DE1564066B2 - Verfahren zur Herstellung von elektrischen Verbindungen zu Kontaktschichten an der Oberfläche des Halbleiterkörpers von Halbleiteranordnungen - Google Patents

Description

Vielzahl einzelner Transistoren entsteht. Das Verfahren wird zwar nur an Hand eines einzigen Transistors beschrieben; in der Praxis wird es jedoch an einem Halbleiterkörper mit Hunderten solcher Transistoren vor dessen Unterteilung in einzelne Transistoren durchgeführt. Des weiteren kann das Verfahren, obgleich es nachfolgend in bezug auf das Herstellen eines elektrischen Kontakts an einem Transistor beschrieben wird, mit gleichem Vorteil auch beim Herstellen von Halbleiterdioden oder anderen elektronischen Bauelementen Verwendung finden.

Der beispielsweise aus Silizium bestehende Halbleiterkörper 4 hat einen Kollektor 6. Unter Anwendung der vorerwähnten Schablonen- und Diffusionstechnik wird auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers 4 eine Basis 8 sowie innerhalb der Basis 8 auf derselben Seite des Halbleiterkörpers 4 ein eindiffundierter Emitter 9 erzeugt. Beim Herstellen des Kollektors 6, der Basis 8 und des Emitters 9 als jeweils verschiedene Halbleitertypen ergibt sich eine als Gleichrichter wirkende Grenzschicht 5 zwischen dem Kollektor 6 und der Basis 8 sowie eine Grenzschicht 7 zwischen der Basis 8 und dem Emitter 9. Die Grenzschichten 5 und 7 liegen auf ein und derselben Seite des Halbleiterkörpers 4. Um die betreffende Oberfläche des Siliziumkörpers und die Gleichrichter-Grenzschichten zu schützen, liegt eine isolierende Deckschicht 10 auf der gesamten Oberfläche des Halbleiterkörpers 4. Die Deckschicht 10 besteht beispielsweise aus Glas oder einem Oxid des Materials des Halbleiterkörpers 4, also beispielsweise aus Siliziumdioxid. Teile der oxidischen Deckschicht 10 können auch aus Reststücken der beim Herstellen der Basis 8 bzw. des Emitters 9 benutzten Oxidschablone bestehen. Im allgemeinen wird nach der Bildung des Emitters 9 durch Diffusion dessen freie Oberfläche oxidiert, so daß die gesamte Oberfläche des Halbleiterkörpers 4 für das weitere Verfahren geschützt ist. Es kann auch eine zusätzliche isolierende Deckschicht über die Oxidschablone gebracht werden, wobei diese Deckschicht beispielsweise aus pyrolytisch abgeschiedenem Siliziumdioxid oder Glas bestehen kann. Mit dem Bezugszeichen 10 sind daher ganz allgemein sämtliche Arten von isolierenden Deckschichten bezeichnet.

Nach Aufbringen der Deckschicht 10 ist es erforderlich, darin Öffnungen anzubringen, um eine elektrische Kontaktierung der Basis 8 und des Emitters 9 zu ermöglichen. Die Kontaktierung des KoI-lektors 6 durch die Deckschicht 10 hindurch ist jeweils abhängig von der tatsächlichen Schaltung des Transistors. So kann der Kontakt des Kollektors 6 auf der der Basis- bzw. Emitterseite gegenüberliegenden Seite des Halbleiters 4 liegen. Bei manchen Schaltungen ist es jedoch erwünscht, daß sämtliche Kontakte auf der gleichen Seite liegen. Über dem Kollektor 6 in der Deckschicht 10 kann dann eine öffnung vorgesehen werden, durch welche die obere Oberfläche des Kollektors 6 kontaktiert werden kann. Bei planaren Transistoren ist es häufig erwünscht, wegen der geringen Größe von Basis und Emitter direkte Kontakte beispielsweise zu anderen Bereichen j der Transistoroberfläche zu führen, die nicht zur ! Basis 8 bzw. zum Emitter 9 gehören. Deshalb führen ! gewöhnlich besondere Zuleitungen von der Basis 8 und dem Emitter 9 über die isolierende Deckschicht 10 zur Oberfläche, wo genügend Platz für die Anbringung von Kontaktwarzen od. dgl. zur Verbindung mit der Schaltung vorhanden ist. Da die Basis 8 den Emitter 9 umschließt, ist es erforderlich, in der Zuleitung der Basis 8 einen Durchlaß 11 vorzusehen, um eine Verbindung vom Emitter 9 zu noch zu erläuternden Kontaktscheiben führen zu können. Es ist dabei erforderlich, daß die isolierende Deckschicht 10 den Durchlaß 11 (F i g. 3) überdeckt, um die Emitterzuleitung gegenüber der Basis 8 zu isolieren.

