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DE1238104B - Germanium transistor, in particular mesa transistor, with a collector electrode made of an iron-cobalt-nickel alloy - Google Patents

Germanium transistor, in particular mesa transistor, with a collector electrode made of an iron-cobalt-nickel alloy

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Publication number
DE1238104B
DE1238104B DES85733A DES0085733A DE1238104B DE 1238104 B DE1238104 B DE 1238104B DE S85733 A DES85733 A DE S85733A DE S0085733 A DES0085733 A DE S0085733A DE 1238104 B DE1238104 B DE 1238104B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
collector
zone
collector electrode
cobalt
iron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES85733A
Other languages
German (de)
Inventor
Dr Hans Rebstock
Dipl-Phys Ruprecht Von Siemens
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES85733A priority Critical patent/DE1238104B/en
Priority to CH313864A priority patent/CH419353A/en
Priority to NL6405832A priority patent/NL6405832A/xx
Priority to FR978426A priority patent/FR1398661A/en
Priority to GB2501864A priority patent/GB1029116A/en
Publication of DE1238104B publication Critical patent/DE1238104B/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H10W72/30—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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    • H10W72/073—
    • H10W72/07336—

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

DEUTSCHES /mWSsSP PATENTAMTGERMAN / mWSsSP PATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFT Deutsche Kl.: 21 g -11/02 EDITORIAL DEVELOPMENT German class: 21 g - 11/02

Nummer: 1238104Number: 1238104

Aktenzeichen: S 85733 VIII c/21 gFile number: S 85733 VIII c / 21 g

1238104 Anmeldetag: 19. Juni 19631238104 Filing date: June 19, 1963

Auslegetag: 6. April 1967Opened on: April 6, 1967

Die Erfindung bezieht sich auf einen Germanium-Transistor, insbesondere einen Germanium-Mesatransistor, bei dem die Kollektorelektrode aus einer Eisen-Kobalt-Nickel-Legierung besteht, die etwa den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie das Germanium aufweist.The invention relates to a germanium transistor, in particular a germanium mesa transistor, in which the collector electrode consists of an iron-cobalt-nickel alloy, which is about the has the same coefficient of thermal expansion as germanium.

Um beim Auflegieren von aus Germanium bestehenden Halbleiterbauelementen und dem nachfolgenden Abkühlen zu vermeiden, daß Sprünge im Germaniumkörper entstehen, die durch die unterschiedliche Wärmeausdehnung des Germaniums und der Kollektorelektrode bedingt sind, werden Germanium-Transistoren auf eine Kollektorelektrode auflegiert, die z. B. aus Molybdän oder aus einer z. B. mit dem Handelsnamen Vakon bezeichneten Eisen-Kobalt-Nickel-Legierung besteht.In order to alloy semiconductor components made of germanium and the subsequent To avoid that cracks arise in the germanium body caused by the different cooling Thermal expansion of the germanium and the collector electrode are caused by germanium transistors alloyed onto a collector electrode which, for. B. from molybdenum or from a z. B. with the trade name Vakon designated iron-cobalt-nickel alloy consists.

Die bei Transistoren für eine hohe Frequenzgrenze nötige kleine Kollektorkapazität und die Forderang einer ausreichenden Kollektorsperrspannung ergeben bei Hochfrequenztransistoren die Notwendigkeit, die sich an die Basiszone anschließende Kollektorschicht hochohmig gegenüber der Basiszone zu machen. Bei derartigen Transistoren mit einem hochohmigen Kollektorbahngebiet hat es sich gezeigt, daß die mit ihrer hochohmigen Kollektorzone auf eine mit einer Goldschicht versehene, aus einer Eisen-Kobalt-Nickel-Legierung bestehende Kollektorelektrode legierten Systeme einen Störeffekt aufweisen, der als Thyristoreffekt bezeichnet wird. Es tritt dabei eine Rückinjektion von Minoritätsladungsträgern auf. Selbst eine geringfügige Rückinjektion von Minoritätsladungsträgern aus der Kollektorelektrode in das Bahngebiet führt jedoch bei hoher Lebensdauer der Minoritätsladungsträger, wenn die Diffusionslänge L etwa gleich der Dicke der Scheibe ist, sehr leicht zu einer Arbeitspunktinstabilität bzw. zum Durchhalten des Transistors. Dies ist besonders bei größeren Strömen, bei dem die normale Stromverstärkung χ in Basisschaltung sehr nahe dem Wert 1 zu liegen kommt, der Fall.The small collector capacitance required in transistors for a high frequency limit and the requirement of a sufficient collector reverse voltage result in the need for high-frequency transistors to make the collector layer adjoining the base zone with high resistance to the base zone. In transistors of this type with a high-resistance collector track area, it has been shown that the systems alloyed with their high-resistance collector zone on a collector electrode made of an iron-cobalt-nickel alloy and provided with a gold layer have an interfering effect which is referred to as the thyristor effect. In the process, minority charge carriers are injected back. Even a slight re-injection of minority charge carriers from the collector electrode into the track area leads, however, very easily to an operating point instability or to the persistence of the transistor with a long service life of the minority charge carriers when the diffusion length L is approximately equal to the thickness of the pane. This is particularly the case with larger currents, where the normal current gain χ in the basic circuit is very close to the value 1.

