DE1614026C3

DE1614026C3 - transistor

Info

Publication number: DE1614026C3
Application number: DE1614026A
Authority: DE
Inventors: Masumi Dipl.-Ing. Kobe Hyogo Fukuda (Japan)
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1966-12-09
Filing date: 1967-12-05
Publication date: 1980-01-17
Also published as: DE1614026B2; DE1614026A1; GB1193139A

Description

Die Erfindung betrifft einenTransistor mit einem Halbleiterplättchen, das eine Kollektorzone, eine mit ihrer Oberseite teilweise an die Oberseite des Halbleiterplättchens grenzende Basiszone und eine an diese Oberseite des Halbleiterplättchens grenzende Emitterzone in Form eines Netzes aufweist, wobei der Abstand der Unterseite der Basiszone von der Oberseite des Halbleiterplättchens größer als der Abstand der Unterseite der Emitterzone von der Oberseite des Halbleiterplättchens ist, mit einer Isolierschicht, die die Oberfläche des Halbleiterplättchens mindestens in dem Teil bedeckt, in dem der Kollektor- und der Emitter-pn-Übergang an die Oberseite des Halbleiterplättchens treten, und mit zwei schichtförmigen, teilweise auf der Isolierschicht angebrachten, voneinander isolierten Kontaktelektroden, die durch öffnungen in der Isolierschicht hindurch die Basis- bzw. die Emitterzone kontaktieren.The invention relates to a transistor with a semiconductor wafer, one collector zone, one with its upper side partially on the upper side of the semiconductor wafer adjoining base zone and an emitter zone adjoining this top side of the semiconductor wafer in the form of a network, wherein the distance of the bottom of the base zone from the top of the semiconductor die greater than the distance between the bottom of the emitter zone and the top of the semiconductor die is, with an insulating layer covering the surface of the semiconductor die at least in the part in where the collector and emitter pn junction come to the top of the semiconductor die, and with two layered contact electrodes, some of which are attached to the insulating layer and insulated from one another, which contact the base or emitter zone through openings in the insulating layer.

Ein derartiger Transistor ist bereits Gegenstand des älteren Patents 12 81 036.Such a transistor is already the subject of the earlier patent 12 81 036.

Bekanntlich erstrebt man bei Hochfrequenztransistoren hoher Leistung eine hohe Stromaufnahme und gute Frequenzeigenschaften. Im Hinblick auf diese Eigenschaften ist eine möglichst kleine Emitterkapazität erwünscht. Wird ein Transistor bei hohen Strömen betrieben, so verringert sich die Vorspannung der von der Basiszone entfernten Mitte der Emitterzone, da ein Spannungsabfall innerhalb der Basiszone infolge des Basisstroms entsteht. Die Wirkung davon ist, daß sichAs is well known, high-frequency transistors with high power are aimed at high power consumption and good power consumption Frequency characteristics. In view of these properties, the smallest possible emitter capacitance is he wishes. If a transistor is operated at high currents, the bias voltage of is reduced the base zone distant center of the emitter zone, since a voltage drop within the base zone as a result of the Base current arises. The effect of this is that

ίο der Basisstrom nicht auf die ganze Emitterzone verteilt, sondern auf deren äußere Teile. Dementsprechend ist es erwünscht, den Umfang der Emitterzone groß zu machen, um eine hohe Stromaufnahme zu ermöglichen. Andererseits ist es wünschenswert, die Emitterzone klein zu machen, um eine kleine Kapazität zu erreichen, da sich die Emitterkapazität in Abhängigkeit von der Fläche der ganzen Emitterzone vergrößert. Im Hinblick auf die Auslegung für den Hochfrequenzleistungsbetrieb arbeitet ein Transistor um so besser, je größer das Verhältnis F=LJA wird. Dabei bedeutet F die Güte des Transistors, und A bezeichnet die Fläche und L die Umfangslänge der Emitterzone, nachstehend Emitterumfang genannt.ίο the base current is not distributed over the entire emitter zone, but rather over its outer parts. Accordingly, it is desirable to make the circumference of the emitter zone large in order to enable a high current consumption. On the other hand, it is desirable to make the emitter region small in order to achieve a small capacitance, since the emitter capacitance increases depending on the area of the whole emitter region. With regard to the design for high-frequency power operation, the greater the ratio F = LJA , the better a transistor works. Here, F denotes the quality factor of the transistor, and A denotes the area and L the circumferential length of the emitter zone, hereinafter referred to as the emitter circumference.

