DE1230462B

DE1230462B - Magnetic storage unit with an extremely thin film element

Info

Publication number: DE1230462B
Application number: DES74846A
Authority: DE
Inventors: William Warren Davis; Edward Louis Krieger
Original assignee: Sperry Rand Corp
Current assignee: Unisys Corp
Priority date: 1960-12-08
Filing date: 1961-07-15
Publication date: 1966-12-15
Also published as: CH408117A; GB985027A

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. Cl.:Int. Cl .:

GlIcGlIc

Deutsche Kl.: 21 al - 37/06 German class: 21 al - 37/06

Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:Number:
File number:
Registration date:
Display day:

S74846IXe/21al
15. Juli 1961
15. Dezember 1966S74846IXe / 21al
July 15, 1961
December 15, 1966

Die Erfindung betrifft eine Magnetspeichereinheit aus einem extrem dünnen ferromagnetischen Filmelement, dessen Remanenzzustand ohne Zerstörung der darin enthaltenen Information abgelesen werden kann.The invention relates to a magnetic storage unit made of an extremely thin ferromagnetic film element, the remanent state of which is without destruction the information contained therein can be read.

: Bekannte, zu einem zerstörungsfreien Ablesen geeignete Magnetspeichereinheiten bestehen aus zwei getrennten, dünnen magnetischen Filmelementen mit verschiedener Koerzitivkraft, von denen eines dazu dient, durch sein Remanenzfeld das zweite Element in einen der beiden magnetischen Zustände vorzuspannen. Das zweite Element kann selektiv und kurzzeitig durch ein angelegtes Magnetfeld in den entgegengesetzten Magnetzustand geschaltet werden, um die im ersten Filmelement enthaltene Information herauzulesen, ohne sie dabei zu zerstören. Beide Filme einer solchen Magnetspeichereinheit müssen unterschiedliche Koerzitivkräfte haben. Hierzu eignen sich Filme aus Kobalt mit hoher Koerzitivkraft und Filme aus Permalloy mit niedriger Koerzitiv- krait, welche dicht übereinander auf einer geeigneten Trägerschicht aufgebracht werden.
: Aufgabe der Erfindung ist es, eine magnetische Speichereinheit zu schaffen, bei der der Aufwand zweier Filmelemente vermieden wird, die vielmehr aus einem einzigen Filmelement, vorzugsweise gleichmäßiger Zusammensetzung, besteht, aus dem die gespeicherte Information herausgelesen werden kann, ohne sie dabei zu löschen.: Known magnetic storage units suitable for non-destructive reading consist of two separate, thin magnetic film elements with different coercive forces, one of which serves to bias the second element into one of the two magnetic states through its remanence field. The second element can be selectively and briefly switched into the opposite magnetic state by an applied magnetic field in order to read out the information contained in the first film element without destroying it in the process. Both films of such a magnetic storage unit must have different coercive forces. Films made of cobalt with a high coercive force and films made of permalloy with a low coercive force , which are applied close to one another on a suitable carrier layer, are suitable for this purpose.
The object of the invention is to create a magnetic storage unit in which the expense of two film elements is avoided, which rather consists of a single film element, preferably of uniform composition, from which the stored information can be read without being deleted.

Diese Aufgabe löst die Erfindung dadurch, daß in einer Magnetspeichereinheit mit einem eine rechteckige Hystereseschleife aufweisenden und in zwei remanente Zustände schaltbaren, extrem dünnen Filmelement ein Abfragemittel lediglich mit einem kleinen Teil des Filmelementes zum Lesen des remanenten Zustandes magnetisch gekoppelt ist, um die Magnetisierungsrichtung dieses Filmteils vorübergehend zu ändern, wenn sich die Magnetisierung in einer anderen als der Abfragerichtung befindet, ohne dabei die außerhalb des Filmteils. in dem Film bestehende Magnetisierung zu beeinflussen, und daß die außerhalb des abgefragten Filmteils bestehende Magnetisierung geeignet ist, die Magnetisierung des. Filmteils wieder in die Richtung der außerhalb des Filmteils bestehenden Magnetisierung zu zwingen, wenn die Magnetisierungseinrichtung des. Filmteils durch das Abfragemittel geändert worden ist.This object is achieved by the invention in that in a magnetic storage unit with a rectangular Extremely thin, which have a hysteresis loop and can be switched into two remanent states Film element an interrogator with only a small part of the film element for reading the remanent State is magnetically coupled to the direction of magnetization of this film part temporarily to change if the magnetization is in a different direction than the query direction, without doing the outside of the movie part. influence existing magnetization in the film, and that the magnetization existing outside the interrogated film part is suitable, the magnetization of the film part again in the direction of the magnetization existing outside the film part to force when the magnetization device of the film part is changed by the interrogation means has been.