Um diesen störenden Thyristoreffekt zu vermeiden, hat man bisher verschiedene Wege eingeschlagen. So hat man z. B. die Kollektorzone eines Transistors so ausgestaltet, daß sich unmittelbar an die Basiszone eine sehr hochohmige Zone anschließt, unmittelbar am Kollektorkontakt, also an die Kollektorelektrode anschließend, jedoch eine hochdotierte, also niederohmige Zone vorhanden ist, die z. B. bei einer p-leitenden Kollektorzone durch Einlegieren von Aluminium gewonnen wird. Weiter hat man auch versucht, den Effekt dadurch zu vermeiden, daß man in dem an die Kollektorelektrode angrenzenden Teil der Kol-Germanium-Transistor, insbesondere Mesatransistor, mit einer Kollektorelektrode aus einer Eisen-Kobalt-Nickel-LegierungIn order to avoid this disruptive thyristor effect, various approaches have been taken up to now. So one has z. B. configured the collector zone of a transistor so that it is directly connected to the base zone a very high-resistance zone connects directly to the collector contact, i.e. to the collector electrode subsequently, however, a highly doped, so low-resistance zone is present, which z. B. with a p-type Collector zone is obtained by alloying aluminum. Another attempt was also made to avoid the effect by the fact that in the part of the col-germanium transistor adjoining the collector electrode, in particular mesa transistor, with a collector electrode made of an iron-cobalt-nickel alloy

Anmelder:Applicant:

Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, München 2, Wittelsbacherplatz 2Siemens Aktiengesellschaft, Berlin and Munich, Munich 2, Wittelsbacherplatz 2

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

Dipl.-Phys. Ruprecht von Siemens, Unterhaching; Dr. Hans Rebstock, OttobrunnDipl.-Phys. Ruprecht von Siemens, Unterhaching; Dr. Hans Rebstock, Ottobrunn

lektorzone Rekombinationszentren bildende Stoffe, wie z. B. Kupfer, eingebaut hat. Als Kollektorelektrode wurde also z. B. ein vor der Vergoldung verkupierter Körper verwendet. Die Rückinjektion von Minoritätsladungsträgern wurde bisher auch dadurch vermieden, daß man zwischen Germaniumkristall und vergoldeter Kollektorelektrode im Fall eines pnp-Transistors ein etwa 30 μ starkes Indiumscheibchen — bzw. In-Ga-Scheibchen — anbrachte. Diese Methode ist aber für den Fertigungsablauf nicht nur aufwendig und kompliziert, sondern wegen der äußerst kleinen geometrischen Abmessungen der einzelnen Bauteile auch zu unsicher.lektorzone Recombination centers forming substances such. B. copper has been installed. As a collector electrode was z. B. used a body cropped before gilding. The back injection of Minority charge carriers has hitherto also been avoided by placing a germanium crystal between and gold-plated collector electrode in the case of a pnp transistor an approximately 30 μ thick indium disc - or In-Ga discs - attached. However, this method is not only for the production process expensive and complicated, but because of the extremely small geometric dimensions of each Components too unsafe.

Zum Vermeiden des Thyristoreffekts ist weiterhin ein Verfahren bekanntgeworden, bei dem als Kollektorblech eine Eisen-Nickel-Legierung Verwendung findet und dieses Blech mit einer Aluminium- oder Aluminium-Germanium-Schicht plattiert ist und das plattierte Kollektorblech auf eine Temperatur kurz oberhalb der elektischen Temperatur von Germanium—Aluminium erhitzt wird, dann das Kollektorblech bei Erreichen dieser Temperatur einer starken Kühlung ausgesetzt und gleichzeitig mit Beginn der Kühlung die Transistoranordnung mit ihrem Kollektorkörper auf die plattierte Oberfläche des Kollektorbleches aufgesetzt wird.To avoid the thyristor effect, a method has also become known in which as a collector plate an iron-nickel alloy is used and this sheet metal with an aluminum or Aluminum-germanium layer is plated and the plated collector sheet to a temperature short above the electrical temperature of germanium-aluminum is heated, then the collector plate when this temperature is reached, exposed to strong cooling and at the same time with the beginning of the Cools the transistor arrangement with its collector body on the plated surface of the collector plate is put on.