Gemäß F i g. 3 besteht die erste Phase des Verfahrens darin, die Oberfläche von Basis 8, Emitter 9 und für den Fall eines obenliegenden Kontakts, also eines sogenannten Kopfkontakts, auch des Kollektors 6 freizulegen, um auf diese Weise eine elektrische Kontaktierung zu den einzelnen Zonen des Transistors 2 zu ermöglichen. Unter Anwendung üblicher Verfahren werden die zu den Transistorzonen führenden Öffnungen in der isolierenden Deckschicht 10 erzeugt (Fig. 3). Nachdem die Oberflächen der einzelnen Transistorzonen teilweise freigelegt sind, bildet der nicht mit Öffnungen versehene Teil in bezug auf die Basis 8 eine Brücke, nämlich den schon erwähnten Durchlaß 11 aus dem Stoff der isolierenden Deckschicht 10 über diesem Teil der Basis. Demnach ist dieser Teil ebenso wie die Grenzflächen 5 und 7 sowie die gesamte Oberfläche des Halbleiters 4 mit Ausnahme der zu Basis, Emitter und Kollektor führenden Öffnungen mit der isolierenden Deckschicht 10 versehen. Es wird nun ein Metall, beispielsweise Silber, in einer 0,6 μτη dicken Schicht aus der Gasphase auf die gesamte; Oberfläche des Halbleiters 4 aufgedampft. Dabei wird die metallene Schicht in direktem Kontakt mit dem freiliegenden Teil der Oberfläche des Kollektors, und zwar über die Kontaktöffnung 6' des Kollektors, sowie mit den freiliegenden Oberflächenteilen von Basis 8 und Emitter 9 abgeschieden. Die entstehenden Kontakte zum Kollektor 6, der Basis 8 und dem Emitter 9 sind als Kollektorkontakt 6', Basiskontakt 8' und Emitterkontakt 9' bezeichnet.

Die aufgedampfte Metallschicht wird nun durch Ätzen so weit entfernt, wie sich aus Fig. 4 und 5 ergibt. Das heißt, es verbleiben die Kontakte 6', 8' und 9' aus dem zuvor aufgedampften Metall, die in Kontakt mit den freiliegenden Teilen des Kollektors 6, der Basis 8 und des Emitters 9 stehen. Außerdem verbleiben noch besondere Leiterstreifen 12 und

14 aus aufgedampftem Metall als Fortsetzungen der Kontakte 8' und 9' auf den freiliegenden Oberflächenteilen von Basis 8 und Emitter 9. Darüber hinaus verbleibt auf der Deckschicht 10 so viel Metall, daß sich Kontaktscheiben 15 und 16 als Fortsetzung der Leiterstreifen 12 und 14 ergeben. Demnach ist mit Ausnahme der freiliegenden Teile des Kollektors, der Basis und des Emitters das Metall, welches die Leiterstreifen 12 und 14 sowie die Kontaktscheiben

15 und 16 bildet, auf der Deckschicht 10 mit dem Leiterstreifen 14 des Emitters, der sich über den Durchlaß 11 der Deckschicht 10 und durch den Durchlaß im Basiskontakt 8' erstreckt, verteilt.

Die nächste Phase des Verfahres besteht darin, entsprechend F i g. 6 eine zweite Metallschicht 17 auf die gesamte Oberfläche des Halbleiters 4 einschließlich der Metallkontakte, Leiterstreifen und Kontaktscheiben aufzudampfen. Die Metallschicht 17 kann aus Silber bestehen und eine Schichtdicke von 0,1 jim haben.