Um den Wert der Güte F groß zu machen, ist auf verschiedene Weise versucht worden, den Emitterumfang L groß zu machen (»Scientia Electrica« Bd. 10,1964, Nr. 4, Seiten 97 bis 121, insbesondere Seiten 109 bis 113). Zum Beispiel wurde, wie bekannt, die Emitterzone stern- oder kammförmig ausgebildet.In order to make the value of the quality F large, attempts have been made in various ways to make the emitter circumference L large ("Scientia Electrica" Vol. 10.1964, No. 4, pages 97 to 121, in particular pages 109 to 113). For example, as is known, the emitter zone was formed in the shape of a star or a comb.

Hält man die Form der Emitterzone konstant, so wird der Wert Fum so größer, je kleiner ihre Abmessungen sind. Da sich die Fläche bei ähnlichen Figuren mit dem Quadrat eines zugehörigen Längenmaßes ändert, d. h., wenn eine Emitterzone bestimmter Form so verkleinert wird, daß sie den halben Umfang gegenüber der ursprünglichen Größe besitzt, so verringert sich die Fläche auf ein Viertel des ursprünglichen Wertes, und der Wert F wird gleichzeitig auf das Doppelte vergrößert. Der Maximalwert des Emitterstromes ist jedoch vom Emitterumfang abhängig. Daher ist die Führung eines großen Stromes nicht möglich, wenn die Emitterzone an sich klein gehalten wird.If the shape of the emitter zone is kept constant, the value F becomes larger, the smaller its dimensions are. Since the area in similar figures changes with the square of an associated linear dimension, that is, if an emitter zone of a certain shape is reduced so that it has half the circumference compared to the original size, the area is reduced to a quarter of the original value, and the value F is doubled at the same time. However, the maximum value of the emitter current depends on the emitter circumference. It is therefore not possible to conduct a large current if the emitter zone itself is kept small.

Ein auch unter der Bezeichnung »Overlay«-Transistor bekannter Transistor, (»Electronics« Bd. 38, 1965, Nr. 17 [23. Aug.] Seiten 71 bis 77), besitzt eine Emitterzone, die in viele kleine Teile unterteilt ist, welche wie Inseln über die Basiszone verstreut in ihr gebildet sind. Alle kleinen Emitterteilzonen, sind untereinander durch eine Metallelektrode parallel geschaltet. Der »Overlay«-Transistor besitzt einen großen Wert F und ermöglicht aufgrund dieses Aufbaues eine große Ausgangsleistung. Seine Herstellung ist jedoch sehr schwierig und erfordert ein außergewöhnliches Verfahren. Dies ist nicht nur in der Kleinheit jeder Emitterteilzone begründet, sondern hängt auch von dem Zweischichtenaufbau der Basiszone ab. Letzteres bedeutet, daß eine Schicht vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Basiszone und niedrigem spezifischen Widerstand innerhalb der Basiszone gebildet werden muß, die jede Emitterteilzone umschließt. Wird diese Schicht in der Basiszone nicht vorgesehen, so erreicht die Stromverteilung die von der Basiselektrode entfernten Emitterteilzonen nicht. In diesem Falle geht die Wirkung weitgehend verloren, die mit der Vergrößerung des Emitterumfanges durch Unterteilung der Emitterzone in kleine Teilzonen erstrebt wurde. Demgemäß erfordert die Herstellung der »Overlay«- Transistoren einen zusätzlichen Fertigungsschritt für dieA transistor, also known as an "overlay" transistor ("Electronics" vol. 38, 1965, no. 17 [23 Aug.] pages 71 to 77), has an emitter zone that is divided into many small parts, which are formed in it like islands scattered over the base zone. All small emitter sub-zones are connected in parallel to one another by a metal electrode. The "overlay" transistor has a large value F and, due to this structure, enables a large output power. However, it is very difficult to manufacture and requires an extraordinary process. This is not only due to the small size of each emitter sub-zone, but also depends on the two-layer structure of the base zone. The latter means that a layer of the same conductivity type as the base zone and of low specific resistance must be formed within the base zone which encloses each emitter sub-zone. If this layer is not provided in the base zone, the current distribution does not reach the partial emitter zones remote from the base electrode. In this case, the effect is largely lost, which was aimed at with the enlargement of the emitter circumference by subdividing the emitter zone into small sub-zones. Accordingly, the manufacture of the "overlay" transistors requires an additional manufacturing step for the