Demgegenüber wird gemäß der Erfindung ein Germanium-Transistor so ausgebildet, daß die Kollektorzone hochohmiger als die Basiszone ist und daß die Eisen-Kobalt-Nickel-Legierung der Kollektorelektrode so wenig Chrom und Mangan enthält, daß keine störende Rückinjektion von Minoritätsladungsträgern aus der Kollektorelektrode in die Kollektorzone erfolgt. Es hat sich gezeigt, daß bei Verwendung einer derartigen Unterlage der ThyristorefIekt zuverlässig vermieden werden kann.In contrast, according to the invention, a germanium transistor is designed so that the collector zone higher resistance than the base zone and that the iron-cobalt-nickel alloy of the collector electrode contains so little chromium and manganese that no disruptive back injection of minority charge carriers from the collector electrode into the collector zone. It has been shown that when using Such a base the thyristor effect can be reliably avoided.

709 548/284709 548/284

Claims (6)

Die vorliegende Erfindung geht dabei von der Erkenntnis aus, daß die Verunreinigungen, die zu einer Rückinjektion von Mmoritätsladungsträgern in die Kollektorzone und damit zu dem störenden Thyristoreffekt führen, aus der aus der Eisen-Kobalt-Nickel-Legierung bestehenden Kollektorelektrode in die Kollektorbahngebiete gelangen, daß es also nicht nur auf die Reinheit des Goldüberzugs, sondern auf die Reinheit der Eisen-Kobalt-Nickel-Legierung ankommt. Dabei ist es wesentlich, daß die Kollektorelektrode aus einer von Chrom und Mangan befreiten Legierung besteht. Die gemäß der Erfindung verwendete, von Chrom und Mangan befreite Eisen-Kobalt-Nickel-Legierung wird außerdem, im Gegensatz zum normalen Vakon, ig auf dem Sinterweg hergestellt. Durch diese Art der Herstellung wird gewährleistet, daß die für die Herstellung verwendeten, äußerst reinen Ausgangsstoffe auch während des Herstellungsverfahrens nicht verunreinigt werden. Bei pnp-Transistoren bzw. bei Transistoren mit p-leitender Kollektorzone ist es weiter wesentlich, daß die als Kollektorelektrode verwendete Legierung auch bezüglich der eine n-Dotierung hervorrufenden Verunreinigungen, also besonders bezüglich Verunreinigungen der V. Gruppe des Periodischen Systems, sehr rein ist. Im Gegensatz dazu wird bei npn-Transistoren bzw. bei Transistoren mit η-leitender Kollektorzone eine hohe Reinheit der Legierung bezüglich der p-dotierenden Stoffe, also bezüglich der in der III. Gruppe des Periodischen Systems enthaltenen Dotierungsstoffe, gefordert. Die gemäß der Erfindung als Kollektorelektrode verwendete SpezialIegierung kann dann ohne Vorverkupferung mit einer insbesondere nur 8 μ starken Goldschicht, die naturgemäß ebenfalls frei von Verunreinigungen der V. bzw. III. Gruppe des Periodischen Systems sein soll, versehen werden. Um eine einwandfreie Befestigung des Halbleiterbauelements auf der Kollektorelektrode zu gewährleisten, ist ein Überzug aus einem Material, das sich mit dem Halbleitermaterial gut legiert, notwendig. Im allgemeinen ist dazu eine Goldschicht vorgesehen, da die sich beim Legieren bildende Goldlegierung eine mechanisch, elektrisch und thermisch einwandfreie Verbindung zwischen Kollektorelektrode und Halbleiterkörper gewährleistet. Der die Kollektorelektrode für das Halbleiterbauelement bildende Körper ist zweckmäßig als Plättchen ausgebildet, das erst nach der Herstellung der Gehäusegrundplatte an der entsprechenden Durchführung angeschweißt wird. Auf diese Weise ist es möglich, zu vermeiden, daß die Unterlage die beim Anbringen der Durchführungen üblichen Ofenprozesse durchläuft. Da der Einschmelzvorgang für die Durchführung bei relativ hohen Temperaturen vorgenommen wird, bei denen Verunreinigungen aus den Apparateteilen ausdampfen können, ist es günstig, wenn das als Kollektorelektrode dienende Plättchen erst nachher angebracht wird, da dann keine Verunreinigungen aus dem Ofen in das Plättchen eindiffundieren können, die beim Betrieb der Halbleiteranordnung zu Störeffekten führen. Wie bereits ausgeführt, fällt der Thyristoreffekt um so stärker ins Gewicht, je hochohmiger die mit der Kollektorelektrode verbundene Halbleiterzone ist. Bei einer gemäß der Erfindung vorgeschlagenen Anordnung kann der Widerstand in der gesamten Kol- lektorzone größer als 2 Ohm · cm sein und bis etwa Ohm · cm betragen, ohne das ein Störeffekt durch Rückinjektion von Minoritätsladungsträgern auftreten würde. Dadurch, daß die ganze Kollektorzone einen hohen Widerstand aufweist und nicht nur ein schmaler, unmittelbar an die Basizone angrenzender Bereich hochohmig ist, werden sehr geringe Werte für die Kollektorkapazität bei gleichzeitiger hoher Sperrspannung und damit sehr gute Hochfrequenzeigenschaften erzielt. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist in der Figur ein Germanium-Transistor im Schnitt dargestellt. Derartige, als Mesatransistoren bezeichnete Anordnungen finden heute besonders bei höchsten Frequenzen Anwendung. Die Kollektorelektrode 1 besteht aus einer von Chrom und Mangan befreiten Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung und ist mit einer 8 μ dicken Goldschicht versehen. Die einen Widerstand von 3 Ohm · cm aufweisende Kollektorzone 2 ist an ihrer, der mesaförmigen Erhöhung 7 abgewandten Seite 6 mit der Kollektorelektrode 1 über eine Goldlegierung verbunden. Auf der z. B. durch Diffusion hergestellten Basiszone 3 sind der Emitterkontakt 4 und der Basiskontakt 5 linienförmig aufgedampft und einlegiert. Die Kollektorzone 2 besteht z. B. aus mit Indium p-dotiertem Germanium, und die η-Dotierung der Basiszone 3 wird z. B. durch Antimon erzielt. Zur Bildung des Emitterkontakts wird in die η-leitende Basiszone Aluminium und zur Bildung des Basiskontakts 5 z. B. Gold einlegiert. Patentansprüche:The present invention is based on the knowledge that the impurities, which lead to a back injection of Mmoritäts Charge carriers into the collector zone and thus to the disruptive thyristor effect, from the collector electrode consisting of the iron-cobalt-nickel alloy get into the collector path areas So it is not just about the purity of the gold coating, but also the purity of the iron-cobalt-nickel alloy. It is essential that the collector electrode consists of an alloy that has been freed from chromium and manganese. The iron-cobalt-nickel alloy used according to the invention and freed from chromium and manganese is also produced by sintering, in contrast to the normal vacon. This type of production ensures that the extremely pure starting materials used for production are not contaminated during the production process. In the case of pnp transistors or transistors with a p-conducting collector zone, it is also essential that the alloy used as the collector electrode is also very pure with regard to the impurities causing n-doping, i.e. especially with respect to impurities from group V of the Periodic Table. In contrast to this, with npn transistors or with transistors with an η-conductive collector zone, the alloy has a high degree of purity with regard to the p-doping substances, i.e. with regard to those in III. Group of the periodic table, required. The special alloy used as a collector electrode according to the invention can then be used without pre-copper plating with an in particular only 8 μ thick gold layer, which is naturally also free from contamination of the V. or III. Group of the periodic table should be provided. In order to ensure proper attachment of the semiconductor component to the collector electrode, a coating made of a material that alloyed itself well with the semiconductor material is necessary. In general, a gold layer is provided for this purpose, since the gold alloy that forms during alloying ensures a mechanically, electrically and thermally perfect connection between the collector electrode and the semiconductor body. The body forming the collector electrode for the semiconductor component is expediently designed as a plate which is only welded to the corresponding bushing after the housing base plate has been manufactured. In this way it is possible to prevent the base from going through the oven processes that are customary when attaching the bushings. Since the melting process is carried out at relatively high temperatures, at which impurities can evaporate from the apparatus parts, it is advantageous if the plate serving as the collector electrode is attached afterwards, since no impurities can then diffuse from the furnace into the plate. which lead to disruptive effects during the operation of the semiconductor arrangement. As already stated, the thyristor effect is all the more important, the higher the resistance of the semiconductor zone connected to the collector electrode. In an arrangement proposed according to the invention, the resistance in the entire collector zone can be greater than 2 ohm · cm and up to about ohm · cm, without the occurrence of a disruptive effect due to the back injection of minority charge carriers. Because the entire collector zone has a high resistance and not just a narrow area immediately adjacent to the base zone has a high resistance, very low values for the collector capacitance with a simultaneous high reverse voltage and thus very good high-frequency properties are