DE1614170B1 - Photoleitfähiges L¦schungsmaterial - Google Patents
Photoleitfähiges L¦schungsmaterialInfo
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- DE1614170B1 DE1614170B1 DE1967M0074732 DEM0074732A DE1614170B1 DE 1614170 B1 DE1614170 B1 DE 1614170B1 DE 1967M0074732 DE1967M0074732 DE 1967M0074732 DE M0074732 A DEM0074732 A DE M0074732A DE 1614170 B1 DE1614170 B1 DE 1614170B1
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- H10P95/00—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
1 2
Die Erfindung betrifft ein photoleitfähiges LÖ- sulfid auf dem Vorhandensein von Cadmiumfehlstellen
schungsmaterial, das wenigstens eines der Elemente in dem Sulfid beruht. Daher ist das Vorhandensein von
der Gruppe Ha des Periodensystems bzw. Tl, Ti3 Al Fremdkörpern nicht unbedingt erforderlich. In der
oder Zr in Cadmiumsulfid in einer Menge von 1 Ge- Praxis wird jedoch ein Akzeptor, wie Kupfer, Silber
wichtsprozent oder weniger enthält. 5 u. dgl. und ein Donator, wie Gallium, Chlor u. dgl.
Cadmiumsulfid ist als photoleitfähiges Material be- zugegeben, damit ein Cadmiumsulfid mit verhältniskannt.
mäßig starker Löschung und entsprechender Photo-
Bei diesem ist auch bekannt, daß die Photoleitfähig- leitfähigkeit erhalten wird, da ein Material mit geringer
keit durch Infrarotstrahlen gelöscht wird. Photoleitfähigkeit auch eine geringe Löschung ergibt.
Gemäß der Erfindung werden ein oder mehrere neue io Bei dieser Löschung nimmt jedoch der Wert von L.P.
Elemente zu dem aus Cadmiumsulfid bestehenden mit zunehmendem photoelektrischem Strom ab. Daher
Grundmaterial als Fremdkörper zugegeben. Die Menge mußte der zu regelnde photoelektrische Strom natürdieser
Fremdkörper beträgt nicht mehr als 1 Gewichts- lieh auf einen kleinen Wert beschränkt bleiben.
Prozent des als Grundsubstanz vorhandenen Cad- Aus diesem Grund bestand ein Bedarf für ein Lö-
Prozent des als Grundsubstanz vorhandenen Cad- Aus diesem Grund bestand ein Bedarf für ein Lö-
miumsulfids. 15 schungsmaterial mit großem L.P.-Wert bei einem
Im Vergleich zu dem herkömmlichen Löschungs- großen photoelektrischen Strom,
material, z. B. unter Verwendung von Cu und Ga als Die Erfindung schafft daher ein photoleitfähiges
material, z. B. unter Verwendung von Cu und Ga als Die Erfindung schafft daher ein photoleitfähiges
Fremdkörper, ergibt das Löschungsmaterial gemäß Löschungsmaterial, das selbst bei einem großen photoder
Erfindung eine beträchtliche Löschungswirkung elektrischen Strom eine hervorragende Löschungsbei
Bestrahlung mit einem löschenden Strahl, wodurch 20 wirkung aufweist.
ein photoelektrischer Strom in einem großen Span- Es wurde gefunden, daß man ein ausgezeichnetes
nungsbereich geregelt wird bzw. ein Infrarotstrahl mit Löschungsmaterial mit einem großen L.P.-Wert bei
großer Empfindlichkeit festgestellt werden kann. einem großen photoelektrischen Strom erhalten kann,
Die Konzentration dieser Fremdkörper gemäß der wenn man zu dem Ausgangsmaterial eines oder
Erfindung beträgt bis zu etwa I0I0, um eine Herab- 25 mehrere der Elemente der Gruppe Ha des Periodensetzung
des Widerstands des Materials zu verhindern. systems bzw. Thallium, Titan, Aluminium oder Zircon
In den meisten Fällen wendet man zweckmäßigerweise in einer Menge von 1 Gewichtsprozent oder weniger
etwa 10"1 Molprozent an; dieser Wert kann jedoch je zugibt.
nach den angewandten Bedingungen schwanken. Bei Falls die Menge dieser Fremdkörper 1 Gewichts-
Kristallen ergeben selbst Konzentrationen über 30 prozent überschreitet, wird der elektrische Dunkel-10~3
Molprozent einen großen Widerstand und damit strom ID groß, während der photoelektrische Strom IB
eine starke Infrarotlöschung. nicht so groß wird. Die Veränderung des elektrischen
Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnungen Stroms auf Grund der Löschung ist somit im Vergleich
weiter erläutert. In den Zeichnungen bedeutet zu IB klein.