3 43 4

Schicht mit niedrigerem spezifischem Widerstand bei der Kreuzungsbereiche 3a und 3b sind größer als andereLayer with lower resistivity at the intersection areas 3a and 3b are larger than others

Herstellung der Basiszone und der Emitterteilzonen. derartige Teile des Netzes. Die Kreuzungsbereiche 3b Production of the base zone and the emitter sub-zones. such parts of the network. The intersection areas 3b

Ferner muß bei der Auslegung eines Transistors erleichtern die Befestigung der Kontaktelektroden, wieFurthermore, in the design of a transistor must facilitate the attachment of the contact electrodes, such as

genügend Raum zur Anbringung der genannten Schicht nachstehend beschrieben ist. Bei dieser Ausführungs-sufficient space for the application of said layer is described below. With this execution

zwischen den einzelnen Emitterteilzonen vorgesehen 5 form des Transistors besteht das Halbleiterplättchen 1The semiconductor wafer 1 is provided between the individual emitter sub-zones in the form of the transistor

werden. Wenn diese Schicht mit geringerem spezifi- aus zwei in Fig. 1(B) dargestellten Schichten. Einewill. If this layer has a lower specific of two layers shown in FIG. 1 (B). One

sehen Widerstand direkt mit einer Emitterteilzone in davon ist eine Schicht Xa mit niedrigerem spezifischensee resistance directly with an emitter sub-zone in of which is a layer Xa with lower specific

Verbindung steht, werden jedoch die elektrischen Widerstand (mit 0,005 Ω · cm). Die andere Schicht Xb Connection is, however, the electrical resistance (with 0.005 Ω · cm). The other layer Xb

Eigenschaften des Emitter-PN-Überganges weitgehend besitzt einen höheren spezifischen WiderstandProperties of the emitter-PN junction largely has a higher specific resistance

beeinträchtigt 10 (2 Ω ■ cm). Die Basiszone 2 und die Emitterzone 3 sindaffects 10 (2 Ω ■ cm). The base zone 2 and the emitter zone 3 are

Dieser Umstand vergrößert nicht nur die Herstel- innerhalb der Schicht Xb mit höherem spezifischenThis circumstance not only increases the production within the layer Xb with higher specific

lungsschwierigkeiten, sondern führt zu einer Vergröße- Widerstand angeordnet.training difficulties, but leads to an enlargement resistance arranged.

rung des Abstandes zwischen den Emitterteilzonen. Wie in F i g. l(B) gezeigt, wird bei dieser Ausführungs-tion of the distance between the emitter sub-zones. As in Fig. l (B), in this embodiment

