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DE1222118B - Limitation control of the output power of power transistors - Google Patents

Limitation control of the output power of power transistors

Info

Publication number
DE1222118B
DE1222118B DEL50013A DEL0050013A DE1222118B DE 1222118 B DE1222118 B DE 1222118B DE L50013 A DEL50013 A DE L50013A DE L0050013 A DEL0050013 A DE L0050013A DE 1222118 B DE1222118 B DE 1222118B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
output
power
voltage
collector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEL50013A
Other languages
German (de)
Inventor
Dipl-Ing Erwin Sanetra
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DEL50013A priority Critical patent/DE1222118B/en
Publication of DE1222118B publication Critical patent/DE1222118B/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52Circuit arrangements for protecting such amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Description

Begrenzungsregelung der Ausgangsleistung von Leistungstransistoren Bei Gleichspannungs- und Gleichstromverstärkern ist man allgemein bestrebt, den Verstärkerausgang niederohmig und damit steif gegen Belastungsschwankungen zu machen. Diese Forderung kann man gut erfüllen, indem man die Endstufe als Emitterfolger (Kollektorstufe) ausführt. Eine solche Stufe hat jedoch den großen Nachteil, daß sie nicht kurzschlußfest ist, d..h., der Endtransistor wird infolge des großen Kurzschlußstromes und der damit verbundenen Verlustleistung sofort zerstört, wenn der Verstärkerausgang kurzgeschlossen wird.Limitation control of the output power of power transistors In direct voltage and direct current amplifiers, one generally strives to the To make amplifier output low-resistance and thus stiff against load fluctuations. This requirement can be met by using the output stage as an emitter follower (Collector stage). However, such a stage has the major disadvantage that it is not short-circuit-proof, i.e. the output transistor becomes as a result of the large short-circuit current and the associated power loss immediately destroyed when the amplifier output is short-circuited.

Abhilfe kann für diesen Fall in bekannter Weise dadurch geschaffen werden, daß man einen entsprechend hochohmigen Schutzwiderstand in den Kollektorkreis einfügt. Hierdurch wird zwar ein Überschreiten der Verlustleistungsgrenze des Transistors vermieden; zugleich aber geht der volle Aussteuerungsbereich verloren. Insofern ist diese Maßnahme keine befriedigende Lösung.This can remedy this case in a known manner that one has a correspondingly high-resistance protective resistor in the collector circuit inserts. As a result, the power loss limit of the transistor is exceeded avoided; at the same time, however, the full control range is lost. To that extent this measure is not a satisfactory solution.

Auch sind bereits Schaltungen zur Begrenzungsregelung der Ausgangsleistung von Leistungstransistoren bekanntgeworden, bei denen keine Beschränkung des Aussteuerungsbereichs erfolgt. In der USA.-Patentschrift 3 102 241 und der deutschen Auslegeschrift 1110 231 sind Begrenzungsschaltungen angegeben, bei denen eine Vergleichsstufe vorgesehen ist, die den vom Leistungstransistor aufgenommenen Strom und die über den Leistungstransistor auftretende Spannung mit einem vorgegebenen Sollwert vergleichen und bei überschreitung einer vorgegebenen Grenze des Produktes beider Größen den Leistungstransistor im Sinne einer Verringerung der Ausgangsleistung ansteuern.Circuits for limiting control of the output power are also already in place of power transistors that do not limit the modulation range he follows. In U.S. Patent 3 102 241 and German Auslegeschrift 1110 231 limit circuits are specified in which a comparison stage is provided is the current consumed by the power transistor and that through the power transistor Compare the voltage that occurs with a specified target value and if it is exceeded a predetermined limit of the product of both sizes the power transistor in the Control the sense of a reduction in output power.

Die Erfindung gibt eine sehr vorteilhafte und zweckmäßige Anordnung zur Begrenzungsregelung der Ausgangsleistung eines in Kollektorschaltung betriebenen Leistungstransistors (Endtransistor) an. Gemäß der Erfindung wird die gestellte Aufgabe dadurch gelöst, daß zur mittelbaren Abbildung der Spannung über dem Endtransistor (Tr3) ein weiterer Transistor (Tr 1) gleichen Leitfähigkeitstyps vorgesehen ist, dessen Basis-Emitter-Strecke parallel zum Ausgang des Endtransistors liegt und dessen Kollektor mit dem Abgriff eines zwischen die Versorgungsspannung geschalteten Widerstand-Spannungsteilers (R2, R4) verbunden ist, und daß zur Erfassung des Stromes durch den Endtransistor in dessen Kollektorkreis ein Widerstand (R1) vorgesehen ist, dessen kollektorseitiger Anschluß mit der Basis eines zusätzlichen, die Vergleichsstufe bildenden Transistors entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps verbunden ist, dessen Emitter mit dem Spannungsteilerabgriff in Verbindung steht und über dessen Kollektor der Endtransistor bei Überschreitung der Leistungsgrenze mittelbar oder unmittelbar zugesteuert wird.The invention provides a very advantageous and expedient arrangement for limiting control of the output power of a power transistor (output transistor) operated in a collector circuit. According to the invention, the object is achieved in that a further transistor (Tr 1) of the same conductivity type is provided for the indirect mapping of the voltage across the end transistor (Tr3), the base-emitter path of which is parallel to the output of the end transistor and its collector with the tap of a resistor-voltage divider (R2, R4) connected between the supply voltage, and that a resistor (R1) is provided for detecting the current through the final transistor in its collector circuit, the collector-side connection of which with the base of an additional, the comparison stage forming Transistor of opposite conductivity type is connected, the emitter of which is connected to the voltage divider tap and the collector of which the output transistor is directly or indirectly controlled when the power limit is exceeded.

Ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Schaltung zeigt die Zeichnung. An Hand dieser Zeichnung sei im folgenden die Erfindung näher erläutert.An embodiment of the circuit according to the invention is shown in Drawing. The invention is explained in more detail below with reference to this drawing.

Die Zeichnung zeigt zunächst einmal einen einfachen Rechenverstärker, bestehend aus der Differenzstufe am Eingang, einer nachgeschalteten Verstärkerstufe und einer abschließenden Endstufe in Kollektorschaltung. Der Transistor dieser Endstufe wird normalerweise bei Kurzschluß am Ausgang (RL -- 0) zerstört, und es ist deswegen für diesen Transistor eine Begrenzungsregelung seiner Ausgangsleistung in Abhängigkeit von der Belastung am Ausgang vorgesehen.The drawing shows first of all a simple computing amplifier, consisting of the differential stage at the input, a downstream amplifier stage and a final output stage in a collector circuit. The transistor of this output stage is normally destroyed in the event of a short circuit at the output (RL - 0), and that's why it is for this transistor a limiting control of its output power as a function of provided by the load at the output.

Die Regelung der Leistung des Endtransistors Tr3 wird durch den Vergleich der beiden Spannungen Ui und U2 bewirkt, wobei die Spannung U2 als Sollwert anzusehen und durch die Ausgangsspannung U" veränderbar ist. Über einen zwischen die Versorgungsspannung geschalteten Spannungsteiler, bestehend aus den Widerständen R2 und R4, kann ein Grundsollwert U21 über dem Widerstand R2 vorgegeben werden. Zu diesem Grundsollwert addiert sich ein veränderlicher Sollwert U22, der sich aus dem Strom I, herleitet. Am Widerstand R1 wird der Strom durch den Transistor Tr3 als Istwert Ui abgebildet. Beide Spannungen werden über die Basis-Emitter-Strecke des Transistors Tr2 verglichen. Dieser Vergleich ist bekannt und wird beispielsweise bei spannungsstabilisierten Netzgeräten oft angewandt (Prinzip der Referenzspannungen). Es ist ein wesentliches Merkmal der Erfindung, daß sich der Sollwert U2 in Abhängigkeit von der Ausgangsspannung U" verändert. (U2 = U21 + U22). Um die Wirkungsweise der Begrenzungsregelung näher zu erläutern, sei beispielsweise der Fall angenommen, daß der Abschlußwiderstand (Lastwiderstand RL) entfernt und der Ausgang kurzgeschlossen wird (RL -> 0). In diesem Fall fällt die gesamte Versorgungsspannung, beispielsweise 50 V, abzüglich der kleinen Vergleichsspannung Ul, an dem Endtransistor Tr 3 ab. Wird der Strom 1C nicht auf einen bestimmten Wert begrenzt, so wird der Transistor zerstört. Um dies zu vermeiden, ist die Basis eines Transistors Trl mit dem Emitter des Endtransistors Tr 3 verbunden. An dem Emitterwiderstand des Transistors 1 bildet sich dann die Ausgangsspannung U" ab. Sie ist lediglich um die Basis-Emitter-Spannung von der tatsächlichen Ausgangsspannung verschieden. Die Ausgangsspannung U" bestimmt den Strom 13 des Transistors Tr 1, und dieser Strom wiederum beeinflußt die Vergleichsspannung U2, wie man sehr leicht der Zeichnung entnehmen kann. Die Vergleichsspannung U2 wird also nicht allein durch den"fest einstellbaren Strom 14 über den Spannungsteiler R2, R4, bestimmt, sondern auch noch durch den Strom 13 mitbestimmt, der wiederum von der Ausgangsspannung U" und damit von dem Lastwiderstand RL abhängig ist. Im Falle des Kurzschlusses geht U" gegen 0 Volt. Dadurch erhalten sowohl die Basis als auch der Emitter des Transistors Trl gleiches Potential und er wird gesperrt. Infolge des Fehlers des Stromes 13 vermindert sich die Spannung U2. Da nun die Spannung U2 mit der Spannung U1 mit Hilfe des Transistors Tr 2 verglichen wird, muß sich der- Kollektorstrom I, des Endtransistors 3 verringern, damit die Spannung Ui wiederum der Spannung U2 angeglichen wird. Die Regelung der beiden Spannungen U1, U2 auf Gleichheit übernimmt der Transistor 2. Sinkt die Ausgangsspannung U" und damit der Strom I3, so verringert sich die Spannung U2. Dadurch wird der Emitter des NPN-Transistors 3 negativ gegenüber seiner Basis, und er zieht mehr Strom. Der Kollektor dieses Transistors ist mit den Emittern der Eingangs-Differenzstufe verbunden und wirkt bei zunehmender Aussteuerung sperrend auf die (Differenz,) Eingangsstufe des Verstärkers. Dadurch kommen aber auch die nachgeschaltete Verstärkerstufe und die Kollektorstufe (Endstufe) mehr in den Sperrzustand, so daß eine Zerstörung des Endtransistors vermieden wird.The power of the output transistor Tr3 is regulated by comparing the two voltages Ui and U2, the voltage U2 being regarded as the setpoint value and being changeable by the output voltage U ". Via a voltage divider connected between the supply voltage, consisting of the resistors R2 and R4 , a basic setpoint value U21 can be specified via the resistor R2. A variable setpoint value U22, which is derived from the current I, is added to this basic setpoint value. The current through the transistor Tr3 is mapped as the actual value Ui at the resistor R1 The base-emitter path of the transistor Tr2 is compared. This comparison is known and is often used, for example, in voltage-stabilized power supplies (principle of reference voltages). It is an essential feature of the invention that the setpoint U2 changes as a function of the output voltage U " . (U2 = U21 + U22). In order to explain the mode of operation of the limitation control in more detail, let us assume, for example, that the terminating resistor (load resistor RL) is removed and the output is short-circuited (RL -> 0). In this case, the entire supply voltage, for example 50 V, minus the small comparison voltage U1, drops across the output transistor Tr 3 . If the current 1C is not limited to a certain value, the transistor will be destroyed. In order to avoid this, the base of a transistor Trl is connected to the emitter of the end transistor Tr 3 . The output voltage U "is then reproduced at the emitter resistor of the transistor 1. It differs from the actual output voltage only by the base-emitter voltage. The output voltage U" determines the current I3 of the transistor Tr 1, and this current in turn influences the Comparison voltage U2, as you can easily see from the drawing. The comparison voltage U2 is not only determined by the "permanently adjustable current 14 via the voltage divider R2, R4, but also determined by the current 13, which in turn depends on the output voltage U" and thus on the load resistance RL. In the event of a short circuit, U "goes to 0 volts. As a result, both the base and the emitter of the transistor Trl receive the same potential and it is blocked. As a result of the error in the current 13, the voltage U2 decreases U1 is compared with the aid of the transistor Tr 2 , the collector current I, of the output transistor 3 must be reduced so that the voltage Ui is again adjusted to the voltage U2 Output voltage U "and thus the current I3, the voltage U2 is reduced. This makes the emitter of the NPN transistor 3 negative with respect to its base, and it draws more current. The collector of this transistor is connected to the emitters of the input differential stage and has a blocking effect on the (difference,) input stage of the amplifier as the level increases. As a result, however, the downstream amplifier stage and the collector stage (output stage) are more in the blocking state, so that destruction of the output transistor is avoided.

