DE1514914C

DE1514914C - Controllable semiconductor component

Info

Publication number: DE1514914C
Application number: DE19651514914
Authority: DE
Inventors: Reinhard Dipl.-Phys.Dr. 7100 Heilbronn Dahlberg
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1965-12-30
Filing date: 1965-12-30
Publication date: 1973-07-12

Description

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Die Erfindung betrifft ein steuerbares Halbleiterbauelement. The invention is based on the object. The invention relates to a controllable semiconductor component.

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ein steuerbares Halbleiterbauelement anzugeben, kel. Unter heißen Elektronen sind Elektronen zuspecify a controllable semiconductor component, kel. Under hot electrons are electrons too

bei dem in einer Schicht des Halbleiterbau- verstehen, die als Folge einer äußeren Spannungin which in a layer of the semiconductor component understand that as a result of an external stress

elements vorhandene Majoritätsladungsträger nicht einen thermoelektrischen Kontakt von der Seite deselements existing majority charge carriers do not make a thermoelectric contact from the side of the

als Minoritätsladungsträger, sondern als Majoritäts- thermoelektrisch positiven Schenkelmaterials inas a minority charge carrier, but as a majority thermoelectrically positive leg material in

ladungsträger in die nächstfolgende Schicht injiziert 5 Richtung auf die Seite des thermoelektrisch nega-charge carrier is injected into the next layer in 5 direction on the side of the thermoelectrically negative

werden. tiven Schenkelmaterials durchfließen.will. tive leg material flow through.

Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch Das oben beschriebene steuerbare Halbleiterbaugelöst, daß das steuerbare Halbleiterbauelement aus element hat den Vorteil, daß es wegen des Stromeiner Kombination einer Schottky-Diode mit einem transports durch Majoritätsladungsträger keine Ein-Peltierelement, bei der der erste Schenkel des Pel- ίο kristalle erfordert und außerdem auch nicht die tierelementes als Schottky-Kontakt auf einen Halb- Strahlungsempfindlichkeit von Halbleiterbauelemenleiterkörper aufgebracht ist und der zweite Schenkel ten besitzt, bei denen der Stromtransport durch Mides Peltierelementes als sperrschichtfreier thermo- noritätsladungsträger erfolgt. Ein weiterer Vorteil elektrischer Kontakt auf den ersten Schenkel aufge- besteht darin, daß die Frequenzgrenze bei Majoribracht ist, und daß der erste Schenkel so dünn be- 15 tätsladungsträgerbauelementen höher liegt als bei messen ist, daß bei Anlegen einer Spannung an die Minoritätsladungsträgerbauelementen,
beiden Schenkel des Peltierelementes der sperr- Die an der Schottky-Diode liegende Spannung schichtfreie thermoelektrische Kontakt Elektronen, wird im allgemeinen größer als die Peltierspannung die nicht im thermischen Gleichgewicht zu ihrer Um- zwischen den beiden Schenkeln des Peltierelementes gebung stehen, durch den ersten Schenkel hindurch 20 gewählt. Diese Spannung wird zwischen den den in den Halbleiterkörper der Schottky-Diode injiziert Schottky-Kontakt bildenden Schenkel des Peltierele- und den Diodenstrom der Schottky-Diode steuert. ments und eine Kontaktelektrode angelegt, die amThis object is achieved according to the invention in that the controllable semiconductor component described above has the advantage that, due to the current of a combination of a Schottky diode with a transport by majority charge carriers, there is no single Peltier element in which the first leg of the pel - Requires ίο crystals and also not the tier element is applied as a Schottky contact to a half radiation sensitivity of semiconductor component conductor body and the second leg has th, in which the current is transported through Mides Peltier element as a barrier layer-free thermo-nority charge carrier. Another advantage of electrical contact on the first leg is that the frequency limit is at Majoribracht, and that the first leg is so thin that charge carrier components are so thin that when a voltage is applied to the minority charge carrier components,
The voltage applied to the Schottky diode layer-free thermoelectric contact electrons is generally greater than the Peltier voltage, which is not in thermal equilibrium with its surroundings, through the first leg 20 elected. This voltage is controlled between the legs of the Peltierele and the diode current of the Schottky diode which form the Schottky contact that is injected into the semiconductor body of the Schottky diode. ments and a contact electrode placed on the