Dadurch wird die Anzahl der Emitterteilzonen verrin- form ein Halbleiterplättchen aus zwei SchichtenThis reduces the number of emitter sub-zones in the form of a semiconductor wafer made up of two layers

gert, die auf einem Halbleiterplättchen mit einer 15 verwendet, was allgemein für Hochfrequenztransisto-device, which is used on a semiconductor die with a 15, which is generally used for high-frequency transistor

bestimmten Größe seiner Fläche angebracht werden ren hoher Leistung bekannt und üblich ist. Ist keinecertain size of its area can be attached ren high performance is known and common. Ain't no

können. höchste Ausgangsleistung erforderlich, so läßt sich eincan. highest output power required, so can a

Bei dem Transistor nach dem älteren Patent 12 81 036 Halbleiterplättchen mit einheitlichem spezifischenIn the transistor according to the earlier patent 12 81 036, semiconductor wafers with uniform specific

sind die Streifen des Emitterzonennetzes relativ breit, um Widerstand verwenden.the strips of the emitter zone network are relatively wide to use resistance.

genügend Fläche für die Kontaktierung zu schaffen. 20 Die Basiszone 2 und die Emitterzone 3 sind nach demto create enough space for the contact. 20 The base zone 2 and the emitter zone 3 are after

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht üblichen bekannten Verfahren der selektiven DiffusionThe object on which the invention is based consists of conventional, known methods of selective diffusion

darin, einen Hochfrequenztransistor zu schaffen, dessen hergestellt, das bei der Herstellung von Planartransisto-in creating a high-frequency transistor, manufactured of the one that is used in the manufacture of planar transistor-

Herstellung einfacher ist und der eine erhöhte Ausgangs- ren angewendet wird und bei dem die Fremdstoffe,Production is simpler and the increased output is used and in which the foreign substances,

leistung aufweist. Gelöst wird diese Aufgabe nach der welche die Leitfähigkeitstypen bestimmen, beispielswei-Erfindung dadurch, daß die die Form eines ebenen 25 se Bor in der Basiszone und Phosphor in der Emitterzone,showing performance. This problem is solved according to which the conductivity types determine, for example the invention in that the form of a flat 25 se boron in the base zone and phosphorus in the emitter zone,

Netzes aufweisende Emitterzone an vergrößerten aus der Gasphase in das Halbleiterplättchen durch Diffu-Network exhibiting emitter zone on enlarged from the gas phase into the semiconductor wafer by diffusion

Kreuzungsbereichen und an dem Randbereich des sion eindringen. Ferner erfolgt wie bei einem Planartran-Crossing areas and penetrate the edge area of the sion. Furthermore, as with a planar transfer

Netzes kontaktiert ist. Hierdurch wird erreicht, daß die sistor die Diffusion zur Bildung der Basiszone 2 tiefer alsNetwork is contacted. This ensures that the sistor diffusion to form the base zone 2 is deeper than

Breite der Streifen des Emitterzonennetzes klein gehal- die zur Bildung der Emitterzone 3. Demgemäß ist dieWidth of the strips of the emitter zone network kept small to form the emitter zone 3. Accordingly, the

ten werden kann, da an den Kreuzungspunkten des 30 Basiszone 2, wie in Fig. 1 (B) dargestellt, an derth can be, since at the intersection points of the 30 base zone 2, as shown in Fig. 1 (B), at the

Netzes mehr Fläche für die Kontaktierung vorhanden ist. Unterseite zusammenhängend. Der spezifische Wider-Network is available for the contact. Underside contiguous. The specific cons

Dadurch wird das Verhältnis von Umfangslänge zur stand beider Zonen besitzt übliche Werte und istAs a result, the ratio of the circumferential length to the position of both zones has the usual values and is

Fläche der Emitterzone groß, so daß auch das Halbleiter- beispielsweise mit 10-² Ω - cm bei der Basiszone 2 undSurface of the emitter zone large, so that also the semiconductor, for example, 10 ² Ω - cm at the base region 2 and

plättchen klein gehalten werden kann. mit 5 · 10-⁴Ω · cm bei der Emitterzone 3 festgelegt.platelets can be kept small. set at 5 × 10 ⁴ Ω · cm at the emitter zone. 3

