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DE1441099C - Phasenempfindliche Gleichrichterschaltung - Google Patents

Phasenempfindliche Gleichrichterschaltung

Info

Publication number
DE1441099C
DE1441099C DE1441099C DE 1441099 C DE1441099 C DE 1441099C DE 1441099 C DE1441099 C DE 1441099C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistors
transistor
voltage
circuit
collector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Werner 8000 München Scnmidt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG

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Description

ι 441 oyy
Die Erfindung betrifft eine phasenempfindliche Gleich'richterschaltung unter Verwendung von Übertragern und Transistoren zur Umformung eines Wechselspannungssignals in einen Gleichstrom, der einen Lastwiderstand durchfließt und dessen Richtung durch die Phase* des Wechselspannungssignals im Vergleich zu der Phase einer Bezugsspannung bestimmt ist und dessen Größe proportional zur Amplitude des Wechselspannungssignals ist, insbesondere Tür Steuerung bzw. Regelung.
Es ist bekannt, daß Transistoren symmetrische Eigenschaften besitzen, d. h. Emitter und Kollektor können grundsätzlich ihre Funktionen tauschen. Es sind auch eine Reihe von Schaltungen bekanntgeworden, bei denen von den symmetrischen Eigenschäften der Transistoren vorteilhaft Gebrauch gemacht wird. So sind auch phasenabhängige Gleichrichterschaltungen bekanntgeworden, bei denen ein durch den Lastwiderstand fließender Gleichstrom nach Größe und Richtung durch Größe und Phasenlage einer Steuerspannung verändert werden kann. Derartige phasenabhängige Gleichrichterschaltungen werden beispielsweise in Steuer- und Regelschaltungen verwendet.
F i g. 1 zeigt eine derartige phasenabhängige Gleichrichterschaltung. Die Sekundärwicklungen 3, 4 und 4, 5 des Übertragers U1 bilden mit den Gleichrichter-Transistoren T1, T2 die Elemente einer Brückenschaltung. Die Transistoren sind jeweils vom gleichen Leitfähigkeitstyp, also entweder npn- oder pnp-Transistoren. Die Transistoren werden sowohl normal als auch invers betrieben; dies ist im Schaltsymbol dadurch angedeutet, daß sowohl Kollektor- als auch Emitterelektrode als Pfeilspitze gezeichnet sind. Die Funktion der Schaltung hängt jedoch nicht davon ab, daß symmetrische Transistoren verwendet werden. Es können auch beliebige Transistoren verwendet werden, bei denen α normal nicht gleich u invers ist, wobei α die Stromverstärkung des Transistors in Basisschaltung bedeutet. Die Steuerung der Transistoren erfolgt über die Sekundärwicklungen 11, 1Γ des Übertragers P2. Ist keine Signalspannung U1/s vorhanden, so werden beide Transistoren in der einen Halbwelle bei positiver Bezugsspannung U112 ausgesteuert. Die Elektrode am Punkt 10 des Transistors T1 und die Elektrode am Punkt 10' des Transistors T2 werden hierbei zur Kollektorelektrode; die Basiselektroden der Transistoren T1 und T2 erhalten über die Widerstände R1 bzw. R2 jeweils ein negatives Steuerpotential. Die Kollektorströme der Transistoren T1 und T2 lassen sich mit Hilfe der Widerstände R1 und R2 gleich groß machen. In der folgenden Halbwelle der Bezugsspannung (ohne Signalspannung) bei negativer Bezugsspannung U1/2 werden beide Transistoren T1 und T2 gesperrt. Die am Punkt 10 liegende Elektrode des Transistors T1 und die am Punkt 10' liegende Elektrode des Transistors T2 werden zu Emitterelektroden; da die Basiselektroden über die Wicklungen 11 und 11' mit den Emitterelektroden verbunden sind, sind beide Transistoren gesperrt. Die Last RL, die durch Spulen von Relais, magnetische Verstärker, elektromagnetische Kupplungen, Ankeroder Erregerwicklungen von Gleichstrommotoren u.a. dargestellt werden kann, liegt im Nullzweig der Brücke zwischen dem Mittelabgriff 4 der Sekundär- 6S wicklung des Übertragers Cf1 und dem Verbindungspunkt 10 der beiden Transistoren T1 und T1. Da die Brücke während beider Halbwellen der Bezugsspannung l/j/2 abgeglichen ist (während der einen] Halbwelle sind beide Transistoren gesperrt, während I der anderen Halbwelle führen beide Transistoren '. gleichen Kollektorstrom), fließt bei fehlender Signal-!'. spannung kein Laststrom. j ·