achieved. According to one embodiment, a germanium transistor is shown in section in the figure. Such arrangements, referred to as mesa transistors, are used today particularly at the highest frequencies. The collector electrode 1 consists of an iron-nickel-cobalt alloy that has been freed from chromium and manganese and is provided with an 8 μ thick gold layer. The collector zone 2, which has a resistance of 3 ohm · cm, is connected on its side 6 facing away from the mesa-shaped elevation 7 to the collector electrode 1 via a gold alloy. On the z. B. base zone 3 produced by diffusion, the emitter contact 4 and the base contact 5 are vapor-deposited linearly and alloyed. The collector zone 2 consists z. B. with indium p-doped germanium, and the η-doping of the base zone 3 is z. B. achieved by antimony. To form the emitter contact, aluminum is inserted into the η-conductive base zone and 5, for example, to form the base contact. B. gold alloyed. Patent claims: 1. Germanium-Transistor, insbesondere Mesatransistor, mit einer Kollektorelektrode aus einer Eisen-Kobalt-Nickel-Legierung, die etwa den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie das Germanium aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorzone hochohmiger als die Basiszone ist und daß die Eisen-Kobalt-Nickel-Legierung der Kollektorelektrode so wenig Chrom und Mangan enthält, daß keine störende Rückinjektion von Minoritätsladungsträgern aus der Kollektorelektrode in die Kollektorzone erfolgt. 1. Germanium transistor, in particular mesa transistor, with a collector electrode from a Iron-cobalt-nickel alloy that has about the same coefficient of thermal expansion as that Has germanium, characterized in that the collector zone has a higher resistance than the base zone and that the iron-cobalt-nickel alloy the collector electrode contains so little chromium and manganese that there is no disruptive back injection of minority charge carriers the collector electrode takes place in the collector zone. 2. Germanium-Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorzone p-leitend ist und die Kollektorelektrode aus einer bezüglich η-dotierenden Stoffen, insbesondere solchen aus der V. Gruppe des Periodischen Systems, hochreinen Eisen-Kobalt-Nickel-Legierung besteht.2. germanium transistor according to claim 1, characterized in that the collector zone is p-conductive and the collector electrode is made of a η-doping substance, in particular those from Group V of the Periodic Table, high-purity iron-cobalt-nickel alloy consists. 3. Germanium-Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorzone η-leitend ist und die Kollektorelektrode aus einer bezüglich p-dotierenden Stoffen, insbesondere der III. Gruppe des Periodischen Systems, hochreinen Eisen-Kobalt-Nickel-Legierung besteht.3. germanium transistor according to claim 1, characterized in that the collector zone Is η-conductive and the collector electrode is made of a p-doping substance, in particular the III. Group of the Periodic Table, composed of high purity iron-cobalt-nickel alloy. 4. Germanium-Transistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand der Kollektorzone größer als 2 Ohm · cm, insbesondere gleich 3 Ohm · cm, ist.4. germanium transistor according to one of claims 1 to 3, characterized in that the resistance of the collector zone is greater than 2 ohm · cm, in particular equal to 3 ohm · cm. 5. Germanium-Transistor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand der Kollektorzone 10 Ohm-cm beträgt.5. germanium transistor according to claim 4, characterized in that the resistance of the Collector zone is 10 ohm-cm. 6. Germanium-Transistor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die6. germanium transistor according to one of claims 1 to 5, characterized in that the
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1257026A (en) * 1960-01-07 1961-03-31 Transistrons Soc Ind Franc De Advanced structure of transistors
US3025439A (en) * 1960-09-22 1962-03-13 Texas Instruments Inc Mounting for silicon semiconductor device
DE1131811B (en) * 1961-05-17 1962-06-20 Intermetall Method for non-blocking contacting of the collector of germanium transistors

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1257026A (en) * 1960-01-07 1961-03-31 Transistrons Soc Ind Franc De Advanced structure of transistors
US3025439A (en) * 1960-09-22 1962-03-13 Texas Instruments Inc Mounting for silicon semiconductor device
DE1131811B (en) * 1961-05-17 1962-06-20 Intermetall Method for non-blocking contacting of the collector of germanium transistors

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