In den Zeichnungen ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt. Es zeigtIn the drawings, an embodiment of the invention is shown. It shows

F i g. 1 eine schematische Ansicht einer Magnetspeichereinheit, F i g. 1 a schematic view of a magnetic storage unit,

Magnetspeichereinheit mit einem extrem
dünnen FilmelementMagnetic storage unit with an extremely
thin film element

Anmelder:Applicant:

Sperry Rand Corporation,Sperry Rand Corporation,

New York, N.Y. (V. St. A.)New York, N.Y. (V. St. A.)

Vertreter:Representative:

Dipl.-Ing. E. Weintraud, Patentanwalt,
Frankfurt/M., Mainzer Landstr. 134-146Dipl.-Ing. E. Weintraud, patent attorney,
Frankfurt / M., Mainzer Landstr. 134-146

Als Erfinder benannt: :Named as inventor::

William Warren Davis, Minneapolis, Minn.;
' Edward Louis Krieger, St. Paul, Minn. (V. St. A.)William Warren Davis, Minneapolis, Minn .;
'Edward Louis Krieger, St. Paul, Minn. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 8. Dezember 1960 (74 508)Claimed priority:
V. St. v. America 8 December 1960 (74 508)

Fig. IA eine weitere Magnetspeichereinheit nach der Erfindung,1A shows a further magnetic storage unit according to the invention,

Fig. 2 einen senkrechten Schnitt entlang der Linie 2-2 in F i g. 1, der einen Querschnitt durch die bevorzugte Wicklungsanordnung zeigt.FIG. 2 is a vertical section along the line 2-2 in FIG. 1, which shows a cross section through the shows preferred winding arrangement.

Ein aus einer einzigen Schicht bestehendes ferromagnetisches Filmelement 10 ist in zwei willkürlich gewählte Abschnitte 12 und 14 unterteilt. Das Filmelement weist eine rechteckige Hystereseschleife auf, und zwar dergestalt, daß der Restmagnetismus des Elementes der magnetischen Sättigung angenähert ist, wobei sich zwei stabile Zustände ergeben. Das Element kann eine Anisotropie in einer Richtung aufweisen, d. h. eine Vorzugsmagnetisierungsrichtung 20 haben. Das remanente Feld kann die durch den Pfeil 16 angedeutete Richtung aufweisen. Isotropische Filme, d. h. Filme, die in jeder in der Filmebene liegenden Richtung leicht magnetisierbar sind, können ebenfalls in einer Anordnung nach der Erfindung verwendet werden. Die Richtung des permanenten Feldes wird dadurch abgelesen, daß der kleine Filmabschnitt 12 einem geeigneten Magnetfeld 18 ausgesetzt wird, um die Magnetisierungseinrichtung dieses kleinen Filmabschnittes 12 kurzzeitig umzukippen.A ferromagnetic one made up of a single layer Film element 10 is divided into two arbitrarily selected sections 12 and 14. The film element has a rectangular hysteresis loop in such a way that the residual magnetism of the Element of the magnetic saturation is approximated, resulting in two stable states. That Element may have anisotropy in one direction, i. H. a preferred direction of magnetization 20 have. The remanent field can have the direction indicated by the arrow 16. Isotropic Movies, d. H. Films that are easily magnetizable in any direction lying in the plane of the film, can also be used in an arrangement according to the invention. The direction of the permanent The field is read by exposing the small portion of film 12 to a suitable magnetic field 18 is exposed to the magnetization device of this small film section 12 briefly to tip over.