Elektronen, die nicht im thermischen Gleichge- Halbleiterkörper auf der dem Schottky-Kontakt gewicht mit ihrer Umgebung stehen, werden vielfach, genüberliegenden Seite angebracht ist. An die beiden wie sich beispielsweise aus dem Artikel »Heiße Elek- 25 Schenkel des Peltierelements wird eine Spannung antronen für elektronische Bauelemente«, erschienen gelegt, die kleiner als die doppelte Peltierspannung in der Zeitschrift »radio mentor«, Bd. 28, Heft 10, des Peltierelementes oder vorzugsweise gleich der 1962, S. 822 und 824, ergibt, auch als heiße Elek- Peltierspannung ist.
tronen bezeichnet. Der den Schottky-Kontakt bildende erste SchenkelElectrons that are not in the thermal equi-semiconductor body on the weight of the Schottky contact with their surroundings are often attached to the opposite side. As can be seen from the article "Hot elec- tronics of the Peltier element, a voltage is applied to the two for electronic components," which is less than double the Peltier voltage in the magazine "radio mentor", vol. 28, issue 10, of the Peltier element or preferably the same as 1962, pp. 822 and 824, results, also as a hot electrical Peltier voltage.
called tronen. The first leg forming the Schottky contact

Unter einer Schottky-Diode wird üblicherweise 30 des Peltierelements kann aus Metall oder aus einemUnder a Schottky diode is usually 30 the Peltier element can be made of metal or a

ein Metall-Halbleiterkontakt verstanden. Als ein äußerst stark dotierten Halbleitermaterial bestehen.understood a metal-semiconductor contact. As an extremely heavily doped semiconductor material exist.

»Metall« im Sinne der Theory von Schottky kann Das Material des ersten Schenkels wird so gewählt,"Metal" in the sense of Schottky's theory can The material of the first leg is chosen so

man jedoch auch einen Halbleiter ansehen, der ex- daß die freie Weglänge der Elektronen in bezug aufHowever, one can also consider a semiconductor which ex- that the free path of the electrons with respect to

trem hoch dotiert ist. Eine extrem hoch dotierte ihre Wechselwirkung mit den Phononen möglichstis tremendously endowed. An extremely highly doped their interaction with the phonons as possible

Halbleiterschicht hat insofern quasimetallische 35 groß ist. Gut geeignet sind beispielsweise Kupfer,Semiconductor layer has quasi-metallic 35 is large. Copper, for example, are well suited

Eigenschaften, als sich eine Raumladungszone nicht Nickel oder Gold. Der den Schottky-Kontakt bil-Properties when a space charge zone is not nickel or gold. Who form the Schottky contact

in ihr ausbreiten kann. Sie ist deshalb in der Lage, dende Schenkel des Peltierelements selbst soll mög-can spread in it. It is therefore able to make the leg of the Peltier element itself possible.

ebenso wie eine Metallschicht, eine hohe Ladungs- liehst dünn sein.Just like a metal layer, a high charge lends itself to be thin.

trägerkonzentration an ihrer Grenze zum Halbleiter- Im folgenden werden Ausführungsbeispiele desCarrier concentration at its limit to the semiconductor In the following, exemplary embodiments of the

körper aufrecht zu erhalten. 4° oben beschriebenen steuerbaren Halbleiterbauele-to maintain the body. 4 ° above-described controllable semiconductor components

Aus den deutschen Auslegeschriften 1067 531, ments erläutert.Explained from the German Auslegeschriften 1067 531, ments.

