DE1238102B - Halbleitergleichrichter - Google Patents
HalbleitergleichrichterInfo
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- DE1238102B DE1238102B DEN19290A DEN0019290A DE1238102B DE 1238102 B DE1238102 B DE 1238102B DE N19290 A DEN19290 A DE N19290A DE N0019290 A DEN0019290 A DE N0019290A DE 1238102 B DE1238102 B DE 1238102B
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- semiconductor rectifier
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- H10W76/10—
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
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- H10W72/00—
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- H10W99/00—
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- Protection Of Static Devices (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Deutsche KL: 21g-11/02
Nummer: 1 238 102
Aktenzeichen: N 19290 VIII c/21,
Anmeldetag: 7. Dezember 1960
Auslegetag: 6. April 1967
Die Erfindung betrifft einen Halbleitergleichrichter mit einem im Gehäuse des Gleichrichterelements eingeschlossenen,
mit dem Gleichrichterelement in Reihe geschalteten Schutzwiderstand.
Im allgemeinen hat ein Halbleitergleichrichter einen sehr kleinen inneren Reihenwiderstand, so daß
Vorsorge gegen eine Beschädigung des Gleichrichters getroffen werden muß, die durch den Einschaltstromstoß
hervorgerufen werden kann, wenn er z. B. im Gleichrichterkreis einer Kondensatorladeschaltung
benutzt wird. Es ist deshalb allgemein üblich, einen Schutz-Vorwiderstand in Reihe mit dem Gleichrichter
zu legen und den Einschaltstromstoß zu dem Zeitpunkt zu dämpfen, wo ein Schalter geschlossen
wird oder ein großer Kondensatorladestrom fließt.
Aus der französischen Patentschrift 1 157 698 ist ein Halbleitergleichrichter bekanntgeworden, bei dem
die Stromzufuhr zu dem Gleichrichterelement innerhalb des Gehäuses über einen Nickel-Chrom-Draht
erfolgt, dessen Widerstand dem des Gleichrichterelements gleich ist und der als Stromzuführung dient.
Hierbei handelt es sich um eine Kompromißlösung, die einerseits keine volle Gewähr für einen Schutz
gegen Beschädigung durch große Stromstöße bietet und andererseits im Betrieb den Wirkungsgrad des
Gleichrichters verringert sowie die Empfindlichkeit herabsetzt.
Aus der deutschen Auslegeschrift 1 047 318 ist eine Halbleiterdiode bekannt, bei der in das Gehäuse ein
Parallelwiderstand eingeschlossen ist, der im Rahmen einer Reihenschaltung mehrerer derartiger Elemente
eine gleichmäßige Verteilung der Sperrspannung auf die einzelnen Dioden sicherstellen soll. Bei Verwendung
einer solchen Diode als Gleichrichter ist ein solcher Parallelwiderstand zur Strombegrenzung ungeeignet.
Die Aufgabe der Erfindung liegt in der Schaffung einer ausreichenden Strombegrenzung während der
Einschaltperiode, wobei jedoch das Dauerbetriebsverhalten des Gleichrichterelements nicht beeinträchtigt
werden soll.
Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch gelöst, daß bei einem Halbleitergleichrichter der eingangs
genannten Gattung der Widerstandswert des Schutzwiderstands einen negativen Temperaturkoeffizienten
aufweist.
Der Schutzwiderstand, der in kaltem Zustand, d. h. im Einschaltzustand, einen großen Widerstand hat,
wird so bemessen, daß er eine sichere Strombegrenzung bewirkt. Nach dem Einschalten vermindert sich
. der Widerstand infolge der Jouleschen Wärme so weit, daß der Schutzwiderstand praktisch vernach-Halbleitergleichrichter
Anmelder:
Nippon Electric Company, Limited, Tokio
Vertreter:
Dip!.-Ing. M. Bunke, Patentanwalt,
Stuttgart 1, Schloßstr. 73 B
Als Erfinder benannt:
Motoaki Tokida, Tokio
Motoaki Tokida, Tokio
Beanspruchte Priorität:
Japan vom 20. Januar 1960 (1357)
lässigbar ist, so daß die Wirkungsweise des Halbleitergleichrichters
nicht gestört wird.
Die Zeichnung zeigt ein Ausführungsbeispiel.
F i g. 1 ist ein allgemeines Schaltbild, welches ein Beispiel eines Gleichrichterkreises mit einem HaIbleitergleichrichter in einer Kondensatorladeschaltung erläutert;
F i g. 1 ist ein allgemeines Schaltbild, welches ein Beispiel eines Gleichrichterkreises mit einem HaIbleitergleichrichter in einer Kondensatorladeschaltung erläutert;
F i g. 2 zeigt eine Temperatur-Widerstands-Kennlinie eines gemäß der Erfindung benutzten Schutzwiderstands;
F i g. 3 ist ein Schnitt durch eine Bauart eines Halbleitergleichrichters, bei welchem die Merkmale
der vorliegenden Erfindung verwirklicht sind.