Nach der Erfindung zwingt das remanente Feld 16 des großen Filmabschnitts 14 auf elastische Weise die Magnetisierung des Abschnitts 12 in die Rich-According to the invention, the remanent field 16 of the large film section 14 constrains in an elastic manner the magnetization of section 12 in the direction

609 747/239609 747/239

tung der Magnetisierung des Abschnitts 14. Dieses remanente Feld 16 des großen Filmabschnitts 14 bewirkt außerdem, daß die durch das angelegte Feld 18 gekippte Magnetisierung des kleinen Filmabschnitts 12 wieder in ihren ursprünglichen Zustand zurückkehrt. Zu beachten ist, daß sich der Filmabschnitt 12 am einem Ende der Vorzugsrichtung 20 befindet und nur einen kleinen Teil des Filmelementes 10 darstellt. Wenn das remanente Feld 16 und das angelegte Feld 18 zeitlich zusammenfallen, wird der -Magnetisierungswert leicht verändert, ohne daß dabei die Richtung verändert wird.direction of the magnetization of the section 14. This remanent field 16 of the large film section 14 causes also that the magnetization of the small section of film tilted by the applied field 18 12 returns to its original state. It should be noted that the film section 12 is located at one end of the preferred direction 20 and represents only a small part of the film element 10. When the remanent field 16 and the applied field 18 coincide in time, the magnetization value becomes slightly changed without changing the direction.

Die Einschreibleitung besteht aus einem flachen Leiter 22, der im wesentlichen den Filmabschnitt 14 bedeckt und magnetisch mit der Richtung 20 gekoppelt ist. Der Leiter 22 kann elektrisch über einen Schalter 26 mit einer geeigneten Impulsquelle verbunden werden, um die Remanenz des Filmelementes 10 selektiv zu ändern. Die Impulsquelle kann einen in einer von beiden Richtungen fließenden Strom bereitstellen, um die Magnetisierung des Filmelementes zwecks Einspeicherung einer der binären Werte »1« und »0« in die Richtung des Pfeils 16 oder in die entgegengesetzte Richtung zu zwingen. Wie aus der Zeichnung ersichtlich ist, bedeckt der Leiter 22 lediglich den Filmabschnitt 14. Der Leiter 22 kann sich aber auch über die gesamte Fläche des Films 10 erstrecken, wobei lediglich erforderlich ist, daß das im Filmelement 10 von einem Strom durch den Leiter 22 erzeugte Feld dafür sorgt, daß die Magnetisierungseinrichtung des Filmelementes 10 der des angelegten Feldes folgt.The inscribing line consists of a flat conductor 22, which essentially comprises the film section 14 covered and magnetically coupled to direction 20. The conductor 22 can be electrically via a Switch 26 can be connected to a suitable pulse source to reduce the remanence of the film element 10 to change selectively. The pulse source can flow in either direction Provide current to the magnetization of the film element for the purpose of storing one of the binary Forcing values "1" and "0" in the direction of arrow 16 or in the opposite direction. As can be seen from the drawing, the conductor 22 only covers the film section 14. The conductor 22 can, however, also extend over the entire surface of the film 10, in which case it is only necessary that the field generated in the film element 10 by a current through the conductor 22 ensures that the The magnetization device of the film element 10 follows that of the applied field.

Der magnetische Zustand des Filmelementes 10 wird abgelesen, indem einer Abfrageleitung 32 über einen Schalter 30 ein Stromimpuls von einem Generator 28 zugeführt wird, der das durch Pfeil 18 angedeutete Abfragefeld erzeugt. Die eine Richtung des remanenten Feldes wird dabei durch eine kurzzeitige Änderung der Magnetisierung und die andere Richtung in Form einer unbedeutenden Änderung angezeigt. In einem Versuch, der mit einem 2 cm im Durchmesser messenden Filmelement durchgeführt wurde, das eine Anisotropie in einer Richtung aufwies, wurde eine 0,02 cm breite Wicklung 32 verwendet (etwa 1% des Durchmessers des Filmelementes, an das die Wicklung angekoppelt ist), um ein erfolgreiches Ablesen des Remanenzzustandes dieses Filmelementes ohne Zerstörung der Information zu ermöglichen. Um eine ziemlich hohe Koerzitivkraft von 20Oe bereitzustellen, bestand das Filmelement zu 95°/o. aus Eisen und zu 5% aus Nickel.The magnetic state of the film element 10 is read by an interrogation line 32 via a switch 30 is supplied with a current pulse from a generator 28, which is indicated by arrow 18 Query field generated. One direction of the remanent field is replaced by a short-term Change in magnetization and the other direction in the form of an insignificant change displayed. In an experiment carried out with a film element measuring 2 cm in diameter which had unidirectional anisotropy, a 0.02 cm wide coil 32 was used (about 1% of the diameter of the film element to which the winding is attached) to a successful Reading of the remanence state of this film element without destroying the information enable. In order to provide a fairly high coercive force of 20Oe, the film element existed at 95 ° / o. made of iron and 5% nickel.