Nachteilig bei dieser Schaltung ist, daß in der einen ι Aussteuerungsphase die Spannung am Lastwiderstand | der notwendigen Sperrung des einen Transistors ent-!! gegenwirkt. Das läßt sich folgendermaßen einsehen.'' Sind die Bezugsspannungen t/3/4, l/4/5 positiv und < ist die Steuerspannung U101n negativ, die Steuer-j| spannung CZ10'/] i' positiv, so ist der durch Tran-: j SiStOrT1 gesteuerte Brückenkreis stromführend; an;l Widerstand RL fällt eine Spannung ab, wobei Punkt 10;! positiv gegen Punkt 4 ist. Transistor T2 wird so be-1 trieben, daß die in Punkt 10 angeschlossene Elektrode der Emitter, die in Punkt 10' angeschlossene Elektrode der Kollektor von Transistor T2 ist. Die Vorspannung^ des Emitters durch die am Lastwiderstand RL abfallende Spannung wirkt also tatsächlich der Sperrung j des Transistors T2 entgegen. Um den Transistor T2 zu sperren, ist eine Sperrspannung
notwendig. Diese Forderung ist nicht immpr erfüllt. Zum Beweis formt man die Ungleichung um. Bei vernachlässigbarer Streuinduktivität des Übertragers U1 ist
U1,
= U1
10/11
die Spannung U101n wiederum läßt sich durch denl Basisstrom /B des Transistors T1, /ß = -^ und durch den Widerstand des Steuerkreises (RE + R1) ausdrücken:
β ist die Stromverstärkung in Emitterschaltung s und RE der Eingangswiderstand von Transistor T1.
ist durch die Gleichung IL =
gegeben.
Setzt man diese Gleichung in die Ungleichung ein, so erhält man:
(R1 + RK)
R ι ρ
Für alle Lastwiderstände, die größer — sind
ist also Transistor T2 nicht gesperrt.
Ein weiterer Nachteil bei dieser Schaltung ist, daß bei fehlender Steuerspannung während einer Halbwelle der Vergleichsspannung U112 beide Transistoren! Strom führen. Neben einer unnötigen Erwärmungt der Transistoren erfolgt auch eine unerwünschte Vormagnetisierung des Eisenkernes von U1. Um die Transistoren nicht zu überlasten, sind Basiswiderstände R1, R2 vorgesehen. Andererseits wird bei einer Aussteuerung der Transistoren unnötig in diesen Widerständen Steuerleistung vernichtet:
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltung anzugeben, bei der die genannten Nachteile vermieden i werden. I
Die phasenempfindliche Gleichrichterschaltung wirdc gemäß der Erfindung so ausgebildet, daß die beidenic Enden einer mittelangezapften Sekundärwicklung! eines Bezugsspannungsübertragers, dem primärseitigjs die Bezugsspannung zugeführt ist, mit je einer Tertiär-j wicklung- dieses Übertragers über die Kollektor-v
j-Emitter-Strecke je eines Gleichrichter-Transistors ver-Ij bunden sind, daß der Lastwiderstand zwischen der μ Mittelanzapfung der Sekundärwicklung und der Durchverbindung der freien Anschlüsse der Tertiärwicklungen liegt, daß die Basis eines jeden Gleichrichter-Transistors mit dem Kollektor je eines zu den Gleichrichter-Transistoren komplementären Transistors verbunden ist, daß ferner die Emitter dieser Transistoren miteinander und mit der Mittelanzapfung ler Sekundärwicklung eines Signalübertragers, dem primarseitig das Wechselspannungssignal zugeführt ist, verbunden sind, wobei die Basis eines jeden komplementären Transistors jeweils an ein Ende der !ekundärwicklung des Signalübertragers geführt ist und die Mittelanzapfung dieser Wicklung entweder mit der Durchverbindung der Tertiärwicklungen des Bezugsspannungsübertragers oder mit einer Mittelanzapfung des Last Widerstandes verbunden ist.
Bei der erfindungsgemäßen Schaltung werden die ;enannten Nachteile dadurch vermieden, daß die Steuerung der Gleichrichter-Transistoren über zu ihnen komplementäre Transistoren erfolgt. Lastkreis und Steuerkreis des jeweils gesperrten Gleichrichter-Transistors werden durch den Kollektorsperrwidertand des ihm vorgeschalteten Transistors entkoppelt; der Spannungsabfall am Lastwiderstand kann deshalb den jeweils gesperrten Gleichrichter-Transistor nicht beeinflussen.
Die Erfindung wird an Hand der in den F i g. 2 und 3 dargestellten Ausführungsbeispiele näher eräutert.
Im folgenden wird die Schaltung nach F i g. 2 in den beiden möglichen Phasenlagen von Bezugspannung Ul/2 und S.teuerspannung (Wechselspannungssignal) l/19/20 und bei fehlender Steuerspannung (^19/20 = 0) betrachtet.
1. Sind Ui12 und U19120 positiv, so sind die Punkte 3, 5, 7, 9, 15, 17 positiv, und die Elektroden 5 von Transistor 7J und 9 von Transistor T2 werden als Emitter betrieben; die Transistoren T3,T4 erhalten demnach über die Emitter-Basis-Strecke der Transistoren 7i, T2 eine Kollektorspannung richtiger Polarität. Transistor T3 ist durch die Spannung t/15/16 ausgesteuert. Sein Kollektorstrom /C3 ist gleich dem Basisstrom IBl von Transistor T1. Transistor Ti wird in Kollektor-, schaltung betrieben; er hat eine Stromverstärkung
P- =
= ßi -Hl. Die Stromverstärkung des in Emitter-
'ei
2. Ist l/j/2 positiv und t/19/20 negativ, so sind die Elektroden 5 und 9 die Emitter der Transistoren T1, T2. Die Transistoren T3, T4 erhalten über die jsmitterdioden der Transistoren T1, T2 eine Kollektorspannung richtiger Polarität; da jedoch die Steuerspannungen Ui51I6 und Un/l8 negativ sind, ist Transistor T3 gesperrt und Transistor T4 ausgesteuert. Transistor T2 wird in dieser Phase wie Transistor T4 in Emitterschaltung betrieben, so daß die Stromverstärkung der beiden direkt gekoppelten und in Kaskade geschalteten Transistoren T2, T4 den Wert