Ausgestaltungen des Transistors nach der Erfindung 35 Die der Diffusion unterworfene Oberseite desRefinements of the transistor according to the invention 35 The top of the subject to diffusion

sind in den Unteransprüchen angegeben. Halbleiterplättchens 1 ist vollständig mit einer Isolier-are specified in the subclaims. Semiconductor chip 1 is completely covered with an insulating

Der Transistor nach der Erfindung wird anhand der schicht 4 bedeckt, was jedoch in Fig. 1 (A) nichtThe transistor according to the invention is covered by means of the layer 4, but this is not the case in Fig. 1 (A)

Zeichnung erläutert, in der sind dargestellt ist. Die Isolierschicht 4 schützt denDrawing explained in which are shown. The insulating layer 4 protects the

F i g. l(A) eine Ansicht einer Ausführungsform eines freiliegenden Teil des PN-Überganges zwischen Kollek-Transistors nach der Erfindung nach einem ersten 40 tor- und Basiszone sowie zwischen Basis- undF i g. l (A) a view of an embodiment of an exposed part of the PN junction between collector transistors according to the invention after a first 40 goal and base zone and between base and

Herstellungsschritt, und zwar, nachdem die Basiszone Emitterzone. Andererseits dient diese Isolierschicht 4,Manufacturing step, namely after the base region emitter region. On the other hand, this insulating layer 4 serves

und die netzförmige Emitterzone sowie eine Isolier- wie bekannt, als Maske bei der Diffusion derand the reticulated emitter zone and an insulating as known, as a mask in the diffusion of the

schicht: (nicht dargestellt) auf der Oberseite des Fremdstoffe zur Dotierung und der Anbringung derlayer: (not shown) on top of the foreign matter for doping and attaching the

Halbleiterplättchens angebracht sind, Kontaktelektroden. Die Isolierschicht 4 kann üblicher-Semiconductor wafers are attached, contact electrodes. The insulating layer 4 can usually

F ig. l(B) ein Schnitt längs der Linie \B-\B in 45 weise aus Siliziumoxid bestehen oder auch Bleioxid oderFig. l (B) a section along the line \ B- \ B in 45 wise made of silicon oxide or lead oxide or

F i g. l(A), Siliziumnitrid enthalten.F i g. l (A), contain silicon nitride.

F i g. 2(A) eine Ansicht nach dem nächsten Herstel- Als nächster Verfahrensschritt werden, wie inF i g. 2 (A) is a view after the next manufacturing step, as shown in FIG

lungsschritt, F i g. 2(A) gezeigt, an bestimmten Punkten der Isolier-solution step, FIG. 2 (A), at certain points of the insulating

Fig.2(B) ein Schnitt längs der Linie 2B-2B in schicht 4 öffnungen angebracht, durch die die2 (B) a section along the line 2B-2B in layer 4 openings through which the

F i g. 2(A), 50 Emitterzone 3 sowie die Basiszone 2 freigelegt wird, wieF i g. 2 (A), 50 emitter zone 3 and the base zone 2 is exposed, as

F i g. 3(A) eine Aufsicht auf den Transistor nach dem in F i g. 2(B) ersichtlich ist. Eine derartige öffnung 5 überF i g. 3 (A) is a plan view of the transistor according to the one shown in FIG. 2 (B) can be seen. Such an opening 5 over

folgenden Herstellungsschritt, der Basiszone 2 ist quadratisch. Die öffnungen über derfollowing manufacturing step, the base zone 2 is square. The openings above the

F i g. 3(B) ein Schnitt längs der Linie 3B-3B in Emitterzone 3 sind länglich, z. B. die öffnungen 6b, undF i g. 3 (B) a section along the line 3B-3B in emitter zone 3 are elongated, e.g. B. the openings 6b, and

F i g. 3(A), L-förmig, wenn zwei rechteckige öffnungen zusammen-F i g. 3 (A), L-shaped, if two rectangular openings come together