F i g. 1 eine graphische Darstellung einer Löschung 35 Falls der Wert von ID im Vergleich zu IB vernachder
Photoleitfähigkeit bei verschiedenem photoelek- lässigbar klein ist, gilt die folgende Gleichung:
Irischem Strom, wobei der photoelektrische Strom auf
Irischem Strom, wobei der photoelektrische Strom auf
der Ordinate und die Zeit auf der Abszisse aufgetragen LP= - ~-~- · 100 ^ -·- -~~ 100
sind; IB - ID IB
Fig. 2 bis 6 geben die Ergebnisse von Versuchen 40
wieder, aus denen sich die Vorteile der Löschungsmate- Die Größe der Löschung wird somit durch L. P. be-
rialien gemäß der Erfindung gegenüber dem herkömm- stimmt.
liehen Material ergeben, wobei die prozentuale Lö- Wenn jedoch der Wert von ID zu groß ist, um ver-
schung auf der Ordinate und der photoelektrische nachlässigt zu werden, ist die durch Löschung verur-Strom
auf der Abszisse aufgetragen sind. 45 sachte Abnahme des elektrischen Stroms gleich IB—IL,
Bei Bestrahlung von Cadmiumsulfid, mit Strahlen während der Wert von (IB — ILfIB · 100) nicht 100%
im sichtbaren Bereich wird der photoelektrische Strom beträgt, sondern selbst bei einer 100°/0igen Löschung
durch Bestrahlung mit einem Strahl geeigneter Wellen- nur einem kleinen Wert entspricht,
länge, z. B. einem Infrarotstrahl, verringert, wie dies in Es ist daher notwendig, Fremdkörper in einer Menge
länge, z. B. einem Infrarotstrahl, verringert, wie dies in Es ist daher notwendig, Fremdkörper in einer Menge
F i g. 1 dargestellt ist. Dies bezeichnet man als Infra- 50 von nicht mehr als 1 Gewichtsprozent zuzugeben. Ein
rotlöschung. Der Grad dieser Löschung kann gemäß größerer Fremdkörpergehalt führt zu einer Zunahme
folgender Gleichung in Prozent angegeben werden: von ID, und daher erreicht die prozentuale Löschung
gemäß obiger Gleichung nicht immer praktisch 100%·
Löschunusprozent (L P ) - IB ~~IL · 100 Das Verfahren zur Herstellung von photoleitendem
IB — ID 55 Löschungsmaterial gemäß der Erfindung ist nicht
kritisch. Die Form des Endprodukts gemäß der Erfin-
worin IB einen photoelektrischen Strom bei Bestrah- dung kann je nach dem Einzelfall schwanken und z. B.
lung mit einem Strahl, IL den Wert des elektrischen aus einem Pulver, Kristall usw. bestehen.
Stroms auf Grund der Verminderung durch den Die Erfindung wird nun an Hand der folgenden
Stroms auf Grund der Verminderung durch den Die Erfindung wird nun an Hand der folgenden
löschenden Strahl und ID den elektrischen Dunkel- 60 Beispiele weiter erläutert,
strom bedeuten.
strom bedeuten.
Das Cadmiumsulfid zeigt eine Löschung durch einen Beispiel 1
Infrarotstrahl mit einer Wellenlänge zwischen 0,7 und Pulverförmiges Cadmiumsulfid hoher Qualität 15 g
1,8 μ. Aus diesem Grund findet es in Instrumenten zur Puiverförmjges Calziumsulfid 1,5 mg
Ermittlung von Infrarotstrahlen Anwendung, insbe- 65 rjesfj||jertes Wasser 22 ml
sondere in solchen Instrumenten, die bei gewöhnlicher '
Temperatur verwendet werden. Die obigen drei Stolfe wurden unter Rühren mitein-
Ls ist anzunehmen, daß die Löschung von Cadmium- ander vermischt und bei 15O°C getrocknet. Das ge-
3 4
trocknete Gemisch wurde pulverisiert und 20 Minuten Die Löschungseigenschaften des mit Tl versetzten
in einem Schwefelwasserstoffstrom bei 10000C gesin- Cadmiumsulfids sind also den Eigenschaften des mit
tert. Das gesinterte Cadmiumsulfid wurde mit einem Cu und Ga versetzten Cadmiumsulfids weit überlegen.