1 067 833 und 1 080 690 sowie aus der britischen Bei dem steuerbaren Halbleiterbauelement der Patentschrift 953 339 sind Halbleiteranordnungen F i g. 1 besteht die Schottky-Diode aus einem Halbbekannt geworden, die aus einer Kombination von leiterkörper 1 vom p-Leitungstyp und dem den Halbleiterbauelementen mit Peltierelementen beste- 45 Schottky-Kontakt bildenden Schenkel 2 des Peitierhen. Bei diesen bekannten Anordnungen, bei denen elements in Form einer Metallschicht. Die Metalldas Peltierelement allein Kühlzwecken dient, wird schicht 2 ist bei dem steuerbaren Halbleiterbauelestets die kalte Lötstelle des Peltierelementes zur ment der F i g. 1 in einer Öffnung einer auf dem Wärmeabführung an den Halbleiterkörper ange- Halbleiterkörper 1 befindlichen Isolierschicht 3 abschlossen, und die warme Lötstelle wird nicht mit 50 geschieden. Die Isolierschicht 3 ist eine Oxydschicht, dem Halbleiterkörper in Verbindung gebracht. Das Peltierelement des steuerbaren Halbleiterbau-1 067 833 and 1 080 690 as well as from the British Patent specification 953 339 are semiconductor devices F i g. 1, the Schottky diode consists of a semi-known, which consists of a combination of conductor body 1 of the p-conductivity type and the den Semiconductor components with Peltier elements best 45 Schottky contact forming leg 2 of the Peitierhen. In these known arrangements in which elements are in the form of a metal layer. The metal that Peltier element is used only for cooling purposes, layer 2 is always used in controllable semiconductor components the cold soldering point of the Peltier element to the ment of the F i g. 1 in an opening one on the Heat dissipation to the semiconductor body 1 located insulating layer 3 completed, and the warm solder joint is not divorced at 50. The insulating layer 3 is an oxide layer, brought the semiconductor body in connection. The Peltier element of the controllable semiconductor component

Demgegenüber handelt es sich bei der vorliegen- elementes der F i g. 1 wird durch den den Schottky-In contrast, the present element in FIG. 1 is determined by the Schottky

den Anordnung um ein steuerbares Halbleiterbau- Kontakt bildenden ersten Schenkel 2 aus Metall so-the arrangement around a controllable semiconductor component forming first leg 2 made of metal so-

element, bei dem heiße Elektronen mit Hilfe eines wie durch einen zweiten zweiteiligen Schenkel 4, 4 aelement, in which hot electrons with the help of a like by a second two-part leg 4, 4 a

Peltierelementes erzeugt und in eine Schottky-Diode 55 gebildet, der aus den auf die Metallschicht 2 sowiePeltier element generated and formed into a Schottky diode 55, which consists of the on the metal layer 2 and

injiziert werden. Auf diese Weise kann der Dioden- auf die Isolierschicht 3 aufgebrachten Schichten ausinjected. In this way, the diode can be made of layers applied to the insulating layer 3

strom einer Schottky-Diode mittels heißer Elektro- thermoelektrischem Material besteht. Die Schichtencurrent of a Schottky diode by means of hot electro-thermoelectric material. The layers

nen gesteuert werden. des zweiten zweiteiligen Schenkels 4 und 4 α werdencan be controlled. of the second two-part leg 4 and 4 are α

Die Schottky-Diode des oben beschriebenen beispielsweise im Hochvakuum aufgedampft oder steuerbaren Halbleiterbauelements kann sowohl in 60 durch Kathodenzerstäubung hergestellt; sie bestehen Sperrichtung als auch in Flußrichtung betrieben aus einem Material, wie z. B. Antimon, Wismutwerden. Bei Betrieb in Sperrichtung wird die Schott- tellurid oder p-Germanium, das thermoelektrisch ky-Diode unterhalb oder bei ihrer Durchbruchspan- positiv gegenüber dem Material der Metallschicht 2 nung, bei Betrieb in Flußrichtung unterhalb oder der Schottky-Diode ist. Die Metallschicht 2 der bei ihrer Schwellspannung betrieben. Der auf den 65 Schottky-Diode ist dann der thermoelektrisch negaden Schottky-Kontakt bildende erste Schenkel auf- tive Schenkel des Peltierelements.
gebrachte zweite Schenkel des Peltierelements ist Legt man mit Hilfe der Spannungsquelle 5 gemäß thermoelektrisch positiv gegenüber dem ersten Sehen- F i g. 1 an das Peltierelement zwischen die zwei TeileThe Schottky diode of the above-described, for example, vapor-deposited or controllable semiconductor component in a high vacuum can be produced by cathode sputtering; they are operated in the reverse direction as well as in the flow direction of a material such as. B. antimony, bismuth becoming. When operating in the reverse direction, the Schott telluride or p-germanium, the thermoelectrically ky diode, is below or at its breakdown voltage positive with respect to the material of the metal layer 2, when operating in the direction of flow below or the Schottky diode. The metal layer 2 operated at its threshold voltage. The first leg, or leg of the Peltier element, which forms the thermoelectrically negative Schottky contact on the Schottky diode.
The second leg of the Peltier element that has been brought is placed thermoelectrically positive with the aid of the voltage source 5 in relation to the first vision. 1 to the Peltier element between the two parts