F i g. 4(A) eine Ansicht einer weiteren Ausführungs- 55 treffen, wie z. B. die öffnungen 6a. Ferner sind rundeF i g. 4 (A) is a view of another embodiment, such as FIG. B. the openings 6a. Furthermore are round

form des Transistors nach der Erfindung und öffnungen 7 vorgesehen. Die Form der öffnungen kannshape of the transistor according to the invention and openings 7 are provided. The shape of the openings can

Fig.4(B) ein Schnitt längs der Linie 4BAB in entsprechend den Erfordernissen bei der Herstellung4 (B) shows a section along the line 4BAB in accordance with the requirements during manufacture

F i g. 4(A). auch anders gewählt werden.F i g. 4 (A). also be chosen differently.

In F i g. l(A) sind Basiszone 2 und die Emitterzone 3 Nach dem Anbringen der öffnungen wird AluminiumIn Fig. l (A) are the base zone 2 and the emitter zone 3. After the openings have been made, aluminum becomes

auf der Oberseite eines Halbleiterplättchens 1 aus 60 auf die Oberseite der Isolierschicht 4 aufgedampft.on the top of a semiconductor wafer 1 from 60 on top of the insulating layer 4 by vapor deposition.

Silizium angebracht, das beispielsweise N-leitend ist. Das aufgedampfte Aluminium stellt die leitendeSilicon attached, which is, for example, N-conductive. The vapor-deposited aluminum is the conductive

Die Emitterzone 3 hat eine netzförmige Gestalt. Wenn Verbindung zu der Basis- und der Emitterzone durch dieThe emitter zone 3 has a reticulate shape. When connected to the base and emitter zones through the

auch die Maschen quadratisch dargestellt sind und die öffnungen hindun h her. Schließlich werden diethe meshes are also shown as square and the openings are smaller. After all, the

Basiszone 2 ebenfalls als Quadrat dargestellt ist, so ist überflüssigen Teilt der aufgedampften Aluminium-Base zone 2 is also shown as a square, so the superfluous parts of the vapor-deposited aluminum

auch ein Polygon oder eine andere Form oder eine 65 schicht durch ein Foto-Ätzverfahren entfernt. Die Teilealso a polygon or other shape or a layer is removed by a photo-etching process. The parts

uneinheitliche Netzform möglich. In der Fig. l(A) ist der Aluminiumschicht, die als Basiselektrode 8 undinconsistent network shape possible. In Fig. L (A) is the aluminum layer, which is used as the base electrode 8 and

der Teil d\ des Umfangs bei der Emitterzone 3 etwas Emitterelektrode 9 dienen sollen, werden getrennt,the part d \ of the circumference at the emitter zone 3 should serve some emitter electrode 9, are separated,

größer als der andere Teil J₂ und verschiedene Damit ist der Aufbau des Transistors beendet Denlarger than the other part J ₂ and different. This completes the construction of the transistor Den

Transistor in diesem Fertigungstand zeigen die F i g. 3(A) und 3(B). Das Halbleiterplättchen wird darauf wie beim bekannten Transistor mit einem Sockel verbunden. Die Basis- und die Emitterelektrode werden durch Drähte mit Anschlußstiften verbunden, und das Ganze wird in ein Metallgehäuse eingeschlossen. Damit ist das Transistorbauelement fertig.F i g show transistors in this production state. 3 (A) and 3 (B). The semiconductor die is on top of it connected to a socket as in the known transistor. The base and emitter electrodes are connected by wires to terminal pins, and the whole is enclosed in a metal housing. In order to the transistor component is ready.