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Die nächste Phase besteht darin, über die Metall- am Silizium als auch an der isolierenden Deckschicht Schicht 17 eine Isolierschicht 18 zu legen und als- haftet, insbesondere an einer Deckschicht aus SiIidann die den Basis- und Emitter-Kontaktscheiben 15 ziumdioxid. Alsdann wird Aluminium auf die Chrom- und 16 entsprechenden Teile der Metallschicht 17 schicht aufgedampft, und zwar bereits kurz nachdem über Öffnungen in der Isolierschicht freizulegen 5 das Aufdampfen des Chroms begonnen hat, so daß (F i g. 7). Der Kollektorkonlakt 6' kann ebenfalls sich das Aufdampfen der beiden Metalle in einem über eine Öffnung in der Isolierschicht 18 freigelegt ■ gewissen Grade überlappt. Nachdem das Aufdampfen werden, wenn ein Kopfkontakt zum Kollektor 6 her- des Chroms beendet ist, wird das Aufdampfen des gestellt werden soll. Das gesamte Gebilde wird nun Aluminiums fortgesetzt, jedoch vor Beendigung in einen Elektrolyten eingetaucht, wobei die Metall- io dieses Schritts Silber aus der Gasphase mit dem schicht 17 als Kathode im Stromkreis für eine Aluminium abgeschieden, wonach das Aufdampfen galvanische Metallabscheidung dient. Das abzu- des Aluminiums beendet wird. Die Verwendung scheidende Metall ist beispielsweise Silber. Der solcher mehrschichtiger Kontakte vermeidet eine Kathodenanschluß der Metallschicht 17 ist in F i g. 7 Reihe von Nachteilen, die sich bei der Verwendung mit 17' schematisch dargestellt. Somit dient die 15 nur eines Metalls für die Kontakte einstellen. So Metallschicht 17 dazu, die für das Abscheiden des besitzt das Chrom bei guter Haftung auf dem SiIi-Metalls erforderliche Verbindung herzustellen, um zium und seinem Oxid einen unerwünscht hohen eine gleichzeitige Bildung relativ großer Kontakt- elektrischen Widerstand, was der Grund für die warzen auf den Kontaktscheiben einer Vielzahl von Beimengung von Aluminium ist. Andererseits hat einzelnen Transistoren in einem Halbleiter zu er- 20 das Aluminium in vielen Fällen ein zu hohes Eutektimöglichen und den für die Elektrolyse erforderlichen kum, das hohe Temperaturen beim Herstellen von Strom kontinuierlich zu allen Kontaktstellen zu lei- Lötverbindungen erforderlich macht, die zur Beten. So bilden sich im Verlauf dieses Verfahrens- Schädigung des Transistors führen können. Demzuschritts, wie in F i g. 8 veranschaulicht, metallene folge wird auf der Aluminiumschicht noch eine Kontaktwarzen 19 und 20 auf den Kontaktscheiben 25 Silberschicht abgeschieden. Insofern sind unter 15 und 16 der Basis 8 und des Emitters 9. Die »metallenen Schichten« sowohl solche aus einer Kontaktwarzen 19 und 20 können 0,08 mm hoch homogenen als auch solche aus mehreren Einzelsein. Selbstverständlich kann auch eine ähnliche schichten zu verstehen.

Kontaktwarze 6'" gleichzeitig auf dem Kollektor- Die als Kathode arbeitende zweite Metallschicht

kontakt 6' erzeugt werden, falls ein Kopfkontakt im 30 17 besteht aus aufgedampftem Silber, weil Silber

obigen Sinne erwünscht ist. ein hervorragender elektrischer Leiter ist und außer-

Wie sich aus F i g. 9 ergibt, wird die Isolierschicht dem nicht zu fest auf der isolierenden Deckschicht 18 und die zweite Metallschicht 17 durch Ätzen bzw. dem Siliziumdioxid haftet. Eine Metallschicht oder mit einem Wasserstrahl hoher Geschwindigkeit 17 aus Silber ist daher nach Abschluß der Elektroentfernt, so daß sich die Transistorform nach F i g. 9 35 lyse bzw. Bildung der Kontaktwarze leicht zu ent- und 10 ergibt. Diese entspricht im wesentlichen den fernen. Somit ist die ausgezeichnete Leitfähigkeit des Transistoren nach Fig. 4 und 5, abgesehen von den Silbers bei der Elektrolyse von großem Vorteil; Kontaktwarzen 19 und 20 sowie der Kollektor- andererseits ist seine geringe Haftung auf dem Oxid Kontaktwarze 6'". Dabei ist mit Ausnahme der für das Entfernen der Silberschicht ebenfalls durchKontakte für die Basis, den Emitter und den Kollek- 40 aus vorteilhaft.