Das Filmelement 10/1 eines weiteren in Fig. IA gezeigten Ausführungsbeispieles der Erfindung ist parallel zu einem Treiberleiter 22 A angeordnet, dessen Breite dem Durchmesser des Filmelementes entspricht. Eine Abfrageleitung 32^4 hat eine Breite von nicht mehr als 5°/o des Durchmessers des Filmelementes 10Λ; sie ist längs eines Durchmessers· des Filmelementes angeordnet, der die Vorzugsachse der Magnetisierung rechtwinklig schneidet. Wird ein Strom durch die Leitung 32 A geschickt, so wird durch die Mitte des Filmelementes 10 A kurzzeitig ein kleiner Abschnitt 12^4 gegebenenfalls ummagnetisiert. Anschließend wird die ursprüngliche Richtung der Magnetisierung des Abschnittes 12A unter dem Einfluß des remanenten Feldes des restlichen Teiles des Filmelementes 10^4 wieder hergestellt. Der Leiter 12^4 kann auch längs einer Sehne des FiImelementes 10^4 angeordnet sein und an einem beliebigen Punkt dessen Vorzugsachse schneiden.The film element 10/1 of a further embodiment of the invention shown in FIG. 1A is arranged parallel to a driver conductor 22 A , the width of which corresponds to the diameter of the film element. An interrogation line 32 ^ 4 has a width not more than 5% of the diameter of the film element 10Λ; it is arranged along a diameter of the film element which intersects the easy axis of the magnetization at right angles. If a current is sent through the line 32 A , a small section 12 ^ 4 is temporarily reversed through the center of the film element 10 A, if necessary. Subsequently, the original direction of magnetization of the section 12A is restored under the influence of the remanent field of the remaining part of the film element 10 ^ 4. The conductor 12 ^ 4 can also be arranged along a chord of the fiIm element 10 ^ 4 and intersect its preferred axis at any point.

Das Abfragefeld 18 des Leiters 32 wird in seinem Bestreben, den Weg des kleinsten magnetischen Widerstandes zu finden, in einen Luftweg gezwungen, der in Fig. 2 durch die Linie 35 angedeutet ist. Wenn das remanente Feld des Filmelementes 10 dem Vektor 18 entgegenwirkt, bildet der Teil 14 des Filmelementes einen Weg sehr hohen magnetischen Wider-Standes, da das Filmelement noch in einem Gebiet geringer Permeabilität, d. h. bei magnetischer Sättigung arbeitet. Das Filmelement 10 befindet sich auch im Gebiet geringer Permeablität, wenn die remanente Magnetisierung dieselbe Richtung wie der Vektor 18 hat. Der durch das Abfragefeld erzeugte Magnetfluß verläßt daher das Filmelement 10 in jedem Falle an der durch Linie 34 angezeigten Stelle ohne Rücksicht auf die Remanenzrichtung. Wird die Magnetisierungseinrichtung des Fihnsegmentes 12 durch das Feld 18 umgekippt, so wird in der Wicklung 32 eine verhältnismäßig große EMK in Rückwärtsrichtung erzeugt, welche anzeigt, daß die Remanenzrichtung des Filmelementes 10 in Richtung des Pfeiles 16 verläuft. Dagegen zeigt eine geringe EMK in Rückwärts- richtung an, daß die Remanenzrichtung in Richtung des angelegten Abfragefeldes 18 verläuft. Auf diese Weise wird die Remanenzrichtung des Elementes 10 angezeigt.The interrogation field 18 of the conductor 32 is trying to find the path of the smallest magnetic To find resistance, forced into an airway, which is indicated in FIG. 2 by the line 35. When the remanent field of film element 10 opposes vector 18, portion 14 forms the film element a path of very high reluctance because the film element is still in an area low permeability, d. H. works at magnetic saturation. The film element 10 is also located in the area of low permeability when the remanent magnetization is in the same direction as the vector 18 Has. The magnetic flux generated by the interrogation field therefore leaves the film element 10 in any case the point indicated by line 34 regardless of the direction of remanence. If the magnetization device of the film segment 12 is caused by the field 18 overturned, a relatively large EMF is generated in the winding 32 in the reverse direction, which indicates that the remanence direction of the film element 10 is in the direction of arrow 16. In contrast, a low EMF in reverse direction that the remanence direction runs in the direction of the interrogation field 18 applied. To this The remanence direction of the element 10 is displayed.