■■■■--. ■·■ -■·■■·■■ /,
'C2
hat. Durch den Last widerstand RL fließt ein Strom von Punkt 6 nach Punkt 16. In der folgenden Halbwelle sind bei gleichbleibender Phasenlage zwischen U1 2 und U19120 die Transistoren T4, T2 gesperrt und die Transistoren TJ, T1 ausgesteuert, so daß der Strom durch RL von Punkt 6 nach Punkt 16 fließt.
3. 1st die Steuerspannung U19120 = 0 und liegt nur eine Bezugsspannung Uh2 mit abwechselnd positivem und negativem Vorzeichen an den Klemmen 1/2, so sind Basis und Emitter von Transistor T3 über die Wicklung 15/16 sowie Basis und Emitter von Transistor T4. über die Wicklung 17/18 miteinander verbunden. Die Transistoren T3, T4 sind also in jedem Falle gesperrt; die Basiskreise der Transistoren T1, T2 sind dadurch aufgetrennt, so daß auch diese beiden Transistoren beim Fehlen einer Steuerspannung ^i9/2o = 0 gesperrt sind.
In diesem Ausführungsbeispiel werden die Transistoren T1, T2 in der einen Phasenlage (U112, U19120 haben jeweils gleiches Vorzeichen) in Kollektorschaltung, in der anderen Phasenlage (LZ1 2, l/19/20 haben jeweils ungleiches Vorzeichen) in Emitterschaltung betrieben. Die Spannungsverstärkung in Kollektorschaltung errechnet sich aus
rh + iHre
die Stromverstärkung aus
die Leistungsverstärkung Pk ist das Produkt aus Strom- und Spannungsverstärkung:
schaltung betriebenen Transistors T3 beträgt 7^ = ^,
und es gilt /C3 '== J81; die Stromverstärkung der beiden direkt gekoppelten und iri Kaskade geschalteten Transistoren T1, T3 hat deshalb den Wert
In Emitterschaltung beträgt die Spannungsverstärküng = (iRL
55 die Stromverstärkung
Durch den Lastwiderstand RL fließt deshalb ein Strom /,vom Punkt 16 nach Punkt 6. Transistor T4 ist durch die Spannung l/17/18 gesperrt; der Basiskreis von Transistor T2 ist dadurch aufgetrennt, so daß auch Transistor T2 gesperrt ist. Es zeigt sich, daß in der folgenden Halbwelle bei gleichbleibender Phasenlage zwischen U1/2 und Ul9/20 die Transistoren T2, T4 Strom führen und die Transistoren T1, , T3 gesperrt sind, so daß der Strom durch den Lastwiderstand wieder von Punkt 16 nach Punkt 6 fließt.
-T-) = ß
und die Leistungsverstärkung
in den Gleichungen bedeuten IZ1, Z1 Eingangsspannung und -strom, U2, I2 Ausgangsspannung und -strom, β die Stromverstärkung in Emitterschaltung, RL den
Lastwiderstand, rh den Basiswiderstand und re den Emitterwiderstand.
Man entnimmt den Gleichungen, daß Spannungsund Leistungsverstärkung Tür Emitter- und Kollektorschaltung nur für Werte RL re gleich sind. Für Werte RL » re und // · RL » rb wird die Leistungsverstärkung in Kollektorschaltung PK ~ β < Pt:.
Nun ist die Stromverstärkung eines invers betriebenen Transistors im allgemeinen kleiner als die des normal betriebenen; man kann deshalb einen Ausgleich des Unterschiedes zwischen den Leistungsverstärkungen PK und Pt· (bei großem RL) erzielen, indem man die Transistoren T1, T2 invers betreibt, wenn sie in Emitterschaltung arbeiten, und normal betreibt, wenn sie in Kollektorschaltung arbeiten. Man braucht zu diesem Zweck nur die Emitterelektroden der Transistoren T1, T2 an den Punkten 5 bzw. 8 anzuschließen.
Bei der Schaltung nach F i g. 3 ist der Arbeitswiderstand R1 halbiert, und die Emitterelektroden der Transistoren T3, T4 sowie Punkt 16 der Wicklung 15/18 sind an den Mittelabgriff 21 des Lastwiderstandes geführt. Während bei der Schaltung des ersten Ausführungsbcispiclcs nach F i g. 2 die Transistoren T1, T2 in der einen Phasenlage von Bezugs- und Steuerspannung (beide jeweils gleiche Vorzeichen) in Kollektorschaltung und in der anderen Phasenlage" (beide Spannungen haben jeweils ungleiches Vorzeiehen) in Emitterschaltung betrieben werden, ist der Betrieb der Transistoren T1. T2 in der Schaltung von F i g. 3 in allen Phasenlagen zwischen Steucr- und Bezugsspannung gleich. Es liegt immer ein Widerstand R1. z im Lastkreis und ein Widerstand R, 2 im Steuerkreis der Transistoren T1, T2, so daß man. gleiche Stromverstärkung in beiden Betricbsrichtungen vorausgesetzt, in beiden Aussteuerungsfällen
gleiche Verstärkung erhält. 1st .,' :s» r,.und '-,'· » rh.
so ergibt sich eine Spannungsverstärkung etwa der Größe 2 und eine Leistungsverstärkung etwa der Größe 2(i. Die Wirkungsweise der Schaltung läßt sich im übrigen mit Hilfe der Beschreibung des ersten Ausführungsbeispiels nach F i g. 2 verstehen.