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des zweiten Schenkels 4 und Aa des Peltierelements Elektronen, die aus einem der beiden thermoelekeine Spannung an, die kleiner als die doppelte Pel- irischen Kontakte zwischen dem ersten Schenkel 2 tierspannung des Peltierelementes ist, dann injiziert und dem zweiten Schenkel 4, 4 a infolge der an die unabhängig von der Polung dieser Spannung immer Teile 4 und 4 a mit Hilfe der Spannungsquelle 5 aneiner der beiden thermoelektrischen Kontakte 7 5 gelegten Spannung austreten, durch die Metall- und 8 zwischen dem ersten Schenkel 2 und dem schicht 2 der Schottky-Diode hindurch in den nzweiten Schenkel 4, 4 a des Peltierelements heiße Halbleiterkörper 1 gelangen, sofern die Metall-Elektronen, die durch die Metallschicht 2 der schicht 2 dünn genug ist. Das oben beschriebene Schottky-Diode hindurch in den Halbleiterkörper 1 steuerbare Halbleiterbauelement kann beispielsweise vom p-Leitungstyp gelangen, wenn die Metallschicht ίο als aktiver Vierpol in integrierten Schaltungen ver-2 der Schottky-Diode dünn genug ist. Die Schottky- wendet werden.of the second leg 4 and Aa of the Peltier element electrons, which are then injected from one of the two thermoelekeine voltage that is less than double the Pel- irish contacts between the first leg 2 animal voltage of the Peltier element and the second leg 4, 4 a as a result of the to which, regardless of the polarity of this voltage, always parts 4 and 4 a with the help of the voltage source 5 at one of the two thermoelectric contacts 7 5 emerge voltage, through the metal and 8 between the first leg 2 and the layer 2 of the Schottky diode In the second leg 4, 4 a of the Peltier element, hot semiconductor bodies 1 arrive, provided that the metal electrons that are passed through the metal layer 2 of the layer 2 are thin enough. The above-described Schottky diode through into the semiconductor body 1 controllable semiconductor component can get, for example, of the p-conductivity type if the metal layer ίο as an active quadrupole in integrated circuits ver-2 of the Schottky diode is thin enough. The Schottky-be turned.

Diode wird mit Hilfe der Spannungsquelle 9 in Sperr- Das oben beschriebene steuerbare Halbleiterbaurichtung geschaltet, die an den einen Teil 4 des zwei- element stellt einen aktiven Vierpol dar, wenn das ten Schenkels 4, 4 a des Peltierelements sowie an die Produkt aus der an der Schottky-Diode liegenden Kontaktelektrode 10 angelegt ist, die sich auf der der 15 Spannung und demjenigen Teil des Stromes, der von Metallschicht 2 gegenüberliegenden Seite am Halb- den injizierten heißen Elektronen herrührt und in leiterkörper 1 befindet. Die in den Halbleiterkör- den Halbleiterkörper gelangt, größer ist als das Proper 1 aus dem thermoelektrischen Kontakt 7 oder 8 dukt aus der an die Schenkel des Peltierelements aninjizierten heißen Elektronen werden von der Kon- gelegten Spannung und dem durch diese Spannung taktelektrode 10 abgesaugt. Das steuerbare Halb- 20 hervorgerufenen Peltierstrom.The above-described controllable semiconductor construction direction, which is connected to one part 4 of the two element, represents an active quadrupole when the th leg 4, 4 a of the Peltier element and the product of the an The contact electrode 10 lying on the Schottky diode is applied, which is on the 15 voltage and that part of the current which comes from the side opposite the metal layer 2 on the half of the injected hot electrons and is located in the conductor body 1. The semiconductor body that gets into the semiconductor body is larger than the property 1 from the thermoelectric contact 7 or 8 from which the hot electrons injected onto the legs of the Peltier element are sucked off by the voltage applied and the electrode 10 generated by this voltage. The controllable half-20 induced Peltier current.