Wie aus der obigen Erläuterung des Herstellungsvorganges zu entnehmen, besitzt ein Transistor nach der Erfindung eine netzartige Emitterzone, und die Masehen des Netzes der Emitterzone umschließen Teile der Basiszone. Wie aus Fig.2(A) ersichtlich, ist die Emitterelektrode an verschiedenen Punkten mit der Emitterzone verbunden. Das gleiche gilt für die Basiselektrode und die Basiszone. Die ganze Emitterzo- ι J ne wird dadurch auf gleichem Potential gehalten, und nachdem alle Randbereiche der Emitterzone (außer denen am äußersten Umfang) jeweils der Basiselektrode benachbart sind, verteilt sich auch der Strom auf die Randbereiche. Obwohl ein Transistor nach der Erfin- ao dung keine Basiszone aus zwei Schichten verschiedenen spezifischen Widerstands wie ein »Overlay«-Transistor besitzt, ist sein maximaler Emitterstrom nicht kleiner als beim »Overlay«-Transistor, und es besteht daher die Möglichkeit, hohe Ausgangsleistungen zu erzielen.As can be seen from the above explanation of the manufacturing process, has a transistor according to Invention a network-like emitter zone, and the Masehen of the network of the emitter zone enclose parts the base zone. As can be seen from Fig.2 (A), the Emitter electrode connected to the emitter zone at different points. The same goes for that Base electrode and the base zone. The entire emitter zone J ne is thereby kept at the same potential, and after all edge areas of the emitter zone (except those on the outermost circumference) of the base electrode are adjacent, the current is also distributed to the edge areas. Although a transistor according to the invention There is no base zone made up of two layers of different resistivity like an overlay transistor possesses, its maximum emitter current is not less than with the »overlay« transistor, and it exists hence the possibility of achieving high output powers.

Durch den oben geschilderten Aufbau des Transistors nach der Erfindung, wird die Herstellung gegenüber der des »Overlay«-Transistors erleichtert, da der »Overlay«-Transistor einen besonderen Arbeitsgang zur Herstellung der Schicht höherer Leitfähigkeit in der Basiszone erfordert. Bei diesem Arbeitsgang ist große Genauigkeit und Sorgfalt erforderlich. Daneben besteht der Vorteil, daß das Halbleiterplättchen besser ausgenutzt wird als beim »Overlay«-Transistor. Das bedeutet, daß, wie vorher beschrieben, der Raum zwischen jeder Emitterteilzone des »Overlay«-Transistors wegen des Zweischichtaufbaus der Basiszone nicht über ein bestimmtes Maß verringert werden kann. Bei dem Transistor nach der Erfindung läßt sich dagegen die Emitterzone (z. B. die Breite der Streifen des Emitternetzes) so klein wie möglich machen, wobei die Grenze durch die Fertigungstechnik gesetzt ist. Es ist dadurch möglich, die Umfangslänge der Emitterzone länger als beim »Overlay«-Transistor bei gleicher Größe des Halbleiterplättchens zu gestalten. Daher kann eine höhere Ausgangsleistung erreicht werden.Due to the above-described structure of the transistor according to the invention, the production is compared to the of the "overlay" transistor, as the "overlay" transistor a special operation to produce the layer of higher conductivity in the Base zone required. Great accuracy and care is required in this operation. In addition there is the advantage that the semiconductor chip is better utilized than with the "overlay" transistor. That means that, as previously described, the space between each emitter subzone of the "overlay" transistor because of the two-layer structure of the base zone cannot be reduced beyond a certain amount. at With the transistor according to the invention, however, the emitter zone (e.g. the width of the strips of the emitter network) Make it as small as possible, whereby the limit is set by the manufacturing technology. It is through it possible, the circumferential length of the emitter zone is longer than with the »overlay« transistor with the same size of the To shape semiconductor wafer. Therefore, a higher output can be achieved.