Claims (1)

  1. Patentanspruch: ;
    Phasenempfindliche Gleichrichterschaltung unter Verwendung von Übertragern und Transistoren zur Umformung eines Wechselspännungssignals in einen Gleichstrom, der einen Last widerstand durchfließt und dessen Richtung durch die Phase des Wechselspannungssignals im Vergleich zu der Phase einer Bezugsspannung bestimmt ist und dessen Größe proportional zur Amplitude des Wechselspannungssignals ist, insbesondere für Steuerung bzw. Regelung, dadurchgekenn- - zeichnet, daß die beiden Enden einer mittelangezapften Sekundärwicklung (5, 6, 7, 8) eines Bezugsspannungsübertragers (V1), dem primärseitig (1, 2) die Bezugsspannung (U1 /2) zugeführt ist, mit je einer Tertiärwicklung (3/4, 9/10) dieses Übertragers über die Kollektor-Emitter-Strecke je eines Gleichrichter-Transistors (T1, T2) verbun den sind, daß der Lastwiderstand (R1) zwischen der Mittelanzapfung (6, 7) der Sekundärwicklung (5, 6, 7, 8) und der Durchverbindung der freien Anschlüsse (3, 10) der Tertiärwicklungen (3/4 und 9/10) liegt, daß die Basis (11, 12), eines jeden Gleichrichter-Transistors (T,, T2) mit dem Kollektor je eines zu den Gleichrichter-Transistoren (T1, T2) komplementären Transistors (T3, T4) verbunden ist, daß ferner die Emitter dieser Transistoren (T3. T4) miteinander und mit der Mittclanzapfung (16, 17) der Sekundärwicklung (15, 16. 17, 18) eines Signalübertragers (Uj), dem primärseitig (19, 20) das Wechselspannungssignal (Uiq 20) zugeführt ist, verbunden sind, wobei die Basis (13,14) eines jeden komplementären Transistors (T3, T4)JeWCiIs an ein Ende der Sekundärwicklung (15, 16, 17, 18) de Signalübertragers (t?i) geführt ist und die Mittelanzapfung (16. 17) dieser Wicklung (15, 16, 17, 18 entweder mit der Durchverbindung der Tertiärwicklungen (3 4 und 9 10) des Bezugsspannungsübertragers (P2) oder mit einer Mittelanzapfung (21 in Fig. 3) des Lastwiderstandes (R1) verbunden ist. v
    Hierzu I Blatt Zeichnungen

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