DE151898T1 - Verfahren und anordnung zur ausgleichung einer speicherzelle. - Google Patents
Verfahren und anordnung zur ausgleichung einer speicherzelle.Info
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Claims (1)
1. Halbleiterspeicherschaltung mit einer Matrix von Speicherzellen, wobei jede Zelle eine Zellenplatte hat,
mit der ein Anschluß eines Kondensators verbunden ist, und einen Satz von Direkt- und Komplementbitleitungen,
die mit ausgewählten Zellen verbunden sind; und mit einer Abgleichschaltung zum paarweisen Verbinden
von ausgewählten Direkt- und Komplementbitleitungen mit einer Abgleichspannungseinrichtung; dadurch gekennzeichnet,
daß:
die Abgleichschaltung einen ersten und einen zweiten Transistor aufweist, die durch die Abgleichspannungseinrichtung
gesteuert werden, wobei jeder einen ersten Anschluß hat, der mit einem Abgleichschaltungspunkt
verbunden ist, und einen zweiten Anschluß, der mit einer der Direkt- und Komplementbitleitungen verbunden
ist; und
der AbqleichschalLungspunkt direkt mit einem Zellenplattenschaltungspunkt
verbunden ist, welcher einer Zellen-
platte von wenigstens zwei Zellen der Matrix gemeinsam ist, und daß der Abgleichschaltungspunkt mit einer
Spannungseinrichtung verbunden ist zum Halten des Abgleichschaltungspunkts auf einer vorbestimmten Spannung
im wesentlichen in der Mitte zwischen einer Schaltungsversorgungsspannung
und Masse.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US56855484A | 1984-01-05 | 1984-01-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE151898T1 true DE151898T1 (de) | 1985-11-21 |
Family
ID=24271762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1984630219 Pending DE151898T1 (de) | 1984-01-05 | 1984-12-28 | Verfahren und anordnung zur ausgleichung einer speicherzelle. |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0151898A3 (de) |
| JP (1) | JPS60160095A (de) |
| DE (1) | DE151898T1 (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05342873A (ja) * | 1992-06-10 | 1993-12-24 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4225945A (en) * | 1976-01-12 | 1980-09-30 | Texas Instruments Incorporated | Random access MOS memory cell using double level polysilicon |
| JPS5457921A (en) * | 1977-10-18 | 1979-05-10 | Fujitsu Ltd | Sense amplifier circuit |
| US4420822A (en) * | 1982-03-19 | 1983-12-13 | Signetics Corporation | Field plate sensing in single transistor, single capacitor MOS random access memory |
| JPH0612619B2 (ja) * | 1982-09-22 | 1994-02-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体メモリ装置 |
-
1984
- 1984-12-28 EP EP84630219A patent/EP0151898A3/de not_active Withdrawn
- 1984-12-28 DE DE1984630219 patent/DE151898T1/de active Pending
-
1985
- 1985-01-05 JP JP60000046A patent/JPS60160095A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60160095A (ja) | 1985-08-21 |
| EP0151898A2 (de) | 1985-08-21 |
| EP0151898A3 (de) | 1987-07-29 |
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