Wenn auch die Anzahl der von den Maschen der Emitterzone eingeschlossenen Teile der Basiszone bei dem an Hand der F i g. 1 und 2 geschilderten Ausführungsbeispiel 16 beträgt, so ist diese nicht auf 16 beschränkt, sondern kann einige Hundert betragen, wie dies bei »Overlay«-Transistoren der Fall ist. Ferner müssen die Basis- und die Emitterelektrode nicht, wie oben beschrieben, auf der gleichen Isolierschichtfläche angebracht sein. Diese Kontaktelektroden können beispielsweise folgendermaßen hergestellt werden: Zunächst erfolgt das Aufdampfen einer Aluminiumschicht auf der ganzen Oberfläche der Isolierschicht 4. Die aufgedampfte Aluminiumschicht wird entfernt mit Ausnahme des Teiles, der die Emitterelektrode 9 bilden soll. Darauf wird auf dem Teil 9, wie in den F i g. 4(A) und 4(B) gezeigt, eine zweite Isolierschicht 10 angebracht. Schließlich wird die Basiselektrode 8 mittels Aufdampfen von Metall auf die zweite Isolierschicht 10 durch Öffnungen in den Isolierschichten 4 und 10 angebracht. Dabei ist es nicht nötig, daß das gleiche Metall für die Basis- und die Emitterelektrode verwendet wird.Even if the number of parts of the base zone enclosed by the meshes of the emitter zone which on the basis of FIG. 1 and 2 is 16, it is not 16 limited, but can be a few hundred, as is the case with "overlay" transistors. Further the base and emitter electrodes do not have to be on the same insulating layer surface, as described above to be appropriate. These contact electrodes can be manufactured as follows, for example: First of all, an aluminum layer is vapor deposited on the entire surface of the insulating layer 4. The vapor-deposited aluminum layer is removed with the exception of the part which forms the emitter electrode 9 target. Then on part 9, as shown in FIGS. 4 (A) and 4 (B), a second insulating layer 10 is shown appropriate. Finally, the base electrode 8 is deposited onto the second insulating layer 10 by means of metal vapor deposition attached through openings in the insulating layers 4 and 10. It is not necessary that the same Metal is used for the base and emitter electrodes.

Wenn auch bei den Ausführungsbeispielen das Halbleiterplättchen aus Silizium besteht, so lassen sich auch Halbleiterplättchen aus Germanium oder einem Material wie Galliumarsenid und andere Halbleiterverbindungen verwenden. Selbstverständlich kann der Transistor nach der Erfindung auch als ein PNP-Transistor ausgebildet sein.Even if the semiconductor wafer is made of silicon in the exemplary embodiments, it is possible also semiconductor wafers made of germanium or a material such as gallium arsenide and other semiconductor compounds use. Of course, the transistor according to the invention can also be used as a PNP transistor be trained.

Hierzu 4 Blatt ZeichnungenFor this purpose 4 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. A transistor with a semiconductor wafer, which has a collector zone, a base zone partially adjoining the upper side of the semiconductor wafer and an emitter zone adjoining this upper side of the semiconductor wafer in the form of a network, the distance between the underside of the base zone and the upper side of the semiconductor wafer is greater than the distance of the lower side of the emitter zone from the upper side of the semiconductor wafer, mit.einer insulating layer which covers the surface of the semiconductor wafer at least in the part in which the collector and emitter junction come to the upper side of the semiconductor wafer, and with two layered contact electrodes, partially attached to the insulating layer, isolated from one another, which contact the base or emitter zone through openings in the insulating layer, characterized in that the emitter zone (3), which is in the form of a flat network, is enlarged at the intersection area en (3a, 3b) and is contacted at the edge area of the network.

2. Transistor according to claim 1, characterized in that more than half of the base zone (2), which is enclosed by the reticulated emitter zone (3) by a common base contact electrode (8) is contacted.

3. Transistor according to claim 1, characterized in that the emitter and the base contact electrodes (8,9) consist of the same metal.

4. Transistor according to claim 1, characterized in that that the emitter and the base contact electrodes (8,9) consist of different metals.

5. Transistor according to one of claims 1 to 4, characterized in that the emitter electrode

(9) and the base electrode (8) are applied in layers on different insulating layer surfaces and an insulating layer between these electrodes

(10) is arranged.

6. Transistor according to one of claims 1 to 5, characterized in that the specific resistance is uniform within the collector zone.