tor die gesamte Oberfläche des Halbleiters 4 mit der Die Erfindung wurde vorstehend am Beispiel des isolierenden Deckschicht 10 versehen. Bei dem er- Aufdampfens zweier Metallschichten in zwei Phasen findungsgemäßen Verfahren bleiben somit die einmal geschildert. Sie kann jedoch auch in der Weise durchunterhalb der isolierenden Deckschicht 10 gebildeten geführt werden, daß nur eine einzige Metallschicht Grenzschichten stets verdeckt. Dennoch erlaubt das 45 aufgedampft wird. So kann die zuerst aufgedampfte erfindungsgemäße Verfahren, ungeachtet der Tat- Metallschicht auch als Elektrode für die Bildung der sache, daß die Oberfläche der einen Seite des Halb- Kontaktwarzen benutzt werden. In diesem Falle leiters 4 elektrisch nichtleitend ist, einzelne Bereiche werden die Basis- und Emitterkontakte und deren der Transistoroberfläche zu galvanisieren, das heißt, Leiterstreifen ebenso wie die zugehörigen Kontaktauf ihnen die lötbaren Kontaktwarzen 19 und 20 50 scheiben und ein sie verbindendes Leitungsnetz durch zu bilden. Ätzen der aufgedampften Metallschicht erzeugt. Das

Obgleich das Verfahren vorstehend am Beispiel sich dabei ergebende metallene Netz wird völlig mit

eines Halbleiterkörpers aus Silizium erläutert wurde, einer zusätzlichen Schicht aus isolierendem Material

können selbstverständlich auch Germanium oder überdeckt, das nur dort Durchlässe hat, wo die

andere halbleitende Stoffe für das Verfahren benutzt 55 Kontaktwarzen gebildet werden sollen. Das ver-

werden. bindende Netz dient dann als Kathode für die Metall-

Während vorstehend für die Bildung der Kontakte abscheidung, so daß die Kontaktwarzen, wie bereits

an den Kontaktflächen des Transistors und für die beschrieben, galvanisch gebildet werden. Danach Leiterstreifen und -scheiben aufgedampftes Silber wird das die Kontakte verbindende Leitungsnetz

■ vorgeschlagen wurde, kann das Verfahren auch an 60 entweder entfernt oder abgetrennt, so daß es keine

Stelle von Silber mit anderen Stoffen durchgeführt durchgehende Verbindung mehr darstellt. Das Ent-

werden. Darüber hinaus wurde festgestellt, daß ein fernen der abgetrennten Teilstücke kann durch System mehrerer metallischer Schichten für die Kon- Ätzen, Abreißen oder auch Rütteln des Transistors

takte, welche die Leiterstreifen und Kontaktscheiben erfolgen.

kontaktieren, eine Reihe von Vorteilen besitzt. So 65 Selbstverständlich können auch andere Transistorwurde als besonders vorteilhaft festgestellt, auf den formen, wie sie beispielsweise in Fig. 11 und 12 freiliegenden Kontaktflächen des Halbleiters zunächst dargestellt sind, Verwendung finden. So hat der Chrom abzuscheiden, da dieses hervorragend sowohl Transistor nach F i g. 11 an Stelle einer Basis in Form

eines nahezu geschlossenen »C« eine einfachere, U-förmige Gestalt. Der Basiskontakt8' nach Fig. 12 hat die Form eines Dreizacks, während der entsprechende Emitterkontakt 9' als Gabel ausgebildet ist, deren beide Schenkel jeweils zwischen zwei Schenkeln des Basikontakts liegen und mit diesen wie Finger ineinandergreifen. Schließlich ergeben sich noch weitere Vorteile, wenn für die Kollektorkontakte eine Kontaktscheibe nach Fig. 12 gebildet wird. Hierbei kann der zum Kollektor führende Kontakt in der vorgeschriebenen Weise hergestellt werden. Das heißt der Kontkat 6' ist dann mit einem elektrischen Leiterstreifen 6" mit einer Kontaktscheibe verbunden, auf der eine Kontaktwarze 6"' galvanisch abgeschieden wird. Sowohl der Leiterstreifen 6" als auch die Kontaktscheibe werden auf der isolierenden Deckschicht 10 ebenso hergestellt wie die Leiterstreifen und die entsprechenden Kontaktscheiben der Basis und des Emitters. Einer der Gründe hierfür ist, daß festere Verbindungen zwischen einer metallischen Kontaktwarze und einer verhältnismäßig großen Kontaktscheibe hergestellt werden können, die über der isolierenden Schicht liegt, als wenn die Kontaktwarze direkt an einem freiliegenden Teil des Kollektors 6 gebildet wird.

Obgleich mit Ausnahme der Kollektorkontaktwarze das Verfahren am Beispiel der Bildung metallischer Kontaktwarzen auf einer isolierenden Deckschicht eines Halbleiters erläutert wurde, ist es nicht unbedingt erforderlich, die Kontaktwarzen über einer solchen Deckschicht anzuordnen. Das heißt, wenn die Abmessungen des Halbleiters, insbesondere die Fläche der Basis und des Emitters, groß genug sind, können die Kontaktwarzen auch direkt auf diesen

ίο Flächen gebildet werden.

Zur Vervollständigung des Verfahrens kann es auch wünschenswert sein, die Kontaktwarzen mit einem Überzug aus lötfähigem Material zu versehen. Das kann durch Überziehen der gesamten Oberfläche des Grundkörpers vor dem Zerteilen in die einzelnen Bauelemente mit einem Überzug aus nichtmetallischem oder isolierendem Material geschehen, das entweder ständig oder zeitweise mit der Oberfläche verbunden wird, während die Kontaktwarzen durch diese Schicht hindurchragen. Die Oberfläche des Halbleiters, auf der die Kontaktwarzen liegen, kann dann teilweise in ein Lötbad eingetaucht werden, so daß die betreffenden Kontaktwarzen mit einer Lötschicht der erforderlichen Dicke überzogen werden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

1 2 zuverlässigere Kontakte von hoher Leitfähigkeit zu Patentansprüche: erzeugen, die trotz ihrer mikroskopischen Abmessungen in Form und Lage exakt definiert sind.

1. Verfahren zur Herstellung von elektrischen Zur Lösung dieser Aufgabe werden anschließend Verbindungen zu Kontaktschichten an der Ober- 5 an die eingangs angegebenen Verfahrensschritte das fläche des Halbleiterkörpers von Halbleitern- Leiternetz mit einer Isolierschicht überzogen, in der Ordnungen, bei dem die Oberfläche mit einer Isolierschicht bestimmte Öffnungen geschaffen, inisolierenden Deckschicht versehen wird, die mit nerhalb deren die metallische Schicht freiliegt, und öffnungen versehen ist, welche einen Teil der die so freigelegten Bereiche der metallischen Schicht Oberfläche freilegen, und bei dem die isolierende io galvanisch mit Kontaktwarzen versehen. Die damit Deckschicht und die freigelegten Bereiche des erzielte Exaktheit in der Form und Lage gut leiten-Halbleiterkörpers mit einer metallischen Schicht der, robuster Kontakte an mikroskopisch kleinen versehen werden, aus der ein Leiternetz heraus- Gebilden ist mit dem erwähnten bekannten Vergearbeitet wird, das in elektrischer Verbindung fahren nicht erreichbar. Gleiches gilt von dem Verzu den Kontaktschichten steht, dadurch ge- 15 fahren, das im »IBM Technical Disclosure Bulletin«, kennzeichnet, daß anschließend das Leiter- Band 6, No. 2 auf den Seiten 15 und 16 beschrieben netz (8', 9', 12, 14, 15, 16) mit einer Isolier- ist.

schicht (18) überzogen wird, daß in der Isolier- In einer bevorzugten Ausführung des Verfahrens

schicht (18) bestimmte Öffnungen geschaffen nach der Erfindung wird die Metallschicht durch

werden, innerhalb deren die metallische Schicht 20 Aufdampfen eines Metalls auf die Oberfläche des

freiliegt, und daß die so freigelegten Bereiche Halbleiterkörpers erzeugt und das Leiternetz durch

der metallischen Schicht galvanisch mit Kontakt- Entfernen einzelner Teilflächen der Metallschicht

warzen (6'", 19, 20) versehen werden. hergestellt, worauf das Leiternetz als Kathode ge-

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- schaltet wird, um die Kontaktwarzen direkt auf den kennzeichnet, daß die Metallschicht durch Auf- 25 freiliegenden Teilen des Leiternetzes galvanisch abdampfen eines Metalls auf die Oberfläche des zuscheiden.

Halbleiterkörpers (4) erzeugt und das Leiternetz Es ist aber auch zweckmäßig, in der Weise vordurch Entfernen einzelner Teilflächen der Metall- zugehen, daß das Leiternetz durch Aufdampfen einer schicht hergestellt wird, worauf das Leiternetz ersten Metallschicht auf den Halbleiterkörper und als Kathode geschaltet wird, um die Kontakt- 3° Entfernen einzelner Teilflächen dieser Schicht erzeugt warzen (6"', 19, 20) direkt auf den freiliegenden und dann eine zweite Metallschicht auf das Leiter-Teilen (15, 16) des Leiternetzes galvanisch ab- netz und die darunterliegende isolierende Deckzuscheiden. schicht aufgedampft und die zweite Metallschicht als

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Kathode geschaltet wird, wobei die Kontaktwarzen kennzeichnet, daß das Leiternetz (8', 9', 12, 14, 35 auf der zweiten Metallschicht im Bereich von Kon-15, 16) durch Aufdampfen einer ersten Metall- taktscheiben des Leiternetzes galvanisch abgeschieschicht auf den Halbleiterkörper (4) und Ent- den werden und schließlich das Leiternetz mit den fernen einzelner Teilflächen dieser Schicht er- Kontaktscheiben durch Entfernen der Isolierschicht zeugt und dann eine zweite Metallschicht (17) und der zweiten Metallschicht freigelegt wird.

auf das Leiternetz und die darunterliegende iso- 4° Die Zeichnung veranschaulicht einige Ausführungs-

lierende Deckschicht (10) aufgedampft und die beispiele. Es zeigt

zweite Metallschicht (17) als Kathode geschaltet F i g. 1 die teilweise im Schnitt dargestellte Ansicht

wird, wobei die Kontaktwarzen (19, 20, 6'") auf eines Halbleiterkörpers, in den ein Transistor einge-

der zweiten Metallschicht (17) im Bereich von bettet ist,

Kontaktscheiben (15, 16) des Leiternetzes gal- 45 F i g. 2 einen Querschnitt durch den im Halbleiter-

vanisch abgeschieden werden und daß schließlich körper nach F i g. 1 liegenden Transistor,

das Leiternetz mit den Kontaktscheiben (15, 16) Fig. 3 eine Draufsicht des Transistors nach Fig. 1

durch Entfernen der Isolierschicht (18) und der und 2 im ersten Stadium des Verfahrens,

zweiten Metallschicht (17) freigelegt wird. F i g. 4 eine der F i g. 3 entsprechende Draufsicht

50 in einem weiteren Stadium des Verfahrens,

F i g. 5 bis 9 Querschnitte durch den Transistor

nach F i g. 1 bis 4 in verschiedenen weiteren Stadien

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur des Verfahrens,

Herstellung von elektrischen Verbindungen zu Kon- F i g. 10 die teilweise im Schnitt dargestellte Antaktschichten an der Oberfläche des Halbleiterkör- 55 sieht des fertigen Transistors im Halbleiterkörper pers von Halbleiteranordnungen, bei dem die Ober- nach den voraufgehenden Figuren und
fläche mit einer isolierenden Deckschicht versehen Fig. 11 und 12 je eine Draufsicht auf Transistoren wird, die mit öffnungen versehen ist, welche einen mit jeweils abgewandelter Basis- bzw. Emitteraus-Teil der Oberfläche freilegen, und bei dem die iso- bildung.

lierende Deckschicht und die freigelegten Bereiche 60 Im Halbleiterkörper 4 nach F i g. 1 und 2 ist ein

des Halbleiterkörpers mit einer metallischen Schicht Transistor 2 eingebettet, der nach einem bekannten

versehen werden, aus der ein Leiternetz herausge- Verfahren aus dem Halbleiter hergestellt ist. Nach

arbeitet wird, das in elektrischer Verbindung zu den USA.-Patentschriften 2 802 760 und 3 025 589

den Kontaktschichten steht. Ein derartiges Verfahren ist es bekannt, viele Hunderte solcher Transistoren

ist aus der USA.-Patentschrift 3 158 788 bekannt. 65 auf einem verhältnismäßig großen Halbleiterkörper

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das mittels Oxidschablonen und Diffusion herzustellen,

bekannte Verfahren mit dem Ziel zu verbessern, auf Nach dem Fertigstellen der Transistoren wird der

wesentlich ökonomischere Art präziser gestaltete, Halbleiterkörper in Abschnitte unterteilt, so daß eine