Bindemittel verknetet. Dann wurde es vollkommen auf
einer Elektrode mit einer Oberfläche aus einem im 5 Beispiel3
Vakuum aufgedampften Aluminiumfilm getrocknet Hochreines pulverförmiges Cadmiumsulfid.. 15 g
und anschließend die Löschung gemessen. Pulverförmiges Titanoxid ...: 1,5 mg
Ein ähnliches Sinterverfahren wurde mit den folgen- Destilliertes Wasser 20 ml
den Stoffen ausgeführt, wobei die Löschungseigen- _„. _ - , _...
schäften des Produkts ebenfalls gemessen wurden: io Die 0J1BBn Stoffe wurden unter Ruhren miteinander
vermischt und bei 150 C getrocknet. Das getrocknete Pulverförmiges Cadmiumsulfid hoher Qualität 15 g Gemisch wurde pulverisiert und dann 20 Minuten bei
Pulverförmiges Calziumsulfid 750 mg 1000° C in einem Schwefelwasserstoffstrom gesintert.
Destilliertes Wasser 20 ml oas erhaltene Cadmiiimsulfidmaterial wurde mit
Zum Vergleich wurden die Löschungseigenschaften 15 ei"em Bindemittel (einer 3°/oigen Lösung von Äthyleines
ähnlichen, jedoch mit Cu und Ga versetzten Ge- cellulose in Amylalkohol) verknetet vollkommen auf
misches untersucht emer Elektrode mit einer Oberflache aus einem im
Die Ergebnisse dieser Versuche sind in F i g. 2 dar- ' VaJu"m aufgedampftem Aluminiumfilm getrocknet
gestellt, aus der sich die Löschungseigenschaften durch und hinsichtlich der Loschungseigenschaften unternach
rechts abfallende Kurven ergeben. 30 sn<™- . .,",.. ,· ,
Wie sich aus der graphischen Darstellung ergibt, _ .Z\ Vergleichszwecken wurde ein herkömmliches
weist das Cadmiumsulfid mit einem Gehalt von Loschungsmatenal mit einem Cu-und Ga-Gehalt von
0,01 Gewichtsprozent CaS überragende Löschungs- Jf^ft IJ"* MoVMoI CdS gesintert und hinsichtlich
eigenschaften gegenüber dem Cadmiumsulfid mit dehnungseigenschaften untersucht,
einem Zusatz von Cu und Ga auf. »5 . Dl° ""8J" «halten«! Ergebnisse sind in F 1 g 4
Bei dem Cadmiumsulfid mit einem Gehalt von durch nach rechts abfallende Kurven dargestellt Aus
5 Gewichtsprozent CaS war der elektrische Dunkel- d»eser Darstellung ergibt sich, daß der Wert von L.P.,
strom viel zu groß. Beim Bestrahlen mit einem an- ebenso ™e bei den vorhergehenden Versuchen, mit zuregenden
Strahl nahm der photoelektrische Strom nur nehmendem photoelektrischem Strom abnimmt,
langsam im Vergleich zum Dunkelstrom zu, und es 30 ?as ™l ΙΛ™ versetzte Cadmiumsulfid weist eine
trat kaum.eine Löschung auf. gr-oßere,L· ΰ -^ ^u ""^" T? 9\vers*tzte Cadf
miumsulfid bei gleichem photoelektrischem Strom auf.
B e i s D i e 1 2 Beispielsweise weist ein mit Ti versetztes Cadmiumsulfid
eine 56%ige Löschung auf, während bei einem Pulverförmiges Cadmiumsulfid hoher Qualität 15 g mjt Cu und Ga versetzten Cadmiumsulfid nur eine
Pulverförmiges Thalliumsulfid 1,5 mg » 27%ige Löschung auftritt. Bei gleicher Löschung, z. B.
Destilliertes Wasser 20 ml von 55%, kann man mit dem mit Ti versetzten Cad-
Die obigen drei Stoffe wurden durch Rühren mit- miumsulfid einen photoelektrischen Strom von 10 μΑ
einander vermischt und bei 1500C getrocknet. Nach- ™&f ne wabr^^} °™m. "1^ Cu und ?a versetzten
dem das getrocknete Gemhch pulverisiert worden war, 40 Cadmiumsulfid lediglich ein Strom von I μΑ geregelt
wurde es in einem Schwefelwasserstoffstrom 20 Minu- werden Kann.
ten bei 10000C gesintert. Das gesinterte Cadmium- ..u Das mit, Ti versetzte Cadmiumsulfid weist somit
sulfid wurde mit einem Bindemittel (einer 3%igen überragende Loschungseigenschaften auf.