Claims (1)

Patentanspruch: Anordnung zur Begrenzungsregelung der Ausgangsleistung eines in Kollektorschaltung betriebenen Leistungstransistors (Endtransistor), dadurch gekennzeichnet, daß zur mittelbaren Abbildung der Spannung über dem Endtransistor (Tr 3) ein weiterer Transistor (Tr 1) gleichen Leitfähigkeitstyps vorgesehen ist, dessen Basis-Emitter-Strecke parallel zum Ausgang des Endtransistors liegt und dessen Kollektor mit dem Abgriff eines zwischen die Versorgungsspannung geschalteten Widerstand-Spannungsteilers (R2, R4) verbunden ist, und daß zur Erfassung des Stromes durch den Endtransistor in dessen Kollektorkreis ein Widerstand (R1) vorgesehen ist, dessen kollektorseitiger Anschluß mit der Basis eines zusätzlichen, die Vergleichsstufe bildenden Transistors entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps verbunden ist, dessen Emitter mit dem Spannungsteilerabgriff in Verbindung steht und über dessen Kollektor der Endtransistor bei Überschreitung der Leistungsgrenze mittelbar oder unmittelbar zugesteuert wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1110 231; USA.-Patentschrift Nr. 3 102 241.Claim: Arrangement for limiting control of the output power of a power transistor (end transistor) operated in a collector circuit, characterized in that a further transistor (Tr 1) of the same conductivity type is provided for the indirect mapping of the voltage across the end transistor (Tr 3) , its base-emitter path is parallel to the output of the end transistor and its collector is connected to the tap of a resistor-voltage divider (R2, R4) connected between the supply voltage, and that a resistor (R1) is provided in its collector circuit to detect the current through the end transistor Terminal is connected to the base of an additional, the comparison stage forming transistor of the opposite conductivity type, the emitter of which is connected to the voltage divider tap and via the collector of which the output transistor is directly or indirectly admitted when the power limit is exceeded is valued. Documents considered: German Auslegeschrift No. 1110 231; U.S. Patent No. 3,102,241.
DEL50013A 1965-02-20 1965-02-20 Limitation control of the output power of power transistors Pending DE1222118B (en)

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