Nach Entfernen des Abfragefeldes 18 wird die Magnetisierung des umgeschalteten Filmsegmentes 12 in ihren ursprünglichen Zustand zurückversetzt, da im Filmabschnitt 14 das remanente Feld verbleibt. Liegen dagegen das Abfragefeld 18 und das remanente Feld in ein und derselben Richtung, so wird das Filmsegment 12 natürlich nicht ummagnetisiert. After removing the interrogation field 18, the magnetization of the switched film segment 12 returned to its original state, since the remanent field remains in the film section 14. If, on the other hand, the interrogation field 18 and the remanent field lie in one and the same direction, then the film segment 12 is of course not remagnetized.

Das unter dem Einfluß eines Abfragefeldes stehende Filmsegment 12 kann an einer beliebigen Stelle im Filmelement 10 so angeordnet sein, daß. es die Vorzugsachse 20 der Magnetisierung kreuzt. Die gezeigte kreisscheibenförmige Ausbildung ist für das Filmelement 10, 1OA nicht zwingend. Das FiImelement 10, 10/4 ist vorzugsweise nicht dicker als 2000 A. :The standing under the influence of an interrogation field film segment 12 can be arranged at any point in the film element 10 so that. it crosses the easy axis 20 of the magnetization. The configuration shown in the form of a circular disk is not mandatory for the film element 10, 10A. The fiim element 10, 10/4 is preferably no thicker than 2000 A.

Zur Auswertung der kurzzeitigen Ummagnetisier rung des Fihnsegmentes 12 wird vorzugsweise eine plane Lesewicklung 36 so gegenüber dem Filmsegment 12 angeordnet, daß sie parallel zu der Vorzugsachse 20 der Magnetisierung verläuft. Ein Span- nungsimpulsauswerter 38 ist an die Wicklung 36 angeschlossen und wertet die EMK aus, die in der Wicklung 36 durch eine kurzzeitige Ummagnetisierung erzeugt wird.
Eine bevorzugte Anordnung der Wicklungen ist aus F i g. 2 ersichtlich. Der Film 10 befindet sich auf einer geeigneten Trägerschicht 40, wie z. B. Glas. Die Wicklungen 22 und 32 stehen mit dem Film.lO in Berührung; sie sind auf einer extrem dünnen Trägerschicht 42 angeordnet, die elektrische Isoliereigenschaften aufweist. Die Lesewicklung 36 ist auf dem Träger 42 gegenüber der Abfragewicklung 32 angeordnet. Die Gesamtstärke der Wicklungen 32, 36 und der Trägerschicht 42 beträgt vorzugsweise weniger als 0,005 cm. Die Wicklungen 22 und 32 liegen im Abstand voneinander, damit sie gegeneinander elektrisch isoliert sind.To evaluate the brief magnetic reversal of the Fihnsegmentes 12, a planar reading winding 36 is preferably arranged opposite the film segment 12 that it runs parallel to the preferred axis 20 of the magnetization. A voltage pulse evaluator 38 is connected to the winding 36 and evaluates the EMF that is generated in the winding 36 by a brief reversal of magnetization.
A preferred arrangement of the windings is shown in FIG. 2 can be seen. The film 10 is on a suitable carrier layer 40, such as. B. Glass. The windings 22 and 32 are in contact with the film. they are arranged on an extremely thin carrier layer 42 which has electrical insulating properties. The reading winding 36 is arranged on the carrier 42 opposite the interrogation winding 32. The total thickness of the windings 32, 36 and the carrier layer 42 is preferably less than 0.005 cm. The windings 22 and 32 are spaced from one another so that they are electrically isolated from one another.