In Fi g. 1 ist 1 ein Schutzwiderstand, 2 ein Gleichrichter,
3 eine Belastung, 4 ein Kondensator und 5 eine Wechselstromquelle. Der Schutz-Vorwiderstand
1 ist hier jedoch nur zu der Zeit notwendig, wenn der Schalter 6 geschlossen wird, und er hat den
Nachteil, die Spannungsregelung während der Zeit normalen Betriebs zu verschlechtern.
Gemäß der Erfindung ist zur Beseitigung dieses Nachteils ein Schutzwiderstand benutzt, der genügend
groß ist, um außerhalb der Zeit normalen Betriebs den Einschwingstrom fehlerfrei zu unterdrücken,
während in der Zeit normalen Betriebs der Wert dieses Schutz-Vorwiderstands genügend klein wird.
In F i g. 3, welche einen Querschnitt durch einen
Halbleitergleichrichter zeigt, welcher die Merkmale der Erfindung verkörpert, ist 7 ein Schutzwiderstand,
dessen Widerstandswert sich mit der Temperatur ändert und 8 ein Halbleiter-Gleichrichterelement.
9 ist ein Isolator, 10 und 11 sind äußere Leitungen und 12 ist ein Gehäuse. Wenn in den Gleichrichter-
709 548/282
kreis der F i g. 1 ein Widerstand, der die in F i g. 2
gezeigte Temperatur-Widerstands-Kennlinie hat, z. B. ein Thermistor (Heißleiter) als Schutzwiderstand 1
benutzt wird und wenn dieser Schutzwiderstand 1 in demselben Gehäuse eingeschlossen ist, in welchem
auch das Halbleiter-Gleichrichterelernent 8 eingeschlossen
ist, erzeugt während der Zeit normalen Betriebs das Halbleiter-Gleichrichterelement 2 selbst
wegen seines eigenen Energieverbrauchs Wärme und macht die Innentemperatur im Gehäuse höher als
diejenige vor dem Schließen des Schalters. Wenn ein Schutzwiderstand 1 so gewählt wird, daß er einen
Widerstandswert hat, welcher groß genug ist, um als Schutz bei der Innentemperatur des Gehäuses vor
dem Schließen des Schalters oder bei gewöhnlicher Temperatur zu wirken und so beschaffen ist, daß er
einen genügend kleinen Widerstandswert hat, um während der Zeit normalen Betriebs die Spannungsregelung
bei der dann herrschenden Innentemperatur des Gehäuses nicht unzulässig zu verschlechtern, dann
wird also dieser Schutz-Vorwiderstand den Einschaltstromstoß ohne Versagen zu dem Zeitpunkt unterdrücken,
wenn der Schalter geschlossen wird, während er bei normalem Betrieb praktisch keine Wirkung
auf die Spannungsregelung hat.
Claims (1)
- Patentanspruch:Halbleitergleichrichter mit einem im Gehäuse des Gleichrichterelements eingeschlossenen, mit dem Gleichrichterelement in Reihe geschalteten Schutzwiderstand, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstandswert des Schutzwiderstands einen negativen Temperaturkoeffizienten aufweist.In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 047 318,063 713, 1 067 531;
französische Patentschriften Nr. 1 157 698,389.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen709 548/282 3.67Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP135760 | 1960-01-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1238102B true DE1238102B (de) | 1967-04-06 |
Family
ID=11499227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEN19290A Pending DE1238102B (de) | 1960-01-20 | 1960-12-07 | Halbleitergleichrichter |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1238102B (de) |
| GB (1) | GB910589A (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3513032A1 (de) * | 1985-03-20 | 1986-10-02 | thielscher-electronic GmbH, 4100 Duisburg | Netzgeraet |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1157698A (fr) * | 1955-09-30 | 1958-06-02 | Philips Nv | Système d'électrodes à semi-conducteur |
| DE1047318B (de) * | 1957-05-01 | 1958-12-24 | Philips Nv | In einer vakuumdichten Huelle eingeschlossene Halbleiterkristalldiode |
| DE1063713B (de) * | 1955-05-20 | 1959-08-20 | Ibm Deutschland | Transistor mit temperaturkompensiertem Kollektorstrom |
| DE1067531B (de) * | 1957-12-14 | 1959-10-22 | Siemens Ag | Anordnung mit Transistoren in Kaskadenschaltung |
| FR1195389A (fr) * | 1956-12-31 | 1959-11-17 | Minnesota Mining & Mfg | Refroidissement des appareils semi-conducteurs par effet peltier |
-
1960
- 1960-12-07 DE DEN19290A patent/DE1238102B/de active Pending
-
1961
- 1961-01-03 GB GB261/61A patent/GB910589A/en not_active Expired
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|---|---|---|---|---|
| DE3513032A1 (de) * | 1985-03-20 | 1986-10-02 | thielscher-electronic GmbH, 4100 Duisburg | Netzgeraet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB910589A (en) | 1962-11-14 |
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