leiterbauelement nach der F i g. 2 unterscheidet sich Die F i g. 4 zeigt eine Halbleiteranordnung, die von dem nach der F i g. 1 dadurch, daß der zweite beispielsweise aus 32 der in F i g. 1 oder 2 darge-Schenkel des Peltrierelements nicht wie in Fig. 1 stellten steuerbaren Halbleiterbauelemente besteht, aus zwei Teilen 4, 4 a, sondern nur aus einem Teil 4 Von den Schottky-Dioden sind in Aussparungen der besteht. Die von der Spannungsquelle S gelieferte 35 auf den gemeinsamen Halbleiterkörper aufgebrach-Spannung wird in diesem Falle an die Metallschicht 2, ten Oxydschicht die Metallschichten 2 zu sehen, auf die den ersten Schenkel des Peltierelements bildet, die je zwei Teile des zweiten Schenkels 4 und 4 a sowie an den zweiten Schenkel 4 des Peltierelemen- des Peltierelements aufgebracht sind. Die Teile des tes angelegt. zweiten Schenkels der einzelnen steuerbaren HaIb-Die F i g. 3 zeigt ein der F i g. 1 entsprechendes 30 leiterbauelemente sind zueinander in Reihe geschalsteuerbares Halbleiterbauelement, bei dem an Stelle tet, während die Schottky-Dioden der einzelnen eines p-Halbleiterkörpers ein n-Halbleiterkörper 1 steuerbaren Halbleiterbauelemente zueinander parals Grundkörper vorgesehen ist. Auf die Metall- allel geschaltet sind. Die Kontaktierung der Halbschicht 2 der Schottky-Diode sind ebenfalls wieder leiteranordnung erfolgt mit Hilfe der Anschlüsse 11 zwei Teile des zweiten Schenkels 4 und 4 a des Pel- 35 und 12. Die Mehrfachanordnung der steuerbaren tierelements aufgebracht, die den thermoelektrisch Halbleiterbauelemente nach der F i g. 3 hat den Vorpositiven Schenkel des Peltierelementes bilden, des- teil, daß ihre Eingangsspannung so viel mal höher sen thermoelektrisch negativer Schenkel die Metall- als bei einem Einzel-Halbleiterbauelement gewählt schicht 2 der Schottky-Diode ist. Die Schottky- werden kann, wie Einzel-Halbleiterbauelemente vorDiode ist auch im Ausführungsbeispiel nach der 40 handen sind.ladder component according to FIG. 2 differs The F i g. FIG. 4 shows a semiconductor device which differs from the one according to FIG. 1 in that the second, for example, from 32 of the in F i g. 1 or 2 Darge legs of the Peltrierelements not as in Fig. 1 presented controllable semiconductor components consists of two parts 4, 4 a, but only from one part 4 of the Schottky diodes are in recesses of the consists. The voltage supplied by the voltage source S applied to the common semiconductor body can in this case be seen on the metal layer 2, the oxide layer, the metal layers 2, on which the first limb of the Peltier element forms two parts of the second limb 4 and 4 a and are applied to the second leg 4 of the Peltier element. The parts of the tes laid out. second leg of the individual controllable Halb-Die F i g. 3 shows one of the FIGS. 1 corresponding 30 conductor components are connected to one another in series with a switchable semiconductor component, in which instead of tet, while the Schottky diodes of the individual p-type semiconductor bodies, an n-type semiconductor body 1 controllable semiconductor components are provided parallel to one another base body. Are switched to the metal allele. The contacting of the half-layer 2 of the Schottky diode are also again conductor arrangement takes place with the help of the connections 11 two parts of the second leg 4 and 4 a of the Pel 35 and 12. The multiple arrangement of the controllable animal element applied, which the thermoelectrically semiconductor components according to the F i G. 3 forms the prepositive leg of the Peltier element, because its input voltage is so much times higher than the thermoelectrically negative leg of the metal layer 2 of the Schottky diode that is selected for a single semiconductor component. The Schottky can be handled like single semiconductor components in front of the diode is also in the exemplary embodiment according to FIG.

Fig. 3 mit Hilfe der Spannungsquelle9 in Sperr- Die Fig. 5 zeigt eine für höhere Leistungen vorrichtung vorgespannt, da an der thermoelektrischen' teilhafte Anordnung, bei der die zweiten thermo-Schicht4 Minuspotential und an der den η-Halb- elektrisch positiven Schenkel 4 und 4 a des Peltierleiterkörper kontaktierenden Kontaktelektrode 10 elements eine kammförmige Struktur haben und Pluspotential liegen. Auch hier können die heißen 45 kammförmig ineinandergreifen.Fig. 3 with the help of the voltage source 9 in blocking. Fig. 5 shows a device biased for higher power, since part of the thermoelectric arrangement, in which the second thermo-layer 4 negative potential and on the η-semi-electrically positive leg 4 and 4 a of the Peltier conductor body contacting contact electrode 10 elements have a comb-shaped structure and are positive potential. Here, too, the hot 45 can intermesh in a comb shape.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. Controllable semiconductor component, characterized in that it consists of a There is a combination of a Schottky diode with a Peltier element, in which the first leg (2) of the Peltier element is applied as a Schottky contact to a semiconductor body (1) and the second leg (4, 4 a) of the Peltier element as a thermoelectric element without a barrier layer Contact (7, 8) is applied to the first leg (2) and that the first leg (2) is dimensioned so thin that when a voltage is applied to the two legs (2; 4, 4 a) of the Peltier element, the barrier layer-free, thermoelectric contact (7, 8) electrons that are not in thermal equilibrium with their Surrounding area, through the first leg (2) into the semiconductor body of the Schottky diode injected and controls the diode current of the Schottky diode.