Leiter 43 (F i g. 2) sind spiegelbildlich zu den Wicklungen 22, 32 und 36 bzw. als durchgehendeConductors 43 (FIG. 2) are a mirror image of windings 22, 32 and 36 or as continuous

Fläche auf der abgewendeten Seite der Trägerschicht angeordnet und mit Erde verbunden. Auf diese Weise bilden die Leiter eine sogenannte Bandleitung. Die Erdungsleitungen wirken mit den zugehörigen Leitern zusammen, um die Streuung des durch den Treiberstrom erzeugten Magnetfeldes zu begrenzen, wie durch die Linien 35^4 angedeutet, wodurch das Abfragefeld 18, 35 mehr auf das Gebiet innerhalb des Filmelementes konzentriert wird.Surface arranged on the opposite side of the carrier layer and connected to earth. To this The conductors form what is known as a ribbon line. The grounding lines work with the associated Conductors together to limit the scattering of the magnetic field generated by the drive current, as indicated by the lines 35 ^ 4, whereby the Inquiry field 18, 35 more on the area within of the film element is concentrated.

Zur Vereinfachung und zum besseren Verständnis der Erfindung wurde das löschfreie Lesen lediglich eines einzigen Filmelementes beschrieben. Magnetspeicherelemente nach der Erfindung lassen sich leicht in bekannten Anordnungen von magnetischen Filmelementen zur Durchführung von Speicher- und logischen Operationen verwenden. Die Leiter 22 und können aus mehreren Leitungen bestehen, die nach dem Koinzidenzstromprinzip gleichzeitig Strom führen müssen, um die beschriebene Wirkung zu ermöglichen.To simplify and to better understand the invention, the erasure-free reading was only a single film element described. Magnetic storage elements according to the invention can be easily in known arrangements of magnetic film elements for carrying out storage and use logical operations. The conductors 22 and can consist of several lines that must conduct current according to the coincidence current principle at the same time in order to achieve the described effect enable.

Claims

Patent claims:

1. Magnetic storage unit with a rectangular hysteresis loop and in two remanent states switchable extremely thin film element, characterized in that that the interrogation means (32) only with a small part (12) of the film element (10) for reading the remanent state is magnetically coupled to the direction of magnetization this film part (12) to change temporarily when the magnetization in a other than the interrogation direction, without affecting the outside of the film part (12) in the Film (10) to influence existing magnetization, and that the outside of the interrogated Film part (12) existing magnetization is suitable, the magnetization of the film part (12) force back in the direction of the magnetization existing outside the film part, when the direction of magnetization of the film part (12) has been changed by the interrogation means.

2. Magnetic storage unit according to claim 1, characterized in that the interrogation means as ribbon-shaped conductor (32) is formed, which is coupled to the film part (12).

3. Magnetic storage unit according to claim 1 and 2, characterized in that the interrogation conductor (32) the preferred direction (20) of the magnetization crosses.

4. Magnetic storage unit according to claim 1, da- "characterized in that the film element (10) consists of a substantially homogeneous ferromagnetic composition, the one has high coercive force.

5. Magnetic storage unit according to claim 1, characterized in that on one side of the magnetic film (10), the interrogation conductor (32) and the inscribing conductor (22) arranged in the same plane and coupled to different sized portions (12, 14) of the film element.

6. Magnetic storage unit according to claim 5, characterized in that both conductors (32, 22) are arranged at a distance from one another transversely to the preferred direction of magnetization.

7. Magnetic storage unit according to claim 5, characterized in that the interrogation conductor (32) not wider than 5% of the extension of the film element (10) in the direction of the width of the conductor is.

8. Magnetic storage unit according to claim 7, characterized in that the width of the interrogation conductor (32) is approximately 1% of the extent of the Film element corresponds.

9. Magnetic storage unit according to claim 1 to 6, characterized in that a grounded Conductor (43) on the other side of the film element (10) is arranged to the effective area of the query field.

10. Magnetic storage unit according to claim 1 to 4, characterized in that the interrogation conductor (32 ^ 4) the preferred direction of magnetization approximately in the center of the film element (10) cuts.

1 sheet of drawings