Lösung von Äthylcellulose in Amylalkohol) verknetet, B e i s ρ i e 1 4 vollkommen auf einer Elektrode mit einer Oberfläche 45 T_ , . , ... . „ , . ,,., ..
aus einem im Vakuum aufgedampften Aluminiumfilm Hochreines pulverförmiges Cadmiumsulfid .. 15 g
getrocknet, und dann wurden die Löschungseigen- Pulverformiges Aluminiumoxid (Al2O3) ... 1,5 mg
schäften gemessen. Destilliertes Wasser 20 ml
Zum Vergleich wurde ein herkömmliches Löschungs- Die obigen drei Stoffe wurden unter Rühren mitein-
material mit einem Gehalt von Cu und Ga in einer 50 ander vermischt und bei 150° C getrocknet. Das erMenge
von jeweils 10-· Mol/Mol CdS hergestellt und halfene getrocknete Gemisch wurde pulverisiert und
auf Loschungseigenschaften untersucht. 20 Minuten bei 10000C in einem Schwefelwasserstoff-
Die Ergebnisse dieser Versuche sind in F i g. 3 dar- strom gesintert. Das gesinterte Cadmiumsulfid wurde
gestellt, aus der sich die Loschungseigenschaften durch mit einem Bindemittel verknetet (einer 3%igt--n Lösung
nach rechts abfallende Kurven ergeben. Ebenso wie im 55 von Äthylcellulose in Amylalkohol), vollkommen auf
vorher beschriebenen Fall nimmt der Wert von L.P. einer Elektrode mit einer Oberfläche aus einem im
mit zunehmendem photoelektrischem Strom ab. Vakuum aufgedampften Aluminiumfilm getrocknet
Das mit Thallium versetzte Cadmiumsulfid weist und hinsichtlich der Löschungseigenschaften untereine
größere L.P. als das mit Cu und Ga versetzte sucht.
Cadmiumsulfid bei gleichem photoekktrischem Strom 60 Zu Vergleichszwecken wurde ein herkömmliches,
auf. Bei einer Stromstärke von 100 μΑ ergibt das mit jeweils ΙΟ"1 Mol Cu und Ga Mol CdS enthaltendes
Tl versetzte Cadmiumsulfid eine 43°/o»ße Löschung, Löschungsmaterial hergestellt und gesintert und hinwährend
das mit Cu und Ga versetzte Cadmiumsulfid sichtlich der Loschungseigenschaften untersucht,
nur eine 4%ige Löschung ergibt. Bei gleicher Lö- Die hierbei erhaltenen Ergebnisse sind in Fig, 5
schung, z.B. von 55°/o> kann man mit der erstge- 65 dargestellt, wobei sich die Löschungseigenschaften aus
nannten Substanz einen photoehktrischen Strom von den nach rechts abfallenden Kurven ergeben. Wie bei
μΑ regeln, während man mit der letztgenannten den vorhergegangenen Versuchen nimmt der Wert von
Substanz lediglich einen Strom von 1 μΑ regeln kann. L.P. mit zunehmendem photoelektrischem Strom ab.
Claims (3)
1. Photoleitfähiges Löschungsmaterial aus Cadmiumsulfid, das 1 Gewichtsprozent oder weniger
von mindestens einem der Elemente der Gruppe Ha des Periodensystems bzw. Thallium, Titan, Aluminium
oder Zircon enthält.
2. Photoleitfähiges Löschungsmaterial nach Anspruch 1, das zwei oder mehrere Elemente der
Gruppe Ila des Periodensystems bzw. Thallium, Aluminium oder Zircon als Fremdkörper enthält.
3. Verfahren zum Herstellen eines photoleitfähigen Löschungsmaterials, dadurch gekennzeichnet,
daß man pulverförmiges Cadmiumsulfid mit wenigstens einem der in Pulverform vorliegenden
Elemente der Gruppe Ila des Periodensystems bzw. Thallium, Titan, Aluminium oder Zircon vermischt
und das erhaltene Gemisch anschließend sintert
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41046300A JPS5021835B1 (de) | 1966-07-12 | 1966-07-12 | |
| JP41046299A JPS4817798B1 (de) | 1966-07-12 | 1966-07-12 | |
| JP4629866 | 1966-07-12 | ||
| JP4642766 | 1966-07-13 | ||
| JP4642666 | 1966-07-13 | ||
| JP4642566 | 1966-07-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1614170B1 true DE1614170B1 (de) | 1970-11-26 |
Family
ID=27550227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1967M0074732 Withdrawn DE1614170B1 (de) | 1966-07-12 | 1967-07-12 | Photoleitfähiges L¦schungsmaterial |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1614170B1 (de) |
| GB (1) | GB1172709A (de) |
| NL (1) | NL6709677A (de) |
-
1967
- 1967-07-12 NL NL6709677A patent/NL6709677A/xx unknown
- 1967-07-12 DE DE1967M0074732 patent/DE1614170B1/de not_active Withdrawn
- 1967-07-12 GB GB32176/67A patent/GB1172709A/en not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| None * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6709677A (de) | 1968-01-15 |
| GB1172709A (en) | 1969-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |