DE1489087C

DE1489087C - Semiconductor component with improved frequency behavior and method for manufacturing

Info

Publication number: DE1489087C
Authority: DE
Inventors: Karl Dipl Phys 4785 Belecke Ginsbach
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH, 6000 Frankfurt
Publication date: 1971-04-15

Description

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Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement Schalten (österreichische Patentschrift 226 780) wird mit verbessertem Frequenzverhalten, das in minde- dieser Aufbau dadurch erzielt, daß ein Emitterkonstens einer Halbleiterzone mehrere Bereiche mit taktmaterial auf den Halbleiterkörper aufgeschmol-Rekombinationszentren in hoher und in niedriger zen und durch dieses eine Verunreinigung in den Konzentration enthält. 5 Körper eindiffundiert wird, welche den LeitungstypThe invention relates to a switching semiconductor component (Austrian patent specification 226 780) with improved frequency behavior, which is achieved in at least this structure by the fact that an emitter component a semiconductor zone several areas with tact material on the semiconductor body melted recombination centers in high and low zen and through this contains an impurity in the concentration. 5 body is diffused, which is the conduction type

In vielen Fällen bestimmt das Frequenzverhalten des Körpers örtlich umkehrt, wobei ein Material verder Halbleiterbauelemente deren Einsatzmöglichkeit. wendet wird, das praktisch frei von die Lebensdauer Wenn ein periodischer oder aperiodischer Wechsel verkürzenden Verunreinigungen ist, so daß diese von Durchlaß- in Sperrbeanspruchung und umge- wenigstens unterhalb der Emitterzone aus der diffunkehrt mit hoher Folgezahl vorliegt, ist das Umschalt- io dierten Basiszone abgesaugt werden,
verhalten maßgebend für die obere Frequenzgrenze Bei diesen angeführten Transistoren ist in min-In many cases, the frequency behavior of the body determines locally reversed, with a material verder semiconductor components their possible use. If there is a periodic or aperiodic change shortening impurities, so that this is present from transmission to blocking stress and vice versa at least below the emitter zone from the diffusely with high sequence number, the switching io dated base zone is sucked off will,
behavior decisive for the upper frequency limit For these listed transistors, in min-

und beschränkt dadurch die Einsatzmöglichkeit der destens einer Zone ein einziger geschlossen zusam-Bauelemente. menhängender Bereich mit Rekombinationszentrenand thereby restricts the use of at least one zone of a single closed-together component. hanging area with recombination centers

Insbesondere für Halbleiterbauelemente, die für hoher Konzentration vorhanden, welcher wenigstens Hochleistungsbetrieb geeignet sind, ist diese Fre- 15 einen Bereich mit Zentren geringer Konzentration quenzgrenze relativ niedrig, wenn nicht auf Kosten umgibt. Der Bereich mit Rekombinationszentren geder Leistungsgrößen die Frequenzgrenze nach größe- ringer Konzentration erfüllt den Teil des Halbleiterren Werten hin verschoben wird. Das die Frequenz- körpervolumens, in welchem ein hoher Verstärkungsgrenze bestimmende Umschaltverhalten von Halb- grad erwünscht ist und eine hohe Stromdichte ermögleiterbauelementen ergibt sich aus den physikalischen, 20 licht werden soll. In diesem Bereich werden also technologischen und konstruktiven Gegebenheiten, Rekombinationszentren in hoher Konzentration tundie bei der¹ Herstellung der Halbleiterbauelemente liehst vermieden,
weitgehend beeinflußt werden können. Es ist ferner ein Halbleiterbauelement mit min-In particular for semiconductor components that are present for high concentration, which are at least suitable for high-power operation, this frequency limit is relatively low, if not at the expense of a region with centers of low concentration. The area with recombination centers according to the power parameters, the frequency limit after greater concentration, meets the part of the semiconductor values is shifted. The frequency body volume in which a high gain limit-determining switching behavior of half degrees is desired and a high current density facilitating conductor components results from the physical, 20 should be light. In this area, technological and structural conditions, recombination centers in high concentration and the ¹ production of semiconductor components are avoided,
can be largely influenced. It is also a semiconductor component with min-

Es sind bereits Halbleiterbauelemente bekannt, bei destens einem pn-übergang bekannt, das als Widerdenen das Frequenzverhalten verbessert wird, indem 25 Standsbauelement mit einem ohmschen Widerstand, die Ladungsträgerlebensdauer verkürzt wird. In die- der sich bei zunehmender Spannung derart ändert, sen bekannten Anordnungen wird jedoch mit der daß die Stromstärke konstant bleibt, verwendbar ist Verbesserung des Frequenzverhaltens zugleich die (deutsche Auslegeschrift 1043 472). Dieses Bau-Ladungsträgerkonzentration und damit die mögliche element weist im Gegensatz zu den vorerwähnten Stromdichte verringert, so daß das Leistungsverhai- 30 Transistoren innerhalb des Sperrschichtgebietes des ten ungünstiger wird. pn-Überganges einen einzigen Bereich mit Rekombi-Semiconductor components are already known, with at least one pn junction known as the Widerdenen the frequency behavior is improved by adding 25 standard components with an ohmic resistance, the carrier life is shortened. In which, with increasing voltage, changes in such a way that However, sen known arrangements can be used with the fact that the current strength remains constant Improvement of the frequency behavior at the same time (German interpretation 1043 472). This build carrier concentration and thus the possible element points in contrast to the aforementioned Current density is reduced, so that the power ratio 30 transistors within the junction region of the ten becomes less favorable. pn junction a single area with recombi-

Solche bekannten Anordnungen werden erzielt, nationszentren in höherer Konzentration als in den indem über die gesamte Oberfläche einer Zone, z. B. angrenzenden Bereichen auf. Damit soll bei dem durch Diffusion bestimmter, Störstellen hervorrufen- Bauelement die erforderliche Stromstabilisierung erder Stoffe oder durch mechanische Einwirkungen, 35 zielt werden, eine Problemstellung, die derjenigen bei das Kristallgitter im Volumen dieser einen p- oder den vorerwähnten Transistoren sowie der Aufgabe, η-leitenden Zone gestört wird, wodurch eine erhöhte welche der Erfindung zugrunde liegt, nahezu völlig Ladungsträger-Rekombination gewährleistet wird. entgegengesetzt ist.Such known arrangements are achieved, nation centers in higher concentration than in the by covering the entire surface of a zone, e.g. B. adjacent areas. This is supposed to be the case with the by diffusion of certain, impurities cause component the necessary current stabilization earth Substances or by mechanical effects, 35 aims to become a problem that those at the crystal lattice in the volume of this one p- or the aforementioned transistors as well as the task, η-conductive zone is disturbed, whereby an increased which the invention is based, almost completely Charge carrier recombination is guaranteed. is opposite.

Alle die nach diesen bekannten Verfahren ge-: Des weiteren ist ein Verfahren zum Behandeln vonFurthermore, there is a method for treating

fertigten Halbleiterbauelemente zeigen nur einen Teil- 40 Transistoren, um die Lebensdauer der Ladungsträger, erfolg, da mit der bisher erzielten Verbesserung des insbesondere in der Kollektorzone, durch Rekombi-Frequenzverhaltens gleichzeitig eine Verringerung nation zu verringern, bekannt (deutsche Auslegeschrift des Leistungsverhaltens verbunden ist. 1160 543). Diesem Verfahren liegt der GedankeManufactured semiconductor components show only a part - 40 transistors, in order to increase the service life of the charge carriers, success, because with the improvement achieved so far, especially in the collector zone, through recombi frequency behavior at the same time reducing a nation known (German Auslegeschrift performance is connected. 1160 543). This procedure is the idea

Es sind nun auch Halbleiterbauelemente, ins- zugrunde, den Ladungsträgern in der Basiszone eine besondere Transistoren bekanntgeworden, bei denen 45 lange Lebensdauer zu erteilen, um eine hohe Stromdieser Nachteil schon weitgehend beseitigt ist. Bei ausbeute zu erreichen und den Ladungsträgern in der Transistoren zeigt sieh der erwähnte Nachteil daran, Kollektorzone eine kurze Lebensdauer zu geben, um daß zum Erzielen einer hohen Verstärkung gerade Speichereffekte möglichst gering zu halten. Nach dem eine lange Lebensdauer der Ladungsträger minde- Verfahren wird bei einem npn-Transistor durch ein stens in der Basiszone und insbesondere in dem- 5° allseitiges Eindiffundieren bestimmter Verunreinijenigen Teil derselben Zone notwendig ist, der zwi- gungen in den Halbleiterkörper, wie z. B. Gold, in sehen der Emitter- und der Kollektorzone liegt. geringer Konzentration die Lebensdauer der La-There are now also semiconductor components, essentially the charge carriers in the base zone special transistors have become known, in which 45 long life is granted to a high currentthese The disadvantage has already been largely eliminated. When reaching yield and the charge carriers in the Transistors show the mentioned disadvantage of giving the collector zone a short life to keep memory effects as low as possible in order to achieve a high gain. After a long service life of the charge carriers is ensured by a minde method in an npn transistor at least in the base zone and in particular in the 5 ° diffusion of certain impurities on all sides Part of the same zone is necessary, the forces in the semiconductor body, such. B. Gold, in see the emitter and collector zones. low concentration, the service life of the

Ein bekannter Legierungstransistor zum Schalten dungsträger in den verschiedenen Zonen derart selekrnit einem scheibenförmigen n- oder p-leitenden Halb- tiv herabgesetzt, daß die Rekombinationsrate der leiterkörper aus einem Einkristall (deutsche Aus- 55 Ladungsträger nur in der Kollektorzone erhöht wird, legeschrift 1110 765), mit auf beiden Oberflächen aber die Stromverstärkung des Transistors erhalten des Halbleiterkörpers einlegierten gegenüberliegen- bleibt. Es wird dabei die Eigenschaft ausgenutzt, daß den Emitter- und Kollektorelektroden und mit einer bestimmte Verunreinigungen in Zonen entgegen-. ringförmigen Basiselektrode, ist zur Vermeidung des gesetzten Leitungstyps ganz unterschiedliche Rekomerwähnten Nachteils so aufgebaut, daß die Basiszone 60 binationsraten hervorrufen.A known alloy transistor for switching the carrier in the different zones in such a way selekrnit a disk-shaped n- or p-conductive halftif that reduces the recombination rate of the conductor body made of a single crystal (German Aus 55 charge carrier is only increased in the collector zone, Legeschrift 1110 765), but with the current gain of the transistor on both surfaces of the semiconductor body inlaid opposite remains. The property is used that the emitter and collector electrodes and with a certain impurities in zones opposite. ring-shaped base electrode, is mentioned to avoid the set type of conduction completely different recomer Disadvantage built so that the base zone 60 cause binational rates.

des Halbleiterkörpers zwischen Emitter- und Kollek- Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde,of the semiconductor body between emitter and collector The invention is now based on the object

torelektrode und außerhalb dieses Bereichs so'unter- bei einem Halbleiterbauelement der eingangs genannschiedlich mit Rekombinationszentren-Aktivatoren ten Art das Frequenzverhalten zu verbessern ohne dotiert ist, daß die Lebensdauer der Ladungsträger die Leistung zu beeinträchtigen,
außerhalb des zwischen den Iimitier- und Kollektor- C5 Im besonderen soll bei einem Thyristor — einem elektroden liegenden Bereichs der Basiszone wesent- Vierzoncn-Halblciterbauelement — ein verbessertes Hch herabgesetzt ist. Frequcnzvcrhalten durch Herabsetzung der Frei-gate electrode and outside this area so'unter- in a semiconductor component of the type mentioned at the beginning with recombination center activators to improve the frequency behavior without doping that the life of the charge carriers adversely affect the performance,
outside the area between the limiting and collector C5. In particular, in a thyristor - an electrode area of the base zone which is a substantial four-zone half-liter component - an improved height is reduced. Frequency control by reducing the exemption

Bei einem weiteren bekannten Transistor zum werdezeit crzieU werden, ohne die Durchlaßeigen-In another known transistor, which will be used at the time, without the on-state properties

schaft, des Thyristors zu verschlechtern. Kleine Ströme im Bauelement, wie z.B. der überhöhte Sperrstrom beim Löschen des Thyristors, sollen möglichst schnell abklingen, während große Ströme ohne zusätzliche Verzögerung einschaltbar seih sollen und ungehindert durch das Bauelement fließen sollen. Ein Thyristor ist bekanntlich als ein aus zwei komplementären Transistoren zusammengesetztes Bauelement aufzufassen, in dem die Basiszone des einen anteile, die der Eindiffusion oder einer anderen geeigneten Behandlungsart entzogen werden, sind mit einer Maskierung 6 versehen. Die Eindiffusion oder die entsprechende Behandlung'bewirkt eine Störung des Gitters und erzeugt damit Rekombinationsbereiche vorbestimmter Ausdehnung. to deteriorate the thyristor. Small Currents in the component, such as the excessive reverse current when the thyristor is extinguished, should if possible decay quickly, while large currents should be able to be switched on without additional delay and should flow freely through the component. A thyristor is known to be one of two complementary To understand transistors composite component, in which the base zone of the one Portions that are withdrawn from diffusion or another suitable type of treatment are included a mask 6 is provided. The diffusion or the corresponding treatment causes a disturbance of the lattice and thus creates recombination areas of a predetermined size.

Das Umschaltverhalten des Halbleiterbauelements hängt im wesentlichen von der Ausräumung der Ladungsträger aus der kritischen Schicht ab, dennThe switching behavior of the semiconductor component depends essentially on the clearance of the Charge carriers from the critical layer, because

Transistors mit der Kollektorzone des anderen Tran- io erst mit entsprechender Ladungsträgerverarmung besistors identisch ist. Die Anwendung des oben be- findet sich das Halbleiterbauelement in nichtStrom-, schfiebenen Verfahrens bei einer solchen Transistor- führendem Zustand. Mit dem Abschalten des Injekkombination führt bei allseitiger Eindiffusion von tionsstromes ist keine abrupte Unterbrechung des Verunreinigungen in die Kombination dazu, daß zwar Stromfhisses im Halbleiterbauelement bewirkt, da die die Lebensdauer der Ladungsträger in den beiden 15 in der kritischen Schicht befindlichen Ladungsträger Innenzonen herabgesetzt wird, die Stromverstärkung eine sogenannte Aufladeerscheinung zeigen und bisTransistor with the collector zone of the other transistor only with corresponding charge carrier depletion is identical. The application of the above is the semiconductor component in non-current, The following procedure in the case of such a transistor-leading state. With the shutdown of the Injekkombination leads with all-round diffusion of ionic current there is no abrupt interruption of the Impurities in the combination, that although current flows in the semiconductor component, because the the service life of the charge carriers in the two charge carriers located in the critical layer Inner zones is reduced, the current amplification show a so-called charging phenomenon and up

zur endgültigen Ausräumung durch Abfließen oder Rekombination den Strom aufrechterhalten. Die nun vorsätzlich erzeugten Rekombinationszentren fangen ab einer bestimmten Konzentrationsgrenze die Ladungsträger ein und verringern somit die Lebens-maintain the current for final evacuation by drainage or recombination. The now Intentionally created recombination centers catch the charge carriers above a certain concentration limit and thus reduce the life

1 der beiden Transistoren aber ebenfalls herabgesetzt wird, oder führt dazu, daß die genau entgegengesetzte Wirkung erzielt wird. Dadurch wird das Ausschaltverhalten auf Kosten des Einschalt- und Durchlaßverhaltens verbessert oder umgekehrt. Andererseits sollen auch nach der Lehre, die bei den zuvor erwähnten bekannten Transistoren angewendet wird, Rekombinationszentren in größer Konzentration wedauer der Ladungsträger und die Zeitdauer der endgültigen Ausräumung der freien Ladungsträger. Bei dem Halbleiterbauelement nach der Erfindung1 of the two transistors is also reduced is, or leads to the fact that exactly the opposite effect is achieved. This changes the switch-off behavior at the expense of the switch-on and transmission behavior improved or vice versa. on the other hand should also according to the teaching that is applied to the aforementioned known transistors, Recombination centers in greater concentration wedur the charge carriers and the duration of the final Removal of the free charge carriers. In the semiconductor component according to the invention

nigstens im stromführenden Bereich von Transistoren 25 nehmen von einer bestimmten Stromdichte-SchwelleAt least in the current-carrying area of transistors 25 take from a certain current density threshold

vermieden werden.be avoided.

Die Erfindung sieht als Lösung dieser Aufgabe vor, daß innerhalb des stromdurchflossenen Volumens des Halbleiterbauelementes voneinander getrennte Bereiche oder ein gitterartig zusammenhängender Bereich mit Rekombinationszentren in gegenüber dem angrenzenden Volumen der Halbleiterzone bzw. -zonen höherer Konzentration angeordnet sind und daß das gesamte Volumen dieser Bereiche bzw. dieses Bereiches höchstens 50 °/o des Volumens Halbleiterzone bzw. -zonen beträgt.As a solution to this problem, the invention provides that within the volume through which current flows areas of the semiconductor component that are separate from one another or are connected in a grid-like manner Area with recombination centers in opposite to the adjacent volume of the semiconductor zone or Zones of higher concentration are arranged and that the entire volume of these areas or this Area is at most 50% of the volume of the semiconductor zone or zones.

In überraschend einfacher Weise werden bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement die bei den nach den bisher bekannten Verfahren hergestellten an die gezielt hergestellten Bereiche hoher Rekombinationszentrendichte die. Ladungsträger in solchem Anteil auf, daß ein nahezu schlagartiges Ausräumen der freien Ladungsträger gegeben ist.In a surprisingly simple manner, in the semiconductor component according to the invention, the areas of high recombination center density produced according to the previously known methods to the specifically produced areas the. Load carriers in such a proportion that an almost sudden removal the free charge carrier is given.

Um die gewünschte Wirkung zu erzielen, ohne die Leistungsgrößen zu beeinträchtigen, ist es erforderlich, daß das Volumen der Rekombinationsbereiche höchstens 50 % des Volumens der die Rekombinationsbereiche enthaltenden Zone oder Zonen ausder 35 macht.In order to achieve the desired effect without compromising the performance sizes, it is necessary to that the volume of the recombination areas is at most 50% of the volume of the recombination areas containing zone or zones of the 35 makes.

Die Bereiche hoher Rekombinationszentrendichte werden in vorteilhafter Weise durch vorbestimmte Strahlungseinwirkung oder Diffusion mittels Maskierungstechnik erzielt. Zur Diffusion ist besondersThe areas of high recombination center density are advantageously predetermined by Radiation exposure or diffusion achieved by means of masking technology. To diffusion is special

Halbleiterbauelementen auftretenden Nachteile ver- 40 Gold geeignet, während als Maskierungsmuster somieden. wohl die punktgitterförmige, eine rasterförmige alsThe disadvantages that occur in semiconductor components are suitable, while these are used as masking patterns. probably the point grid-shaped, a grid-shaped as

Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbau- auch eine konzentrische symmetrische oder asymmeeleme.nts nach der Erfindung besteht darin, daß die irische Maskierung mit für besondere Fälle speziellen Rekombinationsbereiche durch Strahlungseinwirkung Vorteil Verwendung finden können, oder durch Diffusion von Gold, mittels Maskierungs- 45 Die Tiefenausdehnung der Rekombinationsbereiche technik erzeugt werden. soll so festgelegt sein, daß bei VielschichtelementenA method for making a semiconductor component also a concentric symmetrical or asymmeeleme.nts according to the invention is that the Irish mask with special for special cases Recombination areas can be advantageously used due to the effect of radiation, or by diffusion of gold, by means of masking 45 The depth of the recombination areas technology are generated. should be determined so that with multilayer elements

alle die pn-Übergänge unbeeinflußt bleiben, deren Sperreigenschaften im Betrieb ausgenutzt werden. Die Volumenausdehnung der Rekombinationsbereiche soll sowohl die Bedingung zum Auffangen der Ladungsträger erfüllen als auch eine maximale Fangfläche aufweisen und gleichzeitig einen gegenseitigen Abstand der Bereiche von mindestens zweifacher Diffusionslänge der Ladungsträger gewährleisten.all of the pn junctions remain unaffected, the blocking properties of which are used during operation. The volume expansion of the recombination areas should be both the condition for collecting the Load carriers meet as well as have a maximum catching area and at the same time a mutual Ensure that the areas are spaced at least twice the diffusion length of the charge carriers.

Eine Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß die Rekombinationsbereiche in ihrer Volumenausdehnung oder Rekombinationszentrendichte zu A further development of the invention consists in that the recombination areas increase in their volume expansion or recombination center density

Nach einer Ausgestaltung der Erfindung haben die Rekombinationsbereiche einen gegenseitigen Abstand von mindestens der zweifachen Diffusionslänge der Ladungsträger.According to one embodiment of the invention, the recombination areas are spaced apart from one another of at least twice the diffusion length of the charge carriers.

An Hand von zwei Ausführungsbeispielen, die in den F i g. 1 und 2 dargestellt sind, wird nun die Erfindung eingehend erläutert.On the basis of two exemplary embodiments that are shown in FIGS. 1 and 2, the invention now becomes explained in detail.

F i g. 1 zeigt einen Querschnitt durch eine elektrodenfreie Thyristorscheibe mit rasterförmigen Rekombinationsbereichen an der Kathodenseite;F i g. 1 shows a cross section through an electrode-free one Thyristor disk with grid-shaped recombination areas on the cathode side;

F i g. 2 zeigt eine Draufsicht auf die Kathodenseite
der Thyristorscheibe nach F i g. 1.
• In der F i g. 1 ist ein Fünfzonen-Thyristor dargestellt, bei dem die Schichtenfolge 1, 2, 3, 4, 5 den 60 Zunahme oder Abnahme aufweisen. Des weiterenF i g. 2 shows a plan view of the cathode side
the thyristor disk according to FIG. 1.
• In the F i g. 1 shows a five-zone thyristor in which the layer sequence 1, 2, 3, 4, 5 has an increase or decrease. Further

einem bestimmten Punkt der die Rekombinationsbereiche enthaltenden Zone oder Zonen hin eine a certain point of the zone or zones containing the recombination areas

Leitungstyp n⁺, p, n, p, p⁺ aufweist. Auf der Kathodenseite sind, wie in Fig. 2 dargestellt, zwei zueinander senkrechte Raster mit Bereichen? hoher Rekombinationszentrendichte, sogenannte Rekombinationsbereiche bestimmter räumlicher Ausdehnung, dadurch, gebildet, daß mittels Maskierungstechnik nur in einen Teil der Kathodenseite Rekombinationszentren eindiffundiert werden. Die Oberilächen- können solche Bereiche erhöhter Rekombinationszentrendichte jeweils in den entgegengesetzten äußeren Zonen angebracht werden.Has conductivity type n ⁺ , p, n, p, p ⁺ . On the cathode side, as shown in FIG. 2, there are two mutually perpendicular grids with areas? high recombination center density, so-called recombination areas of a certain spatial extent, formed by the fact that recombination centers are diffused into only part of the cathode side by means of masking technology. Such areas of increased recombination center density can each be attached in the opposite outer zones.

Claims

Patent claims:

1. Semiconductor component with improved frequency behavior, that in at least one half

conductor zone contains several areas with recombination centers in high and low concentration, characterized in that that separated from one another within the volume of the semiconductor component through which current flows Areas or a grid-like contiguous area (7) with recombination centers in opposite the adjacent volume of the semiconductor zone or zones of higher concentration arranged and that the total volume of these areas or this area is at most 50% of the volume of the semiconductor zone or zones.

2. Semiconductor component according to claim 1, characterized in that the recombination regions (7) a mutual distance of at least twice the diffusion length of the charge carriers exhibit.

3. Semiconductor component according to claims 1 to 2, characterized in that the Recombination areas (7) are determined in their depth extent that in multilayer elements the pn junction or junctions operated in their blocking effect from the recombination regions are not influenced.

4. Semiconductor component according to claims 1 to 3, characterized in that the Recombination areas (7) are designed so that the volume of these areas each one Have expansion through which both the conditions for trapping the charge carriers are met as well as a maximum catching area is achieved.

5. Semiconductor component according to claims 1 to 4, characterized in that the Recombination areas (7) in their volume expansion or recombination center density to a certain point of the zone (1) or zones containing the recombination areas (1,2) show an increase.

6. Semiconductor component according to claims 1 to 4, characterized in that the Recombination areas (7) in their volume expansion or recombination center density to a certain point of the zone (1) or zones containing the recombination areas (1,2) show a decrease.

7. Semiconductor component according to claims 1 to 6, characterized in that at Multi-layer elements each in the two outer zones (1,2) areas with increased recombination center density available.

8. Semiconductor component according to claims 1 to 7, characterized in that at Multilayer elements each in the two outer ones at opposite ends Zones (1,2; 4,5), areas (7) with increased recombination center density available.

9. Semiconductor component according to claim 8, characterized in that the recombination regions (7) each extend over a first pn junction from the surface.

10. A method for producing semiconductor components according to claims 1 to 9, characterized characterized in that the recombination areas by exposure to radiation or by Diffusion of gold can be generated by means of masking technology. ,

11. The method according to claim 10, characterized in that that the recombination areas generated via a dot grid-shaped masking will. -

12. The method according to claim 10, characterized in that that the recombination areas are generated via a grid-shaped masking.

13. The method according to claim 10, characterized in that the recombination areas can be generated via a symmetrical masking pattern.

14. The method according to claim 10, characterized in that the recombination areas can be generated via an asymmetrical masking pattern.

15. The method according to claim 10, characterized in that that the recombination areas are generated via a concentric masking pattern will.

1 sheet of drawings