte
Changes to the EQitter-Baois-Sehwolloaung the 2rober-
transistor T1 in its effect on the, golloktorstrow
due to the temperature-related change in the thermoset
The threshold voltage of the diode D, which is expediently
consists of the same material as the transistor T1,
compensated. The wide voltage toaster resistor R1
sets the effect of the DC negative feedback only un-
substantially down, but makes it possible in simple wines,
the temperature response of the driver transistor T '! to compensate
and to keep the voltage drop UR small. By
the comparative low voltage drop Ua (bobeispiels -
wise 0.7 Y) the efficiency of the output stage and also
their alternating current gain completely
increased * without
that the low- eared emittes resisted R5 by a
very large capacitor could be bridged. Temperature-
Conditional changes in the Zener voltage of the Zener diode Z._
and the threshold voltage ü "2 of the Imitter-Baeis route.
of the transistor T2 are due to the effect of the ßloieh-
Stromgegonkopplung greatly reduced.
In Fig. 3 a droietutor Traneiatorvoratärkor according to ...
of the invention. The Sc bal tvstoil, boaterid
from the driver transistor f1 and the ftransistor 22.
essentially agrees with @ nos @ last; : msah aig. :, traveling,
however, this arrangement iot a pre-transistor T4 rorge-
aehalten, its collector to one by subdivision
of the second voltage divider resistor R1 into two in
Partial resistances R1a and R1b connected in series arise
Intermediate point is connected. In this arrangement will
the effect of the temperature dependence of the emitter base -
School voltage UBE1 through the effect of the emitter
Base threshold voltage UBE4 of pre-transistor T4 com-
pensed, so that the diode D from Fig. 1 can be omitted.
The input signal E is now via a capacitor
Base of the pre-transistor T4 and gets
strengthens its collector via the alternating current
bridged partial resistor R1a to the base of the driver
sistor Ti. The other partial resistor R 1b now represents
the pre-transistor T4 represents a working resistance
The emitter of the pre-transistor T4 is alternating
earthed and connected via an emitter resistor R14 to the emitter
rear-end 7otcntial -UB of the supply voltage connected-
Together with this rr @ itter,; id @ rstan d R14, the working
point of the pre-transistor T4 and the subsequent tran-
sistors T1 and T2 through your operating point voltage divider,
consisting of: the resistors R12 and R13 fixed,
at their connection point the base of the pre-transistor T4
connected is t. This is due to the work point t-donation
voltage divider ;; in the mouths R12 and R13 the entire supply
supply voltage.
Changes in properties due to changes in temperature
Shafts of the Z'ener diode Z and the end transistor T2 are
through the 7crnehniich through the first. Voltage divider
resisted R .. and the Emit. formed terminal resistor R5
G1 calibrated negative feedback suppressed. Changes to the
Aasis-Fmitter voltage UBE1 of the driver transistor Ti
are generated by the front door T4 and the resistor
if the network formed by R1a, R1b, R4 and R14 would be ineffective
made. Depending on the dimensioning, the
Influence of the direct current negative feedback not
fully reversed temperature drift of the Zener diode Z,
of the final transistor T2 and the resistor R5 to the.
The quiescent drone of the final transistor can be further reduced: ...
3
The current in the output stage is z.8. through the operating point
Voltage divider resistors R1.2 and R13 of the pre-transistor
T4 set. Due to the DC negative feedback; aind ...
Tolerances of the Zener voltage of the Zener diode .Z and the ,.
Base-emitter voltage UHE2 of TraApiator T2 only from
little influence. The emitter resistor R5, the end tran,
sistor T2 can be kept small. Because of the
tion of the Vortrajiaiotorß T4 also for temperature compensation
the circuit arrangement does not require any additional
Component cost compared to known, three-stage
Transistor amplifiers.
The circuit arrangement according to Fig. 3 also works satisfactorily.
Turning on when the transistors T4 and T1 are not on
g1 eichcr finish - for example through common heat sinks -.
keeper: be; the Tomperaturdiffereüz. zi.iischen dem
Before ± r ansi stor T4 and the drive entrance gate T i should
.
remain inherited.