2. Controllable semiconductor component according to claim 1, characterized in that the the First leg (2) of the Peltier element, which forms a Schottky contact, consists of a thermoelectrically positive material.

3; Controllable semiconductor component according to claim I or 2, characterized in that the first leg forming the Schottky contact (2) the Peltier element is made of metal or of extremely heavily doped semiconductor material.

4. Controllable semiconductor component according to claim 3, characterized in that the the First leg (2) of the Peltier element, which forms a Schottky contact, is made of an extremely heavily p-doped Semiconductor material consists.

5. Controllable semiconductor component according to one of claims 1 to 4, characterized in that that the Schottky contact forming first leg (2) of the Peltier element from a Material consists in which the free path of the electrons in relation to their interaction with the phonons is greater than the free path with respect to the interaction of the electrons among themselves.

6. Controllable semiconductor component according to one of claims 1 or 2, characterized in that that the first leg (2) of the Peltier element, which forms the Schottky contact, is made of copper, Nickel or gold.

7. Controllable semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that the fixed leg (2) of the Peltier element forming the Schottky contact has a thickness which is less than or at most equal to ΙΟ ⁴ Α.

8. Controllable semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized characterized in that an insulating layer (3) with an opening is applied to the semiconductor body (1) is, in which the Schottky contact forming first leg (2) of the Peltier element located, and that the second leg (4, 4 a) of the Peltier element from two over the first Leg (2) consists of electrically interconnected parts, both of which are on the insulating layer extend.

9. Controllable semiconductor component according to claim 8, characterized in that the insulating layer (3) consists of an oxide.

10. Controllable semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized characterized in that the two parts of the second leg '(4, 4a) of the Peltier element are comb-shaped are formed and intermesh in a comb shape.

11. Circuit arrangement with a controllable semiconductor component according to one of the claims 1 to 10, characterized in that a first voltage source (9) with such a of the two legs (2; 4, 4 a) of the Peltier element and with the contact electrode (10), which on the The semiconductor body (1) is attached to the side opposite the Schottky contact, is connected that the Schottky diode is reverse biased.

12. Circuit arrangement according to claim 11, characterized in that that of the first Spahnungsquelle (9) supplied reverse voltage less than or equal to the breakdown voltage of the Schottky diode is.

13. Circuit arrangement with a controllable semiconductor component according to one of claims 1 to 10, characterized in that a first voltage source (9) with one of the two legs (2; 4, 4a) of the Peltier element and with the contact electrode (10), which is on Semiconductor body (1) is attached on the opposite side of the Schottky contact, is connected, that the Schottky diode is biased in the forward direction and the forward voltage supplied by the first voltage source (9) is less than the threshold voltage of the Schottky diode.

14. Circuit arrangement according to one of claims 11 to 13, characterized in that a second voltage source (5) with the two legs (2; 4, 4 a) of the Peltier element is connected, which supplies a voltage which is less than twice the Peltier voltage on thermoelectric contact between the first (2) and the second leg (4, 4 a) of the Peltier element.

15. Circuit arrangement with a plurality of controllable semiconductor components according to one of the Claims 10 to 14, characterized in that the individual Schottky diodes are relative to one another in parallel and the individual Peltier elements are connected in series with one another.

16. Application of the circuit arrangement according to one of claims 10 to 15 in integrated Circuits or as an amplifier element in microcircuits.

17. A method for producing a controllable semiconductor component according to one of claims 1 to 10, characterized in that the two legs (2; 4, 4 a) of the Peltier element are applied by vapor deposition in a high vacuum or by cathode sputtering.